JP3474806B2 - Magnetic reproducing element, method of manufacturing the same, and magnetic reproducing apparatus using the same - Google Patents
Magnetic reproducing element, method of manufacturing the same, and magnetic reproducing apparatus using the sameInfo
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、映像や音声や文字
等に関する情報が磁化の向きと強度等で記録保持された
磁気記憶媒体から正確にその情報を読み取り再生する磁
気再生素子及びその製造方法並びにそれを用いた磁気再
生装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic reproducing element for accurately reading and reproducing information from a magnetic storage medium in which information relating to images, sounds, characters, etc. is recorded and held by the direction and strength of magnetization and a method of manufacturing the same. And a magnetic reproducing apparatus using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、情報処理量の増大及び処理速度の
高速化に伴い、記録の高密度化による情報記憶装置の小
型化及び大容量化に対する要求が強くなっている。情報
記憶装置の記憶容量が大きくなればなるほど、記憶媒体
に記録されている情報へのアクセス速度や情報の転送速
度などの高速化が求められる。このような要求に対し
て、例えば、ハードディスク装置では特開昭５５−８４
０２０号公報に開示されているような平面上に形成され
た導電体コイルを有するインダクティブ型の薄膜磁気ヘ
ッドが主流になりつつある。薄膜磁気ヘッドは、従来の
磁気コアに巻線を巻回したバルク型の磁気ヘッドに比べ
て巻線のインダクタンスが低く、より高い周波数での記
録再生が実現できる。2. Description of the Related Art In recent years, with an increase in the amount of information processing and an increase in processing speed, there is an increasing demand for miniaturization and large capacity of an information storage device by increasing the recording density. The larger the storage capacity of the information storage device, the higher the speed of access to information recorded on the storage medium and the speed of transfer of information. In response to such a demand, for example, in a hard disk device, Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-84.
An inductive type thin film magnetic head having a conductor coil formed on a plane as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 020 is becoming mainstream. The thin-film magnetic head has a lower winding inductance than that of a bulk type magnetic head in which a winding is wound around a conventional magnetic core, and recording / reproducing at a higher frequency can be realized.
【０００３】しかしながら、例えばハードディスク装置
では、その小型化により、磁気ディスク径が小さくなっ
て、磁気ヘッドと磁気ディスクとの相対速度が低下す
る。そのため、巻線のインダクタンスが低い薄膜磁気ヘ
ッドでは、磁気ディスクの磁化により巻線に誘起される
電圧が小さくなり、再生出力が低くなる。そこで、磁気
ディスクの磁化そのものの大きさを検出する磁束応答型
の再生ヘッドへの要望がある。その要望に応えるものと
して、磁束応答型で、磁気ディスクの狭トラック化に対
しても有利なＭＲ（磁気抵抗効果：Magneteto Resista
nceffect）ヘッドが注目されてきた。However, for example, in a hard disk device, the diameter of the magnetic disk becomes smaller due to the miniaturization thereof, and the relative speed between the magnetic head and the magnetic disk decreases. Therefore, in the thin-film magnetic head having a low winding inductance, the voltage induced in the winding due to the magnetization of the magnetic disk becomes small, and the reproduction output becomes low. Therefore, there is a demand for a magnetic flux responsive reproducing head that detects the magnitude of the magnetization itself of the magnetic disk. In response to this demand, a magnetic flux response type MR (Magnetto Resista effect) which is advantageous for narrowing the track of a magnetic disk
nceffect) The head has attracted attention.
【０００４】このＭＲヘッドは、単位トラック幅当たり
の出力（再生感度）が高いＭＲ素子を用いている。従来
のこの種の磁気ヘッドとしては、記録ヘッドとしての前
記インダクティブ型の薄膜磁気ヘッドと再生ヘッドとし
てのＭＲヘッドとを複合した複合型ＭＲヘッドが実用化
されている。また最近では、さらに再生出力を向上させ
るため、より大きな磁気抵抗効果を有する薄膜材料を用
いた巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子を用いた複合型Ｍ
Ｒヘッドの研究開発も盛んに行われている。This MR head uses an MR element having a high output (reproduction sensitivity) per unit track width. As a conventional magnetic head of this type, a composite MR head in which the inductive thin film magnetic head as a recording head and an MR head as a reproducing head are combined has been put into practical use. Recently, in order to further improve the reproduction output, a composite type M using a giant magnetoresistive (GMR) element using a thin film material having a larger magnetoresistive effect.
Research and development of the R head is also actively carried out.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】大容量の記録再生装置
を実現するために重要なのは再生感度であり、その点に
おいて複合型ＭＲヘッドは有望である。しかしながら、
複合型ＭＲヘッドの場合、インダクティブ型の記録ヘッ
ドからの漏洩磁界の影響を防止するために、ＭＲヘッド
と記録ヘッドとの間に磁気シールド層や再生用のギャッ
プが必要である。さらに、ＭＲヘッドにおいては磁性膜
を単磁区化する必要がある。Reproduction sensitivity is important for realizing a large-capacity recording / reproducing apparatus, and the composite MR head is promising in this respect. However,
In the case of the composite MR head, a magnetic shield layer and a reproducing gap are required between the MR head and the recording head in order to prevent the influence of the leakage magnetic field from the inductive recording head. Further, in the MR head, it is necessary to make the magnetic film into a single magnetic domain.
【０００６】このため、複合型ＭＲヘッドは、従来のイ
ンダクティブ型の磁気ヘッドに比べてかなり複雑な構造
となる。磁気ヘッドの構造が複雑になれば、磁気ヘッド
の製造においてそれだけ高度な製造技術が要求され、高
い製造歩留まりを確保することが難しくなるという問題
があった。Therefore, the composite MR head has a considerably complicated structure as compared with the conventional inductive magnetic head. If the structure of the magnetic head becomes complicated, there is a problem in that it is difficult to secure a high manufacturing yield because a high level of manufacturing technology is required in manufacturing the magnetic head.
【０００７】本発明は、簡単な構造で、かつ再生感度が
従来のインダクティブ型の磁気ヘッドやＭＲヘッドより
も優れた磁気再生素子及びその製造方法並びにそれを用
いた磁気再生装置を提供することを目的とする。The present invention provides a magnetic reproducing element having a simple structure and a reproducing sensitivity superior to that of a conventional inductive type magnetic head or MR head, a method of manufacturing the same, and a magnetic reproducing apparatus using the same. To aim.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の磁気再生素子
は、金属磁性薄膜と導電性薄膜とを交互に積層して形成
した、複数の金属磁性薄膜と複数の導電性薄膜とを有す
る金属磁性多層膜であって、外部磁界に対向する端面を
有する磁極、前記磁極の前記端面に直交する両側端部に
おいてそれぞれ前記磁極の各層に電気的に接続された導
電性薄膜からなる第１及び第２の導体膜、及び前記第１
及び第２の導電膜の他端がそれぞれ接続された前記磁極
に高周波電流を供給するための導電性膜からなる電極端
子を備えている。そして、前記磁極に前記電極端子から
前記第１の導体膜と前記第２の導体膜を介して通電され
る高周波電流と、前記磁極に印加される外部磁界の強度
に応じて変化する前記磁極の表皮抵抗との積の値である
前記電極端子間の逆起電圧を検出することを特徴とす
る。A magnetic reproducing element of the present invention has a plurality of metal magnetic thin films and a plurality of conductive thin films formed by alternately laminating a metal magnetic thin film and a conductive thin film.
