JP3516173B2 - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術（図５及び図６） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（図１〜図３） 作用 実施例（図１〜図４） （１）電流源の基本構成（図１〜図３） （２）使用例（図４） （３）他の実施例 発明の効果[Table of Contents] The present invention will be described in the following order. Industrial applications Conventional technology (Figs. 5 and 6) Problems to be Solved by the Invention Means for Solving the Problems (FIGS. 1 to 3) Action Example (FIGS. 1 to 4) (1) Basic configuration of current source (Figs. 1 to 3) (2) Usage example (Fig. 4) (3) Other embodiments The invention's effect
【０００２】[0002]
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置に関
し、例えばレーザダイオードドライバー（ＬＤＤ：Lase
r Diode Driver）半導体集積回路に用いて好適なもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, for example, a laser diode driver (LDD: Lase).
r Diode Driver) Suitable for use in semiconductor integrated circuits.
【０００３】[0003]
【従来の技術】従来、この種の半導体集積回路にはレー
ザダイオード変調部やバイアス電流供給部が内蔵されて
おり、これら各部で用いられる定電流源の電流設定方式
として電圧設定型と電流設定型との２種類がある。この
うち電圧設定型の定電流源は設定電流に対して温度特性
をもたせたい場合やレーザダイオードに流すバイアス電
流のように自動電力制御（ＡＰＣ：Automatic Power Co
ntrol ）回路を必要とする場合に多く用いられている。2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor integrated circuit of this type has a built-in laser diode modulator and a bias current supply unit. As a current setting method of a constant current source used in each of these units, a voltage setting type and a current setting type are used. There are two types. Among them, the voltage setting type constant current source is used for automatic power control (APC: Automatic Power Co
It is often used when a circuit is required.
【０００４】これら各設定方式に対応する定電流源の回
路構成を図５及び図６を用いて説明する。このうち図５
は電圧設定型の定電流源１Ａを内蔵する半導体集積回路
１を示し、図６は電流設定型の定電流源２Ａを内蔵する
半導体集積回路２を示している。The circuit configuration of the constant current source corresponding to each of these setting methods will be described with reference to FIGS. Of these, Figure 5
Shows a semiconductor integrated circuit 1 incorporating a voltage setting type constant current source 1A, and FIG. 6 shows a semiconductor integrated circuit 2 incorporating a current setting type constant current source 2A.
【０００５】まず電流設定型の定電流源１Ａから説明す
る。定電流源１Ａは、半導体集積回路１に内蔵されてい
る他の回路同様、電源（ＶCC）端子Ｐ１及び接地電位
（ＧＮＤ）端子Ｐ２からそれぞれ電源ＶCC及び接地電源
ＧＮＤの供給を受けるように接続されている。この定電
流源１Ａは、２つの電源ＶCC及びＧＮＤ間に直列接続さ
れたトランジスタＱ１及びエミツタ抵抗Ｒ１の直列回路
段と、これに並列接続されたトランジスタＱ２及びエミ
ツタ抵抗Ｒ２の直列回路段の２段で構成されている。こ
こでトランジスタＱ１及びＱ２のベースは共通のバイア
ス電圧調整端子Ｐ３に接続されている。First, the current setting type constant current source 1A will be described. The constant current source 1A, like other circuits incorporated in the semiconductor integrated circuit 1, is supplied with the power source V CC and the ground power source GND from the power source (V CC ) terminal P1 and the ground potential (GND) terminal P2, respectively. It is connected. This constant current source 1A has a series circuit stage of a transistor Q1 and an emitter resistor R1 connected in series between two power supplies V CC and GND, and a series circuit stage of a transistor Q2 and an emitter resistor R2 connected in parallel to the constant current source 2A. It is composed of steps. Here, the bases of the transistors Q1 and Q2 are connected to a common bias voltage adjusting terminal P3.
