JP3509605B2 - Diagnostic device for overheating of field effect transistor in electric equipment drive circuit - Google Patents
Diagnostic device for overheating of field effect transistor in electric equipment drive circuitInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電源および接地間
に、電界効果トランジスタおよび電気機器が直列に接続
される電気機器駆動回路において、電気機器がロックす
ることに伴って電界効果トランジスタが過熱状態になる
ことを診断するための電界効果トランジスタの過熱診断
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electric device drive circuit in which a field effect transistor and an electric device are connected in series between a power supply and a ground, and the electric field effect transistor is overheated when the electric device is locked. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a field effect transistor overheat diagnostic device for diagnosing that
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、特開平８−２１６８６３号公報で
開示されたものでは、電気機器である直流モータが、モ
ータリレー回路を介してバッテリに接続されており、直
流モータがロック状態となったことを検出するための電
流検出素子が、直流モータおよびモータリレー回路間に
設けられている。2. Description of the Related Art Conventionally, in the one disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-216863, a DC motor, which is an electric device, is connected to a battery via a motor relay circuit, and the DC motor is in a locked state. A current detection element for detecting this is provided between the DC motor and the motor relay circuit.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、電気機器を
電界効果トランジスタのＯＮ・ＯＦＦで駆動するように
したものがあり、電界効果トランジスタは、電気機器が
ロック状態に陥ったときのロック電流が流れることに応
じて過熱状態となって破壊してしまうことがあり、電界
効果トランジスタが過熱状態とならないように監視して
おく必要がある。そこで、上記特開平８−２１６８６３
号公報で開示されたもののように、電流検出素子を用い
て電界効果トランジスタが過熱状態になったか否かを判
断することが可能ではあるが、電流検出素子による検出
電流に基づいて電界効果トランジスタの温度を推定する
ことになるので診断精度が優れているとは言い難く、診
断誤差を許容する容量をもった電界効果トランジスタを
用いなければならず、より高価な電界効果トランジスタ
が必要となる。また電界効果トランジスタの温度を熱セ
ンサで直接検出することも考えられるが、熱センサが必
要となり、コスト増大を招くことになる。By the way, there is a device in which an electric device is driven by turning on and off a field effect transistor, and a lock current flows when the electric device falls into a locked state in the field effect transistor. Depending on the situation, the field effect transistor may be destroyed due to overheating, and it is necessary to monitor the field effect transistor so as not to overheat. Therefore, the above-mentioned JP-A-8-216863
Although it is possible to determine whether or not the field effect transistor is in an overheated state by using a current detection element, such as that disclosed in Japanese Patent Publication No. Since the temperature is estimated, it cannot be said that the diagnostic accuracy is excellent, and a field effect transistor having a capacity that allows a diagnostic error must be used, and a more expensive field effect transistor is required. Although it is possible to directly detect the temperature of the field effect transistor with a thermal sensor, a thermal sensor is required, which results in an increase in cost.
【０００４】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、電界効果トランジスタの過熱状態を、コスト
増大を招くことなく簡単な構成で確実かつ正確に診断し
得るようにした電気機器駆動回路における電界効果トラ
ンジスタの過熱状態診断装置を提供することを目的とす
る。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an electric device drive circuit capable of reliably and accurately diagnosing an overheated state of a field effect transistor with a simple structure without increasing cost. It is an object of the present invention to provide an overheated state diagnosing device for a field effect transistor.
【０００５】上記目的を達成するために、請求項１記載
の発明は、電源および接地間に、電界効果トランジスタ
および電気機器が直列に接続される電気機器駆動回路に
おいて、基準電圧を定める基準電圧設定手段と、該基準
電圧設定手段で設定される基準電圧ならびに前記電界効
果トランジスタおよび電気機器の接続点の電圧を比較す
る比較手段と、前記接続点の電圧が前記基準電圧未満と
なったときの前記比較手段からの信号出力に基づいて電
界効果トランジスタの過熱を判断する判断手段とを備
え、前記基準電圧設定手段では、前記電気機器がロック
することに伴って該電気機器にロック電流が流れること
に起因して前記電界効果トランジスタが許容し得る限度
の温度に達する際に該電界効果トランジスタで生じる電
圧降下量に基づいて前記基準電圧が予め設定されること
を特徴とする。In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 sets a reference voltage setting for determining a reference voltage in an electric device drive circuit in which a field effect transistor and an electric device are connected in series between a power supply and a ground. Means for comparing the reference voltage set by the reference voltage setting means and the voltage at the connection point of the field effect transistor and the electric device with each other, and when the voltage at the connection point becomes less than the reference voltage. Determining means for determining overheating of the field effect transistor based on a signal output from the comparing means , wherein the reference voltage setting means locks the electric device.
