JP3453365B2 - 写真製版によるパターン形成方法 - Google Patents
写真製版によるパターン形成方法Info
- Publication number
- JP3453365B2 JP3453365B2 JP2001006106A JP2001006106A JP3453365B2 JP 3453365 B2 JP3453365 B2 JP 3453365B2 JP 2001006106 A JP2001006106 A JP 2001006106A JP 2001006106 A JP2001006106 A JP 2001006106A JP 3453365 B2 JP3453365 B2 JP 3453365B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- booth
- forming method
- pattern forming
- exposing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/002—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor using materials containing microcapsules; Preparing or processing such materials, e.g. by pressure; Devices or apparatus specially designed therefor
- G03F7/0022—Devices or apparatus
- G03F7/0025—Devices or apparatus characterised by means for coating the developer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、写真製版によるパ
ターン形成方法に係り、特に、化学増幅系レジストに精
度良くパターンを転写するためのパターン形成方法に関
する。
ターン形成方法に係り、特に、化学増幅系レジストに精
度良くパターンを転写するためのパターン形成方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】図2は、写真製版による従来のパターン
形成方法の流れを説明するための図を示す。従来のパタ
ーン形成方法では、図2(A)に示すように、先ず基板
10の上にレジスト12が塗布される。次に、図2
(B)に示すように、マスク14を用いてレジスト12
が露光される。その後、現像処理が実行されることによ
り、図2(C)に示すようにレジスト12に所望のパタ
ーンが形成される。
形成方法の流れを説明するための図を示す。従来のパタ
ーン形成方法では、図2(A)に示すように、先ず基板
10の上にレジスト12が塗布される。次に、図2
(B)に示すように、マスク14を用いてレジスト12
が露光される。その後、現像処理が実行されることによ
り、図2(C)に示すようにレジスト12に所望のパタ
ーンが形成される。
【0003】近年では、微細なパターンを精度良く形成
するために、上記図2(B)に示す露光工程において、
ハーフトーンマスクが用いられている。図3は、ハーフ
トーンマスク16の構造を説明するための図を示す。よ
り具体的には、図3(A)は、ハーフトーンマスク16
の平面図であり、また、図3(B)は、ハーフトーンマ
スク16を図3(A)に示すA-A直線に沿って切断する
ことで得られる断面図である。
するために、上記図2(B)に示す露光工程において、
ハーフトーンマスクが用いられている。図3は、ハーフ
トーンマスク16の構造を説明するための図を示す。よ
り具体的には、図3(A)は、ハーフトーンマスク16
の平面図であり、また、図3(B)は、ハーフトーンマ
スク16を図3(A)に示すA-A直線に沿って切断する
ことで得られる断面図である。
【0004】ハーフトーンマスク16は、クローム膜で
遮光された遮光部分18と、露光光を通過させるための
透光部分20、および透光部分20と遮光部分18との
境界に形成されたシフター22を備えている。遮光部分
18は、露光光の透過が完全に遮断される部分である。
透光部分20は、ハーフトーンマスク16上に形成され
る転写パターンに相当し、透過率100%で露光光を透
過させる部分である。また、シフター22は、所定の透
過率(通常は4〜6%)で露光光を透過させる部分であ
る。
遮光された遮光部分18と、露光光を通過させるための
透光部分20、および透光部分20と遮光部分18との
境界に形成されたシフター22を備えている。遮光部分
18は、露光光の透過が完全に遮断される部分である。
透光部分20は、ハーフトーンマスク16上に形成され
る転写パターンに相当し、透過率100%で露光光を透
過させる部分である。また、シフター22は、所定の透
過率(通常は4〜6%)で露光光を透過させる部分であ
る。
【0005】透光部分20の周囲に、上記特性を有する
シフターを形成すると、光の干渉作用によって、転写パ
ターンに対応する領域内の光の強度を強めることができ
る。このため、ハーフトーンマスクは、転写パターンが
微細であり、透光部分20のみによっては十分な光強度
が得られない場合に、精度良くパターンを転写するうえ