【０００６】このバイアス電圧調整端子Ｐ３に印加され
るバイアス電圧Ｖbiasを調整することにより直流回路
（トランジスタＱ１及び抵抗Ｒ１）に流れる電流Ｉを外
部から調整できるようになされている。ところでこの電
流Ｉに対して所定倍の一定電流ｎ・Ｉを出力するのは他
方の直列回路（トランジスタの２及び抵抗Ｒ２）であ
る。因に定電流ｎ・Ｉの大きさはトランジスタＱ２のト
ランジスタＱ１に対する面積比ｎに応じて定まり、面積
比を選択することにより自由に設定することができる。
このとき抵抗Ｒ２の抵抗値は面積比ｎに対して抵抗Ｒ１
のｎ分の１に設定すれば良い。By adjusting the bias voltage V bias applied to the bias voltage adjusting terminal P3, the current I flowing in the DC circuit (transistor Q1 and resistor R1) can be adjusted from the outside. By the way, it is the other series circuit (the transistor 2 and the resistor R2) that outputs a constant current n · I that is a predetermined multiple of the current I. Incidentally, the magnitude of the constant current n · I is determined according to the area ratio n of the transistor Q2 to the transistor Q1 and can be freely set by selecting the area ratio.
At this time, the resistance value of the resistor R2 is the resistance R1 with respect to the area ratio n.
It may be set to 1 / n.
【０００７】一方、電流設定型の定電流源２Ａはエミツ
タ抵抗付きカレントミラー回路によつて構成されてお
り、外部定電流源３からバイアス電流供給端子Ｐ４に流
し込まれるバイアス電流Ｉbiasに対してｎ倍の電流ｎ・
Ｉbiasを各回路に供給するようになされている。因にト
ランジスタＱ３のベースとコレクタ間は半導体集積回路
２の内部配線によつて結合されている。On the other hand, the current setting type constant current source 2A is composed of a current mirror circuit with an emitter resistance, and is n for the bias current I bias flowing from the external constant current source 3 to the bias current supply terminal P4. Double current n
I bias is supplied to each circuit. Incidentally, the base and collector of the transistor Q3 are coupled by the internal wiring of the semiconductor integrated circuit 2.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】このように定電流源と
しては２種類の定電流源１Ａ及び２Ａがあるが、実際に
半導体集積回路に内蔵する方式は開発時にいずれか一方
に選択されるのが通常である。一方、半導体集積回路を
使用するユーザは同じ機能の半導体集積回路であつても
電圧制御によつて電流源を調整したい場合、電流制御に
よつて定電流源を調整したい場合等様々である。As described above, there are two types of constant current sources 1A and 2A as constant current sources. However, the method of actually incorporating them in the semiconductor integrated circuit is selected at the time of development. Is normal. On the other hand, there are various users who use a semiconductor integrated circuit, such as a case where a semiconductor integrated circuit having the same function wants to adjust a current source by voltage control and a case where a constant current source is adjusted by current control.
【０００９】例えばＬＤＤ半導体集積回路の場合、レー
ザダイオードをパルス変調する変調回路部に供給する電
流は電流制御したいがバイアス電流を供給する電流は電
圧制御したい場合もある。またその反対に変調回路部に
供給する電流は電圧制御したいがバイアス電流を供給す
る電流は電流制御したい場合もある。さらには両方とも
電圧制御したい場合や電流制御したい場合等まちまちで
ある。しかしながら現状の回路構成ではメーカ側が選択
した方式に固定されるためユーザの選択範囲が制限され
ていた。また図５に示す電圧設定型の定電流源１Ａの場
合、電流ｎ・Ｉの電流値を測定するために専用のトラン
ジスタが１つ余分に必要となり回路構成が増える欠点も
あつた。In the case of an LDD semiconductor integrated circuit, for example, the current supplied to the modulation circuit section for pulse-modulating the laser diode may be current controlled, but the current supplied to the bias current may be voltage controlled. On the contrary, in some cases, the current supplied to the modulation circuit section is desired to be voltage-controlled, but the current supplying the bias current may be to be current-controlled. Furthermore, there are various cases such as when it is desired to perform voltage control or current control for both. However, in the current circuit configuration, the method selected by the manufacturer is fixed, so that the selection range of the user is limited. Further, in the case of the voltage setting type constant current source 1A shown in FIG. 5, an extra dedicated transistor is required to measure the current value of the current n · I, which is another drawback.
