JP3502511B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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Description
体素子を搭載した半導体装置に関するものである。
装置では、生じた熱を効率良く半導体装置の外部に放熱
することが必要である。近年、半導体素子は100MH
z以上の高速で動作することが望まれ、高速動作に伴い
増大する発熱量を効率良く半導体装置の外部に放熱する
ことが要求される。図5は従来の発熱を伴う半導体素子
を搭載した半導体装置を示す断面図である。図におい
て、1は底面が放熱面である中空の半導体パッケージ、
2は半導体パッケージ1の底面に形成された金属層、3
は金属層2上に半導体素子4を固着するダイボンド樹
脂、5は半導体素子4に形成された半導体素子電極、6
は半導体パッケージ1に形成された半導体パッケージ電
極、7は半導体素子電極5と半導体パッケージ電極6を
電気的に接続する金属細線、8は半導体パッケージ1に
蓋9を固定する接着剤、10は半導体パッケージ電極6
と電気的に接続された半導体パッケージ1の外部端子で
ある。半導体素子4が動作することにより生じた熱は、
半導体素子4を固着しているダイボンド樹脂3を介して
金属層2に伝達され、半導体パッケージ1から半導体装
置の外部に放熱される。
上のように構成されており、半導体素子4で生じた熱は
半導体素子4表面から熱伝導の悪いダイボンド樹脂3を
介して伝達されるため、半導体素子4の動作の高速化に
伴い増大する発熱量を効率良く半導体装置の外部に放熱
することができず、半導体素子4の表面および内部が高
温となり、半導体装置の寿命を縮めると共に、半導体装
置の電気特性を劣化させ、さらに信頼性を低下させるな
どの問題があった。
ためになされたもので、中空の半導体パッケージの底面
にダイボンド樹脂により固着された半導体素子からの発
熱を効率良く外部に放熱できる半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
装置は、底面が放熱面である中空の半導体パッケージの
底面に形成された金属層と、金属層にダイボンドされる
と共に、放熱用の電極を有する半導体素子と、半導体素
子の放熱用の電極と金属層を繋ぐ金属線を備えたもので
ある。また、金属層は、熱の良導体を用いて形成されて
いるものである。また、金属線は、熱伝導の良い材質で
あると共に、50μm以上の径を有するものである。ま
た、半導体素子の放熱用の電極は、半導体素子の隅部に
形成され、少なくともいずれか一箇所が金属線を介して
金属層に接続されているものである。または、半導体素
子の放熱用の電極は、半導体素子の中央部に形成されて
いるものである。また、金属層が形成されている部分の
半導体パッケージには、熱伝導の良い部材が充填された
複数の貫通孔が形成されているものである。
導体装置を図について説明する。図1および図2はこの
発明の半導体装置の断面図および平面図である。図にお
いて、1は底面が放熱面である中空の半導体パッケー
ジ、2は半導体パッケージ1の底面に形成された金薄膜
等の金属層、3は金属層2上に半導体素子4を固着する
ダイボンド樹脂、5は半導体素子4に形成された半導体
素子電極、5aは半導体素子4の隅部に形成された放熱
用の電極、6は半導体パッケージ1に形成された半導体
パッケージ電極、7は半導体素子電極5と半導体パッケ
ージ電極6を電気的に接続するアルミ線等の金属細線、
8は半導体パッケージ1に蓋9を固定する接着剤、10
は半導体パッケージ電極6と電気的に接続された半導体
パッケージ1の外部端子である。半導体素子4からの電
気信号は、半導体素子電極5から半導体パッケージ電極
6を介して外部端子10に伝達される。11は半導体素
子4の隅部に形成された放熱用の電極5aと金属層2を
繋ぐ直径50μm以上の銅線等の熱伝導ワイヤである。
半導体素子4が動作することにより生じた熱は、半導体
素子4の隅部に形成された少なくともいずれか一箇所の
放熱用の電極5aから、材質が熱の良導体であると共に
太線の熱伝導ワイヤ11を介して、熱の良導体を用いて
形成された金属層2に伝達され、効率良く半導体パッケ
ージ1から半導体装置の外部に放熱される。
作により生じた熱は、放熱用に形成された電極5aか
ら、材質が熱の良導体であると共に太線の熱伝導ワイヤ
11を介して金属層2に伝達されるため、半導体素子4
からの発熱を効率良く半導体装置の外部に放熱できる。
ワイヤ11を半導体素子4の隅部に形成された放熱用の
電極5aに接続したが、図3に示すように、半導体素子
4において発熱量の多い中央部に形成された放熱用の電
極5bに熱伝導ワイヤ11を接続することによっても、
半導体素子4で生じた熱の半導体装置外部への放熱にお
いて一層の効果が得られる。
態3を示す半導体装置の断面図である。図において、1
2は金属層2が形成されている部分の半導体パッケージ
1の所定位置に形成された複数の貫通孔に熱伝導の良い
樹脂を充填して形成されたサーマルビアである。なお、
