JP3487545B2 - Semiconductor resin sealing mold and method of using the same - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体樹脂封止用
金型に関し、とくに上金型及び下金型が合わさるパーテ
ィング面の形状構造及びこの金型の使用方法に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor resin encapsulation mold, and more particularly to a shape structure of a parting surface where an upper mold and a lower mold are fitted together and a method of using this mold.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置は、半導体
素子が樹脂封止体により被覆され保護されている。半導
体素子を被覆する樹脂封止体は、金型により形成され
る。図１０は、従来の半導体樹脂封止用金型の概略断面
図、図１１は、その下金型のパーティング面を示す平面
図である。周知のように、半導体装置の製造工程中の組
立工程における樹脂封止工程で用いられる金型は、基本
的には上金型１と下金型２で構成される。両者１、２が
合わさるパーティング面には複数のキャビティ４が形成
されている。キャビティ４は、上下一体で空間を形成し
ており、各キャビティ４の周囲にはパーティング面より
突出した押し切り面５を有し、上下の押し切り面５がリ
ードフレームを挟んでキャビティ４内を密閉する。押し
切り面５のキャビティ外は、押し切りニゲ６として作用
する空間が形成されている。複数のキャビティ４は、キ
ャビティブロック７を構成し、キャビティ４は、キャビ
ティブロック７内において等間隔に配列されている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a resin-sealed semiconductor device, a semiconductor element is covered and protected by a resin-sealed body. The resin sealing body that covers the semiconductor element is formed by a mold. FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a conventional semiconductor resin sealing die, and FIG. 11 is a plan view showing a parting surface of a lower die thereof. As is well known, a mold used in a resin sealing process in an assembly process during a semiconductor device manufacturing process is basically composed of an upper mold 1 and a lower mold 2. A plurality of cavities 4 are formed on the parting surface where the both 1 and 2 are combined. The cavities 4 are integrally formed with each other to form a space, and each of the cavities 4 has a push-cut surface 5 protruding from the parting surface around each cavity 4. The upper and lower push-cut surfaces 5 sandwich the lead frame to seal the inside of the cavity 4. To do. Outside the cavity of the push-cut surface 5, a space that acts as the push-cut niger 6 is formed. The plurality of cavities 4 form a cavity block 7, and the cavities 4 are arranged in the cavity block 7 at equal intervals.

【０００３】リードフレーム３は、このパーティング面
の間のキャビティ４の上に載置される。図１０では下金
型２の押し切り面５上に載置されている。図１１では、
リードフレームは示されていないが、キャビティブロッ
ク７上にリードフレーム搭載領域８が示されている。リ
ードフレームはこの領域に搭載される。キャビティブロ
ックなどの金型を構成する部材は、キャビティホルダ
（図示せず）などにより支持されて上金型あるいは下金
型を構成している。パーティング面にはさらにカル、ラ
ンナーなどの樹脂移送路９が形成されている。この樹脂
移送路９を介して外部から流動樹脂が移送されキャビテ
ィ４内のリードフレーム３が樹脂封止される。金型に載
置されるリードフレームは、成型品種によって多数の種
類があり、その種類ごとにキャビティブロックを取り換
えるなどの金型交換を行う。このとき、金型は常に一定
の大きさに揃えておくが、キャビティブロックの小さい
種類の場合はスペーサを介在させてその大きさを一定に
している。The lead frame 3 is placed on the cavity 4 between the parting surfaces. In FIG. 10, it is placed on the push-cut surface 5 of the lower mold 2. In FIG.
Although the lead frame is not shown, the lead frame mounting area 8 is shown on the cavity block 7. The lead frame is mounted in this area. Members such as a cavity block that form a mold are supported by a cavity holder (not shown) or the like to form an upper mold or a lower mold. A resin transfer path 9 such as a cull or a runner is further formed on the parting surface. Fluid resin is transferred from the outside through the resin transfer path 9 and the lead frame 3 in the cavity 4 is resin-sealed. There are many types of lead frames placed on the molds depending on the molding type, and the molds are exchanged for each type such as replacing the cavity block. At this time, the molds are always arranged in a constant size, but in the case of a small type of cavity block, the size is fixed by interposing a spacer.