で有効である。
シフターを形成すると、光の干渉作用によって、転写パ
ターンに対応する領域内の光の強度を強めることができ
る。このため、ハーフトーンマスクは、転写パターンが
微細であり、透光部分20のみによっては十分な光強度
が得られない場合に、精度良くパターンを転写するうえ
で有効である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】光の干渉を利用して転
写パターンに対応する部分での光強度を強める効果、す
なわち、ハーフトーン効果は、シフター22における露
光光の透過率を高めることで向上させることができる。
しかし、シフター22の透過率を高めると、転写パター
ンに対応する部分の光強度が高まると共に、レジスト1
2のうちシフター22に覆われた部分に到達する光の強
度も増大する。
写パターンに対応する部分での光強度を強める効果、す
なわち、ハーフトーン効果は、シフター22における露
光光の透過率を高めることで向上させることができる。
しかし、シフター22の透過率を高めると、転写パター
ンに対応する部分の光強度が高まると共に、レジスト1
2のうちシフター22に覆われた部分に到達する光の強
度も増大する。
【0007】このため、シフターの透過率を高めると、
本来は感光させるべきでないシフター22直下の領域に
おいてレジスト12が感光し、現像工程の後に、レジス
ト12表面にディンプルが現れることがある。このよう
に、従来のパターン形成方法は、レジスト12にディン
プルを発生させることなくハーフトーン効果を高めるこ
とができないという問題を有していた。
本来は感光させるべきでないシフター22直下の領域に
おいてレジスト12が感光し、現像工程の後に、レジス
ト12表面にディンプルが現れることがある。このよう
に、従来のパターン形成方法は、レジスト12にディン
プルを発生させることなくハーフトーン効果を高めるこ
とができないという問題を有していた。
【0008】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、レジストにディンプルを発生させ
ることなく、高いハーフトーン効果を確保するためのパ
ターン形成方法を提供することを目的とする。
めになされたもので、レジストにディンプルを発生させ
ることなく、高いハーフトーン効果を確保するためのパ
ターン形成方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
写真製版によるパターン形成方法であって、基板上に化
学増幅系レジストを塗布する塗布工程と、シフターの領
域に6%より大きく20%以下の透過率を有するハーフ
トーンマスクを用いて前記レジストを露光する露光工程
と、前記レジストを現像する現像工程と、前記現像工程
の前に、前記基板上に塗布された前記レジストを、塩基
性イオン濃度が1ppb以上10ppb以下に管理された雰囲
気に晒す中和工程と、を含むことを特徴とする。
写真製版によるパターン形成方法であって、基板上に化
学増幅系レジストを塗布する塗布工程と、シフターの領
域に6%より大きく20%以下の透過率を有するハーフ
トーンマスクを用いて前記レジストを露光する露光工程
と、前記レジストを現像する現像工程と、前記現像工程
の前に、前記基板上に塗布された前記レジストを、塩基
性イオン濃度が1ppb以上10ppb以下に管理された雰囲
気に晒す中和工程と、を含むことを特徴とする。
【0010】請求項2記載の発明は、請求項1記載のパ
ターン形成方法であって、前記中和工程は、前記レジス
トの塗布された前記基板を、塩基性イオン濃度が所定範
囲内に管理されたブースに通すことで行われることを特
徴とする。
ターン形成方法であって、前記中和工程は、前記レジス
トの塗布された前記基板を、塩基性イオン濃度が所定範
囲内に管理されたブースに通すことで行われることを特
徴とする。
【0011】請求項3記載の発明は、請求項2記載のパ
ターン形成方法であって、前記ブース内の塩基性イオン
濃度が所定範囲内となるように、前記ブース内に塩基性
イオンを供給する管理工程を含むことを特徴とする。
ターン形成方法であって、前記ブース内の塩基性イオン
濃度が所定範囲内となるように、前記ブース内に塩基性
イオンを供給する管理工程を含むことを特徴とする。
【0012】請求項4記載の発明は、請求項3記載のパ
ターン形成方法であって、前記ブースを減圧雰囲気とす
る減圧工程を含むことを特徴とする。
ターン形成方法であって、前記ブースを減圧雰囲気とす
る減圧工程を含むことを特徴とする。
【0013】請求項5記載の発明は、請求項1乃至4の
何れか1項記載のパターン形成方法であって、前記中和
工程は、前記露光工程の前に前記レジストを前記雰囲気
に晒す第1中和工程を含むことを特徴とする。
何れか1項記載のパターン形成方法であって、前記中和
工程は、前記露光工程の前に前記レジストを前記雰囲気
に晒す第1中和工程を含むことを特徴とする。
【0014】請求項6記載の発明は、請求項1乃至5の
何れか1項記載のパターン形成方法であって、前記中和
工程は、前記露光工程の後に前記レジストを前記雰囲気
に晒す第2中和工程を含むことを特徴とする。
何れか1項記載のパターン形成方法であって、前記中和
工程は、前記露光工程の後に前記レジストを前記雰囲気
に晒す第2中和工程を含むことを特徴とする。
【0015】
【0016】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。尚、各図において共通す
る要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。
実施の形態について説明する。尚、各図において共通す
る要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。
【0017】実施の形態1.図1は、本発明の実施の形
態1のパターン形成方法の流れを説明するための図を示
す。本実施形態のパターン形成方法では、先ず、図1
(A)に示すように、基板10の上に化学増幅系のレジ
スト12が塗布される。
態1のパターン形成方法の流れを説明するための図を示
す。本実施形態のパターン形成方法では、先ず、図1
(A)に示すように、基板10の上に化学増幅系のレジ
スト12が塗布される。
【0018】次に、基板10は、図1(B)に示す第1
ブース30の中に搬入される。第1ブース30には、図
示しない塩基性物質供給機構と減圧機構とが接続されて
いる。第1ブース30内の雰囲気は、塩基性物質供給機
構によってアンモニアなどの塩基性物質が適宜供給され
ることにより、塩基性イオン濃度(アンモニア濃度およ
び他の塩基性イオン濃度)が所定濃度となるように、具
体的にはその濃度が1〜10ppbの範囲内、より好まし
くは1〜5ppbの範囲内に収まるように制御されてい
る。
ブース30の中に搬入される。第1ブース30には、図
示しない塩基性物質供給機構と減圧機構とが接続されて
いる。第1ブース30内の雰囲気は、塩基性物質供給機
構によってアンモニアなどの塩基性物質が適宜供給され
ることにより、塩基性イオン濃度(アンモニア濃度およ
び他の塩基性イオン濃度)が所定濃度となるように、具
体的にはその濃度が1〜10ppbの範囲内、より好まし
くは1〜5ppbの範囲内に収まるように制御されてい
る。
【0019】更に、第1ブース30の内部は、減圧機構
によって、大気圧に比して低い減圧雰囲気とされてい
る。第1ブース30の内部をこのように減圧雰囲気とす
ると、第1ブース30内のアンモニアや他の塩基性イオ
ンが第1ブース30の外に漏れ出すことがなく、それら
が他の工程に悪影響を及ぼすのを確実に防止することが
できる。
によって、大気圧に比して低い減圧雰囲気とされてい
る。第1ブース30の内部をこのように減圧雰囲気とす
ると、第1ブース30内のアンモニアや他の塩基性イオ
ンが第1ブース30の外に漏れ出すことがなく、それら
が他の工程に悪影響を及ぼすのを確実に防止することが
できる。
【0020】基板10は、第1ブース30を通過した
後、図1(C)に示すように露光工程に付される。露光
工程では、ハーフトーンマスク32を用いてレジスト1
2に露光光が照射される。本実施形態で用いられるハー
フトーンマスク32は、図3に示す従来のハーフトーン
マスク16とほぼ同じ構造を有している。但し、本実施
形態におけるハーフトーンマスク32は、従来のハーフ
トーンマスク16に比してシフター22の領域がより大
きな透過率を示すように形成されている。具体的には、
従来のハーフトーンマスク16では、シフター22の透
過率が通常は4〜6%とされるのに対して、本実施形態
では、シフター22の領域に対して、4〜20%の範囲
で所望の透過率が与えられる。
後、図1(C)に示すように露光工程に付される。露光
工程では、ハーフトーンマスク32を用いてレジスト1
2に露光光が照射される。本実施形態で用いられるハー
フトーンマスク32は、図3に示す従来のハーフトーン
マスク16とほぼ同じ構造を有している。但し、本実施
形態におけるハーフトーンマスク32は、従来のハーフ
トーンマスク16に比してシフター22の領域がより大
きな透過率を示すように形成されている。具体的には、
従来のハーフトーンマスク16では、シフター22の透
過率が通常は4〜6%とされるのに対して、本実施形態
では、シフター22の領域に対して、4〜20%の範囲
で所望の透過率が与えられる。
【0021】露光工程の終了後、基板10は、図1
(D)に示す第2ブース34の中に搬入される。第2ブ
ース34には、第1ブース30の場合と同様に、図示し
ない塩基性物質供給機構と減圧機構とが接続されてい
る。そして、第2ブース34内の雰囲気は、塩基性物質
供給機構によってアンモニアなどの塩基性物質が適宜供
給されることにより、塩基性イオン濃度(アンモニア濃
度および他の塩基性イオン濃度)が所定濃度となるよう
に、具体的にはその濃度が1〜10ppbの範囲内、より
好ましくは1〜5ppbの範囲内に収まるように制御され
ている。
(D)に示す第2ブース34の中に搬入される。第2ブ
ース34には、第1ブース30の場合と同様に、図示し
ない塩基性物質供給機構と減圧機構とが接続されてい
る。そして、第2ブース34内の雰囲気は、塩基性物質
供給機構によってアンモニアなどの塩基性物質が適宜供
給されることにより、塩基性イオン濃度(アンモニア濃
度および他の塩基性イオン濃度)が所定濃度となるよう
に、具体的にはその濃度が1〜10ppbの範囲内、より
好ましくは1〜5ppbの範囲内に収まるように制御され
ている。
【0022】更に、第2ブース34の内部は、減圧機構
によって、大気圧に比して低い減圧雰囲気とされてい
