JP3467297B2 - 電子冷却ユニツト - Google Patents
電子冷却ユニツトInfo
- Publication number
- JP3467297B2 JP3467297B2 JP27687493A JP27687493A JP3467297B2 JP 3467297 B2 JP3467297 B2 JP 3467297B2 JP 27687493 A JP27687493 A JP 27687493A JP 27687493 A JP27687493 A JP 27687493A JP 3467297 B2 JP3467297 B2 JP 3467297B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- electrode
- substrate
- cooling unit
- electronic cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 72
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 36
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 30
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 27
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 3
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- -1 silica Chemical class 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002199 base oil Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B2321/00—Details of machines, plants or systems, using electric or magnetic effects
- F25B2321/02—Details of machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effects; using Nernst-Ettinghausen effects
- F25B2321/023—Mounting details thereof
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば冷蔵庫、エアコ
ン、冷水機などに使用する電子冷却ユニツトに係り、特
にペルチエ素子（電子冷却素子）を使用した電子冷却ユ
ニツトに関する。
ン、冷水機などに使用する電子冷却ユニツトに係り、特
にペルチエ素子（電子冷却素子）を使用した電子冷却ユ
ニツトに関する。
【０００２】
【従来の技術】熱電変換素子のうち、電気エネルギーを
投入して所定のものを冷却する素子はペルチエ素子ある
いは電子冷却素子と称され、例えばコンパクトな冷蔵庫
などの電子冷却ユニツトに使用されている。
投入して所定のものを冷却する素子はペルチエ素子ある
いは電子冷却素子と称され、例えばコンパクトな冷蔵庫
などの電子冷却ユニツトに使用されている。
【０００３】従来の電子冷却ユニツトは図１３に示すよ
うに、アルミナなどからなる下側絶縁基板１００の上に
吸熱側半田層１０１を介して吸熱側電極１０２が形成さ
れ、その吸熱側電極１０２の上にＰ形半導体層１０３と
Ｎ形半導体層１０４とがそれぞれ形成されている。この
Ｐ形半導体層１０３とＮ形半導体層１０４とを接続する
ように放熱側電極１０５が形成され、さらにその上に放
熱側半田層１０６を介してアルミナなどからなる上側絶
縁基板１０７が設けられている。
うに、アルミナなどからなる下側絶縁基板１００の上に
吸熱側半田層１０１を介して吸熱側電極１０２が形成さ
れ、その吸熱側電極１０２の上にＰ形半導体層１０３と
Ｎ形半導体層１０４とがそれぞれ形成されている。この
Ｐ形半導体層１０３とＮ形半導体層１０４とを接続する
ように放熱側電極１０５が形成され、さらにその上に放
熱側半田層１０６を介してアルミナなどからなる上側絶
縁基板１０７が設けられている。
【０００４】前記Ｐ形半導体層１０３とＮ形半導体層１
０４は一対になつて下側絶縁基板１００と上側絶縁基板
１０７の間に多数並列に介在されているとともに、電気
的には直列に接続されて電子冷却素子群を構成してい
る。
０４は一対になつて下側絶縁基板１００と上側絶縁基板
１０７の間に多数並列に介在されているとともに、電気
的には直列に接続されて電子冷却素子群を構成してい
る。
【０００５】この電子冷却ユニツトに所定の電流を流す
ことにより、下側絶縁基板１００側の方が吸熱され、そ
の周囲が冷却される。一方、上側絶縁基板１０７側は放
熱するから、放熱フインやフアンなどによつて外部へ放
熱されることにより熱移動が起こる仕組みになつてい
る。
ことにより、下側絶縁基板１００側の方が吸熱され、そ
の周囲が冷却される。一方、上側絶縁基板１０７側は放
熱するから、放熱フインやフアンなどによつて外部へ放
熱されることにより熱移動が起こる仕組みになつてい
る。
【０００６】そして前記下側絶縁基板１００と上側絶縁
基板１０７の外周部は、図示していないがシール剤によ
つてシールされている。
基板１０７の外周部は、図示していないがシール剤によ
つてシールされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この電子冷却ユニツト
を使用していると、吸熱側に相当する下側絶縁基板１０
０の外表面に結露を生じる。
を使用していると、吸熱側に相当する下側絶縁基板１０
０の外表面に結露を生じる。
【０００８】従来の電子冷却ユニツトは下側絶縁基板１
００とシール剤との密着性が不十分なため、結露によっ
て下側絶縁基板１００に付着した水分が下側絶縁基板１