That a lock current flows through the electric device
Limits that the field-effect transistor can tolerate due to
Of the electric field generated in the field effect transistor when the temperature reaches
The reference voltage is preset based on the amount of pressure drop .
【０００６】このような構成によれば、電流検出素子や
熱センサ等が不要であり、また診断誤差を許容するよう
な大きな容量の電界効果トランジスタを用いることを不
要とし、簡単かつ低コストで電界効果トランジスタの過
熱診断を行なうことができる。すなわち電界効果トラン
ジスタの温度・ＯＮ抵抗特性に基づけば該電界効果トラ
ンジスタが許容し得る限度の温度に達したときのＯＮ抵
抗を得ることができ、電気機器がロック状態となったと
きに流れるロック電流も判るので、電界効果トランジス
タが許容し得る限度の温度に達するときのＯＮ抵抗と前
記ロック電流とに基づけば、電界効果トランジスタが許
容し得る限度の温度に達する際の電界効果トランジスタ
での電圧降下量を得ることができる。しかも電界効果ト
ランジスタのＯＮ抵抗は温度上昇に応じて高くなるの
で、電界効果トランジスタの温度上昇に応じて電界効果
トランジスタでの電圧降下量は大きくなり、電界効果ト
ランジスタおよび電気機器の接続点での電圧は低くな
る。したがって前記接続点の電圧に基づいて電界効果ト
ランジスタの過熱状態を判断するための基準電圧を、電
界効果トランジスタが許容し得る限度の温度に達する際
の電界効果トランジスタでの電圧降下量に基づいて定め
ることが可能であり、前記接続点の電圧が基準電圧未満
となるのに基づいて電界効果トランジスタが過熱状態と
なりそうであることを正確にかつ確実に診断することが
可能である。 According to this structure, the current detecting element and
No need for heat sensor, etc.
It is not possible to use a field effect transistor with a large capacitance.
The cost of the field effect transistor is
Thermal diagnosis can be performed. That can get ON resistance when the field effect transistor has reached a temperature limit acceptable if association group to the temperature · ON resistance characteristics of the field effect transistor, lock electrical equipment flows when the locked state Since the current is also known, the voltage at the field effect transistor when the temperature reaches the maximum allowable temperature of the field effect transistor based on the ON resistance when the temperature reaches the maximum allowable temperature of the field effect transistor and the lock current. The amount of descent can be obtained. Moreover, since the ON resistance of the field-effect transistor increases as the temperature rises, the amount of voltage drop in the field-effect transistor increases as the temperature rises, and the voltage at the connection point of the field-effect transistor and the electric device increases. Will be lower. Therefore, the reference voltage for determining the overheated state of the field effect transistor based on the voltage at the connection point is determined based on the amount of voltage drop in the field effect transistor when the temperature reaches the limit temperature allowable by the field effect transistor. it is possible, Ru der can be accurately and reliably diagnose the voltage of the connection point is a field effect transistor based on the is less than the reference voltage is likely to overheat.
【０００７】また請求項２記載の発明は、上記請求項１
記載の発明の構成に加えて、前記電気機器が直流モータ
であり、前記判断手段は、前記接続点の電圧が前記基準
電圧未満となっていることを示す信号が予め設定された
設定時間以上持続して前記比較手段から出力されるのに
応じて前記電界効果トランジスタが過熱状態にあると判
断することを特徴とする。The invention according to claim 2 is the above-mentioned claim 1.
In addition to the configuration of the invention described, the electric device is a DC motor, the determination means, the signal indicating that the voltage at the connection point is less than the reference voltage lasts for a preset time or more. Then, it is determined that the field effect transistor is in an overheated state in response to the output from the comparison means.