る。第2ブース34の内部をこのように減圧雰囲気とす
ると、第2ブース34内のアンモニアや他の塩基性イオ
ンが第2ブース34の外に漏れ出すことがなく、それら
が他の工程に悪影響を及ぼすのを確実に防止することが
できる。
によって、大気圧に比して低い減圧雰囲気とされてい
る。第2ブース34の内部をこのように減圧雰囲気とす
ると、第2ブース34内のアンモニアや他の塩基性イオ
ンが第2ブース34の外に漏れ出すことがなく、それら
が他の工程に悪影響を及ぼすのを確実に防止することが
できる。
【0023】基板10は、第2ブース34を通過した
後、図1(E)に示すように現像工程に付される。レジ
スト12は、この現像工程で処理されることにより、所
定のパターンにパターニングされる。
後、図1(E)に示すように現像工程に付される。レジ
スト12は、この現像工程で処理されることにより、所
定のパターンにパターニングされる。
【0024】上述の如く、本実施形態では、露光工程に
おいてハーフトーンマスク32が用いられる。また、そ
のハーフトーンマスク32は、シフター(図3中に符号
22を付して表す部分に対応)が比較的大きな透過率
(4〜20%)で露光光を透過させるように形成されて
いる。このため、本実施形態のパターン形成方法によれ
ば、転写パターンが微細であっても、レジスト12上の
転写パターンに対応する部分(以下、「パターン対応部
分」と称す)に十分な強度で露光光を照射することがで
きる。
おいてハーフトーンマスク32が用いられる。また、そ
のハーフトーンマスク32は、シフター(図3中に符号
22を付して表す部分に対応)が比較的大きな透過率
(4〜20%)で露光光を透過させるように形成されて
いる。このため、本実施形態のパターン形成方法によれ
ば、転写パターンが微細であっても、レジスト12上の
転写パターンに対応する部分(以下、「パターン対応部
分」と称す)に十分な強度で露光光を照射することがで
きる。
【0025】しかしながら、シフターが大きな透過率を
有するハーフトーンマスク32が用いられる場合、レジ
スト12上の本来は感光させるべきでない部分、より具
体的には、シフターの直下に位置する部分(以下、「シ
フター対応部分」と称す)にも、ある程度露光光の影響
が及ぶ。このため、ハーフトーンマスク32は、レジス
ト12のシフター対応部分にディンプルを発生させ易い
という問題を有している。
有するハーフトーンマスク32が用いられる場合、レジ
スト12上の本来は感光させるべきでない部分、より具
体的には、シフターの直下に位置する部分(以下、「シ
フター対応部分」と称す)にも、ある程度露光光の影響
が及ぶ。このため、ハーフトーンマスク32は、レジス
ト12のシフター対応部分にディンプルを発生させ易い
という問題を有している。
【0026】ところで、本実施形態において用いられる
化学増幅系のレジスト12は、光の照射を受けると酸を
発生して活性化する。そして、現像工程が実行される
と、活性化した部分が除去されることによりレジスト1
2がパターニングされる。
化学増幅系のレジスト12は、光の照射を受けると酸を
発生して活性化する。そして、現像工程が実行される
と、活性化した部分が除去されることによりレジスト1
2がパターニングされる。
【0027】上述の如く、本実施形態では、現像工程に
先立って、レジスト12の塗布された基板10が、所定
の塩基性イオン濃度を有する雰囲気に晒される。より具
体的には、基板10は、露光工程に先立って、第1ブー
ス30の内部で、塩基性イオン濃度が所定値に管理され
た雰囲気に晒され、かつ、露光工程の直後に、第2ブー
ス34の内部で、塩基性イオン濃度が所定値に管理され
た雰囲気に晒される。
先立って、レジスト12の塗布された基板10が、所定
の塩基性イオン濃度を有する雰囲気に晒される。より具
体的には、基板10は、露光工程に先立って、第1ブー
ス30の内部で、塩基性イオン濃度が所定値に管理され
た雰囲気に晒され、かつ、露光工程の直後に、第2ブー
ス34の内部で、塩基性イオン濃度が所定値に管理され
た雰囲気に晒される。
【0028】第1ブース30を用いた上記の処理によれ
ば、露光工程に先だって、レジスト12の表面付近にア
ンモニアなどの塩基性イオンを付着或いは混入させるこ
とができる。これらの塩基性イオンによれば、露光工程
の際にレジスト12のシフター対応部分に生ずる酸を中
和し、その部分の活性化を抑制することができる。
ば、露光工程に先だって、レジスト12の表面付近にア
ンモニアなどの塩基性イオンを付着或いは混入させるこ
とができる。これらの塩基性イオンによれば、露光工程
の際にレジスト12のシフター対応部分に生ずる酸を中
和し、その部分の活性化を抑制することができる。
【0029】また、第2ブース34を用いた上記の処理
によれば、露光工程の直後に、レジスト12の表面付近
にアンモニアなどの塩基性イオンを付着或いは混入させ
ることができる。これらの塩基性イオンによれば、露光
工程の際にレジスト12のシフター対応部分に発生した
酸を中和し、その部分において活性化したレジスト12
を失活させることができる。
によれば、露光工程の直後に、レジスト12の表面付近
にアンモニアなどの塩基性イオンを付着或いは混入させ
ることができる。これらの塩基性イオンによれば、露光
工程の際にレジスト12のシフター対応部分に発生した