【０００４】図１０に示す従来の半導体樹脂封止用金型
は、成型品種毎の金型交換を容易にできるように上金型
及び下金型をマスターダイセット（図示せず）に搭載さ
せている。半導体装置の組立工程における樹脂封止工程
では、例えば、半導体素子を搭載したリードフレーム３
を１８０℃程度に昇温した上金型１及び下金型２で挟み
込み、成形機により型締めした状態で加熱溶融した樹脂
を樹脂移送路を介してキャビティ４に移送し、これを硬
化させて半導体パッケージ（樹脂封止体）を成形する。
従来の半導体樹脂封止用金型は、成形品の樹脂バリを抑
制するために、キャビティ外周部に押し切り面５及び押
し切りニゲ６を設け、成形機の型締め力を効率良く伝え
る形状になっている。押し切り面と押し切りニゲの高さ
の差は、通常０．０５ｍｍ程度である。図１２は、従来
の半導体樹脂封止用金型のリードフレームを載せて型締
めをする時の状態を示す断面図である。従来の半導体樹
脂封止用金型では、樹脂移送路以外のリードフレームが
搭載されないパーティング面に、「押し切り面と押し切
りニゲの高さの差＋リードフレームの厚さ−型締め力に
よるリードフレームの潰れ量」分の隙間が生じる。当然
この隙間にも、型締め力が作用するため、従来の半導体
樹脂封止用金型には、型締め時にパーティング面側に反
るような変形が起きている。In the conventional semiconductor resin sealing die shown in FIG. 10, an upper die and a lower die are mounted on a master die set (not shown) so that the die can be easily exchanged for each molding type. ing. In the resin sealing process in the semiconductor device assembly process, for example, the lead frame 3 on which the semiconductor element is mounted is mounted.
Is sandwiched between the upper mold 1 and the lower mold 2 heated to about 180 ° C., and the heat-melted resin is transferred to the cavity 4 via the resin transfer path in the mold clamped state by the molding machine and cured. A semiconductor package (resin sealing body) is molded.
A conventional semiconductor resin encapsulation mold is provided with a push-cut surface 5 and a push-cut niger 6 on the outer peripheral portion of the cavity in order to suppress resin burrs of a molded product, and has a shape that efficiently transmits the mold clamping force of the molding machine. There is. The difference in height between the push-cut surface and the push-cut niger is usually about 0.05 mm. FIG. 12 is a cross-sectional view showing a state in which a lead frame of a conventional semiconductor resin sealing die is placed and the die is clamped. In the conventional mold for semiconductor resin encapsulation, on the parting surface where the lead frame other than the resin transfer path is not mounted, "the difference in height between the push-cut surface and the push-cut nigue + lead frame thickness-lead frame due to mold clamping force A gap corresponding to the “crush amount” is generated. Naturally, the mold clamping force also acts on this gap, so that the conventional semiconductor resin sealing mold is deformed so as to warp toward the parting surface side during mold clamping.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】図１３は、従来の半導
体樹脂封止用金型の押し切り面に掛かる圧力値の概念的
な特性図である。金型端部がパーティング面側に反る変
形を起こすと、押し切り面に掛かる圧力値は、金型の外
周に近い部分に載置されたリードフレーム端部が大き
く、ここから離れたリードフレームの中央部分が小さく
なる。圧力値が大きい箇所は、樹脂バリは抑制されるも
のの、リードフレームの潰れ量が大きいことによって、
インナリードに変形が発生し、その反対に、押し切り面
の圧力値が小さい箇所は、インナリード変形は抑制され
るものの、樹脂バリが発生するという問題が発生する。
つまり、押し切り面の圧力値が不均一であればあるほ
ど、樹脂バリの発生とインナーリード変形が両立する条
件範囲が狭くなり、良好な品質を得るのが困難になると
いう問題があった。以上のように、従来の半導体樹脂封
止用金型は、型締め時に金型がパーティング面側に反る
という変形を起こし、各押し切り面の圧力値が不均一に
なることから、成形時に樹脂バリやインナリード変形を
多数発生させるという問題が生じていた。本発明は、こ
のような事情によりなされたものであり、型締め時に金
型がパーティング面側に反るような変形が起きないで金
型内の各押し切り面の圧力値が均一になるように構成さ
れた半導体樹脂封止用金型及びこれを用いた金型の使用
方法を提供する。FIG. 13 is a conceptual characteristic diagram of a pressure value applied to a push-cut surface of a conventional semiconductor resin sealing die. When the mold end warps toward the parting surface, the pressure value applied to the push-cut surface is large at the end of the lead frame placed near the outer periphery of the mold and far away from the lead frame. The central part of becomes smaller. Resin burrs are suppressed at locations where the pressure value is large, but due to the large amount of collapse of the lead frame,
Deformation occurs in the inner lead, and conversely, at a portion where the pressure value of the push-cut surface is small, the inner lead deformation is suppressed, but there is a problem that resin burrs occur.
In other words, the more uneven the pressure value on the push-cut surface, the narrower the condition range in which the generation of resin burr and the deformation of the inner lead are compatible, and it is difficult to obtain good quality. As described above, the conventional semiconductor resin encapsulating mold undergoes deformation such that the mold warps toward the parting surface during mold clamping, and the pressure values on the respective push-cut surfaces become non-uniform. There has been a problem that many resin burrs and inner lead deformations occur. The present invention has been made under such circumstances, and the pressure values of the respective push-cut surfaces in the mold are made uniform without deformation such that the mold warps toward the parting surface side during mold clamping. Provided is a semiconductor resin encapsulating mold configured as described above and a method of using the mold using the same.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体樹脂封
止用金型の上金型及び下金型の少なくとも１方のパーテ
ィング面には樹脂移送路を含む領域外に配置され、且つ
リードフレームを搭載する領域に近接して配置された突
起部を形成したことを特徴としている。パーティング面
に設けた突起部により、型締め時の金型の変形を抑制す
ることができ、また金型内の各押し切り面の圧力値を均
一にすることが可能になる。つまり、リードフレームの
中央部にある複数のキャビティにはほぼ均一な圧力が加
わるが、端部に近いキャビティはこれら均一な圧力より
高圧になる。この突起部がリードフレーム端部に近接し
て配置されているので、均一な圧力領域がリードフレー
ム端部のキャビティにも広がってこのキャビティの圧力
が上記均一な圧力値に低下するのである。According to the present invention, at least one parting surface of an upper die and a lower die of a semiconductor resin sealing die is arranged outside a region including a resin transfer path, and It is characterized in that a protrusion is formed in the vicinity of the area where the lead frame is mounted. The protrusions provided on the parting surface can suppress the deformation of the mold when the mold is clamped, and can make the pressure values of the respective push-cut surfaces in the mold uniform. That is, although a substantially uniform pressure is applied to the plurality of cavities in the center of the lead frame, the cavities near the ends have a higher pressure than these uniform pressures. Since the protruding portion is arranged close to the end portion of the lead frame, a uniform pressure region also spreads to the cavity at the end portion of the lead frame, and the pressure of this cavity is reduced to the uniform pressure value.

【０００７】すなわち、本発明の半導体樹脂封止用金型
は、少なくとも１つのリードフレームを挟む上金型及び
下金型を具備し、これら上金型及び下金型には互いに対
向し、且つ前記リードフレームを搭載する領域及び金型
内部に溶融樹脂が移送される樹脂移送路を含む領域を有
するパーティング面を備え、前記上金型及び下金型の少
なくとも１方のパーティング面には前記樹脂移送路を含
む領域外に配置され、前記リードフレームを搭載する領
域に近接して配置された突起部を有し、前記リードフレ
ームを搭載する領域は、周縁を突出した面からなる押し
切り面で囲まれた複数のキャビティが所定の間隔で配置
されているキャビティブロックを含み、前記突起部は、
前記押し切り面と対向し、前記突起部の高さは、前記押
し切り面より高く、押し切り面の高さとリードフレーム
の厚さの和と等しいかこの和より低くしていることを特
徴としている。前記突起部は、前記キャビティブロック
の両端に対向して形成されるようにしても良い。突起部
を押し切り面に対向させると各キャビティに加わる圧力
を確実に均一にすることができる。前記キャビティブロ
ック内の複数のキャビティは、所定のピッチで配置され
ており、前記突起部に最も近いキャビティとこの突起部
との間の距離は、前記所定のピッチと同じであるように
しても良い。ピッチを同じにすることにより、各キャビ
ティに加わる圧力の均一性を向上させることができる。
前記上金型及び下金型の少なくとも１方のパーティング
面にはスペーサが形成配置されており、前記突起部は、
このスペーサに形成されているようにしても良い。各キ
ャビティに加わる圧力を確実に均一にすることができ
る。That is, the semiconductor resin sealing die of the present invention comprises an upper die and a lower die sandwiching at least one lead frame, and the upper die and the lower die are opposed to each other, and A parting surface having an area for mounting the lead frame and an area including a resin transfer path for transferring a molten resin inside the mold is provided, and at least one of the upper mold and the lower mold has a parting surface. A push-cut surface having a protruding portion that is disposed outside the region including the resin transfer path and that is disposed in proximity to a region on which the lead frame is mounted, and the region on which the lead frame is mounted is formed by a surface with a protruding peripheral edge. Includes a cavity block in which a plurality of cavities surrounded by is arranged at a predetermined interval, the protrusion,
It is characterized in that the height of the protrusion, which is opposed to the push-cut surface, is higher than that of the push-cut surface, and is equal to or lower than the sum of the height of the push-cut surface and the thickness of the lead frame. The protrusions may be formed so as to face both ends of the cavity block. The pressure applied to each cavity can be surely made uniform by making the protrusion face the push-cut surface. The plurality of cavities in the cavity block may be arranged at a predetermined pitch, and a distance between the cavity closest to the protrusion and the protrusion may be the same as the predetermined pitch. . By making the pitches the same, it is possible to improve the uniformity of the pressure applied to each cavity.
A spacer is formed and arranged on at least one parting surface of the upper mold and the lower mold, and the protrusion is
You may make it formed in this spacer. The pressure applied to each cavity can be surely made uniform.

