JP3500582B2 - 光周波数基準光源発生装置 - Google Patents
光周波数基準光源発生装置Info
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Description
ser Diode)の光周波数基準光源発生装置に関する。 【0002】近年,光通信が広く普及されるようにな
り,利用される周波数帯域も高くなり,その帯域の中で
周波数多重により多くの信号を伝送することが望まれて
いる。光通信には,光ファイバの伝送特性の関係で1.
5μm帯の半導体レーザ光が広く用いられているが,周
波数領域で光を多重化したり(光FDM),ヘテロダイ
ン検波を行う場合に受信側で感度良く信号光を検波する
には,信号光の周波数が安定していて,且つその周波数
の値が明確にされている必要性が高まってきた。 【0003】すなわち,半導体レーザの発振周波数は駆
動電流及び温度に非常に敏感であり,これらを精密に制
御する必要があるが,レーザの経年変化により周波数が
変動する可能性があり,周波数の維持,管理のために光
周波数の基準が必要になっている。 【0004】 【従来の技術】図4は従来例の説明図である。図4の
A.は従来例の構成図,B.はRb原子の吸収特性であ
り,この従来例ではRb原子の吸収線を周波数安定化に
利用することを原理としている。 【0005】図4のA.において,50は1.56μm
(1560nm)の波長の光を発生する半導体レーザ
(LD),51は第2次高調波発生素子(SHGで表
示:Second Harmonic Generator),52はRb(ルビジ
ュウム)原子の吸収特性により0.78μmの波長の信
号を吸収するRbセル,53は光電変換回路(PDで表
示:Photo Diode),54は同期検波を行うロックインア
ンプ,55は周波数F1(例えば,1KHz)を発生す
る発振源,56はロックインアンプ54の出力に対応し
たPI(比例動作及び積分動作)制御を行ってLDの駆
動電流を制御する制御回路,57はLD50の駆動電流
を発生するLDドライバである。 【0006】従来の構成では,光ファイバの損失特性の
領域の関係で1.56μmの波長領域で発振するLD5
0が使用される。LD50は制御回路56の出力及び周
波数f1が駆動電流に重畳されて発振する。LD50の
出力光は通信に利用されると共にSHG51に入力さ
れ,第2次高調波の波長0.78μmの光が発生してR
bセル52に入力する。 【0007】Rbセル52はB.に示すように0.78
μmの波長の光を吸収する特性を備え,入力する光の中
でRb原子の吸収線の波長(周波数)と一致する成分を
吸収する。吸収線の周波数と一致しない周波数成分は光
電変換回路53において電気信号に変換され,ロックイ
ンアンプ54に供給される。なお,この電気信号には変
調周波数f1の成分も含まれている。 【0008】ロックインアンプ54では,発振源55か
ら発生する周波数f1を用いて光電変換回路53の出力
信号について同期検波が行われる。同期検波出力はRb
原子の吸収線の波長に対してSHG51から出力される
波長がずれている場合にある値をもつ。ロックインアン
プ54の出力を受け取ると制御回路56は対応した制御
出力を発生してLDドライバ57を駆動する。この制御
回路56は,光源の周波数が吸収線の周波数に一致する
と制御出力が0になるよう動作する。 【0009】これにより,LD50から発生する光周波
数の第2次高調波の周波数がRbセルの吸収線の周波数
と一致するように制御され,LD50から発生する波長
を一定(1.56μm)に保つことができる。 【0010】 【発明が解決しようとする課題】上記した従来例の構成
では,SHG51から発生する第2次高調波の強度が現
状では極めて弱いため,検出感度があまり高くなく,安
定度が良くないという問題がある。また,安定化された
LD50の出射光には変調成分(発振源の周波数f1)
が加えられたものとなり,更にRbの吸収線に対する周
波数の1/2の周波数へのロック(固定)することだけ
が可能で,周波数を安定に可変制御することができな
い。すなわち,1.56μmの波長帯域の範囲で周波数
を変化させて周波数多重等を行いたい場合の周波数安定
可変光源とすることができない。 【0011】本発明は安定度が良く無変調の半導体レー
