JP3476142B2 - 結露防止構造を備えた電子デバイス - Google Patents
結露防止構造を備えた電子デバイスInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、結露防止構造を備
えたマルチチップモジュールなどの電子デバイスに関す
るものである。
えたマルチチップモジュールなどの電子デバイスに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの中には、室温以下に冷
却することによって、その動作性能が向上するものが少
なくない。特に、ＣＭＯＳなどのＬＳＩやＨＥＭＴ等は
低温化することにより半導体中のキャリアの移動度が上
がるため、それらのジャンクション部の温度を下げてや
れば高速に動作することが知られている。また、チップ
全体を低温化すれば、チップ中の不純物の拡散ならびに
内部配線パターンのマイグレーションが抑制され、信頼
性が向上することも知られている。そこで、これら半導
体デバイスの動作環境を、低温冷却することが広く行な
われている。
却することによって、その動作性能が向上するものが少
なくない。特に、ＣＭＯＳなどのＬＳＩやＨＥＭＴ等は
低温化することにより半導体中のキャリアの移動度が上
がるため、それらのジャンクション部の温度を下げてや
れば高速に動作することが知られている。また、チップ
全体を低温化すれば、チップ中の不純物の拡散ならびに
内部配線パターンのマイグレーションが抑制され、信頼
性が向上することも知られている。そこで、これら半導
体デバイスの動作環境を、低温冷却することが広く行な
われている。
【０００３】しかしながら、低温冷却において、冷却部
材やその近傍に搭載されている部品（例えば、マルチチ
ップモジュールの基板やピンあるいはマルチチップモジ
ュールが搭載されているボード等）の表面温度が周囲の
雰囲気の露点温度以下に達すると、それらの表面に結露
を生じてしまう。結露がマルチチップモジュールのピン
に発生すると電源ショート等の不具合が生じてしまう
し、基板に発生すると基板配線のマイグレーションを引
き起こす原因となる。また、ボードに結露が生じると腐
食を誘発するし、それ以外の場所に発生しても水滴がボ
ードやボード上の給電パッドや信号パッドに落ちると事
故の原因となる。
材やその近傍に搭載されている部品（例えば、マルチチ
ップモジュールの基板やピンあるいはマルチチップモジ
ュールが搭載されているボード等）の表面温度が周囲の
雰囲気の露点温度以下に達すると、それらの表面に結露
を生じてしまう。結露がマルチチップモジュールのピン
に発生すると電源ショート等の不具合が生じてしまう
し、基板に発生すると基板配線のマイグレーションを引
き起こす原因となる。また、ボードに結露が生じると腐
食を誘発するし、それ以外の場所に発生しても水滴がボ
ードやボード上の給電パッドや信号パッドに落ちると事
故の原因となる。
【０００４】そこで、こうした結露を防止するための様
々な構造が提案されまた実用化されている。例えば、特
開2000-101000号公報には、マルチチップモジュール内
の多層配線基板内のピン取り付け面近傍にヒータ用のパ
ターンを作り込む構造が開示されている。これは、冷却
器が取り付けられたモジュールキャップによって多層配
線基板上の空間を封止すると共に、多層配線基板内のヒ
ータに通電することによってピンの温度を周囲雰囲気の
露点よりも高くしてピンの結露を防止するものである。
々な構造が提案されまた実用化されている。例えば、特
開2000-101000号公報には、マルチチップモジュール内
の多層配線基板内のピン取り付け面近傍にヒータ用のパ
ターンを作り込む構造が開示されている。これは、冷却
器が取り付けられたモジュールキャップによって多層配
線基板上の空間を封止すると共に、多層配線基板内のヒ
ータに通電することによってピンの温度を周囲雰囲気の
露点よりも高くしてピンの結露を防止するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した公報により提
案された構造では、多層配線基板とモジュールキャップ
とで半導体チップを窒素等の不活性ガス雰囲気中に封止
するために、冷却器が取り付けられたモジュールキャッ
プが多層配線基板の外周部に直接密着されている。その
ため、多層配線基板の外周部に位置するピンは多層配線
基板の中央部に位置するピンに比べて低温状態になりや
すく、基板外周部と基板中央部とのピン間に温度分布を
生じやすい。このため、多層配線基板中央部のピンを結
露が生じない最適な温度に設定したとしても、多層配線
基板外周部のピンには結露が生じるという危険性が発生
する。また、多層配線基板を直接冷却しつつ加熱してい
るため、冷却および加熱のための消費電力が増大してし
まう。したがって、本発明の目的は、第１に、電子デバ
イス用基板をむらなく加熱できるようにすることであ
り、第２に、より少ない電力により基板に対する加熱効
果を得られるようにすることである。
案された構造では、多層配線基板とモジュールキャップ
とで半導体チップを窒素等の不活性ガス雰囲気中に封止
するために、冷却器が取り付けられたモジュールキャッ
プが多層配線基板の外周部に直接密着されている。その
ため、多層配線基板の外周部に位置するピンは多層配線
基板の中央部に位置するピンに比べて低温状態になりや
すく、基板外周部と基板中央部とのピン間に温度分布を
生じやすい。このため、多層配線基板中央部のピンを結
露が生じない最適な温度に設定したとしても、多層配線
基板外周部のピンには結露が生じるという危険性が発生
する。また、多層配線基板を直接冷却しつつ加熱してい
るため、冷却および加熱のための消費電力が増大してし
まう。したがって、本発明の目的は、第１に、電子デバ
イス用基板をむらなく加熱できるようにすることであ
り、第２に、より少ない電力により基板に対する加熱効
