JP3493880B2 - 輻射加熱装置および加熱方法 - Google Patents
輻射加熱装置および加熱方法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
- C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、輻射加熱装置で被
処理体を加熱処理する場合において、特には半導体、石
英ガラス等の大直径あるいは大型の基板に種々の熱処
理、ＣＶＤ膜成長、エピタキシャル成長等を行う場合に
おいて、被処理体、特には基板状の被処理体を均一に加
熱することができる輻射加熱装置および加熱方法に関す
る。
処理体を加熱処理する場合において、特には半導体、石
英ガラス等の大直径あるいは大型の基板に種々の熱処
理、ＣＶＤ膜成長、エピタキシャル成長等を行う場合に
おいて、被処理体、特には基板状の被処理体を均一に加
熱することができる輻射加熱装置および加熱方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体回路はますます高集積化し
ており、これに伴い１デバイスチップの面積が大きくな
ることに起因して、素材となる半導体基板もますます大
直径化している。そして、これら半導体基板にデバイス
を作製する場合に、フォトマスクとして用いられる石英
基板、あるいは半導体基板に種々の熱処理を加える加熱
装置等も、これらに伴い必然的に大型化している。
ており、これに伴い１デバイスチップの面積が大きくな
ることに起因して、素材となる半導体基板もますます大
直径化している。そして、これら半導体基板にデバイス
を作製する場合に、フォトマスクとして用いられる石英
基板、あるいは半導体基板に種々の熱処理を加える加熱
装置等も、これらに伴い必然的に大型化している。
【０００３】これら、半導体基板、石英基板、あるいは
加熱装置等の周辺部材の大型化は、被処理体に種々の熱
処理を加える場合に必然的に温度分布を生じさせ易くな
っており、被処理体を均一に加熱処理することを困難に
ならしめている。この場合、被処理体が不均一に加熱さ
れると、例えば半導体基板であれば、スリップが発生し
たり、成長させる膜厚が不均一になったり、あるいは種
々の電気特性の悪化を引き起こしたりして、１枚の半導
体基板から取れるデバイスチップ歩留を著しく悪化させ
てしまう。
加熱装置等の周辺部材の大型化は、被処理体に種々の熱
処理を加える場合に必然的に温度分布を生じさせ易くな
っており、被処理体を均一に加熱処理することを困難に
ならしめている。この場合、被処理体が不均一に加熱さ
れると、例えば半導体基板であれば、スリップが発生し
たり、成長させる膜厚が不均一になったり、あるいは種
々の電気特性の悪化を引き起こしたりして、１枚の半導
体基板から取れるデバイスチップ歩留を著しく悪化させ
てしまう。
【０００４】現在、例えば半導体シリコン基板において
は、その主流は直径１５０ｍｍから２００ｍｍへと移り
つつあるが、今後さらに直径３００ｍｍ、あるいはそれ
以上へと進行することが確実視されており、このような
大直径の基板の熱処理においては、基板面内の温度分布
がさらに悪化することが予想され、被処理体たる半導体
基板を均一に加熱することができる加熱装置、加熱方法
が望まれている。
は、その主流は直径１５０ｍｍから２００ｍｍへと移り
つつあるが、今後さらに直径３００ｍｍ、あるいはそれ
以上へと進行することが確実視されており、このような
大直径の基板の熱処理においては、基板面内の温度分布
がさらに悪化することが予想され、被処理体たる半導体
基板を均一に加熱することができる加熱装置、加熱方法
が望まれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題点に鑑みなされたもので、より大きな被処理体、特
には半導体、石英ガラス等の大直径あるいは大型基板に
加熱装置で加熱処理を加える場合において、被処理体、
特には基板状の被処理体を均一に加熱することができる
輻射加熱装置、および加熱方法を提供することを目的と
する。
問題点に鑑みなされたもので、より大きな被処理体、特
には半導体、石英ガラス等の大直径あるいは大型基板に
加熱装置で加熱処理を加える場合において、被処理体、
特には基板状の被処理体を均一に加熱することができる
輻射加熱装置、および加熱方法を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に記載した発明は、複数の輻射加熱ユニット
により被処理体を加熱処理する輻射加熱装置において、
輻射光を分離して被処理体が加熱される領域を限定する
隔壁を有することを特徴とする。
め、本発明に記載した発明は、複数の輻射加熱ユニット
により被処理体を加熱処理する輻射加熱装置において、
輻射光を分離して被処理体が加熱される領域を限定する
隔壁を有することを特徴とする。
【０００７】また、本発明に記載した発明は、前記の輻
射加熱装置であって、前記隔壁は輻射加熱ユニット間に
配設され、被処理体方向に延在し、該被処理体への輻射
光を分離することを特徴とする。
射加熱装置であって、前記隔壁は輻射加熱ユニット間に
配設され、被処理体方向に延在し、該被処理体への輻射
光を分離することを特徴とする。
【０００８】さらに、本発明に記載した発明は、前記の
輻射加熱装置であって、前記隔壁は被処理体との間に所
定の間隔を有し、該被処理体に均一な温度分布が形成さ
れることを特徴とする。そして、本発明の隔壁の表面は
鏡面加工することが好ましく、さらにその表面を金で被
覆してもよい。また、本発明に記載した発明は、前記の
輻射加熱装置であって、前記隔壁は、被処理体の主面側
および／または背面側に配置されることを特徴とする。
輻射加熱装置であって、前記隔壁は被処理体との間に所
定の間隔を有し、該被処理体に均一な温度分布が形成さ
れることを特徴とする。そして、本発明の隔壁の表面は
鏡面加工することが好ましく、さらにその表面を金で被
覆してもよい。また、本発明に記載した発明は、前記の
輻射加熱装置であって、前記隔壁は、被処理体の主面側
および／または背面側に配置されることを特徴とする。
【０００９】本発明に記載した発明は、複数の輻射加熱
ユニットによる加熱方法において、外側輻射加熱ユニッ