ザの周波数基準光源を得ることを目的とする。 【0012】 【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理構成
図である。図1において,1は1.56μm帯の光を発
生する半導体レーザ(LD),2は第2次高調波発生手
段(SHG),3はRb吸収線の波長(0.78μm)
の周波数にロックした光信号を発生する0.78μm周
波数発生手段,4は合波手段,5は光検出手段(P
D),6は乗算手段,7はマイクロ周波の安定周波数f
0を発生するローカル信号発生手段,8は位相比較手
段,9は制御部である。 【0013】本発明は1.56μm光の第2次高調波と
安定化された0.78μm光の光ヘテロダインビート信
号を検出し,このビート信号周波数が安定化された周波
数のローカル信号と一致するよう半導体レーザをフィー
ドバック制御するものである。 【0014】 【作用】半導体レーザ1から発生する光信号は一部基準
信号として出力され,他の一部はSHG2において第2
次高調波の周波数に変換されて合波手段4に入力する。
0.78μm周波数発生手段3はRb吸収線の周波数
(0.78μm)にロックされた光信号を発生し,合波
手段4においてSHG2の出力と合波され,2つの信号
のビート成分を含む光信号は光検出手段5において電気
信号に変換される。検出出力は乗算手段6において,ロ
ーカル信号発生手段7から発生するマイクロ波の固定周
波数と乗算される。この乗算手段6の出力は位相比較手
段8に供給され,ここで2つの信号成分の位相差が検出
され制御部9に出力される。制御部9は位相差の大きさ
に対応し,この差が0となるように半導体レーザの駆動
を制御する信号を発生する。 【0015】このフィードバック制御により光検出手段
5から発生するビート信号周波数がローカル信号発生手
段7から発生する安定した周波数に一致するよう制御さ
れ,半導体レーザ1から1.56μmに安定化された基
準光が発生し,ローカル信号発生手段7の周波数を変化
することにより基準光の周波数をLD駆動が可能な1.
56μmの帯域内で変化させることができる。 【0016】 【実施例】図2は実施例1の構成図である。図2の構成
の,10〜20は上記図1の1,2,4〜6,8,9の
各部に対応する部品を含み,21〜29は上記図1の
0.78μm周波数発生手段3に対応し,30〜37は
上記図1のローカル信号発生手段7に対応する。 【0017】図2において,10は半導体レーザ(L
D)ドライバ,11は半導体レーザ(LD),12は基
準光を一部出力する分波器,13は第2次高調波発生器
(SHG),14は合波器,15は広帯域光検出器(広
帯域PD),16は分周回路,17は乗算器,18は位
相比較器,19は低域フィルタ,20は低域フィルタ1
9の出力を受けて比例動作及び積分動作によりLDドラ
イバ10を制御する信号を発生する制御回路(PIで表
示)である。 【0018】21は0.78μmの光信号を発生する半
導体レーザ(0.78μmLD),22は前記LD21
を駆動するLDドライバ,23はローカル信号発生のた
めにLD21の出力を分波する分波器,24は分波器,
25はRbセル,26は光検出器(PD),27は位相
検波器,28は周波数f1を発生する周波数発生器,2
9は位相検波器27の出力を受けて上記制御回路20と
同様の機能によりLDドライバ22の駆動信号を発生す
る制御回路(PIで表示)である。 【0019】30はRbセルを内蔵するマイクロ波空洞
共振器,31は光検出器(PD),32は位相検波器,
33は周波数f2の周波数発生器,34は上記制御回路
29と同様の機能を備える制御回路(PIで表示),3
5はマイクロ波基準周波数を発生する電圧制御クリスタ
ルオシレータ(VCXO),36は6.8GHzのマイ
クロ波を発生する周波数シンセサイザ,37は周波数シ
ンセサイザである。 【0020】図2の実施例1の動作を説明すると,最初
に21〜29の各回路により0.78μmの安定周波数
を発生する構成を説明する。0.78μmLD21から
発生した波長0.78μmの光は分波器24から分波さ
れRbセル25に入力する。Rbセル25は周波数発生
器28からの周波数f1の信号をRbセル25の外部に
設けられた磁場コイル(図示せず)で受けとって駆動さ
れ,その吸収特性が周波数f1により変動している。入
