JP3475310B2 - リードフレーム、リードフレーム部材および半導体装置 - Google Patents
リードフレーム、リードフレーム部材および半導体装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，リードフレームをコア
材として回路を形成した面実装型の樹脂封止型半導体装
置に関し、特に、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒ
ａｙ）タイプの半導体装置およびそれに用いられるリー
ドフレーム部材に関する。
材として回路を形成した面実装型の樹脂封止型半導体装
置に関し、特に、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒ
ａｙ）タイプの半導体装置およびそれに用いられるリー
ドフレーム部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置は、電子機器の高性能
化と軽薄短小化の傾向（時流）からＬＳＩのＡＳＩＣに
代表されるように、ますます高集積化、高機能化になっ
ている。高集積化、高機能化された半導体装置において
は、信号の高速処理のためには、パッケージ内のインダ
クタンスが無視できない状況になってきて、パッケージ
内のインダクタンスを低減するために、電源、グランド
の接続端子数を多くし、実質的なインダクタンスを下げ
るようにして、対応してきた。この為、半導体装置の高
集積化、高機能化は外部端子（ピン）の総数の増加とな
り、ますます多端子（ピン）化が求められるようになっ
てきた。多端子（ピン）ＩＣ、特にゲートアレイやスタ
ンダードセルに代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコ
ン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｏｒ）等の半導体装置化には、リードフレームを
用いたものとしては、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）等の表面実装型パッケージが用いられて
おり、ＱＦＰでは３００ピンクラスのものまでが実用化
に至ってきている。ＱＦＰは、図６（ａ）に示す単層リ
ードフレーム６１０を用いたもので、図６（ｂ）に示す
ように、ダイパッド６１１上に半導体素子６２１を搭載
し、金めっき等の処理がされたインナーリード先端部６
１２Ａと半導体素子６２１の端子６２２（電極パッド）
とをワイヤ６２３にて結線した後に、樹脂６２４で封止
し、ダムバー部をカットし、アウターリード６１３部を
ガルウイング状に折り曲げて作製されている。このよう
なＱＦＰは、パッケージの４方向へ外部回路と電気的に
接続するためのアウターリードを設けた構造となり、多
端子（ピン）化に対応できるものとして開発されてき
た。ここで用いられる単層リードフレーム６１０は、通
常、コバール、４２合金（４２％Ｎｉ−鉄）、銅系合金
等の導電性に優れ、且つ強度が大きい金属板をフオトリ
ソグラフイー技術を用いたエッチング加工方法やスタン
ピング法等により、図６（ａ）に示すような形状に加工
して作製されていた。
化と軽薄短小化の傾向（時流）からＬＳＩのＡＳＩＣに
代表されるように、ますます高集積化、高機能化になっ
ている。高集積化、高機能化された半導体装置において
は、信号の高速処理のためには、パッケージ内のインダ
クタンスが無視できない状況になってきて、パッケージ
内のインダクタンスを低減するために、電源、グランド
の接続端子数を多くし、実質的なインダクタンスを下げ
るようにして、対応してきた。この為、半導体装置の高
集積化、高機能化は外部端子（ピン）の総数の増加とな
り、ますます多端子（ピン）化が求められるようになっ
てきた。多端子（ピン）ＩＣ、特にゲートアレイやスタ
ンダードセルに代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコ
ン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃ
ｅｓｓｏｒ）等の半導体装置化には、リードフレームを
用いたものとしては、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）等の表面実装型パッケージが用いられて
おり、ＱＦＰでは３００ピンクラスのものまでが実用化
に至ってきている。ＱＦＰは、図６（ａ）に示す単層リ
ードフレーム６１０を用いたもので、図６（ｂ）に示す
ように、ダイパッド６１１上に半導体素子６２１を搭載
し、金めっき等の処理がされたインナーリード先端部６
１２Ａと半導体素子６２１の端子６２２（電極パッド）
とをワイヤ６２３にて結線した後に、樹脂６２４で封止
し、ダムバー部をカットし、アウターリード６１３部を
ガルウイング状に折り曲げて作製されている。このよう
なＱＦＰは、パッケージの４方向へ外部回路と電気的に
接続するためのアウターリードを設けた構造となり、多
端子（ピン）化に対応できるものとして開発されてき
た。ここで用いられる単層リードフレーム６１０は、通
常、コバール、４２合金（４２％Ｎｉ−鉄）、銅系合金
等の導電性に優れ、且つ強度が大きい金属板をフオトリ
ソグラフイー技術を用いたエッチング加工方法やスタン
ピング法等により、図６（ａ）に示すような形状に加工
して作製されていた。
【０００３】しかしながら、近年の半導体素子の信号処
理の高速化及び高性能（機能）化は、更に多くの端子を
必要としている。これに対し、ＱＦＰでは、外部端子ピ
ッチを狭めることにより、更なる多端子化に対応できる
が、外部端子を狭ピッチ化した場合、外部端子自体の幅
も狭める必要があり、外部端子強度が低下させることと
なる。その結果、端子成形（ガルウイング化）の位置精
度あるいは平坦精度等において問題を生じてしまう。ま
た、ＱＦＰでは、アウターリードのピッチが、０．４ｍ
ｍ、０．３ｍｍと更にピッチが狭くなるにつれ、これら
狭ピッチの実装工程が難しくなってきて、高度なボード
実装技術を実現せねばならない等の障害（問題）をかか
えている。
理の高速化及び高性能（機能）化は、更に多くの端子を
必要としている。これに対し、ＱＦＰでは、外部端子ピ
ッチを狭めることにより、更なる多端子化に対応できる
