JP3472256B2 - データ処理装置およびデータ処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば、ＩＣカ
ードに搭載され、ページ単位での記憶データの更新処理
を必要とする不揮発性メモリに対しデータの書込み、読
出し、更新処理などを行なうデータ処理装置およびデー
タ処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、たとえば、ＩＣカードに搭載さ
れるフラッシュメモリやＥＥＰＲＯＭなどの不揮発性メ
モリに対する記憶データの更新処理は、記憶領域の論理
的単位であるページ単位で行なわれる。これに対して、
ＲＡＭなどの揮発性メモリへの記憶データの更新と参照
および不揮発性メモリの記憶データの参照に対しては、
ページ単位で行なう必要はない。

【０００３】そのため、不揮発性メモリに対する記憶デ
ータの更新処理においては、ページ内に存在する一部の
データを更新するためにページ単位で全てのデータを書
換える必要がある。

【０００４】不揮発性メモリ内の全体はページ単位に分
割され、また、ページの大きさはＩＣカードに固有であ
る。そこで、一般に記憶データの更新処理においては、
揮発性メモリ内にページと同じ大きさの一時格納用記憶
領域を確保し、当該一時格納用記憶領域を介して不揮発
性メモリにアクセスする方法がとられる。

【０００５】不揮発性メモリの記憶データを更新する場
合、データが属する不揮発性メモリ内のページ内容を一
時格納用記憶領域にコピーし、当該一時格納用記憶領域
において更新対象とするアドレスのデータを書換えた
後、一時格納用記憶領域の内容を不揮発性メモリ内の当
該ページに書き戻す手順となる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術においては、不揮発性メモリに対する記憶デ
ータの更新処理において、データアクセスごとに不揮発
性メモリから一時格納用記憶領域へのコピー、および、
一時格納用記憶領域から不揮発性メモリへのコピーが必
要なため、記憶データの更新処理ごとに２回のコピー操
作を必要とした。したがって、記憶データの更新時間が
長くなるという問題があった。

【０００７】そこで、本発明は、不揮発性メモリに対す
る記憶データの更新時、従来必要とされた記憶データ更
新ごとのコピー操作を必要とせず、効率的な更新処理が
可能となり、記憶データの更新時間が短くなるデータ処
理装置およびデータ処理方法を提供することを目的とす
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明のデータ処理装置
は、ページ単位での記憶データの更新処理を必要とする
不揮発性メモリに対しデータの書込み、読出し、更新処
理などを行なうデータ処理装置において、揮発性メモリ
と、記憶データが書換え可能な不揮発性メモリと、これ
ら各メモリに対しデータの書込み、読出しの各処理を行
なう第１の制御手段と、前記不揮発性メモリに対する更
新データをその更新データが記憶されるアドレスととも
に一時記憶する第１の一時記憶手段と、前記不揮発性メ
モリの記憶データを更新する際に入力される、少なくと
も更新データとその更新データが記憶される更新アドレ
スとからなるデータ更新要求情報を受信すると、当該更
新アドレスに対応するアドレスを持つ更新データが前記
第１の一時記憶手段内に存在するか否かを判定する第１
の判定手段と、この第１の判定手段により前記データ更
新要求情報内の更新アドレスに対応するアドレスを持つ
更新データが前記第１の一時記憶手段内に存在すると判
定されると、その更新データを前記データ更新要求情報
内の更新データに書換える第２の制御手段と、前記第１
の判定手段により前記データ更新要求情報内の更新アド
レスに対応するアドレスを持つ更新データが前記第１の
一時記憶手段内に存在しないと判定されると、前記第１
の一時記憶手段に記憶された更新データが所定数に達し
ているか否かを判定する第２の判定手段と、この第２の
判定手段により更新データが所定数に達していないと判
定されると、前記データ更新要求情報内の更新データと
更新アドレスとを対応させて前記第１の一時記憶手段に
記憶する第３の制御手段と、前記第２の判定手段により
更新データが所定数に達していると判定されると、前記
前記不揮発性メモリに対する処理対象ページを確定し、
当該処理対象ページの全記憶データを読出す読出手段
と、この読出手段により読出された１ページ分の各デー
タを一時記憶する第２の一時記憶手段と、この第２の一
時記憶手段内の各データに対し前記第１の一時記憶手段
内の各更新データを用いて更新処理を行なうとともに、
このとき各更新データが前記第１の一時記憶手段から検
知された場合、当該更新データを以降の更新対象から外
す更新処理を行なう更新処理手段と、この更新処理手段
による更新処理が終了すると、前記第２の一時記憶手段
内の１ページ分の各データを前記不揮発性メモリの対応
するページに書き戻す第４の制御手段とを具備してい
る。

