JP3460101B2 - 気相化学反応を用いたエッチング方法 - Google Patents
気相化学反応を用いたエッチング方法Info
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Description
ッチング方法に関するものであり、特に、電極形成前の
前処理工程におけるエッチング方法及び電極形成後にお
けるCVD装置の反応室内のエッチング方法に関するも
のである。
金属電極のオーミック性を高めるために金属電極形成前
に行っている金属電極表面の自然酸化膜の除去等の前処
理としては、RF電力によってプラズマ化したArガス
を利用した逆スパッタ法が広く用いられているが、この
逆スパッタ法は半導体基板表面に与えるダメージが大き
いため、第1層目の配線工程にはほとんど用いられてい
なかった。
ッタ法を用いて金属電極膜を堆積することが一般的であ
るが、スパッタ装置においては10-7Torr程度の高
真空度が要求され、高性能の排気系を必要としていた。
法を用いて金属電極を形成しようとすると、高真空度の
逆スパッタ装置と低真空度の化学気相堆積装置(CVD
装置)とをクラスター化(モジュール化)しようとする
場合に、問題があった。
金属電極を堆積させるためのCVD装置とをクラスター
化した場合の概略的構成図を表すものであり、図4を参
照してクラスター化の際の問題点を説明する。
8と金属電極を堆積させるためのCVD装置29とをク
ラスター化する場合には、両者の間で被処理基板である
半導体ウェハ31の搬入・搬出を行うためにトランスフ
ァーチャンバー30を設けることになるが、前処理装置
28とCVD装置29との間の真空度の整合性が悪いた
め所謂クロスコンタミネーションが発生する問題があ
る。
理装置28との気圧整合を取るためにトランスファーチ
ャンバー30の真空度も10-5Torr程度の真空度に
なっているが、CVD装置29の真空度は10-2〜10
-5Torr程度と比較的低真空度であるので、CVD装
置29内の半導体ウェハ31をトランスファーチャンバ
ー30へ搬出する場合、CVD装置29の反応室内に残
留する反応ガスや反応生成物の一部がトランスファーチ
ャンバー30に流入し、汚染が発生する。
CVD装置との整合性の良い気相化学反応による前処理
も種々提案されており、例えば、HClやSF6 を用い
た前処理(特開昭62−72131号公報参照)、NF
3 を用いた前処理(特開昭62−216224号公報、
特開平1−134930号公報、特開平1−31967
9号公報参照)、或いは、NF3 +H2 混合ガスを用い
た前処理(特開平2−77124号公報参照)等が提案
されている。
プラズマ反応を利用しているものであり、金属表面の自
然酸化膜や半導体表面の自然酸化膜の除去に有効である
以外、コンタクトホール形成の際のCF4 等を用いたプ
ラズマエッチングに起因して半導体基板との界面近傍に
発生する残留物(カーボンのポリマー)の除去にも効果
がある。
置の反応室の内壁のエッチング、即ち、クリーニングに
も有効であり、特に、NF3 プラズマを用いたクリーニ
ングは、その効率の良さから広く用いられている。
を行った場合に、CVD装置の反応室の内壁やヒーター
周辺にも不所望なCVD膜の堆積が生じ、堆積したCV
D膜が剥がれて次の成膜工程におけるゴミの原因となる
ので、この不所望なCVD膜を除去するために行うもの
である。
化学反応によるエッチング方法が注目を集めており、こ
れは、ClF3 が熱だけで分解してFラジカルを発生
し、このFラジカルを用いて各種のエッチング処理が可
能となるためであり、また、CVD装置の反応室のクリ
ーニング法の選択肢を増やすものとしても注目を集めて
いる。なお、ClF3 の熱分解反応は、ClF3 →Cl
F2 +F、或いは、ClF3→ClF+F2 のようにな
るものと考えられており、Fラジカルは発生しても、C
lラジカルは容易には発生しない。
ラズマ反応を用いた気相化学反応によるエッチング方法
は、半導体表面の自然酸化膜或いは金属表面の自然酸化
膜等の各種の被膜の除去が可能なArを用いた逆スパッ
タ法とは異なり、前処理の内容、即ち、被エッチング部
材の種類によってエッチングガスを変える必要があり、