【０００８】前記突起部及び前記キャビティブロック
は、長方形であり、前記突起部の長辺方向は、前記キャ
ビティブロックの長辺方向と実質的に一致していても良
い。前記突起部及び前記キャビティブロックは、長方形
であり、前記突起部の長辺方向は、前記キャビティブロ
ックの短辺方向と実質的に一致していても良い。突起部
は、任意の方向に配置することができる。前記突起部
は、前記上金型及び前記下金型の少なくとも一方のパー
ティング面の前記リードフレームを搭載する領域及び前
記溶融樹脂が移送される樹脂移送路を含む領域以外の領
域全体に面状に形成されていても良い。各キャビティに
加わる圧力を確実に均一にすることができる。本発明の
半導体樹脂封止用金型の使用方法は、上記本発明の半導
体樹脂封止用金型の上金型及び下金型にリードフレーム
を挟んで加圧固定する場合において、前記上金型の突起
部及び下金型の突起部を互いに当接させるまで加圧する
ことを特徴としている。突起部を互いに当接させるまで
加圧すると各キャビティに加わる圧力を確実に均一にす
ることができる。The projecting portion and the cavity block may be rectangular, and the long side direction of the projecting portion may substantially coincide with the long side direction of the cavity block. The protrusion and the cavity block may be rectangular, and the long side direction of the protrusion may substantially coincide with the short side direction of the cavity block. The protrusions can be arranged in any direction. The projection is planar over the entire area of the parting surface of at least one of the upper mold and the lower mold except for a region on which the lead frame is mounted and a region including the resin transfer path through which the molten resin is transferred. It may be formed in. The pressure applied to each cavity can be surely made uniform. The method of using the semiconductor resin encapsulating mold of the present invention includes: The feature is that pressure is applied until the protrusion of the mold and the protrusion of the lower mold are brought into contact with each other. When the protrusions are pressed until they abut each other, the pressure applied to each cavity can be surely made uniform.

【０００９】[0009]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。まず、図１乃至図６を参照して第
１の実施例を説明する。図１は、本発明のリードフレー
ムを載置した状態の半導体樹脂封止用金型概略断面図、
図２は、この半導体樹脂封止用金型を構成する下金型の
パーティング面を示す平面図、図３は、図２のＡ−Ａ′
線に沿う部分の断面図、図４は、図１に示す半導体樹脂
封止用金型を加圧した状態の概略断面図、図５は、金型
を型締めするプレスの斜視図及び図６は、図４のように
加圧した状態のキャビティ周辺の押し切り面に掛る圧力
を示す特性図である。樹脂封止型半導体装置は、半導体
素子が樹脂封止体により被覆され保護されている。半導
体素子を被覆する樹脂封止体は、金型により形成され
る。半導体装置の製造工程中の組立工程における樹脂封
止工程で用いられる金型は、図１に示すように、基本的
には上金型１１と下金型１２で構成される。上金型１１
及び下金型１２が合わされるパーティング面には複数の
キャビティ１４が形成されている。キャビティ１４は、
上下一体で空間を形成しており、各キャビティ１４の周
囲にはパーティング面より突出した押し切り面１５を有
し、上下の押し切り面１５がリードフレームを挟んでキ
ャビティ１４内を密閉する。複数のキャビティ１４は、
キャビティブロック１７を構成し、キャビティ１４は、
キャビティブロック１７内において等間隔（ｈ）で配列
されている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, a first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic sectional view of a semiconductor resin encapsulating mold in which a lead frame of the present invention is mounted,
FIG. 2 is a plan view showing a parting surface of a lower mold forming this semiconductor resin sealing mold, and FIG. 3 is a line AA ′ in FIG.
4 is a sectional view of a portion along the line, FIG. 4 is a schematic sectional view of the semiconductor resin sealing die shown in FIG. 1 under pressure, and FIG. 5 is a perspective view of a press for clamping the die and FIG. [Fig. 4] is a characteristic diagram showing pressure applied to a push-cut surface around a cavity in a pressurized state as shown in Fig. 4. In the resin-encapsulated semiconductor device, the semiconductor element is covered with a resin encapsulant and protected. The resin sealing body that covers the semiconductor element is formed by a mold. As shown in FIG. 1, the mold used in the resin sealing process in the assembly process during the manufacturing process of the semiconductor device is basically composed of an upper mold 11 and a lower mold 12. Upper mold 11
A plurality of cavities 14 are formed on the parting surface to which the lower mold 12 is attached. The cavity 14 is
A space is formed integrally with the upper and lower sides, and each of the cavities 14 has a push-cut surface 15 protruding from the parting surface, and the upper and lower push-cut surfaces 15 sandwich the lead frame to seal the inside of the cavity 14. The plurality of cavities 14 are
The cavity block 17 is configured, and the cavity 14 is
The cavity blocks 17 are arranged at equal intervals (h).

