JP3471655B2 - 高誘電体薄膜コンデンサの製造方法 - Google Patents
高誘電体薄膜コンデンサの製造方法Info
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Description
デンサの製造方法に関し、特にチップコンデンサと称す
る小型かつ軽量なコンデンサを用いた携帯電話や携帯情
報端末等の電子機器に応用できるものである。
薄型化が要求されている。電子機器はICやコンデンサ
などの電子部品が実装された回路基板等から構成され、
使用される電子部品、回路基板にも薄型化が要求されて
いる。小型かつ薄型なコンデンサを実現するために、ガ
ラスやセラミック、金属箔、あるいは有機高分子フィル
ムなどの小型、軽量、低コストな基体の上に、電極薄膜
と高誘電体薄膜との積層構造からなる小型、軽量コンデ
ンサが提供されている。
誘電体薄膜を形成する際、高誘電体薄膜は成膜条件によ
りランダムな方位に配向し、基体の影響を受けない場
合、主に(110)面、(111)面、(200)面に
優先的に配向する。しかし、(111)面以外に配向し
た高誘電体薄膜は(111)面に配向した高誘電体薄膜
よりも誘電分極が小さくなる結果、誘電率が低くなって
しまう。さらに、(111)面以外に配向すると表面の
凹凸が大きくなると共に、結晶粒界も粗な膜が形成され
てしまう。このような表面の凹凸や粗な結晶粒界は電極
薄膜との接触状態を劣悪なものとし、結晶粒界や電極と
の界面でのキャリアの再結合が支配的となる結果、リー
ク電流が増大してしまい、絶縁耐圧の低いコンデンサと
なってしまう。本発明は、ペロブスカイト構造を有する
高誘電体薄膜が(111)面に優先配向することにより
大きな誘電率を有し、しかもフラットな表面形態とな
り、結晶粒界が緻密な高誘電体薄膜を提供することによ
り、誘電率が大きく、しかも絶縁耐圧に優れた高品質か
つ高信頼性を有する高誘電体薄膜コンデンサを提供する
ことを目的とする。
め、本発明は、配向性が(111)面に優先配向するペ
ロブスカイト構造を有する高誘電体薄膜の上下面に、配
向性が(111)面に優先配向する面心立方晶構造を有
するPt電極薄膜からなる上部電極及び下部電極を形成
し、かつ前記下部電極は無定形構造あるいは結晶構造を
もつ基体上に形成されている高誘電体薄膜コンデンサの
製造方法であって、基体上にDCマグネトロンスパッタ
法、またはEB蒸着法を用いてPt電極薄膜を形成する
工程と、前記Pt電極薄膜上にRFマグネトロンスパッ
タ法、またはECRマグネトロンスパッタ法を用いて高
誘電体薄膜を形成する工程と、前記高誘電体薄膜上にD
Cマグネトロンスパッタ法、またはEB蒸着法を用いて
Pt電極薄膜を形成する工程とを有する高誘電体薄膜コ
ンデンサの製造方法である。これにより高誘電体薄膜の
誘電分極が大きくなる結果、誘電率が大きくなる。さら
に、フラットな表面形態となり、結晶粒界が緻密な高誘
電体薄膜を提供することが可能となり、リーク電流の小
さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能
である。
晶構造をもち、電極薄膜の配向性が(111)面に優先
配向しているので、下部電極上に形成した高誘電体薄膜
の格子整合が可能となり、接合界面における欠陥準位密
度の低い高誘電体薄膜と電極薄膜との接合が可能とな
る。
小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可
能である。
薄膜の上部電極が面心立方晶構造をもち、電極薄膜の配
向性が(111)面に優先配向しているので、上部電極
下に形成した高誘電体薄膜の格子整合が可能となり、接
合界面における欠陥準位密度の低い高誘電体薄膜と電極
薄膜との接合が可能となる。その結果、誘電率が大き
く、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを
提供することが可能である。またコンデンサにおいて
