JP3492270B2 - Thermally assisted magnetic recording head and thermally assisted magnetic recording apparatus - Google Patents

Thermally assisted magnetic recording head and thermally assisted magnetic recording apparatus

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JP3492270B2 JP2000022884A JP2000022884A JP3492270B2 JP 3492270 B2 JP3492270 B2 JP 3492270B2 JP 2000022884 A JP2000022884 A JP 2000022884A JP 2000022884 A JP2000022884 A JP 2000022884A JP 3492270 B2 JP3492270 B2 JP 3492270B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、熱アシスト磁気記
録ヘッド及び熱アシスト磁気記録装置に関し、より詳細
には、光照射により磁気記録媒体を加熱昇温して磁気記
録を行うことにより極めて高密度な磁気的記録を可能と
した新規な熱アシスト磁気記録ヘッド及び熱アシスト磁
気記録装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat-assisted magnetic recording head and a heat-assisted magnetic recording device, and more particularly, to a magnetic recording medium which is heated to a high temperature by light irradiation to achieve extremely high density. TECHNICAL FIELD The present invention relates to a novel heat-assisted magnetic recording head and a heat-assisted magnetic recording device that enable magnetic recording.

【０００２】[0002]

【従来の技術】磁気的に情報の記録再生を行う磁気記録
装置は、大容量、高速、安価な情報記憶手段として発展
を続けている。特に近年のハードディスクドライブ（Ｈ
ＤＤ）の進展は著しく、製品レベルで記録密度は１０Ｇ
ｂ／ｉｎ２（Giga bits per squre inch）を、内部デー
タ転送速度は１００Ｍｂｐｓ（Mega bits per second）
を超え、メガバイト単価は数円／ＭＢに低価格化してい
る。ＨＤＤの高密度化は、信号処理、メカ・サーボ、ヘ
ッド、媒体、ＨＤＩなど複数の要素技術の集大成として
進展してきているが、近年、媒体の熱擾乱問題がＨＤＤ
の高密度化の阻害要因として顕在化しつつある。2. Description of the Related Art A magnetic recording device for magnetically recording and reproducing information continues to develop as a large-capacity, high-speed, inexpensive information storage means. Especially in recent years hard disk drive (H
The progress of DD) is remarkable, and the recording density is 10G at the product level.
b / in 2 (Giga bits per squre inch), internal data transfer rate is 100 Mbps (Mega bits per second)
, And the unit price for megabytes has dropped to a few yen / MB. The high density of HDDs has been progressing as a culmination of several elemental technologies such as signal processing, mechanical servo, head, medium, HDI, etc.
It is becoming apparent as an impediment to higher density.

【０００３】磁気記録の高密度化は、記録セルの微細化
により実現するが、記録セルの微細化により媒体からの
信号磁界が減少する為、所定の信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）
を確保する上では、媒体ノイズの低減化が必須となる。
媒体ノイズの主因は、磁化転移部の乱れであり、乱れの
大きさは媒体の磁化反転単位に比例する。磁気媒体には
多結晶磁性粒子からなる薄膜（本願明細書においては、
「多粒子系薄膜」あるいは「多粒子系媒体」と称する）
が用いられているが、多粒子系薄膜の磁化反転単位は、
粒子間に磁気的な交換相互作用が作用する場合は、交換
結合された複数の磁性粒子から構成される。Higher density of magnetic recording is realized by making recording cells finer. However, since signal magnetic field from the medium is reduced by making recording cells finer, a predetermined signal-to-noise ratio (S / N) is obtained.
In order to secure the above, it is essential to reduce the medium noise.
The main cause of medium noise is the disorder of the magnetic transition portion, and the magnitude of the disorder is proportional to the magnetization reversal unit of the medium. The magnetic medium is a thin film made of polycrystalline magnetic particles (in the present specification,
"Multi-particle thin film" or "multi-particle medium")
Is used, the magnetization reversal unit of the multi-particle thin film is
When magnetic exchange interaction is exerted between particles, it is composed of a plurality of exchange-coupled magnetic particles.

【０００４】従来、例えば数１００Ｍｂ／ｉｎ２から数
Ｇｂ／ｉｎ２の記録密度においては、媒体の低ノイズ化
は主に、磁性粒子間の交換相互作用を低減し磁化反転単
位を小さくする事で実現してきた。最新の１０Ｇｂ／ｉ
ｎ２級の磁気媒体では、磁化反転単位は磁性粒子２−３
個分にまで縮小されており、近い将来、磁化反転単位は
磁性粒子一つに相当するまで縮小するものと予測され
る。従って今後さらに磁化反転単位を縮小して所定のＳ
／Ｎを確保する為には、磁性粒子の大きさ自身を小さく
する必要がある。磁性粒子の体積をＶとおくと粒子の持
つ磁気的エネルギーはＫｕＶで表わされる。ここでＫｕ
は粒子の磁気異方性エネルギー密度である。低ノイズ化
の為にＶを小さくするとＫｕＶが小さくなり室温付近の
熱エネルギーによって記録情報が乱れる、という熱擾乱
問題が顕在化する。Conventionally, at a recording density of, for example, several 100 Mb / in 2 to several Gb / in 2 , the noise reduction of the medium is mainly achieved by reducing the exchange interaction between magnetic particles and reducing the magnetization reversal unit. Has come true. Latest 10Gb / i
In the n 2 -class magnetic medium, the magnetization reversal unit is the magnetic particle 2-3.
It has been reduced to the number of particles, and in the near future, the magnetization reversal unit is expected to be reduced to one magnetic particle. Therefore, the magnetization reversal unit will be further reduced in the future, and the predetermined S
In order to secure / N, it is necessary to reduce the size of the magnetic particles themselves. If the volume of the magnetic particles is V, the magnetic energy of the particles is represented by KuV. Ku here
Is the magnetic anisotropy energy density of the particles. When V is decreased to reduce noise, KuV decreases, and thermal energy near the room temperature disturbs recorded information, which causes a thermal disturbance problem.

【０００５】Sharrockらの解析によれば、粒子の磁気的
エネルギーと熱エネルギー（ｋＴ；ｋ：ボルツマン定
数、Ｔ：絶対温度）の比、ＫｕＶ／ｋＴは１００程度の
値でないと記録寿命の信頼性を損ねる。従来から媒体磁
性膜に用いられてきたＣｏＣｒ基合金のＫｕ（２−３×
１０６ｅｒｇ／ｃｃ）では、低ノイズ化の為に粒径微細
化を進めると熱擾乱耐性の確保が困難な状況に至りつつ
ある。そこで近年、ＣｏＰｔ，ＦｅＰｄなど１０７ｅｒ
ｇ／ｃｃ以上のＫｕを示す磁性膜材料が注目を浴びてき
ているが、粒径微細化と熱擾乱耐性を両立する為に、単
純にＫｕを上げると別の問題が顕在化する。それは記録
感度の問題である。媒体磁性膜のＫｕを上げると媒体の
記録保磁力（Ｈｃ０＝Ｋｕ／Ｉｓｂ；Ｉｓｂ：媒体磁性
膜の正味の磁化）が上昇し、Ｈｃ０に比例して飽和記録
に必要な磁界が増加する。According to the analysis of Sharrock et al., The ratio of the magnetic energy of particles to the thermal energy (kT; k: Boltzmann's constant, T: absolute temperature), KuV / kT, is not about 100. Spoil. The CoCr-based alloy Ku (2-3 ×) that has been conventionally used for the magnetic medium film is used.
At 10 6 erg / cc), it is becoming difficult to secure thermal agitation resistance as the particle size is further reduced to reduce noise. In recent years, CoPt, FePd such as 10 7 er
Magnetic film materials exhibiting a Ku of g / cc or more have attracted attention, but another problem becomes apparent when Ku is simply increased in order to achieve both grain size reduction and thermal agitation resistance. It is a matter of recording sensitivity. When Ku of the medium magnetic film is increased, the recording coercive force (Hc0 = Ku / Isb; Isb: net magnetization of the medium magnetic film) of the medium increases, and the magnetic field required for saturation recording increases in proportion to Hc0.

【０００６】記録ヘッドから発生し媒体に印加されるの
記録磁界は記録コイルへの通電電流の他に、記録磁極材
料、磁極形状、スペーシング、媒体の種類、膜厚などに
依存するが、高密度化に伴い記録磁極先端部のサイズが
縮小する事を考慮すると、発生磁界の大きさには限界が
ある。The recording magnetic field generated from the recording head and applied to the medium depends not only on the current supplied to the recording coil but also on the recording magnetic pole material, magnetic pole shape, spacing, medium type, film thickness, etc. Considering that the size of the tip of the recording magnetic pole is reduced as the density is increased, the magnitude of the generated magnetic field is limited.

【０００７】例えば、最も発生磁界の大きな単磁極ヘッ
ドと軟磁性裏打ち垂直媒体の組合せでも、記録磁界の大
きさは高々１０ｋＯｅ程度が限界である。一方で将来の
高密度・低ノイズ媒体に必要な５ｎｍ程度の粒径で、十
分な熱擾乱耐性を得る上では、１０７ｅｒｇ／ｃｃ以上
のＫｕを示す磁性膜材料を採用する必要があるが、その
場合、室温付近における媒体の記録に必要な磁界は１０
ｋＯｅを軽く上回る為、記録が出来なくなる。従って単
純に媒体のＫｕを増加させてしまうと、記録自体が出来
ないという問題が顕在化するのである。For example, even with a combination of a single magnetic pole head having the largest magnetic field generated and a soft magnetic backing perpendicular medium, the magnitude of the recording magnetic field is limited to about 10 kOe at most. On the other hand, it is necessary to adopt a magnetic film material exhibiting a Ku of 10 7 erg / cc or more in order to obtain sufficient thermal agitation resistance with a particle size of about 5 nm required for future high density / low noise media. , In that case, the magnetic field required to record the medium near room temperature is 10
Recording is not possible because it exceeds kOe lightly. Therefore, if the Ku of the medium is simply increased, the problem that the recording itself cannot be performed becomes apparent.

【０００８】以上説明したように、従来の多粒子系媒体
を用いた磁気記録では、低ノイズ化、熱擾乱耐性の確
保、記録感度の確保がトレードオフの関係にあり、これ
が記録密度の限界を決定する本質的な問題となってい
た。As described above, in the magnetic recording using the conventional multi-particle type medium, there is a trade-off relationship between lowering noise, ensuring thermal disturbance resistance, and ensuring recording sensitivity, which limits the recording density. It was an essential issue to decide.

【０００９】この問題を解決する方法として、熱アシス
ト磁気記録方式が考えられる。多粒子系媒体を用いる熱
アシスト磁気記録方式では、十分にノイズが低くなる程
度に微細な磁性粒子を用い、熱擾乱耐性を確保する為に
室温付近で高いＫｕを示す記録層を用いることが望まし
い。このような大きなＫｕを有する媒体は、室温付近で
は記録に必要な磁界が記録ヘッドの発生磁界を上回り記
録不能である。これに対して、熱アシスト磁気記録方式
においては、記録磁極の近傍に光ビームなどを用いた媒
体加熱手段を配し、記録時に局所的に媒体を加熱し加熱
部のＨｃ０をヘッドからの記録磁界以下に低下させて記
録する。As a method for solving this problem, a heat-assisted magnetic recording method is considered. In the heat-assisted magnetic recording method using a multi-particle medium, it is desirable to use magnetic particles that are fine enough to reduce noise sufficiently and to use a recording layer that exhibits high Ku near room temperature in order to secure thermal agitation resistance. . In a medium having such a large Ku, the magnetic field required for recording exceeds the magnetic field generated by the recording head and recording is impossible near room temperature. On the other hand, in the heat-assisted magnetic recording method, a medium heating means using a light beam or the like is arranged in the vicinity of the recording magnetic pole, and the medium is locally heated at the time of recording so that Hc0 of the heating portion is set to the recording magnetic field from the head. It is reduced below and recorded.

【００１０】この基本コンセプトを実現する上での重要
なポイントは、加熱中もしくは加熱直後の媒体が冷却す
る前に記録磁界を供給して記録を完了すること、隣接ト
ラックを加熱して隣接磁化転移を熱擾乱で破壊すること
が無いように、記録磁極の幅程度の微小領域のみを選択
的に加熱することであると考えられる。An important point in realizing this basic concept is to supply a recording magnetic field to complete the recording before the medium being heated or immediately after being cooled, and to heat the adjacent tracks to transfer the adjacent magnetization. It is considered that only a minute region about the width of the recording magnetic pole is selectively heated so as not to be destroyed by thermal agitation.

【００１１】多粒子系媒体を用いる態様では、隣接トラ
ックの熱擾乱と共に、記録しようとしているトラックに
形成した磁化転移が、下流側の未だ温度が十分に冷め切
らない領域で熱擾乱の影響を受けない様な工夫が必要と
なるが、記録密度は粒径で決まり、かつ磁化反転速度が
極めて速い、という利点がある。In the embodiment using the multi-particle type medium, the magnetic disturbance formed in the track to be recorded is affected by the thermal disturbance in the area where the temperature is not yet sufficiently cooled on the downstream side together with the thermal disturbance in the adjacent track. The recording density is determined by the grain size, and the magnetization reversal speed is extremely fast, but there is an advantage that it is necessary.

【００１２】一方、連続磁性膜すなわち非晶質状の磁性
膜を用いる方式では、記録密度が磁壁の厚み（１０−２
０ｎｍ）で規定され、磁壁移動を伴う場合は磁壁移動速
度（数１０ｍ／ｓ）がデータ転送速度を規定する、とい
った多粒子系には無い短所を有する反面、磁性粒子の体
積Ｖは無限大と見なせるので熱擾乱問題は考える必要が
無い。連続磁性膜を用いる方式においても、室温付近の
媒体保磁力をヘッド磁界よりも高く、加熱部の媒体保磁
力をヘッド磁界よりも低く調整する点では前記の多粒子
系と同じである。On the other hand, in the system using the continuous magnetic film, that is, the amorphous magnetic film, the recording density is the thickness of the domain wall (10-2).
0 nm) and the domain wall movement speed (several tens of m / s) regulates the data transfer rate when accompanied by the domain wall movement, which is a disadvantage of the multi-particle system, but the volume V of the magnetic particles is infinite. Since it can be considered, it is not necessary to consider the thermal agitation problem. The method using a continuous magnetic film is also the same as the above multi-particle system in that the medium coercive force near room temperature is adjusted to be higher than the head magnetic field and the medium coercive force in the heating section is adjusted to be lower than the head magnetic field.

【００１３】[0013]

【発明が解決しようとする課題】連続磁性膜として光磁
気記録媒体を用い、熱アシスト的な磁気記録を試みた先
行技術は、例えば日本応用磁気学会誌ｖｏｌ．２３，Ｎ
ｏ．８，ｐｐ．１９０１−１９０６，１９９９に開示さ
れている。この先行例では、媒体を加熱する熱源として
はファーフィールドの光ビームを利用し、記録磁極と光
ビーム源は媒体に対して互いに対向して配置されている
ので、両面記録は困難であると共にニアフィールド光の
利用は不可能である。また、記録ビット長は磁気ヘッド
により決定されるが、記録トラック幅は光スポットで決
定しているため、トラック幅の限界はファーフィールド
光のスポットサイズに制限される。即ち短波長レーザと
高ＮＡのレンズを組合せたとしてもトラック幅は数１０
０ｎｍが限界であり、さらなる高密度化が困難であると
いう問題があった。The prior art that attempts a thermally assisted magnetic recording by using a magneto-optical recording medium as a continuous magnetic film is described in, for example, Journal of Japan Applied Magnetics, vol. 23, N
o. 8, pp. 1901-1906,1999. In this prior art example, a far-field light beam is used as a heat source for heating the medium, and the recording magnetic pole and the light beam source are arranged so as to face each other with respect to the medium. The use of field light is impossible. Although the recording bit length is determined by the magnetic head, but the recording track width is determined by the light spot, the limit of the track width is limited by the spot size of far-field light. That is, even if a short wavelength laser and a high NA lens are combined, the track width is several tens.
There is a problem that the limit is 0 nm and it is difficult to further increase the density.