力光に対し変動した特性により吸収作用が行われ,その
出力光は光検出器26が電気信号に変換されて位相検波
器27へ入力する。 【0021】位相検波器27は周波数発生器28からの
周波数f1を用いて周波数f1により変化を受けている
光検出器26の信号を同期検波する。この結果,0.7
8μmのRb吸収線の周波数からの誤差に対応した出力
が制御回路29に供給され,制御回路29はこれに応じ
てLDドライバ22の駆動電流を制御する。従って,
0.78μmLD21からは安定な0.78μmの波長
の光信号が発生して分波器24を介して合波器14に供
給される。 【0022】次に,30〜37の各回路により,マイク
ロ波基準周波数の安定化を行う構成を説明する。Rb原
子は,上記0.78μmの帯域内で微細構造のエネルギ
ーレベルとして2つのレベルがある。このエネルギー差
に対応する吸収線の周波数差はマイクロ波の周波数であ
る6.83GHz(ギガヘルツ)に相当する。 【0023】この構成では,分波器23から取り出した
0.78μmの光がマイクロ波空洞共振器30へ入力す
る。この場合,周波数シンセサイザ36から周波数f2
により変調された6.83GHzのマイクロ波が供給さ
れる。この時Rb原子の光・マイクロ波二重共鳴が生
じ,マイクロ波空洞共振器30からの透過光信号は光検
出器31で電気信号に変換され,位相検波器32におい
て周波数f2で同期検波されて,制御回路34に供給さ
れる。 【0024】制御回路34は入力された誤差信号に対応
する電圧を制御信号として発生しVCXO35の発振周
波数を制御する。VCXO35の発振周波数は一方で周
波数シンセサイザ36に供給される。周波数シンセサイ
ザ36は入力する周波数信号を逓倍または逓降して6.
8GHzを発生し,その出力は周波数f2により変調さ
れ,マイクロ波空洞共振器30に供給される。 【0025】VCXO35の他方の出力は,周波数シン
セサイザ37へ供給され,安定な光・マイクロ波共鳴周
波数を基準とした適当な周波数に変換され,その周波数
信号はローカル信号として乗算器17へ入力する。この
構成により,ローカル信号として安定したマイクロ波周
波数信号が発生する。 【0026】なお,周波数シンセサイザ37の発生周波
数(ローカル信号周波数)を変更することにより,上記
1.56μmLD11が安定にロックされる周波数を変
えることができる。 【0027】次に1.56μmLD11から安定した基
準光を発生するための全体の動作を説明する。1.56
μmLD11から発生した光がSHG13に入力する
と,その第2次高調波光が発生され,その第2次高調波
光と0.78μmLD21から出力される光信号が合波
器14で合波されて,2つの光信号のビート信号が広帯
域PD15に入力する。広帯域PD15でビート信号光
を電気信号に変換し,分周器16で分周されるか,また
は分周回路16を介さず乗算器17へ直接供給される。
乗算器17は,周波数シンセサイザ37から出力される
マイクロ波のローカル信号と広帯域PD15から供給さ
れるビート信号の乗算を行って,位相比較器18に入力
する。この位相比較器18は,ビート信号とローカル信
号の位相差に対応する出力(レベル信号)を発生する。
出力信号は低域フィルタ19を通過して誤差信号として
制御回路20に供給される。制御回路20はこの位相比
較器18からの位相差に対応する信号に基づいてLDド
ライバ10の駆動電流を制御する。 【0028】このようにして,1.56μm光の第2次
高調波と安定化した0.78μm光の光ヘテロダインビ
ート信号を検出し高感度化して,この信号周波数がマイ
クロ波基準で較正されたシンセサイザから出力したロー
カル信号のマイクロ波周波数と一致するよう1.56μ
mLD11を制御することにより安定度がよく無変調の
1.56μm基準光が得られる。 【0029】図3は実施例2の構成図である。この実施
例2の構成において,10〜20の構成は上記図2の実
施例1と同様の構成及び動作を行うが,0.78μmL
Dを安定化する構成と,マイクロ波周波数基準の安定化
する構成はその一部の回路を共用して使用する素子を少
なくした点で異なる。 【0030】すなわち,マイクロ波空洞共振器40及び
光検出器41を0.78μmLDの安定化とマイクロ波
周波数基準の安定化のために共用する。そのため,周波
