JP3461089B2 - Etching simulation equipment - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング・シミ
ュレーション装置、特にエッチングにより製造される製
品の形状を予測する際に適用して好適な、エッチング・
シミュレーション装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an etching simulation apparatus, and particularly to an etching simulation apparatus suitable for predicting the shape of a product manufactured by etching.
The present invention relates to a simulation device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】エッチング製品としては、例えば半導体
装置の電気的接続に使用するリードフレームやカラーテ
レビ用のシャドーマスク等が知られている。2. Description of the Related Art As an etching product, for example, a lead frame used for electrical connection of a semiconductor device, a shadow mask for a color television, and the like are known.
【０００３】このようなエッチング製品は、通常、金属
材料の表面に、所定形状のレジストパターンを形成し、
該レジストパターンをマスクにして金属の露出部をエッ
チング液で腐食することにより製造される。In such an etching product, a resist pattern having a predetermined shape is usually formed on the surface of a metal material,
It is manufactured by corroding the exposed portion of the metal with an etching solution using the resist pattern as a mask.
【０００４】ところが、実際のエッチングでは、レジス
トパターン上の場所や寸法の違い等によって金属材料の
腐食の程度が異なるため、通常は、エッチング製品の最
終形状とレジストパターンとは完全に一致しない。However, in actual etching, since the degree of corrosion of the metal material varies depending on the location on the resist pattern, the size of the resist pattern, etc., the final shape of the etched product and the resist pattern are usually not completely the same.
【０００５】従って、新たにエッチング製品を開発する
場合は、場所や寸法等の違いにより異なる腐食の程度を
考慮してレジストパターンを設計すると共に、そのレジ
ストパターンを使用すると確実に目標通りの寸法形状の
製品が得られることを確認した上で、それを最終的なレ
ジストパターンとして決定する必要がある。Therefore, when newly developing an etching product, the resist pattern is designed in consideration of the degree of corrosion which differs depending on the location, size, etc., and the use of the resist pattern ensures that the size and shape of the target are achieved. It is necessary to confirm that the above product can be obtained and then determine it as the final resist pattern.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来は
設計したレジストパターンについて、エッチング後の製
品の寸法形状を知るためには、その都度金属材料の表面
にそのレジストパターンを被着形成し、該材料にエッチ
ング処理を施して試作品（現物）を実際に作成した後、
その試作品について測定機等を用いて寸法形状を直接測
定しなければならないという問題があった。However, in order to know the dimension and shape of a product after etching with respect to a designed resist pattern, the resist pattern is adhered and formed on the surface of the metal material each time, and the material is After making a prototype (actual product) by etching the
There was a problem that the dimension and shape of the prototype must be directly measured using a measuring machine or the like.
【０００７】又、上記のように現物を試作しなければな
らないことから、材料費、レジストパターン作成費及び
エッチング処理費用等のコストを要する上に、エッチン
グ後の現物の形状を実際に測定しなければならないた
め、設計したレジストパターンの良否の判定までに長時
間を要するという問題があった。Further, since the actual product has to be prototyped as described above, the material cost, the resist pattern forming cost, the etching process cost and the like are required, and the actual shape of the etched product must be actually measured. Therefore, it takes a long time to judge whether the designed resist pattern is good or bad.
【０００８】本発明は、前記従来の問題点を解決するべ
くなされたもので、実際にエッチング処理を行うことな
く、作成したレジストパターンからエッチング後の現物
（製品）の形状を推定することができる、エッチング・
シミュレーション装置を提供することを課題とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and the shape of the actual product (product) after etching can be estimated from the created resist pattern without actually performing etching processing. ,etching·
An object is to provide a simulation device.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、材料表面に被
着された所定形状のレジストパターンをマスクに、該材
料をエッチング液によりエッチングして作成されるエッ
チング製品の形状を予測するエッチング・シミュレーシ
ョン装置であって、レジストパターンを仮想的にディス
プレイ上に表示する手段と、エッチング液粒子を仮想的
にディスプレイ上に発生させる手段と、ディスプレイ上
で前記エッチング液粒子を仮想的に運動させる手段と、
仮想的に運動する前記エッチング液粒子と前記レジスト
パターンとの衝突を、実際のエッチングによる材料の腐
食に変換する腐食変換手段と、変換された腐食に基づい
て、エッチング製品の形状を予測する手段と、を備えた
構成とすることにより、前記課題を解決したものであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is an etching method for predicting the shape of an etching product produced by etching a material with an etching solution using a resist pattern of a predetermined shape deposited on the surface of the material as a mask. a simulation apparatus, means for displaying a resist pattern virtually on a display, means for generating an etchant particles virtually on a display, and means for virtually movement said etchant particles on the display ,
And the etchant particles moving virtually collision with the resist pattern, and corrosion converting means for converting the corrosion of that by the actual etching material, based on the converted corrosion predict the shape of the etching products Means and means are provided to solve the above problems.
【００１０】即ち、本発明においては、レジストパター
ン及びエッチング液粒子（以下、エッチング粒子ともい
う）をそれぞれ仮想的にディスプレイ上に表示した後、
このレジストパターン上で、エッチング粒子を運動させ
ることにより、そのときに生じる該粒子とレジストパタ
ーンとの間の衝突をエッチングにおける腐食に対応させ
るようにしたので、例えば衝突回数を腐食量に変換する
ことにより擬似的なエッチング処理が可能となり、これ
によりエッチング後の現物の最終形状を推測することが
可能となる。That is, in the present invention, the resist pattern and the etching liquid particles (hereinafter also referred to as etching particles)
Virtual ) on the display,
By moving the etching particles on this resist pattern, the collision between the particles and the resist pattern generated at that time is made to correspond to the corrosion in etching. Therefore, for example, the number of collisions is converted into the amount of corrosion. This makes it possible to perform a pseudo etching process, which makes it possible to estimate the final shape of the actual product after etching.
【００１１】従って、従来は現物を実際に処理していた
ために要した材料費、レジストパターン作成費及びエッ
チング処理費用等のコストを削減することが可能とな
り、その上、短時間でエッチング後の形状を予測するこ
とが可能となり、ひいては、エッチング製品の開発期間
を大幅に短縮することが可能となる。Therefore, it is possible to reduce the material cost, the resist pattern forming cost, the etching process cost, and the like, which are required to actually process the actual product in the past, and moreover, the shape after etching can be achieved in a short time. Therefore, it is possible to significantly shorten the development period of the etching product.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
【００１３】図１は、本発明に係る第１実施形態のエッ
チング・シミュレーション装置の概略構成を示すブロッ
ク図である。FIG. 1 is a block diagram showing the schematic arrangement of an etching simulation apparatus according to the first embodiment of the present invention.
【００１４】本実施形態のシミュレーション装置は、材
料表面に被着された所定形状のレジストパターンをマス
クに、該材料をエッチングして作成されるエッチング製
品の形状を予測する機能を有しており、具体的には、デ
ィスプレイ１０と、ワークステーション等からなる制御
装置１２と、レジストパターンのデータ等を格納してお
く外部メモリ１４と、予め作成した（１）レジストパタ
ーン形状データ、（２）粒子数、（３）粒子の運動方
法、（４）繰返し数、（５）衝突−腐食変換方法等に関
するパラメータを、シミュレーション装置に入力し、設
定するためのパラメータ設定装置１６と、処理結果等を
出力する出力装置１８とを備えている。The simulation apparatus of the present embodiment has a function of predicting the shape of an etching product created by etching the material using a resist pattern of a predetermined shape deposited on the surface of the material as a mask, Specifically, the display 10, a control device 12 including a workstation, an external memory 14 for storing resist pattern data and the like, (1) resist pattern shape data created in advance, (2) number of particles , (3) Particle movement method, (4) Number of repetitions, (5) Parameters relating to collision-corrosion conversion method, etc. are input to the simulation device and a parameter setting device 16 for setting and processing results are output. And an output device 18.
【００１５】又、上記制御装置１２には、上記パラメー
タ設定装置１６から入力された上記（１）〜（５）等に
関する設定パラメータを保持するパラメータ記憶部１９
と、上記外部メモリ１４に格納されているレジストパタ
ーンのデータを読み込んで保持すると共に、それをディ
スプレイ１０上に仮想的に表示するためのフレームメモ
リ２０と、エッチング液粒子を仮想的にディスプレイ１
０上に発生させるエッチング液粒子発生部２２と、ディ
スプレイ１０上で前記エッチング粒子を仮想的に運動さ
せる運動部２４と、仮想的に運動する前記エッチング粒
子と前記レジストパターンとの衝突を、実際のエッチン
グにおける材料の腐食に変換する衝突−腐食変換部２６
と、変換された腐食に基づいてエッチング後の現物の形
状を予測する形状予測部２８とが含まれている。Further, the control device 12 has a parameter storage section 19 for holding the setting parameters relating to the above (1) to (5) etc. inputted from the parameter setting device 16.