【００１４】さらに、この先行例では光照射位置と記録
磁界印加位置とは略一致しているため、媒体を加熱する
に要する時間でデータ転送速度が規定される、という問
題もあった。Further, in this prior art example, since the light irradiation position and the recording magnetic field application position are substantially coincident with each other, there is a problem that the data transfer rate is defined by the time required to heat the medium.

【００１５】さらなる超高密度の熱アシスト磁気記録を
実現する為には、発光素子として光の波長よりも短いサ
イズの開口による近接場光の生成と近接場光の利用効率
の向上が必要である。しかし、そのためには大きな問題
がある。すなわち、開口の構造として通常は、光吸収の
大きい材料に開口を設ける等の構造が用いられるが、こ
の場合、開口以外の領域は光を透過させない必要がある
ため、金属等の極めて大きい吸収損失をもつ材料を用
い、かつ光が透過しないだけの「厚さ」が必要である。In order to realize heat-assisted magnetic recording at a further high density, it is necessary to generate near-field light and improve the near-field light utilization efficiency by using an aperture having a size shorter than the wavelength of light as a light-emitting element. . However, there is a big problem for that. That is, as the structure of the opening, a structure in which the opening is provided in a material having a large light absorption is usually used. In this case, however, it is necessary to prevent light from passing through the area other than the opening. It is necessary to use a material that has a "thickness" and to have a "thickness" that does not transmit light.

【００１６】しかしながら、このような光吸収の大きい
有限の厚さの膜に開けられた開口を通過する光は、その
開口自身の吸収の影響を受け、十分な光出力が出射側で
得られない。つまり、近接場光による効率は極めて低
く、熱アシスト磁気記録のための媒体加熱用光源として
は用いることができない。光出力を上げるためには光源
としては高出力のレーザを用いる必要があるが、そのよ
うな高出力レーザの端面に金属などの光吸収の大きな膜
を設けると、光吸収による発熱で、端面近傍が極めて高
温になり、発光素子に近接配置する磁気素子を含むデバ
イスの熱的な損傷や劣化の原因となる。However, the light passing through the opening formed in the film having a large light absorption and a finite thickness is affected by the absorption of the opening itself, and a sufficient light output cannot be obtained on the emission side. . That is, the efficiency of near-field light is extremely low, and it cannot be used as a medium heating light source for heat-assisted magnetic recording. In order to increase the light output, it is necessary to use a high-power laser as a light source, but if a film with a large light absorption such as metal is provided on the end face of such a high-power laser, the heat generated by the light absorption causes heat near the end face. Becomes extremely high temperature, which causes thermal damage or deterioration of the device including the magnetic element arranged close to the light emitting element.

【００１７】本発明は、かかる課題の認識に基づいてな
されたものである。すなわち、その目的は、記録媒体の
加熱源として用いる発光素子に関する上述の課題を解決
し、効果的に記録媒体の記録部を加熱昇温して超高密度
の熱アシスト磁気記録を可能にする熱アシスト磁気記録
ヘッド及び熱アシスト磁気記録装置を提供することにあ
る。The present invention has been made based on the recognition of such a problem. That is, the purpose is to solve the above-mentioned problems relating to the light emitting element used as the heating source of the recording medium, and to effectively heat and raise the temperature of the recording portion of the recording medium to enable heat-assisted magnetic recording of ultra high density. An object is to provide an assisted magnetic recording head and a thermally assisted magnetic recording device.

【００１８】[0018]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する手段
として、本発明の熱アシスト磁気記録ヘッドは、記録媒
体の記録部を加熱昇温して保磁力を低下させ、この保磁
力が低下した記録部に記録磁界を印加することにより磁
気的情報を記録可能とした熱アシスト磁気記録ヘッドで
あって、開口を有する光吸収膜と、前記開口を介して前
記記録媒体に光を照射することにより前記記録部を加熱
昇温するレーザ素子と、前記記録部に前記記録磁界を印
加する記録磁極と、を備え、前記開口は、前記レーザ素
子から放出される光の偏光方向に沿った開口幅W1が偏光
方向に対して略垂直な方向の開口幅W2よりも短いことを
特徴とする。As a means for achieving the above object, the heat-assisted magnetic recording head of the present invention heats and raises the temperature of the recording portion of the recording medium to lower the coercive force, which is lowered. A heat-assisted magnetic recording head capable of recording magnetic information by applying a recording magnetic field to a recording section, comprising: a light absorbing film having an opening; and irradiating the recording medium with light through the opening. A laser element that heats and heats the recording portion and a recording magnetic pole that applies the recording magnetic field to the recording portion are provided, and the opening has an opening width W1 along a polarization direction of light emitted from the laser element. Is shorter than the opening width W2 in a direction substantially perpendicular to the polarization direction.

【００１９】上記構成によれば、レーザ素子から放出さ
れる光の開口における損失を飛躍的に低減させ、光の取
り出し効率を大幅に増大させることが可能となる。その
結果として、光を加熱源とした熱アシスト磁気記録ヘッ
ドを実現することができる。According to the above arrangement, it is possible to dramatically reduce the loss of light emitted from the laser element at the opening and significantly increase the light extraction efficiency. As a result, a thermally assisted magnetic recording head using light as a heating source can be realized.

【００２０】ここで、本発明の望ましい実施の態様とし
て、前記開口幅W1は、前記レーザ素子から放出される前
記光の中心波長の１／２よりも短いものとすると微小の
光ビームを高い効率で取り出すことができる。Here, in a preferred embodiment of the present invention, the aperture width W1 is set to be shorter than 1/2 of the central wavelength of the light emitted from the laser element, so that a minute light beam can be highly efficiently produced. You can take it out with.

【００２１】また、前記記録媒体に形成される記録トラ
ックに沿った方向に対して前記レーザ素子から放出され
る光の偏光方向が略垂直になるように前記レーザ素子及
び前記開口が設けられたものとすれば、隣接トラックに
対するクロスイレーズを確実且つ容易に防止することが
できる。The laser element and the opening are provided so that the polarization direction of the light emitted from the laser element is substantially perpendicular to the direction along the recording track formed on the recording medium. By doing so, it is possible to surely and easily prevent cross-erase on adjacent tracks.

【００２２】また、前記レーザ素子と前記光吸収膜との
間に設けられた誘電体膜をさらに備えることにより、レ
ーザ素子と開口との光の結合効率を改善することがで
き、同時にレーザ素子における電気的な短絡も防止する
ことができる。Further, by further including a dielectric film provided between the laser element and the light absorption film, it is possible to improve the light coupling efficiency between the laser element and the aperture, and at the same time, in the laser element. An electrical short circuit can also be prevented.

【００２３】さらに、前記誘電体膜の光学的膜厚を、前
記レーザ素子から放出される光の波長λに対して０．０
５λ以上で０．３５λ以下とすると、光の取り出し効率
を高くすることができる。Further, the optical film thickness of the dielectric film is 0.0 with respect to the wavelength λ of the light emitted from the laser element.
When it is 5λ or more and 0.35λ or less, the light extraction efficiency can be increased.

【００２４】また、前記開口幅Ｗ１は、その幅方向に対
して垂直な電界ベクトルを有する光の前記開口における
吸収損失が、その幅方向に対して垂直な磁界ベクトルを
有する光の前記開口における吸収損失よりも１０倍以上
大きくなる範囲に設定されたものとすることにより、狭
い開口幅でもＴＭモードとＴＥモードを効率的に透過さ
せることができる。In the opening width W1, the absorption loss of light having an electric field vector perpendicular to the width direction in the opening is equal to the absorption loss of light having a magnetic field vector perpendicular to the width direction in the opening. By setting the range to be 10 times or more larger than the loss, the TM mode and the TE mode can be efficiently transmitted even with a narrow opening width.

【００２５】また、前記レーザ素子は端面発光型や面発
光型などの半導体レーザ素子であり、その発振モードが
TMモードであるものとすれば、開口を高い効率で透過さ
せる光を得ることができる。The laser element is a semiconductor laser element of edge-emitting type or surface-emitting type, and its oscillation mode is
If the TM mode is used, it is possible to obtain light that is transmitted through the aperture with high efficiency.

【００２６】また、前記光吸収膜は、金属からなるもの
とすると、膜厚を薄くし開口における透過効率を高く維
持するとができる。If the light absorption film is made of metal, the film thickness can be reduced and the transmission efficiency at the opening can be kept high.

【００２７】また、前記レーザ素子から放出される光を
集束して前記開口に入射させる光学的集光手段をさらに
備えることにより、光の取り出し効率をさらに改善する
ことができる。Further, by further comprising an optical condensing means for converging the light emitted from the laser element and making it enter the opening, the light extraction efficiency can be further improved.

【００２８】また、前記開口に誘電体または半導体が埋
め込まれているものとすれば、光の取り出し効率をさら
に改善することができる。If the opening is filled with a dielectric or semiconductor, the light extraction efficiency can be further improved.

【００２９】また、前記記録媒体に記録された前記磁気
的情報を再生する再生素子をさらに備えたものとすれ
ば、記録再生一体型のヘッドを実現できる。If a reproducing element for reproducing the magnetic information recorded on the recording medium is further provided, a recording / reproducing integrated head can be realized.

【００３０】一方、本発明の熱アシスト磁気記録装置
は、前述したいずれかの熱アシスト磁気記録ヘッドと、
記録媒体と前記磁気記録ヘッドとを相対的に移動させる
ための駆動機構と、を備えたことを特徴とし、従来より
も飛躍的に記録密度を高めた熱アシスト磁気記録を実現
することができる。On the other hand, the heat-assisted magnetic recording apparatus of the present invention comprises one of the heat-assisted magnetic recording heads described above,
A thermally assisted magnetic recording having a recording density dramatically higher than that of the conventional one can be realized, which is characterized by including a drive mechanism for relatively moving the recording medium and the magnetic recording head.

【００３１】ここで、記録媒体をさらに備え、前記記録
媒体は、前記磁気的情報が記録される記録層と、前記記
録層の上に設けられた誘電体または半導体からなる光反
射防止層と、を有するものとすれば、光の照射効率をさ
らに改善することができる。Here, a recording medium is further provided, and the recording medium has a recording layer on which the magnetic information is recorded, and a light reflection preventing layer made of a dielectric or a semiconductor provided on the recording layer. If it has, the light irradiation efficiency can be further improved.

【００３２】本発明の特徴を別の観点から挙げると、光
ビームと記録磁界を媒体の同一面側から供給すること、
発光素子と磁気記録素子が一体型の構造を為すこと、媒
体移動方向の上流側から発光素子、記録磁極の順番に積
層されていることなどがある。発光部と記録磁極とは特
に近接配置すると良い。Another aspect of the present invention is that the light beam and the recording magnetic field are supplied from the same side of the medium.
The light emitting element and the magnetic recording element have an integrated structure, and the light emitting element and the recording magnetic pole are sequentially stacked from the upstream side in the medium moving direction. It is preferable that the light emitting portion and the recording magnetic pole are particularly close to each other.

【００３３】光ビームと記録磁界を媒体の同一面側から
供給することにより、近接場光の利用を可能とし、ファ
ーフィールド光では実現不能な数１０ｎｍの微小領域の
選択的加熱を可能足らしめる。発光素子と磁気記録素子
が一体型の構造を為す事により、構成が複雑で質量の重
い光学系を除きヘッドの高速シーク動作を可能足らしめ
ると共に、導波路やファイバーを用いて光照射する方式
に比較して光利用効率を格段に高め、数１０ｍＷの半導
体レーザの採用を可能足らしめる。また、媒体移動方向
の上流（リーディング）側から発光素子、記録磁極の順
番に積層する構成と、発光部と記録磁極の近接配置によ
って、十分に媒体のＨｃ０が低下しているタイミングで
記録磁界を供給する事が可能となる。By supplying the light beam and the recording magnetic field from the same surface side of the medium, it is possible to use near-field light, and it is possible to selectively heat a minute region of several tens nm which cannot be realized by far-field light. The light emitting element and the magnetic recording element have an integrated structure, which enables a high-speed seek operation of the head except for an optical system with a complicated structure and heavy mass, and a method of irradiating light using a waveguide or fiber. Compared with this, the light utilization efficiency is remarkably improved, and it is possible to adopt a semiconductor laser of several tens of mW. Further, the recording magnetic field is generated at a timing when the Hc0 of the medium is sufficiently lowered by the structure in which the light emitting element and the recording magnetic pole are stacked in this order from the upstream (leading) side in the medium moving direction and the close arrangement of the light emitting portion and the recording magnetic pole. It is possible to supply.

【００３４】本発明者は、微小開口におけるレーザ光の
損失はレーザ光の偏光方向と開口形状に依存することを
見出した。すなわち、レーザ光の偏光方向に対して垂直
な方向に開口幅を狭くすると損失が大きくなるが、偏光
方向と同じ方向に開口幅を狭くしても損失は大きくなら
ない。この原理の具体的な考察については後に詳述す
る。The present inventor has found that the loss of the laser light in the minute aperture depends on the polarization direction of the laser light and the shape of the aperture. That is, the loss increases when the opening width is narrowed in the direction perpendicular to the polarization direction of the laser light, but the loss does not increase even when the opening width is narrowed in the same direction as the polarization direction. A detailed consideration of this principle will be described later.

【００３５】従って、本発明において、半導体レーザ素
子の光出射面の外側に設置する開口が記録トラック方向
に長い矩形形状を成し、前記矩形の長辺方向に対して垂
直な方向に電場を有する光を用いることにより、開口に
おける損失を大きくすることなく、より小さいスポット
光を得ることが可能となる。これにより、レーザ光のス
ポット径の極小化が可能で、かつ開口を通過する光の効
率の高い熱アシスト用発光素子が実現できる。Therefore, in the present invention, the opening provided outside the light emitting surface of the semiconductor laser element has a rectangular shape elongated in the recording track direction, and has an electric field in a direction perpendicular to the long side direction of the rectangle. By using light, it is possible to obtain a smaller spot light without increasing the loss at the aperture. Thereby, the spot diameter of the laser light can be minimized, and a heat-assisted light emitting element with high efficiency of light passing through the opening can be realized.

【００３６】その結果として、ヘッドと媒体とを高速に
相対運動させ、しかも記録ビットサイズを小さくした場
合においても、記録媒体上の微小記録部に十分な量の光
を照射することができ、その記録部を熱アシスト磁気記
録に必要な温度まで加熱昇温させることが可能となる。
つまり、本発明によれば、飛躍的に超高密度の熱アシス
ト磁気記録ヘッド及び熱アシスト磁気記録装置を提供す
ることができる。As a result, even when the head and the medium are moved relative to each other at a high speed and the recording bit size is reduced, the minute recording portion on the recording medium can be irradiated with a sufficient amount of light. It is possible to heat and raise the temperature of the recording portion to a temperature required for heat-assisted magnetic recording.
That is, according to the present invention, it is possible to provide a thermally assisted magnetic recording head and a thermally assisted magnetic recording device having an extremely high density.

【００３７】[0037]

【発明の実施の形態】以下、具体例を参照しつつ本発明
の実施の形態について詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to specific examples.

