JP3513787B2 - Ｌｃ複合部品 - Google Patents
Ｌｃ複合部品Info
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
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- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H2001/0021—Constructional details
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- H03H2001/0021—Constructional details
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- Power Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、積層チップ型の
ＬＣ複合部品に関するもので、特に、コンデンサ部分と
インダクタ部分とを一体焼結して得られるＬＣ複合部品
に関するものである。
ＬＣ複合部品に関するもので、特に、コンデンサ部分と
インダクタ部分とを一体焼結して得られるＬＣ複合部品
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】たとえばパッシブフィルタとして、イン
ダクタとコンデンサとを組み合わせて積層チップ型とし
たＬＣ複合部品が用いられている。このＬＣ複合部品
は、磁性体グリーンシートおよび誘電体グリーンシート
のそれぞれを積層して得られる積層体、すなわちインダ
クタとなる磁性体セラミック部分とコンデンサとなる誘
電体セラミック部分とを互いに重ね合わせた上で一体焼
結してなる部品本体を備えている。
ダクタとコンデンサとを組み合わせて積層チップ型とし
たＬＣ複合部品が用いられている。このＬＣ複合部品
は、磁性体グリーンシートおよび誘電体グリーンシート
のそれぞれを積層して得られる積層体、すなわちインダ
クタとなる磁性体セラミック部分とコンデンサとなる誘
電体セラミック部分とを互いに重ね合わせた上で一体焼
結してなる部品本体を備えている。
【０００３】しかしながら、種々ある誘電体セラミック
材料のうち、磁性体セラミック材料と直接に一体焼結し
得るものは限られている。それにも関わらず、ＬＣ複合
部品の需要者は、多様な用途に応えるため、あらゆる誘
電体セラミック材料が、ＬＣ複合部品における誘電体セ
ラミック部分において用いられ得ることを望んでいる。
材料のうち、磁性体セラミック材料と直接に一体焼結し
得るものは限られている。それにも関わらず、ＬＣ複合
部品の需要者は、多様な用途に応えるため、あらゆる誘
電体セラミック材料が、ＬＣ複合部品における誘電体セ
ラミック部分において用いられ得ることを望んでいる。
【０００４】誘電体セラミック部分と磁性体セラミック
部分とを一体焼結させる技術を採用しながらも、上述の
要望に応えるためには、種類の異なる材料を組み合わせ
ても常に良好な接合が達成されるよう、焼結挙動および
拡散種を制御するとともに、一体焼結温度から常温に戻
す際に接合界面に生じる応力を、誘電体セラミックおよ
び磁性体セラミックの双方の破壊強度以下に制御する必
要がある。
部分とを一体焼結させる技術を採用しながらも、上述の
要望に応えるためには、種類の異なる材料を組み合わせ
ても常に良好な接合が達成されるよう、焼結挙動および
拡散種を制御するとともに、一体焼結温度から常温に戻
す際に接合界面に生じる応力を、誘電体セラミックおよ
び磁性体セラミックの双方の破壊強度以下に制御する必
要がある。
【０００５】これに関して、興味ある技術として、次の
ようなものがある。たとえば、特開昭６４−６１０１５
号公報では、セラミック誘電体層にホウケイ酸ガラスを
含有させてセラミック誘電体層とセラミック磁性体層と
の各線膨張率を近似させることが記載されている。この
場合のガラス添加は、熱膨張係数の差によってもたらさ
れる応力の緩和を目的としている。
ようなものがある。たとえば、特開昭６４−６１０１５
号公報では、セラミック誘電体層にホウケイ酸ガラスを
含有させてセラミック誘電体層とセラミック磁性体層と
の各線膨張率を近似させることが記載されている。この
場合のガラス添加は、熱膨張係数の差によってもたらさ
れる応力の緩和を目的としている。
【０００６】特公平８−８２０１号公報では、セラミッ
ク誘電体および／またはセラミック磁性体にアルカリ土
類酸化物を含有するホウケイ酸ガラスを含有させて、セ
ラミック誘電体層とセラミック磁性体層との各線膨張率
を近似させることが記載されている。この場合のガラス
添加も、熱膨張係数の差によってもたらされる応力の緩
和を目的としている。
ク誘電体および／またはセラミック磁性体にアルカリ土
類酸化物を含有するホウケイ酸ガラスを含有させて、セ
ラミック誘電体層とセラミック磁性体層との各線膨張率
を近似させることが記載されている。この場合のガラス
添加も、熱膨張係数の差によってもたらされる応力の緩
和を目的としている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、誘電
体セラミックおよび／または磁性体セラミックにホウケ
イ酸ガラスを添加することによって得ようとする効果
は、誘電体セラミックおよび磁性体セラミックの各熱膨
張係数とホウケイ酸ガラスの熱膨張係数とを合成するこ
とによって、コンデンサ部分とインダクタ部分との熱膨
張係数を制御しようとすることである。
体セラミックおよび／または磁性体セラミックにホウケ
イ酸ガラスを添加することによって得ようとする効果
は、誘電体セラミックおよび磁性体セラミックの各熱膨
張係数とホウケイ酸ガラスの熱膨張係数とを合成するこ
とによって、コンデンサ部分とインダクタ部分との熱膨
張係数を制御しようとすることである。
【０００８】しかしながら、幅広い熱膨張係数に対応す
るには、ガラスの熱膨張係数だけを変化させる手法には
無理ないしは限界がある。ホウケイ酸ガラスの熱膨張係
数を変化させるには、まず、ホウケイ酸ガラスの組成お
よび組成比を変化させる必要がある。ホウケイ酸ガラス
の組成および組成比を変化させると、ガラスの物理的お
よび化学的特性が変化する。特にガラス軟化点が有効な
指標となるガラス粘度は大きく変化する。この粘度が変
化することにより、コンデンサ部分およびインダクタ部
分の焼結性が変化する。このため、熱膨張係数だけでな
く、焼結温度まで変化していまい、一体焼成したときに
は、部品本体に剥がれや反りなどの欠陥が生じてしま
う。
るには、ガラスの熱膨張係数だけを変化させる手法には
無理ないしは限界がある。ホウケイ酸ガラスの熱膨張係
数を変化させるには、まず、ホウケイ酸ガラスの組成お
よび組成比を変化させる必要がある。ホウケイ酸ガラス
の組成および組成比を変化させると、ガラスの物理的お
よび化学的特性が変化する。特にガラス軟化点が有効な
指標となるガラス粘度は大きく変化する。この粘度が変
化することにより、コンデンサ部分およびインダクタ部
分の焼結性が変化する。このため、熱膨張係数だけでな
く、焼結温度まで変化していまい、一体焼成したときに
は、部品本体に剥がれや反りなどの欠陥が生じてしま
う。
【０００９】また、上記公報は、誘電体セラミックおよ
び磁性体セラミックに含有されるガラスが接合性にどの
ような影響を及ぼすかについて全く言及していない。実
際、上述したようにガラスの組成および組成比を変化さ
せ、そのため、ガラス粘度が変化すると、コンデンサ部
分とインダクタ部分との間での組成種の相互拡散速度や