【００１０】半導体チップ（図示しない）が搭載された
リードフレーム１３は、このパーティング面の間のキャ
ビティ１４の上に載置される。図１では下金型１２の押
し切り面１５上に載置されている。図２では、リードフ
レームは示されていないが、キャビティブロック１７上
にリードフレーム搭載領域１８が示されている。リード
フレーム１３はこの領域に搭載される。キャビティブロ
ック１７などの金型を構成する部材は、キャビティホル
ダ（図示せず）などにより支持されて上金型１１あるい
は下金型１２を構成している。パーティング面にはさら
に樹脂移送路を配置する領域１０があり、この領域１０
にはカル、ランナーなどの樹脂移送路１９が形成されて
いる。この樹脂移送路１９を介して外部から流動樹脂が
移送されキャビティ１４内のリードフレーム１３が半導
体チップと共に樹脂封止される。キャビティブロック１
７の両端に対向して突起部１６が形成されている。突起
部１６とキャビティブロック１７の端部とは所定の距離
（ｄ）離れている。この実施例では、この所定の距離ｄ
は、キャビティブロック１７内のキャビティ間隔ｈと等
しくしている（ｄ＝ｈ）。勿論、本発明はこの所定の距
離ｄをキャビティ間隔ｈと等しくする必要はない。The lead frame 13 on which a semiconductor chip (not shown) is mounted is placed on the cavity 14 between the parting surfaces. In FIG. 1, it is placed on the push-cut surface 15 of the lower mold 12. Although the lead frame is not shown in FIG. 2, the lead frame mounting area 18 is shown on the cavity block 17. The lead frame 13 is mounted in this area. Members such as the cavity block 17 that compose the mold are supported by a cavity holder (not shown) or the like to compose the upper mold 11 or the lower mold 12. The parting surface further has an area 10 in which a resin transfer path is arranged.
A resin transfer path 19 such as a cull and a runner is formed in the. The fluid resin is transferred from the outside through the resin transfer path 19, and the lead frame 13 in the cavity 14 is resin-sealed together with the semiconductor chip. Cavity block 1
Protrusions 16 are formed so as to face both ends of 7. The protrusion 16 and the end of the cavity block 17 are separated by a predetermined distance (d). In this embodiment, this predetermined distance d
Is equal to the cavity interval h in the cavity block 17 (d = h). Of course, the present invention does not require that this predetermined distance d be equal to the cavity spacing h.

【００１１】図３は、図２のＡ−Ａ′線に沿う部分の断
面図である。下金型１２のパーティング面には、押し切
り面１５と突起部１６が突出形成されている。押し切り
面１５上にはリードフレーム１３が載置されている。型
締め力によるリードフレーム１３の潰れ量を考慮する
と、突起部の高さは、押し切り面１５よりは高く、リー
ドフレーム１３と押し切り面１５の和より低いようにす
ることが最適である。つまり、突起部の高さは、リード
フレーム形状や押し切り面形状、成形機の型締め力によ
り、適時決定され、型締め時に他方の金型に接触する最
小の高さに設定するのが望ましい。この実施例では、突
起部１６の高さは、押し切り面１５の高さ（約５０μ
ｍ）とリードフレーム１３の厚さとの和より８μｍ低
い。金型に載置されるリードフレームは、半導体成型品
種によって多数の種類があり、その種類ごとにキャビテ
ィブロックを取り換えるなどの金型交換を行う。このと
き、金型は常に一定の大きさに揃えておくが、キャビテ
ィブロックが小さい場合はスペーサを介在させてその大
きさを一定にしている。FIG. 3 is a sectional view of a portion taken along the line AA 'in FIG. On the parting surface of the lower die 12, a push cut surface 15 and a protrusion 16 are formed to project. The lead frame 13 is mounted on the push-cut surface 15. Considering the amount of crushing of the lead frame 13 due to the mold clamping force, it is optimal that the height of the protrusion is higher than the push-cut surface 15 and lower than the sum of the lead frame 13 and the push-cut surface 15. That is, the height of the protrusion is appropriately determined depending on the shape of the lead frame, the shape of the push-cut surface, and the mold clamping force of the molding machine, and it is desirable to set the height to the minimum height at which the other mold is brought into contact during mold clamping. In this embodiment, the height of the protrusion 16 is the height of the push-cut surface 15 (about 50 μm).
m) and the thickness of the lead frame 13 is 8 μm lower. There are many types of lead frames placed on the molds depending on the semiconductor molding type, and the molds are exchanged for each type such as replacing the cavity block. At this time, the molds are always arranged in a certain size, but when the cavity block is small, the size is made constant by interposing a spacer.

【００１２】図１に示す半導体樹脂封止用金型は、成型
品種毎の金型交換を容易にできるように上金型及び下金
型をマスターダイセット（図示せず）に搭載させてい
る。この金型を用いた半導体装置の組立工程における樹
脂封止工程では、例えば、半導体素子を搭載したリード
フレーム１３を１８０℃程度に昇温した上金型１１及び
下金型１２で挟み込み、成形機により型締めした状態で
加熱溶融した樹脂を樹脂移送路１９を介してキャビティ
１４に移送し、これを硬化させて半導体パッケージ（樹
脂封止体）を成形する。図５に示された型締めプレスを
用い、図４に示された半導体樹脂封止用金型のリードフ
レームを載せて所定の圧力で金型を型締めすると、この
金型は、パーティング面に設けた突起部１６が支えとな
って、金型端部がパーティング面側に反る変形を抑制し
ている。型締めプレスは、上プラテン、可動プラテン及
び下プラテンを有し、上プラテンに固定された上金型１
１に可動プラテンに載置された下金型１２を近付け加圧
して型締めを行うものである。In the semiconductor resin sealing die shown in FIG. 1, an upper die and a lower die are mounted on a master die set (not shown) so that the die can be easily exchanged for each molding type. . In a resin sealing step in a semiconductor device assembling step using this mold, for example, a lead frame 13 on which a semiconductor element is mounted is sandwiched by an upper mold 11 and a lower mold 12 heated to about 180 ° C. The resin which is heated and melted in the mold clamped state is transferred to the cavity 14 through the resin transfer path 19 and is cured to mold a semiconductor package (resin encapsulant). When the die clamping press shown in FIG. 5 is used and the lead frame of the semiconductor resin sealing die shown in FIG. 4 is placed and the die is clamped with a predetermined pressure, the die has a parting surface. The protrusions 16 provided on the base plate serve as a support to suppress the deformation of the end of the mold toward the parting surface. The mold clamping press includes an upper platen, a movable platen, and a lower platen, and an upper mold 1 fixed to the upper platen.
The lower die 12 placed on the movable platen is brought closer to the position 1 to apply pressure to perform die clamping.