【００３８】（第1の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係わる熱アシスト磁気記録装置の概略構成
を示す図である。すなわち、同図（ａ）は記録再生ヘッ
ド部を媒体面側から見込んだ平面図であり、同図（ｂ）
は媒体を含めたトラック方向のＡ−Ａ’線断面図であ
る。(First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
It is a figure which shows schematic structure of the heat-assisted magnetic recording device concerning embodiment of this. That is, FIG. 9A is a plan view of the recording / reproducing head section as seen from the medium surface side, and FIG.
FIG. 3 is a sectional view taken along the line AA ′ in the track direction including the medium.

【００３９】図１において、符号２０−２２で示した部
分は媒体の主要部であり、その他の符号で示した部分は
全て記録再生ヘッドの構成主要部である。ヘッドの構成
要素は、符号３０−３６により表される各要素からなる
発光素子部、符号４０−４４により表される各要素から
なる磁気記録素子部、符号５０−５３により表される各
要素からなる磁気再生素子部、符号８０により表される
保護コート部からなる。また、図中の符号７０はヘッド
に対する記録媒体の相対的な走行方向を示す。なお、磁
気再生素子部は、磁気記録ヘッドとは別体のヘッドに設
けても良い。In FIG. 1, the portions indicated by reference numeral 20-22 are the main portions of the medium, and the portions indicated by the other reference numerals are the main constituent portions of the recording / reproducing head. The constituent elements of the head are the light emitting element section consisting of the elements represented by reference numerals 30-36, the magnetic recording element section consisting of the elements represented by reference numerals 40-44, and the element represented by the reference numerals 50-53. And a protective coat portion represented by reference numeral 80. Further, reference numeral 70 in the drawing indicates a relative traveling direction of the recording medium with respect to the head. The magnetic reproducing element section may be provided in a head separate from the magnetic recording head.

【００４０】本発明のヘッドは、図中に示した様に、上
流（リーディング）側から、発光素子部、磁気記録素子
部、磁気再生素子部の順番に並ぶ構成となっている。こ
こで上流（リーディング）、下流（トレーリング）とは
媒体がヘッドに対して上流側から下流側へ移動して記録
再生を行うことに対応する表現である。また、リーディ
ングエッジ（Leading Edge）、トレーリングエッジ（Tr
ailing Edge）とはヘッドを構成する各要素（例えば発
光素子、光学開口、記録磁極、再生素子など）のトラッ
ク方向の上流側端部、下流側端部を意味する。なお図１
では、煩雑を避けるため、再生素子部の詳細な構造や電
極取出し部の詳細な構造などは省いて示してある。As shown in the drawing, the head of the present invention has a structure in which the light emitting element portion, the magnetic recording element portion, and the magnetic reproducing element portion are arranged in this order from the upstream (leading) side. Here, upstream (leading) and downstream (trailing) are expressions corresponding to the medium moving from the upstream side to the downstream side with respect to the head to perform recording and reproduction. In addition, Leading Edge, Trailing Edge (Tr
The ailing edge means the upstream side end and the downstream side end in the track direction of each element (for example, a light emitting element, an optical aperture, a recording magnetic pole, a reproducing element, etc.) that constitutes the head. Figure 1
In order to avoid complication, the detailed structure of the reproducing element section and the detailed structure of the electrode lead-out section are omitted.

【００４１】図１の磁気記録素子部の構成においては、
４４は絶縁層（例えばＳｉＯ２膜）、４１はリターンパ
ス用磁極（例えばＮｉＦｅ膜）、４０は記録磁極先端部
（主磁極：例えばＦｅ系合金）、４２−４３は記録磁界
発生用のＣｕコイルをそれぞれ表す。In the structure of the magnetic recording element portion shown in FIG.
44 is an insulating layer (eg, SiO 2 film), 41 is a return path magnetic pole (eg, NiFe film), 40 is a recording magnetic pole tip (main magnetic pole: eg Fe-based alloy), and 42-43 are Cu coils for generating a recording magnetic field. Respectively.

【００４２】図１の磁気再生素子部の構成においては、
５１は上流側シールド（例えばＮｉＦｅ膜）、５３は再
生ギャップ（例えばＳｉＯ２膜）、５０はＧＭＲ再生素
子部（例えばＣｏＦｅ／Ｃｕ／ＣｏＦｅ／ＦｅＭｎ積層
膜）、５２は下流側シールド例えばＮｉＦｅ膜である。
図１（ａ）には示していないがＧＭＲ素子の両端はハー
ドバイアス膜例えばＣｏＰｔ、及びメタル電極膜が連結
されている。６０はヘッド基板（ＡｌＴｉＣ等のセラミ
クス、サファイア基板等）であり、この上に発光素子、
磁気記録素子、磁気再生素子が順に積層形成される。８
０はヘッド全体の保護膜であり、例えば膜厚数１０μｍ
のＡｌ２Ｏ３膜を用いることができる。In the structure of the magnetic reproducing element section of FIG.
Reference numeral 51 is an upstream shield (for example, NiFe film), 53 is a reproducing gap (for example, SiO 2 film), 50 is a GMR reproducing element portion (for example, CoFe / Cu / CoFe / FeMn laminated film), and 52 is a downstream shield such as NiFe film. is there.
Although not shown in FIG. 1A, a hard bias film such as CoPt and a metal electrode film are connected to both ends of the GMR element. Reference numeral 60 denotes a head substrate (ceramics such as AlTiC, a sapphire substrate, etc.) on which a light emitting element,
A magnetic recording element and a magnetic reproducing element are sequentially stacked. 8
0 is a protective film for the entire head, for example, a film thickness of several 10 μm
Al 2 O 3 film can be used.

【００４３】図１の媒体部の構成においては、２０は磁
気記録層、例えば膜厚２０ｎｍのＣｏＰｔ−ＳｉＯ２垂
直磁化・多粒子系薄膜、２１は軟磁性下地例えば膜厚１
００ｎｍのＮｉＦｅを示している。媒体構成において、
基板、保護膜、潤滑膜は省いて示してある。In the structure of the medium portion shown in FIG. 1, 20 is a magnetic recording layer, for example, a CoPt-SiO 2 perpendicular magnetization / multi-particle thin film having a film thickness of 20 nm, and 21 is a soft magnetic underlayer, for example, a film thickness 1
It shows NiFe of 00 nm. In the medium structure,
The substrate, protective film, and lubricating film are omitted.

【００４４】次に、発光素子部について詳細に説明す
る。Next, the light emitting element section will be described in detail.

【００４５】図２（ａ）は、図１に示す発光素子部の概
略構成を説明するための斜視図であり、図２（ｂ）は、
このレーザの断面構造の一例を表す概念図である。図中
の１０は半導体レーザ素子、３３は活性層、３５は光吸
収膜、３４は絶縁膜、３６は光吸収膜３５に設けられた
開口をそれぞれ表す。３０はｎ型ＧａＮなどから成るＬ
Ｄ基板材料である。また、開口部３６はヘッド部の媒体
対向面からＦＩＢ（Focused Ion Beam）エッチングによ
り加工され、開口内部は空洞である。FIG. 2 (a) is a perspective view for explaining the schematic structure of the light emitting element section shown in FIG. 1, and FIG. 2 (b) is
It is a conceptual diagram showing an example of the cross-section of this laser. In the figure, 10 is a semiconductor laser device, 33 is an active layer, 35 is a light absorbing film, 34 is an insulating film, and 36 is an opening provided in the light absorbing film 35. 30 is L made of n-type GaN or the like
D substrate material. Further, the opening 36 is processed by FIB (Focused Ion Beam) etching from the medium facing surface of the head portion, and the inside of the opening is hollow.

【００４６】このレーザはＴＥ（transverse electri
c）モードで発振しており、レーザ光の偏光方向は接合
面と平行方向、すなわち電界ベクトルの方向が水平方向
である。This laser is a TE (transverse electri
It oscillates in the c) mode, and the polarization direction of the laser light is parallel to the joint surface, that is, the direction of the electric field vector is horizontal.

【００４７】図２（ｂ）において、１０１（３０）はｎ
型ＧａＡｓ基板、１０２（３１）はｎ型ＩｎＧａＡｌＰ
クラッド層、１０４はｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、
１０３（３３）はＧａＡｌＡｓの多重量子井戸構造（Ｍ
ＱＷ）からなる活性層、１０４はｎ型ＧａＡｓ電流阻止
層、１０５はｐ型ＧａＡｓコンタクト層である。ダブル
へテロ構造部のクラッド層１０４がメサ状に加工され、
その側面に電流阻止層１０４が埋め込まれてた埋め込み
レーザとなっている。但し、レーザ素子の構造として
は、図２（ｂ）に表したものには限らず、各種の変形が
可能であることは勿論のことである。In FIG. 2B, 101 (30) is n
Type GaAs substrate, 102 (31) is n type InGaAlP
Clad layer, 104 is a p-type InGaAlP clad layer,
103 (33) is a GaAlAs multiple quantum well structure (M
QW) is an active layer, 104 is an n-type GaAs current blocking layer, and 105 is a p-type GaAs contact layer. The clad layer 104 of the double hetero structure is processed into a mesa,
It is a buried laser in which the current blocking layer 104 is buried on the side surface. However, the structure of the laser element is not limited to that shown in FIG. 2B, and it goes without saying that various modifications are possible.

【００４８】絶縁膜３４としてはＳｉＯ２、ＴｉＯ２、
Ｔａ２Ｏ５、α−Ｓｉなどを用いることができる。この
層は、半導体レーザ素子端面の保護膜としての役割もあ
る。また、光吸収膜３５の材料としては、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｔｉなどの金属を用いることができ
る。As the insulating film 34, SiO 2 , TiO 2 ,
Ta 2 O 5 , α-Si, or the like can be used. This layer also serves as a protective film on the end face of the semiconductor laser device. Further, as the material of the light absorption film 35, Au, Ag,
Metals such as Cu, Al, Pt and Ti can be used.

【００４９】これらの金属は非常に大きい吸収係数を持
つため、例えば１００ｎｍ程度の厚さがあれば、開口の
ない領域では光は殆ど透過しない。しかしながら、開口
部を透過する光の損失に関しては、これまで十分な解析
が行われていなかった。通常の微小開口では、開口部を
透過する光も大きな損失を受けるため、効率が極めて低
いという問題があった。Since these metals have a very large absorption coefficient, if the thickness is, for example, about 100 nm, almost no light is transmitted in a region without an opening. However, the loss of light transmitted through the opening has not been sufficiently analyzed so far. In a normal minute aperture, the light passing through the aperture also suffers a large loss, so there is a problem that the efficiency is extremely low.

【００５０】本発明のひとつの特徴は、レーザ光の偏光
方向に沿った開口幅Ｗ１を偏光方向に垂直な方向の開口
幅Ｗ２よりも短くしたことである。より具体的には、レ
ーザ光の偏光方向と同じ方向の開口幅Ｗ１が半導体レー
ザの発振波長の１／２よりも短く、偏光方向に垂直な開
口幅Ｗ２を開口幅Ｗ１よりも長くすることが望ましい。
これにより、開口を透過する光の損失を極めて小さくで
きる。その原理について、以下に説明する。One feature of the present invention is that the opening width W1 along the polarization direction of the laser light is made shorter than the opening width W2 in the direction perpendicular to the polarization direction. More specifically, the opening width W1 in the same direction as the polarization direction of the laser light may be shorter than 1/2 of the oscillation wavelength of the semiconductor laser, and the opening width W2 perpendicular to the polarization direction may be longer than the opening width W1. desirable.
Thereby, the loss of light transmitted through the opening can be made extremely small. The principle will be described below.

【００５１】図３（ａ）（ｂ）は、金属導波路中の導波
モードを計算した結果を表すグラフ図である。ここでは
簡単のために、金（Ａｕ）に微小開口として幅５０ｎｍ
のスリットを設けた場合の導波モードを計算した。ま
た、図３（ａ）は開口幅が５０ナノメータと比較的小さ
い場合、図３（ｂ）は開口幅が３００ナノメータと比較
的大きい場合をそれぞれ表す。FIGS. 3 (a) and 3 (b) are graphs showing the results of calculating the guided mode in the metal waveguide. Here, for simplification, the width is 50 nm as a minute opening in gold (Au).
The waveguide mode in the case of providing the slit of was calculated. Further, FIG. 3A shows a case where the opening width is comparatively small as 50 nanometers, and FIG. 3B shows a case where the opening width is comparatively large as 300 nanometers.

【００５２】図３から明らかなように、モードの分布形
状がＴＥモード（電界ベクトルの方向がスリット両端の
境界線に対して平行なモード）とＴＭ（transverse mag
netic）モード（磁界ベクトルの方向がスリット両端の
境界線に対して平行なモード）とで大きく異なってい
る。なお、ここで言う「ＴＥモード」、「ＴＭモード」
とは、レーザ素子の発振モードではなく、スリットに対
して定義している。As is clear from FIG. 3, the mode distribution shapes are TE mode (the direction of the electric field vector is parallel to the boundary lines at both ends of the slit) and TM (transverse mag).
netic) mode (the direction of the magnetic field vector is parallel to the boundaries of the slit ends) is very different. The "TE mode" and "TM mode" mentioned here
Is defined not for the oscillation mode of the laser element but for the slit.

【００５３】図３の縦軸に表した光強度は、ポインティ
ングベクトルの伝搬方向成分を示したもので、ＴＭモー
ドの光強度が空気と金属との界面で不連続なのは、電界
ベクトルの境界面に垂直方向の成分が不連続であること
に起因している。すなわち、連続となる量は電界ベクト
ルの境界面に垂直な方向の成分をｎ２で割ったもの（ｎ
は複素屈折率）であるため、ｎ２の実数部絶対値が大き
い金属中では、光強度が大幅に小さくなる。The light intensity shown on the vertical axis in FIG. 3 represents the propagation direction component of the pointing vector. The light intensity in the TM mode is discontinuous at the interface between air and metal at the boundary surface of the electric field vector. This is due to the discontinuity of the vertical components. That is, the continuous amount is obtained by dividing the component in the direction perpendicular to the boundary surface of the electric field vector by n 2 (n
Is a complex refractive index), the light intensity is significantly reduced in a metal having a large absolute value of the real part of n 2 .

【００５４】一方、ＴＥモードでは境界面に垂直方向の
電界ベクトル成分は０であるために、１／ｎ２の係数は
かからず、金属中に大きくしみ出すモードとなる。On the other hand, in the TE mode, since the electric field vector component in the direction perpendicular to the boundary surface is 0, the coefficient of 1 / n 2 is not applied, and the mode is that which greatly exudes into the metal.

【００５５】図３（ｂ）に示したように、スリット（開
口）幅が比較的大きいと、このしみ出しはあまり顕著で
はない。これに対して、図３（ａ）のように小さいスリ
ット幅ではＴＥモードのしみ出し部分が大きくなり、Ｔ
Ｍモードと比較すると「しみ出し」の割合が大きく異な
る。金属中にしみ出している部分は大きな吸収損失を受
けるため、導波モードとしては大きな損失を持つモード
となる。しかしながら、ＴＭモードではスリット幅が小
さくても、上述した理由により金属中へのしみ出しが小
さいため、導波モード損失は極めて小さい。As shown in FIG. 3B, when the slit (opening) width is relatively large, this bleeding is not so remarkable. On the other hand, with a small slit width as shown in FIG.
Compared with the M mode, the rate of "bleeding out" is significantly different. Since the portion exuding in the metal receives a large absorption loss, it becomes a mode having a large loss as a guided mode. However, in the TM mode, even if the slit width is small, since the exudation into the metal is small for the above-mentioned reason, the waveguide mode loss is extremely small.