酸を中和し、その部分において活性化したレジスト12
を失活させることができる。
【0030】このように、本実施形態のパターン形成方
法によれば、ハーフトーンマスク32のシフターが大き
な透過率を示すにも関わらず、レジスト12のシフター
対応部分が十分に失活した状態で現像工程を開始するこ
とができる。従って、本実施形態のパターン形成方法に
よれば、現像工程の後に、シフター対応部分にディンプ
ルが発生するという問題を有効に解決することができ
る。
法によれば、ハーフトーンマスク32のシフターが大き
な透過率を示すにも関わらず、レジスト12のシフター
対応部分が十分に失活した状態で現像工程を開始するこ
とができる。従って、本実施形態のパターン形成方法に
よれば、現像工程の後に、シフター対応部分にディンプ
ルが発生するという問題を有効に解決することができ
る。
【0031】第1ブース30を用いた上記の処理、或い
は第2ブース34を用いた上記の処理は、レジスト12
のパターン対応部分の表面付近にも塩基性イオンを付着
させ、または混入させる。従って、レジスト12のパタ
ーン対応部分の表面には、現像処理により除去され難い
難溶化層が形成される。
は第2ブース34を用いた上記の処理は、レジスト12
のパターン対応部分の表面付近にも塩基性イオンを付着
させ、または混入させる。従って、レジスト12のパタ
ーン対応部分の表面には、現像処理により除去され難い
難溶化層が形成される。
【0032】しかしながら、本実施形態では、第1ブー
ス30内および第2ブース34内の塩基性イオン濃度
が、上記の如く1ppb〜10ppbの範囲、より好ましくは
1ppb〜5ppbの範囲に管理されている。このような塩基
性イオン濃度によれば、シフター対応部分においてレジ
スト12を十分に失活させつつ、パターン対応部分にお
ける難溶化層の発生を十分に抑制することができる。こ
のため、本実施形態のパターン形成方法によれば、微細
な転写パターンを精度良くレジスト12上にパターニン
グすることができる。
ス30内および第2ブース34内の塩基性イオン濃度
が、上記の如く1ppb〜10ppbの範囲、より好ましくは
1ppb〜5ppbの範囲に管理されている。このような塩基
性イオン濃度によれば、シフター対応部分においてレジ
スト12を十分に失活させつつ、パターン対応部分にお
ける難溶化層の発生を十分に抑制することができる。こ
のため、本実施形態のパターン形成方法によれば、微細
な転写パターンを精度良くレジスト12上にパターニン
グすることができる。
【0033】ところで、上述した実施の形態において
は、第1ブース30および第2ブース32に基板10を
通すことにより、レジスト12の表面付近に塩基性イオ
ンを付着または混入させることとしているが、本発明は
これに限定されるものではない。例えば、所定濃度のア
ンモニアガスなどをレジスト12表面に吹きかけること
によりレジスト12の表面付近に塩基性イオンを付着ま
たは混入させることとしてもよい。
は、第1ブース30および第2ブース32に基板10を
通すことにより、レジスト12の表面付近に塩基性イオ
ンを付着または混入させることとしているが、本発明は
これに限定されるものではない。例えば、所定濃度のア
ンモニアガスなどをレジスト12表面に吹きかけること
によりレジスト12の表面付近に塩基性イオンを付着ま
たは混入させることとしてもよい。
【0034】また、上述した実施の形態においては、露
光工程の前後に、レジスト12の表面に塩基性イオンを
供給する工程を2回実行することとしているが、これら
は常に組み合わせて用いる必要はない。すなわち、レジ
スト12の表面に塩基性イオンを供給する工程は、露光
工程前に1回実行するだけであっても、また、露光工程
後に1回行うだけであっても良い。
光工程の前後に、レジスト12の表面に塩基性イオンを
供給する工程を2回実行することとしているが、これら
は常に組み合わせて用いる必要はない。すなわち、レジ
スト12の表面に塩基性イオンを供給する工程は、露光
工程前に1回実行するだけであっても、また、露光工程
後に1回行うだけであっても良い。
【0035】また、上述した実施の形態においては、第
1ブース30および第2ブース34を減圧雰囲気に保つ
こととしているが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。すなわち、第1ブース30および第2ブース34
は、それぞれ常圧雰囲気に保たれていても、或いは加圧
雰囲気に保たれていてもよい。
1ブース30および第2ブース34を減圧雰囲気に保つ
こととしているが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。すなわち、第1ブース30および第2ブース34
は、それぞれ常圧雰囲気に保たれていても、或いは加圧
雰囲気に保たれていてもよい。
【0036】更に、上述した実施の形態においては、第
1ブース30内の塩基性イオン濃度と、第2ブース34
内の塩基性イオン濃度とを同じにしているが、本発明は
これに限定されるものではなく、それらの濃度は、必要
に応じて互いに異なる濃度としてもよい。
1ブース30内の塩基性イオン濃度と、第2ブース34
内の塩基性イオン濃度とを同じにしているが、本発明は
これに限定されるものではなく、それらの濃度は、必要
に応じて互いに異なる濃度としてもよい。
