JP3458707B2 - Mounting unit - Google Patents

Mounting unit

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JP3458707B2
JP3458707B2 JP12318798A JP12318798A JP3458707B2 JP 3458707 B2 JP3458707 B2 JP 3458707B2 JP 12318798 A JP12318798 A JP 12318798A JP 12318798 A JP12318798 A JP 12318798A JP 3458707 B2 JP3458707 B2 JP 3458707B2
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mounting
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    • H01L2924/01079—Gold [Au]

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕ
ｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ−液晶ディスプ
レイ−）と実装基板との接続剤などとして用いられる異
方導電性フィルムによる実装ユニットに関するものであ
る。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an LCD (Liquor).
The present invention relates to a mounting unit made of an anisotropic conductive film used as a connecting agent between an id Crystal Display (liquid crystal display) and a mounting substrate.

【０００２】[0002]

【従来の技術】導電接続剤として用いられている異方導
電性フィルム−Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃ
ｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ−（以下、「ＡＣＦ」という。）
は、金属コートプラスチック粒子や金属粒子などの導電
粒子を熱硬化性樹脂等の樹脂に分散した導電フィルムで
ある。そして、ボールバンプあるいはめっきバンプの形
成された半導体チップとＡＣＦの貼られた実装基板とに
熱と荷重を印加（約２００℃、２０ｓｅｃ、数十ｇ／バ
ンプ）すると、バンプと基板電極との間にＡＣＦ中の導
電粒子が挟み込まれ、これにより両者が電気的に接続さ
れる。このようなＡＣＦは、電子部品と実装基板との電
気的接続に広く利用されている。2. Description of the Related Art Anisotropic conductive film used as a conductive connecting agent-anisotropic conductive film
five Film- (hereinafter referred to as "ACF")
Is a conductive film in which conductive particles such as metal-coated plastic particles and metal particles are dispersed in a resin such as a thermosetting resin. Then, when heat and load are applied (about 200 ° C., 20 sec, several tens of g / bump) to the semiconductor chip on which the ball bumps or plated bumps are formed and the mounting substrate to which the ACF is attached, a space between the bump and the substrate electrode is obtained. The conductive particles in the ACF are sandwiched between the two, so that they are electrically connected. Such an ACF is widely used for electrical connection between an electronic component and a mounting board.

【０００３】以下に、従来のＡＣＦについて説明する。
ここで、図５は従来のＡＣＦ実装における実装前の状態
を示す断面図、図６はＡＣＦ実装において実装荷重が足
りないときの接合状態を示す断面図、図７はＡＣＦ実装
において電気的導通が図られる程度の実装荷重が印加さ
れた接合状態を示す断面図、図８は過大な実行荷重によ
り潰れた導電粒子を示す説明図である。The conventional ACF will be described below.
Here, FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state before mounting in the conventional ACF mounting, FIG. 6 is a cross-sectional view showing a bonding state when the mounting load is insufficient in the ACF mounting, and FIG. 7 shows electrical conduction in the ACF mounting. FIG. 8 is a cross-sectional view showing a bonded state in which a mounting load of an extent shown is applied, and FIG. 8 is an explanatory diagram showing conductive particles crushed by an excessive execution load.

【０００４】図５において、ＡＣＦ３は接着性を有する
樹脂３ａに導電粒子４が分散されたものからなる。ま
た、一方の接合対象である半導体チップ１にはボールバ
ンプ２が形成され、他方の接合対象であるプリント基板
６には基板電極５が形成されている。そして、ＡＣＦ３
によってボールバンプ２と基板電極５とが電気的に接続
されるとともに半導体チップ１とプリント基板６とが接
合されるようになっている。なお、導電粒子４は、核と
なる樹脂部４ａと、この樹脂部４ａの表面に施された金
属めっきからなるメッキ部４ｂとから構成されている。In FIG. 5, the ACF 3 is made up of conductive particles 4 dispersed in an adhesive resin 3a. Further, the ball bump 2 is formed on the semiconductor chip 1 which is one of the bonding targets, and the substrate electrode 5 is formed on the printed board 6 which is the other bonding target. And ACF3
Thus, the ball bump 2 and the substrate electrode 5 are electrically connected and the semiconductor chip 1 and the printed circuit board 6 are joined together. The conductive particles 4 are composed of a resin portion 4a serving as a core and a plated portion 4b formed of metal plating on the surface of the resin portion 4a.

【０００５】そして、半導体チップ１とプリント基板６
とを接合する際には、これらの間にＡＣＦ３を挟み、矢
印で示すように、半導体チップ１をプリント基板６方向
に押圧して実装荷重を印加する。The semiconductor chip 1 and the printed circuit board 6
When joining and, the ACF 3 is sandwiched between them, and the semiconductor chip 1 is pressed toward the printed board 6 as shown by the arrow to apply a mounting load.

【０００６】ここで、図５に示すように、ＡＣＦ３によ
る実装前にあっては、基板電極５の高さのばらつきが大
きい（十数μｍ程度）ため、相互に対応するボールバン
プ２と基板電極５を一対として示すＪ１部、Ｋ１部、Ｌ
１部において、Ｊ１部、Ｌ１部、Ｋ１部の順でボールバ
ンプ２と基板電極５との間隔が大きくなっている。Here, as shown in FIG. 5, before mounting by the ACF 3, the height variation of the substrate electrode 5 is large (about ten and several μm), so that the ball bump 2 and the substrate electrode corresponding to each other are large. 5 as a pair, J1 part, K1 part, L
In part 1, the distance between the ball bump 2 and the substrate electrode 5 becomes larger in the order of the part J1, the part L1, and the part K1.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】このようにボールバン
プ２と基板電極５との間隔にばらつきがあると、実装荷
重が弱い場合には、図５のＪ１部に対応する図６のＪ２
部に示すように、導電粒子４が良好な潰れ量（実験結果
からすると、初期状態比約６０％）になっている。これ
に対して、その他の箇所ではばらつきを吸収できるだけ
の荷重が印加されないため、図５のＫ１部に対応する図
６のＫ２部に示すように、導電粒子４が全くボールバン
プ２と基板電極５とに潰されていない状態、あるいは図
５のＬ１部に対応する図６のＬ２部に示すように、導電
粒子４がボールバンプ２と基板電極５の間に若干潰され
ているか、潰されず点で接触している状態になってい
る。この様な状態では、Ｊ２部では導電粒子４が良好な
潰れ量になっているため接触抵抗値が安定しているが、
Ｋ２部やＬ２部では導電粒子４とボールバンプ２、導電
粒子４と基板電極５との電気的接触が不安定になって接
触抵抗値が不安定となり、またそのばらつきも大きくな
る。さらに、この状態で熱ストレス等をかけると、電気
的接触が不安定なＫ２部やＬ２部では導通不良等の問題
を引き起こす。When there is variation in the distance between the ball bump 2 and the substrate electrode 5 as described above, when the mounting load is weak, J2 of FIG. 6 corresponding to the J1 portion of FIG.
As shown in the section, the conductive particles 4 have a good crush amount (from the experimental results, the initial state ratio is about 60%). On the other hand, since a load sufficient to absorb the variation is not applied to other portions, the conductive particles 4 do not exist at all in the ball bump 2 and the substrate electrode 5 as shown in the K2 portion of FIG. 6 corresponding to the K1 portion of FIG. The state in which the conductive particles 4 are not crushed, or the conductive particles 4 are slightly crushed between the ball bumps 2 and the substrate electrodes 5 as shown in the L2 part of FIG. 6 corresponding to the L1 part of FIG. Is in contact with. In such a state, the contact resistance value is stable because the conductive particles 4 have a good crush amount in the J2 portion,
In the K2 portion and the L2 portion, the electrical contact between the conductive particles 4 and the ball bumps 2 and between the conductive particles 4 and the substrate electrodes 5 becomes unstable, the contact resistance value becomes unstable, and the variation thereof becomes large. Furthermore, when heat stress or the like is applied in this state, problems such as poor conduction occur in the K2 portion and the L2 portion where electrical contact is unstable.