【００５６】図１、図２に示した実施形態は、この特徴
を利用したものである。すなわち、レーザ光の偏光方向
と同じ方向ではスリット幅を小さくしても損失は大きく
ならないという特徴を利用して、この方向の開口幅を短
くし、効率の高い微小スポット光を得ることを可能にし
たものである。The embodiment shown in FIGS. 1 and 2 utilizes this feature. In other words, by utilizing the feature that the loss does not increase even if the slit width is made smaller in the same direction as the polarization direction of the laser light, it is possible to shorten the opening width in this direction and obtain highly efficient minute spot light. It was done.

【００５７】図４（ａ）は、スリット形状と各方向の光
強度分布を表す説明図である。また、図４（ｂ）は、こ
の光強度分布を３次元的に表したグラフ図である。FIG. 4A is an explanatory view showing the slit shape and the light intensity distribution in each direction. In addition, FIG. 4B is a graph showing the light intensity distribution three-dimensionally.

【００５８】レーザ光の偏光方向に対して、スリット形
状を図４（ａ）に示したような配置に設定することによ
り、波長以下の微小開口においても極めて低損失の導波
モードを実現することができる。つまり、開口周囲の金
属部分へのしみ出しによる光の損失を大幅に低減し、飛
躍的に高い効率で光を取り出して媒体に照射することが
できる。By setting the slit shape as shown in FIG. 4 (a) with respect to the polarization direction of the laser light, it is possible to realize a waveguide mode with extremely low loss even in a minute aperture of a wavelength or less. You can In other words, it is possible to significantly reduce the loss of light due to seeping into the metal portion around the opening, and extract the light with a dramatically high efficiency to irradiate the medium.

【００５９】さらに、本発明によると、媒体の磁化遷移
を直線的に形成し、再生分解能を改善することもでき
る。Further, according to the present invention, it is possible to improve the reproduction resolution by linearly forming the magnetization transition of the medium.

【００６０】図５は、記録媒体に形成される磁化遷移を
表した概念図であり、同図（ａ）は通常の光ビームによ
り加熱する記録方式による場合、同図（ｂ）は本発明の
熱アシスト磁気記録による場合をそれぞれ表す。FIG. 5 is a conceptual diagram showing the magnetization transition formed on the recording medium. FIG. 5A shows the case of a recording method in which heating is performed by an ordinary light beam, and FIG. 5B shows the case of the present invention. The case of thermally assisted magnetic recording is shown.

【００６１】図５（ａ）に表したように、通常の光ビー
ムを用いて媒体を加熱し磁気記録を実行すると、磁化遷
移は涙型に湾曲して形成される。これは、通常の光ビー
ムはガウス型の強度分布を有し、このような光ビームに
より媒体が加熱されると、ガウス型の強度分布に対応し
て湾曲した温度分布が媒体に形成されるからである。As shown in FIG. 5A, when the medium is heated using a normal light beam to perform magnetic recording, the magnetization transition is formed in a tear-shaped curve. This is because a normal light beam has a Gaussian intensity distribution, and when the medium is heated by such a light beam, a curved temperature distribution corresponding to the Gaussian intensity distribution is formed in the medium. Is.

【００６２】従って、記録磁極から媒体に記録磁界を印
加して磁気転移を形成すると、磁化遷移は湾曲して形成
される。磁気ヘッドの再生部において磁気ギャップは通
常は直線状に形成されるので、媒体の磁化遷移の湾曲量
ΔＸが大きい程、再生分解能は低下することとなる。Therefore, when a recording magnetic field is applied to the medium from the recording magnetic pole to form a magnetic transition, the magnetization transition is curved. Since the magnetic gap is usually formed in a linear shape in the reproducing portion of the magnetic head, the larger the amount of curvature ΔX of the magnetization transition of the medium, the lower the reproducing resolution.

【００６３】これに対して、本発明によれば、図５
（ｂ）に表したように磁化遷移を直線状に形成すること
ができる。これは、図５（ｂ）に表したように、媒体表
面における光強度分布はに内側に湾曲した分布を有し、
媒体上では加熱部から周囲への放熱が生ずるために、結
果として形成される等温分布が直線状に近づくからであ
る。この効果は、図４（ａ）及び（ｂ）に例示したよう
な独特の光強度分布からも理解できる。On the other hand, according to the present invention, as shown in FIG.
The magnetization transition can be linearly formed as shown in FIG. This is because, as shown in FIG. 5B, the light intensity distribution on the medium surface has a distribution curved inwardly,
This is because heat is radiated from the heating section to the surroundings on the medium, and the resulting isothermal distribution approaches a linear shape. This effect can also be understood from the unique light intensity distribution as illustrated in FIGS. 4 (a) and 4 (b).

【００６４】このように直線上の等温線が形成される結
果として、磁気記録により生ずる磁化遷移も直線状に形
成することができ、高い記録分解能を得ることできる。As a result of forming the linear isotherms in this way, the magnetization transition caused by magnetic recording can also be formed linearly, and a high recording resolution can be obtained.

【００６５】さらに、本発明によれば、図４（ａ）及び
（ｂ）に例示したように、記録トラックの幅方向（媒体
走行方向に対して垂直な方向）に沿った光強度分布を極
めて急峻にすることができる。従って、トラック方向に
みた開口の幅をトラック幅と略等しくすると、光が隣接
トラックに照射されて生ずる「クロスイレーズ」を確実
且つ容易に低減することができる。Further, according to the present invention, as shown in FIGS. 4A and 4B, the light intensity distribution along the width direction of the recording track (direction perpendicular to the medium running direction) is extremely high. Can be steep. Therefore, if the width of the opening as viewed in the track direction is made substantially equal to the track width, it is possible to reliably and easily reduce the "cross erase" that occurs when light is emitted to an adjacent track.

【００６６】ところで、図３および図４では、微小開口
を設ける光吸収薄膜が金の場合を示したが、他の金属
膜、例えば銀（Ａｇ）の場合も同様である。By the way, in FIGS. 3 and 4, the case where the light absorption thin film provided with the minute openings is gold is shown, but the same applies to the case of another metal film such as silver (Ag).

【００６７】図６は、Ａｇにおける導波モードの解析例
を表すグラフ図である。同図から明らかなように、やは
りＴＭモードもしみ出しが小さく、損失が小さいことが
分かる。FIG. 6 is a graph showing an analysis example of the guided mode in Ag. As is clear from the figure, it is understood that the TM mode also has a small exudation and a small loss.

【００６８】図７は、Ａｕ導波路における導波モード損
失のスリット幅Ｗに対する依存性を計算した例を表すグ
ラフ図である。同図から、スリット幅の小さい領域で
は、ＴＭモードの損失がＴＥモードに比べて２桁低いこ
とが分かる。すなわち、狭い開口幅の方向に対しては、
ＴＭモードすなわち偏光方向が開口の辺に直交する方向
で用いると損失が極めて小さくなることが定量的に示さ
れている。FIG. 7 is a graph showing an example of calculating the dependence of the waveguide mode loss on the slit width W in the Au waveguide. From the figure, it can be seen that the loss of the TM mode is two orders of magnitude lower than that of the TE mode in the region where the slit width is small. That is, in the direction of the narrow opening width,
It is quantitatively shown that the loss is extremely small when used in the TM mode, that is, in the direction in which the polarization direction is orthogonal to the side of the aperture.

【００６９】具体例として、厚さ１００ｎｍのＡｕに５
０ｎｍの開口（スリット）が開いていた場合、図７より
透過率は以下のようになる。As a concrete example, it is possible to add 5 to Au having a thickness of 100 nm.
When the 0 nm opening (slit) is open, the transmittance is as follows from FIG. 7.

【００７０】開口のないところ：０．００１ ＴＥモード透過率：０．００６ ＴＭモード透過率：０．９５６ 従って、この厚さの吸収膜では光は十分減衰し、かつＴ
Ｍモードは開口部を殆ど損失がなく透過できることが分
かる。一方、ＴＥモードはこのスリット幅では殆ど透過
しない。図７からＴＥモードに対してはスリット幅を２
６０ｎｍ以上とすることにより損失を低減できることが
分かる。No aperture: 0.001 TE mode transmittance: 0.006 TM mode transmittance: 0.956 Therefore, the absorption film of this thickness attenuates light sufficiently and T
It can be seen that the M mode can pass through the opening with almost no loss. On the other hand, the TE mode hardly transmits light with this slit width. From Fig. 7, the slit width is 2 for TE mode.
It can be seen that the loss can be reduced by setting the thickness to 60 nm or more.

【００７１】以上詳述したように、開口の形状として
は、レーザ光の偏光方向の幅を狭く、それと直交する方
向を長くした構造、すなわち図２或いは図４（ａ）に示
したような配置にしておけば極めて損失が少なく且つ微
小な寸法の光スポットを得ることが可能となる。As described above in detail, the shape of the opening is such that the width of the laser light in the polarization direction is narrow and the direction orthogonal thereto is long, that is, the arrangement as shown in FIG. 2 or FIG. 4 (a). If so, it becomes possible to obtain a light spot with extremely small loss and a minute size.

【００７２】本実施形態においては、レーザ光の偏光方
向が水平方向であるので、開口は縦長の形状としてい
る。具体的には水平方向の開口幅Ｗ１を発振波長の１／
２より短く、垂直方向の開口幅Ｗ２をそれより大きくと
っている。上述した計算結果より、例えばＷ１を５０ｎ
ｍと小さくしても開口を透過する光の損失は極めて小さ
いことが分かる。これにより、波長よりも１桁程度小さ
いビームサイズの光スポットで記録媒体の記録部を効果
的に加熱昇温することが可能となる。In the present embodiment, since the polarization direction of the laser light is horizontal, the opening has a vertically long shape. Specifically, the aperture width W1 in the horizontal direction is 1 / of the oscillation wavelength.
It is shorter than 2 and the opening width W2 in the vertical direction is larger than that. From the above calculation results, for example, W1 is 50n
It can be seen that the loss of light passing through the aperture is extremely small even if the value is made small. As a result, it is possible to effectively heat and raise the temperature of the recording portion of the recording medium with a light spot having a beam size that is smaller than the wavelength by about one digit.

【００７３】なお、光吸収膜１２としては上述のＡｕだ
けでなく、他の金属も有効である。図８〜図１２は、そ
れぞれＡｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｔｉを光吸収膜として
用いた場合のＴＥモード、ＴＭモードそれぞれに対する
損失を計算した結果を例示するグラフ図である。いずれ
もＴＭモードの方がＴＥモードより損失が小さく、ま
た、Ａｇ、Ｃｕ、ＡｌはＡｕと同様に２桁程度或いはそ
れ以上損失差があり、本発明の光吸収膜として極めて有
効であることが分かる。As the light absorption film 12, not only Au described above but also other metals are effective. FIG. 8 to FIG. 12 are graphs illustrating the results of calculating the loss for each of the TE mode and the TM mode when Ag, Cu, Al, Pt, and Ti are used as the light absorption film. In both cases, the TM mode has a smaller loss than the TE mode, and Ag, Cu, and Al have a loss difference of about two digits or more like Au, and are extremely effective as the light absorbing film of the present invention. I understand.

【００７４】次に、開口から出射した後の光強度分布に
ついてさらに詳細に説明する。Next, the light intensity distribution after being emitted from the aperture will be described in more detail.

【００７５】図１３はスリットから空気中に出た後の光
強度分布を示したグラフ図である。すなわち、同図
（ａ）〜（ｄ）はそれぞれスリット幅Ｗが１００、５
０、３０及び１０ナノメータの場合のエバネッセント
（evanescent）光も含んだ全体の光強度分布を表し、同
図（ｅ）〜（ｈ）はそれらのうちの伝搬光成分すなわち
ポインティングベクトル成分を表すグラフ図である。FIG. 13 is a graph showing the light intensity distribution after the light is emitted from the slit into the air. That is, the slit width W is 100 and 5 in FIGS.
The entire light intensity distribution including evanescent light in the case of 0, 30 and 10 nanometers is shown, and (e) to (h) of the same figure are graphs showing propagating light components, that is, pointing vector components. Is.

【００７６】これらのグラフから分かるように、伝搬光
成分はスリット幅Ｗとレーザ波長λとの比Ｗ／λが大き
いほど大きくなる。実際に利用できる光は伝搬光成分が
主となるので、Ｗ／λは大きい方が望ましい。一方、微
小スポットを得るためには、Ｗを小さくすることが必要
である。従って、レーザ光の波長λが小さい値、すなわ
ち短波長ほど、微小スポットを得るのに有利である点は
従来の光学系と同様である。As can be seen from these graphs, the propagating light component becomes larger as the ratio W / λ of the slit width W and the laser wavelength λ becomes larger. Since the propagating light component is mainly the light that can be actually used, it is desirable that W / λ is large. On the other hand, it is necessary to reduce W in order to obtain a minute spot. Therefore, the smaller the wavelength λ of the laser light, that is, the shorter the wavelength, the more advantageous it is to obtain a minute spot, as in the conventional optical system.

【００７７】一方、光源波長が短波長の場合には、それ
に適した吸収膜を設けることが必要である。On the other hand, when the light source wavelength is a short wavelength, it is necessary to provide an absorbing film suitable for it.

【００７８】図１４は、図３に例示したＡｕのスリット
に対して、光源波長が４００ｎｍの場合の導波モードの
様子を表すグラフ図である。ここで留意すべき点は、同
じＡｕであっても、図３の場合と異なり、ＴＭモードで
のしみ出しが大きいことである。これは、波長４００ｎ
ｍでは金におけるｎ２の実数部が１より小さく、従って
金属中ではむしろ電界強度が大きくなることによるもの
である。FIG. 14 is a graph showing the mode of the guided mode for the Au slit illustrated in FIG. 3 when the light source wavelength is 400 nm. Here, it should be noted that even with the same Au, the seepage in the TM mode is large unlike the case of FIG. This is a wavelength of 400n
This is because the real part of n 2 in gold is smaller than 1 in m, and therefore the electric field strength is rather large in metal.

【００７９】これに対して、アルミニウム（Ａｌ）の場
合では、４００ｎｍにおいてもｎ２の実数部が１より大
きい。このため、図１５に表したように、ＴＭモードは
金属中で大きく減衰し、結果的に損失は小さくなる。On the other hand, in the case of aluminum (Al), the real part of n 2 is larger than 1 even at 400 nm. Therefore, as shown in FIG. 15, the TM mode is greatly attenuated in the metal, resulting in a smaller loss.

【００８０】図１６及び図１７は、それぞれ金及びアル
ミニウムの場合の各モードの損失を定量的に表したグラ
フ図である。これらのグラフから、短波長の４００ｎｍ
では光吸収膜として、例えばアルミニウムを用いるのが
望ましいことが分かる。FIGS. 16 and 17 are graphs quantitatively showing the loss of each mode in the case of gold and aluminum, respectively. From these graphs, the short wavelength of 400 nm
Then, it is understood that it is desirable to use, for example, aluminum as the light absorption film.

【００８１】以上詳述したように光源の波長に応じて適
宜材料を選択して開口を形成し、その開口部のトレーリ
ング側に記録磁極を近接配置しておけば、所定パワーの
光が前記開口から記録媒体の記録部へ高効率で照射され
る為、効率良く記録部を加熱昇温することが可能とな
る。この加熱昇温された記録部に記録磁極から記録磁界
を印加して、その後、急冷過程を経て記録磁化を安定化
させれば高速かつ超高密度の熱アシスト磁気記録を実現
することができる。As described in detail above, if an opening is formed by appropriately selecting a material according to the wavelength of the light source and the recording magnetic pole is arranged close to the trailing side of the opening, the light of a predetermined power can be emitted. Since the recording portion of the recording medium is irradiated with high efficiency from the opening, the recording portion can be efficiently heated and heated. By applying a recording magnetic field from the recording magnetic pole to the heated and heated recording portion and then stabilizing the recording magnetization through a quenching process, high speed and ultra high density thermally assisted magnetic recording can be realized.