【0037】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、ハーフト
ーンマスクが用いられることにより活性化するレジスト
上のシフター対応部分を、現像工程に先立って失活させ
ることができる。このため、本発明によれば、シフター
対応部分におけるディンプルの発生を防止しつつ、微細
な転写パターンを精度良くレジスト上にパターニングす
ることができる。
ーンマスクが用いられることにより活性化するレジスト
上のシフター対応部分を、現像工程に先立って失活させ
ることができる。このため、本発明によれば、シフター
対応部分におけるディンプルの発生を防止しつつ、微細
な転写パターンを精度良くレジスト上にパターニングす
ることができる。
【図1】 本発明の実施の形態1のパターン形成方法の
流れを説明するための図である。
流れを説明するための図である。
【図2】 従来のパターン形成方法の流れを説明するた
めの図である。
めの図である。
【図3】 ハーフトーンマスクの構造を説明するための
平面図および断面図である。
平面図および断面図である。
10 基板
12 レジスト
16;32 ハーフトーンマスク
18 遮光部分
20 透光部分
22 シフター
30 第1ブース
34 第2ブース
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI
H01L 21/027 H01L 21/30 568
(56)参考文献 特開 平9−274313(JP,A)
特開 平6−83073(JP,A)
特開 平4−14058(JP,A)
特開 平6−273944(JP,A)
特開 平10−198048(JP,A)
特開 平11−231553(JP,A)
特開 平9−292719(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
G03F 7/00 - 7/42
Claims (6)
- 【請求項1】 写真製版によるパターン形成方法であっ
て、 基板上に化学増幅系レジストを塗布する塗布工程と、シフターの領域に6%より大きく20%以下の透過率を
有する ハーフトーンマスクを用いて前記レジストを露光
する露光工程と、 前記レジストを現像する現像工程と、 前記現像工程の前に、前記基板上に塗布された前記レジ
ストを、塩基性イオン濃度が1ppb以上10ppb以下に管
理された雰囲気に晒す中和工程と、 を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項2】 前記中和工程は、前記レジストの塗布さ
れた前記基板を、塩基性イオン濃度が所定範囲内に管理
されたブースに通すことで行われることを特徴とする請
求項1記載のパターン形成方法。 - 【請求項3】 前記ブース内の塩基性イオン濃度が所定
範囲内となるように、前記ブース内に塩基性イオンを供
給する管理工程を含むことを特徴とする請求項2記載の
パターン形成方法。 - 【請求項4】 前記ブースを、減圧雰囲気とする減圧工
程を含むことを特徴とする請求項3記載のパターン形成
方法。 - 【請求項5】 前記中和工程は、前記露光工程の前に前
記レジストを前記雰囲気に晒す第1中和工程を含むこと
を特徴とする請求項1乃至4の何れか1項記載のパター
ン形成方法。 - 【請求項6】 前記中和工程は、前記露光工程の後に前
記レジストを前記雰囲気に晒す第2中和工程を含むこと
を特徴とする請求項1乃至5の何れか1項記載のパター
ン形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001006106A JP3453365B2 (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 写真製版によるパターン形成方法 |
KR1020010057934A KR100790687B1 (ko) | 2001-01-15 | 2001-09-19 | 사진 제판에 의한 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001006106A JP3453365B2 (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 写真製版によるパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002214803A JP2002214803A (ja) | 2002-07-31 |
JP3453365B2 true JP3453365B2 (ja) | 2003-10-06 |
Family
ID=18874049
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001006106A Expired - Fee Related JP3453365B2 (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 写真製版によるパターン形成方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3453365B2 (ja) |