トにより被処理体周辺部を主に輻射加熱し、内側輻射加
熱ユニットにより被処理体中心部を主に輻射加熱し、隔
壁により各輻射加熱ユニットからの輻射光を分離反射し
て被処理体が加熱される領域を限定することを特徴とす
る。前記複数の輻射加熱ユニットは、相互に独立して輻
射強度を制御することが好ましい。
ユニットによる加熱方法において、外側輻射加熱ユニッ
トにより被処理体周辺部を主に輻射加熱し、内側輻射加
熱ユニットにより被処理体中心部を主に輻射加熱し、隔
壁により各輻射加熱ユニットからの輻射光を分離反射し
て被処理体が加熱される領域を限定することを特徴とす
る。前記複数の輻射加熱ユニットは、相互に独立して輻
射強度を制御することが好ましい。
【００１０】本発明に記載した発明は、前記した加熱方
法であって、被処理体の主面側に配置された内側輻射加
熱ユニットと外側輻射加熱ユニットにより被処理体を主
面側から加熱し、被処理体の背面側に配置された下側輻
射加熱ユニットにより被処理体を背面側から加熱するこ
とを特徴とする。
法であって、被処理体の主面側に配置された内側輻射加
熱ユニットと外側輻射加熱ユニットにより被処理体を主
面側から加熱し、被処理体の背面側に配置された下側輻
射加熱ユニットにより被処理体を背面側から加熱するこ
とを特徴とする。
【００１１】本発明に記載した発明は、前記の加熱方法
であって、被処理体の主面側に配置された外側輻射加熱
ユニットにより被処理体を主面側から加熱し、被処理体
の背面側に配置された下側輻射加熱ユニットにより被処
理体を背面側から加熱することを特徴とする。また、本
発明に記載した発明は、前記の加熱方法であって、前記
被処理体はシリコン単結晶基板であり、該基板の裏面の
一部および／または側面部を保持することにより輻射装
置内に載置されることを特徴とする。
であって、被処理体の主面側に配置された外側輻射加熱
ユニットにより被処理体を主面側から加熱し、被処理体
の背面側に配置された下側輻射加熱ユニットにより被処
理体を背面側から加熱することを特徴とする。また、本
発明に記載した発明は、前記の加熱方法であって、前記
被処理体はシリコン単結晶基板であり、該基板の裏面の
一部および／または側面部を保持することにより輻射装
置内に載置されることを特徴とする。
【００１２】以下、本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。従来、被処理
体に種々の熱処理、ＣＶＤ膜成長、エピタキシャル成長
等を行う輻射加熱装置としては、例えば特公平７−９９
７３７号に記載されたような装置が知られている。この
装置はドーム型の反応容器内に被処理体たる半導体基板
を保持し、ガスを導入しながら、反応容器外に設置され
た複数の輻射加熱ユニットで被処理体を加熱することに
よって、被処理体に所望の処理を施すことができるよう
になっている。
発明はこれらに限定されるものではない。従来、被処理
体に種々の熱処理、ＣＶＤ膜成長、エピタキシャル成長
等を行う輻射加熱装置としては、例えば特公平７−９９
７３７号に記載されたような装置が知られている。この
装置はドーム型の反応容器内に被処理体たる半導体基板
を保持し、ガスを導入しながら、反応容器外に設置され
た複数の輻射加熱ユニットで被処理体を加熱することに
よって、被処理体に所望の処理を施すことができるよう
になっている。
【００１３】この場合、熱源たる輻射加熱ユニットは、
被処理体の上部と下部に設けられると共に、それぞれ二
重あるいはそれ以上に円形配列され、外部配列と内部配
列の放射強度を独立して調整、制御することによって、
被処理体の半径方向の温度の均一化を図ることができる
とするものである。
被処理体の上部と下部に設けられると共に、それぞれ二
重あるいはそれ以上に円形配列され、外部配列と内部配
列の放射強度を独立して調整、制御することによって、
被処理体の半径方向の温度の均一化を図ることができる
とするものである。
【００１４】ところが、本発明者らの種々の実験的研究
の結果、このような装置では被処理体の面内温度分布を
均一化することは困難で、特に３００ｍｍ以上といった
大型基板を被処理体として熱処理する場合、被処理体の
中心部の温度が高くなり、周辺部は低くなるという温度
分布となる傾向があることがわかった。
の結果、このような装置では被処理体の面内温度分布を
均一化することは困難で、特に３００ｍｍ以上といった
大型基板を被処理体として熱処理する場合、被処理体の
中心部の温度が高くなり、周辺部は低くなるという温度
分布となる傾向があることがわかった。
【００１５】この現象の詳細は必ずしも明らかでない
が、輻射加熱の場合熱源は輻射光の放射によるものであ
り、被処理体は反応容器という囲まれた雰囲気中に配置
されているもの故、輻射光は反射等により散乱し、反応
容器の中心部に集まりやすい。その上、輻射ランプを円
形配列とすると、ますますその中心部に輻射光は集中す
ることとなり、例え輻射加熱ユニットを、外部配列と内
部配列に分けたとしても、各輻射加熱ユニット単独によ
る温度分布はみな被処理体の中心部を高温化するもの
で、したがってこれらの各輻射加熱ユニットを独立に放
射強度を調整制御したとしても、被処理体の面内温度分
布を均一化させることはできない。すなわち、より具体
的に言えば、被処理体の周辺部に輻射光が余り当たらな
いため、周辺部が低温化し、中心部が高温化してしまう
のである。
が、輻射加熱の場合熱源は輻射光の放射によるものであ
り、被処理体は反応容器という囲まれた雰囲気中に配置
されているもの故、輻射光は反射等により散乱し、反応
容器の中心部に集まりやすい。その上、輻射ランプを円
形配列とすると、ますますその中心部に輻射光は集中す
ることとなり、例え輻射加熱ユニットを、外部配列と内
部配列に分けたとしても、各輻射加熱ユニット単独によ
る温度分布はみな被処理体の中心部を高温化するもの
で、したがってこれらの各輻射加熱ユニットを独立に放
射強度を調整制御したとしても、被処理体の面内温度分
布を均一化させることはできない。すなわち、より具体
的に言えば、被処理体の周辺部に輻射光が余り当たらな
いため、周辺部が低温化し、中心部が高温化してしまう
のである。
【００１６】したがって、従来の装置は輻射加熱ユニッ
トの位置を変えたり、その数をいたずらに増やし、装置