【００１３】図６は、本発明の半導体樹脂封止用金型の
押し切り面にかかる圧力値の概念的な特性図である。金
型端部がパーティング面側に反る変形を起こし、押し切
り面に掛かる圧力値が金型の外周に近い部分に大きくな
った場合でも、突起部が圧力値が大きくなった領域に配
置されることになり、キャビティ部分ではどこも均一に
小さい圧力値を有する領域になる。このように本発明で
は各押し切り面の圧力値は均一になる。これは、パーテ
ィング面に設けた突起が金型の変形を抑制した効果であ
る。各押し切り面の圧力値が均一であると、樹脂バリの
発生とインナリード変形が両立する条件の範囲が広がる
ため、良好な品質を得るのが容易になるという効果が生
じる。以上のように、本発明の半導体樹脂封止用金型
は、パーティング面に設けた突起の効果により、型締め
時の金型の変形を抑制でき、各押し切り面の圧力値を均
一にすることが可能となる。即ち、金型内の各押し切り
面の圧力値を均一にしたことにより、成形品である半導
体装置の樹脂バリやインナリード変形等の問題を解決す
るのが容易になる。又、成形品の品質が安定し、生産性
も向上する。FIG. 6 is a conceptual characteristic view of the pressure value applied to the push-cut surface of the semiconductor resin sealing die of the present invention. Even if the end of the mold warps toward the parting surface and the pressure applied to the push-cut surface increases near the outer periphery of the mold, the protrusion is placed in the area where the pressure increases. Therefore, the cavity portion has a uniformly small pressure value everywhere. As described above, in the present invention, the pressure value on each push-cut surface becomes uniform. This is the effect that the protrusions provided on the parting surface suppress the deformation of the mold. If the pressure values on the respective push-cut surfaces are uniform, the range of conditions that both the generation of resin burr and the inner lead deformation are compatible is widened, so that it is easy to obtain good quality. As described above, the semiconductor resin encapsulating mold of the present invention can suppress the deformation of the mold at the time of mold clamping due to the effect of the protrusions provided on the parting surface and make the pressure values of the respective push-cut surfaces uniform. It becomes possible. That is, by making the pressure values of the respective push-cut surfaces in the mold uniform, it becomes easy to solve the problems such as resin burr and inner lead deformation of the semiconductor device which is a molded product. In addition, the quality of the molded product is stable and the productivity is improved.

【００１４】次に、図７を参照して第２の実施例を説明
する。図は、半導体樹脂封止用金型を構成する下金型の
パーティング面を示す平面図である。この実施例では突
起部の配置に特徴がある。樹脂封止型半導体装置の製造
工程中の組立工程における樹脂封止工程で用いられる金
型は、基本的には上金型と下金型２２で構成される。上
金型及び下金型２２が合わされるパーティング面には複
数のキャビティ２４が形成されている。キャビティ２４
は、上下一体で空間を形成しており、各キャビティ２４
の周囲にはパーティング面より突出した押し切り面２５
を有し、上下の押し切り面２５がリードフレームを挟ん
でキャビティ２４内を密閉する。半導体チップ（図示し
ない）が搭載されたリードフレームは、このパーティン
グ面の間のキャビティ２４の上に載置される。図では、
リードフレームは示されていないが、キャビティブロッ
ク２７上にリードフレーム搭載領域２８が示されてい
る。リードフレームはこの領域に搭載される。パーティ
ング面にはさらに樹脂移送路を配置する領域２０があ
り、この領域２０にはカル、ランナーなどの樹脂移送路
２９が形成されている。樹脂移送路２９を介して外部か
ら流動樹脂が移送されキャビティ２４内のリードフレー
ムがチップと共に樹脂封止される。キャビティブロック
２７の両端に対向して突起部２６が形成されている。Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. The drawing is a plan view showing a parting surface of a lower mold forming the semiconductor resin sealing mold. This embodiment is characterized by the arrangement of the protrusions. The mold used in the resin sealing process in the assembly process during the manufacturing process of the resin-sealed semiconductor device is basically composed of an upper mold and a lower mold 22. A plurality of cavities 24 are formed on the parting surface on which the upper mold 22 and the lower mold 22 are combined. Cavity 24
Form a space integrally with the upper and lower sides, and each cavity 24
Around the circumference of the push-cut surface 25 protruding from the parting surface
And the upper and lower push-cut surfaces 25 seal the inside of the cavity 24 with the lead frame sandwiched therebetween. A lead frame on which a semiconductor chip (not shown) is mounted is placed on the cavity 24 between the parting surfaces. In the figure,
Although the lead frame is not shown, the lead frame mounting area 28 is shown on the cavity block 27. The lead frame is mounted in this area. The parting surface further has an area 20 in which a resin transfer path is arranged, and a resin transfer path 29 such as a cull or a runner is formed in this area 20. The fluid resin is transferred from the outside through the resin transfer path 29, and the lead frame in the cavity 24 is resin-sealed together with the chip. Protrusions 26 are formed opposite to both ends of the cavity block 27.

【００１５】前実施例では突起部は、長方形であり、そ
の長辺方向がキャビティ列の方向とは直角に配置されて
いる。しかし、この実施例では、長方形の突起部の長辺
方向がキャビティ列の方向と同じであることに特徴があ
る。キャビティブロックや樹脂移送路の領域以外の領域
に余裕があればこのような配置も可能になる。この場
合、突起部が押し切り面と実質的に同じ線上にあるよう
に配置すると本発明のキャビティの圧力値が安定して均
一にすることができる。突起部の配置では、この実施例
とを組み合わせることができる。例えば、図７の左側の
突起部を垂直にし、右側を水平に配置することができ
る。以上のように、本発明の半導体樹脂封止用金型は、
パーティング面に設けた突起の効果により、型締め時の
金型の変形を抑制でき、各押し切り面の圧力値を均一に
することが可能となる。即ち、金型内の各押し切り面の
圧力値を均一にしたことにより、成形品である半導体装
置の樹脂バリやインナリード変形等の問題を解決するの
が容易になる。又、成形品の品質が安定し、生産性も向
上する。In the previous embodiment, the protrusion is rectangular, and the long side direction thereof is arranged at right angles to the direction of the cavity row. However, this embodiment is characterized in that the long side direction of the rectangular protrusion is the same as the direction of the cavity row. If there is a margin in the area other than the area of the cavity block and the resin transfer path, such an arrangement is possible. In this case, the pressure value of the cavity of the present invention can be made stable and uniform by arranging the protrusion so as to be substantially on the same line as the push-cut surface. The arrangement of the protrusions can be combined with this embodiment. For example, the protrusion on the left side of FIG. 7 may be vertical and the right side may be horizontal. As described above, the semiconductor resin sealing mold of the present invention,
Due to the effect of the protrusions provided on the parting surface, it is possible to suppress the deformation of the mold when the mold is clamped, and it is possible to make the pressure values of the respective push-cut surfaces uniform. That is, by making the pressure values of the respective push-cut surfaces in the mold uniform, it becomes easy to solve the problems such as resin burr and inner lead deformation of the semiconductor device which is a molded product. In addition, the quality of the molded product is stable and the productivity is improved.