KR (1) | KR100790687B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080023814A (ko) | 2006-09-12 | 2008-03-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
JP2015045836A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-03-12 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法及びそれに用いられる表面処理剤、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3130672B2 (ja) * | 1992-09-04 | 2001-01-31 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクパターンの形成方法 |
JPH10198048A (ja) * | 1997-01-13 | 1998-07-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
KR100271641B1 (ko) * | 1998-01-14 | 2001-03-02 | 김영환 | 포토레지스트 패턴형성방법 |
-
2001
- 2001-01-15 JP JP2001006106A patent/JP3453365B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-19 KR KR1020010057934A patent/KR100790687B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100790687B1 (ko) | 2008-01-02 |
JP2002214803A (ja) | 2002-07-31 |
KR20020061479A (ko) | 2002-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101003375B1 (ko) | 리소그래피 마스크의 제조 방법 및 리소그래피 마스크 | |
JP2007310175A (ja) | フォトマスク | |
EP0037708B1 (en) | Method of forming patterns | |
US6218082B1 (en) | Method for patterning a photoresist | |
JP2002202585A5 (ja) | ||
JP3453365B2 (ja) | 写真製版によるパターン形成方法 | |
US6423455B1 (en) | Method for fabricating a multiple masking layer photomask | |
US6251547B1 (en) | Simplified process for making an outrigger type phase shift mask | |
US5851734A (en) | Process for defining resist patterns | |
US7189495B2 (en) | Method of forming photoresist pattern free from side-lobe phenomenon | |
JP3214455B2 (ja) | 投影露光方法 | |
JPS57100428A (en) | Method for photomechanical process | |
JPH07219203A (ja) | 位相シフトマスクとその製造方法 | |
JPH03203390A (ja) | プリント基板の製造方法 | |
JPH03146954A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
US20030181033A1 (en) | Masks and method for contact hole exposure | |
US20030117605A1 (en) | Apparatus and method for contact hole exposure | |
JPS60235422A (ja) | マスクパタ−ンの欠陥修正方法 | |
JPS59155930A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
JPS63218959A (ja) | ホトマスクパタ−ンの修正方法 | |
KR100207448B1 (ko) | 산의 확산방지막이 구비된 3중층 감광막 | |
JP2002365782A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
JPS6057927A (ja) | 欠陥修正方法 | |
KR101087785B1 (ko) | 노광마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법 | |
KR0123241B1 (ko) | 포토마스크 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |