JP3462850B2 - Semiconductor component manufacturing method and plasma cleaning apparatus - Google Patents

Semiconductor component manufacturing method and plasma cleaning apparatus

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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体部品の製造
方法及び該方法に用いるプラズマ洗浄装置に関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor component manufacturing method and a plasma cleaning apparatus used in the method.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体部品の製造方法は、シリコンウエ
ハ上にＩＣ回路を形成する前工程と、前工程で製造され
たウエハを個々の半導体部品に仕上げる後工程とから成
っており、後工程において、ウエハから切り分けた半導
体チップの電極パッドとリードを電気的に接続するボン
ディングが行われる。ボンディングの方式は、ワイヤボ
ンディングとワイヤレスボンディングとに大別され、ワ
イヤボンディングは、半導体チップをリードフレーム上
の所定の位置に接着固定した後、電極パッドとリードと
をボンディングワイヤで接続するもので、ワイヤレスボ
ンディングは、半導体チップの電極パッドにバンプを介
して直接リードを接続するものである。2. Description of the Related Art A method of manufacturing a semiconductor component comprises a pre-process of forming an IC circuit on a silicon wafer and a post-process of finishing the wafer manufactured in the pre-process into individual semiconductor parts. Bonding is performed to electrically connect the electrode pads and leads of the semiconductor chip cut from the wafer. The bonding method is roughly divided into wire bonding and wireless bonding.Wire bonding is a method in which a semiconductor chip is bonded and fixed to a predetermined position on a lead frame and then an electrode pad and a lead are connected by a bonding wire. In wireless bonding, leads are directly connected to electrode pads of a semiconductor chip via bumps.

【０００３】後工程について詳しく説明すると、図５、
６に示すように、まず、前工程で製造されたウエハ２０
１をウエハリング３０１上のウエハシート３０２に粘着
テープ等により固定し、ウエハ２０１をダイシングソー
に搬送し、スクラブライン２０２に沿って個々の半導体
チップ２０３に切り分けた後、ウエハシート３０２を引
き延ばして各半導体チップ２０３を互いに分離する。The post-process will be described in detail with reference to FIG.
As shown in FIG. 6, first, the wafer 20 manufactured in the previous step
1 is fixed to the wafer sheet 302 on the wafer ring 301 with an adhesive tape or the like, the wafer 201 is conveyed to a dicing saw, and cut into individual semiconductor chips 203 along the scrub line 202, and then the wafer sheet 302 is stretched to obtain each piece. The semiconductor chips 203 are separated from each other.

【０００４】そして、ワイヤボンディング方式の場合に
は、図７、８に示すように、ウエハシート３０２から取
り外した半導体チップ２０３を熱硬化性接着剤を介して
リードフレーム４０１のダイパッド４０２上にマウント
し、リードフレーム４０１をキュア炉に入れて熱硬化性
接着剤を硬化させた後、半導体チップ２０３の電極パッ
ド２０４とリードフレーム４０１のインナーリード４０
３とを金やアルミニウムのボンディングワイヤ５０１に
より電気的に接続する。その後、半導体チップ２０３が
樹脂で封止され、リードメッキ、リード成形、検査等の
工程を経て半導体部品が完成する。In the case of the wire bonding method, as shown in FIGS. 7 and 8, the semiconductor chip 203 removed from the wafer sheet 302 is mounted on the die pad 402 of the lead frame 401 via a thermosetting adhesive. After placing the lead frame 401 in a curing oven to cure the thermosetting adhesive, the electrode pad 204 of the semiconductor chip 203 and the inner lead 40 of the lead frame 401
3 are electrically connected to each other by a bonding wire 501 made of gold or aluminum. After that, the semiconductor chip 203 is sealed with resin, and a semiconductor component is completed through steps such as lead plating, lead molding, and inspection.

【０００５】一方、ワイヤレスボンディング方式には種
々の方式が有るが、特にフリップチップ方式とＴＡＢ方
式が良く知られている。前者は、図９に示すように、ウ
エハシート３０２から取り外した半導体チップ２０３の
電極パッド２０４をＡｕ等のバンプ６０１を介して配線
基板７０１のリードに接続するもので、後者は、図１０
〜１２に示すように、ウエハシート３０２から取り外し
た半導体チップ２０３の電極パッド２０４に、テープ状
の絶縁フィルム８０１上に形成されたインナーリード８
０２を位置合わせし、バンプ９０１を介して電極パッド
２０４に接続するものである。On the other hand, although there are various wireless bonding methods, the flip chip method and the TAB method are particularly well known. As shown in FIG. 9, the former is to connect the electrode pads 204 of the semiconductor chip 203 removed from the wafer sheet 302 to the leads of the wiring board 701 through the bumps 601 such as Au, and the latter is shown in FIG.
12 to 12, the inner leads 8 formed on the tape-shaped insulating film 801 are attached to the electrode pads 204 of the semiconductor chip 203 removed from the wafer sheet 302.
02 is aligned and connected to the electrode pad 204 via the bump 901.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ワイヤボンディング方
式を用いた従来の半導体部品の製造方法では、熱硬化性
接着剤を硬化させる工程で、キュア炉の熱により半導体
チップ２０３の電極パッド２０４に酸化物や水酸化物が
析出して電極パッド２０４の表面が汚れるため、電極パ
ッド２０４とボンディングワイヤ５０１の接合強度が低
下して接合不良等の電気的不良が生じることが有る。そ
こで、半導体チップ２０３をリードフレーム４０１上に
マウントした後にプラズマ処理して電極パッド２０４表
面の汚れを取り除くようにしているが、一枚のリードフ
レーム（すなわち一枚のチップ）毎にプラズマ処理を行
わなければならないため、生産性が良くないという問題
が有った。In the conventional method of manufacturing a semiconductor component using the wire bonding method, the oxide of the electrode pad 204 of the semiconductor chip 203 is oxidized by the heat of the curing furnace in the step of curing the thermosetting adhesive. Since hydroxide or hydroxide is deposited and the surface of the electrode pad 204 is soiled, the bonding strength between the electrode pad 204 and the bonding wire 501 may be reduced, and an electrical failure such as a failure may occur. Therefore, the semiconductor chip 203 is mounted on the lead frame 401, and then plasma treatment is performed to remove dirt on the surface of the electrode pad 204. However, the plasma treatment is performed for each lead frame (that is, one chip). There was a problem that productivity was not good because it had to be.

【０００７】また、この場合、半導体チップ２０３とと
もにリードフレーム４０１もプラズマ処理されるが、リ
ードフレーム４０１がガス（Ｈ2、Ｏ2、ＣＯ等）を内包
している場合には、そのガスがリードフレーム４０１表
面を覆っている膜と反応を起こして膜の剥離や膜の強度
の低下をもたらし、錆や腐食が発生しやすくなるという
問題とが有った。Further, in this case, the lead frame 401 is plasma-processed together with the semiconductor chip 203. However, when the lead frame 401 contains a gas (H 2 , O 2 , CO, etc.), the gas is used for the lead. There is a problem in that the film reacts with the film covering the surface of the frame 401 to cause peeling of the film and a decrease in the strength of the film, and rust and corrosion easily occur.

【０００８】さらに、図１３、１４に示すように、リー
ドフレーム４０１が、リールＲ1から巻き出してリール
Ｒ2に巻き取られるフープ状のものである場合には、真
空チャンバ内に搬入することができないため、プラズマ
処理を行うことができないという問題も有った。Further, as shown in FIGS. 13 and 14, when the lead frame 401 is of a hoop shape which is unwound from the reel R 1 and wound on the reel R 2 , it should be carried into the vacuum chamber. Therefore, there is also a problem that plasma processing cannot be performed.

【０００９】また、最近では、半導体チップ２０３とリ
ードフレーム４０１を接合する接着剤として、キュアの
必要が無いことから、熱可塑性樹脂から成るものを使用
することが多くなってきている。この場合、キュアによ
る電極パッド２０４の汚れは生じないものの、電極パッ
ド２０４表面には、ダイシング時に発生する汚れや酸化
被膜等が付着しているため、ワイヤボンディング工程の
前に半導体チップ２０３にプラズマ処理をして電極パッ
ド２０４表面を洗浄するのが好ましい。この場合におい
ても、半導体チップ２０３がリードフレーム４０１上に
マウントされた状態でプラズマ処理を行うと、上述した
ような種々の問題が生じることになる。Further, recently, as an adhesive agent for joining the semiconductor chip 203 and the lead frame 401, since it is not necessary to cure, an adhesive agent made of a thermoplastic resin is often used. In this case, although the electrode pad 204 is not contaminated by curing, the surface of the electrode pad 204 is contaminated with dirt, an oxide film, or the like generated during dicing. Therefore, the semiconductor chip 203 is subjected to plasma treatment before the wire bonding process. It is preferable to wash the surface of the electrode pad 204 by performing the above. Even in this case, if the semiconductor chip 203 is mounted on the lead frame 401 and the plasma treatment is performed, the above-described various problems occur.

【００１０】また、ワイヤレスボンディング方式を用い
た製造方法の場合についても、電極パッド２０４とリー
ドをバンプで接続する前に半導体チップ２０３にプラズ
マ処理を行うようにすると、電極パッド２０４表面の酸
化被膜やダイシング時の汚れ等が除去されて接合強度が
向上するので好ましいが、ウエハシート３０２から取り
外した半導体チップ２０３にプラズマ処理を行うと、半
導体チップ２０３の取り扱いが煩雑で、生産性が良くな
いという問題が有る。Also in the case of the manufacturing method using the wireless bonding method, if the semiconductor chip 203 is subjected to the plasma treatment before connecting the electrode pad 204 and the lead with the bump, an oxide film on the surface of the electrode pad 204 or It is preferable because dirt and the like at the time of dicing are removed and the bonding strength is improved. However, when the semiconductor chip 203 removed from the wafer sheet 302 is subjected to plasma treatment, the handling of the semiconductor chip 203 is complicated and the productivity is not good. There is.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は上述した事情に
鑑みてなされたものであり、請求項１記載の発明は、Ｉ
Ｃ回路が形成されたウエハをウエハリング上のウエハシ
ートに固定し、前記ウエハを個々の半導体チップに切り
分け、前記ウエハから切り分けた半導体チップが前記ウ
エハシートに固定された状態で、前記ウエハリングを導
電性材料から成る支持手段により支持してチャンバ内に
密閉し、該ウエハリングにプラズマ洗浄処理を施し、得
られた半導体チップを接着剤を介してリードフレーム上
にマウントし、前記接着剤を硬化させた後、前記半導体
チップの電極パッドと前記リードフレームのリードとを
ボンディングワイヤにより電気的に接続するようにした
ことを特徴とする半導体部品の製造方法である。The present invention has been made in view of the above circumstances, and the invention according to claim 1
The wafer on which the C circuit is formed is fixed to a wafer sheet on the wafer ring, the wafer is cut into individual semiconductor chips, and the wafer ring is fixed with the semiconductor chips cut from the wafer fixed to the wafer sheet. Guide
The wafer ring is supported and sealed by a supporting means made of an electrically conductive material , the wafer ring is subjected to plasma cleaning treatment, the obtained semiconductor chip is mounted on a lead frame via an adhesive, and the adhesive is cured. After that, the electrode pad of the semiconductor chip and the lead of the lead frame are electrically connected by a bonding wire.