【００１０】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、製造後においても定電流源のバイアス方法を電流制
御とすることも電圧制御とすることも自由に選択するこ
とができる半導体集積回路装置を提案しようとするもの
である。The present invention has been made in consideration of the above points, and it is possible to freely select either the current control or the voltage control as the bias method of the constant current source even after manufacturing. It is intended to propose a circuit device.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、電流設定用入力段（Ｑ１１、Ｒ１
１）と当該電流設定用入力段（Ｑ１１、Ｒ１１）に流れ
る電流（Ｉ）に対して所定倍（ｎ倍）の電流（ｎ・Ｉ）
を流す電流出力段（Ｑ１２、Ｒ１２）とで構成される定
電流回路（１１）を有する半導体集積回路装置（１０）
において、電流設定用入力段（Ｑ１１、Ｒ１１）を構成
するトランジスタ（Ｑ１１）のコレクタに設けられた当
該コレクタ専用の第１の外部端子（Ｐ１２）と、電流設
定用入力段（Ｑ１１、Ｒ１１）を構成するトランジスタ
（Ｑ１１）のベース及び電流出力段（Ｑ１２、Ｒ１２）
を構成するトランジスタ（Ｑ１２）のベースに設けられ
た複数のベースに共通の第２の外部端子（Ｐ１１）とを
設け、第１の外部端子（Ｐ１２）に外部電源電圧（Ｖ
ＣＣ）を供給し、かつ第２の外部端子（Ｐ１１）にベー
ス電圧設定用のバイアス電圧（Ｖｂｉａｓ）を供給する
ことにより定電流回路（１１）を電圧設定型の電流源と
して使用する一方、第１の外部端子（Ｐ１２）と第２の
外部端子（Ｐ１１）を外部配線（１２）を介して接続
し、かつ第１の外部端子（Ｐ１２）にバイアス電流（Ｉ
ｂｉａｓ）を供給することにより定電流回路（１１）を
電流設定型の電流源として使用するようにした。In order to solve such a problem, in the present invention, a current setting input stage (Q11, R1) is used.
1) and a current (nI) that is a predetermined multiple (n times) of the current (I) flowing through the current setting input stage (Q11, R11).
Integrated circuit device (10) having a constant current circuit (11) composed of a current output stage (Q12, R12)
In, the first external terminal (P12) dedicated to the collector provided in the collector of the transistor (Q11) forming the current setting input stage (Q11, R11) and the current setting input stage (Q11, R11) are connected. Base of transistor (Q11) and current output stage (Q12, R12)
The common second external terminal (P11) is provided to the plurality of bases provided at the base of the transistor (Q12) constituting the transistor (Q12), and the external power supply voltage (V11) is supplied to the first external terminal (P12).
CC ) and a base voltage setting bias voltage (V bias ) to the second external terminal (P11) to use the constant current circuit (11) as a voltage setting type current source, The first external terminal (P12) and the second external terminal (P11) are connected via the external wiring (12), and the bias current (I) is applied to the first external terminal (P12).
The constant current circuit (11) is used as a current setting type current source by supplying the bias current.
【００１２】[0012]
【作用】第１の外部端子（Ｐ１２）に外部電源電圧（Ｖ
CC）を供給し、かつ第２の外部端子（Ｐ１１）にベース
電圧設定用のバイアス電圧（Ｖbias）を供給すれば定電
流回路（１１）を電圧設定型の電流源として使用するこ
とができる。これに対して第１の外部端子（Ｐ１２）と
第２の外部端子（Ｐ１１）を外部配線（１２）を介して
接続し、第１の外部端子（Ｐ１２）にバイアス電流（Ｉ
bias）を供給すれば定電流回路（１１）を電流設定型の
電流源として使用することができる。このように第１及
び第２の外部端子（Ｐ１２）、（Ｐ１１）との接続を変
えるだけで半導体集積回路装置（１０）内に内蔵されて
いる定電流回路（１１）を電流設定型の電流源としても
電圧設定型の電流源としても使用することができる。Operation: The external power supply voltage (V) is applied to the first external terminal (P12).