【００１６】次に、図８を参照して第３の実施例を説明
する。図は、半導体樹脂封止用金型を構成する下金型の
パーティング面を示す平面図である。この実施例では突
起部の構造に特徴がある。樹脂封止型半導体装置の製造
工程中の組立工程における樹脂封止工程で用いられる金
型は、基本的には上金型と下金型３２で構成される。上
金型及び下金型３２が合わされるパーティング面には複
数のキャビティ３４が形成されている。キャビティ３４
は、上下一体で空間を形成しており、各キャビティ３４
の周囲にはパーティング面より突出した押し切り面３５
を有し、上下の押し切り面３５がリードフレームを挟ん
でキャビティ３４内を密閉する。半導体チップ（図示し
ない）が搭載されたリードフレームは、このパーティン
グ面の間のキャビティ３４の上に載置される。図では、
キャビティブロック３７上にリードフレーム搭載領域３
８が示されている。パーティング面にはさらに樹脂移送
路を配置する領域３０があり、この領域３０にはカル、
ランナーなどの樹脂移送路３９が形成されている。樹脂
移送路３９を介して外部から流動樹脂が移送されキャビ
ティ３４内のリードフレームがチップと共に樹脂封止さ
れる。Next, a third embodiment will be described with reference to FIG. The drawing is a plan view showing a parting surface of a lower mold forming the semiconductor resin sealing mold. This embodiment is characterized by the structure of the protrusion. The mold used in the resin sealing process in the assembly process during the manufacturing process of the resin-sealed semiconductor device is basically composed of the upper mold 32 and the lower mold 32. A plurality of cavities 34 are formed on the parting surface on which the upper die 32 and the lower die 32 are brought together. Cavity 34
Form a space integrally with the upper and lower sides, and each cavity 34
Around the circumference of the push-cut surface 35 protruding from the parting surface.
The upper and lower push-cut surfaces 35 seal the inside of the cavity 34 with the lead frame sandwiched therebetween. A lead frame on which a semiconductor chip (not shown) is mounted is placed on the cavity 34 between the parting surfaces. In the figure,
Lead frame mounting area 3 on the cavity block 37
8 is shown. On the parting surface, there is an area 30 in which a resin transfer path is further arranged.
A resin transfer path 39 such as a runner is formed. Fluid resin is transferred from the outside via the resin transfer path 39, and the lead frame in the cavity 34 is resin-sealed together with the chip.

【００１７】キャビティブロック３７の両端に対向して
突起部３６が形成されている。第１及び第２の実施例で
は突起部は、長方形である。しかし、この実施例ではパ
ーティング面のリードフレーム搭載領域及び樹脂移送路
を配置する領域以外の領域の実質的にすべての部分を突
起部にしている。キャビティの圧力値を確実に均一にす
ることができる。以上のように、本発明の半導体樹脂封
止用金型は、パーティング面に設けた突起の効果によ
り、型締め時の金型の変形を抑制でき、各押し切り面の
圧力値を均一にすることが可能となる。即ち、金型内の
各押し切り面の圧力値を均一にしたことにより、成形品
である半導体装置の樹脂バリやインナリード変形等の問
題を解決するのが容易になる。又、成形品の品質が安定
し、生産性も向上する。Protrusions 36 are formed so as to face both ends of the cavity block 37. In the first and second embodiments, the protrusion has a rectangular shape. However, in this embodiment, substantially all of the area of the parting surface other than the lead frame mounting area and the area for arranging the resin transfer path is used as the protrusion. The pressure value of the cavity can be surely made uniform. As described above, the semiconductor resin encapsulating mold of the present invention can suppress the deformation of the mold at the time of mold clamping due to the effect of the protrusions provided on the parting surface and make the pressure values of the respective push-cut surfaces uniform. It becomes possible. That is, by making the pressure values of the respective push-cut surfaces in the mold uniform, it becomes easy to solve the problems such as resin burr and inner lead deformation of the semiconductor device which is a molded product. In addition, the quality of the molded product is stable and the productivity is improved.

【００１８】次に、図９を参照して第４の実施例を説明
する。図は、半導体樹脂封止用金型を構成する下金型の
パーティング面を示す平面図である。この実施例では突
起部の配置に特徴がある。樹脂封止型半導体装置の製造
工程中の組立工程における樹脂封止工程で用いられる金
型は、基本的には上金型と下金型４２で構成される。上
金型及び下金型４２が合わされるパーティング面には複
数のキャビティ４４が形成されている。キャビティ４４
は、上下一体で空間を形成しており、各キャビティ４４
の周囲にはパーティング面より突出した押し切り面４５
を有し、上下の押し切り面４５がリードフレームを挟ん
でキャビティ４４内を密閉する。半導体チップ（図示し
ない）が搭載されたリードフレームは、このパーティン
グ面の間のキャビティ４４の上に載置される。図では、
リードフレームは示されていないが、キャビティブロッ
ク４７上にリードフレーム搭載領域４８が示されてい
る。リードフレームはこの領域に搭載される。パーティ
ング面にはさらに樹脂移送路を配置する領域４０があ
り、この領域４０にはカル、ランナーなどの樹脂移送路
４９が形成されている。樹脂移送路４９を介して外部か
ら流動樹脂が移送されキャビティ４４内のリードフレー
ムがチップと共に樹脂封止される。キャビティブロック
４７の両端に対向して突起部４６ａ、４６ｂが形成され
ている。Next, a fourth embodiment will be described with reference to FIG. The drawing is a plan view showing a parting surface of a lower mold forming the semiconductor resin sealing mold. This embodiment is characterized by the arrangement of the protrusions. The mold used in the resin sealing process in the assembly process during the manufacturing process of the resin-sealed semiconductor device is basically composed of an upper mold and a lower mold 42. A plurality of cavities 44 are formed on a parting surface on which the upper mold 42 and the lower mold 42 are combined. Cavity 44
Form a space integrally with the upper and lower sides, and each cavity 44
Around the circumference of the push-cut surface 45 protruding from the parting surface
And the upper and lower push-cut surfaces 45 seal the inside of the cavity 44 with the lead frame sandwiched therebetween. The lead frame on which the semiconductor chip (not shown) is mounted is mounted on the cavity 44 between the parting surfaces. In the figure,
The lead frame is not shown, but the lead frame mounting area 48 is shown on the cavity block 47. The lead frame is mounted in this area. The parting surface further has an area 40 in which a resin transfer path is arranged, and a resin transfer path 49 such as a cull or a runner is formed in this area 40. The fluid resin is transferred from the outside via the resin transfer path 49, and the lead frame in the cavity 44 is resin-sealed together with the chip. Protrusions 46 a and 46 b are formed opposite to both ends of the cavity block 47.

【００１９】金型に載置されるリードフレームは、成型
品種によって多数の種類がありその種類ごとにキャビテ
ィブロックを取り換えるなどの金型交換を行う。このと
き、半導体樹脂封止用金型は、常に一定の大きさに揃え
ておくので、キャビティブロックの小さいものを成型す
る場合はスペーサを介在させてその大きさを一定にして
いる。この実施例では、スペーサ５０が必要であり、図
の右側にこれを形成配置させている。この実施例では、
図の左側には突起部４６ｂを配置し、右側にはスペーサ
５０に突起部４６ａを配置している。いずれも、キャビ
ティ列とは平行に配列された長方形を有している。そし
て、突起部４６ａ、４６ｂは、各キャビティ４４の押し
切り面４５と同一線上に配置され、さらに、樹脂移送路
を配置する領域４０にも対向するように配置されてい
る。したがって、型締め時には樹脂移送路にも他の領域
と同じような均一な圧力が働くようになっている。以上
のように、本発明の半導体樹脂封止用金型は、パーティ
ング面に設けた突起の効果により、型締め時の金型の変
形を抑制でき、各押し切り面の圧力値を均一にすること
が可能となる。即ち、金型内の各押し切り面の圧力値を
均一にしたことにより、成形品である半導体装置の樹脂
バリやインナリード変形等の問題を解決するのが容易に
なる。又、成形品の品質が安定し、生産性も向上する。There are a number of types of lead frames placed on the molds, depending on the molding type, and the molds are exchanged for each type, such as replacing the cavity block. At this time, since the semiconductor resin encapsulating mold is always aligned in a constant size, when molding a small cavity block, a spacer is interposed to make the size constant. In this embodiment, the spacer 50 is necessary and is formed and arranged on the right side of the drawing. In this example,
The protrusion 46b is arranged on the left side of the figure, and the protrusion 46a is arranged on the spacer 50 on the right side. Each has a rectangular shape arranged in parallel with the cavity row. The protrusions 46a and 46b are arranged on the same line as the push-cut surface 45 of each cavity 44, and are further arranged so as to face the region 40 where the resin transfer path is arranged. Therefore, at the time of mold clamping, a uniform pressure is applied to the resin transfer passage as in other areas. As described above, the semiconductor resin encapsulating mold of the present invention can suppress the deformation of the mold at the time of mold clamping due to the effect of the protrusions provided on the parting surface and make the pressure values of the respective push-cut surfaces uniform. It becomes possible. That is, by making the pressure values of the respective push-cut surfaces in the mold uniform, it becomes easy to solve the problems such as resin burr and inner lead deformation of the semiconductor device which is a molded product. In addition, the quality of the molded product is stable and the productivity is improved.

【００２０】[0020]

【発明の効果】本発明の半導体樹脂封止用金型は、パー
ティング面に設けた突起部により、型締め時の金型の変
形を抑制でき、各押し切り面の圧力値を均一になること
が可能となる。各押し切り面の圧力値が均一化したこと
で成形品の樹脂バリやインナリード変形等の問題を解決
するのが容易になる。また成形の品質が安定し、生産性
も向上する。The semiconductor resin encapsulating mold of the present invention can suppress the deformation of the mold at the time of mold clamping due to the protrusions provided on the parting surface, and make the pressure values on the respective push-cut surfaces uniform. Is possible. By making the pressure values of the push-cut surfaces uniform, it becomes easy to solve the problems such as resin burr and inner lead deformation of the molded product. In addition, molding quality is stable and productivity is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】第１の実施例のリードフレームを載置した状態
の半導体樹脂封止用金型の概略断面図。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a semiconductor resin encapsulating mold on which a lead frame according to a first embodiment is mounted.

【図２】図１に示す半導体樹脂封止用金型を構成する下
金型のパーティング面を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing a parting surface of a lower mold forming the semiconductor resin sealing mold shown in FIG.

【図３】図２のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図。FIG. 3 is a sectional view of a portion taken along the line AA ′ in FIG.

【図４】図１に示す半導体樹脂封止用金型を加圧した状
態の概略断面図。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the semiconductor resin sealing die shown in FIG. 1 is pressed.

【図５】金型を型締めするプレスの斜視図。FIG. 5 is a perspective view of a press for clamping the mold.

【図６】図４に示すように加圧した状態のキャビティ周
辺の押し切り面に掛る圧力を示す特性図。FIG. 6 is a characteristic diagram showing the pressure applied to the push-cut surface around the cavity in the pressurized state as shown in FIG.

【図７】第２の実施例の半導体樹脂封止用金型を構成す
る下金型のパーティング面を示す平面図。FIG. 7 is a plan view showing a parting surface of a lower mold forming the semiconductor resin sealing mold of the second embodiment.

【図８】第３の実施例の半導体樹脂封止用金型を構成す
る下金型のパーティング面を示す平面図。FIG. 8 is a plan view showing a parting surface of a lower mold forming the semiconductor resin sealing mold of the third embodiment.

【図９】第４の実施例の半導体樹脂封止用金型を構成す
る下金型のパーティング面を示す平面図。FIG. 9 is a plan view showing a parting surface of a lower mold forming the semiconductor resin sealing mold of the fourth embodiment.

【図１０】従来の半導体樹脂封止用金型の概略断面図。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of a conventional semiconductor resin sealing die.

【図１１】従来の半導体樹脂封止用金型の下金型のパー
ティング面を示す平面図。FIG. 11 is a plan view showing a parting surface of a lower mold of a conventional semiconductor resin sealing mold.

【図１２】従来の半導体樹脂封止用金型のリードフレー
ムを載せて型締めをする時の状態を示す断面図。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a state in which a lead frame of a conventional semiconductor resin sealing die is placed and the die is clamped.

【図１３】従来の半導体樹脂封止用金型の押し切り面に
掛かる圧力値の概念的特性図。FIG. 13 is a conceptual characteristic diagram of a pressure value applied to a push-cut surface of a conventional semiconductor resin sealing die.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１、１１・・・上金型、 ２、１２、２２、３２、４
２・・・下金型、３、１３・・・リードフレーム、４、
１４、２４、３４、４４・・・キャビティ、５、１５、
２５、３５、４５・・・押し切り面、 ６・・・押し切
りニゲ、７、１７、２７、３７、４７・・・キャビティ
ブロック ８、１８、２８、３８、４８・・・リードフレーム搭載
領域、９、１９、２９、３９、４９・・・樹脂移送路、
１０、２０、３０、４０・・・樹脂移送路を配置する領
域、１６、２６、３６、４６ａ、４６ｂ・・・突起部、
５０・・・スペーサ。1, 11, ... Upper mold, 2, 12, 22, 32, 4
2 ... Lower mold, 3, 13 ... Lead frame, 4,
14, 24, 34, 44 ... Cavities 5, 15,
25, 35, 45 ... Push-cut surface, 6 ... Push-cut niger, 7, 17, 27, 37, 47 ... Cavity block 8, 18, 28, 38, 48 ... Lead frame mounting area, 9 , 19, 29, 39, 49 ... Resin transfer path,
10, 20, 30, 40 ... Area for arranging resin transfer path, 16, 26, 36, 46a, 46b ... Projection portion,
50 ... a spacer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−219413（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−90312（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−335362（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/56 B29C 45/26 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (56) References JP-A-9-219413 (JP, A) JP-A-4-90312 (JP, A) JP-A-5-335362 (JP, A) (58) Field (Int.Cl. ⁷ , DB name) H01L 21/56 B29C 45/26

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 少なくとも１つのリードフレームを挟む
上金型及び下金型を具備し、これら上金型及び下金型に
は互いに対向し、且つ前記リードフレームを搭載する領
域及び溶融樹脂が移送される樹脂移送路を配置する領域
を有するパーティング面を備え、前記上金型及び下金型
の少なくとも１方のパーティング面には前記樹脂移送路
を配置する領域外に配置され、前記リードフレームを搭
載する領域に近接して配置された突起部を有し、前記リ
ードフレームを搭載する領域は、周縁を突出した面から
なる押し切り面で囲まれた複数のキャビティが所定の間
隔で配置されているキャビティブロックを含み、前記突
起部は、前記押し切り面と対向し、且つ前記突起部が前
記上金型及び下金型双方のパーティング面に形成されて
おり、前記突起部の高さは、前記押し切り面より高く、
押し切り面の高さとリードフレームの厚さの和より低い
ことを特徴とする半導体樹脂封止用金型。1. An upper mold and a lower mold sandwiching at least one lead frame, wherein the upper mold and the lower mold are opposed to each other, and a region for mounting the lead frame and a molten resin are transferred. A parting surface having an area for arranging the resin transfer path, and the parting surface of at least one of the upper mold and the lower mold is arranged outside the area for arranging the resin transfer path. The lead frame mounting area is provided with a plurality of cavities surrounded by a push-cut surface having a projecting peripheral edge and arranged at predetermined intervals in the area where the lead frame is mounted. A cavity block that is formed on the parting surface of both the upper mold and the lower mold.
Cage, the height of the protrusions is higher than the press-cutting surface,
A semiconductor resin encapsulation mold characterized by being lower than the sum of the height of the push-cut surface and the thickness of the lead frame. 【請求項２】 前記突起部は、前記キャビティブロック
の両端に対向して形成されていることを特徴とする請求
項１に記載の半導体樹脂封止用金型。2. The semiconductor resin encapsulating mold according to claim 1, wherein the protrusions are formed opposite to both ends of the cavity block. 【請求項３】 前記キャビティブロック内の複数のキャ
ビティは、所定のピッチで配置されており、前記突起部
に最も近いキャビティとこの突起部との間の距離は、前
記所定のピッチと同じであることを特徴とする請求項１
又は請求項２に記載の半導体樹脂封止用金型。3. The plurality of cavities in the cavity block are arranged at a predetermined pitch, and the distance between the cavity closest to the protrusion and the protrusion is the same as the predetermined pitch. Claim 1 characterized by the above.
Alternatively, the semiconductor resin encapsulating mold according to claim 2. 【請求項４】 前記上金型及び下金型の少なくとも１方
のパーティング面にはスペーサが形成配置されており、
前記突起部は、このスペーサに形成されていることを特
徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の
半導体樹脂封止用金型。4. A spacer is formed and arranged on at least one parting surface of the upper mold and the lower mold,
The protrusions semiconductor resin sealing mold according to any one of claims 1 to 3, characterized in that it is formed on the spacer. 【請求項５】 前記突起部及び前記キャビティブロック
は、長方形であり、 前記突起部の長辺方向は、前記キ
ャビティブロックの長辺方向と実質的に一致しているこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に
記載の半導体樹脂封止用金型。5. The protrusion and the cavity block are rectangular, and the long side direction of the protrusion is substantially coincident with the long side direction of the cavity block. or semiconductor resin sealing mold according to any one of claims 4. 【請求項６】 前記突起部及び前記キャビティブロック
は、長方形であり、 前記突起部の長辺方向は、前記キ
ャビティブロックの短辺方向と一致していることを特徴
とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半
導体樹脂封止用金型。6. The projection and the cavity block have a rectangular shape, and the long side direction of the projection coincides with the short side direction of the cavity block. the semiconductor resin sealing mold according to any one of 4. 【請求項７】 前記突起部は、前記上金型及び前記下金
型の少なくとも一方のパーティング面の前記リードフレ
ームを搭載する領域及び前記溶融樹脂が移送される樹脂
移送路を配置する領域以外の領域全体に面状に形成され
ていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれ
か１項に記載の半導体樹脂封止用金型。7. The projecting portion is other than a region for mounting the lead frame on a parting surface of at least one of the upper mold and the lower mold and a region for arranging a resin transfer path for transferring the molten resin. the semiconductor resin sealing mold according to any one of claims 1 to 6, characterized in that it is formed in the entire area in a planar shape. 【請求項８】 請求項１乃至請求項７のいずれか１項に
記載の半導体樹脂封止用金型の前記上金型及び下金型に
リードフレームを挟んで加圧固定する場合において、前
記上金型の突起部及び前記下金型の突起部を互いに当接
させることを特徴とする半導体樹脂封止用金型の使用方
法。8. The method of claim 1 on said mold and the lower mold of the semiconductor resin sealing mold according to any one of claims 7 To sandwiched therebetween pressure fixing the lead frame, wherein A method of using a semiconductor resin encapsulating mold, wherein the protrusion of the upper mold and the protrusion of the lower mold are brought into contact with each other.