【００８２】ところで、上述した具体例ではＦＩＢエッ
チングにより空洞状の開口部を形成したが、薄膜形成技
術とフォトリソグラフィー技術を用いて、この開口部内
部に屈折率の高い誘電体あるいは半導体などの材料を埋
め込むことにより、開口部から記録媒体側にしみ出す光
の利用効率をより向上させることができる。その結果、
より効率的に熱アシスト磁気記録することができる。By the way, although the hollow opening is formed by FIB etching in the above-described specific example, a material such as a dielectric or a semiconductor having a high refractive index is formed inside this opening by using the thin film forming technique and the photolithography technique. By embedding, it is possible to further improve the utilization efficiency of light that exudes from the opening to the recording medium side. as a result,
Heat-assisted magnetic recording can be performed more efficiently.

【００８３】なお、本実施例は、媒体としては多粒子系
を用いたが、基板上に、連続磁性膜そして多粒子系磁性
膜を順次積層した構成、あるいは、基板上に、連続磁性
層、数ｎｍ厚み程度の極薄の非磁性層（あるいはＣｏＺ
ｒＮｂ等の軟磁性アモルファス層）、多粒子系磁性層を
順次積層した構成を用いても差し支えない。In this example, a multi-particle type was used as the medium, but a structure in which a continuous magnetic film and a multi-particle type magnetic film were sequentially laminated on the substrate, or a continuous magnetic layer, An extremely thin non-magnetic layer (or CoZ
A structure in which a soft magnetic amorphous layer such as rNb) and a multi-particle magnetic layer are sequentially stacked may be used.

【００８４】このような構成の媒体を用いることで、多
粒子系層と連続磁性層との間に働く交換結合力の温度特
性を利用することによって、多粒子系記録層単体では得
ることが困難な記録温度付近での保持力Ｈｃ０の温度特
性を急峻化したり、記録温度付近からそれ以上の温度で
媒体記録層の活性化体積Ｖを増やすことが可能となる。
その結果として、トラック方法の線記録分解能を上げて
も（すなわち記録信号周波数を増加させても）、記録磁
化を安定に形成することが可能となり、しかも、例え、
光ビーム径を記録トラック幅より大きくすることで隣接
記録トラックが比較的高温度にさらされても、Ｖの増加
により熱擾乱耐性が増す為、クロスイレーズを招くおそ
れも解消することができる。It is difficult to obtain a single multi-particle recording layer by utilizing the temperature characteristic of the exchange coupling force acting between the multi-particle layer and the continuous magnetic layer by using the medium having such a structure. It becomes possible to sharpen the temperature characteristic of the coercive force Hc0 near the recording temperature, or to increase the activation volume V of the medium recording layer at a temperature near the recording temperature and higher.
As a result, even if the linear recording resolution of the track method is increased (that is, the recording signal frequency is increased), the recording magnetization can be stably formed, and, for example,
By making the light beam diameter larger than the recording track width, even if the adjacent recording tracks are exposed to a relatively high temperature, the thermal disturbance resistance increases due to the increase in V, so that the possibility of causing cross erase can be eliminated.

【００８５】さらには、本発明は、連続磁性膜を媒体と
して用いる場合にも効果的である。連続磁性膜媒体とし
ては、例えば、光磁気記録媒体として用いられている、
非晶質希土類・遷移金属フェリ磁性合金膜（Ｒ−Ｔ
膜）、より具体的には、ガラス基板上に、Ａｌ合金系ヒ
ートシンク層、ＴｂＦｅＣｏ記録層、Ｃ保護層、潤滑層
を順次積層した構成などを挙げることができる。Furthermore, the present invention is also effective when a continuous magnetic film is used as a medium. As the continuous magnetic film medium, for example, used as a magneto-optical recording medium,
Amorphous rare earth / transition metal ferrimagnetic alloy film (RT
Film), and more specifically, a structure in which an Al alloy heat sink layer, a TbFeCo recording layer, a C protective layer, and a lubricating layer are sequentially laminated on a glass substrate.

【００８６】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態について説明する。(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described.

【００８７】図１８は、本実施形態の熱アシスト磁気記
録装置の概略構成を表す断面図である。また、図１９
は、本実施形態において用いる発光素子の構成を表す斜
視概念図である。なお、図１８は、媒体を含めたトラッ
ク方向の側断面図であり、図１９のＡ−Ａ’線（この直
線の方向は記録トラック方向を意味する）で切断した断
面図である。これらに図面については、図１乃至図２に
関して前述したものと同様の要素には同一の符合を付し
て詳細な説明は省略する。FIG. 18 is a sectional view showing a schematic structure of the heat-assisted magnetic recording apparatus of this embodiment. In addition, FIG.
[FIG. 3] is a perspective conceptual view showing a configuration of a light emitting element used in the present embodiment. 18 is a side sectional view in the track direction including the medium, and is a sectional view taken along the line AA ′ in FIG. 19 (the direction of this straight line means the recording track direction). With regard to these drawings, elements similar to those described above with reference to FIGS. 1 and 2 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【００８８】図中２０は半導体レーザ素子、３３は活性
層、３４は絶縁膜、３５は光吸収膜、３６は光吸収膜３
５に設けられた開口である。このレーザの偏光方向は接
合面と垂直方向、すなわち電界ベクトルの方向が垂直方
向である。また、接合面の方向が記録トラック方向であ
る。In the figure, 20 is a semiconductor laser device, 33 is an active layer, 34 is an insulating film, 35 is a light absorbing film, and 36 is a light absorbing film 3.
5 is an opening. The polarization direction of this laser is perpendicular to the joint surface, that is, the direction of the electric field vector is perpendicular. The direction of the joint surface is the recording track direction.

【００８９】本実施形態が前述した第１実施形態と異な
る点は、レーザの偏光方向である。このように接合面に
垂直な方向に偏光方向があるレーザは、例えばクラッド
層中に光損失層を設けてＴＥモードの損失をＴＭモード
より大きくする（すなわち、そのような位置に光吸収層
を設ける）、或いは活性層に引っ張り歪みを導入してＴ
Ｍモード発振とする等の方法により実現できる。The difference between this embodiment and the first embodiment is the polarization direction of the laser. In such a laser having a polarization direction perpendicular to the junction surface, for example, an optical loss layer is provided in the cladding layer to make the TE mode loss larger than the TM mode (that is, the optical absorption layer is provided at such a position). (Provided) or by introducing tensile strain in the active layer
This can be realized by a method such as M mode oscillation.

【００９０】本実施形態では偏光方向が垂直方向である
ため、光吸収膜３５に設けた開口３６は図１９において
横長の形状となっている。すなわち、偏光方向に平行な
方向の開口幅Ｗ１が半導体レーザの発振波長λの１／２
より短く、偏光方向に垂直な方向の開口幅Ｗ２はＷ１よ
り大きくなっている。本構造の利点は半導体レーザ素子
の発振モードの２次元形状と開口形状とを相似形にでき
ることである。これにより、半導体レーザ素子からの光
出力を極めて効率良く開口部に入射させることができ
る。In this embodiment, since the polarization direction is the vertical direction, the opening 36 provided in the light absorption film 35 has a horizontally long shape in FIG. That is, the aperture width W1 in the direction parallel to the polarization direction is 1/2 of the oscillation wavelength λ of the semiconductor laser.
The opening width W2, which is shorter and is perpendicular to the polarization direction, is larger than W1. The advantage of this structure is that the two-dimensional shape of the oscillation mode of the semiconductor laser device and the opening shape can be made similar. As a result, the light output from the semiconductor laser element can be made to enter the opening extremely efficiently.

【００９１】本実施形態により、図１に示す第１の実施
形態と基本的に同様の作用、効果を得ることができる。According to this embodiment, basically the same operation and effect as those of the first embodiment shown in FIG. 1 can be obtained.

【００９２】（第３の実施形態）次に、本発明の第３の
実施の形態について説明する。(Third Embodiment) Next, a third embodiment of the present invention will be described.

【００９３】図２０は、本実施形態の熱アシスト磁気記
録装置の概略構成を表す概念図である。また、図２１
は、本実施形態において用いる発光素子の構成を表す斜
視概念図である。ここで、図２０は、媒体を含めたトラ
ック方向の側断面図であり、図２１のＡ−Ａ’線（この
直線の方向は記録トラック方向を意味する）で切断した
断面図である。図２０及び図２１についても、図１乃至
図１９に関して前述したものと同様の要素には同一の符
合を付して詳細な説明は省略する。FIG. 20 is a conceptual diagram showing a schematic configuration of the heat-assisted magnetic recording apparatus of this embodiment. In addition, FIG.
[FIG. 3] is a perspective conceptual view showing a configuration of a light emitting element used in the present embodiment. Here, FIG. 20 is a side sectional view in the track direction including the medium, and is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 21 (the direction of this straight line means the recording track direction). 20 and 21, the same elements as those described above with reference to FIGS. 1 to 19 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【００９４】前記した第１及び第２実施形態は、通常の
積層型薄膜磁気ヘッドのリーディング側に端面発光型レ
ーザ素子を設けた構成を有するが、本発明はプラナー型
薄膜磁気ヘッドに垂直共振器面発光型レーザ素子を設け
る場合にも適用可能である。図２０は、記録素子部と端
面発光型レーザ素子部そしてヨーク型ＧＭＲ再生素子を
示したものである。ヨーク型ＧＭＲ（giant magnetores
istive）再生素子において、５６はＧＭＲ素子、５７は
互いに磁気ギャップを形成する磁気ヨーク５４、５５と
ＧＭＲ素子５６との電気的絶縁を保つＡＬ２Ｏ３等から
成る非磁性絶縁層である。なお、ＧＭＲ素子にセンス電
流を通電するための電極膜は図示していない。また、磁
気記録素子は上述の実施形態と基本的に同じ構成であ
る。また、再生素子は、記録ヘッドとは別体のヘッドに
設けても良い。The first and second embodiments described above have a structure in which an edge emitting laser element is provided on the leading side of a normal laminated thin film magnetic head, but the present invention is a planar thin film magnetic head with a vertical resonator. It is also applicable to the case where a surface emitting laser element is provided. FIG. 20 shows a recording element portion, an edge emitting laser element portion, and a yoke type GMR reproducing element. Yoke type GMR (giant magnetores)
In the istive reproducing element, 56 is a GMR element, and 57 is a non-magnetic insulating layer made of AL2O3 or the like for maintaining electrical insulation between the magnetic yokes 54 and 55 forming a magnetic gap and the GMR element 56. An electrode film for passing a sense current to the GMR element is not shown. The magnetic recording element has basically the same configuration as that of the above-described embodiment. The reproducing element may be provided in a head separate from the recording head.

【００９５】図２０及び図２１において、符号３０はｎ
型半導体基板、３１はｎ型ＤＢＲ反射層、３３は活性層
領域（光学的厚さ＝発振波長）、１３３はｐ型ＤＢＲ反
射層、１３４、１３５はｐ型コンタクト層、３４は絶縁
膜、３５は光吸収膜、３６は光吸収膜３５に設けられた
開口、１３９、１４０はそれぞれｎ電極およびｐ電極で
ある。このレーザ素子は垂直共振器面発光型レーザ素子
すなわち面発光レーザ素子である。In FIGS. 20 and 21, reference numeral 30 is n.
Type semiconductor substrate, 31 is an n-type DBR reflective layer, 33 is an active layer region (optical thickness = oscillation wavelength), 133 is a p-type DBR reflective layer, 134 and 135 are p-type contact layers, 34 is an insulating film, 35 Is a light absorbing film, 36 is an opening provided in the light absorbing film 35, and 139 and 140 are an n-electrode and a p-electrode, respectively. This laser device is a vertical cavity surface emitting laser device, that is, a surface emitting laser device.

【００９６】本実施形態においても、開口幅はレーザ光
の偏光方向に平行方向が狭く（λ／２以下）、垂直方向
が広くなっている。これにより開口３６を透過する光の
損失を大きく低減できることは、第１および第２の実施
形態で説明した通りである。偏光方向に直交するＡ−
Ａ’方向が記録トラック方向であり、開口３６はこの方
向に細長い矩形形状を有する。記録磁極４０は開口３６
のトレーリング側に近接配置される。このような構成を
取ることによって、上述の実施形態と同様の作用、効果
を得ることができる。Also in the present embodiment, the aperture width is narrow in the direction parallel to the polarization direction of the laser light (λ / 2 or less) and wide in the vertical direction. As described above, the loss of light transmitted through the opening 36 can be greatly reduced as described in the first and second embodiments. A- orthogonal to the polarization direction
The A'direction is the recording track direction, and the opening 36 has an elongated rectangular shape in this direction. The recording magnetic pole 40 has an opening 36.
It is placed close to the trailing side of the. By adopting such a configuration, the same operation and effect as those of the above-described embodiment can be obtained.

【００９７】（第４の実施形態）次に、本発明の第４の
実施の形態ついて説明する。(Fourth Embodiment) Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.

【００９８】図２２は、本実施形態にかかる熱アシスト
磁気記録装置の概略構成を表す断面図である。同図につ
いても、図１乃至図２１に関して前述したものと同様の
部分には同一の符合を付して詳細な説明は省略する。FIG. 22 is a sectional view showing a schematic structure of the heat-assisted magnetic recording apparatus according to this embodiment. Also in this figure, parts similar to those described above with reference to FIGS. 1 to 21 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【００９９】本実施形態は、上述した第３実施形態の変
形例である。すなわち、本実施形態においては、記録媒
体の記録層２０の上に、高い光屈折率を有する光反射防
止層２４を設けることによって、開口部３６から記録媒
体へ照射される光の利用効率を一層高めることが可能と
なる。光反射防止層２４の材料としては、例えば、Ｇａ
Ｐ、ＧａＡｓ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳなどの可視光領域で屈
折率が３以上の半導体または誘電体などを挙げることが
できる。The present embodiment is a modification of the above-mentioned third embodiment. That is, in the present embodiment, by providing the light reflection preventing layer 24 having a high light refractive index on the recording layer 20 of the recording medium, the utilization efficiency of the light emitted from the opening 36 to the recording medium is further improved. It is possible to raise it. Examples of the material of the light antireflection layer 24 include Ga
Examples thereof include semiconductors or dielectrics having a refractive index of 3 or more in the visible light region such as P, GaAs, ZnSe, and ZnS.

【０１００】さらに、本実施形態においては、端面発光
型レーザ素子の光出射面から放出される光を集束して前
記開口３６に入射させる波面変換部として働く光学的集
光手段３９を備える。集光手段３９の具体例としては、
例えば回折格子レンズを挙げることができる。Further, in the present embodiment, there is provided an optical condensing means 39 which functions as a wavefront conversion part for converging the light emitted from the light emitting surface of the edge emitting laser device and making it enter the opening 36. As a concrete example of the light collecting means 39,
For example, a diffraction grating lens can be used.

【０１０１】図２３は、回折格子レンズを概念的に表し
た要部概念であり、同図（ａ）は要部断面図、同図
（ｂ）はその平面構成図である。23A and 23B are conceptual views of a main part conceptually showing a diffraction grating lens. FIG. 23A is a sectional view of the main part and FIG.