００の表面を伝わつて電子冷却ユニツトの内部に侵入す
る。そしてその水分によつて半導体が酸化されたり、電
極が腐食されたりして、性能劣化を引き起こすという欠
点を有している。
００とシール剤との密着性が不十分なため、結露によっ
て下側絶縁基板１００に付着した水分が下側絶縁基板１
００の表面を伝わつて電子冷却ユニツトの内部に侵入す
る。そしてその水分によつて半導体が酸化されたり、電
極が腐食されたりして、性能劣化を引き起こすという欠
点を有している。
【０００９】また図示していないが、この電子冷却ユニ
ツトへ給電するためのリード体が電極に接続される訳で
あり、従来の電子冷却ユニツトではそのリード体をシー
ル剤層の内部を貫通して、または絶縁基体とシール剤層
の接合部を貫通してユニツトの外側に引き出していた。
ツトへ給電するためのリード体が電極に接続される訳で
あり、従来の電子冷却ユニツトではそのリード体をシー
ル剤層の内部を貫通して、または絶縁基体とシール剤層
の接合部を貫通してユニツトの外側に引き出していた。
【００１０】このように従来のものはリード体がシール
部を横断した構造になっているため、例えばリード体と
シール剤層の間、ならびにリード体と絶縁基体の間など
において隙間ができ易く、さらにリード体があることか
らシール強度を十分に高くすることができず、そのため
に水分（湿気）が電子冷却ユニツトの内部に侵入し、前
述と同じ弊害を引き起こしていた。
部を横断した構造になっているため、例えばリード体と
シール剤層の間、ならびにリード体と絶縁基体の間など
において隙間ができ易く、さらにリード体があることか
らシール強度を十分に高くすることができず、そのため
に水分（湿気）が電子冷却ユニツトの内部に侵入し、前
述と同じ弊害を引き起こしていた。
【００１１】本発明の目的は、このような従来技術の欠
点を解消し、性能劣化が少なく、耐用寿命の長い電子冷
却ユニツトを提供することにある。
点を解消し、性能劣化が少なく、耐用寿命の長い電子冷
却ユニツトを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、第１の本発明は、吸熱側電極と、放熱側電極と、前
記吸熱側電極と放熱側電極との間に並設されたＰ型半導
体層ならびにＮ型半導体層と、前記吸熱側電極の外側に
配置された吸熱側基体と、前記放熱側電極の外側に配置
された放熱側基体とを備え、その吸熱側基体と放熱側基
体を対向して配置し、その両基体間に前記吸熱側電極、
Ｐ型半導体層ならびにＮ型半導体層、放熱側電極が介在
された電子冷却ユニツトを対象とするものである。
め、第１の本発明は、吸熱側電極と、放熱側電極と、前
記吸熱側電極と放熱側電極との間に並設されたＰ型半導
体層ならびにＮ型半導体層と、前記吸熱側電極の外側に
配置された吸熱側基体と、前記放熱側電極の外側に配置
された放熱側基体とを備え、その吸熱側基体と放熱側基
体を対向して配置し、その両基体間に前記吸熱側電極、
Ｐ型半導体層ならびにＮ型半導体層、放熱側電極が介在
された電子冷却ユニツトを対象とするものである。
【００１３】そして前記吸熱側基体と放熱側基体の対向
部でかつ前記電極が施されていない外周部全周にＯリン
グを介在して吸熱側基体と放熱側基体との間を締め付
け、前記対向部とＯリングの外周部とによつて形成され
る溝部にシール剤を充填して、吸熱側基体と放熱側基体
の外周部を密封したことを特徴とするものである。
部でかつ前記電極が施されていない外周部全周にＯリン
グを介在して吸熱側基体と放熱側基体との間を締め付
け、前記対向部とＯリングの外周部とによつて形成され
る溝部にシール剤を充填して、吸熱側基体と放熱側基体
の外周部を密封したことを特徴とするものである。
【００１４】前記目的を達成するため、第２の本発明
は、吸熱側電極と、放熱側電極と、前記吸熱側電極と放
熱側電極との間に並設されたＰ型半導体層ならびにＮ型
半導体層と、前記吸熱側電極の外側に配置された吸熱側
基体と、前記放熱側電極の外側に配置された放熱側基体
とを備え、その吸熱側基体と放熱側基体を対向して配置
し、その両基体間に前記吸熱側電極、Ｐ型半導体層なら
びにＮ型半導体層、放熱側電極が介在された電子冷却ユ
ニツトを対象とするものである。
は、吸熱側電極と、放熱側電極と、前記吸熱側電極と放
熱側電極との間に並設されたＰ型半導体層ならびにＮ型
半導体層と、前記吸熱側電極の外側に配置された吸熱側
基体と、前記放熱側電極の外側に配置された放熱側基体
とを備え、その吸熱側基体と放熱側基体を対向して配置
し、その両基体間に前記吸熱側電極、Ｐ型半導体層なら
びにＮ型半導体層、放熱側電極が介在された電子冷却ユ
ニツトを対象とするものである。
【００１５】そして前記吸熱側基体と放熱側基体の対向
部でかつ前記電極が施されていない外周部全周にかけ
て、例えばＯリングなどのガスケットあるいはシール剤
またはガスケットとシール剤の併用などから構成される
シール部が設けられ、その吸熱側基体ならびに放熱側基
体のうちの少なくとも一方の基体の前記シール部と接す
るシール面よりも内周側からそのシール面を横断しない
で当該基体の外側に貫通する透孔を形成し、その透孔に
リード体を挿入して、リード体の先端部を前記電極に接
続して、透孔の少なくとも一部を接着剤で閉塞したこと
を特徴とするものである。
部でかつ前記電極が施されていない外周部全周にかけ
て、例えばＯリングなどのガスケットあるいはシール剤
またはガスケットとシール剤の併用などから構成される
シール部が設けられ、その吸熱側基体ならびに放熱側基
体のうちの少なくとも一方の基体の前記シール部と接す
るシール面よりも内周側からそのシール面を横断しない
で当該基体の外側に貫通する透孔を形成し、その透孔に
リード体を挿入して、リード体の先端部を前記電極に接
続して、透孔の少なくとも一部を接着剤で閉塞したこと
を特徴とするものである。
【００１６】
【作用】前記第１の本発明は前述したように、吸熱側基
体と放熱側基体との間にＯリングが介在されて両基体ど
うしが機械的に締め付けられ、そのＯリングの外周部が
シール剤で密封された二重のシール構造になっている。