が、外部端子を狭ピッチ化した場合、外部端子自体の幅
も狭める必要があり、外部端子強度が低下させることと
なる。その結果、端子成形（ガルウイング化）の位置精
度あるいは平坦精度等において問題を生じてしまう。ま
た、ＱＦＰでは、アウターリードのピッチが、０．４ｍ
ｍ、０．３ｍｍと更にピッチが狭くなるにつれ、これら
狭ピッチの実装工程が難しくなってきて、高度なボード
実装技術を実現せねばならない等の障害（問題）をかか
えている。
【０００４】これら従来のＱＦＰパッケージがかかえる
実装効率、実装性の問題を回避するために、半田ボール
をパッケージの外部端子に置き換えた面実装型パッケー
ジであるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と
呼ばれるプラスチックパッケージ半導体装置が開発され
てきた。ＢＧＡは、外部端子を裏面にマトリクス状（ア
レイ状）に配置した半田ボールとした表面実装型半導体
装置（プラスチックパッケージ）の総称である。通常、
このＢＧＡは、入出力端子を増やすために、両面配線基
板の片面に半導体素子を搭載し、もう一方の面に球状の
半田を取付けた外部端子用電極を設け、スルーホールを
通じて半導体素子と外部端子用電極との導通をとってい
た。球状の半田をアレイ状に並べることにより、端子ピ
ッチの間隔を従来のリードフレームを用いた半導体装置
より広くすることができ、この結果、半導体装置の実装
工程を難しくせず、入出力端子の増加に対応できた。Ｂ
ＧＡは、一般に図７に示すような構造である。図７
（ｂ）は図７（ａ）の裏面（基板）側からみた図で図７
（ｃ）はスルーホール７５０部を示したものである。こ
のＢＧＡはＢＴレジン（ビスマレイミド系樹脂）を代表
とする耐熱性有する平板（樹脂板）の基材７０２の片面
に半導体素子７０１を搭載するダイパッド７０５と半導
体素子７０１からボンディングワイヤ７０８により電気
的に接続されるボンディングパッド７１０をもち、もう
一方の面に、外部回路と半導体装置との電気的、物理的
接続を行う格子状あるいは千鳥状に配置された半田ボー
ルにより形成した外部接続端子７０６をもち、外部接続
端子７０６とボンディングパッド７１０の間を配線７０
４とスルーホール７５０、配線７０４Ａにより電気的に
接続している構造である。この様な耐熱樹脂基材を用い
て構成される、従来型のＢＧＡは、比較的コストも安
く、多端子実装に対応した半導体装置を実現できるもの
である。 このＢＧＡの場合、半導体素子７０１で生じ
た熱は、半導体素子７０１、配線７０４、スルーホール
７５０、配線７０４Ａ、外部接続端子７０６を経由して
外部の配線回路へと伝達される。また、図７（ｃ）に示
すように基板の中央部ダイバッド７０５領域のＢＴレジ
ンに貫通孔を設け、貫通孔内部に無電解メッキ電解メッ
キ７１８を施した熱伝導ビア７５１を設け搭載するプリ
ント基板にダイレクトに熱を逃がすことで、熱放散性を
向上させている。
実装効率、実装性の問題を回避するために、半田ボール
をパッケージの外部端子に置き換えた面実装型パッケー
ジであるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と
呼ばれるプラスチックパッケージ半導体装置が開発され
てきた。ＢＧＡは、外部端子を裏面にマトリクス状（ア
レイ状）に配置した半田ボールとした表面実装型半導体
装置（プラスチックパッケージ）の総称である。通常、
このＢＧＡは、入出力端子を増やすために、両面配線基
板の片面に半導体素子を搭載し、もう一方の面に球状の
半田を取付けた外部端子用電極を設け、スルーホールを
通じて半導体素子と外部端子用電極との導通をとってい
た。球状の半田をアレイ状に並べることにより、端子ピ
ッチの間隔を従来のリードフレームを用いた半導体装置
より広くすることができ、この結果、半導体装置の実装
工程を難しくせず、入出力端子の増加に対応できた。Ｂ
ＧＡは、一般に図７に示すような構造である。図７
（ｂ）は図７（ａ）の裏面（基板）側からみた図で図７
（ｃ）はスルーホール７５０部を示したものである。こ
のＢＧＡはＢＴレジン（ビスマレイミド系樹脂）を代表
とする耐熱性有する平板（樹脂板）の基材７０２の片面
に半導体素子７０１を搭載するダイパッド７０５と半導
体素子７０１からボンディングワイヤ７０８により電気
的に接続されるボンディングパッド７１０をもち、もう
一方の面に、外部回路と半導体装置との電気的、物理的
接続を行う格子状あるいは千鳥状に配置された半田ボー
ルにより形成した外部接続端子７０６をもち、外部接続
端子７０６とボンディングパッド７１０の間を配線７０
４とスルーホール７５０、配線７０４Ａにより電気的に
接続している構造である。この様な耐熱樹脂基材を用い
て構成される、従来型のＢＧＡは、比較的コストも安
く、多端子実装に対応した半導体装置を実現できるもの
である。 このＢＧＡの場合、半導体素子７０１で生じ
た熱は、半導体素子７０１、配線７０４、スルーホール
７５０、配線７０４Ａ、外部接続端子７０６を経由して
外部の配線回路へと伝達される。また、図７（ｃ）に示
すように基板の中央部ダイバッド７０５領域のＢＴレジ
ンに貫通孔を設け、貫通孔内部に無電解メッキ電解メッ
キ７１８を施した熱伝導ビア７５１を設け搭載するプリ
ント基板にダイレクトに熱を逃がすことで、熱放散性を
向上させている。
【０００５】ＢＧＡの内部構造は様々で、上記図７に示
す構造のものの他に、リードフレームをコア材として回
路を形成したものも、近年、種々提案されている。これ
らのリードフレームを使用するＢＧＡパッケージは、図
４に示すようなリードフレーム部材を用いたもので、図
５に示すような構造をとっており、半導体素子端子から
取り出された信号を伝達する為の第一のリード（第一の
配線）４０２、第一のリード（第一の配線）に一体的に
連結した半田ボールを搭載するためのリードランド部
（リードの外部端子部）４０３、リードランド部（リー
ドの外部端子部）４０３と一体的に連結し外周に向かう
第二のリード（第二の配線）４０４が形成されている。
図４に示すリードフレーム部材の第二のリード（第二の
配線）４０４は、半導体装置を形成する際に必要な長さ
よりも長く外周側に延びてダムバー４０５に一体的に連
結しているが、これはメッキ工程時に電気的導通をとる
為のものであったり、物理的な強度を確保するためのも
のであり、半導体素子を搭載し、半導体素子の電極パッ
ド部と第一のリード（第一の配線）の半導体素子側先端
部との電気的結線をし、全体を樹脂モールドした後に
は、図５に示すように、パッケージの外周に沿って切断
される。したがって、実装完了後も、該半田ボール搭載
のためのリードランド部（リードフレームの外部端子
部）４０３からパッケージ外周まで、機能的に本来必要
のない第二のリード（第二の配線）４０４が残されてい
ることとなる。このパッケージ内に残された第二のリー
ド（第二の配線）４０４は、半導体素子とも電気的に接
続された状態である為、例えばロジック回路において
は、クロック周波数が低周波数領域にある場合には、信
号になんら影響を与えないが、高周波数領域でにある場
合には、信号の反射、帯域阻止、電磁放射、電磁吸収、
導体損失等の影響を与え、半導体装置全体の正常な動作
を妨げる。即ち、このような構造のＢＧＡパッケージに
おいては、パッケージ内の不必要な第二のリード（第二
配線）が搭載される半導体素子の最高動作周波数を制限
する一因となっていた。
す構造のものの他に、リードフレームをコア材として回
路を形成したものも、近年、種々提案されている。これ
らのリードフレームを使用するＢＧＡパッケージは、図
４に示すようなリードフレーム部材を用いたもので、図
５に示すような構造をとっており、半導体素子端子から
取り出された信号を伝達する為の第一のリード（第一の
配線）４０２、第一のリード（第一の配線）に一体的に
連結した半田ボールを搭載するためのリードランド部
（リードの外部端子部）４０３、リードランド部（リー
ドの外部端子部）４０３と一体的に連結し外周に向かう
第二のリード（第二の配線）４０４が形成されている。
図４に示すリードフレーム部材の第二のリード（第二の
配線）４０４は、半導体装置を形成する際に必要な長さ
よりも長く外周側に延びてダムバー４０５に一体的に連
結しているが、これはメッキ工程時に電気的導通をとる
為のものであったり、物理的な強度を確保するためのも
のであり、半導体素子を搭載し、半導体素子の電極パッ
ド部と第一のリード（第一の配線）の半導体素子側先端
部との電気的結線をし、全体を樹脂モールドした後に
は、図５に示すように、パッケージの外周に沿って切断
される。したがって、実装完了後も、該半田ボール搭載
のためのリードランド部（リードフレームの外部端子
部）４０３からパッケージ外周まで、機能的に本来必要
のない第二のリード（第二の配線）４０４が残されてい
ることとなる。このパッケージ内に残された第二のリー
ド（第二の配線）４０４は、半導体素子とも電気的に接
続された状態である為、例えばロジック回路において
は、クロック周波数が低周波数領域にある場合には、信
号になんら影響を与えないが、高周波数領域でにある場
合には、信号の反射、帯域阻止、電磁放射、電磁吸収、
導体損失等の影響を与え、半導体装置全体の正常な動作
を妨げる。即ち、このような構造のＢＧＡパッケージに
おいては、パッケージ内の不必要な第二のリード（第二
配線）が搭載される半導体素子の最高動作周波数を制限
する一因となっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、上記リー
ドフレームをコア材として回路を形成したＢＧＡにおい
ては、メッキ工程時に電気的導通をとるためや、物理的
な強度を確保するために必要とされた第二のリード（第
二配線）が、そのままパッケージ内に残り、搭載される
半導体素子の最高動作周波数を制限する一因となり問題
となっていた。本発明は、この問題を解決するためのも
のである。詳しくは、従来のリードフレームをコア材と
して回路を形成したＢＧＡにおいて、必要とされていた
第二のリード（第二配線）を無くした構造で、且つ、メ
ッキ工程時に電気的導通をとれ、物理的な強度を確保す
ることができるリードフレームをコア材として回路を形
成したＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置を提供しよ
うとするものである。
ドフレームをコア材として回路を形成したＢＧＡにおい
ては、メッキ工程時に電気的導通をとるためや、物理的
な強度を確保するために必要とされた第二のリード（第
二配線）が、そのままパッケージ内に残り、搭載される
半導体素子の最高動作周波数を制限する一因となり問題
となっていた。本発明は、この問題を解決するためのも
のである。詳しくは、従来のリードフレームをコア材と
して回路を形成したＢＧＡにおいて、必要とされていた
第二のリード（第二配線）を無くした構造で、且つ、メ
ッキ工程時に電気的導通をとれ、物理的な強度を確保す
ることができるリードフレームをコア材として回路を形
成したＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置を提供しよ
うとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、リードフレームをコア材として回路を形成したＢＧ
Ａ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプの半導体
装置に用いられるリードフレームで、半導体素子の端子
と電気的接続を行うためのリードと、該リードとその一
端で一体的に連結して外部と電気的接続を行うための外
部端子を備え、且つ、該外部端子がリード形成面に沿い
二次元的に配列されているリードフレームであって、前
記リードは、半導体素子の端子と電気的接続を行う領域
より半導体素子側に延設され、外部端子側でない先端部
において一体的に連結した連結部を設け、該連結部は吊
りリードを介してダムバーに支持され、更に、該ダムバ
ーはフレーム部へ固定されており、且つ、前記外部端子
は、前記半導体素子の端子と電気的接続を行うためのリ
ードと連結されているのみで、ダムバーと分離されてい
ることを特徴とするものである。そして、上記リードフ
レームは、半導体素子を搭載するダイパッド部を有し、
且つ、連結部がダイパッドないしダイパッドと一体的に
形成されたものであることを特徴とするものである。本
発明のリードフレーム部材は、リードフレームをコア材
として回路を形成したＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａ
ｒｒａｙ）タイプの半導体装置に用いられるリードフレ
ーム部材で、半導体素子の端子と電気的接続を行うため
のリードと、該リードとその一端で一体的に連結して外
部と電気的接続を行うための外部端子を備え、且つ、該
外部端子がリード形成面に沿い二次元的に配列されてい
るリードフレーム部材であって、上記のいずれか１に記
載の本発明のリードフレームを用い、その連結部が切断
され、インナーリードの先端部は、絶縁性樹脂層により
一体的に固定されたもので、且つ、前記外部端子は、前
記半導体素子の端子と電気的接続を行うためのリードと
連結されているのみで、ダムバーとは分離されているこ
とを特徴とするものである。本発明の半導体装置は、上
記リードフレーム部材を用いたことを特徴とするもので
ある。
は、リードフレームをコア材として回路を形成したＢＧ
Ａ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプの半導体
装置に用いられるリードフレームで、半導体素子の端子
と電気的接続を行うためのリードと、該リードとその一
端で一体的に連結して外部と電気的接続を行うための外
部端子を備え、且つ、該外部端子がリード形成面に沿い
二次元的に配列されているリードフレームであって、前
記リードは、半導体素子の端子と電気的接続を行う領域
より半導体素子側に延設され、外部端子側でない先端部
において一体的に連結した連結部を設け、該連結部は吊
りリードを介してダムバーに支持され、更に、該ダムバ
ーはフレーム部へ固定されており、且つ、前記外部端子
は、前記半導体素子の端子と電気的接続を行うためのリ
ードと連結されているのみで、ダムバーと分離されてい
ることを特徴とするものである。そして、上記リードフ
レームは、半導体素子を搭載するダイパッド部を有し、
且つ、連結部がダイパッドないしダイパッドと一体的に
形成されたものであることを特徴とするものである。本
発明のリードフレーム部材は、リードフレームをコア材
として回路を形成したＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａ
ｒｒａｙ）タイプの半導体装置に用いられるリードフレ
ーム部材で、半導体素子の端子と電気的接続を行うため
のリードと、該リードとその一端で一体的に連結して外
部と電気的接続を行うための外部端子を備え、且つ、該
外部端子がリード形成面に沿い二次元的に配列されてい
るリードフレーム部材であって、上記のいずれか１に記
載の本発明のリードフレームを用い、その連結部が切断
され、インナーリードの先端部は、絶縁性樹脂層により
一体的に固定されたもので、且つ、前記外部端子は、前
記半導体素子の端子と電気的接続を行うためのリードと
連結されているのみで、ダムバーとは分離されているこ
とを特徴とするものである。本発明の半導体装置は、上
記リードフレーム部材を用いたことを特徴とするもので
ある。
【０００８】
【作用】本発明のリードフレームは、上記のような構成
にすることにより、図５に示すようなリードフレームを
コア材として回路を形成したＢＧＡタイプの樹封型半導
体装置において、従来必要とされていたリードフレーム
の外部端子部とダムバーとを連結する第二のリード（第
二配線）を無くした構造のものを作製するためのリード
フレーム部材の提供を可能とするものであり、且つ、メ
ッキ工程時に電気的導通をとれ、物理的な強度を確保す
ることができるリードフレームを提供することを可能と
している。また、本発明のリードフレーム部材は、外部
端子部が半導体素子の端子と電気的接続を行うためのリ
ードと連結されているのみで、ダムバーとは分離されて
いることにより、即ち、図５に示すＢＧＡタイプの樹封
型半導体装置において、従来必要とされていた、外部端
子とフレーム（枠）部とを連結する第二リード（第二配
線）４０４を無くしたことにより、これを用いＢＧＡタ
イプの樹封型半導体装置を作製した際、パッケージ内
に、不必要な外部端子とフレーム（枠）部とを連結する
第二のリード（第二配線）が残ることはなく、従来のＢ
ＧＡタイプの樹封型半導体装置ように、不必要なパッケ
ージ内に残された第二のリード（第二の配線）により半
導体素子の動作周波数が制限されることもなくなる。本
発明の半導体装置は、本発明のリードフレーム部材を用
いることにより、結局、より動作周波数の制限が広い半
導体装置の提供を可能としている。
にすることにより、図５に示すようなリードフレームを
コア材として回路を形成したＢＧＡタイプの樹封型半導
体装置において、従来必要とされていたリードフレーム
の外部端子部とダムバーとを連結する第二のリード（第
二配線）を無くした構造のものを作製するためのリード
フレーム部材の提供を可能とするものであり、且つ、メ
ッキ工程時に電気的導通をとれ、物理的な強度を確保す
ることができるリードフレームを提供することを可能と
している。また、本発明のリードフレーム部材は、外部
端子部が半導体素子の端子と電気的接続を行うためのリ
ードと連結されているのみで、ダムバーとは分離されて
いることにより、即ち、図５に示すＢＧＡタイプの樹封
型半導体装置において、従来必要とされていた、外部端
子とフレーム（枠）部とを連結する第二リード（第二配
線）４０４を無くしたことにより、これを用いＢＧＡタ
イプの樹封型半導体装置を作製した際、パッケージ内
に、不必要な外部端子とフレーム（枠）部とを連結する
第二のリード（第二配線）が残ることはなく、従来のＢ
ＧＡタイプの樹封型半導体装置ように、不必要なパッケ
ージ内に残された第二のリード（第二の配線）により半
導体素子の動作周波数が制限されることもなくなる。本
発明の半導体装置は、本発明のリードフレーム部材を用
いることにより、結局、より動作周波数の制限が広い半
導体装置の提供を可能としている。
【０００９】
【実施例】本発明のリードフレーム部材の実施例を図１
に基づいて説明する。図１（ａ）は、本実施例のリード
フレーム部材の概略構成を示したものであり、便宜上リ
ードフレームと絶縁性樹脂層とを切り離した展開図で図
示しており、且つ、分かり易くするために、配線の数、
外部端子の数も少なく示してあるもので、図１（ｂ）
は、図１（ａ）に示す実施例のリードフレーム部材の一
部拡大図で配線の数、外部端子の数やその形状を略正確
に示したものである。図１中、１００はリードフレーム
部材、１１０はリードフレーム部、１１１はダイパッ
ド、１１２はインナーリード先端部、１１３はインナリ
ード、１１４は外部端子部、１１５はダムバー、１１６
は吊りバー、１１７は吊りリード、１１８はフレーム
（枠）部、１２０は絶縁性樹脂（層）、１２１は開口部
である。本実施例のリードフレーム部材１００において
は、外部端子部１１４はインナーリード１１３と連結さ
れているのみで、ダムバー１１５とは連結しておらず、
フレーム部１１８とは分離されている。そして、インナ
ーリード先端部１１２は、絶縁性樹脂（層）１２０によ
り、ダイパッド１１１とともに固定され、インナーリー
ド先端部１１２とダイパッド１１１とが、ともに吊りリ
ード１１７によりダムバー１１５に固定さており、且
つ、ダムバー１１５は吊りバー１１６によりフレーム部
１１８へ固定されている。
に基づいて説明する。図１（ａ）は、本実施例のリード
フレーム部材の概略構成を示したものであり、便宜上リ
ードフレームと絶縁性樹脂層とを切り離した展開図で図
示しており、且つ、分かり易くするために、配線の数、
外部端子の数も少なく示してあるもので、図１（ｂ）
は、図１（ａ）に示す実施例のリードフレーム部材の一
部拡大図で配線の数、外部端子の数やその形状を略正確
に示したものである。図１中、１００はリードフレーム
部材、１１０はリードフレーム部、１１１はダイパッ
ド、１１２はインナーリード先端部、１１３はインナリ
ード、１１４は外部端子部、１１５はダムバー、１１６
は吊りバー、１１７は吊りリード、１１８はフレーム
（枠）部、１２０は絶縁性樹脂（層）、１２１は開口部
である。本実施例のリードフレーム部材１００において
は、外部端子部１１４はインナーリード１１３と連結さ
れているのみで、ダムバー１１５とは連結しておらず、
フレーム部１１８とは分離されている。そして、インナ
ーリード先端部１１２は、絶縁性樹脂（層）１２０によ
り、ダイパッド１１１とともに固定され、インナーリー
ド先端部１１２とダイパッド１１１とが、ともに吊りリ
ード１１７によりダムバー１１５に固定さており、且
つ、ダムバー１１５は吊りバー１１６によりフレーム部
１１８へ固定されている。
【００１０】本実施例のリードフレーム部材の製造方法
は、後述する図２（ａ）に示す実施例のリードフレーム
２００を用い、以下のようにして行った。先ず、図２
（ａ）に示す実施例のリードフレーム２００に対して、
インナーリード先端部１１２とダイパッド１１１、吊り
リード１１７を含む領域を覆い、且つ、本来不要である
インナーリード先端部１１２からダイパッドへと延びた
連結用リード１１２Ａ部の領域に相当する開口部１２１
を設けた一体形状の絶縁性樹脂（層）１２０を圧着し
た。次いで、この状態で、インナーリード先端部１１２
へのワイヤボンデイングのための金（銀）めっきを行っ
た後、絶縁性樹脂（層）１２０の開口部１２１のインナ
ーリード先端部１１２に延設された連結用リード１１２
Ａをプレスにより切断除去し、図１（ｂ）に示すリード
フレーム部材を得た。また、図２（ｂ）に示すリードフ
レーム２００Ａを用いた場合も、同様に、所定形状の絶
縁性樹脂（層）をリードフレーム２００Ａに圧着し、ワ
イヤボンデイングのための金（銀）メッキを行った後に
プレスによるインナーリード先端部１１２Ａの先端に延
設された連結部２０１Ａを含む不要部分の切断除去を行
い図１（ｂ）に示すリードフレーム部材１００を得る。
は、後述する図２（ａ）に示す実施例のリードフレーム
２００を用い、以下のようにして行った。先ず、図２
（ａ）に示す実施例のリードフレーム２００に対して、
インナーリード先端部１１２とダイパッド１１１、吊り
リード１１７を含む領域を覆い、且つ、本来不要である
インナーリード先端部１１２からダイパッドへと延びた
連結用リード１１２Ａ部の領域に相当する開口部１２１
を設けた一体形状の絶縁性樹脂（層）１２０を圧着し
た。次いで、この状態で、インナーリード先端部１１２
へのワイヤボンデイングのための金（銀）めっきを行っ
た後、絶縁性樹脂（層）１２０の開口部１２１のインナ
ーリード先端部１１２に延設された連結用リード１１２
Ａをプレスにより切断除去し、図１（ｂ）に示すリード
フレーム部材を得た。また、図２（ｂ）に示すリードフ
レーム２００Ａを用いた場合も、同様に、所定形状の絶
縁性樹脂（層）をリードフレーム２００Ａに圧着し、ワ
イヤボンデイングのための金（銀）メッキを行った後に
プレスによるインナーリード先端部１１２Ａの先端に延
設された連結部２０１Ａを含む不要部分の切断除去を行
い図１（ｂ）に示すリードフレーム部材１００を得る。
【００１１】本発明のリードフレームの実施例を図２に
基づいて説明する。図２（ａ）は、本発明のリードフレ
ームの実施例の要部を示した平面図で、全体の略４分の
１を示したものである。前記実施例のリードフレーム部
材の作製に用いられたもので、図１（ｂ）に相当する領
域を示している。本実施例のリードフレーム２００は、
上記実施例のリードフレーム部材の作製に用いられたも
のであり、０．１５ｍｍ厚の４２合金（ニッケル４２％
−鉄合金）からなり、通常のエッチング加工により作製
されたものである。リードフレーム２００においては、
ダイパッド１１１とインナーリード先端部１１２とはイ
ンナーリード先端部１１２から延設した連結用リード１
１２Ａを介して一体的に形成されており、ダイパッド１
１１は吊りリード１１７によりダムバー１１５に固定さ
れ、且つダムバー１１５が吊りバー１１６によりフレー
ム１１８に固定されている。これにより、結局、インリ
ーリード先端部１１２が、ダイパッド１１１、吊りリー
ド１１７、ダムバー１１５、吊りバー１１６を介して、
固定されている。
基づいて説明する。図２（ａ）は、本発明のリードフレ
ームの実施例の要部を示した平面図で、全体の略４分の
１を示したものである。前記実施例のリードフレーム部
材の作製に用いられたもので、図１（ｂ）に相当する領
域を示している。本実施例のリードフレーム２００は、
上記実施例のリードフレーム部材の作製に用いられたも
のであり、０．１５ｍｍ厚の４２合金（ニッケル４２％
−鉄合金）からなり、通常のエッチング加工により作製
されたものである。リードフレーム２００においては、
ダイパッド１１１とインナーリード先端部１１２とはイ
ンナーリード先端部１１２から延設した連結用リード１
１２Ａを介して一体的に形成されており、ダイパッド１
１１は吊りリード１１７によりダムバー１１５に固定さ
れ、且つダムバー１１５が吊りバー１１６によりフレー
ム１１８に固定されている。これにより、結局、インリ
ーリード先端部１１２が、ダイパッド１１１、吊りリー
ド１１７、ダムバー１１５、吊りバー１１６を介して、
固定されている。
【００１２】図２（ｂ）は、上記図２（ａ）に示す実施
例のリードフレームの変形例であるリードフレームの要
部を示した平面図で、全体の略４分の１を示したもので
ある。変形例のリードフレーム２００Ａの場合は、イン
ナーリード先端部１１２は連結部２０１Ａを介してダイ
パッド１１１を固定するための吊りリード１１７と一体
的に連結されているもので、吊りリード１１７がダムバ
ー１１５に連結し、且つダムバー１１５が吊りバー１１
６を介してフレーム部１１８に連結していることによ
り、結局、インリーリード先端部１１２が、連結部２０
１、吊りリード１１７、ダムバー１１５、吊りバー１１
６を介して、固定されている。本変形例のリードフレー
ム２００Ａを用いて、図１（ｂ）に示すリードフレーム
部材１００を作製する際、プレスの切断に関しては、切
断面積が実施例リードフレームに比べ少なく有利である
が、インナーリード１１３の固定の安定性の面からは、
図２（ａ）に示す実施例リードフレームに比べ劣る。
例のリードフレームの変形例であるリードフレームの要
部を示した平面図で、全体の略４分の１を示したもので
ある。変形例のリードフレーム２００Ａの場合は、イン
ナーリード先端部１１２は連結部２０１Ａを介してダイ
パッド１１１を固定するための吊りリード１１７と一体
的に連結されているもので、吊りリード１１７がダムバ
ー１１５に連結し、且つダムバー１１５が吊りバー１１
６を介してフレーム部１１８に連結していることによ
り、結局、インリーリード先端部１１２が、連結部２０
１、吊りリード１１７、ダムバー１１５、吊りバー１１
６を介して、固定されている。本変形例のリードフレー
ム２００Ａを用いて、図１（ｂ）に示すリードフレーム
部材１００を作製する際、プレスの切断に関しては、切
断面積が実施例リードフレームに比べ少なく有利である
が、インナーリード１１３の固定の安定性の面からは、
図２（ａ）に示す実施例リードフレームに比べ劣る。
【００１３】次いで、本発明の半導体装置の実施例を図
３（ａ）および図３（ｂ）に挙げて説明する。本実施例
の半導体装置は前記実施例のリードフレーム部材を用い
たもので、図５に示す従来のＢＧＡタイプの樹脂封止型
半導体装置のように、半導体素子の動作周波数の制限す
る一因となる不要なリード（配線）を外部端子に連結し
て設けていない。図３中、３００、３００Ａは半導体装
置、３０１、３０１Ａは半導体素子、３０１ａ、３０１
Ａａは電極パッド（端子）、３１０、３１０Ａはワイ
ヤ、３１１、３１１Ａは半田、３２０、３２０Ａは封止
樹脂、３４０は絶縁性フィルムである。また、前述のよ
うに、１１０はリードフレーム部、１１１はダイパッ
ド、１１３はインナーリード、１１４は外部端子部であ
る。図３（ａ）は、リードフレーム部材３１０の片面を
絶縁性のフィルム３４０を用い、他面側を封止樹脂３２
０により封止した半導体装置であり、図３（ｂ）は、リ
ードフレーム部材の両面を封止樹脂３２０Ａにより封止
した半導体装置である。図３（ａ）および図３（ｂ）に
示す半導体装置３００、３００Ａは、それぞれ半導体素
子の電極パッド３０１、ワイヤ３１０、インナーリード
１１３、外部端子部３０６、半田３１１を介して、ない
し電極パッド３０１Ａ、ワイヤ３１０Ａ、インナーリー
ド１１３、外部端子部１１４、半田３１１Ａを介して、
半導体素子と外部回路が電気的に接続するものである。
図３に示す半導体装置３００、３００Ａは、それぞれ外
部端子部３０６、３０６Ａが二次元的に配列され、これ
に連結して設けられた半田３１１、３１１Ａ部が二次元
的に配列された外部回路との接続部を形成しており、Ｂ
ＧＡタイプの樹脂封止型の半導体装置である。上記半導
体装置３００、３００Ａは、いずれも図１に示す上記実
施例のリードフレーム部材１００を使用したものであ
り、使用するリードフレーム部材１００には、外部端子
部１１４とダムバー１１５とが一体的に連結したもので
ないため、樹脂封止後にダムバーをプレスによる切り離
す必要がなく、図５に示す従来のＢＧＡタイプの樹脂封
止型半導体装置のようにプレスによる第二のリード（第
二配線部）の切断除去を行わない。樹脂封止後には吊り
リード１１７（４本）のみを除去すれば良いので、樹脂
封止後にプレスにより大きな力が加わることもなく、品
質面でも安定したものとなる。図１（ａ）に示すように
リードフレーム部材１００の外部端子部１１４は、イン
ナーリードに連結するのみで、図４に示す従来のリード
フレーム部材のように、不要な第二のリード（図４中の
４０４）を持たないため、これによる半導体素子の動作
周波数への影響をなくしている。
３（ａ）および図３（ｂ）に挙げて説明する。本実施例
の半導体装置は前記実施例のリードフレーム部材を用い
たもので、図５に示す従来のＢＧＡタイプの樹脂封止型
半導体装置のように、半導体素子の動作周波数の制限す
る一因となる不要なリード（配線）を外部端子に連結し
て設けていない。図３中、３００、３００Ａは半導体装
置、３０１、３０１Ａは半導体素子、３０１ａ、３０１
Ａａは電極パッド（端子）、３１０、３１０Ａはワイ
ヤ、３１１、３１１Ａは半田、３２０、３２０Ａは封止
樹脂、３４０は絶縁性フィルムである。また、前述のよ
うに、１１０はリードフレーム部、１１１はダイパッ
ド、１１３はインナーリード、１１４は外部端子部であ
る。図３（ａ）は、リードフレーム部材３１０の片面を
絶縁性のフィルム３４０を用い、他面側を封止樹脂３２
０により封止した半導体装置であり、図３（ｂ）は、リ
ードフレーム部材の両面を封止樹脂３２０Ａにより封止
した半導体装置である。図３（ａ）および図３（ｂ）に
示す半導体装置３００、３００Ａは、それぞれ半導体素
子の電極パッド３０１、ワイヤ３１０、インナーリード
１１３、外部端子部３０６、半田３１１を介して、ない
し電極パッド３０１Ａ、ワイヤ３１０Ａ、インナーリー
ド１１３、外部端子部１１４、半田３１１Ａを介して、
半導体素子と外部回路が電気的に接続するものである。
図３に示す半導体装置３００、３００Ａは、それぞれ外
部端子部３０６、３０６Ａが二次元的に配列され、これ
に連結して設けられた半田３１１、３１１Ａ部が二次元
的に配列された外部回路との接続部を形成しており、Ｂ
ＧＡタイプの樹脂封止型の半導体装置である。上記半導
体装置３００、３００Ａは、いずれも図１に示す上記実
施例のリードフレーム部材１００を使用したものであ
り、使用するリードフレーム部材１００には、外部端子
部１１４とダムバー１１５とが一体的に連結したもので
ないため、樹脂封止後にダムバーをプレスによる切り離
す必要がなく、図５に示す従来のＢＧＡタイプの樹脂封
止型半導体装置のようにプレスによる第二のリード（第
二配線部）の切断除去を行わない。樹脂封止後には吊り
リード１１７（４本）のみを除去すれば良いので、樹脂
封止後にプレスにより大きな力が加わることもなく、品
質面でも安定したものとなる。図１（ａ）に示すように
リードフレーム部材１００の外部端子部１１４は、イン
ナーリードに連結するのみで、図４に示す従来のリード
フレーム部材のように、不要な第二のリード（図４中の
４０４）を持たないため、これによる半導体素子の動作
周波数への影響をなくしている。
【００１４】
【発明の効果】本発明のリードフレーム部材は、上記の
ように、図５に示す従来の半導体装置において必要とさ
れていた第二のリード（第二配線）を無くした構造の、
リードフレーム部材をコア材として回路を形成したＢＧ
Ａタイプの樹脂封止型半導体装置の作製を可能とするも
のである。その結果、図５に示す従来のＢＧＡタイプの
樹脂封止型半導体装置の場合に問題となっていた、第二
のリード（第二配線）の動作周波数への影響をなくし、
動作周波数の制限が少ない本発明の半導体装置の提供を
可能としている。本発明の半導体装置は、本発明のリー
ドフレーム部材を用いたもので、動作周波数への制限を
少なくできるとともに、その作製において、図５に示す
従来のＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置の作製にお
いて、樹脂封止後の第二のリード（第二配線）切断除去
のためのプレス切断を必要としないため、プレスによる
影響がきわめて少なく、品質的にも信頼性のある半導体
装置の提供を可能とするものである。本発明のリードフ
レームは、本発明のリードフレーム部材を作製するため
のリードフレームであって、半導体素子の端子と電気的
接続を行うインナーリード先端部において一体的に連結
した連結部を設け、且つ、該連結部が吊りリードにより
フレーム（枠）部へ固定されていることにより物理的強
度を大きくとれ、エッチング加工等金属の加工により作
製する際に、インナーリードのよれの発生も起こること
がなく、安定した品質の生産を可能としている。また、
メッキ工程時にも図２に示す吊りリード１１７を介して
インナーリード先端部やダイパッド部に電気的導通をと
れるものとしている。
ように、図５に示す従来の半導体装置において必要とさ
れていた第二のリード（第二配線）を無くした構造の、
リードフレーム部材をコア材として回路を形成したＢＧ
Ａタイプの樹脂封止型半導体装置の作製を可能とするも
のである。その結果、図５に示す従来のＢＧＡタイプの
樹脂封止型半導体装置の場合に問題となっていた、第二
のリード（第二配線）の動作周波数への影響をなくし、
動作周波数の制限が少ない本発明の半導体装置の提供を
可能としている。本発明の半導体装置は、本発明のリー
ドフレーム部材を用いたもので、動作周波数への制限を
少なくできるとともに、その作製において、図５に示す
従来のＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置の作製にお
いて、樹脂封止後の第二のリード（第二配線）切断除去
のためのプレス切断を必要としないため、プレスによる
影響がきわめて少なく、品質的にも信頼性のある半導体
装置の提供を可能とするものである。本発明のリードフ
レームは、本発明のリードフレーム部材を作製するため
のリードフレームであって、半導体素子の端子と電気的
接続を行うインナーリード先端部において一体的に連結
した連結部を設け、且つ、該連結部が吊りリードにより
フレーム（枠）部へ固定されていることにより物理的強
度を大きくとれ、エッチング加工等金属の加工により作
製する際に、インナーリードのよれの発生も起こること
がなく、安定した品質の生産を可能としている。また、
メッキ工程時にも図２に示す吊りリード１１７を介して
インナーリード先端部やダイパッド部に電気的導通をと
れるものとしている。
【図１】本発明リードフレーム部材の実施例の概略図
【図２】本発明リードフレームの実施例の概略図
【図３】本発明半導体装置の実施例の概略図
【図４】従来のＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置用
リードフレーム部材の概略図
リードフレーム部材の概略図
【図５】従来のＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置
【図６】単層リードフレームとそれを用いた半導体装置
の図
の図
【図７】従来のＢＧＡタイプ半導体装置を説明するため
の図
の図
１００ リードフレー
ム部材 １１０ リードフレー
ム部 １１１ ダイパッド １１２ インナーリー
ド先端部 １１２Ａ 連結用リード １１３ インナーリー
ド １１４ 外部端子部 １１５ ダムバー １１６ 吊りバー １１７ 吊りリード １１８ フレーム部 １２０ 絶縁性樹脂層 １２１ 開口部 ２００、２００Ａ リードフレー
ム ２０１ 連結部 ３００、３００Ａ 半導体装置 ３０１、３０１Ａ 半導体素子 ３０１ａ、３０１Ａａ 電極パッド
（端子） ３１０、３１０Ａ ワイヤ ３１１、３１１Ａ 半田 ３２０、３２０Ａ 封止樹脂 ３３０、３３０Ａ 絶縁性樹脂層 ３４０ 絶縁性フィル
ム ４００ リードフレー
ム部材 ４０１ ダイパッド ４０２ 第一のリード
（第一配線部） ４０３ 連結部 ４０４ 第二のリード
（第二配線部） ４０５ ダムバー ４０６ 吊りバー ４３０ 絶縁性フィル
ム ５００、５００Ａ 半導体装置 ５０１、５０１Ａ 半導体素子 ５０１ａ、５０１Ａａ 電極パッド
（端子） ５１０、５１０Ａ ワイヤ ５１１、５１１Ａ 半田 ５２０、５２０Ａ 封止樹脂 ５４０ 絶縁性フィル
ム ６１０ （単層）リード
フレーム ６１１ ダイパッド ６１２ インナーリー
ド ６１２Ａ インナーリー
ド先端部 ６１３ アウターリー
ド ６１４ ダムバー ６１５ フレーム
（枠）部 ６２０ 半導体装置 ６２１ 半導体素子 ６２２ 電極パッド
（端子） ６２３ ワイヤ ６２４ 封止樹脂 ７０１ 半導体素子 ７０２ 基材 ７０３ モールドレジ
ン（封止用樹脂） ７０４、７０４Ａ 配線 ７０５ ダイパッド ７０６Ａ 外部接続端子 ７０８ ボンデイング
ワイヤ ７１０ 配線 ７１８ めっき部 ７５０ スルーホール ７５１ 熱伝導ビア
ム部材 １１０ リードフレー
ム部 １１１ ダイパッド １１２ インナーリー
ド先端部 １１２Ａ 連結用リード １１３ インナーリー
ド １１４ 外部端子部 １１５ ダムバー １１６ 吊りバー １１７ 吊りリード １１８ フレーム部 １２０ 絶縁性樹脂層 １２１ 開口部 ２００、２００Ａ リードフレー
ム ２０１ 連結部 ３００、３００Ａ 半導体装置 ３０１、３０１Ａ 半導体素子 ３０１ａ、３０１Ａａ 電極パッド
（端子） ３１０、３１０Ａ ワイヤ ３１１、３１１Ａ 半田 ３２０、３２０Ａ 封止樹脂 ３３０、３３０Ａ 絶縁性樹脂層 ３４０ 絶縁性フィル
ム ４００ リードフレー
ム部材 ４０１ ダイパッド ４０２ 第一のリード
（第一配線部） ４０３ 連結部 ４０４ 第二のリード
（第二配線部） ４０５ ダムバー ４０６ 吊りバー ４３０ 絶縁性フィル
ム ５００、５００Ａ 半導体装置 ５０１、５０１Ａ 半導体素子 ５０１ａ、５０１Ａａ 電極パッド
（端子） ５１０、５１０Ａ ワイヤ ５１１、５１１Ａ 半田 ５２０、５２０Ａ 封止樹脂 ５４０ 絶縁性フィル
ム ６１０ （単層）リード
フレーム ６１１ ダイパッド ６１２ インナーリー
ド ６１２Ａ インナーリー
ド先端部 ６１３ アウターリー
ド ６１４ ダムバー ６１５ フレーム
（枠）部 ６２０ 半導体装置 ６２１ 半導体素子 ６２２ 電極パッド
（端子） ６２３ ワイヤ ６２４ 封止樹脂 ７０１ 半導体素子 ７０２ 基材 ７０３ モールドレジ
ン（封止用樹脂） ７０４、７０４Ａ 配線 ７０５ ダイパッド ７０６Ａ 外部接続端子 ７０８ ボンデイング
ワイヤ ７１０ 配線 ７１８ めっき部 ７５０ スルーホール ７５１ 熱伝導ビア
Claims (4)
- 【請求項１】 リードフレームをコア材として回路を形
成したＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイ
プの半導体装置に用いられるリードフレームで、半導体
素子の端子と電気的接続を行うためのリードと、該リー
ドとその一端で一体的に連結して外部と電気的接続を行
うための外部端子を備え、且つ、該外部端子がリード形
成面に沿い二次元的に配列されているリードフレームで
あって、前記リードは、半導体素子の端子と電気的接続
を行う領域より半導体素子側に延設され、外部端子側で
ない先端部において一体的に連結した連結部を設け、該
連結部は吊りリードを介してダムバーに支持され、更
に、該ダムバーはフレーム部へ固定されており、且つ、
前記外部端子は、前記半導体素子の端子と電気的接続を
行うためのリードと連結されているのみで、ダムバーと
分離されていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１におけるリードフレームは、半
導体素子を搭載するダイパッド部を有し、且つ、連結部
がダイパッドないしダイパッドと一体的に形成されたも
のであることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項３】 リードフレームをコア材として回路を形
成したＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイ
プの半導体装置に用いられるリードフレーム部材で、半
導体素子の端子と電気的接続を行うためのリードと、該
リードとその一端で一体的に連結して外部と電気的接続
を行うための外部端子を備え、且つ、該外部端子がリー
ド形成面に沿い二次元的に配列されているリードフレー
ム部材であって、請求項１ないし２のいずれか１に記載
のリードフレームを用い、その連結部が切断され、イン
ナーリードの先端部は、絶縁性樹脂層により一体的に固
定されたもので、且つ、前記外部端子は、前記半導体素
子の端子と電気的接続を行うためのリードと連結されて
いるのみで、ダムバーとは分離されていることを特徴と
するリードフレーム部材。 - 【請求項４】 請求項３に記載のリードフレーム部材を
用いたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12745595A JP3475310B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | リードフレーム、リードフレーム部材および半導体装置 |
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| JP12745595A JP3475310B2 (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | リードフレーム、リードフレーム部材および半導体装置 |
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| JPH08306854A JPH08306854A (ja) | 1996-11-22 |
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3475310B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3645701B2 (ja) * | 1997-12-16 | 2005-05-11 | 株式会社三井ハイテック | 半導体装置 |
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1995
- 1995-04-28 JP JP12745595A patent/JP3475310B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH08306854A (ja) | 1996-11-22 |
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