を複雑化あるいは大型化させていたが、実際には被処理
体の周辺部を十分高温とし、温度の均一化を図ることが
でき難いものであった。そこで、本発明者らは、簡単か
つ装置を大型化させることなく、実際に被処理体の周辺
部を高温とすることができる輻射加熱装置の開発に着手
し、これを完成させたものである。
トの位置を変えたり、その数をいたずらに増やし、装置
を複雑化あるいは大型化させていたが、実際には被処理
体の周辺部を十分高温とし、温度の均一化を図ることが
でき難いものであった。そこで、本発明者らは、簡単か
つ装置を大型化させることなく、実際に被処理体の周辺
部を高温とすることができる輻射加熱装置の開発に着手
し、これを完成させたものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。ここで、図１
は、本発明にかかる輻射加熱装置の１実施形態を示した
概略断面図である。
て、図面を参照しながら詳細に説明する。ここで、図１
は、本発明にかかる輻射加熱装置の１実施形態を示した
概略断面図である。
【００１８】この輻射加熱装置１は、例えば透明石英で
できた反応容器２のほぼ中央部に半導体基板等の被処理
体３を配置し、該反応容器外に配置された輻射加熱ユニ
ット４，５，６から被処理体に輻射光によるエネルギー
を照射することによって熱処理ができるようになってい
る。
できた反応容器２のほぼ中央部に半導体基板等の被処理
体３を配置し、該反応容器外に配置された輻射加熱ユニ
ット４，５，６から被処理体に輻射光によるエネルギー
を照射することによって熱処理ができるようになってい
る。
【００１９】反応容器２は、ハウジング８中に収納され
ており、その形状は目的に応じ円筒状、チューブ状等種
々の形状のものとすることができるが、本実施形態では
中空の円盤形状としている。そして、この反応容器２
は、図示しないフランジ部で鉛直方向に、図示しない駆
動部によって分割できるようになっており、被処理体３
を出し入れできるようになっている。
ており、その形状は目的に応じ円筒状、チューブ状等種
々の形状のものとすることができるが、本実施形態では
中空の円盤形状としている。そして、この反応容器２
は、図示しないフランジ部で鉛直方向に、図示しない駆
動部によって分割できるようになっており、被処理体３
を出し入れできるようになっている。
【００２０】被処理体３は、その熱処理の目的に応じ種
々のものが用いられるが、例えば半導体シリコン基板，
ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＩｎＰ等の化合物半導体基板，ある
いは合成石英基板等が挙げられる。これらは一般に薄板
形状をしており、反応容器２のほぼ中央部に例えば石英
製ピン７で保持されている。被処理体３の保持方法は、
前記石英製ピンによるものには限られず、いわゆる石英
製サセプター、炭化珪素製サセプター、さらには当該被
処理体と同質のサセプターあるいは熱処理で不純物とな
らないセラミックス等のサセプターを用いて保持しても
よい。そして、背面からの加熱効率を上げるため、前記
被処理体たる基板の裏面の一部および／または側面部を
保持することにより輻射装置内に載置されるのが好まし
い。
々のものが用いられるが、例えば半導体シリコン基板，
ＧａＡｓ，ＧａＰ，ＩｎＰ等の化合物半導体基板，ある
いは合成石英基板等が挙げられる。これらは一般に薄板
形状をしており、反応容器２のほぼ中央部に例えば石英
製ピン７で保持されている。被処理体３の保持方法は、
前記石英製ピンによるものには限られず、いわゆる石英
製サセプター、炭化珪素製サセプター、さらには当該被
処理体と同質のサセプターあるいは熱処理で不純物とな
らないセラミックス等のサセプターを用いて保持しても
よい。そして、背面からの加熱効率を上げるため、前記
被処理体たる基板の裏面の一部および／または側面部を
保持することにより輻射装置内に載置されるのが好まし
い。
【００２１】また、本実施形態では被処理体３は、１枚
ずつ処理される、いわゆる枚葉式を採用しているが、一
度に複数枚を処理してもよい。この場合、本発明の特許
請求の範囲に言う「被処理体」とは、一度に処理される
被処理体の集合全体を指している。
ずつ処理される、いわゆる枚葉式を採用しているが、一
度に複数枚を処理してもよい。この場合、本発明の特許
請求の範囲に言う「被処理体」とは、一度に処理される
被処理体の集合全体を指している。
【００２２】輻射加熱ユニットは、被処理体３の上下に
配置され、それぞれ円形に個々の輻射ランプが配列され
ている。用いられる輻射ランプとしては、一般に赤外線
ランプ、ハロゲンランプ等が挙げられるが、本実施形態
では赤外線ランプを採用した。被処理体３の主面（上側
面）側は、内外二重円形配列されており、被処理体の中
心部を主に高温とするための内側輻射加熱ユニット４と
被処理体の周辺部を主に高温とするための外側輻射加熱
ユニット５が配置され、それぞれ独立して輻射強度を制
御可能に構成されている。そして、この内側輻射加熱ユ
ニット４と外側輻射加熱ユニット５との間には、これら
を分離遮蔽する円筒状の隔壁１０が設置されている。
配置され、それぞれ円形に個々の輻射ランプが配列され
ている。用いられる輻射ランプとしては、一般に赤外線
ランプ、ハロゲンランプ等が挙げられるが、本実施形態
では赤外線ランプを採用した。被処理体３の主面（上側
面）側は、内外二重円形配列されており、被処理体の中
心部を主に高温とするための内側輻射加熱ユニット４と
被処理体の周辺部を主に高温とするための外側輻射加熱
ユニット５が配置され、それぞれ独立して輻射強度を制
御可能に構成されている。そして、この内側輻射加熱ユ
ニット４と外側輻射加熱ユニット５との間には、これら
を分離遮蔽する円筒状の隔壁１０が設置されている。
【００２３】この隔壁１０の形状は、少なくとも被処理
体周辺部を主に高温とする外側輻射加熱ユニット５を他
の輻射加熱ユニットから分離遮蔽するものであればよ
く、輻射加熱ユニットの配置あるいは形状に応じて種々
の形状を採用することができる。また、隔壁１０の材質
としては、用いられる輻射ランプの光に対し不透明で、
高温による劣化等を起こさないものであれば特に限定さ
れないが、例えば銅、ニッケル、鉄等の金属を用いるこ
とができる。そして、この隔壁の表面は、例えば金メッ