【００１２】また、請求項２記載の発明は、ＩＣ回路が
形成されたウエハをウエハリング上のウエハシートに固
定し、前記ウエハを個々の半導体チップに切り分け、前
記ウエハから切り分けた半導体チップが前記ウエハシー
トに固定された状態で、前記ウエハリングを導電性材料
から成る支持手段により支持してチャンバ内に密閉し、
該ウエハリングにプラズマ洗浄処理を施し、得られた半
導体チップの電極パッドにバンプを介して、配線基板の
リードに電気的に接続するようにしたことを特徴とする
半導体部品の製造方法である。According to a second aspect of the invention, a wafer on which an IC circuit is formed is fixed to a wafer sheet on a wafer ring, the wafer is cut into individual semiconductor chips, and the semiconductor chips cut from the wafer are the semiconductor chips. The wafer ring is fixed to the wafer sheet with a conductive material.
Supported by a supporting means consisting of and sealed in the chamber,
A method of manufacturing a semiconductor component is characterized in that the wafer ring is subjected to a plasma cleaning treatment, and the electrode pad of the obtained semiconductor chip is electrically connected to a lead of a wiring board via a bump.

【００１３】また、請求項３記載の発明は、請求項１ま
たは２に記載の半導体部品の製造方法において、前記ウ
エハリングにプラズマ洗浄処理を施すプラズマ洗浄装置
として、気密状態に密閉可能なチャンバと、このチャン
バ内にプラズマ反応ガスを供給する手段と、前記チャン
バ内に設けられた一対の電極と、これらの電極間に高周
波電圧を印加する手段と、前記チャンバに設けられ、前
記ウエハリングを前記一対の電極間で支持する導電性材
料から成る支持手段とを備えたものを用いることを特徴
とするものである。According to a third aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor component according to the first or second aspect, a plasma cleaning apparatus for performing a plasma cleaning process on the wafer ring includes a chamber that can be hermetically sealed. A means for supplying a plasma reaction gas into the chamber, a pair of electrodes provided in the chamber, means for applying a high frequency voltage between the electrodes, and the wafer ring provided in the chamber. Conductive material that supports between a pair of electrodes
It is characterized in that it is provided with a supporting means consisting of a material.

【００１４】また、請求項４記載の発明は、請求項３記
載の半導体部品の製造方法において、前記プラズマ洗浄
装置が前記チャンバを二個備えるとともにこれらのチャ
ンバが交互にプラズマ洗浄処理を行うように構成された
ことを特徴とするものである。According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor component according to the third aspect, the plasma cleaning apparatus includes two chambers and the chambers perform the plasma cleaning process alternately. It is characterized by being configured.

【００１５】また、請求項５記載の発明は、請求項３ま
たは４に記載の半導体部品の製造方法において、前記プ
ラズマ洗浄装置が、前記チャンバに前記ウエハリングを
搬入・搬出する手段を備えたことを特徴とするものであ
る。According to a fifth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor component according to the third or fourth aspect, the plasma cleaning apparatus includes means for loading / unloading the wafer ring into / from the chamber. It is characterized by.

【００１６】また、請求項６記載の発明は、ＩＣ回路が
形成されたウエハが切り分けられた半導体チップが固定
されたウエハシートが固定されたウエハリングと、気密
状態に密閉可能なチャンバと、このチャンバ内にプラズ
マ反応ガスを供給する手段と、前記チャンバ内に設けら
れた一対の電極と、これらの電極間に高周波電圧を印加
する手段と、前記チャンバに設けられ、前記ウエハリン
グを前記一対の電極間で支持する導電性材料から成る支
持手段とを備えたことを特徴とするプラズマ洗浄装置で
ある。Further, an invention according to claim 6, wherein, the wafer ring wafer sheet is fixed to the semiconductor chip the wafer is diced the IC circuit is formed is fixed, a sealable chamber air-tight, A means for supplying a plasma reaction gas into the chamber, a pair of electrodes provided in the chamber, a means for applying a high-frequency voltage between these electrodes, and a pair of the wafer ring provided in the chamber. A support made of a conductive material that supports between the electrodes
And a holding means.

【００１７】また、請求項７記載の発明は、請求項６記
載のプラズマ洗浄装置が、前記チャンバを二個備えると
ともにこれらのチャンバが交互にプラズマ洗浄処理を行
うように構成されたことを特徴とするものである。The invention according to claim 7 is characterized in that the plasma cleaning apparatus according to claim 6 is provided with two chambers, and these chambers are configured to alternately perform the plasma cleaning process. To do.

【００１８】また、請求項８記載の発明は、請求項６ま
たは７記載のプラズマ洗浄装置が、前記チャンバに前記
ウエハリングを搬入・搬出する手段を備えたことを特徴
とするものである。The invention according to claim 8 is characterized in that the plasma cleaning apparatus according to claim 6 or 7 is provided with means for loading / unloading the wafer ring into / from the chamber.

【００１９】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施形態
を図面を参照しながら説明する。図１及び図２は本実施
形態のプラズマ洗浄装置の全体構造を示した斜視図、図
３は本実施形態のプラズマ洗浄装置のチャンバの構成を
示す断面図、図４は本実施形態のプラズマ洗浄装置によ
るウエハリングの処理方法の説明図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2 are perspective views showing the overall structure of the plasma cleaning apparatus of this embodiment, FIG. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of the chamber of the plasma cleaning apparatus of this embodiment, and FIG. 4 is plasma cleaning of this embodiment. It is explanatory drawing of the processing method of the wafer ring by an apparatus.

【００２０】図１及び図２に示すように、このプラズマ
洗浄装置１は、内部にプラズマが発生し、導入したウエ
ハリング３０１に洗浄処理を行う一対のチャンバ２と、
一対のチャンバ２に交互に高周波電圧を印加する電源部
３と、一対のチャンバ２にプラズマ反応ガスであるアル
ゴンガス及びリークのための窒素ガスを交互に供給する
ガス供給装置４と、チャンバ２内を真空状態にする一対
の真空吸引装置５と、第１の受け渡し位置Ｐ1に配置さ
れた供給側マガジン７ａから未処理ウエハリング３０１
ａを取り出して一対のチャンバ２に対して交互に搬入す
るとともに、チャンバ２で洗浄処理された処理ウエハリ
ング３０１ｂを第２の受け渡し位置Ｐ2に配置された排
出側マガジン７ｂに収納する搬入・搬出機構６とを備え
ている。As shown in FIGS. 1 and 2, the plasma cleaning apparatus 1 includes a pair of chambers 2 in which plasma is generated inside and a cleaning process is performed on the introduced wafer ring 301.
Inside the chamber 2, a power supply unit 3 that alternately applies a high-frequency voltage to the pair of chambers 2, a gas supply device 4 that alternately supplies argon gas that is a plasma reaction gas and nitrogen gas for leakage to the pair of chambers 2. Of the unprocessed wafer ring 301 from the pair of vacuum suction devices 5 for bringing the vacuum state into a vacuum state and the supply-side magazine 7a arranged at the first transfer position P 1.
Loading and unloading of the wafer a taken out and alternately loaded into the pair of chambers 2 and storing the processed wafer ring 301b cleaned in the chamber 2 in the discharge-side magazine 7b arranged at the second transfer position P 2. And a mechanism 6.

【００２１】各チャンバ２は、真空容器である箱状のチ
ャンバ本体２１と、チャンバ本体２１の前面に設けられ
たフランジ状の蓋体２２とを有している。蓋体２２は、
両側に設けた蓋ガイド２３によりチャンバ本体２１に対
して進退自在に構成され、且つチャンバ本体２１の側面
に設けたチャンバ開閉シリンダ（エアシリンダ）２４の
ピストンロッド２５と連結板２６を介して連結されてい
る。Each chamber 2 has a box-shaped chamber body 21 which is a vacuum container, and a flange-shaped lid 22 provided on the front surface of the chamber body 21. The lid 22 is
Lid guides 23 provided on both sides are configured to be movable back and forth with respect to the chamber body 21, and are connected to a piston rod 25 of a chamber opening / closing cylinder (air cylinder) 24 provided on a side surface of the chamber body 21 via a connecting plate 26. ing.

【００２２】また、蓋体２２の内側には、２枚のウエハ
リング３０１を載置するトレイ２７が取り付けられてい
る。トレイ２７は導電性材料から成り、蓋体２２ととも
に進退する。チャンバ開閉シリンダ２４が駆動されて蓋
体２２が前進すると、チャンバ本体２１が開放されると
ともに、ウエハリング３０１を載置したトレイ２７が引
き出され、蓋体２２が後退すると、トレイ２７が押し込
まれるとともにチャンバ本体２１が閉塞される。A tray 27 for mounting two wafer rings 301 is attached inside the lid 22. The tray 27 is made of a conductive material and moves back and forth together with the lid 22. When the chamber opening / closing cylinder 24 is driven to move the lid 22 forward, the chamber body 21 is opened, and the tray 27 on which the wafer ring 301 is placed is pulled out. When the lid 22 moves backward, the tray 27 is pushed in and The chamber body 21 is closed.

【００２３】また、図３に示すように、各チャンバ２内
には、電源部３に接続された第１高周波電極２８と、ア
ースされた第２高周波電極２９とが設けられている。こ
の場合、第１高周波電極２８は、上記トレイ２７の下方
に位置するように配される一方、第２高周波電極２９
は、チャンバ本体２１を形成するケーシングにより構成
されている。なお、チャンバ開閉シリンダ２４は、図示
左側のチャンバ２では、その左側面に取り付けられ、右
側のチャンバ２では、その右側面に取り付けられてい
る。また、図示しないが、チャンバ本体２１と蓋２２の
間には、チャンバ２の気密性を保持すべく、Ｏリング等
のシール部材が介在している。As shown in FIG. 3, each chamber 2 is provided with a first high frequency electrode 28 connected to the power supply section 3 and a second high frequency electrode 29 grounded. In this case, the first high-frequency electrode 28 is arranged below the tray 27, while the second high-frequency electrode 29 is arranged.
Is constituted by a casing forming the chamber body 21. The chamber opening / closing cylinder 24 is attached to the left side surface of the chamber 2 on the left side in the drawing, and is attached to the right side surface of the chamber 2 on the right side. Although not shown, a seal member such as an O-ring is interposed between the chamber body 21 and the lid 22 in order to maintain the airtightness of the chamber 2.