体と放熱側基体との間にＯリングが介在されて両基体ど
うしが機械的に締め付けられ、そのＯリングの外周部が
シール剤で密封された二重のシール構造になっている。
【００１７】そのため、特に吸熱側基体からの水分の侵
入が有効に阻止され、半導体の酸化や電極の腐食などの
問題が解消されて、性能劣化の少ない耐用寿命の長い電
子冷却ユニツトを提供することができる。
入が有効に阻止され、半導体の酸化や電極の腐食などの
問題が解消されて、性能劣化の少ない耐用寿命の長い電
子冷却ユニツトを提供することができる。
【００１８】前記第２の本発明は前述したように、基体
のシール面を横断しないように透孔を形成してそれにリ
ード体を挿入した構造になっているから、前記シール面
に高い平面性をもたせることが可能で、しかも基体のシ
ール面を横断しないように逃げて透孔を形成することに
よりシール面付近の機械的強度はそのまま維持でき、Ｏ
リングなどのガスケットやシール剤層などによるシール
強度を高めることができ、その結果水分の侵入が有効に
阻止され、半導体の酸化や電極の腐食などの問題が解消
されて、性能劣化の少ない耐用寿命の長い電子冷却ユニ
ツトを提供することができる。
のシール面を横断しないように透孔を形成してそれにリ
ード体を挿入した構造になっているから、前記シール面
に高い平面性をもたせることが可能で、しかも基体のシ
ール面を横断しないように逃げて透孔を形成することに
よりシール面付近の機械的強度はそのまま維持でき、Ｏ
リングなどのガスケットやシール剤層などによるシール
強度を高めることができ、その結果水分の侵入が有効に
阻止され、半導体の酸化や電極の腐食などの問題が解消
されて、性能劣化の少ない耐用寿命の長い電子冷却ユニ
ツトを提供することができる。
【００１９】
【実施例】次に、本発明の実施例を図とともに説明す
る。図１は本発明の第１実施例に係る電子冷却ユニツト
の断面図、図２はその電子冷却ユニツトの平面図、図３
はその電子冷却ユニツトの内部拡大断面図、図４はその
電子冷却ユニツトに使用する電子冷却素子群の拡大斜視
図、図５はその電子冷却ユニツトに使用する基体の一部
斜視図である。
る。図１は本発明の第１実施例に係る電子冷却ユニツト
の断面図、図２はその電子冷却ユニツトの平面図、図３
はその電子冷却ユニツトの内部拡大断面図、図４はその
電子冷却ユニツトに使用する電子冷却素子群の拡大斜視
図、図５はその電子冷却ユニツトに使用する基体の一部
斜視図である。
【００２０】電子冷却ユニツトは図１に示すように、吸
熱側基体１と、放熱側基体２と、両基体１，２間に介在
された電子冷却素子群３と、両基体１，２間を機械的に
締め付けるためのボルト４ならびに湾曲した皿バネ５
と、Ｏリング６と、シール剤７とから主に構成されてい
る。
熱側基体１と、放熱側基体２と、両基体１，２間に介在
された電子冷却素子群３と、両基体１，２間を機械的に
締め付けるためのボルト４ならびに湾曲した皿バネ５
と、Ｏリング６と、シール剤７とから主に構成されてい
る。
【００２１】前記基体１，２は板状をしており、例えば
アルミニウムや銅などから構成され、基体１と基体２の
対向部であつてかつ前記電子冷却素子群３の外周部全周
には浅い溝８が形成されている。さらに図５に示すよう
に、この溝８よりもさらに外側の対向面と外側端面は、
例えばプライマー処理あるいはサンドブラスト処理によ
つて表面に微細な凹凸を有するよう粗面化されている。
この粗面化により、シール剤７との密着性が良好に維持
される。
アルミニウムや銅などから構成され、基体１と基体２の
対向部であつてかつ前記電子冷却素子群３の外周部全周
には浅い溝８が形成されている。さらに図５に示すよう
に、この溝８よりもさらに外側の対向面と外側端面は、
例えばプライマー処理あるいはサンドブラスト処理によ
つて表面に微細な凹凸を有するよう粗面化されている。
この粗面化により、シール剤７との密着性が良好に維持
される。
【００２２】前記電子冷却素子群３は図３に示すよう
に、所定の間隔をおいて配置された吸熱側電極９と、例
えばバルク状あるいは膜状（厚膜または薄膜）のＰ形半
導体層１０と、例えばバルク状あるいは膜状（厚膜また
は薄膜）のＮ形半導体層１１と、放熱側電極１２と、接
着剤層１３と、グリース層１４とから構成されている。
に、所定の間隔をおいて配置された吸熱側電極９と、例
えばバルク状あるいは膜状（厚膜または薄膜）のＰ形半
導体層１０と、例えばバルク状あるいは膜状（厚膜また
は薄膜）のＮ形半導体層１１と、放熱側電極１２と、接
着剤層１３と、グリース層１４とから構成されている。
【００２３】前記Ｐ形半導体層１０とＮ形半導体層１１
とは多数並列に配置され、電気的には図４に示すように
直列に接続されている。
とは多数並列に配置され、電気的には図４に示すように
直列に接続されている。
【００２４】このように本実施例の電子冷却素子群３
は、アルミナセラミツク等からなる絶縁基板は使用され
ておらず、モジユール化された状態では一方の面に吸熱
側電極９が、他方の面に放熱側電極１２が露呈してい
る。
は、アルミナセラミツク等からなる絶縁基板は使用され
ておらず、モジユール化された状態では一方の面に吸熱
側電極９が、他方の面に放熱側電極１２が露呈してい
る。
【００２５】前記接着剤層１３には、例えばシリコーン
系などの有機化合物単独、あるいは例えばシリカ、アル
ミナ、酸化亜鉛などの無機化合物からなるフイラーを適
量混入した有機化合物などが使用される。この接着剤層
１３は硬化後においても弾性を有し、かつ良好な熱伝導
性を有しており、膜厚は２０〜２００μｍが適当であ
る。
系などの有機化合物単独、あるいは例えばシリカ、アル
ミナ、酸化亜鉛などの無機化合物からなるフイラーを適
量混入した有機化合物などが使用される。この接着剤層
１３は硬化後においても弾性を有し、かつ良好な熱伝導
性を有しており、膜厚は２０〜２００μｍが適当であ
る。
【００２６】この実施例の場合、平均粒径が１０μｍ以
下のアルミナ微粒子を適量分散、保持したシリコーン系
接着剤で、硬化後においてもゴム弾性を有し、熱伝導率