また、プラズマ発生機構を必要とするために、エッチン
グ系が複雑化・大型化する欠点がある。
化膜を除去する場合には、Wのフッ化物はWの塩化物よ
りも蒸気圧が高いためNF3 等のフッ素系のガスを用意
する必要があり、一方、TiN等のように塩化物の方が
蒸気圧が高い対象に対しては塩素系のガスが必要である
ので、被エッチング部材によって最低2種類のガスを用
意する必要があった。
ガスのみでエッチングを行った場合には、反応生成物の
蒸気圧が低い場合には、蒸気圧をより高めるためにエッ
チングの際の基板温度を高くする必要があり、前処理装
置に対する負荷になる。
よりもフッ化物の蒸気圧の低いTiN膜を除去する場合
には、蒸気圧を上げるために基板温度、即ち、反応室の
温度を上げる必要があるが、温度を上げると反応室に使
われているステンレス(SUS)等の母材がエッチング
されてしまう問題がある。即ち、高温では、ステンレス
中のNi、Cr、或いは、FeがFラジカルと反応し
て、反応室の腐食が発生する。
てW等のフッ化物より塩化物の蒸気圧の低い被エッチン
グ部材をエッチングする場合には、やはり、蒸気圧を高
めるために処理温度を上げる必要があり、この場合の塩
素系ガスは、NF3 やSF6等のフッ素系ガス以上に反
応室やヒーターの腐食に影響を及ぼす。
においてNF3 は広く用いられているものの、NF3 ガ
スは水に対して不溶性であるため排ガス処理が困難であ
る欠点があり、また、プラズマ反応を用いているため
に、プラズマが拡がらない領域の堆積被膜のエッチング
ができないという問題がある。
した堆積被膜が塩化物の蒸気圧よりもフッ化物の蒸気圧
の低いTiN等であれば、前処理工程と同様に、反応室
の温度を上げる必要があり、そうすると反応室に使われ
ているステンレス等の母材の腐食が発生するという問題
がある。
るエッチング方法は、プラズマ反応を用いることなく、
低温の熱分解を利用するものであるので、装置の小型化
が可能であり、また、プラズマを使用しないので、基板
にプラズマダメージが発生しない等の各種の利点があ
る。
ないので、塩化物よりもフッ化物の蒸気圧の低いTiN
膜を除去する場合には、NF3 と同様に反応室の温度を
上げる必要があり、そうすると反応室に使われているス
テンレス等の母材の腐食が発生するという問題が同様に
発生する。
いることなく、且つ、処理温度を上げることなく、一つ
のエッチングガス系のみを用いて各種の被エッチング部
材を効率良くエッチングすることを目的とする。
を用いたエッチング方法において、エッチングガスとし
てClF3 と、NH 3 、B 2 H 6 (ジボラン)、及び、
PH 3 (フォスフィン)の内の一つからなるH+ 源とな
るガスとの混合ガスを用いて被エッチング部材をエッチ
ングすることを特徴とする。
表面の自然酸化膜或いは半導体表面の自然酸化膜である
ことを特徴とする。また、本発明は、被エッチング部材
が化学気相堆積装置の反応室内に付着した堆積被膜であ
ることを特徴とする。
r、及び、Heの内の少なくとも1つのガスで希釈する
ことを特徴とする。
て、エッチングガスとしてClF3 とNH 3 、B
2 H 6 、及び、PH 3 の内の一つからなるH+ 源となる
ガスとの混合ガスを用いることによって、プラズマ反応
を用いることなく、且つ、処理温度を上げることなく、
各種の被エッチング部材を効率よくエッチングすること
が可能になる。
あり且つH+ 源となるガスであるNH3 とを通常の状態
で混合させた場合には、激しく反応し、時には爆発を伴
うが、減圧CVD法のような希薄な圧力下では特段の問
題は生ぜず、理想的には、 4NH3 +3ClF3 →2N2 +3HCl+9HF 但し、ΔH=−2064.3KJ/mol という反応が生じることになる。
ではFラジカルしか発生しないことを考えると、塩酸
(HCl)が生成される点が注目され、これは、塩化物
とフッ化物の両方を形成できることを意味している。即
ち、前記の化学反応式は、完全に燃焼が進行した場合の
理想的な場合を表すものであるので、減圧CVD装置の
反応室内において、ガス同士が遭遇して完全な燃焼に至
るまでには、F及びClの両方のラジカルが存在する過
程が推測されるものである。
れるClF或いはClF2 がNH3から供給されるH+
によって更に分解され、Clラジカルが生成されること
になる。
ス中には、FラジカルとClラジカルの両方が存在する
ことになるので、ClF3 とNH3 の流量比を制御する
ことによって、フッ化物の蒸気圧の方が高い被エッチン
グ部材及び塩化物の蒸気圧の方が高い被エッチング部材
の両者を処理温度を上げることなく、効率良くエッチン
グすることができる。
チング部材をエッチングする場合には、Clラジカルの
比率を多くするためにNH3 の量をより多くすれば良
く、フッ化物の蒸気圧の方が高い被エッチング部材をエ
ッチングする場合には、Fラジカルの比率を多くするた
めにNH3 の量をより少なくすれば良く、この場合のN
H3 はエッチング・レートを制御する作用がある。
ジカルが生成されるので、減圧下でも比較的低温で反応
が生ずることになり、反応室に腐食を生ずることなくエ
ッチング処理を行うことが可能になる。
合ガスを用いることのみによって、各種の金属表面の自
然酸化膜や半導体表面の自然酸化膜の除去が可能にな
り、また、プラズマ反応を用いないのでコンタクトホー
ル形成工程への適用が可能になり、この場合には、半導
体基板にダメージを与えることなく半導体基板表面の自
然酸化膜を除去することができるので、ソース・ドレイ
ン電極等のオーミック性が向上する。
合ガスを用いることによって、化学気相堆積装置の反応
室内のプラズマが拡がらない領域に付着した堆積被膜を
低温で除去することが可能になる。
合ガスをN2 、Ar、及び、Heの内の少なくとも1つ
のガスで希釈することによってエッチングガスの分圧を
制御し、エッチング速度を簡単に制御することができ
る。
には前記の化学反応式に沿った安定は反応によってFラ
ジカル及びClラジカルの両方を発生させることがで
き、また、B2 H6 またはPH3 をH+ 源として用いた
場合には、B2 H6 及びPH3はシリコンプロセスにお
いて不純物源として常用されているので、入手及び排ガ
ス処理等が容易になる。
て金属配線層の形成前の前処理工程を行う第1の実施例
の製造工程を図1及び図2を参照して説明する。
示せず)を介して、バリア層となる50nmのTiN膜
2、第1Al配線層3、及び、反射防止膜となる50n
mのTiN膜4からなる配線層を形成したのち、PSG
膜からなる層間絶縁膜5を堆積させ、この層間絶縁膜5
の所定箇所をフォトレジスト6をマスクとしてCF4 等
のフッ素系ガスからなるエッチングガス7によるプラズ
マエッチングを施すことによって、ビアホール8を形成
する。
cmのClF3 、流量30sccmのNH3 、及び、流
量1000sccmの希釈用N2 からなる混合ガス9を
反応室の真空度が10-1Torrになるように制御した
状態で、基板温度を200℃にして2分間エッチング処
理を行う。この場合、エッチングに寄与するのは主にC
lラジカルであり、2分間で反射防止膜となるTiN膜
4表面が10nm程度エッチングされ、TiN膜4表面
に形成されている自然酸化膜が除去される。
て、ビアホール8内にW埋込接続電極11を形成する。
この場合、層間絶縁膜5の露出表面のダングリング・ボ
ンドは、ClF3 とNH3 との混合ガスの成分であるF
或いはClからなるハロゲン元素と結合してターミネイ
トし、層間絶縁膜5の表面が不活性になっているので、
層間絶縁膜5表面へのW層の堆積が起きにくくなり、W
層の選択堆積性がより高まる。
Al配線層13、及び、反射防止膜となる50nmのT
iN膜14を順次堆積させ、パターニングすることによ
って、第2層目の配線層を形成する。この後、必要とす
る配線層の数に応じて、同様の工程を繰り返す。
るものではなく、例えば、真空度は5×10-3〜101
Torrであれば良く、また、基板温度はあまり高いと
エッチング・レートが大きく反応室やヒーターを腐食す
ることになるので20℃〜400℃であれば良く、さら
に、ClF3 とNH3 の流量比(ClF3 /NH3 )は
0.1〜2.0の範囲であれば良い。
スとしてN2 を用いているが、希釈用ガスはエッチング
ガスの分圧を制御してエッチング速度を制御するための
ものであるので、Ar或いはHe等の不活性ガスを用い
ても良い。
としてNH3 を用いているが、シリコンプロセスにおい
て不純物源として常用されているB2 H6 及びPH3 も
化学反応においてH+ 源となることが知られているの
で、NH3 の代わりにB2 H6またはPH3 を用いても
良い。
に対するビアホールの形成工程、即ち、第2層目の配線
形成工程を説明しているが、本発明はプラズマ反応を用
いていないので、半導体基板に直接コンタクトホールを
形成する工程に適用しても良いものである。
室に付着した堆積被膜のエッチング方法に関する本発明
の第2の実施例の製造工程を説明する。 図3(a)参照 図に示す枚葉式の平行平板型減圧化学気相堆積装置法
(LPCVD装置)15は、原料ガス導入口22及び排
気口24を備えたステンレス製の反応室16、上部電極
17、及び、高周波電源21に接続された下部電極18
からなり、この下部電極18は半導体ウェハ20の載置
台を兼ねるものであり、且つ、半導体ウェハ20を所定
温度に加熱するヒーター19を備えている。
ェハ20に配線層のバリア層或いは反射防止膜を構成す
るTiN膜を堆積させる場合には、ヒーター19によっ
て半導体ウェハ20の温度を400℃にした状態で、原
料ガス導入口22からTiCl4 及びメチルヒドラジン
(MH)からなる原料ガス23をキャリアガスと共に反
応室1内に供給し、TiN膜(MH−TiN膜)を50
nm堆積させる。なお、このMH−TiN膜の形成方法
は低温成膜が可能な方法であり、既に本発明者等によっ
て出願されている(特開平6−61229号公報参
照)。
〜150℃に保つことによって、側壁にはほとんど成膜
は起こらないものの、ヒーター19近傍の温度は半導体
ウェハ20の温度よりも高いためにTiN膜が厚く(5
0nm程度)堆積するので、一枚の半導体ウェハの処理
が終わったのち次の成膜工程に備えるため、処理済の半
導体ウェハを取り出し、反応室16の内部をクリーニン
グすることによってTiNからなる堆積被膜を除去する
必要がある。
ち、原料ガス導入口22から流量10sccmのClF
3 、流量30sccmのNH3 、及び、流量100sc
cmの希釈用N2 からなる混合ガス26を反応室16の
真空度が10-1Torrになるように制御して供給した
状態で、ヒーター19近傍の温度を400℃にして30
秒処理して、主にClラジカルによって約50nmの厚
さのTiNからなる堆積被膜27を全て除去する。
るものではなく、例えば、真空度は5×10-3〜101
Torrであれば良く、また、基板温度は100℃〜4
00℃であれば良く、さらに、ClF3 とNH3 の流量
比(ClF3 /NH3 )は0.5〜5.0の範囲であれ
ば良い。
スとしてN2 を用いているが、第1の実施例と同様にA
r或いはHe等の不活性ガスを用いても良く、H+ 源と
してNH3 を用いているが、これも第1の実施例と同様
にB2 H6 またはPH3 を用いても良いものである。
型PLCVD装置のクリーニング法を説明しているが、
本発明の技術思想はこのような特定の装置のクリーニン
グ方法に限られるものではなく、各種の成膜装置のクリ
ーニングに適用できるものである。
Clラジカルを用いたエッチング方法を説明している
が、ClF3 とNH3 の流量比を変えることによってF
ラジカルを用いてW等のフッ化物の方が蒸気圧の高い物
質のエッチングにも用いることができ、その場合には、
NH3 の量によってFラジカルの発生量、即ち、エッチ
ング・レートを制御するものである。
3 /NH3 )が5以上の場合にはFラジカルが主になる
ので、W等のフッ化物の方が蒸気圧の高い物質をエッチ
ングする場合には、流量比(ClF3 /NH3 )を5以
上にすれば良い。
lF3 とNH3 とを反応させる励起方法としては、熱励
起法を用いているが、紫外線を用いた光励起法を用いて
も良く、或いは、熱励起法と光励起法とを組み合わせて
も良く、光励起法を用いた場合には、より低温処理化が
可能になる。
混合ガスを用いてエッチング処理を行うので、プラズマ
反応を用いることなく低温処理が可能になり、半導体製
造工程の前処理工程に適用した場合には、半導体基板に
プラズマダメージを与えることがなく、且つ、前処理装
置に腐食等の損傷を与えることがなく、また、CVD装
置等の成膜装置の反応室のクリーニングに適用した場合
には、プラズマが届かない領域のクリーニングが可能に
なり、且つ、反応室に腐食等の損傷を与えることがな
く、さらに、全体としても、プラズマ化のためのマッチ
ングボックス(バリアブルコンダクタ)を必要としない
ので、系全体を小型化することができる。
説明図である。
説明図である。
合の概略的構成図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 気相化学反応を用いたエッチング方法に
おいて、エッチングガスとしてClF3 と、NH 3 、B
2 H 6 、及び、PH 3 の内の一つからなるH+ 源となる
ガスとの混合ガスを用いて被エッチング部材をエッチン
グすることを特徴とする気相化学反応を用いたエッチン
グ方法。 - 【請求項2】 上記被エッチング部材が、金属表面の自
然酸化膜或いは半導体表面の自然酸化膜であることを特
徴とする請求項1記載の気相化学反応を用いたエッチン
グ方法。 - 【請求項3】 上記被エッチング部材が、化学気相堆積
装置の反応室内に付着した堆積被膜であることを特徴と
する請求項1記載の気相化学反応を用いたエッチング方
法。 - 【請求項4】 上記混合ガスを、N2 、Ar、及び、H
eの内の少なくとも1つのガスで希釈することを特徴と
する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の気相化学反
応を用いたエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02008895A JP3460101B2 (ja) | 1995-02-08 | 1995-02-08 | 気相化学反応を用いたエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02008895A JP3460101B2 (ja) | 1995-02-08 | 1995-02-08 | 気相化学反応を用いたエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08213367A JPH08213367A (ja) | 1996-08-20 |
JP3460101B2 true JP3460101B2 (ja) | 2003-10-27 |
Family
ID=12017359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02008895A Expired - Lifetime JP3460101B2 (ja) | 1995-02-08 | 1995-02-08 | 気相化学反応を用いたエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3460101B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
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---|---|---|---|---|
US5888906A (en) | 1996-09-16 | 1999-03-30 | Micron Technology, Inc. | Plasmaless dry contact cleaning method using interhalogen compounds |
US20230085078A1 (en) * | 2021-09-16 | 2023-03-16 | Hitachi High-Tech Corporation | Etching processing method and etching processing apparatus |
-
1995
- 1995-02-08 JP JP02008895A patent/JP3460101B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH08213367A (ja) | 1996-08-20 |
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