【００２４】電源部３は、高周波電源３１と、自動整合
器３２と、高周波切替器３３とを有している。高周波切
替器３３は、図示しない制御装置（パソコン）に接続さ
れ、この制御装置の切替指令により、一対のチャンバ２
に対し高周波電源３１を交互に切り替える。また、高周
波切替器３３とチャンバ２間は、通常、銅板を介してネ
ジ止めにより接続されるが、処理時間が短いか電力が低
い等、導通時の導体温度上昇特性上問題が無ければ、両
端にコネクタを取り付けた同軸ケーブルにより接続する
ようにしてもよい。このようにすると、チャンバ２の洗
浄装置本体からの取り外し及び洗浄装置本体への取り付
けが容易となるため、メンテナンス及びトラブル処理を
作業性良く行うことができる。The power supply section 3 has a high frequency power supply 31, an automatic matching device 32, and a high frequency switching device 33. The high frequency switching device 33 is connected to a control device (personal computer) not shown, and a pair of chambers 2 are operated in response to a switching command from this control device.
On the other hand, the high frequency power supply 31 is alternately switched. Further, the high-frequency switch 33 and the chamber 2 are usually connected to each other by screws through a copper plate. However, if there is no problem in conductor temperature rise characteristics during conduction such as short processing time or low electric power, both ends are connected. You may make it connect by the coaxial cable which attached the connector to. With this configuration, the chamber 2 can be easily removed from the cleaning device body and attached to the cleaning device body, so that maintenance and trouble handling can be performed with good workability.

【００２５】また、本実施形態では、高周波切替器３３
は真空リレーを用いたものであり、小型であるため、自
動整合器３２のシャーシ内に組み込むことができ、スペ
ースの削減を図ることができる。なお、高周波切替器３
３をシリンダ等を用いたメカ的なものとして、自動整合
器３２のシャーシに外付けするようにしてもよい。自動
整合器３２は、チャンバ２に印加した高周波の反射波に
よる干渉を防止するものであり、この場合には、一対の
チャンバ２に対し１台の自動整合器３２を対応させてい
るが、各チャンバ２に対しそれぞれ１台の自動整合器３
２を対応させるようにしてもよい。かかる場合には、高
周波電源３１、真空リレー３３、自動整合器３２の順で
結線される。なお、本実施形態では、高周波電源３１、
自動整合器３２がそれぞれ１台ずつであるため、低コス
トで、スペースの削減を図ることができるという利点を
有している。Further, in the present embodiment, the high frequency switching device 33
Since a vacuum relay is used and is small in size, it can be incorporated in the chassis of the automatic matching box 32 and the space can be reduced. In addition, high-frequency switch 3
3 may be attached to the chassis of the automatic matching box 32 as a mechanical device using a cylinder or the like. The automatic matching box 32 prevents interference due to the high-frequency reflected wave applied to the chamber 2. In this case, one automatic matching box 32 is associated with the pair of chambers 2. One automatic matching device 3 for each chamber 2
You may make it correspond to 2. In such a case, the high frequency power supply 31, the vacuum relay 33, and the automatic matching box 32 are connected in this order. In the present embodiment, the high frequency power source 31,
Since there is only one automatic matching device 32, there is an advantage that the cost can be reduced and the space can be reduced.

【００２６】ガス供給装置４は、図外のアルゴンガスボ
ンベに連なるアルゴンガス供給管４１と、図外の窒素ガ
スボンベに連なる窒素ガス供給管４２と、各チャンバ２
に連なる一対のガス導入管４３と、アルゴンガス供給管
４１及び窒素ガス供給管４２と一対のガス導入管４３と
を接続するガス切替管４４とを有している。アルゴンガ
ス供給管４１及び窒素ガス供給管４２には、それぞれマ
ニュアルで操作されるアルゴンガス供給バルブ４５及び
窒素ガス供給バルブ４６が設けられている。また、アル
ゴンガス供給管４１にはマスフローコントローラ４７が
介設され、また窒素ガス供給管４２にはパージ流量計４
８が介設され、それぞれガス流量を制御できるようにな
っている。The gas supply device 4 includes an argon gas supply pipe 41 connected to an argon gas cylinder (not shown), a nitrogen gas supply pipe 42 connected to a nitrogen gas cylinder (not shown), and each chamber 2
A pair of gas introduction pipes 43 connected to each other, and a gas switching pipe 44 that connects the argon gas supply pipe 41 and the nitrogen gas supply pipe 42 to the pair of gas introduction pipes 43. The argon gas supply pipe 41 and the nitrogen gas supply pipe 42 are provided with an argon gas supply valve 45 and a nitrogen gas supply valve 46, which are manually operated, respectively. A mass flow controller 47 is provided in the argon gas supply pipe 41, and a purge flow meter 4 is provided in the nitrogen gas supply pipe 42.
8 are provided so that the gas flow rate can be controlled respectively.

【００２７】ガス切替管４４は、アルゴンガス供給管４
１に連なる２本のアルゴン側分岐管４４ａと、窒素ガス
供給管４２に連なる２本の窒素側分岐管４４ｂとを有
し、各アルゴン側分岐管４４ａと各窒素側分岐管４４ｂ
の合流部分に上記の各ガス導入管４３が接続されてい
る。両アルゴン側分岐管４４ａには、それぞれ電磁弁で
構成されたアルゴン側切替バルブ４９が介設され、ま
た、両窒素側分岐管４４ｂには、それぞれ電磁弁で構成
された窒素側切替バルブ５０が介設されている。一対の
アルゴン側切替バルブ４９及び一対の窒素側切替バルブ
５０は制御装置に接続され、制御装置の切替指令によ
り、開閉する。この場合、アルゴンガスのガス量を精度
良く制御するため、上記のマスフローコントローラ４７
は、制御信号に基づいて、フィードバック制御される。The gas switching pipe 44 is the argon gas supply pipe 4
1 has two argon side branch pipes 44a and two nitrogen side branch pipes 44b connected to the nitrogen gas supply pipe 42, and each argon side branch pipe 44a and each nitrogen side branch pipe 44b.
Each of the gas introduction pipes 43 is connected to the confluent portion of the above. An argon side switching valve 49, which is a solenoid valve, is provided in each of the argon side branch pipes 44a, and a nitrogen side switching valve 50, which is each a solenoid valve, is provided in each of the nitrogen side branch pipes 44b. It is installed. The pair of argon side switching valves 49 and the pair of nitrogen side switching valves 50 are connected to the control device and are opened / closed by a switching command of the control device. In this case, in order to accurately control the amount of argon gas, the mass flow controller 47 described above is used.
Is feedback-controlled based on the control signal.

【００２８】アルゴンガス供給バルブ４５及び窒素ガス
供給バルブ４６は、それぞれ常時「開」となっており、
一対のチャンバ２に交互にアルゴンガスを導入する場合
には、両窒素側切替バルブ５０が「閉」となり、両アル
ゴン側切替バルブ４９の一方が「開」、他方が「閉」と
なる。また、後述するリークの為に窒素ガスを導入する
場合には、両アルゴン側切替バルブ４９が「閉」とな
り、両窒素側切替バルブ５０の一方が「開」、他方が
「閉」となる。なお、図中の符号５１は、プラズマ反応
ガスとして、アルゴンガスの他、酸素ガスを導入可能と
する場合（仮想線にて図示）に、開閉される開閉電磁弁
である。The argon gas supply valve 45 and the nitrogen gas supply valve 46 are always "open",
When the argon gas is alternately introduced into the pair of chambers 2, both nitrogen side switching valves 50 are “closed”, one of the argon side switching valves 49 is “open”, and the other is “closed”. Further, when introducing nitrogen gas for a leak described later, both the argon side switching valves 49 are “closed”, one of the nitrogen side switching valves 50 is “open”, and the other is “closed”. Reference numeral 51 in the drawing is an opening / closing solenoid valve that is opened / closed when oxygen gas can be introduced as plasma reaction gas in addition to argon gas (shown by phantom lines).

【００２９】各真空吸引装置５は、真空ポンプ６１と、
真空ポンプ６１と各チャンバ２を接続する真空配管６２
とを有している。真空配管６２には、チャンバ２側から
真空計６３、圧力調整バルブ６４及びメインバルブ６５
が介設されている。メインバルブ６５は電磁弁で構成さ
れており、メインバルブ６５が「開」状態で、フレキシ
ブル管６７を介して真空配管６２と真空ポンプ６１とが
連通し、チャンバ２内の真空引きが行われる。Each vacuum suction device 5 includes a vacuum pump 61,
Vacuum piping 62 connecting the vacuum pump 61 and each chamber 2
And have. The vacuum pipe 62 includes a vacuum gauge 63, a pressure adjusting valve 64, and a main valve 65 from the chamber 2 side.
Is installed. The main valve 65 is an electromagnetic valve. When the main valve 65 is in the “open” state, the vacuum pipe 62 and the vacuum pump 61 communicate with each other via the flexible pipe 67, and the chamber 2 is evacuated.

【００３０】搬入・搬出機構６は、両チャンバ２と、第
１及び第２のウエハリング受け渡し位置Ｐ1、Ｐ2に配置
された供給側・排出側両マガジン７ａ、７ｂとの間でウ
エハリング３０１を搬送するウエハリング搬送機構１２
と、このウエハリング搬送機構１２と両チャンバ２との
間でウエハリング３０１を移載するチャンバ側移載機構
１３と、ウエハリング搬送機構１２と供給側・排出側両
マガジン７ａ、７ｂとの間でウエハリング３０１を移載
するマガジン側移載機構１４と、供給側マガジン７ａを
駆動するウエハリングローダ１５と、排出側マガジン７
ｂを駆動するウエハリングアンローダ１６とを有してい
る。The carry-in / carry-out mechanism 6 includes a wafer ring between both chambers 2 and both supply-side and discharge-side magazines 7a and 7b arranged at the first and second wafer ring transfer positions P 1 and P 2. Wafer ring transfer mechanism 12 for transferring 301
A chamber side transfer mechanism 13 for transferring the wafer ring 301 between the wafer ring transfer mechanism 12 and both chambers 2, and between the wafer ring transfer mechanism 12 and both supply side and discharge side magazines 7a, 7b. The magazine-side transfer mechanism 14 for transferring the wafer ring 301, the wafer-ring loader 15 for driving the supply-side magazine 7a, and the discharge-side magazine 7
and a wafer ring unloader 16 for driving b.

【００３１】供給側マガジン７ａに収容されている未処
理ウエハリング３０１ａは、マガジン側移載機構１４に
よりウエハリング搬送機構１２に移載され、ウエハリン
グ搬送機構１２により下動位置からチャンバ２近傍の上
動位置まで搬入される。ここで、チャンバ側移載機構１
３が駆動され、未処理ウエハリング３０１ａをウエハリ
ング搬送機構１２からチャンバ２のトレイ２７に移載す
る。一方、処理ウエハリング３０１ｂは、チャンバ側移
載機構１３によりトレイ２７からウエハリング搬送機構
１２に移載され、ウエハリング搬送機構１２により上動
位置から供給・排出側両マガジン７ａ、７ｂ近傍の下動
位置まで搬出される。ここで、マガジン側移載機構１４
が駆動され、処理ウエハリング３０１ｂをウエハリング
搬送機構１２から排出側マガジン７ｂに移載する。The unprocessed wafer ring 301a accommodated in the supply magazine 7a is transferred to the wafer ring transfer mechanism 12 by the magazine transfer mechanism 14 and is moved from the lower position to the vicinity of the chamber 2 by the wafer ring transfer mechanism 12. It is loaded to the upper position. Here, the chamber side transfer mechanism 1
3 is driven to transfer the unprocessed wafer ring 301a from the wafer ring transfer mechanism 12 to the tray 27 of the chamber 2. On the other hand, the processed wafer ring 301b is transferred from the tray 27 to the wafer ring transfer mechanism 12 by the chamber side transfer mechanism 13, and is moved from the upper position by the wafer ring transfer mechanism 12 to a position below both supply / discharge side magazines 7a and 7b. It is delivered to the moving position. Here, the magazine side transfer mechanism 14
Are driven to transfer the processed wafer ring 301b from the wafer ring transfer mechanism 12 to the ejection side magazine 7b.