キ等を施すことによって鏡面とするのが好ましい。熱源
が輻射加熱である以上、表面を鏡面とし、光を反射させ
ることによって、より輻射光の方向性を高め、所望の温
度分布を得るためである。なお、ハウジング８の輻射加
熱ユニット４，５，６近傍の内側面も、鏡面処理が施さ
れ、被処理体方向への光の方向性が強化されている。そ
して、各輻射ランプは強制空冷され、ハウジング８はラ
ンプ側表面を空冷すると共に、冷却水により水冷されて
いる。
体周辺部を主に高温とする外側輻射加熱ユニット５を他
の輻射加熱ユニットから分離遮蔽するものであればよ
く、輻射加熱ユニットの配置あるいは形状に応じて種々
の形状を採用することができる。また、隔壁１０の材質
としては、用いられる輻射ランプの光に対し不透明で、
高温による劣化等を起こさないものであれば特に限定さ
れないが、例えば銅、ニッケル、鉄等の金属を用いるこ
とができる。そして、この隔壁の表面は、例えば金メッ
キ等を施すことによって鏡面とするのが好ましい。熱源
が輻射加熱である以上、表面を鏡面とし、光を反射させ
ることによって、より輻射光の方向性を高め、所望の温
度分布を得るためである。なお、ハウジング８の輻射加
熱ユニット４，５，６近傍の内側面も、鏡面処理が施さ
れ、被処理体方向への光の方向性が強化されている。そ
して、各輻射ランプは強制空冷され、ハウジング８はラ
ンプ側表面を空冷すると共に、冷却水により水冷されて
いる。
【００２４】また、被処理体３の背面（下側面）側に
は、被処理体の全体を高温とするための下側輻射加熱ユ
ニット６が配置されており、内側輻射加熱ユニット４と
外側輻射加熱ユニット５とは、独立して輻射強度を制御
可能に構成されている。この場合、本実施形態では被処
理体の下側に配置された輻射加熱ユニットは、下側輻射
加熱ユニット６のみであり、従って、下側には必ずしも
隔壁を設ける必要はないが、被処理体の下側において
も、上側と同様に輻射加熱ユニットを二重円形配列と
し、隔壁を設けて外側輻射加熱ユニットを、被処理体３
の周辺部を高温とするものとしても良い。
は、被処理体の全体を高温とするための下側輻射加熱ユ
ニット６が配置されており、内側輻射加熱ユニット４と
外側輻射加熱ユニット５とは、独立して輻射強度を制御
可能に構成されている。この場合、本実施形態では被処
理体の下側に配置された輻射加熱ユニットは、下側輻射
加熱ユニット６のみであり、従って、下側には必ずしも
隔壁を設ける必要はないが、被処理体の下側において
も、上側と同様に輻射加熱ユニットを二重円形配列と
し、隔壁を設けて外側輻射加熱ユニットを、被処理体３
の周辺部を高温とするものとしても良い。
【００２５】輻射加熱ユニットの配列形状は、前記円形
配列に限られず、被処理体の形状、反応容器の形状に従
って、適当に選択すれば良い。例えば、全面に均等配列
としてもよいし、角型に配列してもよい。さらには、円
形配列とする場合でも、三重あるいはそれ以上に配列し
てもよい。
配列に限られず、被処理体の形状、反応容器の形状に従
って、適当に選択すれば良い。例えば、全面に均等配列
としてもよいし、角型に配列してもよい。さらには、円
形配列とする場合でも、三重あるいはそれ以上に配列し
てもよい。
【００２６】次に、図１に示した本発明の装置によっ
て、被処理体を均一加熱できる作用について、被処理体
３として直径３００ｍｍの半導体単結晶シリコンウエー
ハを用い、これにエピタキシャル層を成長させる場合を
例として説明する。
て、被処理体を均一加熱できる作用について、被処理体
３として直径３００ｍｍの半導体単結晶シリコンウエー
ハを用い、これにエピタキシャル層を成長させる場合を
例として説明する。
【００２７】透明石英製の反応容器２のほぼ中央に前記
直径３００ｍｍのシリコンウエーハを石英製ピン上に保
持し、これに反応ガスとして、クロロシランを水素をキ
ャリアガスとして導入しながら、輻射加熱ユニット４，
５，６でシリコンウエーハを約８００〜１２００℃に加
熱することによって、ウエーハ上に単結晶シリコンのエ
ピタキシャル層を成長せることができる。
直径３００ｍｍのシリコンウエーハを石英製ピン上に保
持し、これに反応ガスとして、クロロシランを水素をキ
ャリアガスとして導入しながら、輻射加熱ユニット４，
５，６でシリコンウエーハを約８００〜１２００℃に加
熱することによって、ウエーハ上に単結晶シリコンのエ
ピタキシャル層を成長せることができる。
【００２８】この場合、内側輻射加熱ユニット４と外側
輻射加熱ユニット５とは、銅に金メッキを施し、表面を
鏡面化させた円筒状の隔壁１０により、それぞれ分離遮
蔽されている。したがって、内側輻射加熱ユニット４か
ら放射された輻射光は、３００ｍｍシリコンウエーハの
中心部を直接加熱するか、金メッキされた隔壁１０の内
側面で反射して、そのほとんどがやはり３００ｍｍシリ
コンウエーハの中心部を照射して、これを加熱すること
になる。すなわち、内側輻射加熱ユニット４による加熱
は、被処理体たるウエーハの中心部の温度が高く、周辺
部の温度が低いという、被処理体中心部を主に高温とす
る温度勾配、温度分布を有するものとなる。
輻射加熱ユニット５とは、銅に金メッキを施し、表面を
鏡面化させた円筒状の隔壁１０により、それぞれ分離遮
蔽されている。したがって、内側輻射加熱ユニット４か
ら放射された輻射光は、３００ｍｍシリコンウエーハの
中心部を直接加熱するか、金メッキされた隔壁１０の内
側面で反射して、そのほとんどがやはり３００ｍｍシリ
コンウエーハの中心部を照射して、これを加熱すること
になる。すなわち、内側輻射加熱ユニット４による加熱
は、被処理体たるウエーハの中心部の温度が高く、周辺
部の温度が低いという、被処理体中心部を主に高温とす
る温度勾配、温度分布を有するものとなる。
【００２９】一方、外側輻射加熱ユニット５から放射さ
れた輻射光は、３００ｍｍシリコンウエーハの周辺部を
直接加熱するか、金メッキされた隔壁１０の外側面およ
びハウジング８の内壁で反射して、そのほとんどが３０
０ｍｍシリコンウエーハの周辺部を照射して、ウエーハ
中心部への輻射光の散乱が防止されることになる。すな
わち、外側輻射加熱ユニット５による加熱は、被処理体
たるウエーハの周辺部の温度が高く、中心部の温度が低
いという、被処理体周辺部を主に高温とする温度勾配、
温度分布を有するものとなる。