A magnetic metal multi-layered film comprising: a magnetic pole having an end face facing an external magnetic field; and a conductive thin film electrically connected to each layer of the magnetic pole at both end portions of the magnetic pole which are orthogonal to the end face. And a second conductor film, and the first
And an electrode terminal made of a conductive film for supplying a high-frequency current to the magnetic pole to which the other end of the second conductive film is connected. Then, the high-frequency current that is applied to the magnetic pole from the electrode terminal through the first conductor film and the second conductor film, and the magnetic pole that changes according to the strength of the external magnetic field applied to the magnetic pole. The counter electromotive voltage between the electrode terminals, which is the product of the skin resistance, is detected.
【０００９】この構成の磁気再生素子によれば、印加さ
れる磁界の強度に応じて変化する磁極の表皮抵抗と高周
波定電流との積で生じる逆起電力の変化により磁気ディ
スクの磁化を高い再生感度で検出できる。この磁気再生
素子を用いることにより、量産性に優れ、かつ磁気ディ
スクの小型化による相対速度の低下に対しても十分な再
生出力を有する簡単な構成の磁束応答型の磁気ヘッドが
得られる。According to the magnetic reproducing element having this structure, the magnetization of the magnetic disk is highly reproduced by the change of the counter electromotive force generated by the product of the skin resistance of the magnetic pole which changes according to the strength of the applied magnetic field and the high frequency constant current. It can be detected with sensitivity. By using this magnetic reproducing element, it is possible to obtain a magnetic flux response type magnetic head which is excellent in mass productivity and has a simple structure which has a sufficient reproducing output even when the relative speed is lowered due to the miniaturization of the magnetic disk.
【００１０】本発明の磁気再生素子の製造方法は、絶縁
体からなる基体上に所定の形状の第１の導体膜を形成す
るステップ、前記第１の導体膜の所定の部分の上に所定
の形状の金属磁性薄膜と導電性薄膜とを、金属磁性膜か
ら始めて交互に積層して、複数の金属磁性薄膜と複数の
導電性導膜とを有する金属磁性多層薄膜の磁極を形成す
るステップ、前記磁極及び前記第１の導体膜上に前記第
１の導体膜と同一の形状の第２の導体膜を形成するステ
ップ、及び前記第２の導体膜の両端部の所定の部分に、
前記磁極に高周波電流を流す高周波電源に接続するため
の電極端子膜を形成するステップを有している。この磁
気再生素子の製造方法によれば、基板上に簡単な構成の
複数の磁気再生素子を成膜とパターン加工とを繰り返し
実施して容易に製造できる。その結果、量産性に優れた
磁気再生素子を高い製造歩留まりで製造することができ
る。The method of manufacturing a magnetic reproducing element according to the present invention comprises a step of forming a first conductor film having a predetermined shape on a base body made of an insulator, and a predetermined step on a predetermined portion of the first conductor film. A plurality of metal magnetic thin films and a plurality of metal magnetic thin films having a plurality of shapes are alternately stacked, starting from the metal magnetic film.
Forming a magnetic pole of a metal magnetic multilayer thin film having a conductive conductive film, forming a second conductive film having the same shape as the first conductive film on the magnetic pole and the first conductive film, And at predetermined portions on both ends of the second conductor film ,
To connect to a high frequency power source that applies a high frequency current to the magnetic pole
And forming an electrode terminal film. According to this method of manufacturing a magnetic reproducing element, it is possible to easily manufacture a plurality of magnetic reproducing elements having a simple structure on a substrate by repeatedly performing film formation and pattern processing. As a result, the magnetic reproducing element excellent in mass productivity can be manufactured with a high manufacturing yield.
【００１１】本発明の磁気再生装置は、上記構成の磁気
再生素子と、ディスク状の磁気記録媒体と、前記磁気再
生素子に直流バイアス磁界を発生させる直流電流を重畳
した高周波定電流を印加する電流印加手段とを備えたこ
とを特徴とする。この構成の磁気再生装置によれば、磁
気ディスクの小型化による磁気ヘッド（磁気再生素子）
と磁気ディスクとの相対速度の低速度化及び高密度化に
対応できる高い再生感度を有する磁束応答型の磁気再生
素子を備えた磁気再生装置が実現できる。The magnetic reproducing apparatus of the present invention is a magnetic reproducing element having the above structure, a disk-shaped magnetic recording medium, and a current for applying a high-frequency constant current in which a DC current for generating a DC bias magnetic field is superposed on the magnetic reproducing element. And an applying unit. According to the magnetic reproducing apparatus having this configuration, the magnetic head (magnetic reproducing element) is obtained by downsizing the magnetic disk.
It is possible to realize a magnetic reproducing apparatus equipped with a magnetic flux response type magnetic reproducing element having a high reproducing sensitivity capable of coping with lowering the relative speed between the magnetic disk and the magnetic disk and increasing the density.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気再生素子の好
適な実施例について添付の図１から図１１を参照しつつ
説明する。なお、実施例１は本発明の磁気再生素子の構
造とその再生動作に関し、実施例２は本発明の磁気再生
素子の他の実施例に関する。実施例３は本発明の磁気再
生素子の製造方法に関し、実施例４は本発明の磁気再生
装置に関する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of the magnetic reproducing element of the present invention will be described below with reference to the accompanying FIGS. Example 1 relates to the structure of the magnetic reproducing element of the present invention and its reproducing operation, and Example 2 relates to another example of the magnetic reproducing element of the present invention. Example 3 relates to a method of manufacturing a magnetic reproducing element of the present invention, and Example 4 relates to a magnetic reproducing device of the present invention.
【００１３】《実施例１》以下、本発明の実施例１の磁
気再生素子について図１乃至図４を参照しつつ説明す
る。図１は本発明の実施例１の磁気再生素子の斜視図で
あり、図２は実施例１の磁気再生素子の等価回路図であ
る。Example 1 Hereinafter, a magnetic reproducing element of Example 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4. 1 is a perspective view of a magnetic reproducing element according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the magnetic reproducing element according to the first embodiment.
【００１４】図１において、本実施例の磁気再生素子
は、金属磁性薄膜であるＦｅ系合金薄膜１ａと、導電性
薄膜であるＣｕ薄膜１ｂ及び１ｃとの金属磁性多層薄膜
からなる直方体に形成した主磁極１を有している。主磁
極１は、その長手方向が磁化容易軸となるよう磁化方向
に異方性を持たせている。主磁極１の長手方向に直交す
る両側面を挟み、かつ電気的に接続するように第１及び
第２の導体膜であるＣｕ薄膜３、４が形成されている。
また、Ｃｕ薄膜３、４は、所定周波数でのインピーダン
ス値が所定の値になるように、それぞれの幅および長さ
が調整されている。Ｃｕ薄膜３、４の他端はそれぞれＣ
ｕ膜で形成された電極端子５、６に接続されている。In FIG. 1, the magnetic reproducing element of the present embodiment is formed in a rectangular parallelepiped formed of a metal magnetic multilayer thin film of an Fe-based alloy thin film 1a which is a metal magnetic thin film and Cu thin films 1b and 1c which are conductive thin films. It has a main pole 1. The main magnetic pole 1 has anisotropy in the magnetization direction so that the longitudinal direction thereof becomes the easy magnetization axis. Cu thin films 3 and 4, which are first and second conductor films, are formed so as to sandwich both side surfaces of the main magnetic pole 1 orthogonal to the longitudinal direction and to be electrically connected.
The width and length of each of the Cu thin films 3 and 4 are adjusted so that the impedance value at a predetermined frequency becomes a predetermined value. The other ends of the Cu thin films 3 and 4 are C
It is connected to the electrode terminals 5 and 6 formed of a u film.
【００１５】ここで、主磁極１は、１層あたりの膜厚が
約０．２５μｍのＦｅＴａＮ合金薄膜１ａと膜厚が約
０．０５μmのＣｕ薄膜１ｂとを交互に積層した金属磁
性多層膜であり、最下層と最上層のＣｕ薄膜１ｃは、膜
厚が約０．１μｍのである。図中に示す矢印は、外部か
ら印加される漏洩磁界７を表している。なお、この磁気
再生素子を磁気ヘッドとして用いた場合は、例えば、磁
気ディスクは主磁極１の漏洩磁界７の印加される先端面
に対向して移動する。ただし、この磁気再生素子は磁束
応答型のため、この移動方向はどの方向でもよい。Here, the main pole 1 is a metal magnetic multilayer film in which a FeTaN alloy thin film 1a having a film thickness of about 0.25 μm and a Cu thin film 1b having a film thickness of about 0.05 μm are alternately laminated. The Cu thin film 1c at the lowermost layer and the uppermost layer has a film thickness of about 0.1 μm. The arrow shown in the drawing represents the leakage magnetic field 7 applied from the outside. When this magnetic reproducing element is used as a magnetic head, for example, the magnetic disk moves so as to face the tip end surface of the main magnetic pole 1 to which the leakage magnetic field 7 is applied. However, since this magnetic reproducing element is a magnetic flux response type, this moving direction may be any direction.
【００１６】この磁気再生素子を使用するとき、図２に
示すように、電極端子５、６は直流電源９１と高周波電
源９２に接続されている。ここで、主磁極１を抵抗２９
ａとインダクタンス素子２９ｂとで構成されるインピー
ダンス素子２９の等価回路で示している。抵抗２９ａ及
びインダクタンス素子２９ｂがそれぞれ可変になってい
るのは、外部から印加される漏洩磁界７の強度の変化に
よってそれぞれの値が変化するからである。つまり、電
極端子５、６間のインピーダンス素子２９のインピーダ
ンス値Ｚが漏洩磁界７の強度によって変化することを示
している。When this magnetic reproducing element is used, the electrode terminals 5 and 6 are connected to a DC power source 91 and a high frequency power source 92, as shown in FIG. Here, the main pole 1 is connected to the resistor 29.
It is shown by an equivalent circuit of the impedance element 29 composed of a and the inductance element 29b. The reason why the resistance 29a and the inductance element 29b are variable is that their respective values change due to changes in the strength of the leakage magnetic field 7 applied from the outside. That is, the impedance value Z of the impedance element 29 between the electrode terminals 5 and 6 changes depending on the strength of the leakage magnetic field 7.
【００１７】図１に示すように、磁気再生素子の主磁極
１に外部から漏洩磁界７が印加されている時、主磁極１
は磁化されており、主磁極１の透磁率は低下している。
つまり、図２に示すように、主磁極１の等価回路である
インピーダンス素子２９のインピーダンス値Ｚが低下し
ているのと等価な状態になる。このとき、インピーダン
ス素子２９に電極端子５、６から高周波電源９２から供
給される一定の高周波電流が流れているので、電極端子
５、６の間にはそのインピーダンス値Ｚに比例した逆起
電圧が発生する。つまり、電極端子５、６間の出力電圧
値は、インピーダンス素子２９のインピーダンス値Ｚ、
すなわち主磁極１の透磁率に比例している。As shown in FIG. 1, when a leakage magnetic field 7 is externally applied to the main magnetic pole 1 of the magnetic reproducing element, the main magnetic pole 1
Is magnetized, and the magnetic permeability of the main pole 1 is lowered.
That is, as shown in FIG. 2, the impedance value Z of the impedance element 29, which is an equivalent circuit of the main magnetic pole 1, is equivalent to a decrease. At this time, since a constant high-frequency current supplied from the high-frequency power source 92 flows from the electrode terminals 5 and 6 to the impedance element 29, a counter electromotive voltage proportional to the impedance value Z is generated between the electrode terminals 5 and 6. Occur. That is, the output voltage value between the electrode terminals 5 and 6 is the impedance value Z of the impedance element 29,
That is, it is proportional to the magnetic permeability of the main pole 1.
【００１８】つまり、電極端子５、６間の出力電圧値
は、主磁極１へ流入する磁束の量すなわち外部から印加
される漏洩磁界７の強度に比例することになり、いわゆ
る磁束応答型の再生が行われる。この電極端子５、６間
の出力電圧値を大きくするには、インピーダンス値Ｚが
大きいほど好ましく、また主磁極１の磁界応答性が高い
ことが望ましい。ここで、インピーダンス値Ｚは、与え
られた高周波電流と同一位相の抵抗成分と９０度遅れの
インダクタンス成分との２成分に分けて扱うことができ
る。抵抗成分には、直流抵抗成分（以下、Ｒdcと記す）
と高周波抵抗成分（以下、Ｒindと記す）と表皮効果に
よる抵抗成分（以下、Ｒeddyと記す）とがある。That is, the output voltage value between the electrode terminals 5 and 6 is proportional to the amount of the magnetic flux flowing into the main magnetic pole 1, that is, the strength of the leakage magnetic field 7 applied from the outside. Is done. In order to increase the output voltage value between the electrode terminals 5 and 6, it is preferable that the impedance value Z is large and that the magnetic field response of the main magnetic pole 1 is high. Here, the impedance value Z can be handled by being divided into two components, that is, a resistance component having the same phase as the given high frequency current and an inductance component delayed by 90 degrees. The resistance component is a DC resistance component (hereinafter referred to as Rdc)
There is a high frequency resistance component (hereinafter referred to as Rind) and a resistance component due to the skin effect (hereinafter referred to as Reddy).
【００１９】一方、インダクタンス成分には、主磁極１
の金属磁性多層膜を含む導体回路の持つインダクタンス
成分（以下、Ｌindと記す）と金属磁性多層膜の持つイ
ンダクタンス成分（以下、Ｌmagと記す）とがある。と
ころが、高周波電流の周波数が１ＧＨｚ程度になってく
ると、金属磁性多層膜の透磁率は極端に小さくなって、
金属磁性多層膜の持つＬｍａｇがインピーダンス値Ｚに
与える影響は小さくなる。また、Ｌindは、外部の磁界
に影響されない成分なので、インピーダンス値Ｚの内外
部の磁界により変化する成分は、抵抗成分の中の磁界に
反応するＲindとＲeddyの２つの成分だけである。On the other hand, for the inductance component, the main pole 1
There is an inductance component (hereinafter, referred to as Lind) of the conductor circuit including the metal magnetic multilayer film and an inductance component (hereinafter, referred to as Lmag) of the metal magnetic multilayer film. However, when the frequency of the high frequency current becomes about 1 GHz, the magnetic permeability of the metal magnetic multilayer film becomes extremely small,
The influence of Lmag of the metal magnetic multilayer film on the impedance value Z is reduced. Further, since Lind is a component that is not affected by the external magnetic field, the only components of the impedance value Z that change with the internal and external magnetic fields are the two components, Rind and Reddy, that react to the magnetic field in the resistance component.
【００２０】図３の（ａ）及び（ｂ）は本実施例１の磁
気再生素子の高周波電流の周波数に対するＲindとＲedd
yの外部磁界依存性の実測値を示すグラフである。図４
は外部磁界がゼロのときと、２０エルステッド（Ｏｅ）
のときの各成分の差を示したグラフである。図３の
（ａ）に示すように、Ｒeddyの値は高周波電流の周波数
の増加に比例して増加し、その増加の勾配は、外部磁界
が０Ｏｅのときも２０Ｏｅのときもほぼ同じである。ま
た、図３の（ｂ）に示すように、Ｒindの値は外部磁界
が０Ｏｅのときはほぼ２００ＭＨｚで最大となり、外部
磁界が２０Ｏｅのときは、ほぼ１００ＭＨｚ以上の周波
数において急激に増加する。図４から分かるように、外
部磁界の強度による変化は、Ｒeddyの方が、ほぼ２００
ＭＨｚ以上の高周波領域では大きな変化を示している。3A and 3B are Rind and Redd with respect to the frequency of the high frequency current of the magnetic reproducing element of the first embodiment.
7 is a graph showing an actual measurement value of y depending on an external magnetic field. Figure 4
Is 20 oersted (Oe) when the external magnetic field is zero
It is a graph which showed the difference of each component at the time of. As shown in FIG. 3A, the value of Reddy increases in proportion to the increase in the frequency of the high frequency current, and the slope of the increase is almost the same when the external magnetic field is 0 Oe and 20 Oe. Further, as shown in FIG. 3B, the value of Rind becomes maximum at approximately 200 MHz when the external magnetic field is 0 Oe, and sharply increases at a frequency of approximately 100 MHz or higher when the external magnetic field is 20 Oe. As can be seen from FIG. 4, the change due to the strength of the external magnetic field is almost 200 in Reddy.
A large change is shown in the high frequency region above MHz.
【００２１】したがって、２００ＭＨｚ以上の高周波領
域において、外部磁界の変化を高い感度で検出するため
には、Ｒeddyの変化を検出するようにすれば良い。本実
施例１の磁気再生素子の主磁極１は金属磁性薄膜と導電
薄膜の多層膜で形成されているので、このＲeddyの変化
を効率良く利用できる。Therefore, in order to detect the change of the external magnetic field with high sensitivity in the high frequency region of 200 MHz or more, the change of Reddy may be detected. Since the main magnetic pole 1 of the magnetic reproducing element of the first embodiment is formed of the multilayer film of the metal magnetic thin film and the conductive thin film, this change of Reddy can be efficiently utilized.
【００２２】以下に実施例１の磁気再生素子の再生動作
について図５を参照して説明する。図５は、高周波電源
９２によって通電された高周波電流をＩcとしたとき
に、主磁極１の等価回路であるインピーダンス素子２９
のインピーダンス値Ｚと高周波電流Ｉｃとを乗じた値で
ある逆起電圧Ｖの外部磁界強度に対する変化を示すグラ
フである。図５から分かるように、逆起電圧Ｖは外部磁
界が０のときに最大となり、外部磁界の強度の絶対値が
大きくなると、逆起電圧Ｖは急激に低下する。すなわ
ち、逆起電圧Ｖは外部磁界の方向に関係なく、外部磁界
の強度が大きくなると小さくなる。したがって、磁界の
方向で磁気ディスクに記録された情報は再生することが
できない。The reproducing operation of the magnetic reproducing element of the first embodiment will be described below with reference to FIG. FIG. 5 shows an impedance element 29 which is an equivalent circuit of the main magnetic pole 1 when Ic is a high frequency current conducted by the high frequency power source 92.
3 is a graph showing a change in the counter electromotive voltage V, which is a value obtained by multiplying the impedance value Z of FIG. As can be seen from FIG. 5, the counter electromotive voltage V becomes maximum when the external magnetic field is 0, and when the absolute value of the intensity of the external magnetic field increases, the counter electromotive voltage V sharply decreases. That is, the counter electromotive voltage V decreases as the intensity of the external magnetic field increases, regardless of the direction of the external magnetic field. Therefore, the information recorded on the magnetic disk in the direction of the magnetic field cannot be reproduced.
【００２３】そこで、図５に示すように、主磁極１に直
流バイアス磁界Ｈｂを予め印加しておくことにより、磁
気ディスクに記録された磁化による漏洩磁界７の磁界の
方向を含む磁界強度の変化Ｈsigは、振幅変調された逆
起電圧Ｖsigとして検出できる。このように、直流バイ
アス磁界Ｈｂを印加することによって漏洩磁界７の磁界
の方向とその大きさがより明確に再生電圧波形に反映さ
れる。そこで、図２に示したように、直流電源９１から
直流電流を流し、図５に示すように、主磁極１にＨｂの
バイアス磁界が印加されるようにその電流値を設定して
いる。この直流バイアス磁界Ｈｂの印加方法について
は、例えば、主磁極１に通電する高周波電流に直流電流
を重畳すれば良い。この場合は、図２に示すように直流
電流源９１を高周波発振器９２に直列に接続すれば良
い。Therefore, as shown in FIG. 5, by applying a DC bias magnetic field Hb to the main magnetic pole 1 in advance, the magnetic field strength including the direction of the magnetic field of the leakage magnetic field 7 due to the magnetization recorded on the magnetic disk changes. Hsig can be detected as an amplitude-modulated back electromotive force Vsig. In this way, by applying the DC bias magnetic field Hb, the direction and magnitude of the magnetic field of the leakage magnetic field 7 are reflected more clearly in the reproduced voltage waveform. Therefore, as shown in FIG. 2, a DC current is supplied from the DC power supply 91, and the current value is set so that the bias magnetic field of Hb is applied to the main magnetic pole 1 as shown in FIG. Regarding the method of applying the DC bias magnetic field Hb, for example, the DC current may be superimposed on the high-frequency current flowing through the main magnetic pole 1. In this case, the direct current source 91 may be connected in series with the high frequency oscillator 92 as shown in FIG.
【００２４】以上説明したように、本実施例１の磁気再
生素子は、従来の複合型ＭＲヘッドに比べて、比較的簡
単な構成で、かつ高い再生感度を有する磁束応答型の再
生ヘッドとなる。なお、実施例１の磁気再生素子は、磁
気ディスクの磁化を検出する再生ヘッドとして用いられ
るだけでなく、高い感度で外部磁界を検出する素子とし
て、例えば磁石と組み合わせた位置センサー等の磁気セ
ンサーとして利用できるのはいうまでもない。As described above, the magnetic reproducing element according to the first embodiment is a magnetic flux response reproducing head having a relatively simple structure and high reproducing sensitivity as compared with the conventional composite MR head. . The magnetic reproducing element of Example 1 is used not only as a reproducing head for detecting the magnetization of a magnetic disk but also as an element for detecting an external magnetic field with high sensitivity, for example, as a magnetic sensor such as a position sensor combined with a magnet. Needless to say, it can be used.
【００２５】《実施例２》図６は、本発明の実施例２の
磁気再生素子の斜視図である。この実施例２の磁気再生
素子は実施例１の磁気再生素子の主磁極１の先端部の形
状を凸状の先細形状として、狭いトラック幅で記録され
た磁気ディスクに対して再生が可能なようにしたもので
ある。実施例１の磁気再生素子と同一部分には同一参照
符号を付して重複する説明は省略する。図６において、
実施例２の磁気再生素子は、主磁極１１のみが実施例１
の磁気再生素子と異なるものである。この主磁極１１
は、１層あたりの膜厚が約０．２５μmのＦｅＴａＮ合
金膜１ａと膜厚が約０．０５μｍのＣｕ膜１ｂとを積層
した多層膜を、約０．１μｍのＣｕ薄膜１ｃで挟み込ん
で形成されている。そして、主磁極１１の外部磁界の印
加される先端部の形状が、磁気ディスクの狭いトラック
幅とほぼ同一の幅となるように先細形状に形成されてい
る。<Second Embodiment> FIG. 6 is a perspective view of a magnetic reproducing element according to a second embodiment of the present invention. The magnetic reproducing element according to the second embodiment is configured such that the tip of the main magnetic pole 1 of the magnetic reproducing element according to the first embodiment has a convex tapered shape so that reproduction can be performed on a magnetic disk recorded with a narrow track width. It is the one. The same parts as those of the magnetic reproducing element of the first embodiment are designated by the same reference numerals, and overlapping description will be omitted. In FIG.
In the magnetic reproducing element of the second embodiment, only the main magnetic pole 11 is used in the first embodiment.
It is different from the magnetic reproducing element of. This main pole 11
Is formed by sandwiching a multilayer film in which a FeTaN alloy film 1a having a thickness of about 0.25 μm and a Cu film 1b having a thickness of about 0.05 μm are stacked between Cu thin films 1c having a thickness of about 0.1 μm. Has been done. The tip of the main magnetic pole 11 to which the external magnetic field is applied is formed in a tapered shape so as to have a width substantially the same as the narrow track width of the magnetic disk.
【００２６】これにより、実施例１の磁気ヘッドの効果
に加えて、狭いトラック幅の磁気ディスクに対しても隣
接トラックの磁化による影響を受けることなく、確実に
所望のトラックの磁化のみを検出することができる。ま
た図示していないが、先端をさらに薄くして反磁界を下
げてより感度をあげることもできる。As a result, in addition to the effect of the magnetic head of the first embodiment, even for a magnetic disk having a narrow track width, only the magnetization of a desired track can be reliably detected without being affected by the magnetization of an adjacent track. be able to. Although not shown, the tip can be made even thinner to lower the demagnetizing field to enhance the sensitivity.
【００２７】《実施例３》以下、本発明の実施例３の磁
気再生素子の製造方法について図７乃至図１０を参照し
つつ説明する。図７乃至図１０の（ａ）は各膜の形成状
態を示す平面図であり、（ｂ）はそれぞれ（ａ）の断面
図である。図７は第１の導体膜、図８は主磁極、図９は
第２の導体膜、及び図１０は電極端子膜のそれぞれの形
成状態を示している。なお、図９の（ｃ）は第１及び第
２の導体膜と主磁極１との形成状態を示す側面図であ
る。各図の（ｂ）及び図９の（ｃ）は主磁極１の積層状
態を明瞭に示すように主磁極１の部分を拡大して示して
いる。図７の（ａ）及び（ｂ）において、アルミナ・チ
タンカーバイド（ＡｌＴｉＣ）基板５００ａ上に鏡面加
工されたアルミナ膜５００ｂが被着されている基体５０
０の上に厚さ０．５μｍのＣｕ膜を高周波スパッタリン
グ法等により形成する。その後、イオンミリング等によ
り不要の部分を除去して所定の形状の第１の導体膜５０
を形成する。<Third Embodiment> A method of manufacturing a magnetic reproducing element according to a third embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 7A to 10A are plan views showing the formation state of each film, and FIG. 7B is a sectional view of FIG. 7 shows the first conductor film, FIG. 8 shows the main magnetic pole, FIG. 9 shows the second conductor film, and FIG. 10 shows the formation state of the electrode terminal film. Note that FIG. 9C is a side view showing the formation state of the main pole 1 and the first and second conductor films. 9B and 9C are enlarged views of the main magnetic pole 1 so as to clearly show the laminated state of the main magnetic pole 1. In FIGS. 7A and 7B, a substrate 50 in which a mirror-finished alumina film 500b is deposited on an alumina / titanium carbide (AlTiC) substrate 500a.
A Cu film having a thickness of 0.5 μm is formed on 0 by a high frequency sputtering method or the like. After that, unnecessary portions are removed by ion milling or the like to remove the first conductor film 50 having a predetermined shape.
To form.
【００２８】図８の（ａ）及び（ｂ）において、、第１
の導体膜５０を形成した基体５００上に、高周波スパッ
タリング法等によりＦｅＴａＮ合金薄膜５１ａとＣｕ薄
膜５１ｂを交互に形成し、所定の膜厚の金属磁性多層膜
を形成する。その後、イオンミリング等により不要の部
分を除去して主磁極５１を形成する。なお、この主磁極
５１の最終表面はＦｅＴａＮ合金薄膜５１ａで形成され
ている。図９の（ａ）及び（ｂ）において、主磁極５１
を形成した基体５００上に、前記第１の導体膜５０と同
様にＣｕ薄膜を形成した後にイオンミリングでパターン
化して第２の導体膜５４を形成する。これにより、図９
の（ｃ）に示すように、第２の導体膜５４は、主磁極５
１の側面及び上面を覆うように形成され、主磁極５１の
各層５１ａ、５１ｂと電気的に接続される。なお、第２
の導体膜５４は、第１の導体膜５０と合わせて、高周波
電流に対する導体経路のインピーダンスが５０オームに
なるように、それぞれのの膜厚と膜幅が調整されてい
る。In FIGS. 8A and 8B, the first
FeTaN alloy thin films 51a and Cu thin films 51b are alternately formed on the base body 500 on which the conductor film 50 is formed by a high frequency sputtering method or the like to form a metal magnetic multilayer film having a predetermined film thickness. After that, unnecessary parts are removed by ion milling or the like to form the main magnetic pole 51. The final surface of the main magnetic pole 51 is formed of the FeTaN alloy thin film 51a. In FIGS. 9A and 9B, the main magnetic pole 51
A Cu thin film is formed on the base body 500 on which the film has been formed, similarly to the first conductor film 50, and then patterned by ion milling to form a second conductor film 54. As a result, FIG.
As shown in (c) of FIG.
It is formed so as to cover the side surface and the upper surface of No. 1 and is electrically connected to each layer 51 a, 51 b of the main magnetic pole 51. The second
The respective film thicknesses and film widths of the conductor film 54 are adjusted so that the impedance of the conductor path with respect to the high frequency current becomes 50 ohms together with the first conductor film 50.
【００２９】図１０の（ａ）及び（ｂ）において、第２
の導体膜が形成された基体５００の所定の第２の導体膜
５４上の所定の部分に、メッキ法等により厚いＣｕ膜か
らなる電極端子膜５５を形成する。その後、磁気再生素
子の全体を絶縁及び平坦化するために、ＳｉＯ２等の酸
化物薄膜５６をスパッタリング法等により被着し、電極
端子膜５５の表面が露出するように平坦化処理される。
さらに、磁気再生素子の磁気ディスクに対向して磁束を
受け取る作用面である主面５７側から主磁極５１の端面
が露出するように研磨加工が施される。In FIGS. 10A and 10B, the second
An electrode terminal film 55 made of a thick Cu film is formed by a plating method or the like on a predetermined portion on a predetermined second conductor film 54 of the base body 500 on which the conductor film is formed. Then, in order to insulate and flatten the entire magnetic reproducing element, an oxide thin film 56 of SiO 2 or the like is deposited by a sputtering method or the like, and a flattening process is performed so that the surface of the electrode terminal film 55 is exposed.
Further, polishing is performed so that the end surface of the main magnetic pole 51 is exposed from the main surface 57 side, which is the working surface that faces the magnetic disk of the magnetic reproducing element and receives the magnetic flux.
【００３０】以上、本発明の実施例３の磁気再生素子の
製造方法について説明したが、各層の成膜方法および材
質は、上記に記載したものに限られるものではない。例
えば、磁性薄膜としてＣｏ系合金のアモルファス膜や、
Ｎｉ系合金膜を用いることができる。成膜方法について
も蒸着やスパッタあるいはメッキ等様々な成膜方法を用
いることができる。基板の材質や酸化物薄膜の材質及び
製法も本実施例３に記載したものに限定されず、例えば
基板には各種のセラミックや酸化物薄膜にはアルミナ膜
等を用いることもできる。さらに、高周波での透磁率を
高めるための多層化や異方性磁界の調整なども、必要に
応じて行えばよいことはいうまでもない。Although the method of manufacturing the magnetic reproducing element according to the third embodiment of the present invention has been described above, the film forming method and the material of each layer are not limited to those described above. For example, a Co-based amorphous film as a magnetic thin film,
A Ni-based alloy film can be used. As the film forming method, various film forming methods such as vapor deposition, sputtering or plating can be used. The material of the substrate, the material of the oxide thin film, and the manufacturing method are not limited to those described in the third embodiment. For example, various ceramics for the substrate and an alumina film for the oxide thin film may be used. Further, it goes without saying that multi-layering for increasing the magnetic permeability at high frequencies and adjustment of the anisotropic magnetic field may be performed as necessary.
【００３１】《実施例４》以下、本発明の実施例４の磁
気再生装置について図７を参照しつつ説明する。図１１
は、本発明の実施例４の磁気再生装置の構成を示すブロ
ック図である。図１１において、本発明の磁気再生素子
２００は主磁極１の等価回路である、インピーダンス素
子２９と電極端子５、６で表した磁気再生素子２００の
電極端子５、６には、振幅一定の高周波電流を供給する
高周波電源２２と直流バイアス磁界用の直流電源３０と
の直列接続体が接続されている。<Fourth Embodiment> A magnetic reproducing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. Figure 11
FIG. 8 is a block diagram showing a configuration of a magnetic reproducing apparatus of Example 4 of the present invention. In FIG. 11, the magnetic reproducing element 200 of the present invention is an equivalent circuit of the main magnetic pole 1, and the impedance element 29 and the electrode terminals 5 and 6 of the magnetic reproducing element 200 represented by the electrode terminals 5 and 6 have a high-frequency constant amplitude. A series connection of a high frequency power supply 22 for supplying a current and a DC power supply 30 for a DC bias magnetic field is connected.
【００３２】また、電極端子５、６は、磁気ディスクの
磁化の漏洩磁界７によって生じる主磁極１の等価回路で
あるインピーダンス素子２９のインピーダンス値の変化
に応じたＡＭ波状の逆起電圧波形を検出し出力するＡＭ
検波器４６の入力端に接続されている。ＡＭ検波器４６
の出力端は再生電圧を増幅する再生アンプ４７の入力端
に接続されている。再生アンプ４７の出力端は、入力さ
れた再生電圧波形から例えば１や０で表現されるような
デジタル再生信号を取り出す復調回路４８の入力端に接
続されている。復調回路４８の出力端から再生信号が出
力される。Further, the electrode terminals 5 and 6 detect an AM wave-like counter electromotive voltage waveform according to a change in impedance value of the impedance element 29 which is an equivalent circuit of the main magnetic pole 1 generated by the leakage magnetic field 7 of the magnetization of the magnetic disk. AM to output
It is connected to the input terminal of the detector 46. AM detector 46
The output terminal of is connected to the input terminal of a reproduction amplifier 47 that amplifies the reproduction voltage. The output terminal of the reproduction amplifier 47 is connected to the input terminal of a demodulation circuit 48 for extracting a digital reproduction signal represented by 1 or 0 from the input reproduction voltage waveform. A reproduction signal is output from the output terminal of the demodulation circuit 48.
【００３３】以下、実施例４の磁気再生装置の再生動作
について説明する。磁気再生素子２００には、その電極
端子５、６に接続された高周波電源２２と直流電源３０
とから直流電流に重畳された一定振幅の高周波電流（例
えば、周波数が１２００ＭＨｚ）が供給されている。そ
して、磁気ディスクの磁化からの漏洩磁界７が主磁極１
に印加されると、その漏洩磁界７によってインピーダン
ス素子２９のインピーダンス値Ｚが変化する。その変化
は、図４に示すように、適切な直流バイアス磁界Ｈｂが
印加されているため、磁気ディスクの磁化からの漏洩磁
界Ｈsigの強度と方向に応じて逆起電圧が大きく変化す
る位置でインピーダンス値Ｚが変化する。The reproducing operation of the magnetic reproducing apparatus of the fourth embodiment will be described below. The magnetic reproducing element 200 includes a high frequency power source 22 and a direct current power source 30 connected to the electrode terminals 5 and 6.
A constant-frequency high-frequency current (for example, a frequency of 1200 MHz) superposed on the direct current is supplied from. Then, the leakage magnetic field 7 from the magnetization of the magnetic disk is generated by the main magnetic pole 1.
Is applied to the impedance value Z of the impedance element 29 due to the leakage magnetic field 7. As shown in FIG. 4, since the appropriate DC bias magnetic field Hb is applied, the change is the impedance at the position where the counter electromotive voltage greatly changes according to the strength and the direction of the leakage magnetic field Hsig from the magnetization of the magnetic disk. The value Z changes.
【００３４】ここで、インピーダンス素子２９には、一
定振幅の高周波電流が流れているので、インピーダンス
素子２９の両端に接続されている電極端子５、６間に前
記高周波電流とインピーダンス値Ｚとを乗じた値の逆起
電圧が生じる。この逆起電圧の値は、インピーダンス素
子２９のインピーダンス値Ｚの変化に応じて変化する。
前記逆起電圧はＡＭ検波器４６に入力されて、ＡＭ検波
器４６において図５に示したような放絡線状の信号電圧
Ｖsigとして出力される。以上、説明したように、本実
施例４の磁気再生装置によれば、簡単な構造の感度の高
い磁束応答型の本発明の磁気再生素子を用いることによ
り、高密度記録された磁気ディスクとの相対速度の低速
度化に対応できる小型の磁気再生装置が提供できる。Since a high frequency current having a constant amplitude is flowing through the impedance element 29, the high frequency current and the impedance value Z are multiplied between the electrode terminals 5 and 6 connected to both ends of the impedance element 29. A back electromotive force of different value is generated. The value of the counter electromotive voltage changes according to the change of the impedance value Z of the impedance element 29.
The counter electromotive voltage is input to the AM detector 46, and is output as a signal voltage Vsig having a radial line as shown in FIG. 5 in the AM detector 46. As described above, according to the magnetic reproducing apparatus of the fourth embodiment, by using the magnetic reproducing element of the present invention, which has a simple structure and high sensitivity, the magnetic reproducing element of the present invention can be used for recording with high density. It is possible to provide a small-sized magnetic reproducing device capable of coping with lowering the relative speed.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上実施例で詳しく説明したように、本
発明は以下の効果を有する。すなわち、本発明の磁気再
生素子は、従来のインダクティブ型の磁気ヘッドや従来
のＭＲ再生ヘッドよりも簡単な構造なので、その製造工
程も単純化できるため高い製造歩留まりを確保でき量産
性に優れている。As described above in detail in the embodiments, the present invention has the following effects. That is, since the magnetic reproducing element of the present invention has a simpler structure than the conventional inductive magnetic head or the conventional MR reproducing head, the manufacturing process thereof can be simplified and a high manufacturing yield can be secured and mass productivity is excellent. .
【００３６】さらに、従来のＭＲ再生ヘッドよりも再生
感度が高い、高周波領域での磁極のインピーダンス変化
である磁気インピーダンス効果を利用しているため、高
い再生出力が得られより一層の高密度化がはかれる。さ
らに、従来のＭＲ再生ヘッド同様に磁束応答型なので、
この磁気再生素子を用いることにより磁気再生装置の小
型化による磁気ディスクとの相対速度の低速度化にも対
応できる。Furthermore, since the magneto-impedance effect, which is a change in the impedance of the magnetic pole in the high frequency region, which has a higher reproducing sensitivity than that of the conventional MR reproducing head, is used, a high reproducing output can be obtained and a higher density can be obtained. Be peeled off. Furthermore, because it is a magnetic flux response type like the conventional MR reproducing head,
By using this magnetic reproducing element, it is possible to cope with a reduction in the relative speed with the magnetic disk due to the miniaturization of the magnetic reproducing device.
【図１】本発明の実施例１の磁気再生素子の斜視図。FIG. 1 is a perspective view of a magnetic reproducing element according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例１の磁気再生素子の等価回路
図。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the magnetic reproducing element according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例１の磁気再生素子の主磁極１の
インピーダンスの各抵抗成分の周波数特性と磁界依存性
を示したグラフで、（ａ）はＲeddyを示し、（ｂ）はＲ
indを示すグラフ。FIG. 3 is a graph showing frequency characteristics and magnetic field dependence of each resistance component of impedance of the main pole 1 of the magnetic reproducing element of Example 1 of the present invention, (a) shows Reddy, and (b) shows R.
Graph showing ind.
【図４】本発明の実施例１の磁気再生素子の主磁極１の
外部磁化が０Ｏｅと２０Ｏｅの時のＲeddyとＲindの差
を示すグラフ。FIG. 4 is a graph showing the difference between Reddy and Rind when the external magnetization of the main pole 1 of the magnetic reproducing element of Example 1 of the present invention is 0 Oe and 20 Oe.
【図５】本発明の実施例１の磁気再生素子の再生波形を
示す図。FIG. 5 is a diagram showing a reproduced waveform of the magnetic reproducing element according to the first embodiment of the present invention.
【図６】本発明の実施例２の磁気再生素子の斜視図。FIG. 6 is a perspective view of a magnetic reproducing element of Example 2 of the present invention.
【図７】本発明の実施例３の磁気再生素子の製造方法に
おける各工程を説明する図で、（ａ）は第１の導体膜形
成工程の平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図。7A and 7B are diagrams illustrating each step in the method of manufacturing a magnetic reproducing element of Example 3 of the present invention, FIG. 7A is a plan view of a first conductor film forming step, and FIG. 7B is a cross section of FIG. 7A. Fig.
【図８】本発明の実施例３の磁気再生素子の製造方法に
おける各工程を説明する図で、（ａ）は主磁極形成工程
の平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図。8A and 8B are views for explaining each step in the method of manufacturing the magnetic reproducing element according to the third embodiment of the present invention, in which FIG. 8A is a plan view of the main magnetic pole forming step, and FIG. 8B is a sectional view of FIG.
【図９】本発明の実施例３の磁気再生素子の製造方法に
おける各工程を説明する図で、（ａ）は第２の導体膜形
成工程の平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図、（ｃ）は
（ａ）の側面図。FIG. 9 is a diagram illustrating each step in the method of manufacturing the magnetic reproducing element of Example 3 of the present invention, (a) is a plan view of the second conductor film forming step, and (b) is a cross section of (a). The figure and (c) are the side views of (a).
【図１０】本発明の実施例３の磁気再生素子の製造方法
における各工程を説明する図で、（ａ）は電極端子膜形
成工程の平面図、（ｂ）は（ａ）の断面図。FIG. 10 is a diagram illustrating each step in the method of manufacturing the magnetic reproducing element according to the third embodiment of the present invention, (a) is a plan view of the electrode terminal film forming step, and (b) is a sectional view of (a).
【図１１】 本発明の実施例４の磁気再生装置の構成を
示すブロック図。FIG. 11 is a block diagram showing the configuration of a magnetic reproducing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
１、１１ 主磁極（金属磁性多層膜） １ａ、１１ａ ＦｅＴａＮ合金薄膜 １ｂ、１１ｂ，１ｃ Ｃｕ薄膜 ３、４ 導体膜 ５、６ 電極端子 ７ 漏洩磁界 ２９ インピーダンス素子（主磁極コアの等価回路） ２９ａ 抵抗 ２９ｂ インダクタンス素子 ９１ 直流電源 ９２ 高周波電源 ４６ 検波器 ４７ 再生アンプ ４８ 復調回路 ５０ 第１の導体膜 ５１ 金属磁性多層膜 ５１ａ ＦｅＴａＮ合金薄膜 ５１ｂ Ｃｕ薄膜 ５４ 第２の導体膜 ５５ 電極端子 ５６ 酸化物膜 ５７ 主面 ５００ 基体 ５００ａ ＡｌＴｉＣ基板 ５００ｂ アルミナ膜 ２００ 本発明の磁気ヘッドの等価回路 1, 11 Main pole (metal magnetic multilayer film) 1a, 11a FeTaN alloy thin film 1b, 11b, 1c Cu thin film 3, 4 conductor film 5, 6 electrode terminals 7 Leakage magnetic field 29 Impedance element (equivalent circuit of main magnetic pole core) 29a resistance 29b Inductance element 91 DC power supply 92 high frequency power supply 46 detector 47 playback amplifier 48 demodulation circuit 50 First Conductor Film 51 Metallic magnetic multilayer film 51a FeTaN alloy thin film 51b Cu thin film 54 Second Conductor Film 55 Electrode terminal 56 Oxide film 57 Main surface 500 base 500a AlTiC substrate 500b Alumina film 200 Equivalent Circuit of Magnetic Head of the Present Invention
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−287057（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−63832（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/33 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-7-287057 (JP, A) JP-A-7-63832 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G11B 5/33
Claims (4)
層して形成した、複数の金属磁性薄膜と複数の導電性薄
膜とを有する金属磁性多層膜であって、外部磁界に対向
する端面を有する磁極、 前記磁極の前記端面に直交する両側端部においてそれぞ
れ前記磁極の各層に電気的に接続された導電性薄膜から
なる第１及び第２の導体膜、及び 前記第１及び第２の導体膜の他端がそれぞれ接続された
前記磁極に高周波電流を供給するための導電性膜からな
る電極端子、 を備え、 前記磁極に前記電極端子から前記第１及び第２の導体膜
を介して通電される高周波電流と、前記磁極に印加され
る外部磁界の強度に応じて変化する前記磁極の表皮抵抗
との積の値である前記電極端子間の逆起電圧を検出する
ことを特徴とする磁気再生素子。1. A plurality of metal magnetic thin films and a plurality of conductive thin films formed by alternately stacking a metal magnetic thin film and a conductive thin film.
A metallic magnetic multilayer film having a film, pole having an end surface facing the external magnetic field, the electrically connected conductive thin film layers of each of the magnetic poles at the two side portions orthogonal to said end face of said pole A first and a second conductor film, and an electrode terminal made of a conductive film for supplying a high-frequency current to the magnetic pole to which the other ends of the first and the second conductor films are connected, respectively, A value of a product of a high frequency current applied to the magnetic pole from the electrode terminal through the first and second conductor films and a skin resistance of the magnetic pole which changes according to the strength of an external magnetic field applied to the magnetic pole. A magnetic reproducing element characterized by detecting a counter electromotive voltage between the electrode terminals.
形状が記録トラック幅に略等しい幅の凸形に形成されて
いることを特徴とする請求項１記載の磁気再生素子。
2. The magnetic reproducing element according to claim 1, wherein the end face of the magnetic pole to which the external magnetic field is applied is formed in a convex shape having a width substantially equal to the recording track width.
１の導体膜を形成するステップ、 前記第１の導体膜の所定の部分の上に所定形状の金属磁
性薄膜と導電性薄膜とを、金属磁性膜から始めて交互に
積層して、複数の金属磁性薄膜と複数の導電性薄膜とを
有する金属磁性多層薄膜の磁極を形成するステップ、 前記磁極及び前記第１の導体膜上に前記第１の導体膜と
同一の形状の第２の導体膜を形成するステップ、及び 前記第２の導体膜の両端部の所定の部分に、前記磁極に
高周波電流を流す高周波電源に接続するための電極端子
膜を形成するステップを有することを特徴とする磁気再
生素子の製造方法。3. A step of forming a first conductor film having a predetermined shape on a base body made of an insulator, and a metal magnetic thin film and a conductive thin film having a predetermined shape on a predetermined portion of the first conductor film. Starting with a metal magnetic film and alternately laminated to form a plurality of metal magnetic thin films and a plurality of conductive thin films.
Forming a magnetic pole of the metal magnetic multilayer thin film having , forming a second conductor film having the same shape as the first conductor film on the magnetic pole and the first conductor film, and the second conductor Attach the magnetic poles to the specified parts at both ends of the film.
A method of manufacturing a magnetic reproducing element, comprising the step of forming an electrode terminal film for connecting to a high frequency power source for supplying a high frequency current .
素子と、 磁気記録媒体と、 前記磁気ヘッドの磁極に通電する高周波電流に直流バイ
アス磁界を発生させる直流電流を重畳して印加する電流
印加手段とを備えたことを特徴とする磁気再生装置。4. A magnetic reproducing element according to claim 1, a magnetic recording medium, and a current applied by superimposing a DC current for generating a DC bias magnetic field on a high-frequency current flowing through a magnetic pole of the magnetic head. A magnetic reproducing apparatus comprising: an applying unit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22301199A JP3474806B2 (en) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | Magnetic reproducing element, method of manufacturing the same, and magnetic reproducing apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP22301199A JP3474806B2 (en) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | Magnetic reproducing element, method of manufacturing the same, and magnetic reproducing apparatus using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001052313A JP2001052313A (en) | 2001-02-23 |
| JP3474806B2 true JP3474806B2 (en) | 2003-12-08 |
Family
ID=16791443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22301199A Expired - Fee Related JP3474806B2 (en) | 1999-08-05 | 1999-08-05 | Magnetic reproducing element, method of manufacturing the same, and magnetic reproducing apparatus using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3474806B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4317717B2 (en) | 2003-01-22 | 2009-08-19 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | Magnetic disk drive using thin film magnetic head for perpendicular recording |
-
1999
- 1999-08-05 JP JP22301199A patent/JP3474806B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001052313A (en) | 2001-02-23 |
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