【００３２】ウエハリング搬送機構１２は、図２に示す
ように、図外の機台に取り付けられたウエハリング昇降
装置７１と、ウエハリング昇降装置７１に取り付けられ
たウエハリングＹ動装置７２と、ウエハリングＹ動装置
７２により図示の前後方向に移動するウエハリング載置
ステージ７３とを有している。As shown in FIG. 2, the wafer ring transfer mechanism 12 includes a wafer ring lifting device 71 mounted on a machine base (not shown), a wafer ring Y moving device 72 mounted on the wafer ring lifting device 71, and The wafer ring Y moving device 72 has a wafer ring mounting stage 73 that moves in the front-back direction in the drawing.

【００３３】ウエハリング載置ステージ７３は、ベース
プレート７５上に、相互に平行に配設した３条の突条７
６により、上段及び下段にそれぞれ２枚のウエハリング
３０１を棚板状に載置できるようになっている。すなわ
ち、３条の突条７６には、それぞれ上下に内向きの受け
部（図示省略）が突出形成されており、この受け部によ
り上段に２枚の未処理ウエハリング３０１ａを支持する
前後一対の第１支持部７７が、下段に２枚の処理ウエハ
リング３０１ｂを支持する前後一対の第２支持部７８が
構成されている。すなわち、供給側マガジン７ａから移
載される未処理ウエハリング３０１ａは第１支持部７７
に支持され、各チャンバ２のトレイ２７から移載される
処理ウエハリング３０１ｂは第２支持部７８に支持され
る。The wafer ring mounting stage 73 has three projections 7 arranged on the base plate 75 in parallel with each other.
6, two wafer rings 301 can be placed on the upper and lower tiers in the form of a shelf plate. That is, inwardly receiving portions (not shown) are formed to project upward and downward from the three protrusions 76, respectively, and a pair of front and rear supporting unsupported wafer rings 301a are supported by the receiving portions in the upper stage. The first support portion 77 includes a pair of front and rear second support portions 78 that support the two processing wafer rings 301b in the lower stage. That is, the unprocessed wafer ring 301a transferred from the supply-side magazine 7a is the first support portion 77.
The processed wafer ring 301b, which is supported by the second support part 78 and is transferred from the tray 27 of each chamber 2, is supported by the second support part 78.

【００３４】ウエハリングＹ動装置７２は、後述するウ
エハリング昇降装置７１の昇降ブロック８５に取り付け
られており、減速機付きのウエハリングＹ動モータ８０
と、ウエハリングＹ動モータ８０により回転するボール
ネジ８１を有している。図示では省略されているが、ウ
エハリング載置ステージ７３は、ウエハリング昇降装置
７１の昇降ブロック８５との間で前後方向に進退自在に
構成（案内）されており、ウエハリング載置ステージ７
３の一部に螺合するボールネジ８１が、ウエハリングＹ
動モータ８０により正逆回転することにより、ウエハリ
ング載置ステージ７３が昇降ブロック８５に対し、前後
方向に進退する。The wafer ring Y moving device 72 is attached to an elevating block 85 of a wafer ring elevating device 71 which will be described later, and a wafer ring Y moving motor 80 with a speed reducer.
And a ball screw 81 rotated by a wafer ring Y motion motor 80. Although not shown in the drawing, the wafer ring mounting stage 73 is configured (guided) so as to be movable back and forth in the front-rear direction between the wafer ring mounting stage 7 and the elevating block 85 of the wafer ring elevating device 71.
The ball screw 81 screwed onto a part of
The wafer ring mounting stage 73 advances and retreats in the front-rear direction with respect to the elevating block 85 by rotating in the forward and reverse directions by the motion motor 80.

【００３５】ウエハリング昇降装置７１は、減速機付き
のウエハリング昇降モータ８３と、ウエハリング昇降モ
ータ８３により回転するボールネジ８４と、ボールネジ
８４に螺合する雌ネジ部（図示省略）が形成された昇降
ブロック８５とを有している。上述のように、ウエハリ
ング載置ステージ７３及びウエハリングＹ動装置７２は
昇降ブロック８５に支持されており、昇降ブロック８５
は、ウエハリング昇降モータ８３を介して正逆回転する
ボールネジ８４により、昇降する。なお、ウエハリング
昇降装置７１をウエハリングＹ動装置７２に取り付け、
ウエハリング昇降装置７１でウエハリング載置ステージ
７３を昇降させ、ウエハリングＹ動装置７２でウエハリ
ング昇降装置７１及びウエハリング載置ステージ７３を
前後動させるようにしてもよい。The wafer ring lifting / lowering device 71 is provided with a wafer ring lifting / lowering motor 83 having a speed reducer, a ball screw 84 rotated by the wafer ring lifting / lowering motor 83, and a female screw portion (not shown) screwed to the ball screw 84. It has a lifting block 85. As described above, the wafer ring mounting stage 73 and the wafer ring Y moving device 72 are supported by the elevating block 85, and the elevating block 85.
Is moved up and down by a ball screw 84 that rotates forward and backward through a wafer ring lift motor 83. The wafer ring lifting device 71 is attached to the wafer ring Y moving device 72,
The wafer ring elevating device 71 may elevate the wafer ring mounting stage 73, and the wafer ring Y moving device 72 may elevate the wafer ring elevating device 71 and the wafer ring mounting stage 73 back and forth.

【００３６】供給側マガジン７ａから未処理ウエハリン
グ３０１ａを受け取る場合には、供給側マガジン７ａの
該当する未処理ウエハリング３０１ａの位置に、ウエハ
リング載置ステージ７３の第１支持部７７が合致するよ
うに、ウエハリング昇降装置７１及びウエハリングＹ動
装置７２を駆動する。具体的には、ウエハリング載置ス
テージ７３をホーム位置から後退及び上昇させ、先ず一
方の第１支持部７７を該当する未処理ウエハリング３０
１ａに位置合わせし、さらにウエハリング支持ステージ
７３の後退（前進）により、他方の第１支持部７７を該
当する次の未処理ウエハリング３０１ａに位置合わせす
る。なお、詳細は後述するが、供給側マガジン７ａは昇
降するようになっており、未処理ウエハリング３０１ａ
の移載高さ位置（レベル）は、特定の位置に設定されて
いる。When the unprocessed wafer ring 301a is received from the supply magazine 7a, the first support portion 77 of the wafer ring mounting stage 73 is aligned with the position of the corresponding unprocessed wafer ring 301a of the supply magazine 7a. Thus, the wafer ring elevating device 71 and the wafer ring Y moving device 72 are driven. Specifically, the wafer ring mounting stage 73 is retracted and raised from the home position, and first one of the first support portions 77 is placed on the corresponding unprocessed wafer ring 30.
1a, and by further retracting (advancing) the wafer ring support stage 73, the other first support portion 77 is aligned with the corresponding next unprocessed wafer ring 301a. Although details will be described later, the supply-side magazine 7a moves up and down, and the unprocessed wafer ring 301a
The transfer height position (level) is set to a specific position.

【００３７】また、処理ウエハリング３０１ｂを排出側
マガジン７ｂに受け渡す場合には、同様に第２支持部７
８の２枚の処理ウエハリング３０１ｂを、それぞれ排出
側マガジン７ｂの該当する収容位置に位置合わせする。
この場合も、排出側マガジン７ｂは昇降するようになっ
ており、処理ウエハリング３０１ｂの移載高さ位置（上
記の移載高さ位置とは異なるが）は、特定の位置に設定
されている。なお、ウエハリング載置ステージ７３に対
し供給側マガジン７ａ及び排出側マガジン７ｂは、その
左右両側に近接して配置されているため（図示では離れ
ているが）、ウエハリング３０１の移載に際しウエハリ
ング載置ステージ７３を左右方向に移動させる必要はな
い。When the processed wafer ring 301b is transferred to the ejection-side magazine 7b, the second support portion 7 is also used.
The two processed wafer rings 301b of No. 8 are aligned with the corresponding storage positions of the ejection side magazine 7b.
Also in this case, the ejection-side magazine 7b moves up and down, and the transfer height position of the processed wafer ring 301b (although different from the transfer height position described above) is set to a specific position. . Since the supply-side magazine 7a and the discharge-side magazine 7b are arranged close to the left and right sides of the wafer ring mounting stage 73 (they are separated in the drawing), the wafer ring 301 is transferred at the time of transfer. It is not necessary to move the ring mounting stage 73 in the left-right direction.

【００３８】一方、未処理ウエハリング３０１ａ及び処
理ウエハリング３０１ｂをチャンバ２との間でやりとり
する場合には、先ずウエハリング昇降装置７１及びウエ
ハリングＹ動装置７２を駆動して、トレイ２７上の処理
ウエハリング３０１ｂと第２支持部７８を位置合わせ
し、２枚の処理ウエハリング３０１ｂを第２支持部７８
に同時に受け取る（詳細は後述する）。次に、ウエハリ
ング載置ステージ７３をわずかに下降させ、第１支持部
７７の未処理ウエハリング３０１ａとトレイ２７（の上
面）とを位置合わせし、２枚の未処理ウエハリング３０
１ａをトレイ２７上に受け渡す。なお、この場合も、ウ
エハリング載置ステージ７３に対し、両チャンバ２は、
その左右両側に近接して配置されているため（図示では
離れているが）、ウエハリング３０１の移載に際しウエ
ハリング載置ステージ７３を左右方向に移動させる必要
はない。On the other hand, when exchanging the unprocessed wafer ring 301a and the processed wafer ring 301b with the chamber 2, first, the wafer ring elevating device 71 and the wafer ring Y moving device 72 are driven to move the wafer ring on the tray 27. The processing wafer ring 301b and the second supporting portion 78 are aligned, and the two processing wafer rings 301b are attached to the second supporting portion 78.
To be received simultaneously (details will be described later). Next, the wafer ring mounting stage 73 is slightly lowered to align the unprocessed wafer ring 301a of the first support portion 77 and the tray 27 (the upper surface thereof), and the two unprocessed wafer rings 30 are placed.
1a is transferred onto the tray 27. In this case as well, both chambers 2 are arranged with respect to the wafer ring mounting stage 73.
Since they are arranged close to each other on the left and right sides (they are separated in the drawing), it is not necessary to move the wafer ring mounting stage 73 in the left and right direction when transferring the wafer ring 301.

【００３９】マガジン側移載機構１４は、未処理ウエハ
リング３０１ａを供給側マガジン７ａからウエハリング
搬送機構１２に送り出す供給側シリンダ９１と、処理ウ
エハリング３０１ｂをウエハリング搬送機構１２から排
出側マガジン７ｂに送り込む排出側シリンダ９２とを有
している。供給側シリンダ９１は図外の機台に取り付け
られており、そのピストンロッド９４により、該当する
未処理ウエハリング３０１ａの端を押して、これを供給
側マガジン７ａからウエハリング搬送機構１２に送り出
す。The magazine-side transfer mechanism 14 supplies the unprocessed wafer ring 301a from the supply-side magazine 7a to the wafer ring transfer mechanism 12, and the supply-side cylinder 91 from the wafer ring transfer mechanism 12 to the discharge-side magazine 7b. And a discharge side cylinder 92 for feeding the The supply side cylinder 91 is attached to a machine stand (not shown), and its piston rod 94 pushes the end of the corresponding unprocessed wafer ring 301a and sends it out from the supply side magazine 7a to the wafer ring transfer mechanism 12.

【００４０】排出側シリンダ９２は、図外の機台に取り
付けられ、ウエハリングローダ１５とウエハリングアン
ローダ１６の間に亘って延在するシリンダ本体９５と、
シリンダ本体９５により左右方向に移動する送り爪装置
９６とを有している。送り爪装置９６は、ハウジング内
にモータ等のアクチュエータを収容するとともに、アク
チュエータにより上下動する送り爪９７を有している。
アクチュエータにより送り爪９７を所定の下動位置に移
動させ、シリンダ本体９５により送り爪装置９６を図示
左方に移動させることにより、送り爪９７が処理ウエハ
リング３０１ｂの端を押して、これをウエハリング搬送
機構１２から排出側マガジン７ｂに送り込む。The discharge side cylinder 92 is attached to a machine base (not shown) and extends over a space between the wafer ring loader 15 and the wafer ring unloader 16, and a cylinder body 95,
It has a feed pawl device 96 that moves in the left-right direction by the cylinder body 95. The feed pawl device 96 accommodates an actuator such as a motor in a housing and has a feed pawl 97 that moves up and down by the actuator.
The feed claw 97 is moved to a predetermined lower moving position by the actuator, and the feed claw device 96 is moved to the left side in the drawing by the cylinder body 95, so that the feed claw 97 pushes the end of the processing wafer ring 301b and the wafer ring 301b. It is sent from the transport mechanism 12 to the ejection side magazine 7b.

【００４１】供給側シリンダ９１のピストンロッド９４
の高さ位置及び排出側シリンダ９２の送り爪９７の高さ
位置は、上記の移載高さ位置に設定され、且つ、ピスト
ンロッド９４側の移載高さ位置と送り爪９７の移載高さ
位置とは、ウエハリング載置ステージ７３の第１支持部
７７と第２支持部７８との間の段差分の差を有してい
る。このため、ウエハリング載置ステージ７３の第１支
持部７７と第２支持部７８を、それぞれ両移載高さ位置
に位置合わせしておいて、先ず排出側シリンダ９２を駆
動することで、処理ウエハリング３０１ｂが第２支持部
７８から排出側マガジン７ｂに送り込まれ、次に供給側
シリンダ９１を駆動すれば、未処理ウエハリング３０１
ａが供給側マガジン７ａから第１支持部７７に送り出さ
れる。Piston rod 94 of supply side cylinder 91
And the height position of the feed claw 97 of the discharge side cylinder 92 are set to the above-mentioned transfer height position, and the transfer height position of the piston rod 94 side and the transfer height of the feed claw 97 are set. The depth position has a difference in level between the first support portion 77 and the second support portion 78 of the wafer ring mounting stage 73. Therefore, the first supporting portion 77 and the second supporting portion 78 of the wafer ring mounting stage 73 are respectively positioned at both transfer height positions, and the discharge side cylinder 92 is first driven to perform the processing. If the wafer ring 301b is sent from the second support portion 78 to the ejection side magazine 7b and then the supply side cylinder 91 is driven, the unprocessed wafer ring 301b
a is sent from the supply-side magazine 7a to the first support portion 77.

【００４２】なお、詳細は後述するが、供給側マガジン
７ａから送り出されるべき任意の１枚の未処理ウエハリ
ング３０１ａの選択、及び処理ウエハリング３０１ｂが
送り込まれるべき排出側マガジン７ｂの任意の１つの収
容位置（何段目か）の選択は、供給側マガジン７ａを昇
降させること、及び排出側マガジン７ｂを昇降すること
で行われる。As will be described in detail later, selection of any one unprocessed wafer ring 301a to be sent out from the supply side magazine 7a, and any one of discharge side magazines 7b to which the processed wafer ring 301b is sent. The selection of the storage position (what stage) is performed by raising and lowering the supply-side magazine 7a and raising and lowering the discharge-side magazine 7b.

【００４３】図１に示すように、チャンバ側移載機構１
３は、一対のチャンバ２、２間に亘って左右方向に延在
するガイドケース１０１と、ガイドケース１０１の一方
の端に取り付けられた減速機付きのＸ動モータ１０２
と、Ｘ動モータ１０２により回転するボールネジ１０３
と、ボールネジ１０３により左右方向に移動する移載爪
装置１０４とを有している。移載爪装置１０４は、ハウ
ジング内にモータ等のアクチュエータを収容するととも
に、アクチュエータにより上下動する移載爪１０５を有
している。As shown in FIG. 1, the chamber side transfer mechanism 1
Reference numeral 3 denotes a guide case 101 extending in the left-right direction between the pair of chambers 2 and 2, and an X motion motor 102 with a reducer attached to one end of the guide case 101.
And a ball screw 103 rotated by the X motion motor 102
And a transfer claw device 104 that moves in the left-right direction by the ball screw 103. The transfer claw device 104 accommodates an actuator such as a motor in a housing and has a transfer claw 105 that moves up and down by the actuator.

【００４４】移載爪１０５の先端は二股に形成されてお
り、トレイ２７とウエハリング搬送機構１２との間で、
２枚のウエハリング３０１を同時に移載可能に構成され
ている。移載爪装置１０４は、ハウジングの部分でガイ
ドケース１０１により左右方向の移動をガイドされてお
り、Ｘ動モータ１０２を介してボールネジ１０３が正逆
回転することにより、移載爪装置１０４はガイドケース
１０１に沿って左右方向に移動する。また、アクチュエ
ータの正逆駆動により、移載爪１０５が上下動する。The tip of the transfer claw 105 is bifurcated, and between the tray 27 and the wafer ring transfer mechanism 12.
Two wafer rings 301 can be transferred at the same time. The transfer claw device 104 is guided by the guide case 101 to move in the left-right direction in the housing portion, and the ball screw 103 rotates in the forward and reverse directions via the X-movement motor 102. Move left and right along 101. Further, the transfer claw 105 moves up and down by the forward and reverse driving of the actuator.

【００４５】ウエハリング搬送機構１２が第１支持部７
７に未処理ウエハリング３０１ａを載置してチャンバ２
に臨むと、Ｘ動モータ１０２が駆動されて移載爪装置１
０４をトレイ２７の端位置に移動させ、続いて移載爪装
置１０４が駆動されて移載爪１０５をトレイ２７の上面
位置まで下動させる。次に、Ｘ動モータ１０２が駆動さ
れて移載爪装置１０４をウエハリング搬送機構１２側に
移動させる。これにより、移載爪１０５がトレイ２７上
の２枚の処理ウエハリング３０１ｂを押すようにして移
動させ、処理ウエハリング３０１ｂをウエハリング搬送
機構１２の第２支持部７８に受け渡す。次に、移載爪１
０５を未処理ウエハリング３０１ａに合わせてわずかに
上動させた後、移載爪装置１０４をトレイ２７側に移動
させることにより、移載爪１０５が２枚の未処理ウエハ
リング３０１ａを第１支持部７７からトレイ２７上に受
け渡す。The wafer ring transfer mechanism 12 has the first support portion 7
7, the unprocessed wafer ring 301a is placed on the chamber 2
The moving claw device 1 when the X-moving motor 102 is driven.
04 is moved to the end position of the tray 27, and then the transfer claw device 104 is driven to move the transfer claw 105 downward to the upper surface position of the tray 27. Next, the X movement motor 102 is driven to move the transfer claw device 104 to the wafer ring transfer mechanism 12 side. As a result, the transfer claw 105 moves the two processing wafer rings 301b on the tray 27 while pushing them, and transfers the processing wafer ring 301b to the second support portion 78 of the wafer ring transfer mechanism 12. Next, the transfer claw 1
05 is slightly moved up to match the unprocessed wafer ring 301a, and then the transfer claw device 104 is moved to the tray 27 side so that the transfer claw 105 first supports the two unprocessed wafer rings 301a. It is delivered from the section 77 onto the tray 27.

【００４６】図２に示すように、ウエハリングローダ１
５は、複数個の供給側マガジン７ａを載置可能な供給側
マガジン載置台１１１と、供給側マガジン載置台１１１
から供給された供給側マガジン７ａを昇降させる供給側
昇降装置１１２と、供給側マガジン７ａを供給側マガジ
ン載置台１１１から供給側昇降装置１１２に送り込む供
給側マガジンシリンダ１１３とを有している。供給側マ
ガジン７ａは、複数段に亘ってウエハリング３０１を棚
板状に収容できるように、両側壁にそれぞれ複数の受け
部が形成されている。そして、このように構成された供
給側マガジン７ａは、未処理ウエハリング３０１ａを収
容した状態で、前面をウエハリング搬送機構１２側に向
けて配設されている。なお、排出側マガジン７ｂは、こ
の供給側マガジン７ａと全く同一のものである。As shown in FIG. 2, the wafer ring loader 1
Reference numeral 5 denotes a supply-side magazine mounting table 111 on which a plurality of supply-side magazines 7a can be mounted, and a supply-side magazine mounting table 111.
It has a supply-side elevating device 112 for elevating and lowering the supply-side magazine 7a supplied from the supply-side magazine 7a, and a supply-side magazine cylinder 113 for feeding the supply-side magazine 7a from the supply-side magazine placing table 111 to the supply-side elevating device 112. The supply-side magazine 7a is formed with a plurality of receiving portions on both side walls so that the wafer rings 301 can be housed in a shelf shape in a plurality of stages. The supply-side magazine 7a configured in this manner is arranged with the unprocessed wafer ring 301a accommodated so that the front surface faces the wafer ring transfer mechanism 12 side. The discharge side magazine 7b is exactly the same as the supply side magazine 7a.

【００４７】供給側マガジンシリンダ１１３は、供給側
昇降装置１１２の供給側マガジン７ａが空になったとき
に、そのピストンロッド１１５により、供給側マガジン
載置台１１１に載置されている複数個の供給側マガジン
７ａを順に送り込んで、新たに供給側マガジン７ａを供
給側昇降装置１１２に供給する。なお、供給側マガジン
載置台１１１に新たに投入される供給側マガジン７ａ
は、ピストンロッド１１５が後退した状態で、供給側マ
ガジン載置台１１１のピストンロッド１１５側に投入さ
れる。The supply-side magazine cylinder 113 is provided with a plurality of supply units mounted on the supply-side magazine mounting table 111 by its piston rod 115 when the supply-side magazine 7a of the supply-side elevating device 112 becomes empty. The side magazines 7a are sequentially fed, and the supply side magazines 7a are newly supplied to the supply side elevating device 112. It should be noted that the supply-side magazine 7a newly placed on the supply-side magazine mounting table 111
Is fed to the piston rod 115 side of the supply side magazine mounting table 111 with the piston rod 115 retracted.

【００４８】供給側昇降装置１１２は、減速機付きのマ
ガジン昇降モータ１１６と、マガジン昇降モータ１１６
により回転するボールネジ１１７と、ボールネジ１１７
に螺合する雌ネジ部（図示省略）が形成された昇降ブロ
ック１１８とを有している。未処理ウエハリング３０１
ａを送り出す供給側マガジン７ａは、昇降ブロック１１
８に支持されており、昇降ブロック１１８は、マガジン
昇降モータ１１６を介して正逆回転するボールネジ１１
７により、昇降する。The supply-side elevating device 112 includes a magazine elevating motor 116 with a speed reducer and a magazine elevating motor 116.
Ball screw 117 rotated by
And an elevating block 118 having a female screw portion (not shown) formed therein. Unprocessed wafer ring 301
The supply-side magazine 7a that sends out a
8 is supported by a ball screw 11 that rotates forward and backward through a magazine lifting motor 116.
Move up and down by 7.

【００４９】供給側昇降装置１１２に送り込まれた供給
側マガジン７ａは適宜昇降し、その際上記の供給側シリ
ンダ９１が、供給側マガジン７ａに収容した未処理ウエ
ハリング３０１ａを１枚ずつ送り出してゆく。この場
合、未処理ウエハリング３０１ａを、供給側マガジン７
ａの最下段のものから順に送り出してゆく。すなわち、
最初に最下段の未処理ウエハリング３０１ａを移載高さ
位置に位置合わせしてこれを送り出し、次に下から２段
目の未処理ウエハリング３０１ａを移載高さ位置に位置
合わせ（下降）してこれを送り出す。このようにして、
最上段の未処理ウエハリング３０１ａを送り出したとこ
ろで、供給側マガジン７ａが空になるため、これをさら
に下降させてマガジン移送部１０に受け渡すようにして
いる。The supply-side magazine 7a sent to the supply-side elevating device 112 is appropriately moved up and down, at which time the supply-side cylinder 91 sends out the unprocessed wafer rings 301a contained in the supply-side magazine 7a one by one. . In this case, the unprocessed wafer ring 301a is attached to the supply side magazine 7
The items in the bottom of a are sent out in order. That is,
First, the lowermost unprocessed wafer ring 301a is aligned with the transfer height position and sent out, and then the second unprocessed wafer ring 301a from the bottom is aligned with the transfer height position (down). Then send this out. In this way
When the uppermost unprocessed wafer ring 301a is sent out, the supply-side magazine 7a becomes empty, so that it is further lowered and transferred to the magazine transfer unit 10.

【００５０】ウエハリングアンローダ１６は、ウエハリ
ングローダ１５と同様に、複数個の排出側マガジン７ｂ
を載置可能な排出側マガジン載置台１２１と、排出側マ
ガジン７ｂを昇降させる排出側昇降装置１２２と、処理
ウエハリング３０１ｂで満杯になった排出側マガジン７
ｂを排出側昇降装置１２２から排出側マガジン載置台１
２１に送り込む排出側マガジンシリンダ１２３とを有し
ている。排出側マガジンシリンダ１２３は、そのピスト
ンロッド１２５により、満杯になった排出側マガジン７
ｂを順次排出側マガジン載置台１２１に送り込んでゆ
く。Like the wafer ring loader 15, the wafer ring unloader 16 has a plurality of ejection side magazines 7b.
And a discharge-side magazine placing table 121 capable of mounting the discharge-side magazine, a discharge-side elevating device 122 for moving the discharge-side magazine 7b up and down, and a discharge-side magazine 7 filled with the processing wafer ring 301b.
b from the ejection side lifting device 122 to the ejection side magazine mounting table 1
21 and a discharge-side magazine cylinder 123 to be sent to 21. The ejection side magazine cylinder 123 is filled with the ejection side magazine cylinder 123 by its piston rod 125.
b is sequentially sent to the ejection side magazine placing table 121.

【００５１】排出側昇降装置１２２は、供給側昇降装置
１１２と同様に、マガジン昇降モータ１２６と、ボール
ネジ１２７と、昇降ブロック１２８とを有している。処
理ウエハリング３０１ｂが送り込まれる排出側マガジン
７ｂは、昇降ブロック１２８に支持されており、昇降ブ
ロック１２８は、マガジン昇降モータ１２６を介して正
逆回転するボールネジ１２７により、昇降する。この場
合、空の排出側マガジン７ｂは、マガジン移送部１０を
介して供給側昇降装置１１２から供給される。Like the supply-side lift device 112, the discharge-side lift device 122 has a magazine lift motor 126, a ball screw 127, and a lift block 128. The ejection-side magazine 7b into which the processing wafer ring 301b is fed is supported by an elevating block 128, and the elevating block 128 is moved up and down by a ball screw 127 that rotates forward and backward via a magazine elevating motor 126. In this case, the empty discharge-side magazine 7b is supplied from the supply-side lifting device 112 via the magazine transfer unit 10.

【００５２】そして、この場合も、排出側昇降装置１２
２の排出側マガジン７ｂは適宜昇降し、その際上記の排
出側シリンダ９２が、排出側マガジン７ｂに処理ウエハ
リング３０１ｂを１枚ずつ送り込んでゆく。この場合に
は、排出側マガジン７ｂを間欠上昇させながら、処理ウ
エハリング３０１ｂを最上段から順に収容してゆくこと
が好ましい。なお、供給側昇降装置１１２及び排出側昇
降装置１２２の各昇降ブロック１１８、１２８は、各マ
ガジン７ａ、７ｂを載置するプレート部位１１８ａ、１
２８ａの中央が、広く「コ」字状に切り欠かれており、
後述するチャック装置１３１が上下方向にすり抜け得る
ようになっている。Also in this case, the discharge side lifting device 12
The second ejecting magazine 7b is appropriately moved up and down, and at that time, the ejecting cylinder 92 feeds the processing wafer rings 301b into the ejecting magazine 7b one by one. In this case, it is preferable to accommodate the processed wafer rings 301b in order from the uppermost stage while intermittently raising the ejection-side magazine 7b. The elevating blocks 118 and 128 of the supply-side elevating device 112 and the discharge-side elevating device 122 have plate portions 118a and 1a for mounting the magazines 7a and 7b, respectively.
The center of 28a is widely cut out in a U shape,
A chuck device 131, which will be described later, can pass through in the vertical direction.

【００５３】マガジン移送部１０は、空マガジン（空に
なった供給側マガジン７ａ）７ｃを受け取って把持する
チャック装置１３１と、先端部でチャック装置１３１を
支持する回転アーム１３２と、回転アーム１３２を基端
部を中心に回転させる減速機付きの回転モータ１３３と
を有している。回転モータ１３３は、図外の機台に固定
されており、回転アーム１３２を水平面内において角度
１８０度、往復回転（回動）させ、チャック装置１３１
に把持した空マガジン７ｃをウエハリングローダ１５か
らウエハリングアンローダ１６に移送する。チャック装
置１３１は、上面に空マガジン７ｃが載置されるハウジ
ング１３５と、ハウジング１３５内に収容したシリンダ
（図示省略）と、ハウジング１３５の上面から突出しシ
リンダにより離接方向に相互に移動する一対のチャック
１３６とを有している。The magazine transfer unit 10 includes a chuck device 131 that receives and holds an empty magazine (empty supply-side magazine 7a) 7c, a rotary arm 132 that supports the chuck device 131 at its tip, and a rotary arm 132. It has a rotation motor 133 with a speed reducer that rotates around the base end. The rotary motor 133 is fixed to a machine base (not shown), and causes the rotary arm 132 to reciprocally rotate (rotate) at an angle of 180 degrees in a horizontal plane, thereby causing the chuck device 131.
The empty magazine 7c gripped by is transferred from the wafer ring loader 15 to the wafer ring unloader 16. The chuck device 131 has a housing 135 on which an empty magazine 7c is placed, a cylinder (not shown) housed in the housing 135, and a pair of members that protrude from the upper surface of the housing 135 and move in the contact / separation direction by the cylinder. And a chuck 136.

【００５４】一対のチャック１３６を離間する方向に開
いておいて、供給側昇降装置１１２に臨ませ、この状態
で、供給側昇降装置１１２に載置されている空マガジン
７ｃを下降させると、昇降ブロック１１８のプレート部
位１１８ａがチャック１３６を上側から下側にすり抜け
たところで、空マガジン７ｃがハウジング１３５の上面
に載る。これにより、空マガジン７ｃが供給側昇降装置
１１２からマガジン移送部１０に受け渡される。ここ
で、一対のチャック１３６を閉じるようにして、空マガ
ジン７ｃを把持する。空マガジン７ｃがチャック装置１
３１に不動に把持されたら、回転アーム１３２を回動さ
せて空マガジン７ｃを排出側昇降装置１２２に臨ませ
る。When the pair of chucks 136 are opened in the separating direction and face the supply-side elevating device 112, and in this state, the empty magazine 7c placed on the supply-side elevating device 112 is lowered, When the plate portion 118a of the block 118 passes through the chuck 136 from the upper side to the lower side, the empty magazine 7c is placed on the upper surface of the housing 135. As a result, the empty magazine 7c is delivered from the supply-side lifting device 112 to the magazine transfer unit 10. At this point, the empty magazine 7c is gripped by closing the pair of chucks 136. Empty magazine 7c is chuck device 1
When the gripper 31 is immovably gripped, the rotary arm 132 is rotated to expose the empty magazine 7c to the ejection-side lifting device 122.

【００５５】このとき、排出側昇降装置１２２の昇降ブ
ロック１２８には排出側マガジン７ｂは無く、また、昇
降ブロック１２８は下降位置にある。空マガジン７ｃが
排出側昇降装置１２２に臨んだら、チャック装置１３１
による把持状態を解除し、昇降ブロック１２８を上昇さ
せる。昇降ブロック１２８が上昇し、そのプレート部位
１２８ａがチャック１３６を下側から上側にすり抜ける
と、昇降ブロック１２８が空マガジン７ｃを自動的に受
け取ってそのまま上昇する。なお、マガジン移送部１０
により、ウエハリングローダ１５からウエハリングアン
ローダ１６に移送された空マガジン７ｃは、ウエハリン
グアンローダ１６で排出側マガジン７ｂとして利用され
るが、空マガジン７ｃは回転して移送されるため、その
前部が搬入・搬出機構６側に向いた姿勢で、ウエハリン
グアンローダ１６に受け渡される。このため、移送の前
後で別の装置により空マガジン７ｃの姿勢を変える必要
がない。At this time, the elevating block 128 of the ejecting-side elevating device 122 does not have the ejecting magazine 7b, and the elevating block 128 is in the lowered position. When the empty magazine 7c faces the discharge side lifting device 122, the chuck device 131
The holding state by is released, and the lifting block 128 is raised. When the elevating block 128 rises and its plate portion 128a slips through the chuck 136 from the lower side to the upper side, the elevating block 128 automatically receives the empty magazine 7c and rises as it is. The magazine transfer unit 10
As a result, the empty magazine 7c transferred from the wafer ring loader 15 to the wafer ring unloader 16 is used as a discharge side magazine 7b by the wafer ring unloader 16, but the empty magazine 7c is rotated and transferred, so that the front part thereof is rotated. Is transferred to the wafer ring unloader 16 in a posture facing the loading / unloading mechanism 6 side. Therefore, it is not necessary to change the posture of the empty magazine 7c by another device before and after the transfer.

【００５６】なお、搬入・搬出機構１６及びマガジン移
送部１０におけるモータやシリンダ等のアクチュエータ
は制御装置に接続され、制御装置により総括的に制御さ
れる。ここで、図４を参照して、各部の動作を順を追っ
て説明する。Actuators such as motors and cylinders in the carry-in / carry-out mechanism 16 and the magazine transfer unit 10 are connected to the control device and are generally controlled by the control device. Here, the operation of each unit will be described step by step with reference to FIG.

【００５７】同図において、左側のチャンバ２ａはウエ
ハリング３０１の洗浄工程にあり、右側のチャンバ２ｂ
はウエハリング３０１の搬入・搬出工程にあるものとす
る。右側のチャンバ２ｂで洗浄済みのウエハリング（処
理ウエハリング３０１ｂ）が外部に引き出される動きに
合わせて、搬入・搬出機構６は、第１の受け渡し位置Ｐ
1の未処理ウエハリング３０１ａを右側のチャンバ２ｂ
の近傍まで搬送する。ここで、搬入・搬出機構６は、右
側のチャンバ２ｂから処理ウエハリング３０１ｂを受け
取り、続いて未処理ウエハリング３０１ａを右側のチャ
ンバ２ｂに受け渡す。In the figure, the chamber 2a on the left side is in the process of cleaning the wafer ring 301, and the chamber 2b on the right side is in the cleaning process.
Is in the process of loading / unloading the wafer ring 301. The carry-in / carry-out mechanism 6 moves the first transfer position P in accordance with the movement of the wafer ring (processed wafer ring 301b) that has been cleaned in the right chamber 2b to the outside.
1 unprocessed wafer ring 301a on the right chamber 2b
To the vicinity of. Here, the loading / unloading mechanism 6 receives the processed wafer ring 301b from the right chamber 2b, and subsequently transfers the unprocessed wafer ring 301a to the right chamber 2b.

【００５８】右側のチャンバ２ｂは、未処理ウエハリン
グ３０１ａを受け取ると、これを内部に持ち込む。同時
に、搬入・搬出機構６は、処理ウエハリング３０１ｂを
第２の受け渡し位置Ｐ2に搬送する。右側のチャンバ２
ｂが未処理ウエハリング３０１ａを内部に持ち込むと、
真空リレー３３が右側のチャンバ２ｂに切り替えられて
右側のチャンバ２ｂが洗浄工程に移行する。これと同時
に、左側のチャンバ２ａは、窒素ガスによるリークを経
て搬入・搬出工程に移行する。When the unprocessed wafer ring 301a is received, the chamber 2b on the right side carries it inward. At the same time, the carry-in / carry-out mechanism 6 carries the processed wafer ring 301b to the second delivery position P 2 . Right chamber 2
When b brings in the unprocessed wafer ring 301a,
The vacuum relay 33 is switched to the chamber 2b on the right side, and the chamber 2b on the right side shifts to the cleaning process. At the same time, the chamber 2a on the left side shifts to the carry-in / carry-out process through a leak due to nitrogen gas.

【００５９】そして今度は、左側のチャンバ２ａで処理
ウエハリング３０１ｂが引き出される動きに合わせて、
搬入・搬出機構６は、第１の受け渡し位置Ｐ1の未処理
ウエハリング３０１ａを左側のチャンバ２ａに搬入す
る。そして、真空リレー３３が左側のチャンバ２ａに切
り替えられて左側のチャンバ２ａが洗浄工程に移行す
る。一方、右側のチャンバ２ｂは、窒素ガスによるリー
クを経て搬入・搬出工程に移行する。Then, in accordance with the movement of the processing wafer ring 301b pulled out in the left chamber 2a,
The loading / unloading mechanism 6 loads the unprocessed wafer ring 301a at the first transfer position P 1 into the left chamber 2a. Then, the vacuum relay 33 is switched to the left chamber 2a, and the left chamber 2a shifts to the cleaning process. On the other hand, the chamber 2b on the right side shifts to the carrying-in / carrying-out process through a leak due to nitrogen gas.

【００６０】すなわち、左右のチャンバ２ａ、２ｂは交
互に搬入・搬出工程と洗浄工程とを繰り返し、これに合
わせて搬入・搬出機構６は左右のチャンバ２ａ、２ｂに
対し、未処理ウエハリング３０１ａ及び処理ウエハリン
グ３０１ｂを交互に搬入・搬出する。このようにするこ
とで、大量のウエハリング３０１を効率良く処理するこ
とができる。That is, the left and right chambers 2a and 2b alternately repeat the loading / unloading process and the cleaning process, and the loading / unloading mechanism 6 correspondingly performs the unprocessed wafer ring 301a and the left and right chambers 2a and 2b. The processed wafer rings 301b are alternately loaded and unloaded. By doing so, a large number of wafer rings 301 can be efficiently processed.

【００６１】洗浄工程について詳細に説明する。チャン
バ２内にウエハリング３０１が搬入されると、真空吸引
装置５が駆動されてチャンバ２内が真空状態にされ、ガ
ス導入管４３を介してチャンバ２内にプラズマ反応ガス
が供給される。そして、高周波電源３１が駆動され、下
部電極２８と上部電極２９の間に高周波電圧が印加され
る。これによってチャンバ２内にプラズマが発生し、プ
ラズマ中のプラスイオンが主として負に帯電した下部電
極２８に引き寄せられるため、下部電極２８と上部電極
２９の間に配置されたウエハリング３０１に固定された
ウエハ２０１の表面にプラスイオンが衝突して不純物が
削り取られる。The cleaning process will be described in detail. When the wafer ring 301 is loaded into the chamber 2, the vacuum suction device 5 is driven to bring the chamber 2 into a vacuum state, and the plasma reaction gas is supplied into the chamber 2 via the gas introduction pipe 43. Then, the high frequency power supply 31 is driven and a high frequency voltage is applied between the lower electrode 28 and the upper electrode 29. As a result, plasma is generated in the chamber 2, and positive ions in the plasma are mainly attracted to the negatively charged lower electrode 28, so that the wafer is fixed to the wafer ring 301 arranged between the lower electrode 28 and the upper electrode 29. Positive ions collide with the surface of the wafer 201 and impurities are scraped off.

【００６２】次に、上述したプラズマ洗浄装置１を用い
た半導体部品の製造方法（ワイヤボンディング方式）
を、図５〜８を参照しながら説明する。なお、ウエハに
ＩＣ回路を形成する前工程については、従来と同様であ
るので説明を省略する。Next, a method of manufacturing a semiconductor component using the plasma cleaning apparatus 1 described above (wire bonding method)
Will be described with reference to FIGS. Since the pre-process of forming the IC circuit on the wafer is the same as the conventional process, its description is omitted.

【００６３】まず、前工程で製造されたウエハ２０１を
ウエハリング３０１上のウエハシート３０２に粘着テー
プ等により固定する。そして、ウエハリング３０１をダ
イシングソーに搬送し、ウエハ２０１をスクラブライン
２０２に沿って個々の半導体チップ２０３に切り分け
る。次いで、上述したプラズマ洗浄装置１によってウエ
ハリング３０１にプラズマ洗浄処理を行う。これによっ
て、電極パッド２０４の表面に付着した酸化被膜やダイ
シングによる汚れ等が除去される。First, the wafer 201 manufactured in the previous step is fixed to the wafer sheet 302 on the wafer ring 301 with an adhesive tape or the like. Then, the wafer ring 301 is conveyed to a dicing saw, and the wafer 201 is cut into individual semiconductor chips 203 along the scrub line 202. Next, the plasma cleaning apparatus 1 described above performs a plasma cleaning process on the wafer ring 301. As a result, the oxide film adhering to the surface of the electrode pad 204, dirt due to dicing, and the like are removed.

【００６４】次いで、ウエハシート３０２を引き延ばし
て各半導体チップ２０３を互いに分離した後、各半導体
チップ２０３をウエハシート３０２から取り外し、熱可
塑性接着剤を介してリードフレーム４０１のダイパッド
４０２上にマウントする。そして、熱可塑性接着剤を硬
化させた後、半導体チップ２０３の電極パッド２０４と
リードフレーム４０１のインナーリード４０３とを金や
アルミニウムのボンディングワイヤ５０１により電気的
に接続する。その後、半導体チップ２０３が樹脂で封止
され、リードメッキ、リード成形、検査等の工程を経て
半導体部品が完成する。Next, after the wafer sheet 302 is stretched to separate the semiconductor chips 203 from each other, the semiconductor chips 203 are removed from the wafer sheet 302 and mounted on the die pad 402 of the lead frame 401 via a thermoplastic adhesive. Then, after the thermoplastic adhesive is cured, the electrode pads 204 of the semiconductor chip 203 and the inner leads 403 of the lead frame 401 are electrically connected by the gold or aluminum bonding wires 501. After that, the semiconductor chip 203 is sealed with resin, and a semiconductor component is completed through steps such as lead plating, lead molding, and inspection.

【００６５】このように、本発明では、半導体チップが
ウエハシートに固定された状態でプラズマ処理を行うた
め、一度に大量の半導体チップ（２００００〜５０００
０個程度）の洗浄を行うことができ、生産性が非常に良
い。また、半導体チップをリードフレームにマウントす
る以前にプラズマ処理を行うため、リードフレームがプ
ラズマ処理されず、リードフレーム表面を覆っている膜
の剥離や強度の低下等をもたらすことがない。さらに、
リードフレームがリールから巻き出してリールに巻き取
る長尺状のものである場合でも問題はない。As described above, according to the present invention, since the plasma processing is performed in the state where the semiconductor chips are fixed to the wafer sheet, a large number of semiconductor chips (2000 to 5000 are formed at one time).
About 0) can be washed, and the productivity is very good. In addition, since the plasma treatment is performed before the semiconductor chip is mounted on the lead frame, the lead frame is not subjected to the plasma treatment, so that the film covering the surface of the lead frame is not peeled off or the strength is not reduced. further,
There is no problem even when the lead frame is a long one which is unwound from the reel and wound up on the reel.

【００６６】なお、上述した実施形態では、ウエハを個
々の半導体チップに切り分けた後にウエハリングにプラ
ズマ処理を行うようにしているが、ウエハシートに固定
されたウエハを半導体チップに切り分ける前にウエハリ
ングにプラズマ処理を行うようにしてもよい。In the above-described embodiment, the wafer ring is subjected to the plasma treatment after the wafer is cut into individual semiconductor chips. However, the wafer ring fixed before the wafer fixed to the wafer sheet is cut into the semiconductor chips. Alternatively, plasma treatment may be performed.

【００６７】また、本発明は、ワイヤレスボンディング
方式を用いた製造方法にも適用することができる。すな
わち、半導体チップの電極パッドにバンプを介してリー
ドを接続する前に、ウエハから切り分けた半導体チップ
または半導体チップに切り分ける前のウエハがウエハシ
ートに固定された状態でウエハリングにプラズマ洗浄処
理を行うことで、半導体チップの取り扱い性が向上し、
生産性が向上する。The present invention can also be applied to a manufacturing method using the wireless bonding method. That is, before connecting the leads to the electrode pads of the semiconductor chip via the bumps, the wafer ring is subjected to the plasma cleaning process while the semiconductor chip cut from the wafer or the wafer before being cut into the semiconductor chips is fixed to the wafer sheet. This improves the handling of the semiconductor chip,
Productivity is improved.

【００６８】その他にも、本発明の要旨を逸脱しない範
囲で上述した実施形態に種々の変形を施すことができ
る。Besides, various modifications can be made to the above-described embodiment without departing from the scope of the present invention.

【００６９】[0069]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体部品の製造方法によれば、ウエハから切り分けた半導
体チップがウエハリング上のウエハシートに固定された
状態で、ウエハリングを導電性材料から成る支持手段に
より支持してチャンバ内に密閉し、ウエハリングにプラ
ズマ洗浄処理を行うことができる気密型のプラズマ洗浄
装置を用いることにより、一度に大量の半導体チップの
プラズマ洗浄処理を行うことができるため、生産性が向
上する。また、半導体チップをリードフレームにマウン
トする以前に、また、半導体チップを配線基板のリード
にマウントする以前に、プラズマ洗浄処理を行うため、
リードフレームやリードがプラズマ洗浄処理されず、リ
ードフレームやリード表面を覆っている膜の剥離や強度
の低下等をもたらすことがない。さらに、リードフレー
ムが、リールから巻き出してリールに巻き取る長尺状の
ものである場合も問題がない。As described above, according to the method of manufacturing a semiconductor component of the present invention, the semiconductor chip cut from the wafer is fixed to the wafer sheet on the wafer ring , and the wafer ring is made of a conductive material. To support means consisting of
By using an airtight plasma cleaning device that can support and seal the wafer in the chamber and perform plasma cleaning processing on the wafer ring, it is possible to perform plasma cleaning processing on a large number of semiconductor chips at one time. The property is improved. In addition, the plasma cleaning process is performed before mounting the semiconductor chip on the lead frame and before mounting the semiconductor chip on the lead of the wiring board.
The lead frame and the leads are not subjected to the plasma cleaning treatment, so that the film covering the lead frame and the lead surface is not peeled off or the strength is not reduced. Further, there is no problem even when the lead frame is a long one which is unwound from the reel and wound on the reel.

【００７０】また、ウエハリング上の半導体チップにプ
ラズマ処理を行うプラズマ洗浄装置が、チャンバを二個
備えるとともにこれらのチャンバが交互にプラズマ洗浄
処理を行うように構成されたものである場合には、短時
間に多くのウエハリングを効率良く処理することができ
るため、生産性がさらに向上する。Further, when the plasma cleaning apparatus for performing the plasma processing on the semiconductor chip on the wafer ring is provided with two chambers and these chambers are configured to alternately perform the plasma cleaning processing, Since many wafer rings can be efficiently processed in a short time, the productivity is further improved.

【００７１】また、プラズマ洗浄装置が、チャンバにウ
エハリングを搬入・搬出する手段を備えている場合に
は、人手によるウエハリングの搬入・搬出を行う必要が
ないため、省力化を図ることができる。Further, when the plasma cleaning apparatus is provided with means for loading / unloading the wafer ring into / from the chamber, it is not necessary to manually load / unload the wafer ring, so that the labor can be saved. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】実施形態のプラズマ洗浄装置の全体構造を示し
た斜視図。FIG. 1 is a perspective view showing an overall structure of a plasma cleaning apparatus according to an embodiment.

【図２】実施形態のプラズマ洗浄装置の全体構造を示し
た斜視図。FIG. 2 is a perspective view showing the overall structure of the plasma cleaning apparatus of the embodiment.

【図３】実施形態のプラズマ洗浄装置のチャンバの断面
図。FIG. 3 is a sectional view of a chamber of the plasma cleaning apparatus of the embodiment.

【図４】実施形態のプラズマ洗浄装置によるウエハリン
グの処理方法の説明図。FIG. 4 is an explanatory diagram of a wafer ring processing method by the plasma cleaning apparatus of the embodiment.

【図５】ウエハリングの一部平面図。FIG. 5 is a partial plan view of a wafer ring.

【図６】図５の要部拡大断面図。6 is an enlarged cross-sectional view of a main part of FIG.

【図７】ワイヤボンディング方式の説明図。FIG. 7 is an explanatory diagram of a wire bonding method.

【図８】ワイヤボンディング方式により製造された半導
体部品の断面図。FIG. 8 is a sectional view of a semiconductor component manufactured by a wire bonding method.

【図９】フリップチップ方式により製造された半導体部
品の斜視図。FIG. 9 is a perspective view of a semiconductor component manufactured by a flip chip method.

【図１０】ＴＡＢ方式により製造された半導体部品の断
面図。FIG. 10 is a sectional view of a semiconductor component manufactured by the TAB method.

【図１１】図１０の要部拡大図。11 is an enlarged view of a main part of FIG.

【図１２】図１１の平面図。12 is a plan view of FIG.

【図１３】フープ状のリードフレームの側面図。FIG. 13 is a side view of a hoop-shaped lead frame.

【図１４】図１３の要部拡大平面図。FIG. 14 is an enlarged plan view of an essential part of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２０１ ウエハ ２０３ 半導体チップ ２０４ 電極パッド ３０１ ウエハリング ３０２ ウエハシート ４０１ リードフレーム ７０１ 配線基板 201 wafer 203 semiconductor chip 204 electrode pad 301 wafer ring 302 wafer sheet 401 lead frame 701 wiring board

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】ＩＣ回路が形成されたウエハをウエハリン
グ上のウエハシートに固定し、前記ウエハを個々の半導
体チップに切り分け、前記ウエハから切り分けた半導体
チップが前記ウエハシートに固定された状態で、前記ウ
エハリングを導電性材料から成る支持手段により支持し
てチャンバ内に密閉し、該ウエハリングにプラズマ洗浄
処理を施し、得られた半導体チップを接着剤を介してリ
ードフレーム上にマウントし、前記接着剤を硬化させた
後、前記半導体チップの電極パッドと前記リードフレー
ムのリードとをボンディングワイヤにより電気的に接続
するようにしたことを特徴とする半導体部品の製造方
法。1. A wafer on which an IC circuit is formed is fixed to a wafer sheet on a wafer ring, the wafer is cut into individual semiconductor chips, and the semiconductor chips cut from the wafer are fixed to the wafer sheet. , The wafer ring is supported by a supporting means made of a conductive material.
The wafer ring is plasma-cleaned, the obtained semiconductor chip is mounted on a lead frame via an adhesive, the adhesive is cured, and then the electrode pad of the semiconductor chip is sealed. And a lead of the lead frame are electrically connected to each other by a bonding wire. 【請求項２】ＩＣ回路が形成されたウエハをウエハリン
グ上のウエハシートに固定し、前記ウエハを個々の半導
体チップに切り分け、前記ウエハから切り分けた半導体
チップが前記ウエハシートに固定された状態で、前記ウ
エハリングを導電性材料から成る支持手段により支持し
てチャンバ内に密閉し、該ウエハリングにプラズマ洗浄
処理を施し、得られた半導体チップの電極パッドにバン
プを介して、配線基板のリードに電気的に接続するよう
にしたことを特徴とする半導体部品の製造方法。2. A wafer on which an IC circuit is formed is fixed to a wafer sheet on a wafer ring, the wafer is cut into individual semiconductor chips, and the semiconductor chips cut from the wafer are fixed to the wafer sheet. , The wafer ring is supported by a supporting means made of a conductive material.
And then sealed in the chamber, plasma-cleaned on the wafer ring, and electrically connected to the leads of the wiring board via bumps on the electrode pads of the obtained semiconductor chip. Manufacturing method of parts. 【請求項３】前記ウエハリングにプラズマ洗浄処理を施
すプラズマ洗浄装置として、気密状態に密閉可能なチャ
ンバと、このチャンバ内にプラズマ反応ガスを供給する
手段と、前記チャンバ内に設けられた一対の電極と、こ
れらの電極間に高周波電圧を印加する手段と、前記各チ
ャンバに設けられ、前記ウエハリングを前記一対の電極
間で支持する導電性材料から成る支持手段とを備えたも
のを用いることを特徴とする請求項１または２に記載の
半導体部品の製造方法。As 3. A plasma cleaning apparatus for performing a plasma cleaning process to the wafer ring, and a sealable chamber air-tight, and means for supplying a plasma reaction gas into the chamber, provided in said chamber pair Electrode, a means for applying a high frequency voltage between these electrodes, and a supporting means provided in each chamber and made of a conductive material for supporting the wafer ring between the pair of electrodes are used. The method of manufacturing a semiconductor component according to claim 1 or 2, characterized in that. 【請求項４】前記プラズマ洗浄装置が前記チャンバを二
個備えるとともにこれらのチャンバが交互にプラズマ洗
浄処理を行うように構成されたことを特徴とする請求項
３に記載の半導体部品の製造方法。4. The method of manufacturing a semiconductor component according to claim 3, wherein the plasma cleaning apparatus is provided with two chambers, and these chambers are configured to alternately perform a plasma cleaning process. 【請求項５】前記プラズマ洗浄装置が前記チャンバに前
記ウエハリングを搬入・搬出する手段を備えたことを特
徴とする請求項３または４に記載の半導体部品の製造方
法。5. The method of manufacturing a semiconductor component according to claim 3, wherein the plasma cleaning apparatus includes means for loading / unloading the wafer ring into / from the chamber. 【請求項６】ＩＣ回路が形成されたウエハが切り分けら
れた半導体チップが固定されたウエハシートが固定され
たウエハリングと、気密状態に密閉可能なチャンバと、
このチャンバ内にプラズマ反応ガスを供給する手段と、
前記チャンバ内に設けられた一対の電極と、これらの電
極間に高周波電圧を印加する手段と、前記チャンバに設
けられ、前記ウエハリングを前記一対の電極間で支持す
る導電性材料から成る支持手段とを備えたことを特徴と
するプラズマ洗浄装置。6. A wafer ring wafer semiconductor chip wafer IC circuits are formed is diced is fixed sheet is fixed, a sealable chamber air-tight,
Means for supplying a plasma reaction gas into this chamber,
A pair of electrodes provided in the chamber, a means for applying a high-frequency voltage between these electrodes, and a support means provided in the chamber and made of a conductive material for supporting the wafer ring between the pair of electrodes. And a plasma cleaning device. 【請求項７】前記チャンバを二個備えるとともにこれら
のチャンバが交互にプラズマ洗浄処理を行うように構成
されたことを特徴とする請求項６に記載のプラズマ洗浄
装置。7. The plasma cleaning apparatus according to claim 6, wherein the two chambers are provided and the chambers are configured to alternately perform a plasma cleaning process. 【請求項８】前記チャンバに前記ウエハリングを搬入・
搬出する手段を備えたことを特徴とする請求項６または
７に記載のプラズマ洗浄装置。8. The wafer ring is loaded into the chamber.
The plasma cleaning apparatus according to claim 6 or 7, further comprising means for carrying out.
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