果を得られるようにすることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、半導体デバイスと、該半導体デバ
イスが搭載された基板と、該基板の外周部を保持するフ
ランジ部材と、冷却部材とを含み、前記フランジ部材を
前記冷却部材に固着させることによって前記半導体デバ
イスと前記冷却部材とが熱的に接続された結露防止構造
を備えた電子デバイスにおいて、前記フランジ部材には
加熱機能が備えられていることを特徴とする結露防止構
造を備えた電子デバイスが、提供される。そして、好ま
しくは、前記冷却部材と前記フランジ部材との間には断
熱部材が挿入される。また、好ましくは、前記冷却部材
と前記フランジ部材との間には、前記断熱部材の動きを
規制するアダプタが挿入される。
め、本発明によれば、半導体デバイスと、該半導体デバ
イスが搭載された基板と、該基板の外周部を保持するフ
ランジ部材と、冷却部材とを含み、前記フランジ部材を
前記冷却部材に固着させることによって前記半導体デバ
イスと前記冷却部材とが熱的に接続された結露防止構造
を備えた電子デバイスにおいて、前記フランジ部材には
加熱機能が備えられていることを特徴とする結露防止構
造を備えた電子デバイスが、提供される。そして、好ま
しくは、前記冷却部材と前記フランジ部材との間には断
熱部材が挿入される。また、好ましくは、前記冷却部材
と前記フランジ部材との間には、前記断熱部材の動きを
規制するアダプタが挿入される。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明による電
子デバイスの第１の実施例を示す側断面図である。マル
チチップモジュール２０は、外部端子であるピン１２が
複数本植設された基板２と、基板２上に搭載された、Ｃ
ＭＯＳ回路を備えた複数のＬＳＩ１とから構成される。
マルチチップモジュール２０の構成要素であるＬＳＩ１
は、冷却部材３に熱的に接続されている。ＬＳＩ１の冷
却部材側の面と冷却部材３との間には、ＬＳＩの実装高
さや傾きのばらつきを吸収させるための熱伝導性のコン
パウンドが充填されている。基板２は、アルミナやムラ
イトなどのセラミック材料やアルミニウムなどの金属材
料をベース基板として、その上に導体となる配線層とそ
の層間の絶縁をとる層間絶縁層とを多層に積層した多層
配線基板、あるいは銅張ガラスエポキシ基板から形成し
た配線基板を多層に積層した多層配線基板などであり、
基板表面に平行な方向の熱伝導性に優れている。本実施
例においては、また、ＬＳＩ１の実装される側の基板２
の表面に薄膜絶縁層を設け、その絶縁材料として熱伝導
性の低いポリイミドを用いた。ポリイミドは、ポリイミ
ドの前駆体をスピン・コーティングした後に加熱するこ
とによって形成した。ただし、薄膜絶縁層の絶縁材料と
してはポリイミドに限らず、熱伝導性の低い絶縁材料で
あればいずれも使用し得る。例えば，ＢＣＢ（ベンゾシ
クロブテン）等も、好適に用い得る。
面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明による電
子デバイスの第１の実施例を示す側断面図である。マル
チチップモジュール２０は、外部端子であるピン１２が
複数本植設された基板２と、基板２上に搭載された、Ｃ
ＭＯＳ回路を備えた複数のＬＳＩ１とから構成される。
マルチチップモジュール２０の構成要素であるＬＳＩ１
は、冷却部材３に熱的に接続されている。ＬＳＩ１の冷
却部材側の面と冷却部材３との間には、ＬＳＩの実装高
さや傾きのばらつきを吸収させるための熱伝導性のコン
パウンドが充填されている。基板２は、アルミナやムラ
イトなどのセラミック材料やアルミニウムなどの金属材
料をベース基板として、その上に導体となる配線層とそ
の層間の絶縁をとる層間絶縁層とを多層に積層した多層
配線基板、あるいは銅張ガラスエポキシ基板から形成し
た配線基板を多層に積層した多層配線基板などであり、
基板表面に平行な方向の熱伝導性に優れている。本実施
例においては、また、ＬＳＩ１の実装される側の基板２
の表面に薄膜絶縁層を設け、その絶縁材料として熱伝導
性の低いポリイミドを用いた。ポリイミドは、ポリイミ
ドの前駆体をスピン・コーティングした後に加熱するこ
とによって形成した。ただし、薄膜絶縁層の絶縁材料と
してはポリイミドに限らず、熱伝導性の低い絶縁材料で
あればいずれも使用し得る。例えば，ＢＣＢ（ベンゾシ
クロブテン）等も、好適に用い得る。
【０００８】冷却部材３は、ＣＭＯＳのＬＳＩ１を高速
動作させるために、室温以下に冷却される。冷却方式と
しては、冷却部材内に水や不凍液などの冷媒を循環させ
る液冷方式、冷凍サイクルを使用する方式、吸熱作用を
利用するペルチェ素子を使用する方式などがあるが、い
ずれの方式を採用してもよい。
動作させるために、室温以下に冷却される。冷却方式と
しては、冷却部材内に水や不凍液などの冷媒を循環させ
る液冷方式、冷凍サイクルを使用する方式、吸熱作用を
利用するペルチェ素子を使用する方式などがあるが、い
ずれの方式を採用してもよい。
【０００９】マルチチップモジュール２０はフランジ部
材７に保持されている。本実施例においては、基板２を
フランジ部材７の底部にネジどめにて固定したが、基板
２をフランジ部材７の底部に接触保持してもよいし、フ
ランジ部材７の底部に半田ないし接着剤により固着して
もよい。フランジ部材７の上にはアダプタ６を介してヒ
ータ５が設置されている。アダプタ６は、アダプタ板６
ａと支柱６ｂとの２つの部分から構成される（図２参
照）。さらにヒータ５と冷却部材３との間には断熱材４
が挿入されている。フランジ部材７はアルミニウムなど
の熱伝導性に優れた金属で形成され、基板２をピン１２
側から面で接触保持している。フランジ部材７の表面に
は絶縁被覆が施されている。断熱材４は、その内部に結
露を生じないように、独立気泡を持つものが使用され
る。また、吸水率が数％以下のものが望ましい。このよ
うな性質を持つ断熱材として、例えば独立気泡スポンジ
ゴム等が好適に使用され得る。断熱材４をヒータ５と冷
却部材３の間に挿入しているのは、ヒータ５の熱を冷却
部材３に奪われることなく、フランジ部材７に効率よく
熱伝導させるためである。アダプタ６の主な目的は、冷
却部材による冷却を行いながらＬＳＩを動作させる際
に、冷却部材による吸熱やヒータによる発熱によって、
弾性体である断熱部材４が伸縮することを防ぐことであ
る。このことによって、冷却部材３とＬＳＩ１との間隔
が変化してしまうことを防止することができる。本発明
においては、基板２はその周囲を加熱されたフランジ部
材７によって保持されている。そのため、フランジ部材
７より基板２に伝達された熱は基板周辺部よりその中央
部に向かって伝達される。したがって、この構造によれ
ば、基板をむらなくかつ効率的に加熱することができ
る。
材７に保持されている。本実施例においては、基板２を
フランジ部材７の底部にネジどめにて固定したが、基板
２をフランジ部材７の底部に接触保持してもよいし、フ
ランジ部材７の底部に半田ないし接着剤により固着して
もよい。フランジ部材７の上にはアダプタ６を介してヒ
ータ５が設置されている。アダプタ６は、アダプタ板６
ａと支柱６ｂとの２つの部分から構成される（図２参
照）。さらにヒータ５と冷却部材３との間には断熱材４
が挿入されている。フランジ部材７はアルミニウムなど
の熱伝導性に優れた金属で形成され、基板２をピン１２
側から面で接触保持している。フランジ部材７の表面に
は絶縁被覆が施されている。断熱材４は、その内部に結
露を生じないように、独立気泡を持つものが使用され
る。また、吸水率が数％以下のものが望ましい。このよ
うな性質を持つ断熱材として、例えば独立気泡スポンジ
ゴム等が好適に使用され得る。断熱材４をヒータ５と冷
却部材３の間に挿入しているのは、ヒータ５の熱を冷却
部材３に奪われることなく、フランジ部材７に効率よく
熱伝導させるためである。アダプタ６の主な目的は、冷
却部材による冷却を行いながらＬＳＩを動作させる際
に、冷却部材による吸熱やヒータによる発熱によって、
弾性体である断熱部材４が伸縮することを防ぐことであ
る。このことによって、冷却部材３とＬＳＩ１との間隔
が変化してしまうことを防止することができる。本発明
においては、基板２はその周囲を加熱されたフランジ部
材７によって保持されている。そのため、フランジ部材
７より基板２に伝達された熱は基板周辺部よりその中央
部に向かって伝達される。したがって、この構造によれ
ば、基板をむらなくかつ効率的に加熱することができ
る。
【００１０】図２に、ヒータ部の分解斜視図を示す。ア
ダプタ板６ａは、フランジ部材７の上側表面に沿って設
置されており、その上面には中空の支柱６ｂが設けられ
ている。アダプタ板６ａと中空の支柱６ｂとで、アダプ
タ６を構成している。アダプタ板６ａの材料としては、
ヒータ５とフランジ部材７との熱伝導を良好にするため
に、熱伝導率の高い材料を選択することが望ましい。本
実施例においては、アルミニウムを用いたが、銅等の金
属材料も好適に用い得る。支柱６ｂには、強度が強く、
また、フランジ部材７と冷却部材３との熱伝導を防止す
るために、熱伝導性の低い材料を使用することが望まし
い。本実施例においては、ステンレススティールを選択
した。支柱６ｂの大きさには特別の制約はないが、フラ
ンジ部材７と冷却部材３との間の熱伝導を小さくするた
めに、フランジ部材幅の半分以下の程度が望ましい。
ダプタ板６ａは、フランジ部材７の上側表面に沿って設
置されており、その上面には中空の支柱６ｂが設けられ
ている。アダプタ板６ａと中空の支柱６ｂとで、アダプ
タ６を構成している。アダプタ板６ａの材料としては、
ヒータ５とフランジ部材７との熱伝導を良好にするため
に、熱伝導率の高い材料を選択することが望ましい。本
実施例においては、アルミニウムを用いたが、銅等の金
属材料も好適に用い得る。支柱６ｂには、強度が強く、
また、フランジ部材７と冷却部材３との熱伝導を防止す
るために、熱伝導性の低い材料を使用することが望まし
い。本実施例においては、ステンレススティールを選択
した。支柱６ｂの大きさには特別の制約はないが、フラ
ンジ部材７と冷却部材３との間の熱伝導を小さくするた
めに、フランジ部材幅の半分以下の程度が望ましい。
【００１１】フランジ部材７、アダプタ６、ヒータ５、
断熱材４、冷却部材３を重ね合わせたときに、アダプタ
６の支柱６ｂが当たるフランジ部材７の位置にはネジ１
３の貫通孔が、ヒータ５と断熱材４との該当する位置に
は支柱６ｂが貫通できる貫通孔が、冷却部材３の該当す
る位置にはネジ１３のためのメネジが、それぞれ、形成
されている。フランジ部材７は、アダプタ６、ヒータ
５、断熱材４を間に挟んでネジ１３によって冷却部材３
に強くネジ止めされる。金属の熱膨張係数は一般に１０
−５／℃程度であり、従って、支柱６ｂの長さが数ｃ
ｍ、温度変化が数１０℃としても支柱の長さ変化は０．
０１ｍｍ程度に過ぎない。一方、冷却部材３とＬＳＩ１
との間には０．１ｍｍ程度の間隙が存在する。従って、
支柱６ｂに数１０℃の温度変化が生じたとしても、その
長さ変化はＬＳＩ１と冷却部材３との間隔に比べて無視
できる。断熱材４は、冷却部材３とヒータ５との間の断
熱効果を大きくするために、冷却部材３とヒータ５との
間に隙間なく充填した方がよい。
断熱材４、冷却部材３を重ね合わせたときに、アダプタ
６の支柱６ｂが当たるフランジ部材７の位置にはネジ１
３の貫通孔が、ヒータ５と断熱材４との該当する位置に
は支柱６ｂが貫通できる貫通孔が、冷却部材３の該当す
る位置にはネジ１３のためのメネジが、それぞれ、形成
されている。フランジ部材７は、アダプタ６、ヒータ
５、断熱材４を間に挟んでネジ１３によって冷却部材３
に強くネジ止めされる。金属の熱膨張係数は一般に１０
−５／℃程度であり、従って、支柱６ｂの長さが数ｃ
ｍ、温度変化が数１０℃としても支柱の長さ変化は０．
０１ｍｍ程度に過ぎない。一方、冷却部材３とＬＳＩ１
との間には０．１ｍｍ程度の間隙が存在する。従って、
支柱６ｂに数１０℃の温度変化が生じたとしても、その
長さ変化はＬＳＩ１と冷却部材３との間隔に比べて無視
できる。断熱材４は、冷却部材３とヒータ５との間の断
熱効果を大きくするために、冷却部材３とヒータ５との
間に隙間なく充填した方がよい。
【００１２】図３は、マルチチップモジュール２０が基
板２のピン１２を介してボード８に搭載されている状態
を示す断面図である。ボード８に設けられている信号パ
ッドや給電パッドを通じて、外部からＬＳＩ１への信号
伝達や給電が行なわれる。ボード８の上には、マルチチ
ップモジュール２０をボード８に載置する際にピン１２
が確実にボード８のスルーホールに嵌合するように案内
する案内機構品９が設けられている。さらに本実施例に
おいては、マルチチップモジュール２０をボード８に搭
載した状態で、冷却部材３の外側表面全体を覆う断熱カ
バー１０が取り付けられている。この部分には十分な空
間が存在するため、断熱材厚が例えば１０ｍｍ以上で、
吸水率が数％以下の断熱カバーを使用できる。しかしな
がら、断熱カバー１０を薄くしたい場合には、断熱カバ
ー１０の外側表面をヒータで覆って、断熱カバー１０の
表面温度を上げてもよい。
板２のピン１２を介してボード８に搭載されている状態
を示す断面図である。ボード８に設けられている信号パ
ッドや給電パッドを通じて、外部からＬＳＩ１への信号
伝達や給電が行なわれる。ボード８の上には、マルチチ
ップモジュール２０をボード８に載置する際にピン１２
が確実にボード８のスルーホールに嵌合するように案内
する案内機構品９が設けられている。さらに本実施例に
おいては、マルチチップモジュール２０をボード８に搭
載した状態で、冷却部材３の外側表面全体を覆う断熱カ
バー１０が取り付けられている。この部分には十分な空
間が存在するため、断熱材厚が例えば１０ｍｍ以上で、
吸水率が数％以下の断熱カバーを使用できる。しかしな
がら、断熱カバー１０を薄くしたい場合には、断熱カバ
ー１０の外側表面をヒータで覆って、断熱カバー１０の
表面温度を上げてもよい。
【００１３】次に、本発明の結露防止構造の動作を更に
詳細に説明する。最初に、ヒータ５の動作について説明
する。ＬＳＩ１を動作させたときにＬＳＩ１に発生する
熱は、冷却部材３に直接伝熱される。このとき、冷却部
材を低温に保持することによって、ＬＳＩ１の中に形成
されているＣＭＯＳは低温に冷却された状態になる。し
たがって、それぞれのＣＭＯＳは、移動度の高い状態で
高速動作することが可能になる。
詳細に説明する。最初に、ヒータ５の動作について説明
する。ＬＳＩ１を動作させたときにＬＳＩ１に発生する
熱は、冷却部材３に直接伝熱される。このとき、冷却部
材を低温に保持することによって、ＬＳＩ１の中に形成
されているＣＭＯＳは低温に冷却された状態になる。し
たがって、それぞれのＣＭＯＳは、移動度の高い状態で
高速動作することが可能になる。
【００１４】ヒータ５に給電して発熱させた熱は、アダ
プタ板６ａを通過して、フランジ部材７へと伝熱する。
アダプタ板６ａは熱伝導性に優れた材料でつくられてい
るので、ヒータ５に給電して発熱させた熱は、高効率に
フランジ部材７へと伝熱する。したがって、フランジ部
材７は、露点温度以上の温度に保たれる。ここで、フラ
ンジ部材７は基板２と面接触しているために、フランジ
部材７が基板２を温めることになる。基板２は、アルミ
ナやムライトなどのセラミック材料やアルミニウムなど
の金属をベース基板として、その上に導体となる配線層
とその層間の絶縁をとる層間絶縁層とを多層に配線した
多層配線基板、または銅張ガラスエポキシ板から形成さ
れた配線基板を多層に積層した多層配線基板であり、基
板表面に平行な方向の熱伝導性に優れるため、基板全面
に渡って一様に昇温する。したがって、フランジ部材７
および基板２からの放熱が、マルチチップモジュール２
０の内部空間を一様に温めるため、マルチチップモジュ
ール２０の内側の結露を防止することもできる。さら
に、基板２のＬＳＩ１が実装される側の面には、熱伝導
性の低いポリイミド等の薄膜絶縁層が形成されているの
で、基板に伝わった熱は、ＬＳＩ１内部の各々のＣＭＯ
Ｓにまで伝熱して、それらのＣＭＯＳをも温めるという
ことはほとんどない。このため、ＬＳＩ１内のＣＭＯＳ
のジャンクション温度は高速動作している低温の状態を
保持できる。
プタ板６ａを通過して、フランジ部材７へと伝熱する。
アダプタ板６ａは熱伝導性に優れた材料でつくられてい
るので、ヒータ５に給電して発熱させた熱は、高効率に
フランジ部材７へと伝熱する。したがって、フランジ部
材７は、露点温度以上の温度に保たれる。ここで、フラ
ンジ部材７は基板２と面接触しているために、フランジ
部材７が基板２を温めることになる。基板２は、アルミ
ナやムライトなどのセラミック材料やアルミニウムなど
の金属をベース基板として、その上に導体となる配線層
とその層間の絶縁をとる層間絶縁層とを多層に配線した
多層配線基板、または銅張ガラスエポキシ板から形成さ
れた配線基板を多層に積層した多層配線基板であり、基
板表面に平行な方向の熱伝導性に優れるため、基板全面
に渡って一様に昇温する。したがって、フランジ部材７
および基板２からの放熱が、マルチチップモジュール２
０の内部空間を一様に温めるため、マルチチップモジュ
ール２０の内側の結露を防止することもできる。さら
に、基板２のＬＳＩ１が実装される側の面には、熱伝導
性の低いポリイミド等の薄膜絶縁層が形成されているの
で、基板に伝わった熱は、ＬＳＩ１内部の各々のＣＭＯ
Ｓにまで伝熱して、それらのＣＭＯＳをも温めるという
ことはほとんどない。このため、ＬＳＩ１内のＣＭＯＳ
のジャンクション温度は高速動作している低温の状態を
保持できる。
【００１５】基板２に伝わった熱は、また、ピン１２を
介してボード８に伝熱し、ピン１２やボード８の温度を
上昇させる。このため、構造的に十分な厚さの断熱材の
挿入が難しいピン１２やボード８の部分でも温度を露点
温度以上とすることが可能となり、結露を防止すること
ができる。さらに、断熱材なしで結露を防止できるため
に空間的な余裕ができ、ピン１２をボード８のスルーホ
ールに確実に嵌合させるように案内する案内機構品９の
設置が容易になる。これにより、ピン１２のボード８へ
の挿入ミスが防止できるという効果も生み出される。
介してボード８に伝熱し、ピン１２やボード８の温度を
上昇させる。このため、構造的に十分な厚さの断熱材の
挿入が難しいピン１２やボード８の部分でも温度を露点
温度以上とすることが可能となり、結露を防止すること
ができる。さらに、断熱材なしで結露を防止できるため
に空間的な余裕ができ、ピン１２をボード８のスルーホ
ールに確実に嵌合させるように案内する案内機構品９の
設置が容易になる。これにより、ピン１２のボード８へ
の挿入ミスが防止できるという効果も生み出される。
【００１６】冷却部材３の外表面全体を覆う断熱カバー
１０は、冷却部材３の結露を防止する目的である。ま
た、フランジ部材７の温度を最適温度に設定するため
に、ヒータ温度を制御するための温度制御部がヒータ５
に取り付けられてもよいことは言うまでもない。
１０は、冷却部材３の結露を防止する目的である。ま
た、フランジ部材７の温度を最適温度に設定するため
に、ヒータ温度を制御するための温度制御部がヒータ５
に取り付けられてもよいことは言うまでもない。
【００１７】ヒータ５の発熱量は、基板２の材料やサイ
ズ、ＬＳＩ１の発熱量やＣＭＯＳのジャンクション設定
温度、冷却部材３の温度や冷媒を用いる場合には冷媒の
温度、冷却性能、マルチチップモジュール２０の熱容量
等によって決定される。例えば、基板２が１００ｍｍ□
サイズのムライト基板であり、ＬＳＩ１の全発熱量が１
００Ｗである場合には、ヒータ５の発熱量を数Ｗ程度と
するだけで、ピン１２に約１０゜Ｃの温度上昇が得られ
た。このようにヒータ５の発熱量は、マルチチップモジ
ュール２０の発熱量に比べれば数％程度とかなり小さ
い。その上に、基板に伝熱した熱は薄膜絶縁層によって
ＬＳＩ１側への伝熱が妨げられるために、ＬＳＩ１内の
ＣＭＯＳのジャンクション温度は、ヒータ５の発熱の影
響をほとんど受けることなく、その温度上昇は１゜Ｃ以
下が実現できる。
ズ、ＬＳＩ１の発熱量やＣＭＯＳのジャンクション設定
温度、冷却部材３の温度や冷媒を用いる場合には冷媒の
温度、冷却性能、マルチチップモジュール２０の熱容量
等によって決定される。例えば、基板２が１００ｍｍ□
サイズのムライト基板であり、ＬＳＩ１の全発熱量が１
００Ｗである場合には、ヒータ５の発熱量を数Ｗ程度と
するだけで、ピン１２に約１０゜Ｃの温度上昇が得られ
た。このようにヒータ５の発熱量は、マルチチップモジ
ュール２０の発熱量に比べれば数％程度とかなり小さ
い。その上に、基板に伝熱した熱は薄膜絶縁層によって
ＬＳＩ１側への伝熱が妨げられるために、ＬＳＩ１内の
ＣＭＯＳのジャンクション温度は、ヒータ５の発熱の影
響をほとんど受けることなく、その温度上昇は１゜Ｃ以
下が実現できる。
【００１８】次に、アダプタ６の動作について説明す
る。断熱材４は、冷却部材３とヒータ５との間の断熱効
果を大きくするために、圧縮状態で冷却部材３とアダプ
タ板６ａおよびヒータ５との間に隙間なく充填されてい
る。断熱材４は、断熱性を良好にするために発泡スチレ
ンや発泡ウレタン等で構成されているので、冷却部材３
による冷却やヒータ５による加熱によって伸縮する。そ
の結果として、アダプタ６が存在しない場合には、冷却
部材３とＬＳＩ１との間隔が変化する。例えば、断熱材
４が収縮した場合には、冷却部材３とＬＳＩ１との間隔
が狭くなり、冷却部材３との間隔が最も小さいＬＳＩ１
には過度の荷重が作用する結果となる。逆に、断熱材４
が伸張した場合には、冷却部材３とＬＳＩ１との間隔が
広くなり、最も間隔の広い冷却部材３とＬＳＩ１との間
では、その隙間に充填したシリコーングリースやコンパ
ウンドがその働きを失ってしまい、冷却部材３によるＬ
ＳＩ１への冷却が不可能な事態が発生する。
る。断熱材４は、冷却部材３とヒータ５との間の断熱効
果を大きくするために、圧縮状態で冷却部材３とアダプ
タ板６ａおよびヒータ５との間に隙間なく充填されてい
る。断熱材４は、断熱性を良好にするために発泡スチレ
ンや発泡ウレタン等で構成されているので、冷却部材３
による冷却やヒータ５による加熱によって伸縮する。そ
の結果として、アダプタ６が存在しない場合には、冷却
部材３とＬＳＩ１との間隔が変化する。例えば、断熱材
４が収縮した場合には、冷却部材３とＬＳＩ１との間隔
が狭くなり、冷却部材３との間隔が最も小さいＬＳＩ１
には過度の荷重が作用する結果となる。逆に、断熱材４
が伸張した場合には、冷却部材３とＬＳＩ１との間隔が
広くなり、最も間隔の広い冷却部材３とＬＳＩ１との間
では、その隙間に充填したシリコーングリースやコンパ
ウンドがその働きを失ってしまい、冷却部材３によるＬ
ＳＩ１への冷却が不可能な事態が発生する。
【００１９】そこで、本実施例においては、フランジ部
材７は、アダプタ６、ヒータ５、断熱材４を間に挟ん
で、ネジ１３によって冷却部材３に強く固定している。
したがって、冷却部材３による冷却あるいはヒータ５に
よる加熱などによって断熱材が伸縮しようとしても、そ
の伸縮はアダプタ６によって防止され、マルチチップモ
ジュール２０の各ＬＳＩ１と冷却部材３とは、事実上一
定の間隔を保つことができる。また、支柱６ｂの温度に
よる変化は、冷却部材３とＬＳＩ１との間の間隙に比べ
て無視できる。これによって、冷却部材３とＬＳＩ１と
の間隔が変化し、ＬＳＩ１に過度の荷重が作用したり、
逆に、ＬＳＩ１と冷却部材３とが物理的に離れてしま
い、熱伝導の損失によって冷却不可能なレベルに到達す
るといった事態の発生を防止することができる。
材７は、アダプタ６、ヒータ５、断熱材４を間に挟ん
で、ネジ１３によって冷却部材３に強く固定している。
したがって、冷却部材３による冷却あるいはヒータ５に
よる加熱などによって断熱材が伸縮しようとしても、そ
の伸縮はアダプタ６によって防止され、マルチチップモ
ジュール２０の各ＬＳＩ１と冷却部材３とは、事実上一
定の間隔を保つことができる。また、支柱６ｂの温度に
よる変化は、冷却部材３とＬＳＩ１との間の間隙に比べ
て無視できる。これによって、冷却部材３とＬＳＩ１と
の間隔が変化し、ＬＳＩ１に過度の荷重が作用したり、
逆に、ＬＳＩ１と冷却部材３とが物理的に離れてしま
い、熱伝導の損失によって冷却不可能なレベルに到達す
るといった事態の発生を防止することができる。
【００２０】図４は、本発明の第２の実施例におけるア
ダプタに係る断面図である。本実施例におけるアダプタ
６は、図２に示した第１の実施例における中空の支柱
（６ｂ）を有しておらず、コの字型の断面をなしてい
る。このコの字型の断面を有する枠状形状のアダプタ６
が、フランジ部材７の上側表面上を覆って設置される。
アダプタ６のコの字の内部には、同じく枠状形状のヒー
タ５が取り付けられており、その残りの空間には断熱材
４が充填されている。この状態で断熱材４、ヒータ５、
アダプタ６が、図２に示す実施例の場合と同様に、フラ
ンジ部材７と冷却部材３との間にネジ止めにて固定され
る。
ダプタに係る断面図である。本実施例におけるアダプタ
６は、図２に示した第１の実施例における中空の支柱
（６ｂ）を有しておらず、コの字型の断面をなしてい
る。このコの字型の断面を有する枠状形状のアダプタ６
が、フランジ部材７の上側表面上を覆って設置される。
アダプタ６のコの字の内部には、同じく枠状形状のヒー
タ５が取り付けられており、その残りの空間には断熱材
４が充填されている。この状態で断熱材４、ヒータ５、
アダプタ６が、図２に示す実施例の場合と同様に、フラ
ンジ部材７と冷却部材３との間にネジ止めにて固定され
る。
【００２１】図５は、本発明の第３の実施例におけるア
ダプタに係る断面図である。本実施例におけるアダプタ
６も、図２に示す第１の実施例における中空の支柱（６
ｂ）を有しておらず、断面がロの字型であることを除け
ば、図４に示したアダプタと同じである。また、これら
第２、第３の実施例におけるアダプタ部以外の部分の構
成は、図３に示した第１の実施例の構成と同様である。
第２、第３の実施例に対して、ヒータ５をアダプタ６内
に配置することなく、アダプタ下（フランジ部材上）に
配置するように変更してもよい。
ダプタに係る断面図である。本実施例におけるアダプタ
６も、図２に示す第１の実施例における中空の支柱（６
ｂ）を有しておらず、断面がロの字型であることを除け
ば、図４に示したアダプタと同じである。また、これら
第２、第３の実施例におけるアダプタ部以外の部分の構
成は、図３に示した第１の実施例の構成と同様である。
第２、第３の実施例に対して、ヒータ５をアダプタ６内
に配置することなく、アダプタ下（フランジ部材上）に
配置するように変更してもよい。
【００２２】図６は、本発明の第４の実施例を示す部分
分解断面図である。本実施例の図２に示した第１の実施
例と相違する点は、アダプタ６が別体のアダプタ板６ｃ
と支柱６ｄにより構成されている点である。アダプタ板
６ｃと支柱６ｄとが別体により構成されたことにより、
それぞれを熱良伝導体と断熱性の高い材料とにより形成
することが可能になる。すなわち、アダプタ板６ｃを金
属により、支柱６ｄをセラミックまたはプラスチックに
より形成することができる。
分解断面図である。本実施例の図２に示した第１の実施
例と相違する点は、アダプタ６が別体のアダプタ板６ｃ
と支柱６ｄにより構成されている点である。アダプタ板
６ｃと支柱６ｄとが別体により構成されたことにより、
それぞれを熱良伝導体と断熱性の高い材料とにより形成
することが可能になる。すなわち、アダプタ板６ｃを金
属により、支柱６ｄをセラミックまたはプラスチックに
より形成することができる。
【００２３】図７は、本発明の第５の実施例を示す部分
分解断面図である。本実施例の図２に示した第１の実施
例と相違する点は、アダプタ６が支柱のみから構成さ
れ、アダプタ板部分が削除されている点である。したが
って、本実施例においてはヒータ５が直接フランジ部材
７に接触する。本実施例においては、アダプタ６は熱不
良導体であることが望ましいため、セラミックまたはプ
ラスチックにより形成される。
分解断面図である。本実施例の図２に示した第１の実施
例と相違する点は、アダプタ６が支柱のみから構成さ
れ、アダプタ板部分が削除されている点である。したが
って、本実施例においてはヒータ５が直接フランジ部材
７に接触する。本実施例においては、アダプタ６は熱不
良導体であることが望ましいため、セラミックまたはプ
ラスチックにより形成される。
【００２４】図８は、本発明の第６の実施例を示す部分
分解斜視図である。本実施例の図２に示した第１の実施
例と相違する点は、ヒータ５をアダプタ６とフランジ部
材７との間に挿入したことである。本実施例において
は、ヒータ５がフランジ部材７に接触して配置されるた
め、アダプタ６を熱不良導体で形成することができる。
また、ヒータ６に形成される孔を小さくすることができ
るため、ヒータ６に発生する局部的な熱上昇を抑制する
ことができる。
分解斜視図である。本実施例の図２に示した第１の実施
例と相違する点は、ヒータ５をアダプタ６とフランジ部
材７との間に挿入したことである。本実施例において
は、ヒータ５がフランジ部材７に接触して配置されるた
め、アダプタ６を熱不良導体で形成することができる。
また、ヒータ６に形成される孔を小さくすることができ
るため、ヒータ６に発生する局部的な熱上昇を抑制する
ことができる。
【００２５】以上、本発明の好ましい実施例について説
明したが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
なく、本発明の要旨を逸脱することのない範囲内におい
て適宜の変更が可能なものである。例えば、実施例では
ヒータがフランジ部材の上表面上に配置されていたがこ
こに限定する必要はなく、基板２とフランジ部材７との
間あるいはフランジ部材７の側面や下面など、ヒータが
その機能を発揮できる位置であればいずれの位置にあっ
ても構わない。また、ヒータは厚膜または薄膜抵抗とし
てフランジ部材上に形成することもできる。また、アダ
プタ６に、ヒータ機能を持たせてもよい。さらには、フ
ランジ部材７自体を発熱させることも可能である。
明したが、本発明はこれら実施例に限定されるものでは
なく、本発明の要旨を逸脱することのない範囲内におい
て適宜の変更が可能なものである。例えば、実施例では
ヒータがフランジ部材の上表面上に配置されていたがこ
こに限定する必要はなく、基板２とフランジ部材７との
間あるいはフランジ部材７の側面や下面など、ヒータが
その機能を発揮できる位置であればいずれの位置にあっ
ても構わない。また、ヒータは厚膜または薄膜抵抗とし
てフランジ部材上に形成することもできる。また、アダ
プタ６に、ヒータ機能を持たせてもよい。さらには、フ
ランジ部材７自体を発熱させることも可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、半導体
デバイスを搭載した基板の周囲を加熱されたフランジ部
材によって保持するようにしたものであるので、むらな
くかつ効率的に基板を加熱することができる。したがっ
て、本発明によれば、冷却に要する消費電力を削減する
ことができ、過度な昇温を回避することができると共に
ＬＳＩのジャンクション温度にほとんど影響を与えるこ
となく基板および基板に係るピン、ボードの温度が露点
以下の温度に低下することを防止することが可能にな
る。
デバイスを搭載した基板の周囲を加熱されたフランジ部
材によって保持するようにしたものであるので、むらな
くかつ効率的に基板を加熱することができる。したがっ
て、本発明によれば、冷却に要する消費電力を削減する
ことができ、過度な昇温を回避することができると共に
ＬＳＩのジャンクション温度にほとんど影響を与えるこ
となく基板および基板に係るピン、ボードの温度が露点
以下の温度に低下することを防止することが可能にな
る。
【図１】 本発明の第１の実施例の断面図。
【図２】 本発明の第１の実施例の部分分解斜視図。
【図３】 本発明の第１の実施例の実装ボード上に搭載
された状態を示す断面図。
された状態を示す断面図。
【図４】 本発明の第２の実施例におけるアダプタ部分
の断面図。
の断面図。
【図５】 本発明の第３の実施例におけるアダプタ部分
の断面図。
の断面図。
【図６】 本発明の第４の実施例の部分分解断面図。
【図７】 本発明の第５の実施例の部分分解断面図。
【図８】 本発明の第６の実施例の部分分解斜視図。
１ ＬＳＩ
２ 基板
３ 冷却部材
４ 断熱材
５ ヒータ
６ アダプタ
６ａ、６ｃ アダプタ板
６ｂ、６ｄ 支柱
７ フランジ部材
８ ボード
９ 案内機構品
１０ 断熱カバー
１２ ピン
１３ ネジ
２０ マルチチップモジュール
Claims (18)
- 【請求項１】 半導体デバイスと、該半導体デバイスが
搭載された基板と、該基板の外周部を保持するフランジ
部材と、冷却部材とを含み、前記フランジ部材を前記冷
却部材に固着させることによって前記半導体デバイスと
前記冷却部材とが熱的に接続された結露防止構造を備え
た電子デバイスにおいて、前記フランジ部材には加熱機
能が備えられていることを特徴とする結露防止構造を備
えた電子デバイス。 - 【請求項２】 前記フランジ部材にはその表面上にヒー
タが設置されていることを特徴とする請求項１に記載の
結露防止構造を備えた電子デバイス。 - 【請求項３】 前記フランジ部材と前記冷却部材との界
面、および／または、前記フランジ部材と前記基板の外
周部との界面にヒータが設置されていることを特徴とす
る請求項２に記載の結露防止構造を備えた電子デバイ
ス。 - 【請求項４】 前記フランジ部材が発熱体であることを
特徴とする請求項１に記載の結露防止構造を備えた電子
デバイス。 - 【請求項５】 前記フランジ部材は、中央部に開口が形
成された底面と、該底面の外周部に直立する角筒部とを
有し、前記底面において前記基板を保持していることを
特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の結露防止
構造を備えた電子デバイス。 - 【請求項６】 前記フランジ部材は、前記角筒部の頂面
において前記冷却部材に固着されていることを特徴とす
る請求項４に記載の結露防止構造を備えた電子デバイ
ス。 - 【請求項７】 前記フランジ部材は、金属により形成さ
れていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに
記載の結露防止構造を備えた電子デバイス。 - 【請求項８】 前記フランジ部材の表面には、絶縁被覆
が施されていることを特徴とする請求項７に記載の結露
防止構造を備えた電子デバイス。 - 【請求項９】 前記冷却部材と前記フランジ部材との間
に断熱部材が挿入されていることを特徴とする請求項１
から８のいずれかに記載の結露防止構造を備えた電子デ
バイス。 - 【請求項１０】 前記断熱部材は、独立気泡を有するプ
ラスチック材により構成されていることを特徴とする請
求項９に記載の結露防止構造を備えた電子デバイス。 - 【請求項１１】 前記冷却部材と前記フランジ部材との
間には、前記断熱部材の動きを規制するアダプタが挿入
されていることを特徴とする請求項９または１０に記載
の結露防止構造を備えた電子デバイス。 - 【請求項１２】 前記断熱部材が、前記アダプタ内に収
容されていることを特徴とする請求項１１に記載の結露
防止構造を備えた電子デバイス。 - 【請求項１３】 前記アダプタは、少なくとも前記断熱
部材内を貫通する中空の支柱、または、少なくとも前記
断熱部材内を貫通する中空の支柱および板状のアダプタ
板、により構成されていることを特徴とする請求項１１
に記載の結露防止構造を備えた電子デバイス。 - 【請求項１４】 前記アダプタは、金属により形成され
ていることを特徴とする請求項１３に記載の結露防止構
造を備えた電子デバイス。 - 【請求項１５】 前記アダプタがヒータ機能を兼ねてい
ることを特徴とする請求項１１に記載の結露防止構造を
備えた電子デバイス。 - 【請求項１６】 前記アダプタの少なくとも前記中空の
支柱はセラミックまたはプラスチックにより形成されて
いることを特徴とする請求項１３に記載の結露防止構造
を備えた電子デバイス。 - 【請求項１７】 前記基板の表面に、断熱性の絶縁層が
形成されていることを特徴とする請求項１から１６のい
ずれかに記載の結露防止構造を備えた電子デバイス。 - 【請求項１８】前記加熱機能には前記フランジ部の温度
を制御する温度制御機能が備えられていることを特徴と
する請求項１から１７のいずれかに記載の結露防止構造
を備えた電子デバイス。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP2001154794A JP3476142B2 (ja) | 2001-05-24 | 2001-05-24 | 結露防止構造を備えた電子デバイス |
| US10/152,729 US6853071B2 (en) | 2001-05-24 | 2002-05-23 | Electronic device having dewing prevention structure and dewing prevention structure of electronic device |
| CA002387252A CA2387252A1 (en) | 2001-05-24 | 2002-05-23 | Electronic device having dewing prevention structure and dewing prevention structure of electronic device |
| EP02011492A EP1261027A3 (en) | 2001-05-24 | 2002-05-24 | Electronic device having dewing prevention structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001154794A JP3476142B2 (ja) | 2001-05-24 | 2001-05-24 | 結露防止構造を備えた電子デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002353386A JP2002353386A (ja) | 2002-12-06 |
| JP3476142B2 true JP3476142B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=18999079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001154794A Expired - Fee Related JP3476142B2 (ja) | 2001-05-24 | 2001-05-24 | 結露防止構造を備えた電子デバイス |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6853071B2 (ja) |
| EP (1) | EP1261027A3 (ja) |
| JP (1) | JP3476142B2 (ja) |
| CA (1) | CA2387252A1 (ja) |
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| US7372147B2 (en) * | 2003-07-02 | 2008-05-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Supporting a circuit package including a substrate having a solder column array |
| US7133286B2 (en) * | 2004-05-10 | 2006-11-07 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for sealing a liquid cooled electronic device |
| JP4594689B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2010-12-08 | エドワーズ株式会社 | 真空ポンプ |
| DE102006052620B4 (de) * | 2006-11-08 | 2009-07-09 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Schaltungsanordnung mit einem Leistungsmodul, das mit einer Leiterplatte kombiniert ist. |
| DE102006052619B4 (de) * | 2006-11-08 | 2009-07-30 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Schaltungsanordnung mit einem Leistungsmodul, das mit einer Leiterplatte kombiniert ist |
| JP5142690B2 (ja) * | 2007-12-10 | 2013-02-13 | 株式会社日立国際電気 | 電子部品の熱伝達構造 |
| US20110127254A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-02 | Cypress Technology Llc | Electric Heating Systems and Associated Methods |
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