数f1の周波数発生器42はLDドライバ22へ変調信
号として供給されると共に,光検出器41の出力を同期
検波する位相検波器27に供給される。位相検波器27
で検出された誤差信号は制御回路29に供給されLDド
ライバ22を駆動制御する。 【0031】また,周波数f2はマイクロ波空洞共振器
40を駆動する周波数シンセサイザ36から発生するマ
イクロ波の変調信号として入力され,マイクロ波空洞共
振器40から出力する光信号の検出出力を同期検波する
位相検波器32へ周波数f2が供給される。位相検波器
32から発生する出力は,上記図1の場合と同様に制御
回路34に供給され,制御回路34からの制御電圧によ
りVCXO35から発生するマイクロ波周波数基準を制
御する。周波数シンセサイザ36及び37は何れもVC
XO35から出力するマイクロ周波数基準を受け取っ
て,周波数シンセサイザ36は6.83GHzの周波数
のマイクロ波を発生し,周波数シンセサイザ37の出力
信号は周波数f1により変調され,1.56μmLDの
安定化のためのローカル信号として用いられる。 【0032】実施例2の構成では,実施例1の構成に比
べて回路規模を縮小しコストを低減することができる。 【0033】 【発明の効果】本発明によれば安定で無変調の1.56
μm基準光源を得ることができる。また,マイクロ波周
波数基準に基づいた安定なローカル光を変化させること
により安定な周波数可変光源を実現することができる。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 光通信用の光周波数基準光源発生装置に
おいて, 0.78μmを発生する第1の半導体レーザと,参照信
号を発生する第1の周波数(f1)発生器と,前記第1の周
波数発生器の参照信号出力により前記第1の半導体レー
ザの動作電流を制御する第1の半導体レーザ駆動手段
と,前記第1の半導体レーザの出力光を入力するルビジ
ウム(Rb)セルと,前記ルビジウムセルからの出力光
を電気信号に変換する第1の光検出手段と,前記第1の
光検出手段の出力と前記第1の周波数発生器の参照信号
との位相比較を行い前記第1の半導体レーザ駆動手段を
制御する第1の位相検波器とからなる0.78μm光発
生手段と, マイクロ波を発生する電圧制御発振回路と,参照信号を
発生する第2の周波数(f2)発生器と,前記電圧制御発振
回路の出力を前記第2の周波数発生器の参照信号により
変調した信号により前記ルビジウムセルの空洞共振器に
供給する第1の周波数シンセサイザと,前記0.78μ
m光発生手段内の前記第1の光検出手段の出力と前記第
2の周波数発生器の参照信号と位相比較を行い前記電圧
制御発振回路のマイクロ波出力を制御する第2の位相検
波器とからなり,基準マイクロ波を発生させるマイクロ
波周波数基準発生手段と, 1.5μm帯の第2の半導体レーザと,前記第2の半導
体レーザの出力光を入力して第2次高調波光を発生させ
る第2次高調波発生手段と,前記0.78μm光発生手
段の出力と前記第2次高調波発生手段の光出力を合波し
てそのビート信号を電気信号に変換する第2の光検出手
段と,前記電圧制御発振回路のマイクロ波出力を前記
0.78μm光発生手段の前記第1の周波数発生器の参
照信号で変調する第2の周波数シンセサイザと,前記第
2の周波数シンセサイザの出力と前記第2の光検出手段
の出力を位相比較して前記第2の半導体レーザへの駆動
電流を制御する第2の半導体レーザ駆動手段とからなる
1.56μm基準光発生手段とを備えたことを特徴とす
る光周波数基準光源発生装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP29554492A Expired - Fee Related JP3500582B2 (ja) | 1992-11-05 | 1992-11-05 | 光周波数基準光源発生装置 |
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- 1992-11-05 JP JP29554492A patent/JP3500582B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011016 |
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