れた輻射光は、３００ｍｍシリコンウエーハの周辺部を
直接加熱するか、金メッキされた隔壁１０の外側面およ
びハウジング８の内壁で反射して、そのほとんどが３０
０ｍｍシリコンウエーハの周辺部を照射して、ウエーハ
中心部への輻射光の散乱が防止されることになる。すな
わち、外側輻射加熱ユニット５による加熱は、被処理体
たるウエーハの周辺部の温度が高く、中心部の温度が低
いという、被処理体周辺部を主に高温とする温度勾配、
温度分布を有するものとなる。
【００３０】そこで、相互に独立して輻射強度を制御可
能に構成された内側輻射加熱ユニット４と外側輻射加熱
ユニット５を組み合わせ、光の照射強度をウエーハ中心
部と周辺部とで調整制御することによって、直径３００
ｍｍ以上といった大直径シリコンウエーハの均一加熱が
可能となる。すなわち、単独の輻射加熱ユニットでは、
積極的に、かつ局部的に温度勾配をもつものとし、これ
らを組み合わせて、それぞれを独立してパワーを調整制
御することによって、被処理体を均一に加熱することを
可能とするものである。
能に構成された内側輻射加熱ユニット４と外側輻射加熱
ユニット５を組み合わせ、光の照射強度をウエーハ中心
部と周辺部とで調整制御することによって、直径３００
ｍｍ以上といった大直径シリコンウエーハの均一加熱が
可能となる。すなわち、単独の輻射加熱ユニットでは、
積極的に、かつ局部的に温度勾配をもつものとし、これ
らを組み合わせて、それぞれを独立してパワーを調整制
御することによって、被処理体を均一に加熱することを
可能とするものである。
【００３１】前記隔壁１０の目的は、輻射光を分離して
内側及び外側からの輻射光が加熱される領域を限定する
ことにある。しかし、例えば内側からの輻射光と外側か
らの輻射光を隔壁１０で完全に分離遮蔽してしまい、内
側からの輻射光が被処理体３の周辺部に全く照射されな
いようにすると同時に、外側からの輻射光が被処理体３
の中心部に全く照射されないようにすると、隔壁１０付
近で被処理体３上の温度分布が不均一になってしまう。
そこで、隔壁１０と被処理体３との間に所定の間隔を形
成して、内側からの輻射光が被処理体３の周辺部も少し
加熱でき、外側からの輻射光が被処理体３の中心部も少
し加熱できるようにすると、被処理体３上の温度分布が
均一になる。本実施形態の場合、隔壁１０の下端と３０
０ｍｍのシリコンウエーハ３との間隔が３０〜４０ｍｍ
の時に、シリコンウエーハ３上の温度分布が均一になる
ことが確認された。
内側及び外側からの輻射光が加熱される領域を限定する
ことにある。しかし、例えば内側からの輻射光と外側か
らの輻射光を隔壁１０で完全に分離遮蔽してしまい、内
側からの輻射光が被処理体３の周辺部に全く照射されな
いようにすると同時に、外側からの輻射光が被処理体３
の中心部に全く照射されないようにすると、隔壁１０付
近で被処理体３上の温度分布が不均一になってしまう。
そこで、隔壁１０と被処理体３との間に所定の間隔を形
成して、内側からの輻射光が被処理体３の周辺部も少し
加熱でき、外側からの輻射光が被処理体３の中心部も少
し加熱できるようにすると、被処理体３上の温度分布が
均一になる。本実施形態の場合、隔壁１０の下端と３０
０ｍｍのシリコンウエーハ３との間隔が３０〜４０ｍｍ
の時に、シリコンウエーハ３上の温度分布が均一になる
ことが確認された。
【００３２】尚、この場合、下側輻射加熱ユニット６に
は隔壁が設けられていないため、これによる加熱は、光
が反射散乱するものであるから、シリコンウエーハ全体
を加熱するものとなるが、前述のように光が被処理体中
心部に集まりやすいので、被処理体の中心部の温度が高
いものとなる。しかし、隔壁による光の照射範囲の限定
がなされていないので、その温度勾配は内側輻射加熱ユ
ニット４によるものよりゆるやかなものとなる。従っ
て、下側輻射加熱ユニット６による加熱は、被処理体た
るシリコンウエーハを均一に加熱するという意味では、
必ずしも必要ではないことになるが、被処理体を素早く
所望温度に昇温し、かつ安定した加熱処理とするのに寄
与する他、高温の熱処理をする場合に特に必要とされる
ものである。
は隔壁が設けられていないため、これによる加熱は、光
が反射散乱するものであるから、シリコンウエーハ全体
を加熱するものとなるが、前述のように光が被処理体中
心部に集まりやすいので、被処理体の中心部の温度が高
いものとなる。しかし、隔壁による光の照射範囲の限定
がなされていないので、その温度勾配は内側輻射加熱ユ
ニット４によるものよりゆるやかなものとなる。従っ
て、下側輻射加熱ユニット６による加熱は、被処理体た
るシリコンウエーハを均一に加熱するという意味では、
必ずしも必要ではないことになるが、被処理体を素早く
所望温度に昇温し、かつ安定した加熱処理とするのに寄
与する他、高温の熱処理をする場合に特に必要とされる
ものである。
【００３３】よって、本実施形態によって被処理体を均
一に加熱できる組み合わせは、内側輻射加熱ユニット４
と外側輻射加熱ユニット５による場合のみならず、外側
輻射加熱ユニット５と下側輻射加熱ユニット６、内側輻
射加熱ユニット４と外側輻射加熱ユニット５および下側
輻射加熱ユニット６、の組み合わせによっても均一加熱
を達成することができる。
一に加熱できる組み合わせは、内側輻射加熱ユニット４
と外側輻射加熱ユニット５による場合のみならず、外側
輻射加熱ユニット５と下側輻射加熱ユニット６、内側輻
射加熱ユニット４と外側輻射加熱ユニット５および下側
輻射加熱ユニット６、の組み合わせによっても均一加熱
を達成することができる。
【００３４】
【実施例】図１に示した本発明の装置で実際に直径３０
０ｍｍの半導体シリコン単結晶ウエーハを加熱し、その
温度分布を測定してみた。
０ｍｍの半導体シリコン単結晶ウエーハを加熱し、その
温度分布を測定してみた。
【００３５】本実施例では、シリコンウエーハの主面側
に配置された内側輻射加熱ユニット４と外側輻射加熱ユ
ニット５との間に、表面を鏡面加工し金で被覆した、直
径１９０ｍｍ，長さ１３５ｍｍの円筒状隔壁１０を配設
した。この時、隔壁１０の下端とシリコンウエーハとの
間隔は、３５ｍｍであった。
に配置された内側輻射加熱ユニット４と外側輻射加熱ユ
ニット５との間に、表面を鏡面加工し金で被覆した、直
径１９０ｍｍ，長さ１３５ｍｍの円筒状隔壁１０を配設