【０００８】このような請求項２記載の発明の構成によ
れば、ロック状態ではない直流モータの作動開始時に誤
って電界効果トランジスタが過熱状態にあると誤診断す
ることを回避することができる。すなわち直流モータが
正常である場合には、直流モータの作動開始から或る時
間だけロック電流と同レベルの突入電流が流れるのに対
し、直流モータのロック状態では駆動終了までロック電
流が持続するので、電界効果トランジスタおよび電気機
器間の電圧が基準電圧を超える状態が予め定められた設
定時間以上持続していることを判断することによって、
直流モータのロック状態に基づく電界効果トランジスタ
の過熱状態を確実に診断することができる。According to the configuration of the invention described in claim 2, it is possible to avoid erroneous erroneous diagnosis that the field effect transistor is in the overheated state at the start of operation of the DC motor which is not in the locked state. That is, when the DC motor is normal, the inrush current of the same level as the lock current flows for a certain time from the start of the operation of the DC motor, whereas in the locked state of the DC motor, the lock current continues until the end of driving. By judging that the state in which the voltage between the field effect transistor and the electric device exceeds the reference voltage continues for a predetermined set time or longer,
It is possible to reliably diagnose the overheated state of the field effect transistor based on the locked state of the DC motor.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、添
付図面に示した本発明の一実施例に基づいて説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below based on an embodiment of the present invention shown in the accompanying drawings.
【００１０】図１〜図４は本発明の一実施例を示すもの
であり、図１は直流モータの駆動回路の構成を示す回路
図、図２は電界効果トランジスタの温度・ＯＮ抵抗特性
図、図３は判断手段の判断手順を示すフローチャート、
図４は直流モータの正常状態およびロック状態を対比さ
せて示す電流波形図である。1 to 4 show one embodiment of the present invention, FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of a drive circuit of a DC motor, FIG. 2 is a temperature / ON resistance characteristic diagram of a field effect transistor, FIG. 3 is a flowchart showing the judgment procedure of the judgment means,
FIG. 4 is a current waveform diagram showing the normal state and the locked state of the DC motor in comparison.
【００１１】先ず図１において、電源であるバッテリ１
および接地間には、電界効果トランジスタ（Field Effe
ct Transistor 、以下ＦＥＴと言う）２と、電気機器と
しての直流モータ３とが直列に接続される。この直流モ
ータ３は、たとえば車両用ブレーキ装置におけるアンチ
ロックブレーキ制御装置で用いられるポンプを駆動する
ためのものである。First, referring to FIG. 1, a battery 1 as a power source.
And the field effect transistor (Field Effe
ct Transistor (hereinafter referred to as FET) 2 and a DC motor 3 as an electric device are connected in series. The DC motor 3 is for driving a pump used in an antilock brake control device in a vehicle brake device, for example.
【００１２】ＦＥＴ２のゲートにはモータ駆動制御手段
４が接続されており、モータ駆動制御手段４からＦＥＴ
２のゲートに印加される電圧に応じて直流モータ３の作
動が制御される。The motor drive control means 4 is connected to the gate of the FET 2, and the FET is connected from the motor drive control means 4 to the FET.
The operation of the DC motor 3 is controlled according to the voltage applied to the gate of the No. 2 gate.
【００１３】バッテリ１には、基準電圧を設定する基準
電圧設定手段５が接続される。この基準電圧設定手段５
は、バッテリ１および接地間にたとえば分圧抵抗６，７
が直列に接続されて成るものであり、両分圧抵抗６，７
間の電圧が基準電圧ＶR として出力される。この基準電
圧設定手段５で得られる基準電圧ＶR は、比較手段であ
る比較器８の非反転入力端子に入力される。また比較器
８の反転入力端子には、ＦＥＴ２および直流モータ３の
接続点９における電圧Ｖが入力される。A reference voltage setting means 5 for setting a reference voltage is connected to the battery 1. This reference voltage setting means 5
Is, for example, a voltage dividing resistor 6, 7 between the battery 1 and the ground.
Are connected in series. Both voltage dividing resistors 6, 7
The voltage between them is output as the reference voltage V R. The reference voltage V R obtained by the reference voltage setting means 5 is input to the non-inverting input terminal of the comparator 8 which is the comparison means. The voltage V at the connection point 9 of the FET 2 and the DC motor 3 is input to the inverting input terminal of the comparator 8.