【０１０２】このレンズは薄膜工程とフォトリソグラフ
ィー技術により形成することができ、この光集束作用に
よってレーザ素子からの出射光を効率的に開口部３６へ
導くことが可能となる。上述の構成をもつことにより、
端面発光型レーザ素子と比べて比較的出力パワーが小さ
な面発光レーザ素子を用いても開口部３６から記録媒体
に対して同等パワーの光を照射し、その記録部を加熱昇
温し、熱アシスト磁気記録することが可能となる。This lens can be formed by a thin film process and a photolithography technique, and it becomes possible to efficiently guide the light emitted from the laser element to the opening 36 by this light focusing action. By having the above configuration,
Even if a surface emitting laser element whose output power is relatively smaller than that of the edge emitting laser element is used, the recording medium is irradiated with light of the same power through the opening 36 to heat and heat the recording portion to perform thermal assist. It becomes possible to record magnetically.

【０１０３】（第５の実施の形態）次に、本発明の第５
の実施の形態として、熱アシスト磁気記録装置の具体例
を説明する。(Fifth Embodiment) Next, the fifth embodiment of the present invention will be described.
As an embodiment of the present invention, a specific example of the heat-assisted magnetic recording device will be described.

【０１０４】図２４は、本具体例の熱アシスト磁気記録
装置を例示するブロック図である。図２４において、Ｉ
ｏは発光素子駆動入力、Ｉｓは信号入力、Ｏｓは信号出
力、２０１は発光素子駆動回路系、２０２はヘッドに内
蔵された発光素子、２０３はＥＣＣ（誤り訂正コード）
附加回路系、２０４は変調回路系、２０５は記録補正回
路系、２０６はヘッドに内蔵された記録素子部、２０７
は媒体、２０８はヘッドに内蔵された再生素子部、２０
９は等価回路系、２１０は復号回路系、２１１は復調回
路系、２１２はＥＣＣ回路系である。FIG. 24 is a block diagram illustrating the heat-assisted magnetic recording apparatus of this example. In FIG. 24, I
o is a light emitting element drive input, Is is a signal input, Os is a signal output, 201 is a light emitting element drive circuit system, 202 is a light emitting element built in the head, and 203 is an ECC (error correction code).
An additional circuit system, 204 is a modulation circuit system, 205 is a recording correction circuit system, 206 is a recording element unit built in the head, 207
Is a medium, 208 is a reproducing element portion built in the head, 20
Reference numeral 9 is an equivalent circuit system, 210 is a decoding circuit system, 211 is a demodulation circuit system, and 212 is an ECC circuit system.

【０１０５】従来の磁気ディスク装置に、発光素子駆動
入力Ｉｏ、発光素子駆動回路系２０１、発光素子２０２
が附加されたブロック構成を為す点、前記具体例に詳述
したように独特の開口を有する発光素子を備えたヘッド
の構成が新規な点、第４実施形態に関して前述したよう
に記録媒体の光学的特性が特別に調整されている点など
が本具体例の熱アシスト磁気記録装置を特徴付け得る要
素となる。In the conventional magnetic disk device, a light emitting element drive input Io, a light emitting element drive circuit system 201, and a light emitting element 202 are provided.
Is added, and the head having a light emitting element having a unique aperture as described in detail in the above specific example is novel, and as described above in relation to the fourth embodiment, the optical recording medium is used. The fact that the magnetic characteristics are specially adjusted is a factor that can characterize the heat-assisted magnetic recording apparatus of this specific example.

【０１０６】発光素子駆動入力はレーザ素子へのＤＣ電
圧の供給で構わず、発光素子駆動回路系は特に設けずに
発光素子をＤＣ駆動しても構わない。変調回路の出力に
同期させてパルス的に駆動しても良く、パルス駆動の方
が回路構成は複雑化するが、レーザの寿命を長期化する
上では好ましい。ＥＣＣ附加回路系２０３とＥＣＣ回路
系２１２は特に設けなくても構わない。変復調の方式、
記録補正の方式は自由に選定することが可能である。The light emitting element drive input may be a DC voltage supply to the laser element, and the light emitting element may be DC driven without providing a light emitting element drive circuit system. Pulsed driving may be performed in synchronism with the output of the modulation circuit. Although pulse driving complicates the circuit configuration, it is preferable for prolonging the life of the laser. The ECC addition circuit system 203 and the ECC circuit system 212 may not be provided. Mode of modulation and demodulation,
The recording correction method can be freely selected.

【０１０７】媒体への情報入力は、発光素子部２０２か
らの光照射と、この光照射でＨｃ０が低下している媒体
位置に、記録素子部２０６から記録信号変調された記録
磁界を印加することにある。記録情報が媒体面上の磁化
転移列として形成される点は従来の磁気記録装置と同等
である。この時に、図５に関して前述したように本発明
によれば、媒体面上での光ビームによる加熱等温線がト
ラック幅方向に直線状となり、磁化転移もトラック幅方
向に直線状となる点も特徴となり得る。直線状の磁化転
移は再生分解能を大幅に改善でき高密度化できる点で極
めて有利である。Information is input to the medium by applying light from the light emitting element section 202 and applying a recording signal-modulated recording magnetic field from the recording element section 206 to the medium position where Hc0 is lowered by this light irradiation. It is in. The point that the recorded information is formed as a magnetic transition sequence on the medium surface is the same as in the conventional magnetic recording device. At this time, according to the present invention, as described above with reference to FIG. 5, the heating isotherm by the light beam on the medium surface becomes linear in the track width direction, and the magnetic transition also becomes linear in the track width direction. Can be. The linear magnetization transition is extremely advantageous in that the reproduction resolution can be greatly improved and the density can be increased.

【０１０８】磁化転移列から発生する媒体からの漏洩磁
界を信号磁界として再生素子部２０８が検出する。再生
素子部はＧＭＲ型が典型的であるが、通常のＡＭＲ（an
isotropic magnetoresistance）型でも良く、将来的に
はＴＭＲ（tunneling magnetoresistance）型を採用し
ても良い。The reproducing element section 208 detects the leakage magnetic field from the medium generated from the magnetization transition train as a signal magnetic field. The reproducing element section is typically a GMR type, but a normal AMR (an
An isotropic magnetoresistance type may be used, and a TMR (tunneling magnetoresistance) type may be adopted in the future.

【０１０９】以上第１乃至第５実施形態として具体例を
参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。The embodiments of the present invention have been described with reference to the concrete examples as the first to fifth embodiments.

【０１１０】次に、上述した第１乃至第４実施形態にお
いて表した絶縁膜３４の厚さについて説明する。上述し
たように光吸収膜の厚さは１００ｎｍ程度あれば、開口
以外の領域で光は十分減衰される。この厚さは、光学的
厚さに換算するとλ（１波長）である。通常金属膜は、
これだけの厚さがあれば９０％以上の反射率を示すの
で、共振器の反射鏡としても十分有効である。Next, the thickness of the insulating film 34 shown in the above-described first to fourth embodiments will be described. As described above, if the thickness of the light absorption film is about 100 nm, the light is sufficiently attenuated in the region other than the opening. This thickness is λ (1 wavelength) when converted into an optical thickness. Usually a metal film is
If it has such a thickness, it exhibits a reflectance of 90% or more, so that it is sufficiently effective as a reflecting mirror of a resonator.

【０１１１】しかしながら、第１及び第２実施形態のよ
うに端面発光型レーザの端面に金属膜を設ける場合に
は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層が短絡しないように、
端面表面と金属膜との間に絶縁膜３４を設ける必要があ
る。この絶縁膜３４の厚さによっては、反射率が低減し
てしまう場合があるので、高反射率を確保できる厚さに
設定する必要がある。However, when the metal film is provided on the end surface of the edge-emitting laser as in the first and second embodiments, the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer are prevented from short-circuiting.
It is necessary to provide the insulating film 34 between the end surface and the metal film. The reflectance may be reduced depending on the thickness of the insulating film 34, so it is necessary to set the thickness to a value that ensures a high reflectance.

【０１１２】図２５は、絶縁膜３４の厚さｄに対して反
射率Ｒがどのように変化するかを計算した例である。こ
の計算では、金属（Ａｕ）膜の光学的厚さ（ｎｄ／λ）
としてある。この図から明らかなように、反射率は周期
的に高くなったり、低くなったりする。図から、以下の
条件の近傍で高い反射率を示すことが分かる。FIG. 25 shows an example of how the reflectance R changes with respect to the thickness d of the insulating film 34. In this calculation, the optical thickness of the metal (Au) film (nd / λ)
There is. As is clear from this figure, the reflectance periodically increases or decreases. From the figure, it can be seen that a high reflectance is exhibited in the vicinity of the following conditions.

【０１１３】ｎｄ／λ＝０．２＋０．５ｍ（ｍは整数） 例えば、９５％以上の反射率を得るには、次式の範囲に
設定すれば良い。Nd / λ = 0.2 + 0.5 m (m is an integer) For example, in order to obtain a reflectance of 95% or more, the range of the following equation may be set.

【０１１４】０．０５＋０．５ｍ ≦ ｍｄ／λ ≦
０．３５＋０．５ｍ 保護膜としては薄膜でも十分であるから、次式の範囲に
設定すれば良い。0.05 + 0.5 m ≤ md / λ ≤
0.35 + 0.5 m Since a thin film is sufficient as the protective film, it may be set within the range of the following formula.

【０１１５】０．０５ ≦ ｎｄ／λ ≦ ０．３５ 次に、第４実施形態において採用した集光手段３９につ
いて補足する。0.05 ≤ nd / λ ≤ 0.35 Next, the condensing means 39 adopted in the fourth embodiment will be supplemented.

【０１１６】第４実施形態において表した光学的集光手
段３９は、第１乃至第２実施形態において用いた端面発
光型の発光素子においても設けることが可能である。The optical condensing means 39 shown in the fourth embodiment can be provided in the edge emitting type light emitting element used in the first and second embodiments.

【０１１７】図２６は、端面発光型の発光素子において
設けることができる光学的集光手段の一例を表した概念
図である。すなわち、同図（ａ）はその要部平面透視
図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ’線断面図、同図（ｃ）は
導波層端部のＡ−Ａ’線に沿った抵抗率及び屈折率の分
布を表すグラフ図である。同図の発光素子７００は、端
面放射型レーザを基本とする。まず、同図（ｂ）を参照
しつつその断面構造について概説すると、図中３０はサ
ファイア基板であり、この基板３０の上にＧａＮバッフ
ァ層７１１、ｎ型ＧａＮコンタクト層７１２、ｎ型Ｇａ
ＡｌＮクラッド層７１３、ｎ型ＧａＮ導波層７１４、Ｉ
ｎＧａＮ多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層３３、ｐ型Ｇａ
Ｎ導波層７１６、ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層７１７、ｎ
型ＧａＡｌＮ電流狭窄層７１８、ｐ型ＧａＮコンタクト
層７１９が形成されている。また７２０はｐ側電極、７
２１はｎ側電極である。FIG. 26 is a conceptual diagram showing an example of an optical condensing means that can be provided in an edge emitting type light emitting element. That is, FIG. 7A is a perspective plan view of the main part, FIG. 7B is a sectional view taken along the line AA ′, and FIG. 7C is taken along the line AA ′ at the end of the waveguide layer. It is a graph showing the distribution of resistivity and refractive index. The light emitting device 700 in the figure is based on an edge emitting laser. First, an outline of the cross-sectional structure will be given with reference to FIG. 2B. In the figure, reference numeral 30 denotes a sapphire substrate, on which GaN buffer layer 711, n-type GaN contact layer 712, and n-type Ga
AlN clad layer 713, n-type GaN waveguide layer 714, I
nGaN multiple quantum well (MQW) active layer 33, p-type Ga
N waveguide layer 716, p-type GaAlN cladding layer 717, n
A type GaAlN current confinement layer 718 and a p-type GaN contact layer 719 are formed. 720 is a p-side electrode, 7
Reference numeral 21 is an n-side electrode.

【０１１８】本実施形態においては、レーザ素子の片方
の出射端面付近に光学的集光手段３９が設けられてい
る。集光手段３９は、端面の付近の部分のｐ型ＧａＮ導
波層７１６の抵抗率を局所的に変化させた構造からな
る。すなわち、図２６（ｃ）に示したように、ストライ
プ中央では抵抗率が高く、外側では抵抗率が低い構造と
なっている。これにより、ストライプ外側部分の活性層
へのキャリア注入がストライプ中央部に比べて大きくな
るため、プラズマ効果によって、図２６（ｃ）に示した
ように、ストライプ外側の実効的な屈折率が低くなる。
したがって、この波面変換部は導波光に対してレンズ作
用を有する。In this embodiment, an optical condensing means 39 is provided in the vicinity of one emission end face of the laser element. The light collecting means 39 has a structure in which the resistivity of the p-type GaN waveguide layer 716 in the vicinity of the end face is locally changed. That is, as shown in FIG. 26C, the structure has a high resistivity at the center of the stripe and a low resistivity at the outside. As a result, carrier injection into the active layer on the outer side of the stripe is larger than that on the central part of the stripe, and the effective refractive index on the outer side of the stripe is lowered due to the plasma effect, as shown in FIG. .
Therefore, this wavefront converter has a lens effect on the guided light.

【０１１９】図２７は、この集光手段３９により導波光
が屈折される様子を説明する平面図である。すなわち、
集光手段３９の内部での光の分布は、その屈折率と集光
手段３９の長さＬとにより、いくつかの種類に分類され
る。FIG. 27 is a plan view for explaining how the guided light is refracted by the condensing means 39. That is,
The distribution of light inside the condensing means 39 is classified into several types according to its refractive index and the length L of the condensing means 39.

【０１２０】図２７（ａ）に表した例においては、導波
光の焦点距離よりも集光手段３９の長さＬの方が長い。
その結果として、図示したように、導波光は端面の外側
において集束する。図２７（ｂ）に表した例において
は、導波光の焦点距離と集光手段の長さＬとが同一であ
る。その結果として、導波光はレーザの端面において集
束する。図２７（ｃ）に示した例においては、集光手段
の長さＬは、導波光の焦点距離の２倍である。その結果
として、図示したように、レーザ端面からは平行な光が
出射する。In the example shown in FIG. 27A, the length L of the focusing means 39 is longer than the focal length of the guided light.
As a result, as shown, the guided light is focused outside the end face. In the example shown in FIG. 27B, the focal length of the guided light and the length L of the light collecting means are the same. As a result, the guided light is focused at the end face of the laser. In the example shown in FIG. 27C, the length L of the light converging means is twice the focal length of the guided light. As a result, as shown, parallel light is emitted from the laser end face.

【０１２１】このように、本実施形態によれば、集光手
段３９の屈折率分布と長さＬとを適宜調節することによ
り、出射光の強度分布を制御することができ、比較的広
いストライプ幅でも良好な出射波面が得られる。As described above, according to the present embodiment, the intensity distribution of the emitted light can be controlled by appropriately adjusting the refractive index distribution and the length L of the light condensing means 39, and the relatively wide stripes. A good outgoing wavefront can be obtained even in width.

【０１２２】このような集光手段３９は、例えば、電子
ビーム照射によって作製することができる。すなわち、
ｐ型ＧａＮ導波層７１６を成長した後、電子ビーム照射
によって、ストライプ部のアクセプタを活性化させる、
この際、電子ビームの照射量に分布をもたせ、端面近傍
においては、ストライプ外側部分の電子線ドーズ量を多
くし、中央部の電子線ドーズ量を少なくする。これによ
って、外側が低抵抗、中央部が高抵抗となる構造が実現
される。Such a light collecting means 39 can be manufactured by, for example, electron beam irradiation. That is,
After growing the p-type GaN waveguide layer 716, the acceptor in the stripe portion is activated by electron beam irradiation.
At this time, the irradiation amount of the electron beam is given a distribution so that the electron beam dose amount in the outer portion of the stripe is increased and the electron beam dose amount in the central portion is reduced in the vicinity of the end face. This realizes a structure in which the outside has a low resistance and the central part has a high resistance.