した。この時、隔壁１０の下端とシリコンウエーハとの
間隔は、３５ｍｍであった。
【００３６】（実施例１）まず、各輻射加熱ユニット単
独による加熱を行い、シリコンウエーハ上の温度分布を
測定してみた。その結果を図２に示した。図２（Ａ）は
内側輻射加熱ユニット４単独による温度分布であり、
（Ｂ）は外側輻射加熱ユニット５単独による温度分布で
あり、（Ｃ）は下側輻射加熱ユニット６単独による温度
分布を示している。
独による加熱を行い、シリコンウエーハ上の温度分布を
測定してみた。その結果を図２に示した。図２（Ａ）は
内側輻射加熱ユニット４単独による温度分布であり、
（Ｂ）は外側輻射加熱ユニット５単独による温度分布で
あり、（Ｃ）は下側輻射加熱ユニット６単独による温度
分布を示している。
【００３７】これらの結果から明らかなように、内側輻
射加熱ユニット４単独による加熱は、ウエーハ中心部を
主に高温とすることができるものであり、かつ中心部と
周辺部とで温度差が大きくなっており、ウエーハの中心
部を集中して加熱することができるものとなっている
（図２（Ａ））。一方、外側輻射加熱ユニット５単独に
よる加熱では、逆にウエーハ周辺部の方が高温となって
おり、隔壁によって輻射光が中心部に散乱するのを有効
に防止できていることがわかる（図２（Ｂ））。下側輻
射加熱ユニット６単独による加熱は、隔壁がないためウ
エーハ全体を加熱するものとなっており、温度分布は
（Ａ）に比しなだらかになっているが、ウエーハ中心部
を高温とするものとなっていることがわかる（図２
（Ｃ））。したがって、（Ｂ）と（Ａ）または（Ｃ）、
あるいはこれらすべてを組み合わせて加熱すれば、被処
理体を均一に加熱することができることがわかる。
射加熱ユニット４単独による加熱は、ウエーハ中心部を
主に高温とすることができるものであり、かつ中心部と
周辺部とで温度差が大きくなっており、ウエーハの中心
部を集中して加熱することができるものとなっている
（図２（Ａ））。一方、外側輻射加熱ユニット５単独に
よる加熱では、逆にウエーハ周辺部の方が高温となって
おり、隔壁によって輻射光が中心部に散乱するのを有効
に防止できていることがわかる（図２（Ｂ））。下側輻
射加熱ユニット６単独による加熱は、隔壁がないためウ
エーハ全体を加熱するものとなっており、温度分布は
（Ａ）に比しなだらかになっているが、ウエーハ中心部
を高温とするものとなっていることがわかる（図２
（Ｃ））。したがって、（Ｂ）と（Ａ）または（Ｃ）、
あるいはこれらすべてを組み合わせて加熱すれば、被処
理体を均一に加熱することができることがわかる。
【００３８】（実施例２）次に、外側輻射加熱ユニット
５と下側輻射加熱ユニット６を組み合わせた加熱を行っ
た。目標ウエーハ温度を５１０℃とし、外側輻射加熱ユ
ニット５と下側輻射加熱ユニット６への供給電力をそれ
ぞれ調整することで輻射強度を制御し、ウエーハ面内の
温度分布を均一化できるかを試みた。その結果を図３に
示した。図３から明らかなように、この装置を用いれ
ば、ウエーハ中心部と周辺部との温度差をなくし、均一
な面内温度分布で加熱することができることがわかる。
５と下側輻射加熱ユニット６を組み合わせた加熱を行っ
た。目標ウエーハ温度を５１０℃とし、外側輻射加熱ユ
ニット５と下側輻射加熱ユニット６への供給電力をそれ
ぞれ調整することで輻射強度を制御し、ウエーハ面内の
温度分布を均一化できるかを試みた。その結果を図３に
示した。図３から明らかなように、この装置を用いれ
ば、ウエーハ中心部と周辺部との温度差をなくし、均一
な面内温度分布で加熱することができることがわかる。
【００３９】（比較例）図１に示した装置において、隔
壁１０を取り除いた上で、外側輻射加熱ユニット５単独
による加熱を行い、直径３００ｍｍシリコンウエーハ上
の温度分布を測定してみた。結果を図４に示した。この
図から明らかなように、隔壁がない場合の外側輻射加熱
ユニット５単独による加熱は、隔壁がないため光がウエ
ーハ中心部に散乱し、ウエーハ中心部を高温とするもの
となっていることがわかる。すなわち、これは前記図２
（Ｃ）の下側輻射加熱ユニット６単独による加熱に類似
したものであり、このような単独加熱による温度分布を
有する外側輻射加熱ユニット５では、内側輻射加熱ユニ
ット４や下側輻射加熱ユニット６と組み合わせても被処
理体を均一な温度分布で加熱することはできない。
壁１０を取り除いた上で、外側輻射加熱ユニット５単独
による加熱を行い、直径３００ｍｍシリコンウエーハ上
の温度分布を測定してみた。結果を図４に示した。この
図から明らかなように、隔壁がない場合の外側輻射加熱
ユニット５単独による加熱は、隔壁がないため光がウエ
ーハ中心部に散乱し、ウエーハ中心部を高温とするもの
となっていることがわかる。すなわち、これは前記図２
（Ｃ）の下側輻射加熱ユニット６単独による加熱に類似
したものであり、このような単独加熱による温度分布を
有する外側輻射加熱ユニット５では、内側輻射加熱ユニ
ット４や下側輻射加熱ユニット６と組み合わせても被処
理体を均一な温度分布で加熱することはできない。
【００４０】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
るものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４１】例えば、上記実施形態においては、直径３
００ｍｍのシリコン単結晶ウエーハにエピタキシャル層
を成長させる場合につき例を挙げて説明したが、本発明
はこれには限定されず、同様の作用効果は、直径２００
ｍｍ以上あるいは４００ｍｍ以上といった大直径のシリ
コンウエーハに熱処理を加える場合にもあてはまるし、
逆に１５０ｍｍ以下といったウエーハに適用しても効果
があることは言うまでもない。
００ｍｍのシリコン単結晶ウエーハにエピタキシャル層
を成長させる場合につき例を挙げて説明したが、本発明
はこれには限定されず、同様の作用効果は、直径２００
ｍｍ以上あるいは４００ｍｍ以上といった大直径のシリ
コンウエーハに熱処理を加える場合にもあてはまるし、
逆に１５０ｍｍ以下といったウエーハに適用しても効果
があることは言うまでもない。
【００４２】また、本発明の装置および方法で処理され
る被処理体としても特に限定されるものではなく、本発
明の装置が適用可能なものであれば、半導体シリコン、
種々の化合物半導体、合成石英の他、酸化物単結晶、種
々の磁性材料等の熱処理をすることもできる。
る被処理体としても特に限定されるものではなく、本発
明の装置が適用可能なものであれば、半導体シリコン、
種々の化合物半導体、合成石英の他、酸化物単結晶、種
々の磁性材料等の熱処理をすることもできる。
【００４３】また、本発明の装置および方法で被処理体
に加えられる熱処理についても特に限定されるものでは
ない。例えば、エピタキシャル膜成長、ＣＶＤ膜成長の
他、いわゆるアニール、水素熱処理、酸素熱処理、窒素
熱処理、ドーパント拡散等のデバイス工程等種々の熱処
理で用いることができる。
に加えられる熱処理についても特に限定されるものでは
ない。例えば、エピタキシャル膜成長、ＣＶＤ膜成長の
他、いわゆるアニール、水素熱処理、酸素熱処理、窒素
熱処理、ドーパント拡散等のデバイス工程等種々の熱処
理で用いることができる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の輻射加熱
装置および加熱方法では、輻射光を分離して被処理体が
加熱される領域を限定する隔壁を有し、外側輻射加熱ユ
ニットにより被処理体周辺部を主に輻射加熱し、内側輻
射加熱ユニットにより被処理体中心部を主に輻射加熱
し、隔壁により各輻射加熱ユニットからの輻射光を分離
反射して被処理体が加熱される領域を限定する。したが
って、これらの輻射加熱ユニットを組み合わせて、それ
ぞれ独立して輻射強度を調整制御することにより、簡単
にかつ装置を大型化させることなく、被処理体を均一に
加熱処理することができる。したがって、特に、今後ま
すます大直径化が進み、その均一加熱による熱処理が課
題となる、半導体基板の種々の熱処理、ＣＶＤ膜成長、
あるいはエピタキシャル膜成長等において、本発明の装
置は利用価値が高い。
装置および加熱方法では、輻射光を分離して被処理体が
加熱される領域を限定する隔壁を有し、外側輻射加熱ユ
ニットにより被処理体周辺部を主に輻射加熱し、内側輻
射加熱ユニットにより被処理体中心部を主に輻射加熱
し、隔壁により各輻射加熱ユニットからの輻射光を分離
反射して被処理体が加熱される領域を限定する。したが
って、これらの輻射加熱ユニットを組み合わせて、それ
ぞれ独立して輻射強度を調整制御することにより、簡単
にかつ装置を大型化させることなく、被処理体を均一に
加熱処理することができる。したがって、特に、今後ま
すます大直径化が進み、その均一加熱による熱処理が課
題となる、半導体基板の種々の熱処理、ＣＶＤ膜成長、
あるいはエピタキシャル膜成長等において、本発明の装
置は利用価値が高い。
【図１】本発明にかかる輻射加熱装置の１実施形態を示
した概略断面図である。
した概略断面図である。
【図２】図１の装置における、各輻射加熱ユニット単独
による加熱を行い、シリコンウエーハ上の温度分布を測
定してみた結果を示した図である。 （Ａ）内側輻射加熱ユニット４単独による温度分布、
（Ｂ）外側輻射加熱ユニット５単独による温度分布、
（Ｃ）下側輻射加熱ユニット６単独による温度分布。
による加熱を行い、シリコンウエーハ上の温度分布を測
定してみた結果を示した図である。 （Ａ）内側輻射加熱ユニット４単独による温度分布、
（Ｂ）外側輻射加熱ユニット５単独による温度分布、
（Ｃ）下側輻射加熱ユニット６単独による温度分布。
【図３】外側輻射加熱ユニット５と下側輻射加熱ユニッ
ト６を組み合わせて加熱を行い、ウエーハ面内の温度分
布を測定した結果を示した図である。
ト６を組み合わせて加熱を行い、ウエーハ面内の温度分
布を測定した結果を示した図である。
【図４】図１に示した装置において、隔壁１０を取り除
いた上で、外側輻射加熱ユニット５単独による加熱を行
い、シリコンウエーハ上の温度分布を測定した結果を示
した図である。
いた上で、外側輻射加熱ユニット５単独による加熱を行
い、シリコンウエーハ上の温度分布を測定した結果を示
した図である。
１…輻射加熱装置、 ２…反応容器、
３…被処理体、 ４…内側輻射加
熱ユニット、５…外側輻射加熱ユニット、 ６
…下側輻射加熱ユニット、７…石英製ピン、
８…ハウジング、９…石英ガラス板、
１０…隔壁。
３…被処理体、 ４…内側輻射加
熱ユニット、５…外側輻射加熱ユニット、 ６
…下側輻射加熱ユニット、７…石英製ピン、
８…ハウジング、９…石英ガラス板、
１０…隔壁。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平３−218624（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−199622（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−291170（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−45863（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−727（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−191050（ＪＰ，Ａ)
実開 昭63−149524（ＪＰ，Ｕ)
実開 昭59−109134（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/26
H01L 21/205
C30B 25/10
C30B 35/00
C23C 16/46
Claims (10)
- 【請求項１】 内外二重円形配列された輻射加熱ユニッ
トにより被処理体を加熱処理する輻射加熱装置におい
て、被処理体周辺部を主に加熱する外側輻射加熱ユニッ
トと、被処理体の中心部を主に加熱する内側輻射加熱ユ
ニットと、前記外側輻射加熱ユニットと前記内側輻射加
熱ユニットとの間に設置されるとともに前記被処理体方
向に延在し、前記外側輻射加熱ユニットを前記内側輻射
加熱ユニットから分離する円筒状の隔壁を有する、こと
を特徴とする輻射加熱装置。 - 【請求項２】 前記隔壁は被処理体との間に所定の間隔
を有し、該被処理体に均一な温度分布が形成される、こ
とを特徴とする請求項１に記載の輻射加熱装置。 - 【請求項３】 前記隔壁の表面を鏡面加工した、ことを