CC ) and a base voltage setting bias voltage (V bias ) are supplied to the second external terminal (P11), the constant current circuit (11) can be used as a voltage setting type current source. . On the other hand, the first external terminal (P12) and the second external terminal (P11) are connected via the external wiring (12), and the bias current (I) is applied to the first external terminal (P12).
bias ), the constant current circuit (11) can be used as a current setting type current source. In this way, the constant current circuit (11) built in the semiconductor integrated circuit device (10) can be set to a current setting type current only by changing the connection with the first and second external terminals (P12) and (P11). It can be used as both a voltage source and a voltage setting type current source.
【００１３】[0013]
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
【００１４】（１）電流源の基本構成
図１に半導体集積回路１０が定電流源１１として採用す
る基本回路構成を示す。この定電流源１１は並列接続さ
れたバイアス回路部（トランジスタＱ１１及び抵抗Ｒ１
１）と電流供給回路部（トランジスタＱ１２及び抵抗Ｒ
１２）のうちバイアス回路部のトランジスタＱ１１のベ
ースとコレクタとを外部端子Ｐ１１及びＰ１２として直
接引き出したことを特徴としている。(1) Basic Configuration of Current Source FIG. 1 shows a basic circuit configuration adopted by the semiconductor integrated circuit 10 as the constant current source 11. The constant current source 11 includes a bias circuit section (transistor Q11 and resistor R1 connected in parallel
1) and current supply circuit section (transistor Q12 and resistor R
In 12), the base and collector of the transistor Q11 in the bias circuit section are directly drawn out as the external terminals P11 and P12.
【００１５】すなわちバイアス用のトランジスタＱ１１
のコレクタを従来の電圧制御型のように半導体集積回路
に電源を供給する電源（ＶCC）端子Ｐ１から伸びる電源
ラインに接続するのでもなく、また従来の電流制御型の
ようにベースとコレクタとを集積回路の内部で直接接続
するのでもなく、トランジスタＱ１１のベースとコレク
タとの接続に自由度をもたせることを特徴としている。That is, the bias transistor Q11
Is not connected to the power supply line extending from the power supply (V CC ) terminal P1 for supplying power to the semiconductor integrated circuit as in the conventional voltage control type, and the base and collector are connected as in the conventional current control type. Is not directly connected to the inside of the integrated circuit, but the base and collector of the transistor Q11 can be freely connected.
【００１６】例えばこの定電流源１１から半導体集積回
路１０の各部に供給される電流ｎ・Ｉを電圧によつて設
定したい場合、半導体集積回路１０を購入したユーザは
図２に示すように、トランジスタＱ１１のベースに接続
されている端子Ｐ１１にバイアス電圧源Ｖbiasを接続
し、かつ他の端子Ｐ１２に電流モニタ用の抵抗ＲL を介
して外部電源ＶCCを接続すれば良い。この接続によりバ
イアス電圧Ｖbiasに応じた大きさのバイアス電流Ｉが外
部電源ＶCCから抵抗ＲL 及び端子Ｐ１２を介してエミツ
タ抵抗Ｒ１１に流れることになる。そしてトランジスタ
Ｑ１１に対する面積比がｎのトランジスタＱ１２にバイ
アス電流Ｉに対してｎ倍の電流ｎ・Ｉが流れることにな
る。For example, when it is desired to set the current nI supplied from the constant current source 11 to each part of the semiconductor integrated circuit 10 by voltage, the user who purchased the semiconductor integrated circuit 10 uses a transistor as shown in FIG. The bias voltage source V bias may be connected to the terminal P11 connected to the base of Q11, and the external power supply V CC may be connected to the other terminal P12 via the current monitoring resistor RL . By this connection, a bias current I having a magnitude corresponding to the bias voltage V bias flows from the external power source V CC to the emitter resistor R11 via the resistor R L and the terminal P12. Then, a current nI that is n times the bias current I flows through the transistor Q12 having an area ratio of n to the transistor Q11.
【００１７】しかもこの例のように外部電源ＶCCと端子
Ｐ１２との間に電流モニタ用の抵抗ＲL を接続すれば定
電流源１１に流れる電流量Ｉ（又はｎ・Ｉ）も容易に測
定することができる。この測定値を基にバイアス電圧Ｖ
biasを調整すれば、定電流源１１が各回路部に供給する
電流ｎ・Ｉが適量となるように制御することができる。Moreover, if a resistor R L for current monitoring is connected between the external power source V CC and the terminal P12 as in this example, the amount of current I (or n · I) flowing in the constant current source 11 can be easily measured. can do. Bias voltage V based on this measurement
By adjusting bias , it is possible to control so that the current n · I supplied by the constant current source 11 to each circuit unit becomes an appropriate amount.
【００１８】これに対して定電流源１１から半導体集積
回路１０の各部に供給される電流ｎ・Ｉを電流によつて
設定したい場合、半導体集積回路１０を購入したユーザ
は図３に示すように、トランジスタＱ１１のコレクタに
接続されている端子Ｐ１２に外部定電流源３を接続する
と共に、この端子Ｐ１２とトランジスタＱ１１のベース
が接続される端子Ｐ１１を外部配線１２を介して接続す
れば良い。この外部配線１２を介した接続によりカレン
トミラー回路が構成され、トランジスタＱ１１に流れる
バイアス電流Ｉに対してｎ倍の電流ｎ・Ｉが他方の直列
回路（トランジスタＱ１２及び抵抗Ｒ１２）に流れるこ
とになる。On the other hand, when the current n · I supplied from the constant current source 11 to each part of the semiconductor integrated circuit 10 is desired to be set by the current, the user who purchased the semiconductor integrated circuit 10 is as shown in FIG. The external constant current source 3 may be connected to the terminal P12 connected to the collector of the transistor Q11, and the terminal P12 and the terminal P11 to which the base of the transistor Q11 is connected may be connected via the external wiring 12. A current mirror circuit is configured by the connection via the external wiring 12, and a current n · I that is n times the bias current I flowing in the transistor Q11 flows in the other series circuit (transistor Q12 and resistor R12). .
【００１９】以上の構成によれば、定電流源１１を半導
体集積回路１０の電流源として採用すれば、この定電流
源１１を電圧制御とするか電流制御とするかは使用時に
おけるユーザの好みに応じて自由に選択することができ
る。これによりユーザの使い勝手を格段的に向上させる
ことができる。またこの定電流源１１を電圧制御とする
場合に必要となる電流Ｉの電流値も外部電源ＶCCと端子
Ｐ１１との間に直列に接続された抵抗Ｒ１１によつて容
易に計測することができる。これにより従来のように半
導体集積回路１０内に余分なトランジスタを内蔵しなく
ても良くなる。According to the above configuration, if the constant current source 11 is adopted as the current source of the semiconductor integrated circuit 10, whether the constant current source 11 is voltage controlled or current controlled is user's preference at the time of use. It can be freely selected according to. This can greatly improve the usability for the user. Further, the current value of the current I required when the constant current source 11 is subjected to voltage control can be easily measured by the resistor R11 connected in series between the external power source V CC and the terminal P11. . This eliminates the need for incorporating an extra transistor in the semiconductor integrated circuit 10 as in the conventional case.
【００２０】（２）使用例
続いてこの接続構成の定電流源１１Ａ、１１Ｂを使用し
た半導体集積回路の回路例を図４に示す。図中、２０は
全体としてＬＤＤ半導体集積回路を示している。ここで
は回路部のうちレーザダイオード変調部とバイアス電流
供給部を示し、他の回路部分は省略する。端子Ｐ１３及
びＰ１４はレーザダイオードの変調信号Ｓ１及びＳ２を
入力するのに用いられる入力端子であり、この端子Ｐ１
３及びＰ１４にはバツフア回路２１を介して差動対を構
成するトランジスタＱ１３及び１４のベースが接続され
ている。(2) Example of Use Next, FIG. 4 shows a circuit example of a semiconductor integrated circuit using the constant current sources 11A and 11B of this connection configuration. In the figure, 20 indicates an LDD semiconductor integrated circuit as a whole. Here, the laser diode modulation section and the bias current supply section of the circuit section are shown, and other circuit sections are omitted. The terminals P13 and P14 are input terminals used for inputting the modulation signals S1 and S2 of the laser diode.
The bases of the transistors Q13 and 14 which form a differential pair are connected to 3 and P14 via a buffer circuit 21.
【００２１】また差動対を構成するトランジスタＱ１３
及び１４の共通エミツタには変調側電流源１１Ａの電流
出力部を構成するトランジスタＱ１２のコレクタが接続
されている。さらにこの差動対を構成するトランジスタ
Ｑ１３及び１４のコレクタはそれぞれ出力端子Ｐ１５及
びＰ１６に接続されている。使用時には図４に示すよう
に、出力端子Ｐ１５及びＰ１６にそれぞれ外部電源Ｖ
CC0 及びレーザダイオードＬＤのカソードを接続して用
いる。Further, a transistor Q13 forming a differential pair.
The common emitters of 14 and 14 are connected to the collector of the transistor Q12 that constitutes the current output section of the modulation-side current source 11A. Further, the collectors of the transistors Q13 and 14 constituting this differential pair are connected to the output terminals P15 and P16, respectively. At the time of use, as shown in FIG. 4, an external power supply V
CC0 and the cathode of the laser diode LD are connected and used.
【００２２】一方、レーザダイオードＬＤを発光させる
のに必要となるバイアス電流は端子Ｐ１７から供給され
る。この端子Ｐ１７はバイアス側電流源１１Ｂの電流出
力段を構成するトランジスタＱ１２のコレクタに接続さ
れている。使用時にはこの端子Ｐ１７とレーザダイオー
ドＬＤのカソードとの間を外部配線（図示せず）で接続
して用いる。後はユーザの使い勝手に応じて変調側電流
源１１Ａとバイアス側電流源１１Ｂの制御を電流制御用
の接続、又は電圧制御用の接続とすれば良い。On the other hand, the bias current required to make the laser diode LD emit light is supplied from the terminal P17. This terminal P17 is connected to the collector of the transistor Q12 which constitutes the current output stage of the bias side current source 11B. At the time of use, the terminal P17 and the cathode of the laser diode LD are connected by external wiring (not shown) for use. After that, the control of the modulation-side current source 11A and the bias-side current source 11B may be a connection for current control or a connection for voltage control according to the usability of the user.
【００２３】以上の構成において、信号端子Ｐ１３及び
Ｐ１４に互いに逆相の変調信号Ｓ１及びＳ２を入力すれ
ば、定電流ｍ・Ｉで与えられるバイアス電流Ｉ11に定電
流ｎ・Ｉを変調した変調電流Ｉ12が重畳された駆動電流
がレーザダイオードＬＤに流れ、この駆動電流に応じた
変調光がレーザダイオードＬＤから発光される。In the above structure, if modulation signals S1 and S2 having opposite phases are input to the signal terminals P13 and P14, the constant current n · I is modulated by the bias current I 11 given by the constant current m · I. A drive current on which the current I 12 is superimposed flows into the laser diode LD, and modulated light according to this drive current is emitted from the laser diode LD.
【００２４】以上の構成によれば、ユーザはシステムに
応じてＬＤＤ半導体集積回路２０の仕様を自由に選択す
ることができ使い勝手が向上し、またメーカも１つの型
の半導体集積回路によつてあらゆるユーザの使用方法に
対応できるため生産効率を高めることができる。According to the above configuration, the user can freely select the specifications of the LDD semiconductor integrated circuit 20 according to the system, and the usability is improved, and the manufacturer can use all types of semiconductor integrated circuits with one type. The production efficiency can be improved because it can be used according to the usage method of the user.
【００２５】（３）他の実施例
なお上述の実施例においては、電流供給段を１段とする
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、電流供
給段を複数段とする場合にも適用し得る。この場合、各
電流供給段を構成するトランジスタのトランジスタＱ１
１に対する面積比はおのおの異なる比に設定しても良
い。(3) Other Embodiments In the above-mentioned embodiments, the case where the current supply stage is one stage has been described, but the present invention is not limited to this, and when the current supply stage is a plurality of stages. Can also be applied. In this case, the transistor Q1 of the transistors forming each current supply stage
The area ratio with respect to 1 may be set to different ratios.
【００２６】また上述の実施例においては、定電流源１
１を電圧制御型として使用する場合、図２に示すように
端子Ｐ１２と外部電源ＶCC間にモニタ用の抵抗ＲL を接
続する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
端子を直接外部電源ＶCCに接続しても良い。In the above embodiment, the constant current source 1
When 1 is used as the voltage control type, the case where the resistor R L for monitoring is connected between the terminal P12 and the external power supply V CC as shown in FIG. 2 has been described, but the present invention is not limited to this.
The terminal may be directly connected to the external power supply V CC .
【００２７】さらに上述の実施例においては、定電流源
１１を内蔵する半導体集積回路としてＬＤＤ半導体集積
回路２０の場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、あらゆる種類の半導体集積回路に内蔵される定電流
源に適用することができる。Further, in the above embodiment, the LDD semiconductor integrated circuit 20 is described as the semiconductor integrated circuit incorporating the constant current source 11, but the present invention is not limited to this, and it is incorporated in all kinds of semiconductor integrated circuits. Can be applied to the constant current source.
【００２８】[0028]
【発明の効果】上述のように本発明によれば、第１の外
部端子と第２の外部端子との接続方法を変えるだけで半
導体集積回路装置内に内蔵されている定電流回路を電流
設定型の電流源としても電圧設定型の電流源としても使
用することができることによりユーザの使い勝手を従来
に比して一段と高めた半導体集積回路装置を実現するこ
とができる。As described above, according to the present invention, the constant current circuit incorporated in the semiconductor integrated circuit device is set to a current only by changing the connection method between the first external terminal and the second external terminal. Since the semiconductor integrated circuit device can be used as both a current source of a type and a voltage source of a voltage setting type, it is possible to realize a semiconductor integrated circuit device which is much more convenient for the user than the conventional one.
【図１】本発明による半導体集積回路装置に内蔵される
定電流回路の基本回路構成を示す接続図である。FIG. 1 is a connection diagram showing a basic circuit configuration of a constant current circuit incorporated in a semiconductor integrated circuit device according to the present invention.
【図２】電圧設定型の定電流回路として使用する場合の
接続方法を示す接続図である。FIG. 2 is a connection diagram showing a connection method when used as a voltage setting type constant current circuit.
【図３】電流設定型の定電流回路として使用する場合の
接続方法を示す接続図である。FIG. 3 is a connection diagram showing a connection method when used as a current setting type constant current circuit.
【図４】本発明の半導体集積回路装置の一実施例を示す
接続図である。FIG. 4 is a connection diagram showing an embodiment of a semiconductor integrated circuit device of the present invention.
【図５】従来半導体集積回路装置に使用されている定電
流回路の回路構成を示す接続図である。FIG. 5 is a connection diagram showing a circuit configuration of a constant current circuit used in a conventional semiconductor integrated circuit device.
【図６】従来半導体集積回路装置に使用されている定電
流回路の回路構成を示す接続図である。FIG. 6 is a connection diagram showing a circuit configuration of a constant current circuit used in a conventional semiconductor integrated circuit device.
１０……半導体集積回路、１１……定電流源、１２……
外部配線、２０……ＬＤＤ半導体集積回路、２１……バ
ツフア回路。10 ... Semiconductor integrated circuit, 11 ... Constant current source, 12 ...
External wiring, 20 ... LDD semiconductor integrated circuit, 21 ... Buffer circuit.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−186818（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−127209（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−125205（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−102570（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−244207（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−128204（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−150111（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−305606（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G05F 1/00 - 7/00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-58-186818 (JP, A) JP-A-4-127209 (JP, A) JP-A-3-125205 (JP, A) JP-A-5- 102570 (JP, A) JP 3-244207 (JP, A) JP 62-128204 (JP, A) JP 60-150111 (JP, A) JP 63-305606 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G05F 1/00-7/00
Claims (4)
に流れる電流に対して所定倍の電流を流す電流出力段と
で構成される定電流回路を有する半導体集積回路装置に
おいて、 上記電流設定用入力段を構成するトランジスタのコレク
タに設けられた当該コレクタ専用の第１の外部端子と、 上記電流設定用入力段を構成するトランジスタのベース
及び上記電流出力段を構成するトランジスタのベースに
設けられた複数の上記ベースに共通の第２の外部端子と
を具え、 上記第１の外部端子に外部電源電圧を供給し、かつ上記
第２の外部端子にベース電圧設定用のバイアス電圧を供
給することにより上記定電流回路を電圧設定型の電流源
として使用する一方、 上記第１の外部端子と上記第２の外部端子を外部配線を
介して接続し、かつ上記第１の外部端子にバイアス電流
を供給することにより上記定電流回路を電流設定型の電
流源として使用するようにした ことを特徴とする半導体
集積回路装置。1. A current setting input stage and the current setting input stage
And a current output stage that flows a current that is a predetermined amount of the current flowing through
A semiconductor integrated circuit device having a constant current circuit composed of
Be careful The collection of transistors that make up the current setting input stage
ToProvidedFirst external terminal dedicated to the collectorWhen, Base of transistor that constitutes the current setting input stage
And the base of the transistor that constitutes the current output stage
ProvidedA second external terminal common to the plurality of basesWhen
With An external power supply voltage is supplied to the first external terminal, and
Supply a bias voltage for base voltage setting to the second external terminal.
By supplying the constant current circuit to the voltage setting type current source
While using as External wiring between the first external terminal and the second external terminal
Via a bias current to the first external terminal
To supply the constant current circuit to the current setting type
I tried to use it as a source Semiconductor characterized by
Integrated circuit device.
スタのエミツタ及び上記電流出力段を構成するトランジ
スタのエミツタには、これら複数の上記トランジスタの
面積比に応じた大きさの抵抗値を有する抵抗手段がそれ
ぞれ接続されており、これら複数の上記抵抗手段の他端
は共通の電源ラインに接続されていることを特徴とする
請求項１に記載の半導体集積回路装置。2. The emitter of the transistor forming the current setting input stage and the emitter of the transistor forming the current output stage have a resistor having a resistance value corresponding to the area ratio of the plurality of transistors. 2. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the means are connected to each other, and the other ends of the plurality of resistance means are connected to a common power supply line.
スタの面積と上記電流出力段を構成するトランジスタの
面積はほぼ同じであることを特徴とする請求項１又は請
求項２に記載の半導体集積回路装置。3. The semiconductor integrated device according to claim 1, wherein an area of a transistor forming the current setting input stage and an area of a transistor forming the current output stage are substantially the same. Circuit device.
て外部のレーザダイオードをドライブすることを特徴と
する請求項１、請求項２又は請求項３に記載の半導体集
積回路装置。4. Based on the current flowing through the current output stage
The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, 2 or 3, wherein an external laser diode is driven .
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP13146894A JP3516173B2 (en) | 1994-05-19 | 1994-05-19 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13146894A JP3516173B2 (en) | 1994-05-19 | 1994-05-19 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07311628A JPH07311628A (en) | 1995-11-28 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13146894A Expired - Fee Related JP3516173B2 (en) | 1994-05-19 | 1994-05-19 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP3516173B2 (en) |
-
1994
- 1994-05-19 JP JP13146894A patent/JP3516173B2/en not_active Expired - Fee Related
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