は、基体が無定形構造あるいは結晶構造をもち、高誘電
体薄膜及び電極薄膜の配向性に影響を及ぼさないことを
特徴とする。これにより、基体上に形成した電極薄膜が
面心立方晶の細密充填面である(111)面が基体と平
行に配向することになり、上下電極と高誘電体薄膜の格
子整合が可能となり、接合界面における欠陥準位密度の
低い高誘電体薄膜と電極薄膜との接合が可能となる。そ
の結果、誘電率が大きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧
に優れたコンデンサを提供することが可能である。
(111)面に優先配向するペロブスカイト構造を有す
る高誘電体薄膜の上下面に、配向性が(111)面に優
先配向する面心立方晶構造を有するPt電極薄膜からな
る上部電極及び下部電極を形成し、かつ前記下部電極は
無定形構造あるいは結晶構造をもつ基体上に形成されて
いる高誘電体薄膜コンデンサの製造方法であって、基体
上にDCマグネトロンスパッタ法、またはEB蒸着法を
用いてPt電極薄膜を形成する工程と、前記Pt電極薄
膜上にRFマグネトロンスパッタ法、またはECRマグ
ネトロンスパッタ法を用いて高誘電体薄膜を形成する工
程と、前記高誘電体薄膜上にDCマグネトロンスパッタ
法、またはEB蒸着法を用いてPt電極薄膜を形成する
工程とを有する高誘電体薄膜コンデンサの製造方法であ
り、これにより高誘電体薄膜の誘電分極が大きくなる結
果、誘電率が大きくなる。さらに、フラットな表面形態
となり、結晶粒界が緻密な高誘電体薄膜を提供すること
が可能となり、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコ
ンデンサを提供することが可能である。
晶構造をもち、電極薄膜の配向性が(111)面に優先
配向しているので、下部電極上に形成した高誘電体薄膜
の格子整合が可能となり、接合界面における欠陥準位密
度の低い高誘電体薄膜と電極薄膜との接合が可能とな
る。
小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可
能である。
薄膜の上部電極が面心立方晶構造をもち、電極薄膜の配
向性が(111)面に優先配向しているので、上部電極
下に形成した高誘電体薄膜の格子整合が可能となり、接
合界面における欠陥準位密度の低い高誘電体薄膜と電極
薄膜との接合が可能となる。その結果、誘電率が大き
く、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを
提供することが可能である。
薄膜と電極薄膜の格子の不整合が5%を上限とすること
を特徴とする。これにより、上下電極と高誘電体薄膜の
格子不整合が小さくなり、接合界面における欠陥準位密
度の低い高誘電体薄膜と電極薄膜との接合が可能とな
る。その結果、誘電率が大きく、リーク電流の小さな絶
縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能であ
る。
薄膜の格子定数が電極薄膜の格子定数よりも大きいこと
を特徴とする。これにより高誘電体薄膜には圧縮の面内
応力が加わることになり、さらに大きな誘電分極を生じ
ることにより誘電率が大きく 、しかもリーク電流の小さ
な絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能で
ある。
定形構造あるいは結晶構造をもち、高誘電体薄膜及び電
極薄膜の配向性に影響を及ぼさないことを特徴とする。
これにより、基体上に形成した電極薄膜が面心立方晶の
細密充填面である(111)面が基体と平行に配向する
ことになり、上下電極と高誘電体薄膜の格子整合が可能
となり、接合界面における欠陥準位密度の低い高誘電体
薄膜と電極薄膜との接合が可能となる。その結果、誘電
率が大きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコン
デンサを提供することが可能である。
ラス、セラミック、金属箔、有機高分子体、半導体基体
からなる群より選択される少なくとも1つの物質である
ことが好ましい。これにより基体上に形成する電極薄膜
は(111)面に優先配向することになり、誘電率が大
きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサ
を提供することが可能である。
薄膜がSrTiO 3 、BaTiO 3 及びPbTiO 3 から
なる群より選択される少なくとも1つの物質であること
が好ましい。これにより誘電率が大きく、しかもリーク
電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供するこ
とが可能である。
がPt、Ag、Au、Cu、Ni、Al、Pd、Ru及
びIrからなる群より選択される少なくとも1つの物質
であることが好ましい。これにより高誘電体薄膜との格
子不整合が小さくなる結果、誘電率が大きく、リーク電
流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供すること
が可能である。
膜コンデンサの製造方法は、ペロブ スカイト構造を有す
る高誘電体薄膜の配向性が(111)面に優先配向した
高誘電体薄膜を形成するための高誘電体薄膜コンデンサ
の製造方法である。前記方法においては、高誘電体薄膜
の形成法としてRFマグネトロンスパッタ法、ECRマ
グネトロンスパッタ法からなる群より選択される手段を
用いることが好ましい。これにより高い比誘電率を示す
高誘電体薄膜の形成が可能となり誘電率が大きく、しか
もリーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提
供することが可能である。
ンスパッタ法、ECRマグネトロンスパッタ法での成膜
圧力が3×10 -3 Torrを上限とすることが好まし
い。これにより、(111)面に優先配向した高誘電体
薄膜を形成することが可能となり、誘電率が大きく、リ
ーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供す
ることが可能である。
形成温度が300℃を上限とすることが好ましい。これ
により酸化が起こりやすいAlやCu、Niを電極材料
として適用するが可能となり、低コストかつ誘電率が大
きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサ
を提供することが可能である。
堆積速度が毎分10nmを下限とすることが好ましい。
これにより高誘電体薄膜形成の時間が短縮される結果、
製造のスループット向上が可能となり、低コストかつ誘
電率が大きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコ
ンデンサを提供することが可能である。
速度が毎分10nmを下限とすることが好ましい。これ
により電極薄膜形成の時間が短縮される結果、製造のス
ループット向上が可能となり、低コストかつ誘電率が大
きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサ
を提供することが可能である。
ンデンサの製造方法は、高誘電体薄膜の下部および上部
電極が面心立方晶構造をもち、電極薄膜の配向性が(1
11)面に優先配向した電極薄膜を形成するための高誘
電体薄膜コンデンサの製造方法である。
してDCマグネトロンスパッタ法、RFマグネトロンス
パッタ法、ECRマグネトロンスパッタ法、真空蒸着法
及びCVD法からなる群より選択される手段を用いるこ
とが好ましい。これにより、容易に電極薄膜の配向性が
(111)面に優先配向した電極薄膜を形成することが
可能となり、誘電率が大きく、リーク電流の小さな絶縁
耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能である。
速度が毎分10nmを下限とすることが好ましい。これ
により電極薄膜形成の時間が短縮される結果、製造のス
ループット向上が可能となり、低コストかつ誘電率が大
きく、リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサ
を提供することが可能である。
デンサとは、ペロブスカイト構造を有する高誘電体薄膜
が(111)面に優先配向することにより誘電分極が大
きく、さらにフラットな表面形態となり、結晶粒界が緻
密な高誘電体薄膜となり、誘電率が大きく、絶縁耐圧に
優れた高品質かつ高信頼性を有する高誘電体薄膜コンデ
ンサである。すなわち、本高誘電体薄膜コンデンサを用
いることによりチップコンデンサとして小型かつ軽量な
電子機器に搭載することが可能となり、平滑用、同調用
やデカップリング用などのフレキシブルな低容量から高
容量までのチップコンデンサとして使用することができ
る。
してさらに詳しく説明する。
成を図1に示す。図1において、1は基体、2は電極薄
膜、3は高誘電体薄膜である。基体として硼珪酸ガラス
を用い、電極薄膜にはPt、高誘電体薄膜にSrTiO
3を用いた。
法を用いて電極のPt薄膜を形成後、RFマグネトロン
スパッタ法によりSrTiO3薄膜を形成した。引き続
き電極のPt薄膜をDCマグネトロンスパッタ法により
形成し、高誘電体薄膜コンデンサとした。上記試料にお
いてコンデンサ特性を確認することができた。
られるようなSrTiO3、BaTiO3、PbTi
O3、およびそれらの固溶体からなる群より選択される
少なくとも1つの物質であることが好ましい。
ネトロンスパッタ法、ECRマグネトロンスパッタ法を
用いることが好ましい。
0nmを下限とすることが好ましい。
u、Ni、Al、Pd、Ru及びIrからなる群より選
択される少なくとも1つの物質であることが好ましい。
以下であることが好ましい。
ロンスパッタ法、RFマグネトロンスパッタ法、ECR
マグネトロンスパッタ法、真空蒸着法、CVD法を用い
ることが好ましい。
mを下限とすることが好ましい。
る。
おいて、厚さ0.5mmのガラス基体上に、DCマグネ
トロンスパッタ法を用いてPt下部電極を形成した。電
極薄膜のスパッタ条件は10-6Torr台の高真空チャ
ンバー内においてAr雰囲気中、DC電力200W、成
膜圧力8×10-3Torr、基体温度25℃の条件で行
った。膜厚は約1000Å、蒸着レートは約100Å/
minであった。なお、電極形状はメタルマスクを用い
て5mm角の大きさに形成されている。下部電極形成
後、SrTiO3の高誘電体薄膜の形成を行った。Sr
TiO3薄膜のスパッタ条件は10-6Torr台の高真
空チャンバー内においてAr/O2=2/1の混合雰囲
気中において、RF電力800W、基体温度300℃の
条件で行った。成膜圧力は2×10-3Torrと8×1
0-3Torrの2条件で形成した。SrTiO3薄膜の
膜厚は約3000Å、膜堆積速度はともに約300Å/
minあった。Pt下部電極上のSrTiO3薄膜の表
面積は4×4mmであった。SrTiO3薄膜形成後、
上部電極として再びPt電極の形成を行った。上部電極
の形成条件は、下部電極と同一条件である。電極間に挟
まれたSrTiO3薄膜の表面積は3×3mmであっ
た。
構造積層膜のX線回折(XRD)を用いて分析した結晶
の配向性を図2に示す。X線回折パターンから、成膜圧
力を2×10-3Torrとして形成したSrTiO3薄
膜は(111)面に優先配向し、8×10-3Torrで
形成したピークがSrTiO3薄膜は(110)面に優
先配向していることがわかる。
構造積層膜のSrTiO3薄膜表面の走査型電子顕微鏡
(SEM)を用いて分析した表面形態を図3に示す。X
RDの結果と合わせると、(111)面に優先配向した
SrTiO3薄膜は表面の凹凸が小さく、結晶粒界も緻
密であることが分かる。これに対し(110)面に優先
配向したSrTiO3薄膜は表面の凹凸が大きく、結晶
粒界も粗であることがわかる。
用いてコンデンサ特性を評価した結果を表1に示す。な
お、測定周波数は1kHzである。またリーク電流測定
時の電圧は下部電極に+5Vを印加している。
したSrTiO3薄膜は誘電率が80で、2.6×10
-7mA/cm2の電流密度であったのに対し、8×10
-3Torrで成膜したSrTiO3薄膜は誘電率が60
で、5.3×10-5mA/cm2の電流密度であった。
(111)面に優先配向したことにより誘電分極が大き
くなったことを反映して誘電率が大きくなったものであ
る。また、電流密度の違いは、SrTiO3薄膜の配向
性の違いを反映した結果であり、(110)面に配向し
たSrTiO3薄膜はSEMで観察された表面の凹凸お
よび粗な結晶粒界によりPtとの接合状態が悪くなり、
SrTiO3/Pt接合界面での欠陥準位が増大したこ
とによりリーク電流が大きくなったものである。tan
δについても同様の現象が確認されている。また、誘電
率に関しては、成膜圧力が高真空になるほど高くなる結
果を示した。これは高真空成膜により高誘電体薄膜が
(111)面により優先的に配向して誘電分極が大きく
なり、それに伴い誘電率が向上した結果である。なお、
成膜圧力としては(111)面への優先配向性を示す6
×10-3Torrよりも低い圧力で成膜することが好ま
しい。
が(111)に優先配向することにより誘電率が大き
く、しかも表面の凹凸が小さく結晶粒界も緻密となり、
電極薄膜との接合も良好となる結果、リーク電流の小さ
な絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能で
ある。
に優先配向したSrTiO3薄膜を用いて、電極材料に
体心立方晶の結晶構造を有するCrを用いて同様の実験
を行った。それ以外は実施例1とすべて同一条件であ
る。
構造積層膜およびCr/SrTiO3/Cr構造積層膜
のX線回折(XRD)を用いて分析した結晶の配向性を
図4に示す。X線回折パターンから、Ptは面心立方晶
構造を有することから、細密充填面である(111)面
に優先配向している。一方、Crは体心立方晶構造を有
することから、細密充填面である(110)面に優先配
向していることがわかる。
の特性を示す。
先配向していたため、誘電率に大きな違いはなかった。
しかし、面心立方晶の結晶構造を有するPt電極では
2.6×10-7mA/cm2の電流密度であったのに対
し、体心立方晶の結晶構造を有するCr電極では8.2
×10-5mA/cm2の電流密度であった。SrTiO3
薄膜は(111)面に優先配向しているため凹凸が小さ
く、結晶粒界も密であるのに、これらの電流密度に違い
が生じたのは、電極材料の結晶構造および配向性の違い
を反映した結果である。図5にSrTiO3およびP
t、Crの結晶構造を示す。SrTiO3はSrの立方
晶結晶格子中の面心位置にO、体心位置にTiが占有し
ている。SrTiO3薄膜が(111)面に配向する
と、Srで囲まれた(111)面が基体に平行になるよ
うに配向する。これに対して電極材料においては、Pt
は面心立方晶の結晶構造をもち、細密充填面である(1
11)面が基体と平行になるように配向する。一方、C
rは体心立方晶の結晶構造をもち、細密充填面である
(110)面が基体と平行になるように配向する。
3はa=3.91Å、Ptは3.924Å、Crは2.
885Åである。従って、Pt(111)面上にSrT
iO3(111)面が成長すると格子不整合は0.4%
となり、小さな格子不整合で成長する。一方、Cr(1
10)面上にSrTiO3(111)面が成長すると格
子不整合は9.6となり、大きな格子不整合で成長する
ことになる。その結果、格子不整合の小さなPt/Sr
TiO3接合では界面状態が良好となり、欠陥準位が低
減する結果、リーク電流が小さくなる。一方、格子不整
合の大きなCr/SrTiO3接合では界面状態が劣悪
となり、欠陥準位が増大する結果、リーク電流が大きく
なる。
×10-3Torrの成膜圧力で形成することによりSr
TiO3(110)面優先配向/Cr(110)面配向
の積層膜を形成したが、この場合は格子不整合は26.
2%となり、さらに界面状態が劣悪になり欠陥準位が増
大する結果、電流密度は5.4×10-3mA/cm2と
大きなリーク電流となった。さらに、実施例1で確認さ
れた(110)面に配向したSrTiO3薄膜の大きな
凹凸と粗な結晶粒界も大きなリーク電流に影響してい
る。
の傾向が確認されている。
電体薄膜の下部及び上部の電極薄膜が面心立方晶構造を
もち、電極薄膜の配向性が(111)面に優先配向して
いることにより、下部電極と上部電極間に形成した高誘
電体薄膜の格子整合が可能となり、接合界面における欠
陥準位密度の低い高誘電体薄膜と電極薄膜との接合が可
能となる。その結果、誘電率が大きく、しかもリーク電
流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供すること
が可能である。
整合は5%を上限とすることが望ましい。格子不整合が
5%を越えるとリーク電流が大きくなり、絶縁耐圧特性
が劣化する。
に優先配向したSrTiO3薄膜を用いて、電極材料に
格子不整合の小さなPtとそれよりもやや格子不整合の
大きいAlNi合金電極を用いて同様の実験を行った。
それ以外は実施例1とすべて同一条件である。なお、A
lNi合金はAl:Ni=55:45で、XRDによる
精密格子定数測定の結果、格子定数はa=3.85Åで
あった。なお、XRD分析によりSrTiO3薄膜は
(111)面に配向していることを確認している。
の特性を示す。
δ、電流密度共に大きな変化はなく、誘電率は向上する
結果が得られた。これはSrTiO3薄膜よりも電極材
料のAlNiの格子定数が小さくなったことによりSr
TiO3薄膜に面内圧縮応力が掛かったことにより誘電
分極が大きくなった結果を反映している。実験結果は、
(111)面に配向したSrTiO3薄膜においても面
内圧縮応力が加わると誘電率が向上することを示してい
る。
膜の格子定数よりも大きいことにより高誘電体薄膜には
圧縮の面内応力が加わることになり、大きな誘電分極を
生じることにより誘電率が大きく、しかもリーク電流の
小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可
能である。
整合は5%を上限とすることが望ましい。格子不整合が
5%を越えるとリーク電流が大きくなり、絶縁耐圧特性
が劣化する。
に優先配向したSrTiO3薄膜を用いて、実施例1で
使用したガラス基体の代わりに厚さ100μmのステン
レス箔を用いて用いて同様の実験を行った。それ以外は
実施例1とすべて同一条件である。なお、ステンレス箔
は導電性があることから上下電極間でショートするた
め、SUS表面にTi(OC2H5)4の加水分解反応に
よるゾル-ゲル法を用いてTiO2を形成した。TiO2
の厚みは約500Åである。なお、XRDを用いて分析
した結果、両積層膜ともに同様の回折パターンを示し
た。
の特性を示す。
電率、tanδ、電流密度共に大きな変化はなく、同等
の特性が得られた。なお、基体材料としてガラス以外に
セラミック、金属箔、有機高分子体、シリコン(10
0)基体、GaAs(100)基体を用いても同様の傾
向を得ることができた。
造をもち、高誘電体薄膜及び電極薄膜の配向性に影響を
及ぼさないことにより、基体上に形成した電極薄膜が面
心立方晶の細密充填面である(111)面が基体と平行
に配向することになり、さらにその上に形成した高誘電
体薄膜が(111)面に配向することにより上下電極と
高誘電体薄膜の格子整合が可能となり、接合界面におけ
る欠陥準位密度の低い高誘電体薄膜と電極薄膜との接合
が可能となる。その結果、誘電率が大きく、しかもリー
ク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供する
ことが可能である。
の高誘電体薄膜の代わりにBaTiO3、PbTiO3、
および固溶体の(Ba0.2Sr0.8)TiO3と(Pb0.1
Sr0.9)TiO3、比較例としてBiTiO3を用いて
実施例1同様の実験を行った。BaTiO3、PbTi
O3、(Ba0.2Sr0.8)TiO3、(Pb0.1Sr0.9)
TiO3、BiTiO3の形成条件は実施例1と同様であ
る。
高誘電体薄膜は2×10-3Torrの成膜圧力で形成し
たところ、すべて(111)面に優先配向していた。
したフレキシブル薄膜コンデンサの誘電率を示す。
において高い誘電率と低いtanδ、電流密度を得るこ
とができた。また、それぞれの高誘電体材料において成
膜圧力を8×10-3Torrとして(110)面に優先
配向した高誘電体薄膜を形成してPt電極のコンデンサ
を作製したが、すべてのコンデンサは高誘電体薄膜が
(111)面に配向した方が大きな誘電率を示した。
aTiO3及びPbTiO3からなる群より選択される少
なくとも1つの物質であり、(111)面に優先配向す
ることにより誘電率が大きく、しかもリーク電流の小さ
な絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能で
ある。
に優先配向したSrTiO3薄膜を用いて、実施例1で
使用したPtの代わりに、Alを用いて同様の実験を行
った。それ以外は実施例1とすべて同一条件である。
の特性を示す。
ることができた。なお、電極材料としてはPt以外にA
g、Au、Cu、Ni、Al、Pd、Ru及びIrおよ
びこれらの合金を用いても同様の傾向を得ることができ
た。これらの電極材料を使用することにより、高誘電体
薄膜との格子不整合が小さくなる結果、リーク電流の小
さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能
である。
てECRマグネトロンスパッタ法を用いた。ECRスパ
ッタの条件として、10-6Torr台の高真空チャンバ
ー内においてAr/O2=2/1の混合雰囲気中におい
て、RF電力600W、マイクロ波電力400W、基体
温度300℃の条件で行った。成膜圧力は2×10-3T
orrで形成した。SrTiO3薄膜の膜厚は約300
0Å、膜堆積速度は約300Å/minあった。それ以
外は実施例1とすべて同一条件である。
1とほぼ同様の傾向を得ることができた。
マグネトロンスパッタ法、ECRマグネトロンスパッタ
法からなる群より選択される手段を用いることにより高
い誘電率を示し、しかもリーク電流の小さな絶縁耐圧に
優れたコンデンサを提供することが可能である。
に優先配向したSrTiO3薄膜を用いて、高誘電体薄
膜の形成温度として300℃と400℃の2条件で実験
を行った。なお、電極材料にはAlを使用し、それ以外
は実施例1とすべて同一条件である。
の特性を示す。
劣化している。基体温度が高くなると電極材料のAlの
表面が酸化されることにより低誘電率層のAl酸化膜が
形成され、誘電率が低下し、tanδも大きくなってい
る。また、Alの酸化膜とSrTiO3薄膜との界面接
合特性が劣悪となることによりリーク電流も増加してい
る。
℃を上限とすることにより酸化が起こりやすいAlやC
u、Niを電極材料として適用するが可能となり、低コ
ストかつリーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデン
サを提供することが可能である。
に優先配向したSrTiO3薄膜を用いて、RF電力を
増加させた時の高誘電体薄膜の堆積速度の検討を行っ
た。それ以外は実施例1とすべて同一条件である。
度が直線的に増加した。堆積速度の増大に伴うSrTi
O3薄膜の配向性の変化は確認されなかった。また、コ
ンデンサの誘電率は、RF電力を増加させて堆積速度を
上げても極度に劣化することはなかった。また、リーク
電流も極度に増大することはなかった。蒸着速度の向上
はスループットの向上につながり、高誘電体薄膜コンデ
ンサの低価格化を実現できる。特性が劣化しなければよ
り速い堆積速度が好ましく、本実施例では誘電率の極度
の低下やリーク電流の増大は見られなかった。
として10nmを下限とすることにより高誘電体薄膜形
成の時間が短縮される結果、製造のスループット向上が
可能となり、低コストかつ誘電率が大きく、リーク電流
の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが
可能である。
形成方法としてEB蒸着を用いて同様の実験を行った。
EB蒸着は10-6Torr台の高真空チャンバー内にお
いて基体温度25℃の条件で行った。金属電極の形成以
外は実施例2とすべて同一条件である。
面に優先配向していることが確認された。また、コンデ
ンサ特性も実施例2のPt電極を用いたコンデンサと同
等の特性が得られた。なお、金属電極の形成法としてD
Cマグネトロンスパッタ法、ECRマグネトロンスパッ
タ法、真空蒸着法、CVD法を用いてもほぼ同様の効果
を得ることができるが、真空装置の自動化、連続化の観
点からDCマグネトロンスパッタ法、あるいはRFマグ
ネトロンスパッタ法を用いることが好ましい。
ネトロンスパッタ法、RFマグネトロンスパッタ法、E
CRマグネトロンスパッタ法、真空蒸着法及びCVD法
からなる群より選択される手段を用いることにより、容
易に電極薄膜の配向性が(111)面に優先配向した電
極薄膜を形成することが可能となり、誘電率が大きく、
リーク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供
することが可能である。
面に優先配向したSrTiO3薄膜を用いて、DC電力
を増加させた時の電極薄膜の堆積速度の検討を行った。
それ以外は実施例1とすべて同一条件である。
度が直線的に増加した。堆積速度の増大に伴うPt薄膜
の配向性の変化は確認されなかった。また、コンデンサ
の誘電率は、DC電力を増加させて堆積速度を上げても
極度に劣化することはなかった。リーク電流も極度に増
大することはなかった。堆積速度の向上はスループット
の向上につながり、高誘電体薄膜コンデンサの低価格化
を実現できる。特性が劣化しなければより速い堆積速度
が好ましく、本実施例では誘電率の極度の低下やリーク
電流の増大は見られなかった。
て10nmを下限とすることにより電極薄膜形成の時間
が短縮される結果、製造のスループット向上が可能とな
り、低コストかつ誘電率が大きく、リーク電流の小さな
絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供することが可能であ
る。
カイト構造を有する高誘電体薄膜の配向性が(111)
面に優先配向していることにより誘電率が大きく、リー
ク電流の小さな絶縁耐圧に優れたコンデンサを提供する
ことができる。
薄膜コンデンサを効率よく合理的に製造することができ
る。
誘電体薄膜コンデンサを示す断面図
構造積層膜のX線回折パターンを示す図
態を示す図
構造積層膜およびCr/SrTiO3/Cr構造積層膜
のX線回折パターンを示す図
Crの結晶構造を示す図
Claims (2)
- 【請求項1】 配向性が(111)面に優先配向するペ
ロブスカイト構造を有する高誘電体薄膜の上下面に、配
向性が(111)面に優先配向する面心立方晶構造を有
するPt電極薄膜からなる上部電極及び下部電極を形成
し、かつ前記下部電極は無定形構造あるいは結晶構造を
もつ基体上に形成されている高誘電体薄膜コンデンサの
製造方法であって、 基体上にDCマグネトロンスパッタ法、またはEB蒸着
法を用いてPt電極薄膜を形成する工程と、前記Pt電
極薄膜上にRFマグネトロンスパッタ法、またはECR
マグネトロンスパッタ法を用いて高誘電体薄膜を形成す
る工程と、前記高誘電体薄膜上にDCマグネトロンスパ
ッタ法、またはEB蒸着法を用いてPt電極薄膜を形成
する工程とを有する高誘電体薄膜コンデンサの製造方
法。 - 【請求項2】 高誘電体薄膜がSrTiO 3 、BaTi
O 3 及びPbTiO 3 からなる群より選択される少なくと
も1つの物質である請求項1に記載の高誘電体薄膜コン
デンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10933299A JP3471655B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | 高誘電体薄膜コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10933299A JP3471655B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | 高誘電体薄膜コンデンサの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002328060A Division JP2003218227A (ja) | 2002-11-12 | 2002-11-12 | 高誘電体薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000299248A JP2000299248A (ja) | 2000-10-24 |
JP3471655B2 true JP3471655B2 (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=14507551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10933299A Expired - Fee Related JP3471655B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | 高誘電体薄膜コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3471655B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4539844B2 (ja) * | 2004-04-15 | 2010-09-08 | セイコーエプソン株式会社 | 誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP2010157748A (ja) * | 2004-04-15 | 2010-07-15 | Seiko Epson Corp | 金属膜およびその製造方法、誘電体キャパシタおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5573261B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2014-08-20 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ、その製造方法及び内部応力評価方法 |
JP7147219B2 (ja) * | 2018-03-28 | 2022-10-05 | Tdk株式会社 | 誘電体膜および誘電体素子 |
US11462339B2 (en) | 2018-03-28 | 2022-10-04 | Tdk Corporation | Dielectric film, dielectric element, and electronic circuit board |
-
1999
- 1999-04-16 JP JP10933299A patent/JP3471655B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
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