And a frame memory 20 for reading and holding the resist pattern data stored in the external memory 14 and virtually displaying the data on the display 10, and a virtual display 1 of the etching liquid particles.
0, the etching liquid particle generating portion 22, the moving portion 24 that virtually moves the etching particles on the display 10, and the collision between the virtually moving etching particles and the resist pattern. Collision-corrosion conversion unit 26 for converting material to corrosion in etching
And a shape prediction unit 28 that predicts the shape of the actual product after etching based on the converted corrosion.
【００１６】本実施形態においては、以下のようなシミ
ュレーションにより、エッチング形状を予測する。In this embodiment, the etching shape is predicted by the following simulation.
【００１７】まず、上記パラメータ記憶部１９から読み
込まれる（１）レジストパターン形状データ、（２）粒
子数等に関するパラメータに基づいて、図２に示すよう
に、ディスプレイ１０上にレジストパターンＲをフレー
ムメモリ２０により仮想的に表示すると共に、エッチン
グ液粒子発生部２２によりエッチング液粒子（二次元の
仮想粒子モデル）Ｐを仮想的に同ディスプレイ１０上に
発生させ、表示する。このレジストパターンＲでは、斜
線部がレジスト部で、白の空隙部が金属露出部に相当す
る。そして、図２にはこの空隙部に粒子Ｐが発生させた
状態が示してあるが、この粒子Ｐの発生位置は、乱数を
使用する等によりランダムに決定する。First, based on (1) resist pattern shape data and (2) parameters relating to the number of particles, etc., read from the parameter storage unit 19, as shown in FIG. The display 20 is virtually displayed, and the etching liquid particle generator 22 virtually generates and displays the etching liquid particles (two-dimensional virtual particle model) P on the display 10. In this resist pattern R, the shaded portion corresponds to the resist portion and the white void portion corresponds to the exposed metal portion. Then, FIG. 2 shows a state in which particles P are generated in the void portion, but the generation position of the particles P is randomly determined by using a random number or the like.
【００１８】次いで、前記パラメータ記憶部１９から読
み込まれる（３）粒子の運動方法、（４）繰返し数等の
パラメータに基づいて、運動部２４により、図３に示す
ように上記ディスプレイ１０上でエッチング液粒子Ｐを
仮想的に運動させる。この粒子Ｐの運動方向（矢印で示
したベクトル方向）も乱数等によりランダムに設定す
る。Then, based on parameters such as (3) particle movement method and (4) number of repetitions read from the parameter storage unit 19, the motion unit 24 performs etching on the display 10 as shown in FIG. The liquid particle P is virtually moved. The moving direction of the particles P (the vector direction indicated by the arrow) is also randomly set by random numbers or the like.
【００１９】そして、図４に示すように、運動する粒子
Ｐ1 は方向ベクトルに沿って直進し、レジストパターン
Ｒの側壁に衝突すると消滅すると共に、消滅した粒子に
代わって空隙部に新たな粒子Ｐ2 が発生するようにす
る。Then, as shown in FIG. 4, the moving particle P1 goes straight along the direction vector and disappears when it collides with the side wall of the resist pattern R, and in addition to the disappeared particle, a new particle P2 in the void portion. To occur.
【００２０】上記のように運動させた結果、粒子Ｐとレ
ジストパターンＲとが衝突した場合は、前記パラメータ
設定部１９から読み込まれる（５）衝突−腐食変換方法
等に関するパラメータに基づいて、衝突−腐食変換部２
６により粒子Ｐの衝突を腐食に変換する処理が実行され
る。ここでは、例えば、レジストパターンＲの側壁Ｗと
その内側の空隙部を拡大して示した図５に、該側壁Ｗに
衝突した粒子Ｐに矢印を付して示したように、該粒子Ｐ
が衝突した位置のレジストパターンを後退させる処理が
行われる。即ち、粒子Ｐの１回の衝突が、その衝突位置
を中心とする矩形の一定面積の後退量に変換する処理が
行われる。When the particles P and the resist pattern R collide with each other as a result of the movement as described above, the collision-based on the parameters (5) collision-corrosion conversion method and the like read from the parameter setting unit 19. Corrosion conversion unit 2
The process of converting the collision of the particles P into corrosion is performed by 6. Here, for example, as shown in FIG. 5 in which the side wall W of the resist pattern R and the void portion inside thereof are enlarged, the particle P colliding with the side wall W is indicated by an arrow,
A process of retracting the resist pattern at the position where the collision occurs is performed. That is, a process of converting one collision of the particle P into a receding amount of a rectangular constant area centered on the collision position is performed.
【００２１】なお、ここでは、便宜上レジストパターン
Ｒの後退量に変換するとしているが、実際にはレジスト
パターンＲの裏側に隠れている金属材料が該レジストパ
ターンの側壁Ｗを越えてエッチングされるサイドエッチ
ング量に変換していることに当る。Although it is assumed here that the resist pattern R is converted into the receding amount for the sake of convenience, the metal material hidden behind the resist pattern R is actually etched over the side wall W of the resist pattern R. This corresponds to conversion to the etching amount.
【００２２】上述した粒子Ｐのランダム方向への運動
と、その運動によって発生する粒子Ｐの衝突をレジスト
パターンＲの後退量に変換する処理を複数回繰返すこと
により、形状予測部２８により非レジスト部を最終のエ
ッチング形状として予測する。By repeating the above-described motion of the particles P in the random direction and the process of converting the collision of the particles P generated by the motion into the receding amount of the resist pattern R a plurality of times, the shape predicting unit 28 performs the non-resisting process. Is predicted as the final etching shape.
【００２３】図６は、このように予測した最終形状を模
式的に示したものであり、点線部分が元のレジストパタ
ーンの側壁Ｗに当る。この最終形状の予測は、前記形状
予測部２８において、粒子Ｐが衝突した位置座標におけ
る後退量を、各衝突位置毎に順次加算する処理を、レジ
ストパターン全体にわたって行うことにより実行され
る。FIG. 6 schematically shows the final shape predicted in this way, and the dotted line portion corresponds to the side wall W of the original resist pattern. The prediction of the final shape is performed by the shape predicting unit 28 by performing a process of sequentially adding the receding amount at the position coordinates where the particles P collide for each collision position over the entire resist pattern.
【００２４】以上詳述した本実施形態によれば、実際に
エッチングを行うことなく、最終的なエッチング形状を
短時間で予測することが可能となる。According to this embodiment described in detail above, the final etching shape can be predicted in a short time without actually performing etching.
【００２５】なお、前記エッチング液粒子発生部２２に
より粒子Ｐに与える運動のさせ方としては、例えば、図
７に示すように、全ての粒子Ｐがレジストパターンの側
壁Ｗに衝突して消滅するようにしても良く、又、その際
に、図８に示すように、いわゆるブラウン運動に似せた
動きをするようにしもて良い。As a method of moving the particles P by the etching liquid particle generator 22, for example, as shown in FIG. 7, all particles P collide with the side wall W of the resist pattern and disappear. Alternatively, at that time, as shown in FIG. 8, a movement similar to the so-called Brownian movement may be performed.
【００２６】又、エッチング液の流れを周期的に変えて
処理する場合を想定して、図９に示すように、全ての粒
子の方向ベクトルを一定周期毎に変えるようにしても良
い。又、図１０に示すように、粒子Ｐが側壁で反射を繰
返すようにしても良く、又、図１１に示すように粒子Ｐ
が側壁Ｗで反射を繰返すと共に、それが一定距離進む
と、白丸で示したように消滅するようにしても良い。Assuming a case where the flow of the etching solution is changed periodically, the direction vectors of all particles may be changed at regular intervals as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 10, the particles P may be repeatedly reflected on the side wall, and as shown in FIG.
May repeat the reflection on the side wall W, and may disappear as indicated by a white circle when it advances a certain distance.
【００２７】又、粒子Ｐの衝突による腐食量を、前記図
５には１回の衝突につき、一定面積の矩形とする場合を
示したが、これに限定されず、円や半円等の任意の図形
を対応させても良い。又、腐食量の評価は、衝突回数だ
けでなく、衝突する際の角度等を考慮するようにしても
良い。Further, although the amount of corrosion caused by the collision of the particles P is shown in FIG. 5 as a rectangle having a constant area per collision, the present invention is not limited to this and any circle or semicircle can be used. The figures may be associated with each other. The evaluation of the amount of corrosion may take into consideration not only the number of collisions but also the angle at the time of collision.
【００２８】次に、本発明に係る第２実施形態について
説明する。Next, a second embodiment according to the present invention will be described.
【００２９】本実施形態のエッチング・シミュレーショ
ン装置は、衝突−腐食変換部２６による変換処理を以下
のように実行するようにした以外は、前記第１実施形態
の装置と実質的に同一である。The etching simulation apparatus of the present embodiment is substantially the same as the apparatus of the first embodiment except that the conversion processing by the collision-corrosion conversion unit 26 is executed as follows.
【００３０】即ち、図１２に、ＸＹ平面に表わしたレジ
ストパターンＲについて、該パターンＲを固定した状態
で、粒子Ｐをランダムに運動させた際に、その側壁の単
位長さ当りに衝突した回数をＺ軸方向に示したように、
該パターンＲの場所によって衝突回数が異なり、この回
数が実際のエッチングによる腐食量に略対応しているこ
とが判明した。この図１２でＸ方向、Ｙ方向は共に単位
はμｍ、Ｚ軸方向の衝突回数の単位は１／μｍである。That is, for the resist pattern R shown in the XY plane in FIG. 12, the number of collisions per unit length of the side wall when the particles P are randomly moved with the pattern R fixed. As shown in the Z-axis direction,
It was found that the number of collisions was different depending on the location of the pattern R, and this number almost corresponded to the amount of corrosion caused by actual etching. In FIG. 12, the unit for both the X direction and the Y direction is μm, and the unit for the number of collisions in the Z axis direction is 1 / μm.
【００３１】そこで、本実施形態では、上記図１２に示
したレジストパターンＲの側壁の各位置における単位長
さ当りの衝突回数を、単純にその位置におけるサイドエ
ッチング量と想定し、そのサイドエッチング量を対応す
るレジストパターンＲの側壁から差引いた残りの形状
を、エッチング後の最終形状として予測するようにし
た。Therefore, in the present embodiment, the number of collisions per unit length at each position of the side wall of the resist pattern R shown in FIG. 12 is simply assumed to be the side etching amount at that position, and the side etching amount. The remaining shape obtained by subtracting from the corresponding side wall of the resist pattern R is predicted as the final shape after etching.
【００３２】本実施形態によれば、粒子の衝突によるレ
ジストパターンＲの後退を考慮に入れないため、前記第
１実施形態の場合に比べて精度は若干劣るものの、固定
した形状のレジストパターンの各位置における衝突回数
を単に計数し、それを各位置での後退量に変換するだけ
でエッチング形状を予測できるため、それだけ計算が簡
単になることから、シミュレーションを極めて容易に行
うことができる。According to the present embodiment, since the receding of the resist pattern R due to the collision of particles is not taken into consideration, the accuracy is slightly inferior to the case of the first embodiment, but each of the resist patterns having a fixed shape is Since the etching shape can be predicted by simply counting the number of collisions at the position and converting it into the amount of retreat at each position, the simulation becomes extremely easy because the calculation becomes simpler.
【００３３】次に、本発明に係る第３実施形態について
説明する。Next, a third embodiment according to the present invention will be described.
【００３４】本実施形態のエッチング・シミュレーショ
ン装置は、衝突−腐食変換部２６による変換処理等を、
材料の断面方向を考慮した３次元でのシミュレーション
へも展開できるようにした以外は、前記第１実施形態の
装置と実質的に同一である。The etching / simulation apparatus of the present embodiment performs conversion processing by the collision-corrosion conversion unit 26, etc.
The apparatus is substantially the same as the apparatus of the first embodiment except that it can be applied to a three-dimensional simulation in which the cross-sectional direction of the material is taken into consideration.
【００３５】図１３は、本実施形態におけるエッチング
のシミュレーションの様子を概念的に示した部分斜視図
である。図中、太線は材料の表裏両面に被着されている
レジストパターン（膜）Ｒａ、Ｒｂを、矢印は仮想的な
粒子Ｐの運動軌跡を、細線は該粒子Ｐの衝突によりエッ
チングされた材料Ｍを、それぞれ表わしている。FIG. 13 is a partial perspective view conceptually showing the state of the etching simulation in this embodiment. In the figure, thick lines indicate resist patterns (films) Ra and Rb deposited on both front and back surfaces of the material, arrows indicate imaginary loci of movement of particles P, and thin lines indicate material M etched by collision of the particles P. Are represented respectively.
【００３６】本実施形態においては、材料Ｍの厚さ方向
についてもエッチングのシミュレーションが可能であ
る。従って、通常、エッチング後の材料の断面形状を観
察するためには、現物を断面方向に切断し、その切断面
を顕微鏡等で観察するといった作業が必要であるが、本
実施形態によれば、これらの面倒な手間を軽減すること
が可能となる。In this embodiment, the etching simulation can be performed in the thickness direction of the material M as well. Therefore, normally, in order to observe the cross-sectional shape of the material after etching, it is necessary to cut the actual product in the cross-sectional direction and observe the cut surface with a microscope or the like, according to the present embodiment, It is possible to reduce these troublesome works.
【００３７】以上、本発明を具体的に説明したが、本発
明は、前記実施形態に示したものに限られるものでな
く、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。The present invention has been specifically described above, but the present invention is not limited to the one shown in the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
【００３８】例えば、前記実施形態では、計算を容易に
するために、粒子の衝突によるレジストパターンの後退
量を、一定面積の矩形とする場合を示したが、これに限
定されない。For example, in the above embodiment, in order to facilitate the calculation, the amount of receding of the resist pattern due to the collision of particles is shown as a rectangle having a constant area, but the present invention is not limited to this.
【００３９】又、レジストパターンの形状は、前記実施
形態に示したものに限られるものでないことは言うまで
もない。Needless to say, the shape of the resist pattern is not limited to that shown in the above embodiment.
【００４０】[0040]
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
実際にエッチングを行うことなく、作成したレジストパ
ターンからエッチング後の製品形状を容易に推定するこ
とができる。As described above, according to the present invention,
The product shape after etching can be easily estimated from the created resist pattern without actually performing etching.
【図１】本発明に係る第１実施形態のシミュレーション
装置の概略構成を示すブロック図FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a simulation device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】ディスプレイ上に表示したレジストパターンと
仮想的に発生させたエッチング液粒子モデルを示す説明
図FIG. 2 is an explanatory view showing a resist pattern displayed on a display and an etching liquid particle model virtually generated.
【図３】発生させた粒子の位置及び方向ベクトルを乱数
を用いて決定した様子を示す説明図FIG. 3 is an explanatory diagram showing how the position and direction vector of generated particles are determined using random numbers.
【図４】発生させた粒子の運動のさせ方を示す説明図FIG. 4 is an explanatory diagram showing how to move the generated particles.
【図５】粒子の衝突と腐食量との関係を示す説明図FIG. 5 is an explanatory diagram showing the relationship between the collision of particles and the amount of corrosion.
【図６】粒子の衝突の繰返しにより最終的に予測される
エッチング形状を示す説明図FIG. 6 is an explanatory diagram showing an etching shape finally predicted by repeated collision of particles.
【図７】粒子が側壁に衝突して消滅する場合を示す説明
図FIG. 7 is an explanatory view showing a case where particles collide with side walls and disappear.
【図８】粒子がブラウン運動する場合を示す説明図FIG. 8 is an explanatory diagram showing a case where particles make Brownian motion.
【図９】全粒子の方向ベクトルを一定周期で変える場合
を示す説明図FIG. 9 is an explanatory diagram showing a case where the direction vectors of all particles are changed in a constant cycle.
【図１０】粒子が側壁で反射を繰返す場合を示す説明図FIG. 10 is an explanatory diagram showing a case where particles repeat reflection on a side wall.
【図１１】粒子が側壁で反射を繰返した後に消滅する場
合を示す説明図FIG. 11 is an explanatory diagram showing a case where particles disappear after being repeatedly reflected on a sidewall.
【図１２】レジストパターンとその側壁の単位長さ当り
の粒子の衝突回数を示す説明図FIG. 12 is an explanatory diagram showing the number of collisions of particles per unit length of a resist pattern and its sidewall.
【図１３】３次元のシミュレーションの様子を概念的に
示す部分斜視図FIG. 13 is a partial perspective view conceptually showing a state of a three-dimensional simulation.
１０…ディスプレイ １２…制御装置 １４…外部メモリ １６…入力装置 １８…出力装置 ２０…フレームメモリ ２２…エッチング液粒子発生部 ２４…運動部 ２６…衝突−腐食変換部 ２８…形状予測部 Ｒ…レジストパターン Ｐ…エッチング液粒子 Ｗ…側壁 Ｍ…材料 10 ... Display 12 ... Control device 14 ... External memory 16 ... Input device 18 ... Output device 20 ... Frame memory 22 ... Etching liquid particle generation part 24 ... Exercise Department 26 ... Collision-corrosion converter 28 ... Shape prediction unit R: resist pattern P ... Etching liquid particles W ... Side wall M ... Material
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 智 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 四元 雄一郎 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 金井 雄二 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 鈴木 浩 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−1034（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−171994（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−245433（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−159238（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23F 1/00 - 1/46 C23F 4/00 - 4/04 H01L 21/306 - 21/308,23/50 G06F 17/50 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Satoshi Watanabe 1-1-1, Ichiya-Kagacho, Shinjuku-ku, Tokyo Within Dai Nippon Printing Co., Ltd. No. 1-1 Dai Nippon Printing Co., Ltd. (72) Inventor Yuji Kanai 1-1-1 Ichigaya Kaga-cho, Shinjuku-ku, Tokyo Inside 1-1 Dai Nippon Printing Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Suzuki 1-1-1 No. 1 within Dai Nippon Printing Co., Ltd. (56) Reference JP-A 63-1034 (JP, A) JP-A 9-171994 (JP, A) JP-A 4-245433 (JP, A) JP-A-3-159238 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) C23F 1/00-1/46 C23F 4/00-4/04 H01L 21/306-21 / 308,23 / 50 G06F 17/50
Claims (2)
パターンをマスクに、該材料をエッチング液によりエッ
チングして作成されるエッチング製品の形状を予測する
エッチング・シミュレーション装置であって、 レジストパターンを仮想的にディスプレイ上に表示する
手段と、 エッチング液粒子を仮想的にディスプレイ上に発生させ
る手段と、 ディスプレイ上で前記エッチング液粒子を仮想的に運動
させる手段と、 仮想的に運動する前記エッチング液粒子と前記レジスト
パターンとの衝突を、実際のエッチングによる材料の腐
食に変換する腐食変換手段と、 変換された腐食に基づいて、エッチング製品の形状を予
測する手段と、を備えていることを特徴とするエッチン
グ・シミュレーション装置。1. An etching simulation apparatus for predicting the shape of an etching product produced by etching the material with an etching solution using a resist pattern having a predetermined shape deposited on the surface of the material as a mask. there, means for displaying a resist pattern virtually on a display, means for generating an etchant particles virtually on a display, and means for virtually movement said etchant particles on a display, virtual and the etchant particles for movement collision with the resist pattern, and corrosion converting means for converting the corrosion of that by the actual etching material, based on the converted corroded, and means for predicting the shape of the etching products An etching simulation apparatus characterized by comprising:
パターンの後退量に変換し、該後退量をエッチング液粒Converted to the pattern receding amount, and the receding amount is the etching liquid particle.
子が衝突した位置の材料の腐食量に変換することを特徴Characterized by converting the amount of corrosion of the material at the position where the child collides
とする請求項１に記載のエッチング・シミュレーションThe etching simulation according to claim 1.
装置。apparatus.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP22110996A JP3461089B2 (en) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | Etching simulation equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22110996A JP3461089B2 (en) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | Etching simulation equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064879A JPH1064879A (en) | 1998-03-06 |
| JP3461089B2 true JP3461089B2 (en) | 2003-10-27 |
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ID=16761631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP22110996A Expired - Fee Related JP3461089B2 (en) | 1996-08-22 | 1996-08-22 | Etching simulation equipment |
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|---|---|---|---|---|
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1996
- 1996-08-22 JP JP22110996A patent/JP3461089B2/en not_active Expired - Fee Related
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