【０１２３】なお、この方法による場合は、電子線照射
でストライプ部を形成するため、ｎ型ＧａＡｌＮ電流狭
窄層７１８は必ずしも必要ではない。すなわち、ストラ
イプの外側に電子線照射を行わなければ、高抵抗である
ため電流は流れず、電流狭窄を実現することができるか
らである。In this case, since the stripe portion is formed by electron beam irradiation, the n-type GaAlN current confinement layer 718 is not always necessary. That is, if electron beam irradiation is not performed on the outside of the stripe, no current flows because of high resistance, and current confinement can be realized.

【０１２４】一方、集光手段３９の形成方法としては、
イオン注入を利用する方法もある。すなわち、ｐ型Ｇａ
Ｎ導波層７１６に対して、マグネシウム（Ｍｇ）などの
ｐ型不純物をドーズ量に分布をつけて注入し、必要に応
じてアニール処理を施すことにより、図２６（ｃ）と同
様の抵抗率の分布を有するｐ型ＧａＮ導波層７１６を形
成することができる。On the other hand, as a method of forming the light collecting means 39,
There is also a method of using ion implantation. That is, p-type Ga
A p-type impurity such as magnesium (Mg) is implanted into the N-waveguide layer 716 with a dose distribution, and an annealing treatment is performed as necessary to obtain a resistivity similar to that shown in FIG. It is possible to form the p-type GaN waveguide layer 716 having the following distribution.

【０１２５】あるいは、ｐ型ＧａＮ導波層７１６の結晶
成長に際して均一にｐ型の不純物をドーピングし、成長
後に、水素（Ｈ）をドーズ量に分布をつけてイオン注入
することによっても、図２６（ｃ）と同様の抵抗率の分
布を有するｐ型ＧａＮ導波層７１６を形成することがで
きる。これは、結晶成長時にドープされたマグネシウム
などのｐ型不純物が、水素のイオン注入によって不活性
化される現象を利用したものである。Alternatively, by uniformly doping a p-type impurity during crystal growth of the p-type GaN waveguide layer 716 and, after the growth, hydrogen (H) is ion-implanted with a dose distribution. A p-type GaN waveguide layer 716 having a resistivity distribution similar to that of (c) can be formed. This utilizes the phenomenon that p-type impurities such as magnesium doped during crystal growth are inactivated by hydrogen ion implantation.

【０１２６】さらに別の方法として、ｐ型ＧａＮ導波層
７１６に対して、マグネシウムなどのｐ型不純物とシリ
コンなどのｎ型不純物とを両方ドーピングし、そのいず
れか、あるいは両方の不純物の濃度分布を制御する方法
でも良い。つまり、ｐ型不純物に対して、ｎ型不純物の
ドーピング量を変化させることにより、アクセプタの補
償量を制御して、図２６（ｃ）と同様の抵抗率の分布を
有するｐ型ＧａＮ導波層７１６を形成することができ
る。As another method, the p-type GaN waveguide layer 716 is doped with both a p-type impurity such as magnesium and an n-type impurity such as silicon, and the concentration distribution of either or both of them is doped. May be controlled. That is, by changing the doping amount of the n-type impurity with respect to the p-type impurity, the compensation amount of the acceptor is controlled, and the p-type GaN waveguide layer having the resistivity distribution similar to that of FIG. 716 can be formed.

【０１２７】また、この例ではｐ型ＧａＮ導波層７１６
の抵抗率を変化させているが、活性層３０の抵抗率を変
化させても良いことはいうまでもない。さらに、ｐ型Ｇ
ａＡｌＮクラッド層７１７の抵抗率を同様に変化させて
も良く、または、導波層７１６とクラッド層７１７の両
方で抵抗率を変化させても良い。Also, in this example, the p-type GaN waveguide layer 716 is used.
The resistivity of the active layer 30 is changed, but it goes without saying that the resistivity of the active layer 30 may be changed. Furthermore, p-type G
The resistivity of the aAlN cladding layer 717 may be changed in the same manner, or the resistivity of both the waveguide layer 716 and the cladding layer 717 may be changed.

【０１２８】次に、本発明におけるＴＥモード光の分布
について補足する。Next, the distribution of TE mode light in the present invention will be supplemented.

【０１２９】前述したように光学的集光手段３９を用い
ることによって、レーザ素子発光面から光開口へ効率的
に光を集光させて光利用効率を向上することができる。
ここで、トラックの長手方向にそった光の強度分布につ
いては、図４に表したようにＴＥモード光の光分布に対
応する。つまり、トラック長手方向に見て、開口の中央
部で強度は最大となり、開口の端部においては強度はゼ
ロに近くなる対称形の分布である。ところが、このよう
な対称形の強度分布の場合には、記録磁極４０を光開口
３６に近接配置させても光強度の最大の位置は記録磁極
４０から開口の長さの１／２より近づけることはできな
い。As described above, by using the optical condensing means 39, it is possible to efficiently condense the light from the light emitting surface of the laser element to the light aperture and improve the light utilization efficiency.
Here, the intensity distribution of light along the longitudinal direction of the track corresponds to the light distribution of TE mode light as shown in FIG. That is, when viewed in the longitudinal direction of the track, the intensity is maximum at the center of the opening, and the intensity is close to zero at the end of the opening, which is a symmetrical distribution. However, in the case of such a symmetrical intensity distribution, even if the recording magnetic pole 40 is arranged close to the optical aperture 36, the position of the maximum optical intensity should be closer than half the length of the aperture from the recording magnetic pole 40. I can't.

【０１３０】これに対して、光学的集光手段３９の集光
特性を非対称な特性に調節すれば、光強度が最大となる
位置と記録磁極３９とを接近させることが可能となる。On the other hand, if the condensing characteristic of the optical condensing means 39 is adjusted to be an asymmetrical characteristic, the position where the light intensity is maximum and the recording magnetic pole 39 can be brought close to each other.

【０１３１】図２８は、非対称な強度分布を有する放出
光を形成した場合を例示する概念図である。すなわち、
同図（ａ）は、記録媒体の対向面から眺めた要部平面図
であり、同図（ｂ）はそれに対応するトラック長手方向
の光強度分布を表すグラフ図である。FIG. 28 is a conceptual diagram exemplifying a case where emitted light having an asymmetric intensity distribution is formed. That is,
FIG. 11A is a plan view of an essential part viewed from the facing surface of the recording medium, and FIG. 11B is a graph showing the corresponding light intensity distribution in the longitudinal direction of the track.

【０１３２】図２８（ｂ）に表したように光強度分布の
ピークを記録磁極４０の方向にシフトさせれば、記録磁
極４０に接近させて、光利用効率をさらに向上させるこ
とができる。つまり、同じ発振パワーでも、対称的な分
布を有する場合と比べて記録磁極４０の直下での媒体記
録部をより高温に加熱し且つ急峻な温度分布を形成する
ことができる。その結果として、熱アシスト磁気記録を
より確実且つ容易に実施することができるようになる。By shifting the peak of the light intensity distribution in the direction of the recording magnetic pole 40 as shown in FIG. 28B, it is possible to bring it closer to the recording magnetic pole 40 and further improve the light utilization efficiency. That is, even with the same oscillation power, it is possible to heat the medium recording portion immediately below the recording magnetic pole 40 to a higher temperature and form a steep temperature distribution, as compared with the case where the distribution is symmetrical. As a result, the thermally assisted magnetic recording can be carried out more reliably and easily.

【０１３３】図２８（ｂ）に表したような非対称形の光
分布は、例えば、図２３に例示したような回折格子レン
ズの場合には、レンズを偏心させることにより形成する
ことができる。また、図２６に表したような集光手段３
９の場合には、比抵抗ρの分布を非対称となるように形
成すれば良い。The asymmetric light distribution as shown in FIG. 28B can be formed by decentering the lens in the case of the diffraction grating lens as shown in FIG. 23, for example. In addition, the light collecting means 3 as shown in FIG.
In the case of 9, the distribution of the specific resistance ρ may be formed so as to be asymmetric.

【０１３４】次に、本発明において用いることができる
発光素子について補足する。Next, the light emitting element that can be used in the present invention will be supplemented.

【０１３５】本発明において用いることができる半導体
レーザ素子は、特定の材料による素子には限定されず、
ＩｎＧａＡｓＰ系、ＧａＡｌＡｓ系、ＩｎＧａＡｌＰ
系、ＩｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＡｌＢＮ系、ＩｎＧａ
ＡｓＳｂ系、ＣｄＺｎＭｇＳＳｅ系等、様々な材料系を
用いることができる。The semiconductor laser device that can be used in the present invention is not limited to a device made of a specific material,
InGaAsP system, GaAlAs system, InGaAlP
System, InGaAlN system, InGaAlBN system, InGa
Various material systems such as AsSb system and CdZnMgSSe system can be used.

【０１３６】また、レーザの構造についても、図２、図
１９、図２１に限定されるものではなく、適宜変更可能
である。例えば、図２９に示すように、基板として半導
体の変わりに絶縁性のサファイア基板３５０を用いたも
のであってもよい。なお、図中３５１はｎ型ＧａＮ層、
３５２はｎ型ＧａＡｌＮクラッド層、３５３はＩｎＧａ
ＮからなるＭＱＷ活性層、３５４はｐ型ＧａＡｌＮクラ
ッド層、３５５はｐ型ＧａＮコンタクト層、３５６はリ
ッジ層、３５７は絶縁膜、３５８は光吸収膜、３５９は
開口を示している。この例の場合、基板３５０が絶縁体
であることから、クラッド層３５１上にｎ型電極を形成
することになる。Further, the structure of the laser is not limited to those shown in FIGS. 2, 19 and 21 and can be changed as appropriate. For example, as shown in FIG. 29, an insulating sapphire substrate 350 may be used as the substrate instead of the semiconductor. In the figure, 351 is an n-type GaN layer,
352 is an n-type GaAlN cladding layer, 353 is InGa
An MQW active layer made of N, 354 is a p-type GaAlN cladding layer, 355 is a p-type GaN contact layer, 356 is a ridge layer, 357 is an insulating film, 358 is a light absorbing film, and 359 is an opening. In the case of this example, since the substrate 350 is an insulator, an n-type electrode is formed on the clad layer 351.

【０１３７】以上、第１乃至第４実施形態に関して補足
した。しかし、本発明は、上述した具体例に限定される
ものではない。The above has supplemented the first to fourth embodiments. However, the present invention is not limited to the specific examples described above.

【０１３８】例えば、記録媒体の保磁力が記録磁界の大
きさと等しくなる磁化固定点と記録磁極との位置関係、
あるいは発光素子の開口と記録磁極との位置関係などの
詳細については、本発明らが出願した特願平１１−３７
５０８３号の明細書及び図面において開示され、この開
示内容を本願発明に適用することは同様に可能である。
また、記録媒体として用いるものは、磁気的な記録が
可能なものであれば良く、いわゆる「面内記録」でも
「垂直記録」でも可能であり、例えば、磁気的記録層と
軟磁性層とを有する「キーパードメディア」などの各種
の記録媒体を用いることができる。For example, the positional relationship between the recording magnetic pole and the magnetization fixed point at which the coercive force of the recording medium becomes equal to the magnitude of the recording magnetic field,
Alternatively, for details such as the positional relationship between the aperture of the light emitting element and the recording magnetic pole, Japanese Patent Application No. 11-37 filed by the present inventors.
It is disclosed in the specification and drawings of No. 5083, and the disclosure can be similarly applied to the present invention.
Further, what is used as a recording medium is only required to be magnetically recordable, and so-called “in-plane recording” or “perpendicular recording” is possible. For example, a magnetic recording layer and a soft magnetic layer are used. It is possible to use various recording media such as a “keeper media” that the user has.

【０１３９】さらに、記録媒体は、いわゆるハードディ
スクには限定されず、その他フレキシブルディスクや磁
気カードなどの磁気的記録が可能なあらゆる媒体を用い
ることができる。Further, the recording medium is not limited to a so-called hard disk, and any other medium capable of magnetic recording such as a flexible disk or a magnetic card can be used.

【０１４０】同様に、磁気記録装置に関しても、磁気記
録のみを実施するものでも良く、記録・再生を実施する
ものでも良い。磁気ヘッドと媒体との位置関係について
も、いわゆる「浮上走行型」でも「接触走行型」でも良
い。さらに、記録媒体を磁気記録装置から取り外し可能
とした、いわゆる「リムーバブル」の形式の磁気記録装
置であっても良い。Similarly, with respect to the magnetic recording apparatus, only magnetic recording may be performed, or recording / reproduction may be performed. The positional relationship between the magnetic head and the medium may be so-called “floating traveling type” or “contact traveling type”. Further, it may be a so-called "removable" type magnetic recording device in which the recording medium is removable from the magnetic recording device.

【０１４１】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

【０１４２】[0142]

【発明の効果】本発明によれば、高密度記録再生に必要
な極めて微細な粒径からなる低ノイズの多粒子媒体に対
して、室温付近で十分に高い熱擾乱耐性を付与出来ると
共に、記録磁界印加部では光照射により媒体の磁化反転
に必要な磁界を低減化する事により、実用的な記録ヘッ
ドで高速記録を実現する事が可能となる。又、発光素
子、記録再生素子一体化により、小型軽量の熱アシスト
磁気記録ヘッドが提供出来るので、高速シーク動作が可
能になると共に低価格に熱アシスト磁気記録ヘッドと装
置を構成することができる。According to the present invention, it is possible to impart a sufficiently high thermal agitation resistance at around room temperature to a low noise multi-particle medium having an extremely fine particle size necessary for high-density recording / reproduction, and at the same time, perform recording. By reducing the magnetic field required for reversing the magnetization of the medium in the magnetic field applying section by light irradiation, high-speed recording can be realized with a practical recording head. Further, by integrating the light emitting element and the recording / reproducing element, a small and lightweight heat-assisted magnetic recording head can be provided, so that high-speed seek operation is possible and the heat-assisted magnetic recording head and the device can be constructed at low cost.

【０１４３】より詳細には、本発明によれば発光素子に
設けた微細な光開口部から記録媒体にしみ出す光の利用
効率を大幅に高めることができるので、より微細な媒体
記録部を加熱昇温せしむることができるので、より高密
度の熱アシスト磁気記録装置を実現することができる。More specifically, according to the present invention, the utilization efficiency of the light leaking out to the recording medium from the minute light aperture provided in the light emitting element can be greatly increased, so that the minuter medium recording section is heated. Since the temperature can be raised, a higher density thermally assisted magnetic recording device can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の第１の実施形態に係わる熱アシスト磁
気記録装置の概略構成を示す図であり、同図（ａ）は記
録再生ヘッド部を媒体面側から見込んだ平面図であり、
同図（ｂ）は媒体を含めたトラック方向のＡ−Ａ’線断
面図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a heat-assisted magnetic recording apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1 (a) is a plan view of a recording / reproducing head section seen from a medium surface side;
FIG. 11B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in the track direction including the medium.

【図２】（ａ）は、図１に示す発光素子部の概略構成を
説明するための斜視図であり、（ｂ）は、このレーザの
断面構造の一例を表す概念図である。2A is a perspective view for explaining a schematic configuration of a light emitting element section shown in FIG. 1, and FIG. 2B is a conceptual diagram showing an example of a sectional structure of this laser.