その他の構成は実施の形態1と同様であるので説明を省
略する。半導体素子4の隅部あるいは中央部に形成され
た放熱用の電極5aあるいは5bから熱伝導ワイヤ11
を介して金属層2に伝達された熱は、サーマルビア12
を介して半導体装置の外部に効率よく放熱される。本実
施の形態によれば、熱伝導ワイヤ11から金属層2に伝
達された熱は、熱伝導の良い樹脂が充填されたサーマル
ビア12を介して半導体装置の外部に一層効率良く放熱
される。
の半導体パッケージの底面にダイボンド樹脂により固着
された半導体素子が高速動作することにより生じた熱
は、半導体素子に形成された放熱用の電極から、材質が
熱の良導体であると共に太線の熱伝導ワイヤを介して、
熱の良導体を用いて半導体パッケージの底面に形成され
た金属層に伝達され、効率良く半導体装置の外部に放熱
される。また、半導体素子の発熱量の多い中央部に形成
された放熱用の電極に熱伝導ワイヤ1を接続したので、
半導体素子で生じた熱を効率良く外部へ放熱することが
できる。さらに、半導体パッケージの底面にサーマルビ
アを形成することにより、半導体素子からの発熱を一層
効率良く半導体装置の外部に放熱できるため、長寿命で
あると共に電気的性能および信頼性の高い半導体装置を
提供することができる。
示す断面図である。
示す平面図である。
示す平面図である。
示す断面図である。
る。
脂、4 半導体素子、5 半導体素子電極、5a、5b
放熱用の電極、6 半導体パッケージ電極、7 金属
細線、8 接着剤、9 蓋、10 外部端子、11 熱
伝導ワイヤ、12 サーマルビア。
Claims (6)
- 【請求項1】 底面が放熱面である中空の半導体パッケ
ージの底面に形成された金属層、 上記金属層にダイボンドされると共に、放熱用の電極を
有する半導体素子、 上記半導体素子の放熱用の電極と上記金属層を繋ぐ金属
線を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 金属層は、熱の良導体を用いて形成され
ていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項3】 金属線は、熱伝導の良い材質であると共
に、50μm以上の径を有することを特徴とする請求項
1または請求項2記載の半導体装置。 - 【請求項4】 半導体素子の放熱用の電極は、半導体素
子の隅部に形成され、少なくともいずれか一箇所が金属
線を介して金属層に接続されていることを特徴とする請
求項1〜3のいずれか一項記載の半導体装置。 - 【請求項5】 半導体素子の放熱用の電極は、半導体素
子の中央部に形成されていることを特徴とする請求項1
〜3のいずれか一項記載の半導体装置。 - 【請求項6】 金属層が形成されている部分の半導体パ
ッケージには、熱伝導の良い部材が充填された複数の貫
通孔が形成されていることを特徴とする請求項1〜5の
いずれか一項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24582196A JP3502511B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24582196A JP3502511B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1092984A JPH1092984A (ja) | 1998-04-10 |
JP3502511B2 true JP3502511B2 (ja) | 2004-03-02 |
Family
ID=17139361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24582196A Expired - Fee Related JP3502511B2 (ja) | 1996-09-18 | 1996-09-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3502511B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5057693B2 (ja) * | 2006-04-25 | 2012-10-24 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装用の温度補償水晶発振器 |
JP5072436B2 (ja) * | 2007-05-22 | 2012-11-14 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装用の水晶発振器 |
-
1996
- 1996-09-18 JP JP24582196A patent/JP3502511B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1092984A (ja) | 1998-04-10 |
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