は４．５×１０-3ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃、伸率は３
０％、引張強さは５０ｋｇｆ／ｃｍ2 であり、−６０〜
２５０℃の広い温度範囲にわたつて良好なゴム弾性を保
持する。この実施例の場合、シリコーン系接着剤層１３
によつて放熱側基体２と放熱側電極１２との間が一体に
接合されている。
下のアルミナ微粒子を適量分散、保持したシリコーン系
接着剤で、硬化後においてもゴム弾性を有し、熱伝導率
は４．５×１０-3ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃、伸率は３
０％、引張強さは５０ｋｇｆ／ｃｍ2 であり、−６０〜
２５０℃の広い温度範囲にわたつて良好なゴム弾性を保
持する。この実施例の場合、シリコーン系接着剤層１３
によつて放熱側基体２と放熱側電極１２との間が一体に
接合されている。
【００２７】前記グリース層１４としては、シリコーン
グリースが好適である。このシリコーングリースは、ベ
ースオイルに対して例えばシリカ、アルミナ、酸化亜鉛
などの無機化合物の微細状フイラー（平均粒径１０μｍ
以下のもの）を５０重量％以上添加したものが好適であ
る。このようにフイラーを高い含率で分散、保持したシ
リコーングリース層の熱伝導率は６．０×１０-3ｃａｌ
／ｃｍ・ｓｅｃ・℃以上と高く、一般のシリコーングリ
ースの３×１０-4ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃に比較する
と、熱伝導率が１桁以上も高い。またこのシリコーング
リース層は、−５５〜２００℃までの広い温度範囲にわ
たつて良好な弾性を保持している。なお、膜厚は２０〜
１００μｍが適当である。
グリースが好適である。このシリコーングリースは、ベ
ースオイルに対して例えばシリカ、アルミナ、酸化亜鉛
などの無機化合物の微細状フイラー（平均粒径１０μｍ
以下のもの）を５０重量％以上添加したものが好適であ
る。このようにフイラーを高い含率で分散、保持したシ
リコーングリース層の熱伝導率は６．０×１０-3ｃａｌ
／ｃｍ・ｓｅｃ・℃以上と高く、一般のシリコーングリ
ースの３×１０-4ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃に比較する
と、熱伝導率が１桁以上も高い。またこのシリコーング
リース層は、−５５〜２００℃までの広い温度範囲にわ
たつて良好な弾性を保持している。なお、膜厚は２０〜
１００μｍが適当である。
【００２８】前記基体１，２に設けられた溝８にＯリン
グ６の上端部ならびに下端部をそれぞれ挿入して、基体
１，２どうしが適当な圧力をもつて締め付けられる。
グ６の上端部ならびに下端部をそれぞれ挿入して、基体
１，２どうしが適当な圧力をもつて締め付けられる。
【００２９】前記Ｏリング６は例えばニトリルゴムなど
の水蒸気を通し難い合成ゴムからなり、前記ボルト４は
ガラス繊維を５０％含有したポリアミド製、前記皿バネ
５はステンレス鋼製のものが使用される。
の水蒸気を通し難い合成ゴムからなり、前記ボルト４は
ガラス繊維を５０％含有したポリアミド製、前記皿バネ
５はステンレス鋼製のものが使用される。
【００３０】ユニツト内部への水分の侵入を極力避ける
ため、ボルト４の挿入孔は放熱側基体２に設けられ、さ
らにボルト締めされた後、ボルト４の頭部はシール剤７
によって埋め込まれている。
ため、ボルト４の挿入孔は放熱側基体２に設けられ、さ
らにボルト締めされた後、ボルト４の頭部はシール剤７
によって埋め込まれている。
【００３１】ボルト締めされた後、図１に示すように基
体１，２の外周対向部とＯリング６によつて形成される
溝部から基体１，２の端面にかけてシール剤７が塗布さ
れてシールされる。
体１，２の外周対向部とＯリング６によつて形成される
溝部から基体１，２の端面にかけてシール剤７が塗布さ
れてシールされる。
【００３２】この実施例の場合、中空状のガラス微粒子
を２０〜６５重量％（好ましくは３０〜６０重量％）均
一に分散したエポキシ樹脂からなるシール剤７が使用さ
れる。この中空状ガラス微粒子は２０〜１３０μｍの径
を有し、壁厚は０．５〜２μｍ、平均粒子比重は０．１
〜０．４で、中空状ガラス微粒子を含有したエポキシ樹
脂は、熱伝導率が１×１０-4ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃
と低い。
を２０〜６５重量％（好ましくは３０〜６０重量％）均
一に分散したエポキシ樹脂からなるシール剤７が使用さ
れる。この中空状ガラス微粒子は２０〜１３０μｍの径
を有し、壁厚は０．５〜２μｍ、平均粒子比重は０．１
〜０．４で、中空状ガラス微粒子を含有したエポキシ樹
脂は、熱伝導率が１×１０-4ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃
と低い。
【００３３】図６は、本発明の第１変形例を示す図であ
る。この変形例の場合、吸熱側基体１と吸熱側電極９と
の間、ならびに放熱側基体２と放熱側電極１２との間に
シリコーングリース層１４が介在されている。
る。この変形例の場合、吸熱側基体１と吸熱側電極９と
の間、ならびに放熱側基体２と放熱側電極１２との間に
シリコーングリース層１４が介在されている。
【００３４】図７は、本発明の第２変形例を示す図であ
る。この変形例の場合、吸熱側基体１と吸熱側電極９と
の間、ならびに放熱側基体２と放熱側電極１２との間が
弾性を有するシリコーン接着剤層１３によつて接着され
ている。
る。この変形例の場合、吸熱側基体１と吸熱側電極９と
の間、ならびに放熱側基体２と放熱側電極１２との間が
弾性を有するシリコーン接着剤層１３によつて接着され
ている。
【００３５】前述のように従来のものは、アルミナセラ
ミツク等からなる絶縁基板と電極との間ならびに電極と
Ｐ型半導体層、Ｎ型半導体層との間が半田付けられてい
るため、熱履歴の繰り返しによつて生じる絶縁基板の反
りが電極ならびに半導体層に悪影響を及ぼす。
ミツク等からなる絶縁基板と電極との間ならびに電極と
Ｐ型半導体層、Ｎ型半導体層との間が半田付けられてい