【００１４】ところで、ＦＥＴ２は、その温度とＯＮ抵
抗との間に図２で示すような関係を有するものであり、
ＦＥＴ２の温度が許容し得る限度の温度ＴL （たとえば
１５０℃）に達するときのＯＮ抵抗ＲL （たとえば１８
ｍΩ）を、図２の温度・ＯＮ抵抗特性に基づいて得るこ
とができる。一方、直流モータ３がロック状態となった
ときに流れるロック電流も判るので、ＦＥＴ２が許容し
得る限度の温度ＴL に達するときのＯＮ抵抗ＲL と前記
ロック電流とに基づけば、ＦＥＴ２が許容し得る限度の
温度ＴL に達する際のＦＥＴ２での電圧降下量ΔＶL を
得ることができる。しかもＦＥＴ２のＯＮ抵抗は図２で
示したように温度上昇に応じて高くなるので、ＦＥＴ２
の温度上昇に応じて、前記電圧降下量ΔＶL は大きくな
り、ＦＥＴ２および直流モータ３の接続点９での電圧Ｖ
は低くなる。したがってバッテリ１の電圧をＶB とした
ときに、ＦＥＴ２が許容し得る限度の温度ＴL に達した
と判断するための基準電圧ＶR を（ＶB −ΔＶL ）と定
めておけば、前記接続点９の電圧Ｖがその基準電圧ＶR
未満となったときには、ＦＥＴ２の温度が許容し得る限
度の温度ＴL を超えたと判断することが可能であり、比
較器８は、そのような状態でハイレベルの信号を出力す
る。By the way, the FET 2 has a relationship between its temperature and ON resistance as shown in FIG.
When the temperature of the FET2 reaches an allowable limit temperature T L (eg 150 ° C.), the ON resistance R L (eg 18
mΩ) can be obtained based on the temperature-ON resistance characteristic of FIG. On the other hand, since the lock current that flows when the DC motor 3 is in the locked state is also known, the FET 2 is allowed based on the ON resistance R L and the lock current when the temperature T L which is the allowable limit of the FET 2 is reached. It is possible to obtain the voltage drop amount ΔV L in the FET2 when the temperature T L of the possible limit is reached. Moreover, since the ON resistance of the FET2 increases as the temperature rises as shown in FIG.
As the temperature rises, the voltage drop amount ΔV L increases and the voltage V at the connection point 9 of the FET 2 and the DC motor 3 increases.
Will be lower. Thus the voltage of the battery 1 is taken as V B, if defining a reference voltage V R for determining that reached a temperature T L of the limits FET2 is acceptable and (V B -ΔV L), wherein the reference voltage V R the voltage V at the connection point 9
When it is less than the threshold, it is possible to determine that the temperature of the FET 2 exceeds the allowable temperature TL , and the comparator 8 outputs a high level signal in such a state.
【００１５】比較器８の出力信号は判断手段１０に入力
されており、該判断手段１０は、比較器８の出力に基づ
いてＦＥＴ２が過熱状態になったか否かを判断し、過熱
状態になったと判断したときに、トランジスタ１１を導
通せしめる信号を出力する。而してトランジスタ１１
は、ＦＥＴ２のゲートおよび接地間に設けられるもので
あり、トランジスタ１１の導通により、ＦＥＴ２は、モ
ータ駆動制御手段４の出力にかかわらず遮断して、直流
モータ３への電力供給を強制的に停止することになる。The output signal of the comparator 8 is input to the judging means 10, and the judging means 10 judges based on the output of the comparator 8 whether or not the FET 2 is in the overheated state, and the FET 2 is in the overheated state. When it is determined that the transistor 11 is turned on, a signal for making the transistor 11 conductive is output. Thus the transistor 11
Is provided between the gate of the FET 2 and the ground, and the FET 2 is cut off by the conduction of the transistor 11 regardless of the output of the motor drive control means 4, and the power supply to the DC motor 3 is forcibly stopped. Will be done.
【００１６】判断手段１０には、図３で示す判断手順が
予め設定されており、ステップＳ１では比較器８がハイ
レベルの信号を出力しているか否か、すなわち前記接続
点９の電圧Ｖが基準電圧設定手段５から出力される基準
電圧ＶR 未満となったか否かを判定し、Ｖ＜ＶR であっ
たときにはステップＳ２に進み、Ｖ＜ＶR である状態で
の時間を計測する。The judgment procedure shown in FIG. 3 is preset in the judgment means 10, and in step S1, it is determined whether or not the comparator 8 outputs a high-level signal, that is, the voltage V at the connection point 9 is set. It is determined whether or not the voltage has become less than the reference voltage V R output from the reference voltage setting means 5. If V <V R , the process proceeds to step S2, and the time in the state of V <V R is measured.
【００１７】ステップＳ３では、ステップＳ２で計測し
た時間が設定時間を経過したか否かを判定し、設定時間
が経過したと判定したときに、ステップＳ４においてＦ
ＥＴ２が過熱状態に陥ったと判断し、トランジスタ１１
を導通せしめることになる。In step S3, it is determined whether or not the time measured in step S2 has passed the set time. When it is determined that the set time has passed, F in step S4.
It is judged that the ET2 has fallen into the overheated state, and the transistor 11
Will be conducted.
【００１８】すなわち判断手段１０は、ＦＥＴ２および
直流モータ３の接続点９における電圧Ｖが基準電圧ＶR
未満となっていることを示す信号が予め設定された設定
時間以上持続して比較器８から出力されるのに応じてＦ
ＥＴ２が過熱状態にあると判断して、トランジスタ１１
を導通せしめ、直流モータ３への電力供給を強制的に停
止することになる。[0018] That determination means 10, FET2 and the voltage V is the reference voltage V R at the connection point 9 of the direct current motor 3
When the signal indicating that the value is less than F is continuously output from the comparator 8 for a preset time or longer,
It is judged that ET2 is overheated, and the transistor 11
And the power supply to the DC motor 3 is forcibly stopped.
【００１９】次にこの実施例の作用について説明する
と、ＦＥＴ２および直流モータ３の接続点９における電
圧Ｖが、基準電圧設定手段５で設定される基準電圧ＶR
未満となったときに比較器８からハイレベルの信号が出
力されるのに基づいて、ＦＥＴ２が過熱状態にあると判
断して直流モータ３への電力供給を停止する。しかも前
記基準電圧ＶR は、直流モータ３がロックすることに伴
って直流モータ３に流れるロック電流と、ＦＥＴ２の温
度・ＯＮ抵抗特性に基づいてＦＥＴ２が許容される限界
の温度ＴL に達したときの抵抗ＲL とによって定まるＦ
ＥＴ２での電圧降下量に基づいて基準電圧設定手段５で
設定されるものである。したがって接続点９の電圧Ｖが
基準電圧ＶR 未満となるのに基づいてＦＥＴ２が過熱状
態となりそうであることを正確にかつ確実に診断するこ
とが可能であり、電流検出素子や熱センサ等を不要とす
るとともに診断誤差を許容するような大きな容量のＦＥ
Ｔ２を用いることを不要とし、簡単かつ低コストでＦＥ
Ｔ２の過熱診断を行なうことができる。The operation of this embodiment will now be described. The voltage V at the connection point 9 of the FET 2 and the DC motor 3 is the reference voltage V R set by the reference voltage setting means 5.
When it becomes less than, the high-level signal is output from the comparator 8, and it is determined that the FET 2 is in the overheated state, and the power supply to the DC motor 3 is stopped. Moreover the reference voltage V R is a lock current flowing through the DC motor 3 along with the DC motor 3 is locked, FET2 has reached a temperature T L of the acceptable limits based on the temperature · ON resistance characteristic of FET2 F determined by the resistance R L
It is set by the reference voltage setting means 5 based on the voltage drop amount at ET2. Therefore, it is possible to accurately and surely diagnose that the FET 2 is about to be overheated based on the voltage V at the connection point 9 being lower than the reference voltage V R , and to detect the current detection element, the thermal sensor, or the like. FE with a large capacity that does not require and allows diagnostic error
FE can be used easily and at low cost without using T2
An overheat diagnosis of T2 can be performed.
【００２０】また判断手段１０は、接続点９の電圧Ｖが
基準電圧ＶR 未満となっていることを示す信号が予め設
定された設定時間以上持続して比較器８から出力される
のに応じてＦＥＴ２が過熱状態にあると判断するもので
あり、このような判断手段１０での判断によれば、ロッ
ク状態ではない直流モータ３の作動開始時に誤ってＦＥ
Ｔ２が過熱状態にあると誤診断することを回避すること
ができる。Further, the judging means 10 responds to the fact that the signal indicating that the voltage V at the connection point 9 is lower than the reference voltage V R is output from the comparator 8 continuously for a preset time or more. It is determined that the FET 2 is in an overheated state, and according to such a determination made by the determination means 10, the FE is erroneously mistaken when the operation of the DC motor 3 which is not in the locked state is started.
It is possible to avoid erroneous diagnosis that T2 is in an overheated state.
【００２１】すなわち直流モータ３が正常である場合に
は、図４の実線で示すように、直流モータ３の作動開始
から或る時間だけロック電流と同レベルの突入電流が流
れるのに対し、直流モータ３のロック状態では、その駆
動終了まで図３の破線で示すようなロック電流が流れ続
けるので、直流モータ３の作動開始時に突入電流が生じ
た後に正常電流に落ちつくと想定される時間を設定時間
と定めることにより、突入電流に起因した誤診断を回避
して、直流モータ３のロック状態に基づくＦＥＴ２の過
熱状態を確実に診断することができる。That is, when the DC motor 3 is normal, as shown by the solid line in FIG. 4, a rush current of the same level as the lock current flows for a certain time from the start of operation of the DC motor 3, whereas In the locked state of the motor 3, the lock current as shown by the broken line in FIG. 3 continues to flow until the end of the driving, so when the DC motor 3 starts operating, the time assumed to settle to the normal current after the inrush current occurs is set. By setting the time, it is possible to avoid erroneous diagnosis due to the inrush current and reliably diagnose the overheated state of the FET 2 based on the locked state of the DC motor 3.
【００２２】以上、本発明の実施例を詳述したが、本発
明は上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の
範囲に記載された本発明を逸脱することなく種々の設計
変更を行なうことが可能である。Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various design changes can be made without departing from the present invention described in the claims. It is possible to do.
【００２３】たとえば本発明は、アンチロックブレーキ
制御装置で用いられるポンプを駆動するための直流モー
タに限らず、ＦＥＴ２を介して電源に接続される電気機
器に関連して広く適用可能である。For example, the present invention is widely applicable not only to the DC motor for driving the pump used in the antilock brake control device but also to electric equipment connected to the power source through the FET 2.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上のように請求項１記載の発明によれ
ば、電流検出素子や熱センサ等を不要とするとともに、
診断誤差を許容するような大きな容量の電界効果トラン
ジスタを用いることを不要としつつ、電界効果トランジ
スタが過熱状態となりそうであることを、簡単かつ低コ
ストで正確にかつ確実に診断することができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, the current detecting element, the heat sensor, etc. are not required, and
It is not necessary to use a field effect transistor having a large capacity that allows a diagnosis error, but it is possible to easily, accurately and reliably diagnose that the field effect transistor is likely to be overheated at a low cost.
【００２５】また請求項２記載の発明によれば、ロック
状態ではない直流モータの作動開始時に誤って電界効果
トランジスタが過熱状態にあると誤診断することを回避
することができる。According to the second aspect of the present invention, it is possible to avoid erroneously erroneously diagnosing that the field effect transistor is in the overheated state at the start of operation of the DC motor that is not in the locked state.
【図１】直流モータの駆動回路の構成を示す回路図であ
る。FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a drive circuit of a DC motor.
【図２】電界効果トランジスタの温度・ＯＮ抵抗特性図
である。FIG. 2 is a temperature / ON resistance characteristic diagram of a field effect transistor.
【図３】判断手段の判断手順を示すフローチャートであ
る。FIG. 3 is a flowchart showing a judgment procedure of a judgment means.
【図４】直流モータの正常状態およびロック状態を対比
させて示す電流波形図である。FIG. 4 is a current waveform diagram showing a normal state and a locked state of the DC motor in comparison.
１・・・電源としてのバッテリ ２・・・電界効果トランジスタ ３・・・電気機器としての直流モータ ５・・・基準電圧設定手段 ８・・・比較手段としての比較器 ９・・・接続点 １０・・・判断手段 1-Battery as power source 2 Field effect transistor 3 ... DC motor as electric equipment 5: Reference voltage setting means 8: Comparator as comparison means 9 ... Connection point 10 ... Judgment means
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０３Ｋ 17/687 Ｈ０３Ｋ 17/687 Ａ (72)発明者 高山 雄介 埼玉県和光市中央１丁目４番１号 株式 会社本田技術研究所内 (56)参考文献 特開 平９−23571（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−77298（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭60−42037（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G05F 1/00 - 1/70 G05F 3/00 - 3/30 H02P 5/04 - 5/26 H02P 7/04 - 7/34 H03K 17/00 - 17/70 H02H 7/06 - 7/097 H03F 1/00 - 3/72 Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI H03K 17/687 H03K 17/687 A (72) Inventor Yusuke Takayama 1-4-1 Chuo, Wako-shi, Saitama, Ltd. ) Reference: Japanese Patent Laid-Open No. 9-23571 (JP, A) Actually developed 60-77298 (JP, U) Actually developed 60-42037 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB) G05F 1/00-1/70 G05F 3/00-3/30 H02P 5/04-5/26 H02P 7/04-7/34 H03K 17/00-17/70 H02H 7/06-7/097 H03F 1/00-3/72
Claims (2)
ランジスタ（２）および電気機器（３）が直列に接続さ
れる電気機器駆動回路において、基準電圧を定める基準
電圧設定手段（５）と、該基準電圧設定手段（５）で設
定される基準電圧ならびに前記電界効果トランジスタ
（２）および電気機器（３）の接続点（９）の電圧を比
較する比較手段（８）と、前記接続点（９）の電圧が前
記基準電圧未満となったときの前記比較手段（８）から
の信号出力に基づいて電界効果トランジスタ（２）の過
熱を判断する判断手段（１０）とを備え、前記基準電圧
設定手段（５）では、前記電気機器（３）がロックする
ことに伴って該電気機器（３）にロック電流が流れるこ
とに起因して前記電界効果トランジスタ（２）が許容し
得る限度の温度に達する際に該電界効果トランジスタ
（２）で生じる電圧降下量に基づいて前記基準電圧が予
め設定されることを特徴とする電気機器駆動回路におけ
る電界効果トランジスタの過熱診断装置。1. An electric equipment drive circuit in which a field effect transistor (2) and an electric equipment (3) are connected in series between a power supply (1) and ground, and a reference voltage setting means (5) for determining a reference voltage. Comparing means (8) for comparing the reference voltage set by the reference voltage setting means (5) and the voltage at the connection point (9) of the field effect transistor (2) and the electric device (3), and the connection point and a determination means (10) for determining the superheat of the field-effect transistor (2) based on a signal output from said comparing means when the voltage of (9) is less than the reference voltage (8), the reference Voltage
In the setting means (5), the electric device (3) is locked.
As a result, a lock current flows through the electric device (3).
And the field effect transistor (2)
The field-effect transistor upon reaching the temperature limit
Based on the voltage drop amount generated in (2), the reference voltage is preliminarily calculated.
An overheat diagnosing device for a field effect transistor in an electric device drive circuit, which is characterized by being set .
り、前記判断手段（１０）は、前記接続点（９）の電圧
が前記基準電圧未満となっていることを示す信号が予め
設定された設定時間以上持続して前記比較手段（８）か
ら出力されるのに応じて前記電界効果トランジスタ
（２）が過熱状態にあると判断することを特徴とする請
求項１記載の電気機器駆動回路における電界効果トラン
ジスタの過熱診断装置。2. The electric device (3) is a DC motor, and the judging means (10) is preset with a signal indicating that the voltage at the connection point (9) is less than the reference voltage. 2. The electric equipment drive circuit according to claim 1, wherein the field effect transistor (2) is judged to be in an overheated state in response to the output from the comparison means (8) for a preset period of time or more. Field effect transistor overheat diagnostic device.
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|---|---|---|---|
| JP03370099A JP3509605B2 (en) | 1999-02-12 | 1999-02-12 | Diagnostic device for overheating of field effect transistor in electric equipment drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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| JP2000231417A JP2000231417A (en) | 2000-08-22 |
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