【０００９】また、本発明のデータ処理装置は、前記第
１の制御手段は、前記不揮発性メモリの記憶データを読
出す際に入力される、少なくとも読出したいデータが記
憶されているアドレスからなるデータ読出要求情報を受
信すると、当該アドレスに対応するアドレスを持つデー
タが前記第１の一時記憶手段内に存在するか否かを判定
し、存在する場合はそのデータを読出し、存在しない場
合は前記不揮発性メモリから前記データ読出要求情報内
のアドレスに対応するアドレスを持つデータを読出すこ
とを特徴とする。

【００１０】また、本発明のデータ処理方法は、ページ
単位での記憶データの更新処理を必要とする不揮発性メ
モリに対しデータの書込み、読出し、更新処理などを行
なうデータ処理方法において、揮発性メモリと、記憶デ
ータが書換え可能な不揮発性メモリと、これら各メモリ
に対しデータの書込み、読出しの各処理を行なう制御手
段と、前記不揮発性メモリに対する更新データをその更
新データが記憶されるアドレスとともに一時記憶する第
１の一時記憶手段と、前記不揮発性メモリのデータ更新
時に用いられ、データをページ単位に一時的に記憶する
第２の一時記憶手段とを有し、前記不揮発性メモリの記
憶データを更新する際に入力される、少なくとも更新デ
ータとその更新データが記憶される更新アドレスとから
なるデータ更新要求情報を受信すると、当該更新アドレ
スに対応するアドレスを持つ更新データが前記第１の一
時記憶手段内に存在するか否かを判定する第１のステッ
プと、この第１のステップにより前記データ更新要求情
報内の更新アドレスに対応するアドレスを持つ更新デー
タが前記第１の一時記憶手段内に存在すると判定される
と、その更新データを前記データ更新要求情報内の更新
データに書換える第２のステップと、前記第１のステッ
プにより前記データ更新要求情報内の更新アドレスに対
応するアドレスを持つ更新データが前記第１の一時記憶
手段内に存在しないと判定されると、前記第１の一時記
憶手段に記憶された更新データが所定数に達しているか
否かを判定する第３のステップと、この第３のステップ
により更新データが所定数に達していないと判定される
と、前記データ更新要求情報内の更新データと更新アド
レスとを対応させて前記第１の一時記憶手段に記憶する
第４のステップと、前記第３のステップにより更新デー
タが所定数に達していると判定されると、前記前記不揮
発性メモリに対する処理対象ページを確定し、当該処理
対象ページの全記憶データを読出す第５のステップと、
この第５のステップにより読出された１ページ分の各デ
ータを前記第２の一時記憶手段に一時記憶する第６のス
テップと、前記第２の一時記憶手段内の各データに対し
前記第１の一時記憶手段内の各更新データを用いて更新
処理を行なうとともに、このとき各更新データが前記第
１の一時記憶手段から検知された場合、当該更新データ
を以降の更新対象から外す更新処理を行なう第７のステ
ップと、この第７のステップによる更新処理が終了する
と、前記第２の一時記憶手段内の１ページ分の各データ
を前記不揮発性メモリの対応するページに書き戻す第８
のステップとを具備している。

【００１１】さらに、本発明のデータ処理方法は、前記
不揮発性メモリの記憶データを読出す際に入力される、
少なくとも読出したいデータが記憶されているアドレス
からなるデータ読出要求情報を受信すると、当該アドレ
スに対応するアドレスを持つデータが前記第１の一時記
憶手段内に存在するか否かを判定する第９のステップ
と、この第９のステップにより前記データ読出要求情報
内のアドレスに対応するアドレスを持つデータが前記第
１の一時記憶手段内に存在すると判定された場合はその
データを読出し、存在しないと判定された場合は前記不
揮発性メモリから前記データ読出要求情報内のアドレス
に対応するアドレスを持つデータを読出す第１０のステ
ップとを更に具備している。