【図３】（ａ）（ｂ）は、金属導波路中の導波モードを
計算した結果を表すグラフ図である。3 (a) and 3 (b) are graphs showing the results of calculation of guided modes in a metal waveguide.

【図４】（ａ）は、スリット形状と各方向の光強度分布
を表す説明図である。また、（ｂ）は、この光強度分布
を３次元的に表したグラフ図である。FIG. 4A is an explanatory diagram showing a slit shape and a light intensity distribution in each direction. Further, (b) is a graph showing the light intensity distribution three-dimensionally.

【図５】記録媒体に形成される磁化遷移を表した概念図
であり、同図（ａ）は通常の光ビームにより加熱する記
録方式による場合、同図（ｂ）は本発明の熱アシスト磁
気記録による場合をそれぞれ表す。FIG. 5 is a conceptual diagram showing a magnetization transition formed on a recording medium. FIG. 5A shows a case of a recording method in which heating is performed by an ordinary light beam, and FIG. 5B shows a thermally assisted magnetic field of the present invention. Each case is recorded.

【図６】Ａｇにおける導波モードの解析例を表すグラフ
図である。FIG. 6 is a graph showing an analysis example of a guided mode in Ag.

【図７】Ａｕ導波路における導波モード損失のスリット
幅Ｗに対する依存性を計算した例を表すグラフ図であ
る。FIG. 7 is a graph showing an example of calculating the dependence of the guided mode loss in the Au waveguide on the slit width W.

【図８】Ａｇを光吸収膜として用いた場合のＴＥモー
ド、ＴＭモードそれぞれに対する損失を計算した結果を
例示するグラフ図である。FIG. 8 is a graph illustrating the results of calculating the loss for each of TE mode and TM mode when Ag is used as a light absorbing film.

【図９】Ｃｕを光吸収膜として用いた場合のＴＥモー
ド、ＴＭモードそれぞれに対する損失を計算した結果を
例示するグラフ図である。FIG. 9 is a graph showing an example of calculation results of losses for TE mode and TM mode when Cu is used as a light absorption film.

【図１０】Ａｌを光吸収膜として用いた場合のＴＥモー
ド、ＴＭモードそれぞれに対する損失を計算した結果を
例示するグラフ図である。FIG. 10 is a graph illustrating the calculation result of the loss for each of TE mode and TM mode when Al is used as a light absorption film.

【図１１】Ｐｔを光吸収膜として用いた場合のＴＥモー
ド、ＴＭモードそれぞれに対する損失を計算した結果を
例示するグラフ図である。FIG. 11 is a graph showing an example of the calculation results of the loss for each of TE mode and TM mode when Pt is used as a light absorption film.

【図１２】Ｔｉを光吸収膜として用いた場合のＴＥモー
ド、ＴＭモードそれぞれに対する損失を計算した結果を
例示するグラフ図である。FIG. 12 is a graph illustrating the calculation result of the loss for each of TE mode and TM mode when Ti is used as a light absorption film.

【図１３】スリットから空気中に出た後の光強度分布を
示したグラフ図である。FIG. 13 is a graph showing a light intensity distribution after being emitted from the slit into the air.

【図１４】図３に例示したＡｕのスリットに対して、光
源波長が４００ｎｍの場合の導波モードの様子を表すグ
ラフ図である。FIG. 14 is a graph showing the state of a guided mode when the light source wavelength is 400 nm for the Au slit illustrated in FIG. 3;

【図１５】ＴＭモードは金属中で大きく減衰し、損失が
小さくなる様子を表すグラフ図である。FIG. 15 is a graph showing how the TM mode is greatly attenuated in metal and the loss is reduced.

【図１６】金の場合の各モードの損失を定量的に表した
グラフ図である。FIG. 16 is a graph showing quantitatively the loss of each mode in the case of gold.

【図１７】アルミニウムの場合の各モードの損失を定量
的に表したグラフ図である。FIG. 17 is a graph showing quantitatively the loss of each mode in the case of aluminum.

【図１８】本発明の第２の実施形態の熱アシスト磁気記
録装置の概略構成を表す断面図である。FIG. 18 is a sectional view showing a schematic configuration of a thermally-assisted magnetic recording device according to a second embodiment of the present invention.

【図１９】第２実施形態において用いる発光素子の構成
を表す斜視概念図である。FIG. 19 is a perspective conceptual diagram showing a configuration of a light emitting element used in the second embodiment.

【図２０】本発明の第３の実施形態の熱アシスト磁気記
録装置の概略構成を表す概念図である。FIG. 20 is a conceptual diagram showing a schematic configuration of a heat-assisted magnetic recording device according to a third embodiment of the present invention.

【図２１】第３実施形態において用いる発光素子の構成
を表す斜視概念図である。FIG. 21 is a perspective conceptual view showing a configuration of a light emitting element used in the third embodiment.

【図２２】本発明の第４の実施形態にかかる熱アシスト
磁気記録装置の概略構成を表す断面図である。FIG. 22 is a sectional view showing a schematic configuration of a thermally-assisted magnetic recording device according to a fourth embodiment of the invention.

【図２３】回折格子レンズを概念的に表した要部概念で
あり、同図（ａ）は要部断面図、同図（ｂ）はその平面
構成図である。23A and 23B are conceptual views of a main part conceptually showing a diffraction grating lens. FIG. 23A is a sectional view of the main part and FIG. 23B is a plan configuration diagram thereof.

【図２４】本発明の熱アシスト磁気記録装置を例示する
ブロック図である。FIG. 24 is a block diagram illustrating a heat-assisted magnetic recording device of the present invention.

【図２５】絶縁膜３４の厚さｄに対して反射率Ｒがどの
ように変化するかを計算した例である。FIG. 25 is an example of how the reflectance R changes with respect to the thickness d of the insulating film 34.

【図２６】端面発光型の発光素子において設けることが
できる光学的集光手段の一例を表した概念図であり、同
図（ａ）はその要部平面透視図、同図（ｂ）はそのＡ−
Ａ’線断面図、同図（ｃ）は導波層端部のＡ−Ａ’線に
沿った抵抗率及び屈折率の分布を表すグラフ図である。26A and 26B are conceptual views showing an example of an optical condensing means that can be provided in an edge-emitting type light emitting device. FIG. 26A is a plan perspective view of relevant parts, and FIG. A-
A sectional view taken along the line A ′ and FIG. 6C are graphs showing distributions of the resistivity and the refractive index along the line AA ′ of the end portion of the waveguide layer.

【図２７】集光手段３９により導波光が屈折される様子
を説明する平面図である。FIG. 27 is a plan view illustrating a manner in which guided light is refracted by the light collecting means 39.

【図２８】非対称な強度分布を有する放出光を形成した
場合を例示する概念図であり、同図（ａ）は、記録媒体
の対向面から眺めた要部平面図であり、同図（ｂ）はそ
れに対応するトラック長手方向の光強度分布を表すグラ
フ図である。FIG. 28 is a conceptual diagram illustrating the case where emitted light having an asymmetric intensity distribution is formed, and FIG. 28 (a) is a plan view of relevant parts viewed from the facing surface of the recording medium, and FIG. 10] is a graph showing the corresponding light intensity distribution in the longitudinal direction of the track.

【図２９】基板として半導体の変わりに絶縁性のサファ
イア基板３５０を用いた発光素子を表す概念図である。FIG. 29 is a conceptual diagram showing a light emitting element using an insulating sapphire substrate 350 instead of a semiconductor as a substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２０ 磁気記録層 ２１ 軟磁性下地層 ３０ 基板 ３３ 活性層 ３４ 絶縁膜 ３５ 光吸収膜 ３６ 開口 ３９ 光学的集光手段 ４０ 記録磁極 ４１ リターンパス用磁極 ４２、４３ コイル ４４ 絶縁層 ５０ 再生素子部 ５２ シールド ５３ 再生ギャップ ６０ ヘッド基板 ７０ 媒体の走行方向 ８０ 保護膜 Ｉｏ 発光素子駆動入力 Ｉｓ 信号入力 Ｏｓ 信号出力 ２０１ 電子放出源駆動回路系 ２０２ 電子放出素子 ２０３ ＥＣＣ（誤り訂正コード）附加回路系 ２０４ 変調回路系 ２０５ 記録補正回路系 ２０６ 記録素子部 ２０７ 媒体 ２０８ 再生素子部 ２０９ 等価回路系 ２１０ 復号回路系 ２１１ 復調回路系 ２１２ ＥＣＣ回路系 20 magnetic recording layer 21 Soft Magnetic Underlayer 30 substrates 33 Active layer 34 Insulating film 35 Light absorbing film 36 openings 39 Optical condensing means 40 recording pole 41 Return path magnetic pole 42, 43 coils 44 insulating layer 50 Playback element section 52 shield 53 Playback gap 60 head substrate 70 Direction of travel of medium 80 protective film Io light emitting element drive input Is signal input Os signal output 201 Electron emission source drive circuit system 202 electron-emitting device 203 ECC (Error Correction Code) Addition Circuit System 204 Modulation circuit system 205 recording correction circuit system 206 recording element section 207 medium 208 Playback element section 209 Equivalent circuit system 210 Decoding circuit system 211 Demodulation circuit system 212 ECC circuit system

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−222814（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−189751（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−203303（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−243527（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−265520（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−96608（ＪＰ，Ａ) 特開2001−250201（ＪＰ，Ａ) 特開2001−189519（ＪＰ，Ａ) 特開2001−189002（ＪＰ，Ａ) 特開2001−6231（ＪＰ，Ａ) 特開2000−331302（ＪＰ，Ａ) 特開2000−315310（ＪＰ，Ａ) 特開2000−195002（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−61845（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−18720（ＪＰ，Ａ) 国際公開01／006498（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/02 G11B 11/00 - 13/08 G11B 7/12 - 7/22 Continuation of front page (56) Reference JP-A-8-222814 (JP, A) JP-A-2-189751 (JP, A) JP-A-6-203303 (JP, A) JP-A-6-243527 (JP , A) JP 11-265520 (JP, A) JP 11-96608 (JP, A) JP 2001-250201 (JP, A) JP 2001-189519 (JP, A) JP 2001-189002 (JP, A) JP 2001-6231 (JP, A) JP 2000-331302 (JP, A) JP 2000-315310 (JP, A) JP 2000-195002 (JP, A) JP HEI 2- 61845 (JP, A) JP-A-2-18720 (JP, A) International publication 01/006498 (WO, A1) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G11B 5/02 G11B 11 / 00-13/08 G11B 7/12-7/22

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】記録媒体の記録部を加熱昇温して保磁力を
低下させ、この保磁力が低下した記録部に記録磁界を印
加することにより磁気的情報を記録可能とした熱アシス
ト磁気記録ヘッドであって、 開口を有する光吸収膜と、 前記開口を介して前記記録媒体に光を照射することによ
り前記記録部を加熱昇温するレーザ素子と、 前記記録部に前記記録磁界を印加する記録磁極と、 を備え、 前記開口は、前記レーザ素子から放出される光の偏光方
向に沿った開口幅W1が偏光方向に対して略垂直な方向の
開口幅W2よりも短く、前記開口幅W1は、前記レーザ素子
から放出される前記光の中心波長の１／２よりも短く、
前記記録媒体に形成される記録トラックに沿った方向に
対して前記レーザ素子から放出される光の偏光方向が略
垂直になるように前記レーザ素子及び前記開口が設けら
れたことを特徴とする熱アシスト磁気記録ヘッド。1. A heat-assisted magnetic recording capable of recording magnetic information by heating a recording portion of a recording medium to lower the coercive force and applying a recording magnetic field to the recording portion having the reduced coercive force. A head, a light absorbing film having an opening, a laser element for heating and heating the recording unit by irradiating the recording medium with light through the opening, and applying the recording magnetic field to the recording unit A recording magnetic pole, wherein the opening width W1 is such that an opening width W1 along a polarization direction of light emitted from the laser element is shorter than an opening width W2 in a direction substantially perpendicular to the polarization direction. Is shorter than half the central wavelength of the light emitted from the laser element,
The laser device and the opening are provided so that the polarization direction of the light emitted from the laser device is substantially perpendicular to the direction along the recording track formed on the recording medium. Assisted magnetic recording head. 【請求項２】前記レーザ素子と前記光吸収膜との間に設
けられた誘電体膜をさらに備えたことを特徴とする請求
項１記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。2. The heat-assisted magnetic recording head according to claim 1, further comprising a dielectric film provided between the laser element and the light absorption film. 【請求項３】前記誘電体膜の光学的膜厚は、前記レーザ
素子から放出される光の波長λに対して０．０５λ以上
で０．３５λ以下であることを特徴とする請求項２記載
の熱アシスト磁気記録ヘッド。3. The optical film thickness of the dielectric film is not less than 0.05λ and not more than 0.35λ with respect to the wavelength λ of light emitted from the laser element. Thermally assisted magnetic recording head. 【請求項４】前記開口幅Ｗ１は、その幅方向に対して垂
直な電界ベクトルを有する光の前記開口における吸収損
失が、その幅方向に対して垂直な磁界ベクトルを有する
光の前記開口における吸収損失よりも１０倍以上大きく
なる範囲に設定されていることを特徴とする請求項１乃
至３のいずれかに記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。4. The opening width W1 is such that absorption loss of light having an electric field vector perpendicular to the width direction in the opening is absorption loss of light having a magnetic field vector perpendicular to the width direction in the opening. The heat-assisted magnetic recording head according to claim 1, wherein the heat-assisted magnetic recording head is set in a range that is 10 times or more larger than the loss. 【請求項５】前記レーザ素子は、発振モードがTMモード
の半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項１乃
至４のいずれかに記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。5. The heat-assisted magnetic recording head according to claim 1, wherein the laser element is a semiconductor laser element having an oscillation mode of TM mode. 【請求項６】前記レーザ素子から放出される光を集束し
て前記開口に入射させる光学的集光手段をさらに備えた
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の熱
アシスト磁気記録ヘッド。6. The thermally assisted magnet according to claim 1, further comprising optical condensing means for converging light emitted from said laser element and making it enter said opening. Recording head. 【請求項７】前記開口に誘電体または半導体が埋め込ま
れていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに
記載の熱アシスト磁気記録ヘッド。7. A heat-assisted magnetic recording head according to claim 1, wherein a dielectric or a semiconductor is embedded in the opening. 【請求項８】前記記録媒体に記録された前記磁気的情報
を再生する再生素子をさらに備えたことを特徴とする請
求項１乃至７のいずれかに記載の熱アシスト磁気記録ヘ
ッド。8. The thermally-assisted magnetic recording head according to claim 1, further comprising a reproducing element for reproducing the magnetic information recorded on the recording medium. 【請求項９】請求項１乃至８のいずれかに記載の熱アシ
スト磁気記録ヘッドと、 記録媒体と前記磁気記録ヘッドとを相対的に移動させる
ための駆動機構と、 を備えたことを特徴とする熱アシスト磁気記録装置。9. A thermally assisted magnetic recording head according to any one of claims 1 to 8, and a drive mechanism for relatively moving a recording medium and the magnetic recording head. Thermally assisted magnetic recording device. 【請求項１０】記録媒体をさらに備え、 前記記録媒体は、前記磁気的情報が記録される記録層
と、前記記録層の上に設けられた誘電体または半導体か
らなる光反射防止層と、を有することを特徴とする請求
項９記載の熱アシスト磁気記録装置。10. A recording medium further comprising: a recording layer on which the magnetic information is recorded; and a light reflection preventing layer made of a dielectric or a semiconductor provided on the recording layer. The heat-assisted magnetic recording apparatus according to claim 9, characterized by comprising.
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