【０００８】これに対して、図７に示すように、過大な
荷重を印加すると、図５のＫ１部に対応する図７のＫ３
部、あるいは図５のＬ１部に対応する図７のＬ３部に示
すように、Ｋ３部やＬ３部では導電粒子４が良好な潰れ
量になるが、図６において良好な潰れ量となっていた図
５のＪ１部に対応する図７のＪ３部はさらに潰されるた
め、図８に示すように、めっき部４ｂにクラック１２が
入り、電気的導通を取ることができなくなるといった問
題を引き起こす。On the other hand, as shown in FIG. 7, when an excessive load is applied, K3 in FIG. 7 corresponding to the K1 portion in FIG.
Part or the L3 part of FIG. 7 corresponding to the L1 part of FIG. 5, the conductive particles 4 have a good crush amount in the K3 part and the L3 part, but have a good crush amount in FIG. Since the J3 part of FIG. 7 corresponding to the J1 part of FIG. 5 is further crushed, as shown in FIG. 8, a crack 12 is formed in the plated part 4b, which causes a problem that electrical conduction cannot be established.

【０００９】そこで、本発明は、安定した電気的接触を
図ることのできる実装ユニットを提供することを目的と
する。Therefore, it is an object of the present invention to provide a mounting unit capable of achieving stable electrical contact.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明の実装ユニットは、バンプの形成された半導
体チップと、絶縁性および接着性を有する樹脂中に相互
に連携して荷重の印加方向に対してのみ電気的導通を発
生させる多数の導電粒子が分散された異方導電性フィル
ムと、基板電極が形成され、異方導電性フィルムを介し
てバンプと基板電極とが電気的に接続された状態で半導
体チップが実装される実装基板とからなり、導電粒子の
弾性率と実装基板の弾性率は、印加された荷重が、導電
粒子を所定の潰れ量にする荷重と、導電粒子をその所定
の潰れ量以上にしないように実装基板を変形させる荷重
とに分散されるように設定され、また前記導電粒子は、
核となる樹脂部、この樹脂部の表面を覆う樹脂膜および
前記樹脂膜の表面に施された金属めっきからなるめっき
部とから構成された球体からなり、前記樹脂部の弾性
率、前記実装基板の弾性率、前記樹脂膜の弾性率の順に
弾性率が低く設定されている構成としたものである。In order to solve this problem, the mounting unit of the present invention cooperates with a semiconductor chip on which bumps are formed and a resin having an insulating property and an adhesive property to apply a load. An anisotropic conductive film in which a large number of conductive particles that generate electrical conduction only in the application direction are dispersed, and a substrate electrode are formed, and the bump and the substrate electrode are electrically connected via the anisotropic conductive film. It is composed of a mounting substrate on which a semiconductor chip is mounted in a connected state. The elastic modulus of the conductive particles and the elastic modulus of the mounting substrate are such that the applied load causes the conductive particles to have a predetermined collapse amount and the conductive particles. Is set so as to be dispersed with a load that deforms the mounting substrate so as not to exceed the predetermined crush amount, and the conductive particles are
A core resin part, a resin film covering the surface of the resin part, and
Plating consisting of metal plating applied to the surface of the resin film
And the elasticity of the resin part.
Modulus, the modulus of elasticity of the mounting board, and the modulus of elasticity of the resin film in this order.
The elastic modulus is set to be low .

【００１１】これにより、導電粒子によりバンプと導電
粒子、基板電極と導電粒子の接触面積が安定化してバン
プと基板電極と接触抵抗のばらつきが低減され、安定し
た電気的接触を図ることが可能になる。As a result, the conductive particles stabilize the contact area between the bump and the conductive particle and between the substrate electrode and the conductive particle, and the variation in the contact resistance between the bump and the substrate electrode is reduced, so that stable electrical contact can be achieved. Become.

【００１２】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、バンプの形成された半導体チップと、絶縁性および
接着性を有する樹脂中に相互に連携して荷重の印加方向
に対してのみ電気的導通を発生させる多数の導電粒子が
分散された異方導電性フィルムと、基板電極が形成さ
れ、異方導電性フィルムを介してバンプと基板電極とが
電気的に接続された状態で半導体チップが実装される実
装基板とからなり、導電粒子の弾性率と実装基板の弾性
率は、印加された荷重が、導電粒子を所定の潰れ量にす
る荷重と、導電粒子をその所定の潰れ量以上にしないよ
うに実装基板を変形させる荷重とに分散されるように設
定され、また前記導電粒子は、核となる樹脂部、この樹
脂部の表面を覆う樹脂膜および前記樹脂膜の表面に施さ
れた金属めっきからなるめっき部とから構成された球体
からなり、前記樹脂部の弾性率、前記実装基板の弾性
率、前記樹脂膜の弾性率の順に弾性率が低く設定されて
いることを特徴とする実装ユニットであり、導電粒子に
よりバンプと導電粒子、基板電極と導電粒子の接触面積
が安定化してバンプと基板電極と接触抵抗のばらつきが
低減され、安定した電気的接触を図ることが可能になる
という作用を有する。また導電粒子によりバンプと導電
粒子、基板電極と導電粒子の接触面積が安定化してバン
プと基板電極と接触抵抗のばらつきが低減され、安定し
た電気的接触を図ることが可能になるという作用を有す
る。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The invention according to claim 1 of the present invention relates to a semiconductor chip on which bumps are formed and a resin having an insulating property and an adhesive property in cooperation with each other in a load application direction. In a state in which a substrate electrode is formed with an anisotropic conductive film in which a large number of conductive particles that generate electrical conduction are dispersed, and the bump and the substrate electrode are electrically connected via the anisotropic conductive film. The elastic modulus of the conductive particles and the elastic modulus of the mounting substrate are such that the applied load causes the conductive particles to have a predetermined collapse amount and the conductive particles have the predetermined collapse amount. It is set so as to be dispersed in a load that deforms the mounting substrate so as not to exceed the amount, and the conductive particles are used as a core resin portion,
A resin film covering the surface of the oil part and the surface of the resin film
Sphere composed of a plated portion made of metal plating
The elastic modulus of the resin part, the elasticity of the mounting board
Modulus, the modulus of elasticity of the resin film is set in the order of low modulus , the mounting unit, bumps and conductive particles by the conductive particles, the contact area of the substrate electrode and conductive particles is stabilized and bumps The variation in contact resistance with the substrate electrode is reduced, and stable electrical contact can be achieved. In addition, the conductive particles make the bump and conductive
The contact area between the particles, substrate electrode and conductive particles is stabilized
Variation in contact resistance with the substrate
It has the effect of enabling electrical contact.
It

【００１３】[0013]

【００１４】本発明の請求項２に記載の発明は、請求項
１記載の発明において、異方導電性フィルムの樹脂中に
は、導電粒子および実装基板よりも高い弾性率を有し、
導電粒子の設定された潰れ量後の径と同じ径とされた非
導電性の潰れ量制御粒子が分散されていることを特徴と
する実装ユニットであり、導電粒子によりバンプと導電
粒子、基板電極と導電粒子の接触面積が安定化してバン
プと基板電極と接触抵抗のばらつきが低減され、安定し
た電気的接触を図ることが可能になるという作用を有す
る。The invention according to claim 2 of the present invention is
In 1 SL placing of the invention, the resin of the anisotropic conductive film has a higher modulus of elasticity than that of the conductive particles and the mounting substrate,
The mounting unit is characterized in that non-conductive crush amount control particles having the same diameter as the diameter after the set crush amount of the conductive particles are dispersed, and the bumps and conductive particles by the conductive particles, the substrate electrode. The contact area of the conductive particles is stabilized, the variation in contact resistance between the bump and the substrate electrode is reduced, and stable electrical contact can be achieved.

【００１５】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
２記載の発明において、導電粒子が潰れ量制御粒子と同
等以上となる配合比率とされていることを特徴とする実
装ユニットであり、潰れ量制御粒子のみがバンプと基板
電極との間に存在して電気的な導通がとれなくなるとい
った事態が未然に防止されるという作用を有する。The invention according to claim 3 of the present invention is
In the invention described in 2 , the mounting unit is characterized in that the conductive particles have a mixing ratio equal to or more than the crush amount control particles, and only the crush amount control particles are present between the bump and the substrate electrode. This has the effect of preventing a situation in which electrical continuity is lost.

【００１６】本発明の請求項４に記載の発明は、バンプ
の形成された半導体チップと、絶縁性および接着性を有
する樹脂中に相互に連携して荷重の印加方向に対しての
み電気的導通を発生させる多数の導電粒子が分散された
異方導電性フィルムと、基板電極が形成され、前記異方
導電性フィルムを介して前記バンプと前記基板電極とが
電気的に接続された状態で前記半導体チップが実装され
る実装基板とからなり、前記導電粒子の弾性率と実装基
板の弾性率は、印加された荷重が、前記導電粒子を所定
の潰れ量にする荷重と、前記導電粒子をその所定の潰れ
量以上にしないように実装基板を変形させる荷重とに分
散されるように設定され、且つ導電粒子は、核となる樹
脂部とこの樹脂部の表面に施された金属めっきからなる
めっき部とから構成された楕円球状体からなり、樹脂部
の弾性率よりも実装基板の弾性率の方が低く設定されて
いることを特徴とする実装ユニットであり、導電粒子に
よりバンプと導電粒子、基板電極と導電粒子の接触面積
が安定化してバンプと基板電極と接触抵抗のばらつきが
低減され、安定した電気的接触を図ることが可能になる
という作用を有する。The invention according to claim 4 of the present invention is directed to a bump
It has insulation and adhesive properties with the formed semiconductor chip.
In the resin to
Many conductive particles that generate electrical conduction are dispersed
An anisotropic conductive film and a substrate electrode are formed,
The bump and the substrate electrode are separated by a conductive film.
The semiconductor chip is mounted in an electrically connected state.
And a mounting substrate, which has an elastic modulus of the conductive particles and a mounting substrate.
The elastic modulus of the plate is such that the applied load causes the conductive particles to reach a predetermined value.
Load to make the crushed amount of the
Be careful not to exceed the load and the load that deforms the mounting board.
The conductive particles, which are set to be dispersed, are made of an elliptic spherical body composed of a core resin portion and a plated portion made of metal plating applied to the surface of the resin portion, and the elastic modulus of the resin portion. The mounting unit is characterized in that the elastic modulus of the mounting substrate is set lower than that of the bump, and the conductive particles stabilize the contact area between the bump and the conductive particle and the substrate electrode and the conductive particle, and the bump and the substrate electrode. This has the effect of reducing variations in contact resistance and enabling stable electrical contact.

【００１７】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図４を用いて説明する。なお、これらの図面におい
て同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複
した説明は省略されている。FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.
4 to FIG. In addition, in these drawings, the same members are denoted by the same reference numerals, and duplicate description is omitted.

【００１８】（実施の形態１）図１は本発明の一実施の
形態におけるＡＣＦによる実装工程を連続して示す断面
図であり、図１（ａ）は実装前の状態を、図１（ｂ）は
荷重印加時の状態を、図１（ｃ）は実装後の接合状態を
示している。(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view continuously showing a mounting process by ACF in one embodiment of the present invention. FIG. 1 (a) shows a state before mounting, and FIG. 1) shows a state when a load is applied, and FIG. 1C shows a joined state after mounting.

【００１９】図１において、ＡＣＦ３は、半導体チップ
１とプリント基板（実装基板）６という２つの接続対象
部材間を電気的および機械的に接続するもので、絶縁性
および接着性を有するたとえばエポキシ系の樹脂３ａ中
に球体の多数の導電粒子４が分散されたものからなる。In FIG. 1, an ACF 3 electrically and mechanically connects two members to be connected, that is, a semiconductor chip 1 and a printed board (mounting board) 6, and has an insulating property and an adhesive property, for example, an epoxy type. A large number of spherical conductive particles 4 are dispersed in the resin 3a.

【００２０】導電粒子４は、核をなす樹脂部４ａと、こ
の樹脂部４ａの表面に施された金属めっきからなるメッ
キ部４ｂとから構成されている。ここで、めっき部４ｂ
のめっき金属としては金やＮｉ等が望ましい。さらに、
めっき部４ｂの表面には、他の導電粒子４とのショート
を避けるために絶縁膜を施すのが望ましい。なお、樹脂
３ａはエポキシ系のものに限定されるものではなく、さ
らに熱硬化性、熱可塑性の樹脂でもよい。また、一方の
接合対象である半導体チップ１にはボールバンプ（バン
プ）２が形成され、他方の接合対象であるプリント基板
６には基板電極５が形成されている。The conductive particles 4 are composed of a resin portion 4a forming a core and a plated portion 4b made of metal plating applied to the surface of the resin portion 4a. Here, the plating part 4b
The plating metal is preferably gold or Ni. further,
It is desirable to provide an insulating film on the surface of the plated portion 4b in order to avoid short circuit with other conductive particles 4. The resin 3a is not limited to the epoxy resin, and may be a thermosetting resin or a thermoplastic resin. A ball bump (bump) 2 is formed on the semiconductor chip 1 which is one of the bonding targets, and a substrate electrode 5 is formed on the printed circuit board 6 which is the other bonding target.

【００２１】ここで、ボールバンプ２の材質としては金
やアルミ等を用いることができるが、ＡＣＦ接合では特
に金が好ましい。なお、半導体チップ１には、ボールバ
ンプ２ではなく、めっきによるバンプが形成されていて
もよい。また、プリント基板６の基材は感光性のエポキ
シ樹脂やガラス繊維の含浸されたエポキシ樹脂等を用い
ることができる。そして、基板電極５は、たとえば金め
っきによる表面処理が施された銅により形成されている
のが好ましい。Here, gold, aluminum or the like can be used as the material of the ball bump 2, but gold is particularly preferable for ACF bonding. The semiconductor chip 1 may have bumps formed by plating instead of the ball bumps 2. The base material of the printed circuit board 6 may be a photosensitive epoxy resin, an epoxy resin impregnated with glass fiber, or the like. The substrate electrode 5 is preferably made of, for example, copper surface-treated by gold plating.

【００２２】そして、半導体チップ１とプリント基板６
との間にＡＣＦ３を挟み、矢印で示すように、半導体チ
ップ１をプリント基板６方向に押圧して実装荷重を印加
すると、ＡＣＦ３によってボールバンプ２と基板電極５
とが電気的に接続されるとともに半導体チップ１とプリ
ント基板６とが接合される。The semiconductor chip 1 and the printed circuit board 6
When the semiconductor chip 1 is pressed in the direction of the printed circuit board 6 and a mounting load is applied as shown by the arrow, the ACF 3 is sandwiched between the ACF 3 and the ball bump 2 and the substrate electrode 5.
Are electrically connected to each other, and the semiconductor chip 1 and the printed circuit board 6 are joined together.

【００２３】ここで、図示するように、ＡＣＦ３による
実装前にあっては、基板電極５の高さばらつきが大きい
（十数μｍ程度）ため、相互に対応するボールバンプ２
と基板電極５を一対として示すＡ１部、Ｂ１部、Ｃ１部
において、Ａ１部、Ｃ１部、Ｂ１部の順でボールバンプ
２と基板電極５との間隔が大きくなっている。そして、
何らの手当もなければ、前述のような問題が発生する。Here, as shown in the figure, before mounting by the ACF 3, the height variation of the substrate electrode 5 is large (about 10 μm), so that the ball bumps 2 corresponding to each other are formed.
In the A1, B1, and C1 portions showing the substrate electrode 5 as a pair, the distance between the ball bump 2 and the substrate electrode 5 increases in the order of the A1, C1, and B1 portions. And
Without any treatment, the above-mentioned problems will occur.

【００２４】なお、図１（ａ）において、Ａ１部、Ｂ１
部、Ｃ１部は相互に対応するボールバンプ２と基板電極
５を一対として示しており、図１（ｂ）のＡ２部、Ｂ２
部、Ｃ２部は図１（ａ）のＡ１部、Ｂ１部、Ｃ１部に、
図１（ｃ）のＡ３部、Ｂ３部、Ｃ３部は図１（ｂ）のＡ
２部、Ｂ２部、Ｃ２部に対応している。Incidentally, in FIG. 1 (a), A1 part, B1
1A and 1B, the ball bump 2 and the substrate electrode 5 corresponding to each other are shown as a pair, and A2 and B2 in FIG.
1 part, C2 part, A1 part, B1 part, C1 part of FIG.
The A3 part, the B3 part, and the C3 part in FIG. 1C are A in FIG.
It corresponds to 2 parts, B2 part, and C2 part.

【００２５】本実施の形態において、導電粒子４の弾性
率とプリント基板６の弾性率は、ＡＣＦ実装時に印加さ
れた荷重が、導電粒子４を良好な潰れ量（実験結果から
すると、初期状態比約６０％）にする荷重と、導電粒子
４を前述した潰れ量以上にしないようにプリント基板６
を変形させる荷重とに分散するように設定されている。
なお、導電粒子の良好な潰れ量は必ずしも前述した数値
である必要はなく、導電粒子の構成材料などによって適
宜規定することができる。In the present embodiment, the elastic modulus of the conductive particles 4 and the elastic modulus of the printed circuit board 6 are such that the load applied during the ACF mounting causes the conductive particles 4 to be crushed in a favorable amount (from the experimental results, the initial state ratio). The load of about 60%) and the printed circuit board 6 so that the conductive particles 4 do not exceed the above-described collapse amount.
Is set so as to be distributed to the load that deforms.
The good crush amount of the conductive particles does not necessarily have to be the above-mentioned numerical value, and can be appropriately defined depending on the constituent material of the conductive particles.

【００２６】ここで、弾性率には温度依存性があるた
め、本実施の形態では、実装温度（たとえば約１８０
℃）時に導電粒子４が良好な潰れ量になる荷重と、プリ
ント基板６を変形させる荷重とに分散するように、導電
粒子４の弾性率とプリント基板６の弾性率とが配されて
いる。但し、実装温度は自由に設定できるものであるか
ら、特定の実装温度に対してだけではなく、様々な実装
温度に対しても同様の荷重分散となるように、導電粒子
４およびプリント基板６の弾性率の温度依存性を設定、
調整することが望ましい。Here, since the elastic modulus has temperature dependency, in this embodiment, the mounting temperature (for example, about 180 °) is used.
The elastic modulus of the conductive particles 4 and the elastic modulus of the printed board 6 are arranged so that the conductive particles 4 are dispersed in a load that makes the conductive particles 4 have a good crushing amount at the time of (° C.) and a load that deforms the printed board 6. However, since the mounting temperature can be freely set, the conductive particles 4 and the printed circuit board 6 are provided with the same load distribution not only for a specific mounting temperature but also for various mounting temperatures. Set the temperature dependence of the elastic modulus,
It is desirable to adjust.

【００２７】このように導電粒子４の弾性率とプリント
基板６の弾性率とを設定することにより、荷重印加途中
では図１（ｂ）のＡ２部に示すように、図１（ａ）のＡ
１部に位置する導電粒子４がまず最初に良好な潰れ量に
なり、その他の箇所では、Ｂ２部に示すように導電粒子
４が全くボールバンプ２と基板電極５とに潰されていな
い状態になったり、あるいはＣ２部に示すように導電粒
子４がボールバンプ２と基板電極５の間に若干潰されて
いるか、潰されず点で接触している状態になっている。By setting the elastic moduli of the conductive particles 4 and the elastic modulus of the printed circuit board 6 in this way, as shown in A2 part of FIG. 1 (b), A of FIG.
First, the conductive particles 4 located in the first part have a good crush amount, and in other places, the conductive particles 4 are not crushed by the ball bump 2 and the substrate electrode 5 at all as shown in the part B2. Or, the conductive particles 4 are slightly crushed between the ball bump 2 and the substrate electrode 5 as shown in the C2 portion, or are in a state of not being crushed and in contact with each other at a point.

【００２８】そして、さらに荷重を印加して実装を終了
すると、図１（ｃ）に示すように、Ａ３部においては図
１（ｂ）のＡ２部の導電粒子４の潰れは良好な状態を保
ったままプリント基板６側が変形する。また、図１
（ａ）のＣ１部および図１（ａ）のＢ１部の順に図１
（ｂ）のＣ２部の状態からＣ３部の状態に、図１（ｂ）
のＢ２部の状態からＢ３部の状態にそれぞれ導電粒子４
が良好な潰れ量になる。When a load is further applied to complete the mounting, as shown in FIG. 1 (c), the conductive particles 4 in the A2 portion of FIG. 1 (b) are kept in a good state in the A3 portion. The printed circuit board 6 side is deformed as it is. Also, FIG.
The C1 part of (a) and the B1 part of FIG.
From the state of the C2 portion of (b) to the state of the C3 portion, as shown in FIG.
Conductive particles 4 from the state of B2 part to the state of B3 part respectively
Results in a good crush amount.

【００２９】その結果、ボールバンプ２と基板電極５と
の間隔にばらつきがあっても、これらを相互に電気的に
接続する導電粒子４が全ての箇所において良好な潰れ量
となり、ボールバンプ２と導電粒子４、基板電極５と導
電粒子４の接触面積が安定化する。したがって、導電粒
子４が、ある箇所では良好な潰れ量となるものの、他の
箇所では潰れ量が不十分で電気的接触が不安定になった
り、潰れ量が大きすぎて表面にクラックが入って導通不
良となったりすることがなくなって接触抵抗のばらつき
が低減され、安定した電気的接触を図ることが可能にな
る。As a result, even if the distance between the ball bump 2 and the substrate electrode 5 varies, the conductive particles 4 electrically connecting these to each other have a good crush amount at all locations, and The contact area between the conductive particles 4, the substrate electrode 5 and the conductive particles 4 is stabilized. Therefore, although the conductive particles 4 have a good crush amount in one place, the crush amount is insufficient in other places and electrical contact becomes unstable, or the crush amount is too large and the surface is cracked. Continuity failure is prevented, variation in contact resistance is reduced, and stable electrical contact can be achieved.

【００３０】（実施の形態２）図２は本発明の実施の形
態２におけるＡＣＦ中に分散された導電粒子を示す断面
図であり、図２（ａ）は荷重により潰れる前の導電粒子
を、図２（ｂ）は荷重により潰れた導電粒子をそれぞれ
示す。(Embodiment 2) FIG. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles dispersed in ACF according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 2 (a) shows conductive particles before being crushed by a load, FIG. 2B shows the conductive particles crushed by the load.

【００３１】図示するように、本実施の形態の導電粒子
は、核をなす樹脂部７ａと、この樹脂部７ａの表面を覆
う樹脂膜７ｂと、樹脂膜７ｂの表面に施された金属めっ
きからなるめっき部７ｃとから構成されている。なお、
めっき部７ｃのめっき金属には種々のものを適用するこ
とができるが、金やＮｉなどが望ましい。さらに、めっ
き部７ｃの表面には、他の導電粒子７とのショートを避
けるための絶縁膜を成膜しておくのが非常に望ましい。As shown in the figure, the conductive particles of the present embodiment are composed of a resin portion 7a forming a core, a resin film 7b covering the surface of the resin portion 7a, and a metal plating applied to the surface of the resin film 7b. And a plated portion 7c. In addition,
Various kinds of metal can be applied to the plated metal of the plated portion 7c, but gold or Ni is preferable. Further, it is very desirable to form an insulating film on the surface of the plated portion 7c in order to avoid short circuit with other conductive particles 7.

【００３２】ここで、本実施の形態においては、樹脂部
７ａの弾性率、プリント基板６の弾性率、樹脂膜７ｂの
弾性率の順に低くなっている。なお、弾性率には温度依
存性があるため、本実施の形態では、実装時の温度（た
とえば約１８０℃）で弾性率を基準にする。但し、実装
温度は自由に設定できるものであるから、特定の実装温
度に対してだけではなく、様々な実装温度に対しても同
様の弾性率が成立するように弾性率の温度依存性を設
定、調整することができる。Here, in the present embodiment, the elastic modulus of the resin portion 7a, the elastic modulus of the printed circuit board 6, and the elastic modulus of the resin film 7b are decreased in this order. Since the elastic modulus has temperature dependency, in the present embodiment, the elastic modulus is used as a reference at the mounting temperature (for example, about 180 ° C.). However, since the mounting temperature can be freely set, the temperature dependence of the elastic modulus is set so that the same elastic modulus is established not only for a specific mounting temperature but also for various mounting temperatures. , Can be adjusted.

【００３３】ここで、一例として、潰れる前の導電粒子
７の径が５μｍ径場合、荷重印加後の潰れた部分の径が
３μｍになるようにする。これにより、導電粒子７に荷
重がかかった場合、弾性率の関係が、「樹脂部７ａ≫プ
リント基板６≫樹脂膜７ｂ」となっているため、樹脂部
７ａを覆う樹脂膜７ｂがまず最初に潰れる。次に、導電
粒子７の潰れ量を保持したまま、弾性率の高いプリント
基板６が変形する。そして、核をなす樹脂部７ａが潰れ
に対するストッパとなって導電粒子７の潰れすぎが防止
される。Here, as an example, when the diameter of the conductive particles 7 before being crushed is 5 μm, the diameter of the crushed portion after applying a load is set to 3 μm. As a result, when a load is applied to the conductive particles 7, the elastic modulus relationship is "resin part 7a >> printed circuit board 6 >> resin film 7b", and therefore the resin film 7b covering the resin part 7a is first formed. Collapse. Next, the printed board 6 having a high elastic modulus is deformed while keeping the amount of the conductive particles 7 crushed. Then, the resin portion 7a forming the core serves as a stopper against the crushing and prevents the conductive particles 7 from being crushed too much.

【００３４】これにより、ボールバンプ２と基板電極５
との間隔にばらつきがあっても、これらを相互に電気的
に接続する導電粒子４が全ての箇所において良好な潰れ
量となり、ボールバンプ２と導電粒子４、基板電極５と
導電粒子４の接触面積が安定化する。したがって、導電
粒子４が、ある箇所では良好な潰れ量となるものの、他
の箇所では潰れ量が不十分で電気的接触が不安定になっ
たり、潰れ量が大きすぎて表面にクラックが入って導通
不良となったりすることがなくなって接触抵抗のばらつ
きが低減され、安定した電気的接触を図ることが可能に
なる。As a result, the ball bump 2 and the substrate electrode 5 are
Even if there is a variation in the distance between the conductive particles 4 and the conductive particles 4 that electrically connect them to each other, the conductive particles 4 have a good crushed amount at all locations, and the ball bumps 2 and the conductive particles 4 and the substrate electrodes 5 and the conductive particles 4 come into contact with each other. Area is stabilized. Therefore, although the conductive particles 4 have a good crush amount in one place, the crush amount is insufficient in other places and electrical contact becomes unstable, or the crush amount is too large and the surface is cracked. Continuity failure is prevented, variation in contact resistance is reduced, and stable electrical contact can be achieved.

【００３５】（実施の形態３）図３は本発明の実施の形
態３におけるＡＣＦによる実装工程を連続して示す断面
図であり、図３（ａ）は実装前の状態を、図３（ｂ）は
荷重印加時の状態を、図３（ｃ）は実装後の接合状態を
示している。(Embodiment 3) FIG. 3 is a sectional view showing a continuous mounting process by ACF in Embodiment 3 of the present invention. FIG. 3 (a) shows a state before mounting, and FIG. ) Shows a state when a load is applied, and FIG. 3C shows a joined state after mounting.

【００３６】図３に示すように、本実施の形態のＡＣＦ
８においては、樹脂８ａ中に、導電粒子４の潰れ量を制
御する非導電性の潰れ量制御粒子９が分散されている。
この潰れ量制御粒子９は、導電粒子４やプリント基板６
の弾性率よりも高い弾性率を有している。As shown in FIG. 3, the ACF of this embodiment is
In No. 8, the non-conductive crush amount control particles 9 for controlling the crush amount of the conductive particles 4 are dispersed in the resin 8 a.
The crushed amount control particles 9 are the conductive particles 4 and the printed circuit board 6.
It has a higher elastic modulus than that of.

【００３７】なお、図３（ａ）において、Ｄ１部、Ｅ１
部、Ｆ１部は相互に対応するボールバンプ２と基板電極
５を一対として示しており、図３（ｂ）のＤ２部、Ｅ２
部、Ｆ２部は図３（ａ）のＤ１部、Ｅ１部、Ｆ１部に、
図３（ｃ）のＤ３部、Ｅ３部、Ｆ３部は図３（ｂ）のＤ
２部、Ｅ２部、Ｆ２部に対応している。Incidentally, in FIG. 3A, the D1 portion, the E1 portion
The portion F1 and the portion F1 show the ball bump 2 and the substrate electrode 5 corresponding to each other as a pair.
Section, F2 section, in the D1 section, E1 section, F1 section of FIG.
Parts D3, E3, and F3 of FIG. 3C are D of FIG. 3B.
It corresponds to 2 parts, E2 part, and F2 part.

【００３８】ここで、弾性率には温度依存性があるた
め、本実施の形態では、実装温度（たとえば約１８０
℃）時に非常に高い弾性率を示す材料が非導電性の潰れ
量制御粒子９の材料として用いられている。但し、実装
温度は自由に設定できるものであるから、潰れ量制御粒
子９は、特定の実装温度に対してだけでなく、設定され
た実装温度に対して高い弾性率を示すように温度依存性
が設定、調整されているのがよい。Here, since the elastic modulus has temperature dependency, in the present embodiment, the mounting temperature (for example, about 180) is used.
A material showing a very high elastic modulus at (° C.) is used as the material of the non-conductive crush amount control particles 9. However, since the mounting temperature can be freely set, the crush amount control particles 9 have temperature dependence so as to show a high elastic modulus not only for a specific mounting temperature but also for the set mounting temperature. Should be set and adjusted.

【００３９】潰れ量制御粒子９の寸法は、導電粒子４が
所定の良好な潰れ量となる寸法に設定されている。たと
えば、前述のように潰れ量を初期状態比約６０％に設定
すると、一例として５μｍ径の導電粒子４を用いた場
合、非導電性の潰れ量制御粒子９の寸法は、導電粒子４
の潰れ量後の径と同じ約３μｍに設定される。また、潰
れ量制御粒子９のみがボールバンプ２と基板電極５との
間に存在して電気的な導通がとれなくなるといった問題
が起こらないように、導電粒子４が潰れ量制御粒子９と
同等以上となる配合比率とする。The size of the crush amount control particles 9 is set so that the conductive particles 4 have a predetermined good crush amount. For example, when the crush amount is set to about 60% of the initial state ratio as described above, when the conductive particles 4 having a diameter of 5 μm are used as an example, the size of the non-conductive crush amount control particles 9 is equal to the conductive particles 4.
The diameter is set to about 3 μm, which is the same as the diameter after crushing. In order to prevent the problem that only the crush amount control particles 9 are present between the ball bump 2 and the substrate electrode 5 and electrical connection is lost, the conductive particles 4 are equal to or more than the crush amount control particles 9. The compounding ratio is

【００４０】このようにＡＣＦ８の樹脂８ａ中に潰れ量
制御粒子９を分散した場合での実装フローを図３を参照
しながら説明する。A mounting flow in the case where the crush amount control particles 9 are dispersed in the resin 8a of the ACF 8 as described above will be described with reference to FIG.

【００４１】図３（ａ）に示すように、実装前にあって
は、基板電極５の高さばらつきが大きい（十数μｍ）た
め、Ｄ１部、Ｅ１部、Ｆ１部において、Ｄ１部、Ｆ１
部、Ｅ１部の順でボールバンプ２と基板電極５との間隔
が大きくなっている。そして、このような間隔のばらつ
きにより、前述のような問題が発生する。As shown in FIG. 3 (a), before mounting, the height variation of the substrate electrode 5 is large (tens of μm), so that the D1 portion, the E1 portion, and the F1 portion have the D1 portion and the F1 portion.
The distance between the ball bump 2 and the substrate electrode 5 becomes larger in the order of the portion and the E1 portion. The above-mentioned problems occur due to such variations in the intervals.

【００４２】ここで、本実施の形態においては、荷重を
印加する途中では、図３（ｂ）のＤ２部に示すように、
図３（ａ）のＤ１部に位置する導電粒子４がまず最初に
潰れていく。このとき、ＡＣＦ８の樹脂８ａ中に非導電
性の潰れ量制御粒子９が分散されているので、この潰れ
量制御粒子９がスペーサ代わりとなって導電粒子４は良
好な潰れ量になる。その他の箇所では、Ｅ２部に示すよ
うに導電粒子４が全くボールバンプ２と基板電極５とに
潰されていない状態になったり、あるいはＦ２部に示す
ように導電粒子４がボールバンプ２と基板電極５の間に
若干潰されているか、潰されず点で接触している状態に
なっている。Here, in the present embodiment, as shown in the section D2 of FIG. 3B, during the application of the load,
The conductive particles 4 located at the portion D1 in FIG. 3A are first crushed. At this time, since the non-conductive crush amount control particles 9 are dispersed in the resin 8a of the ACF 8, the crush amount control particles 9 serve as spacers and the conductive particles 4 have a good crush amount. At other points, the conductive particles 4 are not crushed by the ball bumps 2 and the substrate electrodes 5 at all as indicated by E2, or the conductive particles 4 are not crushed by the ball bumps 2 and the substrate at F2. The electrodes 5 are slightly crushed or are not crushed and are in contact with each other at points.

【００４３】そして、さらに荷重を印加して実装を終了
すると、図３（ｃ）に示すように、Ｄ３部においては図
３（ｂ）のＤ２部の導電粒子４の潰れは、潰れ量制御粒
子９がスペーサ代わりとなって良好な状態を保ったまま
プリント基板６側が変形する。また、図３（ａ）のＦ１
部および図３（ａ）のＥ１部の順に図３（ｂ）のＦ２部
の状態からＦ３部の状態に、図３（ｂ）のＥ２部の状態
からＥ３部の状態にそれぞれ導電粒子４が良好な潰れ量
になる。When a load is further applied and the mounting is completed, as shown in FIG. 3C, the crushing of the conductive particles 4 in the D2 part of FIG. 9 serves as a spacer, and the printed board 6 side is deformed while maintaining a good state. In addition, F1 in FIG.
Part and the E1 part in FIG. 3 (a) in order from the state of the F2 part of FIG. 3 (b) to the state of the F3 part, and from the state of the E2 part of FIG. 3 (b) to the state of the E3 part. Good crush amount.

【００４４】その結果、ボールバンプ２と基板電極５と
の間隔にばらつきがあっても、これらを相互に電気的に
接続する導電粒子４が全ての箇所において良好な潰れ量
となり、ボールバンプ２と導電粒子４、基板電極５と導
電粒子４の接触面積が安定化する。したがって、導電粒
子４が、ある箇所では良好な潰れ量となるものの、他の
箇所では潰れ量が不十分で電気的接触が不安定になった
り、潰れ量が大きすぎて表面にクラックが入って導通不
良となったりすることがなくなって接触抵抗のばらつき
が低減され、安定した電気的接触を図ることが可能にな
る。As a result, even if the distance between the ball bump 2 and the substrate electrode 5 varies, the conductive particles 4 that electrically connect these to each other have a good crush amount at all locations, and The contact area between the conductive particles 4, the substrate electrode 5 and the conductive particles 4 is stabilized. Therefore, although the conductive particles 4 have a good crush amount in one place, the crush amount is insufficient in other places and electrical contact becomes unstable, or the crush amount is too large and the surface is cracked. Continuity failure is prevented, variation in contact resistance is reduced, and stable electrical contact can be achieved.

【００４５】（実施の形態４）図４は本発明の実施の形
態４におけるＡＣＦによる実装工程を連続して示す断面
図であり、図４（ａ）は実装前の状態を、図４（ｂ）は
荷重印加時の状態を、図４（ｃ）は実装後の接合状態を
示している。(Embodiment 4) FIG. 4 is a cross-sectional view showing a continuous mounting process by ACF in Embodiment 4 of the present invention. FIG. 4 (a) shows a state before mounting, and FIG. 4C shows a state when a load is applied, and FIG. 4C shows a joined state after mounting.

【００４６】図４に示すように、本実施の形態のＡＣＦ
１０における導電粒子１１は、長軸に沿った断面形状が
楕円、短軸に沿った断面形状が円となる楕円球状体とな
っており、核をなす樹脂部１１ａと、この樹脂部１１ａ
の表面に施された金属めっきからなるめっき部１１ｂと
から構成されている。そして、この導電粒子１１の短軸
の寸法は、導電粒子１１が荷重により過大に潰れること
なく良好な接合状態が得られるよう予め設定された良好
な潰れ量となる寸法に設定されている。たとえば、一例
として５μｍ径の真円の導電粒子を潰した場合の良好な
潰れ量が初期状態比約６０％である場合に、その潰れ形
状は、長軸が約８．３μｍ、短軸が約３μｍとなるの
で、導電粒子１１の寸法は、このような潰れ後を想定し
た形状に前もって形成されている。As shown in FIG. 4, the ACF of this embodiment is
The conductive particles 11 in 10 are ellipsoidal spheres whose cross section along the major axis is elliptical and whose cross section along the minor axis is circular. The resin portion 11a forming the core and this resin portion 11a
And a plated portion 11b made of metal plating on the surface of the. Then, the dimension of the minor axis of the conductive particles 11 is set to a dimension that provides a favorable crush amount set in advance so that the conductive particles 11 are not crushed excessively by the load and a good bonded state is obtained. For example, when the good crush amount when crushing a perfect circular conductive particle having a diameter of 5 μm is about 60% in the initial state ratio, the crush shape has a major axis of about 8.3 μm and a minor axis of about 8.3 μm. Since the size is 3 μm, the size of the conductive particles 11 is preliminarily formed in such a shape that the post-crushing is assumed.

【００４７】また、導電粒子１１の弾性率よりもプリン
ト基板６の弾性率の方が非常に低く設定されている。な
お、弾性率には温度依存性があるため、本実施の形態で
は、実装温度（たとえば約１８０℃）時に導電粒子１１
が非常に高い弾性率を有するようになっている。但し、
実装温度は自由に設定できるものであるから、特定の実
装温度に対してだけではなく、様々な実装温度に対して
も同様の弾性率が成立するように弾性率の温度依存性を
設定、調整することができる。The elastic modulus of the printed circuit board 6 is set to be much lower than that of the conductive particles 11. Since the elastic modulus has a temperature dependency, in the present embodiment, the conductive particles 11 are formed at the mounting temperature (for example, about 180 ° C.).
Has a very high elastic modulus. However,
Since the mounting temperature can be freely set, the temperature dependence of the elastic modulus is set and adjusted so that the same elastic modulus is established not only for a specific mounting temperature but also for various mounting temperatures. can do.

【００４８】めっき金属には種々のものを用いることが
できるが、金やＮｉ等が望ましい。さらに、めっき部１
１ｂの表面には、導電粒子４とのショートを避けるため
に絶縁膜を施すのが望ましい。Various kinds of plating metals can be used, but gold, Ni, etc. are preferable. Furthermore, the plating part 1
It is desirable to provide an insulating film on the surface of 1b in order to avoid a short circuit with the conductive particles 4.

【００４９】なお、図４（ａ）において、Ｇ１部、Ｈ１
部、Ｊ１部は相互に対応するボールバンプ２と基板電極
５を一対として示しており、図４（ｂ）のＧ２部、Ｈ２
部、Ｊ２部は図４（ａ）のＧ１部、Ｈ１部、Ｊ１部に、
図４（ｃ）のＧ３部、Ｈ３部、Ｊ３部は図４（ｂ）のＧ
２部、Ｈ２部、Ｊ２部に対応している。In FIG. 4 (a), the G1 portion, H1
Part, J1 part shows the ball bump 2 and the substrate electrode 5 corresponding to each other as a pair, and G2 part, H2 part in FIG. 4B.
Part, J2 part, G1 part, H1 part, J1 part of FIG.
The G3 part, the H3 part, and the J3 part of FIG. 4C are the G of FIG. 4B.
It corresponds to 2 parts, H2 part, and J2 part.

【００５０】ＡＣＦ１０の樹脂１０ａ中に前述のような
導電粒子１１が分散された場合における実装フローを図
４を参照しながら説明する。A mounting flow when the conductive particles 11 as described above are dispersed in the resin 10a of the ACF 10 will be described with reference to FIG.

【００５１】図４（ａ）に示すように、実装前にあって
は、基板電極５の高さばらつきが大きい（十数μｍ）た
め、Ｇ１部、Ｈ１部、Ｊ１部において、Ｇ１部、Ｊ１
部、Ｈ１部の順でボールバンプ２と基板電極５との間隔
が大きくなっている。そして、このようなばらつきによ
り、既に述べたような問題が発生する。As shown in FIG. 4A, before mounting, the height variation of the substrate electrode 5 is large (tens of μm), so that the G1 portion, the J1 portion, the G1 portion, and the J1 portion are formed.
The distance between the ball bump 2 and the substrate electrode 5 is increased in the order of the portion and the H1 portion. Then, due to such variations, the problems already described occur.

【００５２】そこで、本実施の形態においては、前述の
ような導電粒子１１が用いられているので、荷重を印加
する途中では、図４（ｂ）のＧ２部に示すように、図４
（ａ）のＧ１部に位置する導電粒子１１がまず最初にボ
ールバンプ２と基板電極５との間に捕獲される。その他
の箇所では、Ｈ２部およびＪ２部に示すように、導電粒
子１１がボールバンプ２と基板電極５の間に僅かに接触
しているか、ほとんど接触していないかの状態になって
いる。Therefore, in the present embodiment, since the above-mentioned conductive particles 11 are used, as shown in the G2 portion of FIG.
The conductive particles 11 located in the G1 portion of (a) are first captured between the ball bump 2 and the substrate electrode 5. In the other portions, as shown in the H2 portion and the J2 portion, the conductive particles 11 are in a state of slightly contacting or barely contacting between the ball bump 2 and the substrate electrode 5.

【００５３】そして、さらに荷重を印加して実装を終了
すると、図４（ｃ）に示すように、Ｇ３部においては図
４（ｂ）のＧ２部の接合状態を保ったままプリント基板
６側が変形する。また、図４（ａ）のＨ１部および図４
（ａ）のＨ１部の順に図４（ｂ）のＪ２部の状態からＪ
３部の状態に、図４（ｂ）のＨ２部の状態からＨ３部の
それぞれ導電粒子１１が捕獲される。When a load is further applied and the mounting is completed, as shown in FIG. 4C, the G3 portion is deformed on the printed circuit board 6 side while maintaining the joined state of the G2 portion of FIG. 4B. To do. In addition, the H1 portion of FIG.
From the state of the J2 portion of FIG. 4B to the H1 portion of FIG.
In the state of 3 parts, the conductive particles 11 of the H3 part are captured from the state of the H2 part of FIG. 4B.

【００５４】その結果、ボールバンプ２と基板電極５と
の間隔にばらつきがあっても、これらを相互に電気的に
接続する導電粒子１１が全ての箇所において捕獲され、
ボールバンプ２と導電粒子４、基板電極５と導電粒子４
の接触面積が安定化する。したがって、ボールバンプ２
と基板電極５と接触抵抗のばらつきが低減され、安定し
た電気的接触を図ることが可能になる。As a result, even if the distance between the ball bump 2 and the substrate electrode 5 varies, the conductive particles 11 electrically connecting these to each other are trapped at all locations,
Ball bump 2 and conductive particles 4, substrate electrode 5 and conductive particles 4
The contact area of is stabilized. Therefore, the ball bump 2
The variation in contact resistance with the substrate electrode 5 is reduced, and stable electrical contact can be achieved.

【００５５】[0055]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、バンプ
と基板電極との間隔にばらつきがあっても、これらを相
互に電気的に接続する導電粒子によりバンプと導電粒
子、基板電極と導電粒子の接触面積が安定化するという
有効な効果が得られる。As described above, according to the present invention, even if the distance between the bump and the substrate electrode varies, the bump, the conductive particle, and the substrate electrode are electrically connected to each other by the conductive particles. An effective effect that the contact area of the conductive particles is stabilized can be obtained.

【００５６】これにより、バンプと基板電極と接触抵抗
のばらつきが低減され、安定した電気的接触を図ること
が可能になるという有効な効果が得られる。As a result, the variation in contact resistance between the bump and the substrate electrode is reduced, and a stable electrical contact can be achieved, which is an effective effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の実施の形態１におけるＡＣＦによる実
装工程を連続して示す断面図1A to 1C are cross-sectional views successively showing a mounting process using an ACF according to a first embodiment of the present invention.

【図２】本発明の実施の形態２におけるＡＣＦ中に分散
された導電粒子を示す断面図FIG. 2 is a cross-sectional view showing conductive particles dispersed in ACF according to a second embodiment of the present invention.

【図３】本発明の実施の形態３におけるＡＣＦによる実
装工程を連続して示す断面図FIG. 3 is a cross-sectional view continuously showing a mounting process using an ACF according to the third embodiment of the present invention.

【図４】本発明の実施の形態４におけるＡＣＦによる実
装工程を連続して示す断面図FIG. 4 is a cross-sectional view continuously showing a mounting process by ACF according to a fourth embodiment of the present invention.

【図５】従来のＡＣＦ実装における実装前の状態を示す
断面図FIG. 5 is a sectional view showing a state before mounting in conventional ACF mounting.

【図６】ＡＣＦ実装において実装荷重が足りないときの
接合状態を示す断面図FIG. 6 is a cross-sectional view showing a joined state when a mounting load is insufficient in ACF mounting.

【図７】ＡＣＦ実装において電気的導通が図られる程度
の実装荷重が印加された接合状態を示す断面図FIG. 7 is a cross-sectional view showing a joined state in which a mounting load to the extent that electrical conduction is achieved in ACF mounting is applied.

【図８】過大な実行荷重により潰れた導電粒子を示す説
明図FIG. 8 is an explanatory diagram showing conductive particles crushed by an excessive load.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 半導体チップ ２ ボールバンプ（バンプ） ３ 異方導電性フィルム（ＡＣＦ） ３ａ 樹脂 ４ 導電粒子 ４ａ 樹脂部 ４ｂ めっき部 ５ 基板電極 ６ プリント基板（実装基板） ７ 導電粒子 ７ａ 樹脂部 ７ｂ 樹脂膜 ７ｃ めっき部 ８ 異方導電性フィルム（ＡＣＦ） ８ａ 樹脂 ９ 潰れ量制御粒子 １０ 異方導電性フィルム（ＡＣＦ） １０ａ 樹脂 １１ 導電粒子 １１ａ 樹脂部 １１ｂ めっき部 1 semiconductor chip 2 ball bumps 3 Anisotropic conductive film (ACF) 3a resin 4 Conductive particles 4a Resin part 4b Plating part 5 substrate electrodes 6 Printed circuit board (mounting board) 7 Conductive particles 7a Resin part 7b Resin film 7c Plating part 8 Anisotropic conductive film (ACF) 8a resin 9 Crushed amount control particles 10 Anisotropically conductive film (ACF) 10a resin 11 Conductive particles 11a Resin part 11b Plating part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 21/92 H05K 1/18 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/60 H01L 21/92 H05K 1/18

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】バンプの形成された半導体チップと、 絶縁性および接着性を有する樹脂中に相互に連携して荷
重の印加方向に対してのみ電気的導通を発生させる多数
の導電粒子が分散された異方導電性フィルムと、 基板電極が形成され、前記異方導電性フィルムを介して
前記バンプと前記基板電極とが電気的に接続された状態
で前記半導体チップが実装される実装基板とからなり、 前記導電粒子の弾性率と実装基板の弾性率は、印加され
た荷重が、前記導電粒子を所定の潰れ量にする荷重と、
前記導電粒子をその所定の潰れ量以上にしないように実
装基板を変形させる荷重とに分散されるように設定さ
れ、 また 前記導電粒子は、核となる樹脂部、この樹脂部の表
面を覆う樹脂膜および前記樹脂膜の表面に施された金属
めっきからなるめっき部とから構成された球体からな
り、 前記樹脂部の弾性率、前記実装基板の弾性率、前記樹脂
膜の弾性率の順に弾性率が低く設定されていることを特
徴とする実装ユニット。1. A semiconductor chip having bumps formed thereon and a resin having an insulating property and an adhesive property in cooperation with each other.
Many that generate electrical continuity only in the direction of the heavy load
Anisotropic conductive film in which conductive particles are dispersed, and a substrate electrode is formed,
State where the bump and the substrate electrode are electrically connected
And the mounting board on which the semiconductor chip is mounted, and the elastic modulus of the conductive particles and the mounting board are not applied.
A load that causes the conductive particles to have a predetermined amount of collapse,
Make sure that the conductive particles do not exceed the specified amount of collapse.
It is set so that it is distributed to the load that deforms the mounting board.
Is also the conductive particles consist resin portion as a core, a sphere composed of a plating unit comprising a metal plating applied to the surface of the resin film and the resin film covering the surface of the resin portion, the resin modulus of section, the elastic modulus of the mounting substrate, the implementation unit you characterized in that elastic modulus in the order of the elastic modulus of the resin film is set low. 【請求項２】前記異方導電性フィルムの樹脂中には、前
記導電粒子および前記実装基板よりも高い弾性率を有
し、前記導電粒子の設定された潰れ量後の径と同じ径と
された非導電性の潰れ量制御粒子が分散されていること
を特徴とする請求項１記載の実装ユニット。2. The resin of the anisotropically conductive film has a higher elastic modulus than the conductive particles and the mounting substrate, and has the same diameter as the diameter of the conductive particles after the set crush amount. mounting unit of claim 1 Symbol placement nonconductive collapsed amount control particles is characterized in that it is dispersed. 【請求項３】前記導電粒子が潰れ量制御粒子と同等以上
となる配合比率とされていることを特徴とする請求項２
記載の実装ユニット。3. A process according to claim 2, characterized in that there is a mixing ratio that the said conductive particles are crushed amount control particles equal to or more than
The listed mounting unit. 【請求項４】バンプの形成された半導体チップと、 絶縁性および接着性を有する樹脂中に相互に連携して荷
重の印加方向に対してのみ電気的導通を発生させる多数
の導電粒子が分散された異方導電性フィルムと、 基板電極が形成され、前記異方導電性フィルムを介して
前記バンプと前記基板電極とが電気的に接続された状態
で前記半導体チップが実装される実装基板とからなり、 前記導電粒子の弾性率と実装基板の弾性率は、印加され
た荷重が、前記導電粒子を所定の潰れ量にする荷重と、
前記導電粒子をその所定の潰れ量以上にしないように実
装基板を変形させる荷重とに分散されるように設定さ
れ、 また 前記導電粒子は、核となる樹脂部とこの樹脂部の表
面に施された金属めっきからなるめっき部とから構成さ
れた楕円球状体からなり、 前記樹脂部の弾性率よりも前記実装基板の弾性率の方が
低く設定されていることを特徴とする実装ユニット。4. A semiconductor chip on which bumps are formed , and a resin having insulating and adhesive properties which cooperate with each other to form a load.
Many that generate electrical continuity only in the direction of the heavy load
Anisotropic conductive film in which conductive particles are dispersed, and a substrate electrode is formed,
State where the bump and the substrate electrode are electrically connected
And the mounting board on which the semiconductor chip is mounted, and the elastic modulus of the conductive particles and the mounting board are not applied.
A load that causes the conductive particles to have a predetermined amount of collapse,
Make sure that the conductive particles do not exceed the specified amount of collapse.
It is set so that it is distributed to the load that deforms the mounting board.
Is also the conductive particles is composed of oval-spherical body that is composed of a plating unit comprising a decorated metal plating on the surface of the resin portion and the resin portion as a core, the mounting than the elastic modulus of the resin portion implementation unit you characterized in that towards the elastic modulus of the substrate is set low.
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