反応性が変化し、接合性が変化してしまう。
び磁性体セラミックに含有されるガラスが接合性にどの
ような影響を及ぼすかについて全く言及していない。実
際、上述したようにガラスの組成および組成比を変化さ
せ、そのため、ガラス粘度が変化すると、コンデンサ部
分とインダクタ部分との間での組成種の相互拡散速度や
反応性が変化し、接合性が変化してしまう。
【００１０】また、誘電体セラミック層および磁性体セ
ラミック層に含有されるホウケイ酸ガラスは、組成比に
よって、耐湿性、耐酸性および耐アルカリ性が劣化する
ことがある。この原因の主なものの一つに、Ｂ2 Ｏ3 の
含有が挙げられる。特に、低ＳｉＯ2 領域では、このこ
とが顕著である。ガラスのＢ2 Ｏ3 含有に伴う信頼性の
低下は、たとえばコンデンサ部分の誘電体セラミック層
において層間マイグレーションを引き起こし、ＬＣ複合
部品の致命的な欠陥につながることがある。
ラミック層に含有されるホウケイ酸ガラスは、組成比に
よって、耐湿性、耐酸性および耐アルカリ性が劣化する
ことがある。この原因の主なものの一つに、Ｂ2 Ｏ3 の
含有が挙げられる。特に、低ＳｉＯ2 領域では、このこ
とが顕著である。ガラスのＢ2 Ｏ3 含有に伴う信頼性の
低下は、たとえばコンデンサ部分の誘電体セラミック層
において層間マイグレーションを引き起こし、ＬＣ複合
部品の致命的な欠陥につながることがある。
【００１１】そこで、この発明の目的は、上述した問題
を解決し得るＬＣ複合部品を提供しようとすることであ
る。
を解決し得るＬＣ複合部品を提供しようとすることであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明は、誘電体セラ
ミック層と電極層との積層構造を有するコンデンサ部分
と、磁性体セラミック層と電極層との積層構造を有する
インダクタ部分とを一体焼成して得られた部品本体を備
える、ＬＣ複合部品に向けられるものであって、上述し
た技術的課題を解決するため、次のような構成を採用し
たことを特徴としている。
ミック層と電極層との積層構造を有するコンデンサ部分
と、磁性体セラミック層と電極層との積層構造を有する
インダクタ部分とを一体焼成して得られた部品本体を備
える、ＬＣ複合部品に向けられるものであって、上述し
た技術的課題を解決するため、次のような構成を採用し
たことを特徴としている。
【００１３】すなわち、この発明では、誘電体セラミッ
ク層は、８００℃以下の軟化点をもち、Ｂ 2 Ｏ 3 を含まな
いケイ酸塩ガラスを０．５ｗｔ％〜９０ｗｔ％含有す
る。磁性体セラミック層は、ガラスを含有しないか、ま
たは、８００℃以下の軟化点をもち、Ｂ 2 Ｏ 3 を含まない
ケイ酸塩ガラスを０．５ｗｔ％〜９０ｗｔ％含有する。
ク層は、８００℃以下の軟化点をもち、Ｂ 2 Ｏ 3 を含まな
いケイ酸塩ガラスを０．５ｗｔ％〜９０ｗｔ％含有す
る。磁性体セラミック層は、ガラスを含有しないか、ま
たは、８００℃以下の軟化点をもち、Ｂ 2 Ｏ 3 を含まない
ケイ酸塩ガラスを０．５ｗｔ％〜９０ｗｔ％含有する。
【００１４】また、前記誘電体セラミック層および前記
磁性体セラミック層に含有される前記ケイ酸塩ガラス
は、主成分として、少なくとも１種のＭａ 2 Ｏ（Ｍａは
アルカリ金属）を１ｍｏｌ％〜１５ｍｏｌ％と、少なく
とも１種のＭｅＯ（Ｍｅはアルカリ土類金属）を２０ｍ
ｏｌ％〜７０ｍｏｌ％と、ＳｉＯ 2 を５ｍｏｌ％〜６０
ｍｏｌ％と、Ｂｉ 2 Ｏ 3 を０．５ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％
とを含む。さらに、前記コンデンサ部分と前記インダク
タ部分との一体焼結温度が１０００℃以下であり、前記
コンデンサ部分と前記インダクタ部分とがガラスの相互
拡散によって接合されている。
磁性体セラミック層に含有される前記ケイ酸塩ガラス
は、主成分として、少なくとも１種のＭａ 2 Ｏ（Ｍａは
アルカリ金属）を１ｍｏｌ％〜１５ｍｏｌ％と、少なく
とも１種のＭｅＯ（Ｍｅはアルカリ土類金属）を２０ｍ
ｏｌ％〜７０ｍｏｌ％と、ＳｉＯ 2 を５ｍｏｌ％〜６０
ｍｏｌ％と、Ｂｉ 2 Ｏ 3 を０．５ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％
とを含む。さらに、前記コンデンサ部分と前記インダク
タ部分との一体焼結温度が１０００℃以下であり、前記
コンデンサ部分と前記インダクタ部分とがガラスの相互
拡散によって接合されている。
【００１５】また、ガラスは、副成分として、ＴｉＯ2
を５０ mol％以下とＣｕＯを５０ mol％以下とを含むも
の、Ａｌ2 Ｏ3 およびＺｒＯ2 の少なくとも一方を１０
mol％以下含むもの、ＺｎＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 およびＮｉＯ
の少なくとも１種を５ mol％以下含むもの、少なくとも
１種の希土類酸化物を５ mol％以下含むもの、あるい
は、これらの組合せを含むものであることが好ましい。
を５０ mol％以下とＣｕＯを５０ mol％以下とを含むも
の、Ａｌ2 Ｏ3 およびＺｒＯ2 の少なくとも一方を１０
mol％以下含むもの、ＺｎＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 およびＮｉＯ
の少なくとも１種を５ mol％以下含むもの、少なくとも
１種の希土類酸化物を５ mol％以下含むもの、あるい
は、これらの組合せを含むものであることが好ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１には、この発明の一実施形態
によるＬＣ複合部品１の外観が斜視図で示されている。
ＬＣ複合部品１は、コンデンサ部分２とインダクタ部分
３とを一体焼成して得られた部品本体４を備え、部品本
体４の端面上には、複数の外部電極５が形成されてい
る。
によるＬＣ複合部品１の外観が斜視図で示されている。
ＬＣ複合部品１は、コンデンサ部分２とインダクタ部分
３とを一体焼成して得られた部品本体４を備え、部品本
体４の端面上には、複数の外部電極５が形成されてい
る。
【００１７】詳細には図示しないが、コンデンサ部分２
は、誘電体セラミック層と電極層との積層構造を有し、
インダクタ部分３は、磁性体セラミック層と電極層との
積層構造を有している。上述した誘電体セラミック層の
み、または、誘電体セラミック層および磁性体セラミッ
ク層には、８００℃以下の軟化点をもつガラスが含有さ
れ、コンデンサ部分２とインダクタ部分３との一体焼結
温度が１０００℃以下とされている。
は、誘電体セラミック層と電極層との積層構造を有し、
インダクタ部分３は、磁性体セラミック層と電極層との
積層構造を有している。上述した誘電体セラミック層の
み、または、誘電体セラミック層および磁性体セラミッ
ク層には、８００℃以下の軟化点をもつガラスが含有さ
れ、コンデンサ部分２とインダクタ部分３との一体焼結
温度が１０００℃以下とされている。
【００１８】このような構成のＬＣ複合部品１におい
て、コンデンサ部分２とインダクタ部分３との接合性
は、主に誘電体セラミック層のみ、または、誘電体セラ
ミック層および磁性体セラミック層に含有される上述し
た低軟化点ガラスの相互拡散で得ようとしている。この
ような低軟化点ガラスを用いた相互拡散による接合手法
によると、低温焼結に有利であるだけでなく、ガラスを
含有する誘電体セラミック層のみ、または、誘電体セラ
ミック層および磁性体セラミック層における残留応力
は、ガラスのガラス歪み点以上では無視できるため、低
軟化点ガラスを使用することにより、ガラス歪み点以下
での熱膨張係数が同じまたはほぼ同じであれば、ガラス
無添加での固相反応による接合と比較して、接合界面に
かかる応力（残留応力）を著しく低減できる。このとき
の焼結温度と残留応力との関係は、主にガラスの軟化点
を代表的指標とするガラス粘度とガラスに対する誘電体
および磁性体の各濡れ性とによって決定される。
て、コンデンサ部分２とインダクタ部分３との接合性
は、主に誘電体セラミック層のみ、または、誘電体セラ
ミック層および磁性体セラミック層に含有される上述し
た低軟化点ガラスの相互拡散で得ようとしている。この
ような低軟化点ガラスを用いた相互拡散による接合手法
によると、低温焼結に有利であるだけでなく、ガラスを
含有する誘電体セラミック層のみ、または、誘電体セラ
ミック層および磁性体セラミック層における残留応力
は、ガラスのガラス歪み点以上では無視できるため、低
軟化点ガラスを使用することにより、ガラス歪み点以下
での熱膨張係数が同じまたはほぼ同じであれば、ガラス
無添加での固相反応による接合と比較して、接合界面に
かかる応力（残留応力）を著しく低減できる。このとき
の焼結温度と残留応力との関係は、主にガラスの軟化点
を代表的指標とするガラス粘度とガラスに対する誘電体
および磁性体の各濡れ性とによって決定される。
【００１９】一方、ＬＣ複合部品１の電極層には、たと
えば金、銀または銅を主成分とする比抵抗の小さい金属
を内蔵化する必要がある。このためには、誘電体セラミ
ック層および磁性体セラミック層はともに１０００℃以
下の温度で焼成される必要がある。誘電体セラミック層
のみ、または、誘電体セラミック層および磁性体セラミ
ック層に添加されるガラスとして、上述した８００℃以
下の軟化点をもつガラスを用いたとき、１０００℃以下
の温度での焼成を可能とする。
えば金、銀または銅を主成分とする比抵抗の小さい金属
を内蔵化する必要がある。このためには、誘電体セラミ
ック層および磁性体セラミック層はともに１０００℃以
下の温度で焼成される必要がある。誘電体セラミック層
のみ、または、誘電体セラミック層および磁性体セラミ
ック層に添加されるガラスとして、上述した８００℃以
下の軟化点をもつガラスを用いたとき、１０００℃以下
の温度での焼成を可能とする。
【００２０】また、前述したように、Ｂ2Ｏ3を含有する
ガラスは、組成比によっては、耐湿性、耐酸性および耐
アルカリ性において劣る。この発明において、ガラスと
して、Ｂ2Ｏ3を含まないケイ酸塩ガラスが用いられる。
このように、ガラスの組成からＢ2Ｏ3を除外することに
より、ガラスを結晶化させやすくし、ガラスの耐化学性
を高くできるため、コンデンサ部分の誘電体セラミック
層における層間マイグレーションを防止し、ＬＣ複合部
品の信頼性を向上させることができる。また、ガラスの
結晶化は、ガラス強度も向上させるため、ガラス歪み点
以下で生じる残留応力に対しても有利となる。
ガラスは、組成比によっては、耐湿性、耐酸性および耐
アルカリ性において劣る。この発明において、ガラスと
して、Ｂ2Ｏ3を含まないケイ酸塩ガラスが用いられる。
このように、ガラスの組成からＢ2Ｏ3を除外することに
より、ガラスを結晶化させやすくし、ガラスの耐化学性
を高くできるため、コンデンサ部分の誘電体セラミック
層における層間マイグレーションを防止し、ＬＣ複合部
品の信頼性を向上させることができる。また、ガラスの
結晶化は、ガラス強度も向上させるため、ガラス歪み点
以下で生じる残留応力に対しても有利となる。
【００２１】上述した８００℃以下の軟化点をもつガラ
スは、０．５ｗｔ％〜９０ｗｔ％の範囲で添加される。
一般的に、固相反応接合では、約１０ｍｍ角の接合面を
１０００℃で接合しようとしたとき、接合されるべき材
料のヤング率やポアソン比によって若干の違いがある
が、熱膨張係数の差が０．５×１０-6／℃より大きくな
ると、接合界面にクラックが生じることがわかってい
る。これに対して、８００℃以下の軟化点をもつガラス
を０．５ｗｔ％〜９０ｗｔ％添加することにより、コン
デンサ部分２とインダクタ部分３との熱膨張係数の差が
０．５×１０-6／℃よりも大きくても接合界面にクラッ
クが生じることがない。
スは、０．５ｗｔ％〜９０ｗｔ％の範囲で添加される。
一般的に、固相反応接合では、約１０ｍｍ角の接合面を
１０００℃で接合しようとしたとき、接合されるべき材
料のヤング率やポアソン比によって若干の違いがある
が、熱膨張係数の差が０．５×１０-6／℃より大きくな
ると、接合界面にクラックが生じることがわかってい
る。これに対して、８００℃以下の軟化点をもつガラス
を０．５ｗｔ％〜９０ｗｔ％添加することにより、コン
デンサ部分２とインダクタ部分３との熱膨張係数の差が
０．５×１０-6／℃よりも大きくても接合界面にクラッ
クが生じることがない。
【００２２】また、前述したように、ガラスは、主成分
として、少なくとも１種のＭａ2Ｏ（Ｍａはアルカリ金
属）を１ｍｏｌ％〜１５ｍｏｌ％と、少なくとも１種の
ＭｅＯ（Ｍｅはアルカリ土類金属）を２０ｍｏｌ％〜７
０ｍｏｌ％と、ＳｉＯ2を５ｍｏｌ％〜６０ｍｏｌ％
と、Ｂｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％とを含
む。
として、少なくとも１種のＭａ2Ｏ（Ｍａはアルカリ金
属）を１ｍｏｌ％〜１５ｍｏｌ％と、少なくとも１種の
ＭｅＯ（Ｍｅはアルカリ土類金属）を２０ｍｏｌ％〜７
０ｍｏｌ％と、ＳｉＯ2を５ｍｏｌ％〜６０ｍｏｌ％
と、Ｂｉ2Ｏ3を０．５ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％とを含
む。
【００２３】ここで、Ｍａ2 Ｏ（Ｍａはアルカリ金属）
は、ガラス粘度を低下させる働きがある。Ｍａ2 Ｏが１
mol％未満であると、ガラス化温度が高くなりすぎ、１
０００℃以下での焼結が困難となる。他方、１５ mol％
を越えると、誘電体の耐湿性とＱとが低下する。ＭｅＯ
（Ｍｅはアルカリ土類金属）は、誘電体とガラスとの反
応を促進させる働きがある。ＭｅＯが２０ mol％未満で
あると、誘電体との反応が進まず、１０００℃以下での
焼結が困難となる。しかも、ＭｅＯは、ガラス化温度を
上昇させ、Ｑ値に悪影響を及ぼす。ＭｅＯが７０ mol％
を越えると、１０００℃以下での焼結が困難となり、Ｑ
値が著しく悪化してしまう。
は、ガラス粘度を低下させる働きがある。Ｍａ2 Ｏが１
mol％未満であると、ガラス化温度が高くなりすぎ、１
０００℃以下での焼結が困難となる。他方、１５ mol％
を越えると、誘電体の耐湿性とＱとが低下する。ＭｅＯ
（Ｍｅはアルカリ土類金属）は、誘電体とガラスとの反
応を促進させる働きがある。ＭｅＯが２０ mol％未満で
あると、誘電体との反応が進まず、１０００℃以下での
焼結が困難となる。しかも、ＭｅＯは、ガラス化温度を
上昇させ、Ｑ値に悪影響を及ぼす。ＭｅＯが７０ mol％
を越えると、１０００℃以下での焼結が困難となり、Ｑ
値が著しく悪化してしまう。
【００２４】ＳｉＯ2 が７０ mol％を越えると、ガラス
化温度が高くなりすぎ、１５００℃以下ではガラス化し
ない。また、ＳｉＯ2 が５ mol％未満であると、焼結体
の収縮率のばらつきが大きくなり、部品本体４の基材と
しての実用に耐え得ない。Ｂｉ2 Ｏ3 は、誘電体および
磁性体とガラスとの反応を促進させ、ガラス粘度を低下
させる働きがある。Ｂｉ2 Ｏ3 が０．５ mol％未満であ
ると、１０００℃以下での焼結が困難となり、７０ mol
％を越えると、内部の電極層と反応してしまい、また耐
湿性も著しく低下してしまう。
化温度が高くなりすぎ、１５００℃以下ではガラス化し
ない。また、ＳｉＯ2 が５ mol％未満であると、焼結体
の収縮率のばらつきが大きくなり、部品本体４の基材と
しての実用に耐え得ない。Ｂｉ2 Ｏ3 は、誘電体および
磁性体とガラスとの反応を促進させ、ガラス粘度を低下
させる働きがある。Ｂｉ2 Ｏ3 が０．５ mol％未満であ
ると、１０００℃以下での焼結が困難となり、７０ mol
％を越えると、内部の電極層と反応してしまい、また耐
湿性も著しく低下してしまう。
【００２５】また、前述したように、ガラスは、副成分
として、ＴｉＯ2 を５０ mol％以下とＣｕＯを５０ mol
％以下とを含むもの、Ａｌ2 Ｏ3 およびＺｒＯ2 の少な
くとも一方を１０ mol％以下含むもの、ＺｎＯ、Ｃｏ3
Ｏ4 およびＮｉＯの少なくとも１種を５ mol％以下含む
もの、少なくとも１種の希土類酸化物を５ mol％以下含
むもの、あるいは、これらの組合せを含むものであるこ
とが好ましい。
として、ＴｉＯ2 を５０ mol％以下とＣｕＯを５０ mol
％以下とを含むもの、Ａｌ2 Ｏ3 およびＺｒＯ2 の少な
くとも一方を１０ mol％以下含むもの、ＺｎＯ、Ｃｏ3
Ｏ4 およびＮｉＯの少なくとも１種を５ mol％以下含む
もの、少なくとも１種の希土類酸化物を５ mol％以下含
むもの、あるいは、これらの組合せを含むものであるこ
とが好ましい。
【００２６】ここで、ＴｉＯ2 は、誘電体とガラスとの
反応を促進させ、誘電体セラミック層の誘電率を高め、
化学的耐久性を高める働きをする。しかし、ＴｉＯ2 が
５０mol％を越えると、ガラスの溶融温度を高くし、１
０００℃以下の焼成が困難となる。ＣｕＯは、誘電体お
よび磁性体とガラスとの反応を促進させ、さらにガラス
の結晶化材として働く。しかし、ＣｕＯが５０ mol％を
越えると、Ｑが著しく劣化する。
反応を促進させ、誘電体セラミック層の誘電率を高め、
化学的耐久性を高める働きをする。しかし、ＴｉＯ2 が
５０mol％を越えると、ガラスの溶融温度を高くし、１
０００℃以下の焼成が困難となる。ＣｕＯは、誘電体お
よび磁性体とガラスとの反応を促進させ、さらにガラス
の結晶化材として働く。しかし、ＣｕＯが５０ mol％を
越えると、Ｑが著しく劣化する。
【００２７】Ａｌ2 Ｏ3 およびＺｒＯ2 は、ガラスおよ
び部品本体４の化学的耐久性を高める働きをする。しか
し、Ａｌ2 Ｏ3 やＺｒＯ2 が１０ mol％を越えると、ガ
ラスの溶融温度を高くし、１０００℃以下の焼結が困難
となる。ＺｎＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 およびＮｉＯは、磁性体と
ガラスとの反応を促進させ、磁性体の磁気特性を向上さ
せる。しかし、ＺｎＯやＣｏ3 Ｏ4 やＮｉＯが５ mol％
を越えると、１０００℃以下での焼結が困難となる。
び部品本体４の化学的耐久性を高める働きをする。しか
し、Ａｌ2 Ｏ3 やＺｒＯ2 が１０ mol％を越えると、ガ
ラスの溶融温度を高くし、１０００℃以下の焼結が困難
となる。ＺｎＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 およびＮｉＯは、磁性体と
ガラスとの反応を促進させ、磁性体の磁気特性を向上さ
せる。しかし、ＺｎＯやＣｏ3 Ｏ4 やＮｉＯが５ mol％
を越えると、１０００℃以下での焼結が困難となる。
【００２８】希土類酸化物は、誘電体および磁性体とガ
ラスとの反応を促進させ、誘電率を高める働きがある。
しかし、その添加量が５ mol％を越えると、化学的耐久
性が劣化する。
ラスとの反応を促進させ、誘電率を高める働きがある。
しかし、その添加量が５ mol％を越えると、化学的耐久
性が劣化する。
【００２９】
【実施例１】誘電体セラミック材料として、ＢａＴｉＯ
3 系材料を用いた。このＢａＴｉＯ 3 系材料に添加する
ガラスとして、以下の表１に示すようなガラスＤＧ１、
ＤＧ２、ＤＧ３およびＤＧ４を用意した。ここで、ガラ
スＤＧ１、ＤＧ２およびＤＧ３は、この発明の範囲内の
ものであり、ガラスＤＧ４は、比較例として用意された
この発明の範囲外のアルカリ土類金属酸化物含有ホウケ
イ酸ガラスである。
3 系材料を用いた。このＢａＴｉＯ 3 系材料に添加する
ガラスとして、以下の表１に示すようなガラスＤＧ１、
ＤＧ２、ＤＧ３およびＤＧ４を用意した。ここで、ガラ
スＤＧ１、ＤＧ２およびＤＧ３は、この発明の範囲内の
ものであり、ガラスＤＧ４は、比較例として用意された
この発明の範囲外のアルカリ土類金属酸化物含有ホウケ
イ酸ガラスである。
【００３０】
【表１】
【００３１】他方、磁性体セラミック材料として、Ｎｉ
−Ｚｎフェライト材料を用いた。このＮｉ−Ｚｎフェラ
イト材料に添加するガラスとして、以下の表２に示すよ
うなガラスＦＧ１、ＦＧ２、ＦＧ３およびＦＧ４を用意
した。ここで、ガラスＦＧ１、ＦＧ２およびＦＧ３は、
この発明の範囲内のものであり、ガラスＦＧ４は、比較
例として用意されたこの発明の範囲外のものである。
−Ｚｎフェライト材料を用いた。このＮｉ−Ｚｎフェラ
イト材料に添加するガラスとして、以下の表２に示すよ
うなガラスＦＧ１、ＦＧ２、ＦＧ３およびＦＧ４を用意
した。ここで、ガラスＦＧ１、ＦＧ２およびＦＧ３は、
この発明の範囲内のものであり、ガラスＦＧ４は、比較
例として用意されたこの発明の範囲外のものである。
【００３２】
【表２】
【００３３】次に、ＢａＴｉＯ3 系誘電体セラミック材
料には、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤ととも
に、ガラスＤＧ１、ＤＧ２、ＤＧ３およびＤＧ４の各々
を、以下の表３に示す割合で添加し、これらを混練して
誘電体材料のスラリーを得た。また、Ｎｉ−Ｚｎフェラ
イト材料には、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤と
ともに、ガラスＦＧ１、ＦＧ２、ＦＧ３およびＦＧ４の
各々を、表３に示す割合で添加し、これらを混練して磁
性体材料のスラリーを得た。
料には、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤ととも
に、ガラスＤＧ１、ＤＧ２、ＤＧ３およびＤＧ４の各々
を、以下の表３に示す割合で添加し、これらを混練して
誘電体材料のスラリーを得た。また、Ｎｉ−Ｚｎフェラ
イト材料には、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤と
ともに、ガラスＦＧ１、ＦＧ２、ＦＧ３およびＦＧ４の
各々を、表３に示す割合で添加し、これらを混練して磁
性体材料のスラリーを得た。
【００３４】
【表３】
【００３５】上述のようにして得られた誘電体スラリー
および磁性体スラリーのそれぞれを、ドクターブレード
法により厚さ１００μｍ以下のシート状に成形した。成
形されたセラミックグリーンシートを縦１２mm、横１２
mmの寸法にカットし、誘電体グリーンシートには静電容
量取得のための内部電極パターンを、磁性体グリーンシ
ートにはインダクタンス取得のためのコイル電極パター
ンを、それぞれ、Ａｇ／Ｐｄペーストで印刷した。
および磁性体スラリーのそれぞれを、ドクターブレード
法により厚さ１００μｍ以下のシート状に成形した。成
形されたセラミックグリーンシートを縦１２mm、横１２
mmの寸法にカットし、誘電体グリーンシートには静電容
量取得のための内部電極パターンを、磁性体グリーンシ
ートにはインダクタンス取得のためのコイル電極パター
ンを、それぞれ、Ａｇ／Ｐｄペーストで印刷した。
【００３６】次いで、コンデンサ部分とインダクタ部分
とからなる部品本体を得るべく、誘電体グリーンシート
と磁性体グリーンシートとをそれぞれ積み重ね、この積
層体を３mmの厚さになるようにプレスした。このとき、
コンデンサ部分の厚さとインダクタ部分の厚さとは同等
とした。このようにして得られた積層体を、次いで、９
００℃〜１０００℃の温度で２時間焼成し、部品本体を
得た。そして、この部品本体の端面に外部電極を付与し
た。この外部電極の付与には、Ａｇ粉末にガラスフリッ
トおよび有機ビヒクルを加えた導電性ペーストを塗布
し、８００℃で３０分間焼き付けることを行なった。
とからなる部品本体を得るべく、誘電体グリーンシート
と磁性体グリーンシートとをそれぞれ積み重ね、この積
層体を３mmの厚さになるようにプレスした。このとき、
コンデンサ部分の厚さとインダクタ部分の厚さとは同等
とした。このようにして得られた積層体を、次いで、９
００℃〜１０００℃の温度で２時間焼成し、部品本体を
得た。そして、この部品本体の端面に外部電極を付与し
た。この外部電極の付与には、Ａｇ粉末にガラスフリッ
トおよび有機ビヒクルを加えた導電性ペーストを塗布
し、８００℃で３０分間焼き付けることを行なった。
【００３７】このようにして、図１に示すような外観を
有するＬＣ複合部品を得た。このＬＣ複合部品に関し
て、焼結性、ならびに、接合性、Δα（＝α2 −α1 ；
α1 は誘電体セラミック材料の熱膨張係数、α2 は磁性
体セラミック材料の熱膨張係数）、および接合界面での
クラックの有無のような機械的特性をそれぞれ評価し、
これらも表３に併せて示した。
有するＬＣ複合部品を得た。このＬＣ複合部品に関し
て、焼結性、ならびに、接合性、Δα（＝α2 −α1 ；
α1 は誘電体セラミック材料の熱膨張係数、α2 は磁性
体セラミック材料の熱膨張係数）、および接合界面での
クラックの有無のような機械的特性をそれぞれ評価し、
これらも表３に併せて示した。
【００３８】表３に示すように、磁性体セラミック材料
に比較例であるガラスＦＧ４を１wt％添加した試料５、
１０、１５および２０では、焼結性が低く、１０００℃
以下では適正に焼結しなかった。また、誘電体セラミッ
ク材料に比較例であるガラスＤＧ４を１８wt％添加した
試料１６〜２０では、焼結性が低いばかりでなく、コン
デンサ部分とインダクタ部分との接合界面にクラックが
発生した。
に比較例であるガラスＦＧ４を１wt％添加した試料５、
１０、１５および２０では、焼結性が低く、１０００℃
以下では適正に焼結しなかった。また、誘電体セラミッ
ク材料に比較例であるガラスＤＧ４を１８wt％添加した
試料１６〜２０では、焼結性が低いばかりでなく、コン
デンサ部分とインダクタ部分との接合界面にクラックが
発生した。
【００３９】これに対して、誘電体セラミック材料に添
加されるガラスが８００℃以下の軟化点をもつガラスＤ
Ｇ１、ＤＧ２またはＤＧ３であり、このガラスの添加量
が１８wt％であるとともに、磁性体セラミック材料に添
加されるガラスが８００℃以下の軟化点をもつガラスＦ
Ｇ１、ＦＧ２またはＦＧ３であり、このガラスの添加量
が１wt％である、この発明の範囲内にある試料２〜４、
７〜９、および１２〜１４では、焼結性および機械的特
性がともに良好であった。
加されるガラスが８００℃以下の軟化点をもつガラスＤ
Ｇ１、ＤＧ２またはＤＧ３であり、このガラスの添加量
が１８wt％であるとともに、磁性体セラミック材料に添
加されるガラスが８００℃以下の軟化点をもつガラスＦ
Ｇ１、ＦＧ２またはＦＧ３であり、このガラスの添加量
が１wt％である、この発明の範囲内にある試料２〜４、
７〜９、および１２〜１４では、焼結性および機械的特
性がともに良好であった。
【００４０】また、誘電体セラミック材料にのみ、８０
０℃以下の軟化点をもつガラスＤＧ１、ＤＧ２またはＤ
Ｇ３が添加された、この発明の範囲内にある試料１、６
および１１においても、上述の試料２〜４、７〜９、お
よび１２〜１４と同様、焼結性および機械的特性がとも
に良好であった。また、試料１〜４、６〜９、および１
１〜１４と、試料５、１０、および１５〜２０とを比較
することにより、誘電体セラミック材料および／または
磁性体セラミック材料に添加されるガラスの組成からＢ
2 Ｏ3 を除外する意義を見出すこともできる。すなわ
ち、上記ガラスの組成からＢ2 Ｏ3 を除外したケイ酸塩
ガラスを用いた試料１〜４、６〜９、および１１〜１４
によれば、Ｂ2 Ｏ3 を含有したガラスを用いた試料５、
１０、および１５〜２０に比べて、焼結性および機械的
特性がともに良好であると言うことができる。これは、
ガラスの組成からＢ2Ｏ3 を除外することにより、ガラ
スを結晶化させやすくでき、強度を向上させることがで
きるためであり、残留応力に対して有利となる。さら
に、ガラスの耐化学性を高くできるため、コンデンサ部
分の層間マイグレーションを防止し、ＬＣ複合部品の信
頼性を向上させることができる。
０℃以下の軟化点をもつガラスＤＧ１、ＤＧ２またはＤ
Ｇ３が添加された、この発明の範囲内にある試料１、６
および１１においても、上述の試料２〜４、７〜９、お
よび１２〜１４と同様、焼結性および機械的特性がとも
に良好であった。また、試料１〜４、６〜９、および１
１〜１４と、試料５、１０、および１５〜２０とを比較
することにより、誘電体セラミック材料および／または
磁性体セラミック材料に添加されるガラスの組成からＢ
2 Ｏ3 を除外する意義を見出すこともできる。すなわ
ち、上記ガラスの組成からＢ2 Ｏ3 を除外したケイ酸塩
ガラスを用いた試料１〜４、６〜９、および１１〜１４
によれば、Ｂ2 Ｏ3 を含有したガラスを用いた試料５、
１０、および１５〜２０に比べて、焼結性および機械的
特性がともに良好であると言うことができる。これは、
ガラスの組成からＢ2Ｏ3 を除外することにより、ガラ
スを結晶化させやすくでき、強度を向上させることがで
きるためであり、残留応力に対して有利となる。さら
に、ガラスの耐化学性を高くできるため、コンデンサ部
分の層間マイグレーションを防止し、ＬＣ複合部品の信
頼性を向上させることができる。
【００４１】他方、表３を参照する限り、比較例である
ガラスＤＧ４を誘電体セラミック材料に５０wt％添加す
るとともに、磁性体セラミック材料にガラスＦＧ１、Ｆ
Ｇ２またはＦＧ３を１０wt％あるいはＦＧ４を２０wt％
添加した試料２１〜２４では、焼結性および機械的特性
がともに良好であったことがわかる。しかしながら、こ
れら試料２１〜２４では、プレッシャークッカーテスト
を実施したとき、１０時間以内に絶縁抵抗が１０12から
１０6 にまで劣化した。
ガラスＤＧ４を誘電体セラミック材料に５０wt％添加す
るとともに、磁性体セラミック材料にガラスＦＧ１、Ｆ
Ｇ２またはＦＧ３を１０wt％あるいはＦＧ４を２０wt％
添加した試料２１〜２４では、焼結性および機械的特性
がともに良好であったことがわかる。しかしながら、こ
れら試料２１〜２４では、プレッシャークッカーテスト
を実施したとき、１０時間以内に絶縁抵抗が１０12から
１０6 にまで劣化した。
【００４２】これに対して、この発明の範囲内にある試
料１〜４、６〜９、および１１〜１４では、プレッシャ
ークッカーテストを実施したとき、１５０時間以上経過
した後も絶縁抵抗は１０12に維持された。
料１〜４、６〜９、および１１〜１４では、プレッシャ
ークッカーテストを実施したとき、１５０時間以上経過
した後も絶縁抵抗は１０12に維持された。
【００４３】
【実施例２】誘電体セラミック材料として、Ａｌ2 Ｏ3
系材料を用いた。他方、磁性体セラミック材料として
は、実施例１と同様、、Ｎｉ−Ｚｎフェライト材料を用
いた。また、Ａｌ2 Ｏ3 系材料およびＮｉ−Ｚｎフェラ
イト材料にそれぞれ添加するガラスとしては、前の表１
に示すようなガラスＤＧ１、ＤＧ２、ＤＧ３およびＤＧ
４、ならびに前の表２に示すようなガラスＦＧ１、ＦＧ
２、ＦＧ３およびＦＧ４を用いた。
系材料を用いた。他方、磁性体セラミック材料として
は、実施例１と同様、、Ｎｉ−Ｚｎフェライト材料を用
いた。また、Ａｌ2 Ｏ3 系材料およびＮｉ−Ｚｎフェラ
イト材料にそれぞれ添加するガラスとしては、前の表１
に示すようなガラスＤＧ１、ＤＧ２、ＤＧ３およびＤＧ
４、ならびに前の表２に示すようなガラスＦＧ１、ＦＧ
２、ＦＧ３およびＦＧ４を用いた。
【００４４】次に、Ａｌ2 Ｏ3 系誘電体セラミック材料
には、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤とともに、
ガラスＤＧ１、ＤＧ２、ＤＧ３およびＤＧ４の各々を、
以下の表４に示す割合で添加し、これらを混練して誘電
体材料のスラリーを得た。また、Ｎｉ−Ｚｎフェライト
材料には、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤ととも
に、ガラスＦＧ１、ＦＧ２、ＦＧ３およびＦＧ４の各々
を、表４に示す割合で添加し、これらを混練して磁性体
材料のスラリーを得た。
には、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤とともに、
ガラスＤＧ１、ＤＧ２、ＤＧ３およびＤＧ４の各々を、
以下の表４に示す割合で添加し、これらを混練して誘電
体材料のスラリーを得た。また、Ｎｉ−Ｚｎフェライト
材料には、適当量のバインダ、可塑剤および溶剤ととも
に、ガラスＦＧ１、ＦＧ２、ＦＧ３およびＦＧ４の各々
を、表４に示す割合で添加し、これらを混練して磁性体
材料のスラリーを得た。
【００４５】
【表４】
【００４６】上述のようにして得られた誘電体スラリー
および磁性体スラリーをそれぞれ用いて、実施例１と同
様の手法により、内部電極パターンが印刷された誘電体
グリーンシートおよびコイル電極パターンが印刷された
磁性体グリーンシートをそれぞれ作製し、これらグリー
ンシートを積み重ね、プレスして、積層体を得た。次い
で、この積層体を、９００℃の温度で２時間焼成し、部
品本体を得た。そして、この部品本体の端面に、実施例
１と同様、外部電極を付与して、図１に示すような外観
を有するＬＣ複合部品を得た。このＬＣ複合部品に関し
て、実施例１と同様、焼結性、ならびに、接合性、Δ
α、および接合界面でのクラックの有無のような機械的
特性をそれぞれ評価し、これらも表４に併せて示した。
および磁性体スラリーをそれぞれ用いて、実施例１と同
様の手法により、内部電極パターンが印刷された誘電体
グリーンシートおよびコイル電極パターンが印刷された
磁性体グリーンシートをそれぞれ作製し、これらグリー
ンシートを積み重ね、プレスして、積層体を得た。次い
で、この積層体を、９００℃の温度で２時間焼成し、部
品本体を得た。そして、この部品本体の端面に、実施例
１と同様、外部電極を付与して、図１に示すような外観
を有するＬＣ複合部品を得た。このＬＣ複合部品に関し
て、実施例１と同様、焼結性、ならびに、接合性、Δ
α、および接合界面でのクラックの有無のような機械的
特性をそれぞれ評価し、これらも表４に併せて示した。
【００４７】表４に示すように、磁性体セラミック材料
に比較例であるガラスＦＧ４を添加した試料２９、３
４、３９および４４では、焼結性が低く、１０００℃以
下の９００℃では焼結しなかった。このことは、ガラス
ＦＧ４の添加量を増やしても同様であった。また、誘電
体セラミック材料に比較例であるガラスＤＧ４を添加し
た試料４０〜４４では、焼結性が低いばかりでなく、コ
ンデンサ部分とインダクタ部分との接合界面にクラック
が発生した。
に比較例であるガラスＦＧ４を添加した試料２９、３
４、３９および４４では、焼結性が低く、１０００℃以
下の９００℃では焼結しなかった。このことは、ガラス
ＦＧ４の添加量を増やしても同様であった。また、誘電
体セラミック材料に比較例であるガラスＤＧ４を添加し
た試料４０〜４４では、焼結性が低いばかりでなく、コ
ンデンサ部分とインダクタ部分との接合界面にクラック
が発生した。
【００４８】これに対して、誘電体セラミック材料に添
加されるガラスがガラスＤＧ１、ＤＧ２またはＤＧ３で
あるとともに、磁性体セラミック材料に添加されるガラ
スがガラスＦＧ１、ＦＧ２またはＦＧ３である場合、す
なわち、８００℃以下、より特定的には７８０℃以下の
軟化点をもつガラスを添加した誘電体セラミック材料と
磁性体セラミック材料とを組み合わせた場合、この発明
の範囲内にある試料２６〜２８、３１〜３３、および３
６〜３８において現れているように、焼結性および機械
的特性がともに良好であった。
加されるガラスがガラスＤＧ１、ＤＧ２またはＤＧ３で
あるとともに、磁性体セラミック材料に添加されるガラ
スがガラスＦＧ１、ＦＧ２またはＦＧ３である場合、す
なわち、８００℃以下、より特定的には７８０℃以下の
軟化点をもつガラスを添加した誘電体セラミック材料と
磁性体セラミック材料とを組み合わせた場合、この発明
の範囲内にある試料２６〜２８、３１〜３３、および３
６〜３８において現れているように、焼結性および機械
的特性がともに良好であった。
【００４９】また、誘電体セラミック材料にのみ、８０
０℃以下の軟化点をもつガラスＤＧ１、ＤＧ２またはＤ
Ｇ３が添加された、この発明の範囲内にある試料２５、
３０および３５においても、上述の試料２６〜２８、３
１〜３３、および３６〜３８と同様、焼結性および機械
的特性がともに良好であった。また、この実施例２にお
いても、試料２５〜２８、３０〜３３、および３５〜３
８と、試料２９、３４、および３９〜４４とを比較する
ことにより、誘電体セラミック材料および／または磁性
体セラミック材料に添加されるガラスの組成からＢ2 Ｏ
3 を除外することにより、焼結性および機械的特性がと
もに良好になることがわかる。すなわち、前述した実施
例１と同様、ガラスの組成からＢ2 Ｏ3を除外すること
により、ガラスを結晶化させやすくでき、強度を向上さ
せることができるため、残留応力に対して有利となると
ともに、ガラスの耐化学性を高くできるため、コンデン
サ部分の層間マイグレーションを防止し、ＬＣ複合部品
の信頼性を向上させることができる、ということが理解
できる。
０℃以下の軟化点をもつガラスＤＧ１、ＤＧ２またはＤ
Ｇ３が添加された、この発明の範囲内にある試料２５、
３０および３５においても、上述の試料２６〜２８、３
１〜３３、および３６〜３８と同様、焼結性および機械
的特性がともに良好であった。また、この実施例２にお
いても、試料２５〜２８、３０〜３３、および３５〜３
８と、試料２９、３４、および３９〜４４とを比較する
ことにより、誘電体セラミック材料および／または磁性
体セラミック材料に添加されるガラスの組成からＢ2 Ｏ
3 を除外することにより、焼結性および機械的特性がと
もに良好になることがわかる。すなわち、前述した実施
例１と同様、ガラスの組成からＢ2 Ｏ3を除外すること
により、ガラスを結晶化させやすくでき、強度を向上さ
せることができるため、残留応力に対して有利となると
ともに、ガラスの耐化学性を高くできるため、コンデン
サ部分の層間マイグレーションを防止し、ＬＣ複合部品
の信頼性を向上させることができる、ということが理解
できる。
【００５０】
【発明の効果】このように、コンデンサ部分とインダク
タ部分との一体焼結体からなる部品本体を備えるＬＣ複
合部品において、この発明によれば、コンデンサ部分と
インダクタ部分との接合性は、コンデンサ部分における
誘電体セラミック層のみ、または、コンデンサ部分にお
ける誘電体セラミック層およびインダクタ部分における
磁性体セラミック層に添加されたガラスの相互拡散によ
って得られる。このガラスは、８００℃以下の軟化点を
もつとともに、誘電体のみ、または、誘電体および磁性
体に添加されたとき、１０００℃以下の温度で誘電体セ
ラミックおよび磁性体セラミックを焼結可能とするの
で、コンデンサ部分とインダクタ部分との間で熱膨張係
数にある程度の差があっても、焼結後の残留応力を緩和
することができる。
タ部分との一体焼結体からなる部品本体を備えるＬＣ複
合部品において、この発明によれば、コンデンサ部分と
インダクタ部分との接合性は、コンデンサ部分における
誘電体セラミック層のみ、または、コンデンサ部分にお
ける誘電体セラミック層およびインダクタ部分における
磁性体セラミック層に添加されたガラスの相互拡散によ
って得られる。このガラスは、８００℃以下の軟化点を
もつとともに、誘電体のみ、または、誘電体および磁性
体に添加されたとき、１０００℃以下の温度で誘電体セ
ラミックおよび磁性体セラミックを焼結可能とするの
で、コンデンサ部分とインダクタ部分との間で熱膨張係
数にある程度の差があっても、焼結後の残留応力を緩和
することができる。
【００５１】したがって、一体焼結体として組み合わせ
ることが可能な誘電体セラミック材料および磁性体セラ
ミック材料の幅が広がり、それゆえ、多種類の複合化さ
れたＬＣ複合部品を得ることがより容易になる。
ることが可能な誘電体セラミック材料および磁性体セラ
ミック材料の幅が広がり、それゆえ、多種類の複合化さ
れたＬＣ複合部品を得ることがより容易になる。
【図１】この発明の一実施形態によるＬＣ複合部品１の
外観を示す斜視図である。
外観を示す斜視図である。
１ ＬＣ複合部品
２ コンデンサ部分
３ インダクタ部分
４ 部品本体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01G 4/14 - 4/42
H01G 13/00 - 13/06
Claims (5)
- 【請求項１】 誘電体セラミック層と電極層との積層構
造を有するコンデンサ部分と、磁性体セラミック層と電
極層との積層構造を有するインダクタ部分とを一体焼成
して得られた部品本体を備える、ＬＣ複合部品におい
て、 前記誘電体セラミック層は、８００℃以下の軟化点をも
ち、Ｂ 2 Ｏ 3 を含まないケイ酸塩ガラスを０．５ｗｔ％〜
９０ｗｔ％含有し、 前記磁性体セラミック層は、ガラスを含有しないか、ま
たは、８００℃以下の軟化点をもち、Ｂ 2 Ｏ 3 を含まない
ケイ酸塩ガラスを０．５ｗｔ％〜９０ｗｔ％含有し、 前記誘電体セラミック層のみ、または、前記誘電体セラ
ミック層および前記磁性体セラミック層に含有される前
記ケイ酸塩ガラスは、主成分として、 少なくとも１種のＭａ 2 Ｏ（Ｍａはアルカリ金属）を１
ｍｏｌ％〜１５ｍｏｌ％と、 少なくとも１種のＭｅＯ（Ｍｅはアルカリ土類金属）を
２０ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％と、 ＳｉＯ 2 を５ｍｏｌ％〜６０ｍｏｌ％と、 Ｂｉ 2 Ｏ 3 を０．５ｍｏｌ％〜７０ｍｏｌ％とを含み、 前記コンデンサ部分と前記インダクタ部分との一体焼結
温度が１０００℃以下であり、前記コンデンサ部分と前
記インダクタ部分とが前記ガラスの相互拡散によって接
合されていることを特徴とする、ＬＣ複合部品。 - 【請求項２】 前記ケイ酸塩ガラスは、副成分として、
ＴｉＯ2を５０ｍｏｌ％以下と、ＣｕＯを５０ｍｏｌ％
以下とを含む、請求項１に記載のＬＣ複合部品。 - 【請求項３】 前記ケイ酸塩ガラスは、副成分として、
Ａｌ2Ｏ3およびＺｒＯ2の少なくとも一方を１０ｍｏｌ
％以下含む、請求項１または請求項２に記載のＬＣ複合
部品。 - 【請求項４】 前記ケイ酸塩ガラスは、副成分として、
ＺｎＯ、Ｃｏ3Ｏ4およびＮｉＯの少なくとも１種を５ｍ
ｏｌ％以下含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の
ＬＣ複合部品。 - 【請求項５】 前記ケイ酸塩ガラスは、副成分として、
少なくとも１種の希土類酸化物を５ｍｏｌ％以下含む、
請求項１ないし４のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30602896A JP3513787B2 (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | Ｌｃ複合部品 |
| EP97119798A EP0843410B1 (en) | 1996-11-18 | 1997-11-12 | Inductance-capacitance composite component |
| DE69738860T DE69738860D1 (de) | 1996-11-18 | 1997-11-12 | Zusammengesetztes Induktivität-Kapazitäts-Bauteil |
| US08/971,505 US6094111A (en) | 1996-11-18 | 1997-11-17 | Inductance-capacitance composite component with a glass having a low temperature softening point |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30602896A JP3513787B2 (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | Ｌｃ複合部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10149949A JPH10149949A (ja) | 1998-06-02 |
| JP3513787B2 true JP3513787B2 (ja) | 2004-03-31 |
Family
ID=17952213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30602896A Expired - Lifetime JP3513787B2 (ja) | 1996-11-18 | 1996-11-18 | Ｌｃ複合部品 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6094111A (ja) |
| EP (1) | EP0843410B1 (ja) |
| JP (1) | JP3513787B2 (ja) |
| DE (1) | DE69738860D1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3454164B2 (ja) * | 1998-08-21 | 2003-10-06 | 株式会社村田製作所 | フェライト焼結体 |
| JP2001247365A (ja) * | 2000-03-02 | 2001-09-11 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック組成物、ならびに、電子部品、電子装置 |
| US6835463B2 (en) * | 2002-04-18 | 2004-12-28 | Oakland University | Magnetoelectric multilayer composites for field conversion |
| JP4619026B2 (ja) * | 2003-10-24 | 2011-01-26 | 京セラ株式会社 | ガラスセラミック基板およびその製造方法 |
| WO2006085624A1 (ja) | 2005-02-10 | 2006-08-17 | Soshin Electric Co., Ltd. | 電子部品 |
| JP5067541B2 (ja) | 2007-03-30 | 2012-11-07 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体磁器組成物、複合電子部品および積層セラミックコンデンサ |
| CN102165543A (zh) * | 2008-09-30 | 2011-08-24 | 双信电机株式会社 | 复合电子部件 |
| KR100983125B1 (ko) * | 2008-10-28 | 2010-09-17 | 삼성전기주식회사 | 다층 세라믹 기판의 제조방법 |
| JP5570205B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2014-08-13 | 京セラ株式会社 | 磁性焼結体、磁性体と誘電体との複合焼結体、およびそれらの製造方法、ならびにそれらを用いた電子部品 |
| KR101499719B1 (ko) * | 2013-08-09 | 2015-03-06 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자부품 및 그 실장 기판 |
| JP6231050B2 (ja) | 2015-07-21 | 2017-11-15 | Tdk株式会社 | 複合電子部品 |
| JP6764658B2 (ja) * | 2016-02-05 | 2020-10-07 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| ES2897523B2 (es) | 2021-08-10 | 2022-07-18 | Advanced Thermal Devices S L | Cátodo basado en el material C12A7:e ''electride'' para la emisión termiónica de electrones y procedimiento para el empleo del mismo |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4011060A (en) * | 1975-10-02 | 1977-03-08 | International Business Machines Corporation | Method of controlling the softening point of solder glass |
| US4746557A (en) * | 1985-12-09 | 1988-05-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | LC composite component |
| DE3888582T2 (de) * | 1987-07-01 | 1994-10-13 | Tdk Corp | Gesinterter Ferritkörper, Chip-Induktivität und Verbund-LC-Teil. |
| JPH03102705A (ja) * | 1989-09-18 | 1991-04-30 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| DE3935471A1 (de) * | 1989-10-25 | 1991-05-02 | Hoechst Ag | Keramische stoffzusammensetzung und ihre verwendung |
| EP0506476B1 (en) * | 1991-03-29 | 1996-06-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric filter having coupling electrodes for connecting resonator electrodes, and method of adjusting frequency characteristic of the filter |
| US5479140A (en) * | 1991-09-27 | 1995-12-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| US5312674A (en) * | 1992-07-31 | 1994-05-17 | Hughes Aircraft Company | Low-temperature-cofired-ceramic (LTCC) tape structures including cofired ferromagnetic elements, drop-in components and multi-layer transformer |
| JP3227859B2 (ja) * | 1993-01-08 | 2001-11-12 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JPH07201592A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型ｌｃ複合部品 |
| US5827792A (en) * | 1994-08-30 | 1998-10-27 | Ube Industries, Ltd. | Dielectric ceramic composition |
-
1996
- 1996-11-18 JP JP30602896A patent/JP3513787B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-11-12 DE DE69738860T patent/DE69738860D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-11-12 EP EP97119798A patent/EP0843410B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-11-17 US US08/971,505 patent/US6094111A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6094111A (en) | 2000-07-25 |
| EP0843410A2 (en) | 1998-05-20 |
| DE69738860D1 (de) | 2008-09-11 |
| JPH10149949A (ja) | 1998-06-02 |
| EP0843410A3 (en) | 2000-05-10 |
| EP0843410B1 (en) | 2008-07-30 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110123 Year of fee payment: 7 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120123 Year of fee payment: 8 |
|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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