特徴とする請求項１または請求項２に記載の輻射加熱装
置。 - 【請求項４】 前記隔壁の表面は、金で被覆されてい
る、ことを特徴とする請求項３に記載の輻射加熱装置。 - 【請求項５】 前記隔壁は、被処理体の主面側および／
または背面側に配置される、ことを特徴とする請求項１
ないし請求項４のいずれか１項に記載の輻射加熱装置。 - 【請求項６】 内外二重円形配列された輻射加熱ユニッ
トによる加熱方法において、外側輻射加熱ユニットによ
り被処理体周辺部を主に輻射加熱し、内側輻射加熱ユニ
ットにより被処理体中心部を主に輻射加熱し、前記外側
輻射加熱ユニットと前記内側輻射加熱ユニットとの間に
設置されるとともに被処理体方向に延在する円筒状の隔
壁により、前記外側輻射加熱ユニットを前記内側輻射加
熱ユニットから分離する、ことを特徴とする加熱方法。 - 【請求項７】 前記内外の輻射加熱ユニットは、相互に
独立して輻射強度を制御する、ことを特徴とする請求項
６に記載の加熱方法。 - 【請求項８】 被処理体の主面側に配置された内側輻射
加熱ユニットと外側輻射加熱ユニットにより被処理体を
主面側から加熱し、被処理体の背面側に配置された下側
輻射加熱ユニットにより被処理体を背面側から加熱す
る、ことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の
加熱方法。 - 【請求項９】 被処理体の主面側に配置された外側輻射
加熱ユニットにより被処理体を主面側から加熱し、被処
理体の背面側に配置された下側輻射加熱ユニットにより
被処理体を背面側から加熱する、ことを特徴とする請求
項６または請求項７に記載の加熱方法。 - 【請求項１０】 前記被処理体はシリコン単結晶基板で
あり、該基板の裏面の一部および／または側面部を保持
することにより輻射装置内に載置される、ことを特徴と
する請求項６ないし請求項９のいずれか１項に記載の加
熱方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06735596A JP3493880B2 (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 輻射加熱装置および加熱方法 |
| US08/804,115 US5856652A (en) | 1996-02-28 | 1997-02-20 | Radiant heating apparatus and method |
| EP97301178A EP0792956A3 (en) | 1996-02-28 | 1997-02-24 | Radiant heating apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06735596A JP3493880B2 (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 輻射加熱装置および加熱方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09237764A JPH09237764A (ja) | 1997-09-09 |
| JP3493880B2 true JP3493880B2 (ja) | 2004-02-03 |
Family
ID=13342634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06735596A Expired - Fee Related JP3493880B2 (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | 輻射加熱装置および加熱方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5856652A (ja) |
| EP (1) | EP0792956A3 (ja) |
| JP (1) | JP3493880B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3563224B2 (ja) | 1996-03-25 | 2004-09-08 | 住友電気工業株式会社 | 半導体ウエハの評価方法、熱処理方法、および熱処理装置 |
| US6108491A (en) * | 1998-10-30 | 2000-08-22 | Applied Materials, Inc. | Dual surface reflector |
| FR2786203B1 (fr) * | 1998-11-25 | 2001-10-19 | Centre Nat Rech Scient | Reacteur pour depot chimique en phase vapeur et procede pour sa mise en oeuvre |
| FR2786208B1 (fr) * | 1998-11-25 | 2001-02-09 | Centre Nat Rech Scient | Procede de croissance cristalline sur substrat et reacteur pour sa mise en oeuvre |
| US6449428B2 (en) * | 1998-12-11 | 2002-09-10 | Mattson Technology Corp. | Gas driven rotating susceptor for rapid thermal processing (RTP) system |
| JP3438658B2 (ja) * | 1999-07-22 | 2003-08-18 | ウシオ電機株式会社 | ランプユニット及び光照射式加熱装置 |
| US6359263B2 (en) * | 1999-09-03 | 2002-03-19 | Steag Rtp Systems, Inc. | System for controlling the temperature of a reflective substrate during rapid heating |
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