るため、熱履歴の繰り返しによつて生じる絶縁基板の反
りが電極ならびに半導体層に悪影響を及ぼす。
【００３６】これに対して本発明の実施例ならびに変形
例のように、基体と電極との間にグリース層あるいは弾
性を有する接着剤層を介在して、電極が前記基体の面に
対して水平方向あるいは（ならびに）垂直方向に変位可
能にすれば、熱履歴による電極ならびに半導体層への悪
影響が解消され、従来のような接続不良や断線がなく、
耐用寿命の長い、性能的に安定した電子冷却ユニツトを
提供することができる。
例のように、基体と電極との間にグリース層あるいは弾
性を有する接着剤層を介在して、電極が前記基体の面に
対して水平方向あるいは（ならびに）垂直方向に変位可
能にすれば、熱履歴による電極ならびに半導体層への悪
影響が解消され、従来のような接続不良や断線がなく、
耐用寿命の長い、性能的に安定した電子冷却ユニツトを
提供することができる。
【００３７】前記実施例ならびに変形例で説明した電子
冷却ユニツトでは、従来の電極と絶縁基板とを半田で一
体化したものに比較して、冷−暖を繰り返す熱履歴テス
トにおいて耐用寿命を１０倍程度延長することができ
た。
冷却ユニツトでは、従来の電極と絶縁基板とを半田で一
体化したものに比較して、冷−暖を繰り返す熱履歴テス
トにおいて耐用寿命を１０倍程度延長することができ
た。
【００３８】図８は、本発明の第３変形例を示す図であ
る。この変形例の場合、基体１，２の溝８内に例えばゴ
ム系、ビニル系、エポキシ系、アミド系、フツ素樹脂系
などの防湿シール剤１５が装填されている。
る。この変形例の場合、基体１，２の溝８内に例えばゴ
ム系、ビニル系、エポキシ系、アミド系、フツ素樹脂系
などの防湿シール剤１５が装填されている。
【００３９】図９ならびに図１０は本発明の第２実施例
を説明するための図で、図９は電子冷却ユニットの一部
を断面にした側面図、図１０はその電子冷却ユニットの
要部拡大断面図である。
を説明するための図で、図９は電子冷却ユニットの一部
を断面にした側面図、図１０はその電子冷却ユニットの
要部拡大断面図である。
【００４０】この実施例の場合には吸熱側基体１と放熱
側基体２の間に２つの電子冷却素子群３が所定の間隔を
おいて並設されているとともに、その電子冷却素子群３
を取り囲むように剛性を有し熱伝導性の悪い支持体１６
が介在されている。
側基体２の間に２つの電子冷却素子群３が所定の間隔を
おいて並設されているとともに、その電子冷却素子群３
を取り囲むように剛性を有し熱伝導性の悪い支持体１６
が介在されている。
【００４１】この支持体１６は例えば内部に独立した空
気層をもつハニカム構造になっており、吸熱側基体１と
放熱側基体２の間を樹脂製ボルト（図示せず）で締め付
けた際、その締付力は主に支持体１６で受け、前記電子
冷却素子群３にはほとんど締付力がかからないように、
電子冷却素子群３を保護した構造になっている。図示し
ていないが、前記ボルトの挿通孔は前記第１実施例と同
様に放熱側基体２に形成されている。
気層をもつハニカム構造になっており、吸熱側基体１と
放熱側基体２の間を樹脂製ボルト（図示せず）で締め付
けた際、その締付力は主に支持体１６で受け、前記電子
冷却素子群３にはほとんど締付力がかからないように、
電子冷却素子群３を保護した構造になっている。図示し
ていないが、前記ボルトの挿通孔は前記第１実施例と同
様に放熱側基体２に形成されている。
【００４２】前記吸熱側基体１と放熱側基体２の対向部
でかつ前記電子冷却素子群３の電極９（１２）が施され
ていない外周部全周にかけてシール部１７が設けられて
おり、本実施例の場合このシール部１７は図１０に示す
ようにＯリング６とシール剤７とから構成されている。
でかつ前記電子冷却素子群３の電極９（１２）が施され
ていない外周部全周にかけてシール部１７が設けられて
おり、本実施例の場合このシール部１７は図１０に示す
ようにＯリング６とシール剤７とから構成されている。
【００４３】このＯリング６と接する吸熱側基体１なら
びに放熱側基体２の周囲には予め溝８が形成され、締め
付け力によりＯリング６の一部が溝８内に食い込んだ状
態になっている。
びに放熱側基体２の周囲には予め溝８が形成され、締め
付け力によりＯリング６の一部が溝８内に食い込んだ状
態になっている。
【００４４】前記吸熱側基体１ならびに放熱側基体２の
うちの少なくとも一方の基体（本実施例では放熱側基体
２）の前記シール部１７と接するシール面１８よりも内
周側から、そのシール面１８を横断しないで放熱側基体
２の外側に水平方向に貫通する透孔１９が形成されてい
る。図１０に示すように透孔１９の電極９（１２）側の
開口部付近は、開口に向けて径大となったテーパ孔とな
っている。
うちの少なくとも一方の基体（本実施例では放熱側基体
２）の前記シール部１７と接するシール面１８よりも内
周側から、そのシール面１８を横断しないで放熱側基体
２の外側に水平方向に貫通する透孔１９が形成されてい
る。図１０に示すように透孔１９の電極９（１２）側の
開口部付近は、開口に向けて径大となったテーパ孔とな
っている。
【００４５】本実施例では透孔１９を放熱側基体２に形
成したが、吸熱側基体１に形成することも可能である。
ただ、吸熱側基体１に透孔１９を形成して孔内に空気
（水分）が存在すると露結の心配があるため、本実施例
のように透孔１９は放熱側基体２に形成した方がよい。
成したが、吸熱側基体１に形成することも可能である。
ただ、吸熱側基体１に透孔１９を形成して孔内に空気
（水分）が存在すると露結の心配があるため、本実施例
のように透孔１９は放熱側基体２に形成した方がよい。
【００４６】図９に示すように放熱側基体２の外側に
は、例えば金属薄板をジグザグ状に屈曲したものなどか
らなるフィン２０が一体に取り付けられている。このフ
ィン２０の間を通してリード体２１が前記透孔１９に挿
入され、リード体２１の先端部が前記電極９（１２）に
半田２２で接続、固定されている。
は、例えば金属薄板をジグザグ状に屈曲したものなどか
らなるフィン２０が一体に取り付けられている。このフ
