JP3506170B2 - 半導体部品の検査装置および検査方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
等の半導体部品の検査装置および検査方法に係り、特
に、半導体部品を透過光で検査することにより、各部の
形状検査、欠損、破壊または割れ検査、或いは、薄膜加
工部分の形状や膜厚の均一性の検査等を、半導体部品の
一方の側の像の取得のみによって行うことができ、高速
且つ高精度で安価な半導体部品の検査装置および検査方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体部品の検査装置にあって
は、例えば、シリコン等による感圧部（薄膜加工部分）
を備える半導体圧力センサの検査を行う場合には、顕微
鏡の同軸落射型照明を用いて、表側と裏側とについて目
視による検査を行っていた。

【０００３】また、この半導体圧力センサの検査工程を
自動化する目的で、顕微鏡にＣＣＤカラーカメラを付設
してその取得画像を画像処理装置に取り込む構成とした
半導体部品の検査装置においては、半導体圧力センサの
表面側および裏面側についての同軸落射型照明による画
像を取り込んで、画像処理による画像解析によって検査
を行っていた。

【０００４】尚、このような半導体圧力センサの検査項
目としては、半導体圧力センサの各部の形状の検出、半
導体圧力センサの欠損、破壊部分または割れの検出、或
いは、薄膜加工部分の形状や膜厚の均一性を検出して良
否検査するもの等がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体部品の検査装置および検査方法にあっては、例え
ば、目視によって半導体圧力センサの検査を行う場合、
顕微鏡のフォーカシングによってエッチング深さを推測
し、薄膜加工部分の膜厚不良を検出することとなるが、
一般的な半導体圧力センサのシリコン部材の厚さが約４
００［μｍ］の場合に薄膜加工部分の膜厚は１［μｍ］
程度であるので、顕微鏡による目視検査では厳密に検査
するのは困難であり、また、落射型照明を用いた検査で
あることから、表面の荒れや照明の照射角度、或いは明
るさ等によって観察状態が大きく変わるという問題点が
あった。

【０００６】また、落射型照明を用いた検査では、表側
の目視検査または表側の取得画像から半導体部品の裏側
の形状を特定することは困難であり、表側と裏側を別々
に検査しなければならず、半導体圧力センサを反転する
作業が必要とされることから、検査工程が繁雑であり、
検査の自動化が難しいという問題点があった。

【０００７】さらに、電極が取り付けられたガラスに対
向して、感圧部（薄膜加工部分）を備えたシリコン部材
が微少隙間を介して接合された構造の静電容量検出式半
導体圧力センサ等においては、感圧部（薄膜加工部分）
の微細なヒビや欠け等を検出することも必要であるが、
目視検査では困難な作業であり、また、検査を自動化す
るに当たっても画像解析に複雑なアルゴリズムを必要と
するという問題点もあった。

【０００８】この発明は、このような従来の問題点に着
目してなされたもので、その目的とするところは、半導
体圧力センサ等の半導体部品を透過光で検査することに
より、各部の形状検査、欠損、破壊または割れ検査、或
いは、薄膜加工部分の形状や膜厚の均一性の検査等を、
半導体部品の一方の側の像の取得のみによって行うこと
ができ、高速且つ高精度で安価な半導体部品の検査装置
および検査方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本出願の請求項１に記載
の発明は、半導体部品の裏面側より赤色光を含む光を照
射する照射手段と、前記半導体部品の表面側に位置して
前記照射手段からの透過光による前記半導体部品の像を
取得する撮像手段と、前記撮像手段の取得した赤色透過
光による画像および光の強度に基づいて前記半導体部品
の検査を行うと共に、前記撮像手段の取得した白色光に
よる画像に基づいて、前記半導体部品のガラス割れ或い
はシリコン割れの有無を検査する検査手段と、を具備す
ること、を特徴とする半導体部品の検査装置にある。

【００１０】この出願の請求項２に記載の発明は、前記
検査手段が、前記撮像手段の取得した赤色透過光による
画像および光の強度に基づいて、前記半導体部品の薄膜
加工部分の形状および膜厚の均一性、並びに、前記半導
体部品の欠損または破壊部分を検出して良否検査するこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体部品の検査装置
にある。

【００１１】この出願の請求項３に記載の発明は、前記
検査手段が、前記撮像手段の取得した透過光による画像
に基づいて、前記半導体部品の光を透過しない部分の形
状を検出して良否検査することを特徴とする請求項１若
しくは２に記載の半導体部品の検査装置にある。

【００１２】また、この出願の請求項４に記載の発明
は、半導体部品の裏面側より赤色光を含む光を照射し、
透過光による前記半導体部品の像を取得して検査を行う
半導体部品の検査方法において、取得した赤色透過光に
よる画像に基づいて、前記半導体部品の薄膜加工部分の
形状、並びに、前記半導体部品の欠損または破壊部分を
検出して良否検査する第１形状検査ステップと、取得し
た赤色透過光の強度に基づいて、前記半導体部品の薄膜
加工部分の膜厚の均一性を検出して良否検査する膜厚検
査ステップと、取得した透過光による画像に基づいて、
前記半導体部品の光を透過しない部分の形状を検出して
良否検査する第２形状検査ステップと、取得した白色光
による画像に基づいて、前記半導体部品のガラス割れの
有無を検査する割れ検査ステップとを具備することを特
徴とする半導体部品の検査方法にある。

【００１３】本発明では、半導体部品にガラス割れやシ
リコン割れ等の不良があった場合には、照射手段により
照射された透過光が散乱して白色光として検出される原
理を利用している。

【００１４】そして、この請求項１または請求項４に記
載の発明によれば、照射手段により半導体部品の裏面側
より赤色光を含む光を照射して、検査手段では、撮像手
段の取得した赤色透過光による画像および光の強度に基
づいて、半導体部品の検査が行われると共に、撮像手段
の取得した白色光による画像に基づいて、半導体部品の
ガラス割れ或いはシリコン割れの有無が検査される。

【００１５】特に、請求項２または請求項４に記載の発
明では、検査手段は、撮像手段の取得した赤色透過光に
よる画像および光の強度に基づいて、半導体部品の薄膜
加工部分の形状および膜厚の均一性、並びに、半導体部
品の欠損または破壊部分を検出して良否検査し、また、
請求項３または請求項４に記載の発明では、検査手段
は、撮像手段の取得した透過光による画像に基づいて、
半導体部品の光を透過しない部分の形状を検出して良否
検査する。

【００１６】これにより、各部の形状検査、欠損、破壊
または割れ検査、或いは、薄膜加工部分の形状や膜厚の
均一性の検査等を、半導体部品の一方の側からの反射光
および透過光による像、並びに、光の強度の取得によっ
て行うことができ、高速且つ高精度で安価な半導体部品
の検査装置および検査方法を実現することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の好適な実施の
一形態を添付図面を参照しながら詳細に説明する。

【００１８】先ず、本発明の半導体部品の検査装置およ
び検査方法の一実施形態に係る半導体部品の検査装置の
構成図を図１に示す。同図に示されるように、本実施形
態の半導体部品の検査装置は、顕微鏡１０１と、顕微鏡
１０１に付設されて被検査対象である半導体圧力センサ
（半導体部品）１００の一方の面からの同軸落射照明１
１２による反射光および透過照明１１１による透過光に
よって形成される像を取得するＣＣＤカラーカメラ（撮
像手段）１１３と、ＣＣＤカラーカメラ１１３の取得画
像を取り込んで、画像処理による画像解析を行う画像処
理装置１０３と、取得画像および画像解析結果を表示す
るＴＶモニタ１０４と、画像解析結果に基づくデータ処
理を行って各検査項目の判定を行うパソコン１０５とか
ら構成されている。尚、画像処理装置１０３、ＴＶモニ
タ１０４およびパソコン１０５が検査手段に該当する。

【００１９】また、図２には、本実施形態の検査装置に
おける検査対象である半導体圧力センサ（半導体部品）
１００の構造図を示す。図２（ａ）は平面図、図２
（ｂ）は断面図である。

【００２０】同図において、半導体圧力センサ１００は
静電容量検出式半導体圧力センサであり、ドーナツ形状
の電極２０３が取り付けられたガラス部材２０２に対向
して、ディープエッチングにより薄膜加工された感圧部
２１３を備えたシリコン部材２０１が微少隙間部２１２
を介して陽極接合された構造である。すなわち、圧力変
化を電気的信号に変換するために感圧部２１３に対向電
極部２０３を配置させて、圧力の変化を静電容量の変化
に置き換え、外部よりセンシング可能とした構造であ
る。

【００２１】この半導体圧力センサ１００の使用形態に
おいては、シリコン部材２０１の裏面側のディープエッ
チング部２１１に、圧力を検出すべき気体（ガス）等が
充填されており、該気体の圧力によって感圧部２１３が
膜が振動する如く変形する。この感圧部２１３の変形に
よって、電極部２０３および感圧部２１３間の微小隙間
部２１２による静電容量が変化するので、該静電容量の
変化を電極端子２０５およびシリコン側電極端子２０１
間の静電容量変化として検知し、気体の圧力を検出する
ものである。

【００２２】尚、以下の説明では、具体的には、次のよ
うな形状寸法を持つ半導体圧力センサ１００を取り扱
う。すなわち、シリコン部材２０１については、縦横寸
法が２９００× ３０００［μｍ］、厚さが約４００
［μｍ］、薄膜加工部分（感圧部２１３）の膜厚は約４
０［μｍ］、ディープエッチング部２１１のＤＥ＝１５
００［μｍ］、ＴＥ＝３００［μｍ］、ガラス部材２０
２については、厚さが約５００［μｍ］、電極部２０３
については、厚さが約０．２［μｍ］、Ｒ１＝１５０
［μｍ］、Ｒ２＝２５０［μｍ］、Ｒ３＝６００［μ
ｍ］、Ｒ４＝８００［μｍ］、微小隙間部２１２の間隔
が約１［μｍ］である。また、このような寸法の半導体
圧力センサ１００の静電容量変化は約５〜２０［ｐＦ］
程度である。

【００２３】また、顕微鏡１０１においては、半導体圧
力センサ１００の表面側には同軸落射照明１１２からの
光Ｌ２が、裏面側には透過照明１１１からの光Ｌ１がそ
れぞれ照射され、監視者の目１０２およびＣＣＤカラー
カメラ１１３には、これらの反射光および透過光Ｌ３に
よって形成される像が取得されることとなる。また、透
過照明１１１には、ハロゲンランプ等の赤外線光を含む
ものを使用する。

【００２４】本実施形態の半導体部品の検査装置は、シ
リコンウエハにおいて、膜厚が厚いところでは光を透過
させないが、半導体圧力センサ１００におけるディープ
エッチングが施された薄膜加工部分（感圧部２１３）で
は、赤色領域の波長の光を透過させるという性質を利用
するものである。すなわち、本実施形態では、透過照明
１１１からの透過光による像では、ディープエッチング
が施された薄膜加工部分（感圧部２１３）や、ダイシン
グ工程でシリコンウエハが一部破壊された部分等の部分
画像は赤色を呈した像として観察されることになる。
尚、当然ながら、薄膜加工部分（感圧部２１３）の膜厚
に応じて透過光の強弱が変化してみられる。

【００２５】また、電極部２０３は、例えばクロムのよ
うな金属が使用されており、該金属は光を透過させない
性質を持っている。従って、この電極部２０３の形状
は、光を透過しない部分の像の形状より観察することが
でき、これによりエッチング不良等の異常を検出するこ
とができる。

【００２６】さらに、ガラス部材２０２についてガラス
割れ等の不良があった場合には、透過光が散乱して白色
光として検出されるので、像の白色部分の面積からガラ
ス割れの有無を検査することも可能である。

【００２７】次に、本実施形態の半導体部品の検査装置
における検査方法を、図を参照して詳細に説明する。図
３は、本実施形態の半導体部品の検査方法を説明する概
略フローチャートである。

【００２８】まず、ステップ３０１では、画像処理装置
１０３の初期設定を行うと共に、半導体圧力センサ１０
０を顕微鏡１０１にセットし、赤外線光を含む透過照明
１１１を照射する。次に、ステップ３０２では、ＣＣＤ
カラーカメラ１１３の取得画像を画像処理装置１０３に
取り込み画像解析を行う。

【００２９】次に、ステップ３０３では、取得した赤色
透過光の強度に基づいて、半導体圧力センサ１００の薄
膜加工部分（感圧部２１３）の膜厚の均一性を検出して
良否検査する（膜厚検査ステップ）。ここで、膜厚の均
一性検査は、目視観察によって行う。尚、赤色透過光の
強度を画像解析によって得ることにより、膜厚の均一性
を検査することも可能である。

【００３０】次に、ステップ３０４では、取得した赤色
透過光による画像を２値化抽出して、半導体圧力センサ
１００の薄膜加工部分（感圧部２１３またはディープエ
ッチング部２１１）の形状の良否検査および欠損または
破壊部分の有無による良否検査を行う（第１形状検査ス
テップ）。

【００３１】次に、ステップ３０５では、取得した透過
光による画像に基づいて、半導体圧力センサ１００の光
を透過しない部分、すなわち赤色光に囲まれた領域の中
で透過光の極めて少ない部分（黒色の部分）を２値化抽
出して、その形状よりシリコンに対向する電極部２０３
の形状について良否検査する（第２形状検査ステッ
プ）。

【００３２】さらに、ステップ３０６では、取得した白
色光による画像を２値化抽出して、その面積により半導
体圧力センサ１００のガラス割れ或いはシリコン割れの
有無を検査する（割れ検査ステップ）。

【００３３】次に、図４および図５には、本実施形態の
半導体部品の検査方法を説明する詳細フローチャートを
示す。尚、同図のフローチャートは、図３におけるステ
ップ３０１（初期設定），３０２（画像入力），３０４
（裏面Ｓｉ部の形状・欠損・破壊検査）および３０６
（Ｓｉ感圧部の割れ検査）を自動的に行う場合の処理を
詳細に示したものであり、該当する処理部分を点線で囲
って表す。

【００３４】まず、ステップ４０１および４０２では、
画像処理装置１０３の初期設定を行う。ステップ４０１
では画像処理装置１０３の内部メモリをクリアし、ステ
ップ４０２では、画像処理装置１０３の表示をクリアす
る。

【００３５】次に、ステップ４０３では、ＣＣＤカラー
カメラ１１３の取得画像を画像処理装置１０３に取り込
み画像解析を行う。具体的には、Ｒ（赤），Ｇ（緑），
Ｂ（緑）の画像信号（それぞれ２５６階調信号）を画像
処理装置１０３のメモリに入力する。

【００３６】次に、ステップ４０５〜４０９では、取得
した赤色透過光による画像に基づいて、半導体圧力セン
サ１００の薄膜加工部分（感圧部２１３またはディープ
エッチング部２１１）の形状および欠損または破壊部分
の良否検査を行う。

【００３７】まず、ステップ４０５では、薄膜加工部分
を示す色（赤色）を抽出するべく、輝度の範囲が、画像
信号Ｒ（赤）について「１００〜２５５」、画像信号Ｇ
（緑）について「０〜１００」且つ画像信号Ｂ（青）に
ついて「０〜１００」である画素を抽出する。

【００３８】次に、ステップ４０６では、抽出された画
素の面積を計算し、その面積ＲＥＤ＿ＡＲＥＡを検査判
定用パラメータとする。また、ステップ４０７では、抽
出された画像より、赤色部分の周囲長を計算し、その値
ＲＥＤ＿ＬＥＮＧＴＨを検査判定用パラメータとする。

【００３９】さらに、ステップ４０８では、検査判定用
パラメータである赤色面積ＲＥＤ＿ＡＲＥＡおよび赤色
周囲長ＲＥＤ＿ＬＥＮＧＴＨに基づいて、良否判定を行
う。判定は、次の２式を共に満たせば良品であり、そう
でなければ不良品（ステップ４０９）であるとして行わ
れる。

【００４０】３００００≦ＲＥＤ＿ＡＲＥＡ≦４６９０
０１８００≦ＲＥＤ＿ＬＥＮＧＴＨ≦２０００ステップ
４０８の判定で良品であるとされた場合には、さらに図
５の処理に進む。すなわち、ステップ５０１〜５０５で
は、取得した白色光による画像を２値化抽出して、その
面積により半導体圧力センサ１００のガラス割れ或いは
シリコン割れの有無を検査する。

【００４１】まず、ステップ５０１では、白色を抽出す
るべく、輝度の範囲が、画像信号Ｒ（赤）について「１
５０〜２５５」、画像信号Ｇ（緑）について「１５０〜
２５５」且つ画像信号Ｂ（青）について「１５０〜２５
５」である画素を抽出する。

【００４２】次に、ステップ５０２では、抽出された画
素の面積を計算し、その面積ＷＨＩＴＥ＿ＡＲＥＡを検
査判定用パラメータとする。さらに、ステップ５０３で
は、検査判定用パラメータである白色面積ＷＨＩＴＥ＿
ＡＲＥＡに基づいて、良否判定を行う。判定は、次式を
満たせば良品（ステップ５０５）であり、そうでなけれ
ば不良品（ステップ５０４）であるとして行われる。

【００４３】ＷＨＩＴＥ＿ＡＲＥＡ＝０尚、図３のステ
ップ３０５（電極部の検査）についても、図５のステッ
プ５０１〜５０５と同様にして、所定領域内の黒色領域
を２値化抽出して、その面積および周囲長により電極部
２０３の形状の良否検査を自動的に行うことができる。

【００４４】また、図３〜図５における説明では、透過
照明１１１を半導体圧力センサ１００の裏面側から照射
したときの透過光に基づく検査方法について説明した
が、同時に、半導体圧力センサ１００の表面側から同軸
落射照明１１２を照射して、その反射光を併用して検査
を行ってもよい。尚、この場合、同軸落射照明１１２の
光により赤色がやや薄まるので、赤色領域が識別可能な
ように同軸落射照明１１２の光量を調節する必要があ
る。

【００４５】図６〜図８には、本実施形態の半導体部品
の検査装置による半導体圧力センサ１００の取得画像の
具体例を示す。

【００４６】図６は半導体圧力センサ（良品チップ）の
取得画像の具体例、図７は半導体圧力センサ（シリコン
欠損不良品チップ）の取得画像の具体例、図８は半導体
圧力センサ（ガラス割れ不良品チップ）の取得画像の具
体例をそれぞれ示す説明図であり、図６（ａ）、図７
（ａ）および図８（ａ）は同軸落射照明１１２のみによ
る画像を、図６（ｂ）、図７（ｂ）および図８（ｂ）は
同軸落射照明１１２と透過照明１１１の併用による画像
を、図６（ｃ）、図７（ｃ）および図８（ｃ）は透過照
明１１１のみによる画像をそれぞれ示している。

【００４７】半導体圧力センサ１００を同軸落射照明１
１２で観察すると、図６（ａ）、図７（ａ）および図８
（ａ）に示すように見え、また、同一の半導体圧力セン
サ１００を、透過照明１１１で観察すると、図６
（ｃ）、図７（ｃ）および図８（ｃ）に示すように見え
る。つまり、透過照明１１１による取得画像では、シリ
コン部材の感圧部２１３（ディープエッチング部２１
１）が赤色領域６１１ｃ，７１１ｃ，８１１ｃとして画
像上に現れるため、この赤色領域６１１ｃ，７１１ｃ，
８１１ｃの面積を計測することで、シリコン部材の欠損
やエッチング不良を検出することができるのである。
尚、図６（ｂ）、図７（ｂ）および図８（ｂ）に示す同
軸落射照明１１２と透過照明１１１の併用画像において
も同様に、薄赤色領域６１１ｂ，７１１ｂ，８１１ｂと
して画像上に現れ、形状・欠損・破壊の検査が可能であ
る。

【００４８】また、図６（ｃ）、図７（ｃ）および図８
（ｃ）に示すように、透過照明１１１による取得画像で
は、ガラス部材２０２に取り付けられた金属電極部２０
３が、シルエットとして観察できるため、リング状の電
極部２０３の面積や真円度を計測することで、金属電極
部２０３の欠損やエッチング不良等も検出できることと
なる。

【００４９】さらに、ガラス部材２０２に図８（ａ）に
示すような微細なヒビや欠けがあった場合には、図８
（ｂ）または図８（ｃ）に示すように、光が散乱して白
色領域８１２ｂ，８１２ｃとして観察できるので、白色
領域を２値化抽出することでガラスの割れ或いはシリコ
ン割れを検出することもできる。

【００５０】以上のように、本実施形態の半導体部品の
検査装置および検査方法によれば、透過照明１１１によ
り半導体圧力センサ１００の裏面側より赤色光を含む光
を照射して、検査手段１０３〜１０５では、ＣＣＤカラ
ーカメラ１１３の取得した赤色透過光による画像および
光の強度に基づいて、半導体圧力センサ１００の薄膜加
工部分２１３の形状および膜厚の均一性、並びに、半導
体圧力センサ１００の欠損または破壊部分を検出して良
否検査し、また、取得した透過光による画像に基づい
て、半導体圧力センサ１００の光を透過しない部分の形
状を検出して良否検査し、さらに、取得した白色光によ
る画像に基づいて、半導体圧力センサ１００のガラス割
れ或いはシリコン割れの有無を検査することとしたの
で、次のような効果が得ることができる。

【００５１】（１）半導体圧力センサ１００におけるシ
リコン部材の感圧部２１３の膜厚、欠損、および、ダイ
シング工程におけるシリコン部材の欠損等を精度良く検
出できる。

【００５２】（２）半導体圧力センサ１００の両面（表
裏）からの検査を行う必要がないため、半導体圧力セン
サ１００の検査途中での反転操作が不要となり、検査処
理が高速化できると共に、検査装置をより低コストに抑
えることができる。

【００５３】（３）半導体圧力センサ１００の取得画像
における各部領域の検出精度が良いので検査処理のアル
ゴリズムを単純化することができ、検査処理を高速化す
ることが可能となり、また検査装置をより低コストに抑
えることができる。

【００５４】（４）金属電極部２０３の透過率が、シリ
コン部材による感圧部２１３（薄膜加工部分）の透過率
と大きく異なるので、電極部２０３の形状検査が容易と
なり、検査精度を向上させることができると共に、検査
処理の高速化に貢献できる。

【００５５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、照射手段により半導体部品の裏面側より赤色
光を含む光を照射して、検査手段では、撮像手段の取得
した赤色透過光による画像および光の強度に基づいて、
半導体部品の検査を行うこととし、加えて検査手段は、
撮像手段の取得した赤色透過光による画像および光の強
度に基づいて、半導体部品の薄膜加工部分の形状および
膜厚の均一性、並びに、半導体部品の欠損または破壊部
分を検出して良否検査し、また検査手段は、撮像手段の
取得した透過光による画像に基づいて、半導体部品の光
を透過しない部分の形状を検出して良否検査し、さらに
検査手段は、撮像手段の取得した白色光による画像に基
づいて、半導体部品のガラス割れの有無を検査すること
としたので、各部の形状検査、欠損、破壊または割れ検
査、或いは、薄膜加工部分の形状や膜厚の均一性の検査
等を、半導体部品の一方の側からの透過光による像、並
びに、光の強度の取得によって行うことができ、高速且
つ高精度で安価な半導体部品の検査装置および検査方法
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体部品の検査装置の構成図で
ある。

【図２】実施形態の検査装置の検査対象である半導体圧
力センサ（半導体部品）の構造図であり、図２（ａ）は
平面図、図２（ｂ）は断面図である。

【図３】実施形態の半導体部品の検査方法を説明する概
略フローチャートである。

【図４】実施形態の半導体部品の検査方法を説明する詳
細フローチャート（その１）である。

【図５】実施形態の半導体部品の検査方法を説明する詳
細フローチャート（その２）である。

【図６】半導体圧力センサ（良品チップ）の取得画像の
具体例を示す説明図であり、図６（ａ）は同軸落射照明
のみによる画像、図６（ｂ）は同軸落射照明と透過照明
の併用による画像、図６（ｃ）は透過照明のみによる画
像である。

【図７】半導体圧力センサ（シリコン欠損不良品チッ
プ）の取得画像の具体例を示す説明図であり、図７
（ａ）は同軸落射照明のみによる画像、図７（ｂ）は同
軸落射照明と透過照明の併用による画像、図７（ｃ）は
透過照明のみによる画像である。

【図８】半導体圧力センサ（ガラス割れ不良品チップ）
の取得画像の具体例を示す説明図であり、図８（ａ）は
同軸落射照明のみによる画像、図８（ｂ）は同軸落射照
明と透過照明の併用による画像、図８（ｃ）は透過照明
のみによる画像である。

【符号の説明】

１００ 半導体圧力センサ（半導体部品） １０１ 顕微鏡 １０２ 観察者の目 １０３ 画像処理装置 １０４ ＴＶモニタ １０５ パソコン １１３ ＣＣＤカラーカメラ １１１ 透過照明 １１２ 同軸落射照明 Ｌ１ 透過照明による光 Ｌ２ 同軸落射照明による光 Ｌ３ 反射光および透過光 ２０１ シリコン部材 ２０２ ガラス部材 ２０３ 電極部 ２０４ シリコン側電極端子 ２０５ 電極端子 ２１１ ディープエッチング部 ２１２ 微小隙間部 ２１３ 感圧部（薄膜加工部分） ６１１ｂ，６１１ｃ 赤色領域（ディープエッチング
部） ７１１ｂ，７１１ｃ 赤色領域 （ディープエッチング部およびシリコン欠陥部分） ８１１ｂ，８１１ｃ 赤色領域（ディープエッチング
部） ８１２ｂ，８１２ｃ 白色領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−71925（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01B 11/00 - 11/30 G01N 21/84 - 21/958 H01L 21/64 - 21/66

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体部品の裏面側より赤色光を含む光
   を照射する照射手段と、 前記半導体部品の表面側に位置して前記照射手段からの
   透過光による前記半導体部品の像を取得する撮像手段
   と、 前記撮像手段の取得した赤色透過光による画像および光
   の強度に基づいて前記半導体部品の検査を行うと共に、
   前記撮像手段の取得した白色光による画像に基づいて、
   前記半導体部品のガラス割れ或いはシリコン割れの有無
   を検査する検査手段と、 を具備すること、を特徴とする半導体部品の検査装置。
2. 【請求項２】 前記検査手段は、前記撮像手段の取得し
   た赤色透過光による画像および光の強度に基づいて、前
   記半導体部品の薄膜加工部分の形状および膜厚の均一
   性、並びに、前記半導体部品の欠損または破壊部分を検
   出して良否検査することを特徴とする請求項１に記載の
   半導体部品の検査装置。
3. 【請求項３】 前記検査手段は、前記撮像手段の取得し
   た透過光による画像に基づいて、前記半導体部品の光を
   透過しない部分の形状を検出して良否検査することを特
   徴とする請求項１若しくは請求項２に記載の半導体部品
   の検査装置。
4. 【請求項４】 半導体部品の裏面側より赤色光を含む光
   を照射し、透過光による前記半導体部品の像を取得して
   検査を行う半導体部品の検査方法において、 取得した赤色透過光による画像に基づいて、前記半導体
   部品の薄膜加工部分の形状、並びに、前記半導体部品の
   欠損または破壊部分を検出して良否検査する第１形状検
   査ステップと、 取得した赤色透過光の強度に基づいて、前記半導体部品
   の薄膜加工部分の膜厚の均一性を検出して良否検査する
   膜厚検査ステップと、 取得した透過光による画像に基づいて、前記半導体部品
   の光を透過しない部分の形状を検出して良否検査する第
   ２形状検査ステップと、 取得した白色光による画像に基づいて、前記半導体部品
   のガラス割れ或いはシリコン割れの有無を検査する割れ
   検査ステップと、 を具備すること、を特徴とする半導体部品の検査方法。