【００１２】

【００１３】

【００１４】

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００１６】図１は、本実施の形態に係るデータ処理装
置が適用されるＩＣカードの要部構成を概略的に示すも
のである。図１において、各種データが格納（記憶）さ
れる不揮発性メモリ１、および、主にワークメモリとし
て用いられる揮発性メモリ２は、制御手段としてのＣＰ
Ｕを主体に構成される制御部３にそれぞれ接続されると
ともに、この制御部３にはプログラムメモリ４が接続さ
れている。プログラムメモリ４には、各種処理プログラ
ムおよび各種制御プログラムなどが記憶されていて、制
御部３は、そのプログラムに基づき動作することによ
り、不揮発性メモリ１および揮発性メモリ２に対しデー
タの書込み、読出し、更新などの各処理および制御を行
なうようになっている。

【００１７】不揮発性メモリ１は、たとえば、フラッシ
ュメモリやＥＥＰＲＯＭなどが用いられるもので、その
内部はＩＣカードに固有の大きさであるページ単位に分
割され、先頭から順に第１ページ、第２ページ、…と称
呼するものとする。なお、図１において、符号１１はア
ドレス、符号１２は記憶されたデータを示している。ま
た、図１の例では、第１ページ目のアドレス「Ａ００
０」にデータ「ＡＡ」、アドレス「Ａ００１」にデータ
「ＡＢ」が記憶され、第２ページ目のアドレス「Ｂ００
１」にデータ「ＣＣ」が記憶された場合を示している。

【００１８】揮発性メモリ２は、たとえば、ＲＡＭなど
が用いられるもので、その内部には、不揮発性メモリ１
に対する更新データを一時的に記憶する第１の一時記憶
手段としての第１の一時格納用記憶領域５、および、不
揮発性メモリ１のデータ更新時に用いられる第２の一時
記憶手段としての第２の一時格納用記憶領域６が確保さ
れている。

【００１９】第１の一時格納用記憶領域５は、図２に詳
細を示すように、空きエントリ番号部１３およびエント
リ部１４から構成されている。エントリ部１４には、複
数のエントリが格納（記憶）されるもので、各エントリ
はアドレス部１４ａ、データ部１４ｂ、および、反映ビ
ット部１４ｃから構成されている。

【００２０】空きエントリ番号部１３は、更新対象であ
るデータが保管されていないエントリの先頭番号、すな
わち、使用可能なエントリの先頭番号を示し、アドレス
部１４ａは、更新対象であるデータのアドレスを示し、
データ部１４ｂは、更新対象であるデータの更新後の値
を示し、反映ビット部１４ｃは、対応するデータ部１４
ｂのデータが不揮発性メモリ１に書込まれたならば
「１」に、書込まれていないならば「０」に設定され
る。なお、空きエントリ番号部１３および反映ビット部
１４ｃの設定変更は制御部３が行なう。

【００２１】エントリ部１４内の各エントリは、第１の
一時格納用記憶領域５の先頭から順に第１エントリ、第
２エントリ、…と呼称し、第１エントリから順に使用さ
れ、空きエントリ番号が示すエントリから最終エントリ
までを空きエントリと称呼する。なお、図２の例は、総
エントリ数がｎである場合を示し、このとき最終エント
リ番号はｎとなる。

【００２２】第２の一時格納用記憶領域６は、図３に詳
細を示すように、アドレス部１５およびデータ部１６か
ら構成されている。たとえば、不揮発性メモリ１の第ｐ
ページが更新対象であるとき、アドレス部１５は第ｐペ
ージの先頭アドレスを示し、データ部１６は第ｐページ
の各データを示す。データ部１６の各値は、第２の一時
格納用記憶領域６において先頭から順に第１データ部、
第２データ部、…とそれぞれ称呼し、対応するアドレス
をそれぞれ第１アドレス、第２アドレス、…と称呼す
る。すなわち、第１アドレス、第２アドレス、…は、そ
れぞれ第ｐページの先頭アドレス、第ｐページの先頭ア
ドレス＋１、…に等しい。なお、図３は総データ部数が
ｍである場合を示し、このとき最終のデータ部は第ｍデ
ータ部、最終のアドレスは第ｍアドレスとなる。

【００２３】図４は、データ読出要求情報を示してお
り、このデータ読出要求情報は、少なくとも読出アドレ
ス１７から構成されている。不揮発性メモリ１あるいは
揮発性メモリ２に記憶されているデータを読出すとき、
読出アドレス１７に読出したいデータが記憶されている
アドレスを設定したデータ読出要求情報がデータ読出コ
マンドによって外部（たとえば、ＩＣカードリーダライ
タなど）から制御部３へ入力される。

【００２４】図５は、データ更新要求情報を示してお
り、このデータ更新要求情報は、少なくとも更新アドレ
ス１８ａおよび更新データ１８ｂから構成されている。
不揮発性メモリ１あるいは揮発性メモリ２に記憶されて
いるデータを更新するとき、更新アドレス１８ａに更新
したいアドレスを設定するとともに、更新データ１８ｂ
に更新するデータを設定したデータ更新要求情報がデー
タ更新コマンドによって外部（たとえば、ＩＣカードリ
ーダライタなど）から制御部３へ入力される。

【００２５】次に、上記のような構成において図１の動
作を説明する。

【００２６】まず、初期化処理について図６に示すフロ
ーチャートを参照して説明する。ステップＳ１におい
て、ＩＣカードに電源が投入された後、ステップＳ２に
おいて、制御部３は、第１の一時格納用記憶領域５の空
きエントリ番号部１３に「１」を設定する。

【００２７】次に、データ読出処理について図７に示す
フローチャートを参照して説明する。ステップＳ１１に
おいて、制御部３が、外部から入力された図４に示した
読出しアドレス１７から構成されるデータ読出要求情報
を受信すると、ステップＳ１２において、受信したデー
タ読出要求情報から読出しアドレス１７を取得する。次
に、ステップＳ１３において、データ読出要求情報から
取得した読出しアドレス１７が不揮発性メモリ１に属し
ているか否かを判定する。この判定において、不揮発性
メモリ１に属していないならば、ステップＳ１４におい
て、揮発性メモリ２の読出しアドレス１７と合致するア
ドレスからデータを読出し、ステップＳ１５において、
読出したデータを外部へ送信する。

【００２８】ステップＳ１３の判定において、不揮発性
メモリ１に属しているならば、ステップＳ１６におい
て、第１の一時格納用記憶領域５から、読出しアドレス
１７と合致するアドレスを保持するエントリを検索す
る。そして、ステップＳ１７において、合致するアドレ
スを保持するエントリの有無を判定し、エントリが存在
する場合は、ステップＳ１８において、合致したアドレ
スを保持するエントリのデータ部１４ｂからデータを読
出し、ステップＳ１５において、読出したデータを外部
へ送信する。

【００２９】ステップＳ１７の判定において、エントリ
が存在しない場合は、ステップＳ１９において、不揮発
性メモリ１の読出しアドレス１７と合致するアドレスか
らデータを読出し、ステップＳ１５において、読出した
データを外部へ送信する。

【００３０】次に、データ更新処理について図８に示す
フローチャートを参照して説明する。ステップＳ２１に
おいて、制御部３が、外部から入力された図５に示した
更新アドレス１８ａと更新データ１８ｂとから構成され
るデータ更新要求情報を受信すると、ステップＳ２２に
おいて、受信したデータ更新要求情報から更新アドレス
１８ａを取得する。

【００３１】次に、ステップＳ２３において、データ更
新要求情報から取得した更新アドレス１８ａが不揮発性
メモリ１に属しているか否かを判定する。この判定にお
いて、不揮発性メモリ１に属していないならば、ステッ
プＳ２４において、揮発性メモリ２の更新アドレス１８
ａと合致するアドレスに更新データ１８ｂを記憶し、ス
テップＳ２５において、データ更新完了を意味する情報
を外部へ送信する。

【００３２】ステップＳ２３の判定において、不揮発性
メモリ１に属しているならば、ステップＳ２６におい
て、第１の一時格納用記憶領域５から、更新アドレス１
８ａと合致するアドレスを保持するエントリを検索す
る。そして、ステップＳ２７において、合致するアドレ
スを保持するエントリの有無を判定し、エントリが存在
する場合は、ステップＳ２８において、合致したアドレ
スを保持するエントリのデータ部１４ｂをデータ更新要
求情報から取得した更新データ１８ｂで書換え、ステッ
プＳ２５において、データ更新完了を意味する情報を外
部へ送信する。

【００３３】ステップＳ２７の判定において、エントリ
が存在しない場合は、ステップＳ２９からステップＳ３
２の空きエントリ検索処理を行なう。そして、空きエン
トリ検索処理が終了した後、ステップＳ２５において、
データ更新完了を意味する情報を外部へ送信する。

【００３４】ここで、ステップＳ２９から開始される空
きエントリ検索処理について説明する。まず、ステップ
Ｓ２９において、第１の一時格納用記憶領域５の空きエ
ントリ番号部１３が示すエントリ番号が最終エントリ番
号を超えているか否かを判定する。この判定において、
最終エントリ番号を超えていない場合は、ステップＳ３
０において、空きエントリ番号部１３が示すエントリの
アドレス部１４ａおよびデータ部１４ｂに、データ更新
要求情報による更新アドレス１８ａおよび更新データ１
８ｂをそれぞれ格納する。

【００３５】次に、ステップＳ３１において、空きエン
トリ番号部１３が示すエントリの反映ビット部１４ｃを
「０」に設定するとともに、空きエントリ番号部１３の
値を１つ増加し、ステップＳ２５において、データ更新
完了を意味する情報を外部へ送信する。

【００３６】ステップＳ２９において、最終エントリ番
号を超えている場合は、ステップＳ３２において、不揮
発性メモリ１のデータ更新処理を実行した後、ステップ
Ｓ３０において、空きエントリ番号部１３が示すエント
リのアドレス部１４ａおよびデータ部１４ｂに、データ
更新要求情報による更新アドレス１８ａおよび更新デー
タ１８ｂをそれぞれ格納する。

【００３７】次に、ステップＳ３１において、空きエン
トリ番号部１３が示すエントリの反映ビット部１４ｃを
「０」に設定するとともに、空きエントリ番号部１３の
値を１つ増加し、ステップＳ２５において、データ更新
完了を意味する情報を外部へ送信する。

【００３８】次に、図８のステップＳ３２における不揮
発性メモリ１のデータ更新処理について説明する。

【００３９】まず、本データ更新処理の概要を述べる。
本データ更新処理の目的は、第１の一時格納用記憶領域
５の各エントリに格納されている更新データを不揮発性
メモリ１に格納することである。一般に、各エントリと
格納されるデータには関連性はない。すなわち、連続し
たエントリに格納されているデータは、連続したアドレ
スを有しているとは限らない。

【００４０】そこで、エントリそれぞれのデータに対し
て、不揮発性メモリ１上の格納すべきページを判定し、
当該ページのデータを更新する必要がある。本データ更
新処理では、不揮発性メモリ１の各ページに対して、当
該ページに格納すべきエントリのデータを判定する手順
とする。すなわち、最初に不揮発性メモリ１上の更新対
象ページを確定し、次に、当該対象ページに格納すべき
データを保持するエントリを、第１の一時格納用記憶領
域５から検索する。

【００４１】ところで、データ更新処理は、ページ単位
で行なう必要があるので、確定した対象ページ内の各デ
ータは第２の一時格納用記憶領域６にコピーした後、更
新処理を第２の一時格納用記憶領域６に対して行ない、
更新処理が終了した後、第２の一時格納用記憶領域６の
各データを確定した対象ページに書き戻す。

【００４２】前述した対象ページに格納すべきデータを
保持するエントリを、第１の一時格納用記憶領域５から
検索した結果、当該エントリが検知されたなら、当該エ
ントリを以降のエントリ検索の対象から外すために、対
応する反映ビット部１４ｃに「１」を設定する。当該対
象ページに対して、反映ビット部１４ｃが「０」である
全てのエントリの判定および第２の一時格納用記憶領域
６に対する更新処理が終了したならば、第２の一時格納
用記憶領域６の各データを確定した対象ページに書き戻
す。

【００４３】この処理を、更新対象となるエントリが存
在しなくなるまで、第１ページ目から順に繰り返す。全
てのエントリは不揮発性メモリ１のいずれかのページに
存在するので、最終ページを対象ページとするまでに更
新対象となるエントリは存在しなくなり、存在しなくな
った時点で本データ更新処理は終了する。

【００４４】次に、データ更新処理の詳細について図
９、図１０に示すフローチャートを参照して説明する。

【００４５】データ更新処理過程において処理対象とな
る可変データ要素は３つあり、(1)不揮発性メモリ１に
おける処理対象となるページ、(2) 第１の一時格納用記
憶領域５における処理対象となるエントリ、(3) 第２の
一時格納用記憶領域６における処理対象となるアドレス
である。以下の説明では、それぞれ(1) 処理対象ペー
ジ、(2) 処理対象エントリ、(3) 処理対象アドレスと呼
称する。

【００４６】まず、ステップＳ４１において、制御部３
は、不揮発性メモリ１の第１ページ目を処理対象ページ
に設定する。次に、ステップＳ４２において、制御部３
は、不揮発性メモリ１の処理対象ページの先頭アドレス
を第２の一時格納用記憶領域６のアドレス部１５に、処
理対象ページのデータを第２の一時格納用記憶領域６の
データ部１６に、それぞれ格納する。

【００４７】次に、ステップＳ４３において、第１の一
時格納用記憶領域５の反映ビット部１４ｃが「０」とな
っているエントリを検索し、当該エントリが存在すれ
ば、それを処理対象エントリに設定する。次に、ステッ
プＳ４４において、第２の一時格納用記憶領域６の第１
アドレスを処理対象アドレスに設定する。

【００４８】次に、ステップＳ４５において、ステップ
Ｓ４３の検索の結果、当該処理対象エントリが存在した
か否かを判定し、存在しない場合は、ステップＳ４６に
おいて、第２の一時格納用記憶領域６のアドレス部１５
が示すアドレスを先頭アドレスとする不揮発性メモリ１
の対応ページにデータ部１６のデータを格納する。

【００４９】次に、ステップＳ４７において、第１の一
時格納用記憶領域５の全てのエントリの反映ビット部１
４ｃが「１」であるか否かを判定する。この判定におい
て、全ての反映ビット部１４ｃが「１」であれば、ステ
ップＳ４８において、第１の一時格納用記憶領域５の空
きエントリ番号部１３に「１」を設定するとともに、全
てのエントリの反映ビット部１４ｃに「０」を設定し、
不揮発性メモリ１のデータ更新処理を終了する。

【００５０】ステップＳ４７の判定において、全ての反
映ビット部１４ｃが「１」でなければ、ステップＳ４９
において、不揮発性メモリ１の次のページ（現ページが
第ｎページならば第ｎ＋１ページを次のページとする）
を処理対象ページに設定する。そして、ステップＳ４２
に戻り、ステップＳ４２からの処理を継続する。

【００５１】ステップＳ４５の判定において、当該処理
対象エントリが存在した場合、ステップＳ５０におい
て、第２の一時格納用記憶領域６の処理対象アドレスが
最終アドレスを超えたか否かを判定する。この判定にお
いて、処理対象アドレスが最終アドレスを超えた場合
は、ステップＳ５１において、第１の一時格納用記憶領
域５の反映ビット部１４ｃが「０」で、かつ、同一処理
対象ページにおいてまだ処理対象に設定されていないエ
ントリを検索し、当該エントリが存在すれば、それを処
理対象エントリに設定する。そして、ステップＳ４４に
戻り、ステップＳ４４からの処理を継続する。

【００５２】ステップＳ５０の判定において、処理対象
アドレスが最終アドレスを超えていない場合は、ステッ
プＳ５２において、処理対象エントリのアドレス部１４
ａのアドレスと第２の一時格納用記憶領域６の処理対象
アドレスとを比較し、ステップＳ５３において、これら
両アドレスが一致したか否かを判定する。この判定にお
いて、両アドレスが一致しない場合は、ステップＳ５４
において、第２の一時格納用記憶領域６の次のアドレス
（現アドレスが第ｎアドレスならば第ｎ＋１アドレスを
次のアドレスとする）を処理対象アドレスに設定する。
そして、ステップＳ５０に戻り、ステップＳ５０からの
処理を継続する。

【００５３】ステップＳ５３の判定において、両アドレ
スが一致した場合は、ステップＳ５５において、処理対
象エントリのデータ部１４ｂの値を第２の一時格納用記
憶領域６の処理対象アドレスに対応するデータ部１６
（第ｎアドレスの場合は第ｎデータ部）に格納するとと
もに、処理対象エントリの反映ビット部１４ｃを「１」
に設定する。そして、ステップＳ５１に進み、前述同様
な処理を継続する。

【００５４】以上説明したように、上記実施の形態によ
れば、揮発性メモリ２内に、不揮発性メモリ１に対する
更新データを一時的に格納しておく第１の一時格納用記
憶領域５を設けることにより、従来必要としたデータ更
新ごとの不揮発性メモリ１に対する更新処理がなくな
り、よって更新時間が著しく短くなる。

【００５５】また、第１の一時格納用記憶領域５におい
て、更新データごとに反映ビット部を設けたことによ
り、不揮発性メモリ１に格納する対象データを特定でき
る。すなわち、対象外のデータを格納対象から除外する
ことにより、効果的にデータ更新を処理することができ
る。

【００５６】なお、前記実施の形態では、不揮発性メモ
リがフラッシュメモリやＥＥＰＲＯＭの場合について説
明したが、本発明はこれに限定されるものでなく、ペー
ジ単位でのデータ更新処理を必要とする不揮発性メモリ
であれば適用可能である。

【００５７】また、前記実施の形態では、第１の一時格
納用記憶領域および第２の一時格納用記憶領域を揮発性
メモリ内に設けた場合について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものでなく、それぞれが単独の記憶手段
であってもよい。

【００５８】さらに、前記実施の形態では、ＩＣカード
におけるデータ処理装置に適用した場合について説明し
たが、本発明はこれに限定されるものでなく、記憶デー
タのページ単位での更新処理を必要とする不揮発性メモ
リを備えた電子機器におけるデータ処理装置にも同様に
適用可能である。

【００５９】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、不
揮発性メモリに対する記憶データの更新時、従来必要と
された記憶データ更新ごとのコピー操作を必要とせず、
効率的な更新処理が可能となり、記憶データの更新時間
が短くなるデータ処理装置およびデータ処理方法を提供
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るデータ処理装置が適
用されるＩＣカードの要部構成を概略的に示すブロック
図。

【図２】第１の一時格納用記憶領域の構成を模式的に示
す図。

【図３】第２の一時格納用記憶領域の構成を模式的に示
す図。

【図４】データ読出要求情報の構成を模式的に示す図。

【図５】データ更新要求情報の構成を模式的に示す図。

【図６】初期化処理を説明するフローチャート。

【図７】データ読出処理を説明するフローチャート。

【図８】データ更新処理を説明するフローチャート。

【図９】不揮発性メモリのデータ更新処理を説明するフ
ローチャート。

【図１０】不揮発性メモリのデータ更新処理を説明する
フローチャート。

【符号の説明】

１……不揮発性メモリ ２……揮発性メモリ ３……制御部（制御手段） ４……プログラムメモリ ５……第１の一時格納用記憶領域（第１の一時記憶手
段） ６……第２の一時格納用記憶領域（第２の一時記憶手
段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G06F 12/16 G06F 12/00 G06F 12/04 G06K 19/07

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ページ単位での記憶データの更新処理を
   必要とする不揮発性メモリに対しデータの書込み、読出
   し、更新処理などを行なうデータ処理装置において、 揮発性メモリと、 記憶データが書換え可能な不揮発性メモリと、 これら各メモリに対しデータの書込み、読出しの各処理
   を行なう第１の制御手段と、 前記不揮発性メモリに対する更新データをその更新デー
   タが記憶されるアドレスとともに一時記憶する第１の一
   時記憶手段と、 前記不揮発性メモリの記憶データを更新する際に入力さ
   れる、少なくとも更新データとその更新データが記憶さ
   れる更新アドレスとからなるデータ更新要求情報を受信
   すると、当該更新アドレスに対応するアドレスを持つ更
   新データが前記第１の一時記憶手段内に存在するか否か
   を判定する第１の判定手段と、 この第１の判定手段により前記データ更新要求情報内の
   更新アドレスに対応するアドレスを持つ更新データが前
   記第１の一時記憶手段内に存在すると判定されると、そ
   の更新データを前記データ更新要求情報内の更新データ
   に書換える第２の制御手段と、 前記第１の判定手段により前記データ更新要求情報内の
   更新アドレスに対応するアドレスを持つ更新データが前
   記第１の一時記憶手段内に存在しないと判定されると、
   前記第１の一時記憶手段に記憶された更新データが所定
   数に達しているか否かを判定する第２の判定手段と、 この第２の判定手段により更新データが所定数に達して
   いないと判定されると、前記データ更新要求情報内の更
   新データと更新アドレスとを対応させて前記第１の一時
   記憶手段に記憶する第３の制御手段と、 前記第２の判定手段により更新データが所定数に達して
   いると判定されると、前記前記不揮発性メモリに対する
   処理対象ページを確定し、当該処理対象ページの全記憶
   データを読出す読出手段と、 この読出手段により読出された１ページ分の各データを
   一時記憶する第２の一時記憶手段と、 この第２の一時記憶手段内の各データに対し前記第１の
   一時記憶手段内の各更新データを用いて更新処理を行な
   うとともに、このとき各更新データが前記第１の一時記
   憶手段から検知された場合、当該更新データを以降の更
   新対象から外す更新処理を行なう更新処理手段と、 この更新処理手段による更新処理が終了すると、前記第
   ２の一時記憶手段内の１ページ分の各データを前記不揮
   発性メモリの対応するページに書き戻す第４の制御手段
   と、 を具備したことを特徴とするデータ処理装置。
2. 【請求項２】 前記第１の制御手段は、前記不揮発性メ
   モリの記憶データを読出す際に入力される、少なくとも
   読出したいデータが記憶されているアドレスからなるデ
   ータ読出要求情報を受信すると、当該アドレスに対応す
   るアドレスを持つデータが前記第１の一時記憶手段内に
   存在するか否かを判定し、存在する場合はそのデータを
   読出し、存在しない場合は前記不揮発性メモリから前記
   データ読出要求情報内のアドレスに対応するアドレスを
   持つデータを読出すことを特徴とする請求項１記載のデ
   ータ処理装置。
3. 【請求項３】 前記第１の一時記憶手段および第２の一
   時記憶手段は前記揮発性メモリ内に設けられていること
   を特徴とする請求項１記載のデータ処理装置。
4. 【請求項４】 ページ単位での記憶データの更新処理を
   必要とする不揮発性メモリに対しデータの書込み、読出
   し、更新処理などを行なうデータ処理方法において、 揮発性メモリと、記憶データが書換え可能な不揮発性メ
   モリと、これら各メモリに対しデータの書込み、読出し
   の各処理を行なう制御手段と、前記不揮発性メモリに対
   する更新データをその更新データが記憶されるアドレス
   とともに一時記憶する第１の一時記憶手段と、前記不揮
   発性メモリのデータ更新時に用いられ、データをページ
   単位に一時的に記憶する第２の一時記憶手段とを有し、 前記不揮発性メモリの記憶データを更新する際に入力さ
   れる、少なくとも更新データとその更新データが記憶さ
   れる更新アドレスとからなるデータ更新要求情報を受信
   すると、当該更新アドレスに対応するアドレスを持つ更
   新データが前記第１の一時記憶手段内に存在するか否か
   を判定する第１のステップと、 この第１のステップにより前記データ更新要求情報内の
   更新アドレスに対応するアドレスを持つ更新データが前
   記第１の一時記憶手段内に存在すると判定されると、そ
   の更新データを前記データ更新要求情報内の更新データ
   に書換える第２のステップと、 前記第１のステップにより前記データ更新要求情報内の
   更新アドレスに対応するアドレスを持つ更新データが前
   記第１の一時記憶手段内に存在しないと判定されると、
   前記第１の一時記憶手段に記憶された更新データが所定
   数に達しているか否かを判定する第３のステップと、 この第３のステップにより更新データが所定数に達して
   いないと判定されると、前記データ更新要求情報内の更
   新データと更新アドレスとを対応させて前記第１の一時
   記憶手段に記憶する第４のステップと、 前記第３のステップにより更新データが所定数に達して
   いると判定されると、前記前記不揮発性メモリに対する
   処理対象ページを確定し、当該処理対象ページの全記憶
   データを読出す第５のステップと、 この第５のステップにより読出された１ページ分の各デ
   ータを前記第２の一時記憶手段に一時記憶する第６のス
   テップと、 前記第２の一時記憶手段内の各データに対し前記第１の
   一時記憶手段内の各更新データを用いて更新処理を行な
   うとともに、このとき各更新データが前記第１の一時記
   憶手段から検知された場合、当該更新データを以降の更
   新対象から外す更新処理を行なう第７のステップと、 この第７のステップによる更新処理が終了すると、前記
   第２の一時記憶手段内の１ページ分の各データを前記不
   揮発性メモリの対応するページに書き戻す第８のステッ
   プと、 を具備したことを特徴とするデータ処理方法。
5. 【請求項５】 前記不揮発性メモリの記憶データを読出
   す際に入力される、少なくとも読出したいデータが記憶
   されているアドレスからなるデータ読出要求情報を受信
   すると、当該アドレスに対応するアドレスを持つデータ
   が前記第１の一時記憶手段内に存在するか否かを判定す
   る第９のステップと、 この第９のステップにより前記データ読出要求情報内の
   アドレスに対応するアドレスを持つデータが前記第１の
   一時記憶手段内に存在すると判定された場合はそのデー
   タを読出し、存在しないと判定された場合は前記不揮発
   性メモリから前記データ読出要求情報内のアドレスに対
   応するアドレスを持つデータを読出す第１０のステップ
   と、 を更に具備したことを特徴とする請求項４記載のデータ
   処理方法。