ィン２０の間を通してリード体２１が前記透孔１９に挿
入され、リード体２１の先端部が前記電極９（１２）に
半田２２で接続、固定されている。
【００４７】リード体２１の先端部は所定の長さ被覆が
除去され、前記透孔１９のテーパ孔に例えばシリコーン
樹脂やエポキシ樹脂などからなる接着剤２３で閉塞する
ことにより、前記リード体２１の被覆除去部分がその接
着剤２３内に埋設される。この接着剤２３内の埋設によ
り、リード体２１の素線と被覆との隙間からの水分の侵
入を接着剤２３で阻止することができる。
除去され、前記透孔１９のテーパ孔に例えばシリコーン
樹脂やエポキシ樹脂などからなる接着剤２３で閉塞する
ことにより、前記リード体２１の被覆除去部分がその接
着剤２３内に埋設される。この接着剤２３内の埋設によ
り、リード体２１の素線と被覆との隙間からの水分の侵
入を接着剤２３で阻止することができる。
【００４８】図１１は、本発明の第４変形例を示す要部
拡大断面図である。この例の場合、放熱側基体２のシー
ル面１８を残して断面形状がほぼＬ字形の透孔１９が形
成され、その透孔１９にリード体２１が挿入されて、接
着剤２３で埋設される。
拡大断面図である。この例の場合、放熱側基体２のシー
ル面１８を残して断面形状がほぼＬ字形の透孔１９が形
成され、その透孔１９にリード体２１が挿入されて、接
着剤２３で埋設される。
【００４９】図１２は、本発明の第５変形例を示す要部
拡大断面図である。この例の場合、放熱側基体２のシー
ル面１８を残して傾斜した透孔１９が形成され、その透
孔１９にリード体２１が挿入されて、接着剤２３で埋設
される。
拡大断面図である。この例の場合、放熱側基体２のシー
ル面１８を残して傾斜した透孔１９が形成され、その透
孔１９にリード体２１が挿入されて、接着剤２３で埋設
される。
【００５０】前記第４、５変形例ではフラットなシール
面１８を示しているが、シール面１８の所定位置に溝８
を形成することもできる。
面１８を示しているが、シール面１８の所定位置に溝８
を形成することもできる。
【００５１】また前記第４、５変形例においてシール部
１７はＯリング６とシール剤７の組合せでもよいし、Ｏ
リング６だけ、シール剤７だけ、Ｏリングでない他の形
状のガスケット、あるいはそのガスケットとシール剤７
の組合せでもよい。
１７はＯリング６とシール剤７の組合せでもよいし、Ｏ
リング６だけ、シール剤７だけ、Ｏリングでない他の形
状のガスケット、あるいはそのガスケットとシール剤７
の組合せでもよい。
【００５２】
【発明の効果】第１の本発明は前述したように、吸熱側
基体と放熱側基体との間にＯリングが介在されて両基体
どうしが機械的に締め付けられ、そのＯリングの外周部
が接着剤でシールされた二重のシール構造になつてい
る。
基体と放熱側基体との間にＯリングが介在されて両基体
どうしが機械的に締め付けられ、そのＯリングの外周部
が接着剤でシールされた二重のシール構造になつてい
る。
【００５３】そのため、特に吸熱側基体からの水分の侵
入が有効に阻止され、半導体の酸化や電極の腐食などの
問題が解除されて、性能劣化の少ない耐用寿命の長い電
子冷却ユニツトを提供することができる。
入が有効に阻止され、半導体の酸化や電極の腐食などの
問題が解除されて、性能劣化の少ない耐用寿命の長い電
子冷却ユニツトを提供することができる。
【００５４】第２の本発明は前述したように、基体のシ
ール面を横断しないように透孔を形成してそれにリード
体を挿入した構造になっているから、前記シール面に高
い平面性をもたせることが可能で、しかも基体のシール
面を横断しないように逃げて透孔を形成することにより
シール面付近の機械的強度はそのまま維持でき、Ｏリン
グなどのガスケットやシール剤層などによるシール強度
を高めることができ、その結果水分の侵入が有効に阻止
され、半導体の酸化や電極の腐食などの問題が解消され
て、性能劣化の少ない耐用寿命の長い電子冷却ユニツト
を提供することができる。
ール面を横断しないように透孔を形成してそれにリード
体を挿入した構造になっているから、前記シール面に高
い平面性をもたせることが可能で、しかも基体のシール
面を横断しないように逃げて透孔を形成することにより
シール面付近の機械的強度はそのまま維持でき、Ｏリン
グなどのガスケットやシール剤層などによるシール強度
を高めることができ、その結果水分の侵入が有効に阻止
され、半導体の酸化や電極の腐食などの問題が解消され
て、性能劣化の少ない耐用寿命の長い電子冷却ユニツト
を提供することができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る電子冷却ユニツトの
断面図である。
断面図である。
【図２】その電子冷却ユニツトの平面図である。
【図３】その電子冷却ユニツトの内部拡大断面図であ
る。
る。
【図４】電子冷却素子群の拡大斜視図である。
【図５】その電子冷却ユニツトに使用する基体の一部斜
視図である。
視図である。
【図６】本発明の第１変形例における電子冷却ユニツト
の内部拡大断面図である。
の内部拡大断面図である。
【図７】本発明の第２変形例における電子冷却ユニツト
の拡大断面図である。
の拡大断面図である。
【図８】本発明の第３変形例における電子冷却ユニツト
の一部拡大断面図である。
の一部拡大断面図である。
【図９】本発明の第２実施例に係る電子冷却ユニツトの
一部を断面にした側面図である。
一部を断面にした側面図である。
【図１０】その電子冷却ユニツトの内部拡大断面図であ
る。
る。
【図１１】本発明の第４変形例における電子冷却ユニツ
トの拡大断面図である。
トの拡大断面図である。
【図１２】本発明の第５変形例における電子冷却ユニツ
トの拡大断面図である。
トの拡大断面図である。
【図１３】従来の電子冷却ユニツトの拡大断面図であ
る。
る。
１ 吸熱側基体
２ 放熱側基体
３ 電子冷却素子群
４ ボルト
５ 皿バネ
６ Ｏリング
７ 接着剤
８ 溝
９ 吸熱側電極
１０ Ｐ形半導体層
１１ Ｎ形半導体層
１２ 放熱側電極
１３ 接着剤層
１４ グリース層
１５ 防湿シール剤
１６ 支持体
１７ シール部
１８ シール面
１９ 透孔
２０ フィン
２１ リード体
２２ 半田
２３ 接着剤
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 大澤 敦
神奈川県川崎市川崎区塩浜１丁目７番地
７号 株式会社サーモボニック内
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
F25B 21/02
H01L 35/28
Claims (7)
- 【請求項１】 吸熱側電極と、放熱側電極と、前記吸熱
側電極と放熱側電極との間に並設されたＰ型半導体層な
らびにＮ型半導体層と、前記吸熱側電極の外側に配置さ
れた吸熱側基体と、前記放熱側電極の外側に配置された
放熱側基体とを備え、 その吸熱側基体と放熱側基体を対向して配置し、その両
基体間に前記吸熱側電極、Ｐ型半導体層ならびにＮ型半
導体層、放熱側電極が介在された電子冷却ユニツトにお
いて、 前記吸熱側基体と放熱側基体の対向部でかつ前記電極が
施されていない外周部全周にＯリングを介在して吸熱側
基体と放熱側基体との間を締め付け、前記対向部とＯリ
ングの外周部とによつて形成される溝部にシール剤を充
填して、吸熱側基体と放熱側基体の外周部を密封したこ
とを特徴とする電子冷却ユニツト。 - 【請求項２】 請求項１記載において、前記シール剤が
中空状のフイラーを含有していることを特徴とする電子
冷却ユニツト。 - 【請求項３】 請求項１記載において、前記吸熱側基体
と放熱側基体との間がボルトで締め付けられ、そのボル
トの挿入孔が放熱側基体に設けられていることを特徴と
する電子冷却ユニツト。 - 【請求項４】 請求項３記載において、前記ボルトの頭
部がシール剤によって埋めこまれていることを特徴とす
る電子冷却ユニツト。 - 【請求項５】 吸熱側電極と、放熱側電極と、前記吸熱
側電極と放熱側電極との間に並設されたＰ型半導体層な
らびにＮ型半導体層と、前記吸熱側電極の外側に配置さ
れた吸熱側基体と、前記放熱側電極の外側に配置された
放熱側基体とを備え、 その吸熱側基体と放熱側基体を対向して配置し、その両
基体間に前記吸熱側電極、Ｐ型半導体層ならびにＮ型半
導体層、放熱側電極が介在された電子冷却ユニツトにお
いて、 前記吸熱側基体と放熱側基体の対向部でかつ前記電極が
施されていない外周部全周にかけてシール部が設けら
れ、 その吸熱側基体ならびに放熱側基体のうちの少なくとも
一方の基体の前記シール部と接するシール面よりも内周
側からそのシール面を横断しないで当該基体の外側に貫
通する透孔を形成し、 その透孔にリード体を挿入して、リード体の先端部を前
記電極に接続して、透孔の少なくとも一部を接着剤で閉
塞したことを特徴とする電子冷却ユニツト。 - 【請求項６】 請求項５記載において、前記リード体の
先端部付近は被覆が除去され、その被覆除去部分と透孔
の間が接着剤で閉塞されていることを特徴とする電子冷
却ユニツト。 - 【請求項７】 請求項５記載において、前記透孔が放熱
側基体に形成されていることを特徴とする電子冷却ユニ
ツト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27687493A JP3467297B2 (ja) | 1992-11-09 | 1993-11-05 | 電子冷却ユニツト |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29869692 | 1992-11-09 | ||
| JP4-298696 | 1992-11-09 | ||
| JP27687493A JP3467297B2 (ja) | 1992-11-09 | 1993-11-05 | 電子冷却ユニツト |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002336981A Division JP3739739B2 (ja) | 1992-11-09 | 2002-11-20 | 電子冷却ユニット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06207762A JPH06207762A (ja) | 1994-07-26 |
| JP3467297B2 true JP3467297B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=26552147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27687493A Expired - Lifetime JP3467297B2 (ja) | 1992-11-09 | 1993-11-05 | 電子冷却ユニツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3467297B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4350884B2 (ja) * | 2000-11-02 | 2009-10-21 | 株式会社Ｋｅｌｋ | 熱交換装置 |
| US7051536B1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-30 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Thermal cycler with protection from atmospheric moisture |
| JP4747919B2 (ja) * | 2006-04-07 | 2011-08-17 | パナソニック電工株式会社 | 静電霧化装置 |
| JP5074291B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2012-11-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光モジュール |
| JP6417130B2 (ja) * | 2014-07-02 | 2018-10-31 | 株式会社Kelk | 熱電発電装置 |
| JP6430781B2 (ja) * | 2014-10-29 | 2018-11-28 | 京セラ株式会社 | 熱電モジュール |
| CN107690726A (zh) | 2015-06-10 | 2018-02-13 | 金瑟姆股份有限公司 | 具有集成冷板组件的车辆电池热电装置及其组装方法 |
| DE112016002621T8 (de) * | 2015-06-10 | 2018-06-07 | Gentherm Inc. | Für eine Fahrzeugbatterie bestimmtes thermoelektrisches Modul mit temporär kompressiblem Kompressionsbegrenzer |
| CN106440601A (zh) * | 2015-08-11 | 2017-02-22 | 卡孚特能源技术（深圳）有限公司 | 冷冻型多级半导体制冷冰箱 |
| US11152557B2 (en) | 2019-02-20 | 2021-10-19 | Gentherm Incorporated | Thermoelectric module with integrated printed circuit board |
| CN118328583A (zh) * | 2024-06-12 | 2024-07-12 | 西安石油大学 | 一种井下电路降温用半导体柔性制冷装置及制备方法 |
-
1993
- 1993-11-05 JP JP27687493A patent/JP3467297B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06207762A (ja) | 1994-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3451107B2 (ja) | 電子冷却装置 | |
| JP3467297B2 (ja) | 電子冷却ユニツト | |
| EP0820107B1 (en) | Thermoelectric apparatus | |
| US6662571B1 (en) | Thermoelectric assembly sealing member and thermoelectric assembly incorporating same | |
| US7242582B2 (en) | Semiconductor module mounting structure, a cardlike semiconductor module, and heat receiving members bonded to the cardlike semiconductor module | |
| JP3510831B2 (ja) | 熱交換器 | |
| US20150311420A1 (en) | Thermoelectric module | |
| US20190082557A1 (en) | Electrical enclosure with a great heat-dissipation and an ingress protection rating equal or greater than level 65 | |
| US6849941B1 (en) | Heat sink and heat spreader assembly | |
| JP2003142739A (ja) | 熱電装置 | |
| US7485006B2 (en) | Memory module, socket and mounting method providing improved heat dissipating characteristics | |
| JPH10125962A (ja) | 熱電変換装置 | |
| JP3739739B2 (ja) | 電子冷却ユニット | |
| JPH06237019A (ja) | 電子加熱冷却装置 | |
| JPH06294561A (ja) | 電子加熱冷却装置 | |
| JP2000101152A (ja) | 熱電素子 | |
| JPS607155A (ja) | 電子部品用放熱装置 | |
| CN110379783A (zh) | 提升半导体器件相对散热器绝缘及散热性能的方法及结构 | |
| JP2003324219A (ja) | 熱電モジュール取付構造 | |
| JP2005175022A (ja) | 熱電変換装置 | |
| CN114980663B (zh) | 散热器及其制造方法和电子设备 | |
| JPS60257156A (ja) | 熱伝導冷却モジユ−ル装置 | |
| US3248471A (en) | Heat sinks | |
| JP4277325B2 (ja) | 熱変換装置 | |
| JP3228784B2 (ja) | 熱電変換装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 5 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090829 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090829 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100829 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110829 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120829 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130829 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |