JP3453365B2 - 写真製版によるパターン形成方法 - Google Patents
写真製版によるパターン形成方法Info
- Publication number
- JP3453365B2 JP3453365B2 JP2001006106A JP2001006106A JP3453365B2 JP 3453365 B2 JP3453365 B2 JP 3453365B2 JP 2001006106 A JP2001006106 A JP 2001006106A JP 2001006106 A JP2001006106 A JP 2001006106A JP 3453365 B2 JP3453365 B2 JP 3453365B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- booth
- forming method
- pattern forming
- exposing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/002—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor using materials containing microcapsules; Preparing or processing such materials, e.g. by pressure; Devices or apparatus specially designed therefor
- G03F7/0022—Devices or apparatus
- G03F7/0025—Devices or apparatus characterised by means for coating the developer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、写真製版によるパ
ターン形成方法に係り、特に、化学増幅系レジストに精
度良くパターンを転写するためのパターン形成方法に関
する。
ターン形成方法に係り、特に、化学増幅系レジストに精
度良くパターンを転写するためのパターン形成方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、写真製版による従来のパターン
形成方法の流れを説明するための図を示す。従来のパタ
ーン形成方法では、図２（Ａ）に示すように、先ず基板
１０の上にレジスト１２が塗布される。次に、図２
（Ｂ）に示すように、マスク１４を用いてレジスト１２
が露光される。その後、現像処理が実行されることによ
り、図２（Ｃ）に示すようにレジスト１２に所望のパタ
ーンが形成される。
形成方法の流れを説明するための図を示す。従来のパタ
ーン形成方法では、図２（Ａ）に示すように、先ず基板
１０の上にレジスト１２が塗布される。次に、図２
（Ｂ）に示すように、マスク１４を用いてレジスト１２
が露光される。その後、現像処理が実行されることによ
り、図２（Ｃ）に示すようにレジスト１２に所望のパタ
ーンが形成される。
【０００３】近年では、微細なパターンを精度良く形成
するために、上記図２（Ｂ）に示す露光工程において、
ハーフトーンマスクが用いられている。図３は、ハーフ
トーンマスク１６の構造を説明するための図を示す。よ
り具体的には、図３（Ａ）は、ハーフトーンマスク１６
の平面図であり、また、図３（Ｂ）は、ハーフトーンマ
スク１６を図３（Ａ）に示すA-A直線に沿って切断する
ことで得られる断面図である。
するために、上記図２（Ｂ）に示す露光工程において、
ハーフトーンマスクが用いられている。図３は、ハーフ
トーンマスク１６の構造を説明するための図を示す。よ
り具体的には、図３（Ａ）は、ハーフトーンマスク１６
の平面図であり、また、図３（Ｂ）は、ハーフトーンマ
スク１６を図３（Ａ）に示すA-A直線に沿って切断する
ことで得られる断面図である。
【０００４】ハーフトーンマスク１６は、クローム膜で
遮光された遮光部分１８と、露光光を通過させるための
透光部分２０、および透光部分２０と遮光部分１８との
境界に形成されたシフター２２を備えている。遮光部分
１８は、露光光の透過が完全に遮断される部分である。
透光部分２０は、ハーフトーンマスク１６上に形成され
る転写パターンに相当し、透過率１００％で露光光を透
過させる部分である。また、シフター２２は、所定の透
過率（通常は４〜６％）で露光光を透過させる部分であ
る。
遮光された遮光部分１８と、露光光を通過させるための
透光部分２０、および透光部分２０と遮光部分１８との
境界に形成されたシフター２２を備えている。遮光部分
１８は、露光光の透過が完全に遮断される部分である。
透光部分２０は、ハーフトーンマスク１６上に形成され
る転写パターンに相当し、透過率１００％で露光光を透
過させる部分である。また、シフター２２は、所定の透
過率（通常は４〜６％）で露光光を透過させる部分であ
る。
【０００５】透光部分２０の周囲に、上記特性を有する
シフターを形成すると、光の干渉作用によって、転写パ
ターンに対応する領域内の光の強度を強めることができ
る。このため、ハーフトーンマスクは、転写パターンが
微細であり、透光部分２０のみによっては十分な光強度
が得られない場合に、精度良くパターンを転写するうえ
で有効である。
シフターを形成すると、光の干渉作用によって、転写パ
ターンに対応する領域内の光の強度を強めることができ
る。このため、ハーフトーンマスクは、転写パターンが
微細であり、透光部分２０のみによっては十分な光強度
が得られない場合に、精度良くパターンを転写するうえ
で有効である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】光の干渉を利用して転
写パターンに対応する部分での光強度を強める効果、す
なわち、ハーフトーン効果は、シフター２２における露
光光の透過率を高めることで向上させることができる。
しかし、シフター２２の透過率を高めると、転写パター
ンに対応する部分の光強度が高まると共に、レジスト１
２のうちシフター２２に覆われた部分に到達する光の強
度も増大する。
写パターンに対応する部分での光強度を強める効果、す
なわち、ハーフトーン効果は、シフター２２における露
光光の透過率を高めることで向上させることができる。
しかし、シフター２２の透過率を高めると、転写パター
ンに対応する部分の光強度が高まると共に、レジスト１
２のうちシフター２２に覆われた部分に到達する光の強
度も増大する。
【０００７】このため、シフターの透過率を高めると、
本来は感光させるべきでないシフター２２直下の領域に
おいてレジスト１２が感光し、現像工程の後に、レジス
ト１２表面にディンプルが現れることがある。このよう
に、従来のパターン形成方法は、レジスト１２にディン
プルを発生させることなくハーフトーン効果を高めるこ
とができないという問題を有していた。
本来は感光させるべきでないシフター２２直下の領域に
おいてレジスト１２が感光し、現像工程の後に、レジス
ト１２表面にディンプルが現れることがある。このよう
に、従来のパターン形成方法は、レジスト１２にディン
プルを発生させることなくハーフトーン効果を高めるこ
とができないという問題を有していた。
【０００８】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、レジストにディンプルを発生させ
ることなく、高いハーフトーン効果を確保するためのパ
ターン形成方法を提供することを目的とする。
めになされたもので、レジストにディンプルを発生させ
ることなく、高いハーフトーン効果を確保するためのパ
ターン形成方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
写真製版によるパターン形成方法であって、基板上に化
学増幅系レジストを塗布する塗布工程と、シフターの領
域に６％より大きく２０％以下の透過率を有するハーフ
トーンマスクを用いて前記レジストを露光する露光工程
と、前記レジストを現像する現像工程と、前記現像工程
の前に、前記基板上に塗布された前記レジストを、塩基
性イオン濃度が１ppb以上１０ppb以下に管理された雰囲
気に晒す中和工程と、を含むことを特徴とする。
写真製版によるパターン形成方法であって、基板上に化
学増幅系レジストを塗布する塗布工程と、シフターの領
域に６％より大きく２０％以下の透過率を有するハーフ
トーンマスクを用いて前記レジストを露光する露光工程
と、前記レジストを現像する現像工程と、前記現像工程
の前に、前記基板上に塗布された前記レジストを、塩基
性イオン濃度が１ppb以上１０ppb以下に管理された雰囲
気に晒す中和工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】請求項２記載の発明は、請求項１記載のパ
ターン形成方法であって、前記中和工程は、前記レジス
トの塗布された前記基板を、塩基性イオン濃度が所定範
囲内に管理されたブースに通すことで行われることを特
徴とする。
ターン形成方法であって、前記中和工程は、前記レジス
トの塗布された前記基板を、塩基性イオン濃度が所定範
囲内に管理されたブースに通すことで行われることを特
徴とする。
【００１１】請求項３記載の発明は、請求項２記載のパ
ターン形成方法であって、前記ブース内の塩基性イオン
濃度が所定範囲内となるように、前記ブース内に塩基性
イオンを供給する管理工程を含むことを特徴とする。
ターン形成方法であって、前記ブース内の塩基性イオン
濃度が所定範囲内となるように、前記ブース内に塩基性
イオンを供給する管理工程を含むことを特徴とする。
【００１２】請求項４記載の発明は、請求項３記載のパ
ターン形成方法であって、前記ブースを減圧雰囲気とす
る減圧工程を含むことを特徴とする。
ターン形成方法であって、前記ブースを減圧雰囲気とす
る減圧工程を含むことを特徴とする。
【００１３】請求項５記載の発明は、請求項１乃至４の
何れか１項記載のパターン形成方法であって、前記中和
工程は、前記露光工程の前に前記レジストを前記雰囲気
に晒す第１中和工程を含むことを特徴とする。
何れか１項記載のパターン形成方法であって、前記中和
工程は、前記露光工程の前に前記レジストを前記雰囲気
に晒す第１中和工程を含むことを特徴とする。
【００１４】請求項６記載の発明は、請求項１乃至５の
何れか１項記載のパターン形成方法であって、前記中和
工程は、前記露光工程の後に前記レジストを前記雰囲気
に晒す第２中和工程を含むことを特徴とする。
何れか１項記載のパターン形成方法であって、前記中和
工程は、前記露光工程の後に前記レジストを前記雰囲気
に晒す第２中和工程を含むことを特徴とする。
【００１５】
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。尚、各図において共通す
る要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。
実施の形態について説明する。尚、各図において共通す
る要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。
【００１７】実施の形態１．図１は、本発明の実施の形
態１のパターン形成方法の流れを説明するための図を示
す。本実施形態のパターン形成方法では、先ず、図１
（Ａ）に示すように、基板１０の上に化学増幅系のレジ
スト１２が塗布される。
態１のパターン形成方法の流れを説明するための図を示
す。本実施形態のパターン形成方法では、先ず、図１
（Ａ）に示すように、基板１０の上に化学増幅系のレジ
スト１２が塗布される。
【００１８】次に、基板１０は、図１（Ｂ）に示す第１
ブース３０の中に搬入される。第１ブース３０には、図
示しない塩基性物質供給機構と減圧機構とが接続されて
いる。第１ブース３０内の雰囲気は、塩基性物質供給機
構によってアンモニアなどの塩基性物質が適宜供給され
ることにより、塩基性イオン濃度（アンモニア濃度およ
び他の塩基性イオン濃度）が所定濃度となるように、具
体的にはその濃度が１〜１０ppbの範囲内、より好まし
くは１〜５ppbの範囲内に収まるように制御されてい
る。
ブース３０の中に搬入される。第１ブース３０には、図
示しない塩基性物質供給機構と減圧機構とが接続されて
いる。第１ブース３０内の雰囲気は、塩基性物質供給機
構によってアンモニアなどの塩基性物質が適宜供給され
ることにより、塩基性イオン濃度（アンモニア濃度およ
び他の塩基性イオン濃度）が所定濃度となるように、具
体的にはその濃度が１〜１０ppbの範囲内、より好まし
くは１〜５ppbの範囲内に収まるように制御されてい
る。
【００１９】更に、第１ブース３０の内部は、減圧機構
によって、大気圧に比して低い減圧雰囲気とされてい
る。第１ブース３０の内部をこのように減圧雰囲気とす
ると、第１ブース３０内のアンモニアや他の塩基性イオ
ンが第１ブース３０の外に漏れ出すことがなく、それら
が他の工程に悪影響を及ぼすのを確実に防止することが
できる。
によって、大気圧に比して低い減圧雰囲気とされてい
る。第１ブース３０の内部をこのように減圧雰囲気とす
ると、第１ブース３０内のアンモニアや他の塩基性イオ
ンが第１ブース３０の外に漏れ出すことがなく、それら
が他の工程に悪影響を及ぼすのを確実に防止することが
できる。
【００２０】基板１０は、第１ブース３０を通過した
後、図１（Ｃ）に示すように露光工程に付される。露光
工程では、ハーフトーンマスク３２を用いてレジスト１
２に露光光が照射される。本実施形態で用いられるハー
フトーンマスク３２は、図３に示す従来のハーフトーン
マスク１６とほぼ同じ構造を有している。但し、本実施
形態におけるハーフトーンマスク３２は、従来のハーフ
トーンマスク１６に比してシフター２２の領域がより大
きな透過率を示すように形成されている。具体的には、
従来のハーフトーンマスク１６では、シフター２２の透
過率が通常は４〜６％とされるのに対して、本実施形態
では、シフター２２の領域に対して、４〜２０％の範囲
で所望の透過率が与えられる。
後、図１（Ｃ）に示すように露光工程に付される。露光
工程では、ハーフトーンマスク３２を用いてレジスト１
２に露光光が照射される。本実施形態で用いられるハー
フトーンマスク３２は、図３に示す従来のハーフトーン
マスク１６とほぼ同じ構造を有している。但し、本実施
形態におけるハーフトーンマスク３２は、従来のハーフ
トーンマスク１６に比してシフター２２の領域がより大
きな透過率を示すように形成されている。具体的には、
従来のハーフトーンマスク１６では、シフター２２の透
過率が通常は４〜６％とされるのに対して、本実施形態
では、シフター２２の領域に対して、４〜２０％の範囲
で所望の透過率が与えられる。
【００２１】露光工程の終了後、基板１０は、図１
（Ｄ）に示す第２ブース３４の中に搬入される。第２ブ
ース３４には、第１ブース３０の場合と同様に、図示し
ない塩基性物質供給機構と減圧機構とが接続されてい
る。そして、第２ブース３４内の雰囲気は、塩基性物質
供給機構によってアンモニアなどの塩基性物質が適宜供
給されることにより、塩基性イオン濃度（アンモニア濃
度および他の塩基性イオン濃度）が所定濃度となるよう
に、具体的にはその濃度が１〜１０ppbの範囲内、より
好ましくは１〜５ppbの範囲内に収まるように制御され
ている。
（Ｄ）に示す第２ブース３４の中に搬入される。第２ブ
ース３４には、第１ブース３０の場合と同様に、図示し
ない塩基性物質供給機構と減圧機構とが接続されてい
る。そして、第２ブース３４内の雰囲気は、塩基性物質
供給機構によってアンモニアなどの塩基性物質が適宜供
給されることにより、塩基性イオン濃度（アンモニア濃
度および他の塩基性イオン濃度）が所定濃度となるよう
に、具体的にはその濃度が１〜１０ppbの範囲内、より
好ましくは１〜５ppbの範囲内に収まるように制御され
ている。
【００２２】更に、第２ブース３４の内部は、減圧機構
によって、大気圧に比して低い減圧雰囲気とされてい
る。第２ブース３４の内部をこのように減圧雰囲気とす
ると、第２ブース３４内のアンモニアや他の塩基性イオ
ンが第２ブース３４の外に漏れ出すことがなく、それら
が他の工程に悪影響を及ぼすのを確実に防止することが
できる。
によって、大気圧に比して低い減圧雰囲気とされてい
る。第２ブース３４の内部をこのように減圧雰囲気とす
ると、第２ブース３４内のアンモニアや他の塩基性イオ
ンが第２ブース３４の外に漏れ出すことがなく、それら
が他の工程に悪影響を及ぼすのを確実に防止することが
できる。
【００２３】基板１０は、第２ブース３４を通過した
後、図１（Ｅ）に示すように現像工程に付される。レジ
スト１２は、この現像工程で処理されることにより、所
定のパターンにパターニングされる。
後、図１（Ｅ）に示すように現像工程に付される。レジ
スト１２は、この現像工程で処理されることにより、所
定のパターンにパターニングされる。
【００２４】上述の如く、本実施形態では、露光工程に
おいてハーフトーンマスク３２が用いられる。また、そ
のハーフトーンマスク３２は、シフター（図３中に符号
２２を付して表す部分に対応）が比較的大きな透過率
（４〜２０％）で露光光を透過させるように形成されて
いる。このため、本実施形態のパターン形成方法によれ
ば、転写パターンが微細であっても、レジスト１２上の
転写パターンに対応する部分（以下、「パターン対応部
分」と称す）に十分な強度で露光光を照射することがで
きる。
おいてハーフトーンマスク３２が用いられる。また、そ
のハーフトーンマスク３２は、シフター（図３中に符号
２２を付して表す部分に対応）が比較的大きな透過率
（４〜２０％）で露光光を透過させるように形成されて
いる。このため、本実施形態のパターン形成方法によれ
ば、転写パターンが微細であっても、レジスト１２上の
転写パターンに対応する部分（以下、「パターン対応部
分」と称す）に十分な強度で露光光を照射することがで
きる。
【００２５】しかしながら、シフターが大きな透過率を
有するハーフトーンマスク３２が用いられる場合、レジ
スト１２上の本来は感光させるべきでない部分、より具
体的には、シフターの直下に位置する部分（以下、「シ
フター対応部分」と称す）にも、ある程度露光光の影響
が及ぶ。このため、ハーフトーンマスク３２は、レジス
ト１２のシフター対応部分にディンプルを発生させ易い
という問題を有している。
有するハーフトーンマスク３２が用いられる場合、レジ
スト１２上の本来は感光させるべきでない部分、より具
体的には、シフターの直下に位置する部分（以下、「シ
フター対応部分」と称す）にも、ある程度露光光の影響
が及ぶ。このため、ハーフトーンマスク３２は、レジス
ト１２のシフター対応部分にディンプルを発生させ易い
という問題を有している。
【００２６】ところで、本実施形態において用いられる
化学増幅系のレジスト１２は、光の照射を受けると酸を
発生して活性化する。そして、現像工程が実行される
と、活性化した部分が除去されることによりレジスト１
２がパターニングされる。
化学増幅系のレジスト１２は、光の照射を受けると酸を
発生して活性化する。そして、現像工程が実行される
と、活性化した部分が除去されることによりレジスト１
２がパターニングされる。
【００２７】上述の如く、本実施形態では、現像工程に
先立って、レジスト１２の塗布された基板１０が、所定
の塩基性イオン濃度を有する雰囲気に晒される。より具
体的には、基板１０は、露光工程に先立って、第１ブー
ス３０の内部で、塩基性イオン濃度が所定値に管理され
た雰囲気に晒され、かつ、露光工程の直後に、第２ブー
ス３４の内部で、塩基性イオン濃度が所定値に管理され
た雰囲気に晒される。
先立って、レジスト１２の塗布された基板１０が、所定
の塩基性イオン濃度を有する雰囲気に晒される。より具
体的には、基板１０は、露光工程に先立って、第１ブー
ス３０の内部で、塩基性イオン濃度が所定値に管理され
た雰囲気に晒され、かつ、露光工程の直後に、第２ブー
ス３４の内部で、塩基性イオン濃度が所定値に管理され
た雰囲気に晒される。
【００２８】第１ブース３０を用いた上記の処理によれ
ば、露光工程に先だって、レジスト１２の表面付近にア
ンモニアなどの塩基性イオンを付着或いは混入させるこ
とができる。これらの塩基性イオンによれば、露光工程
の際にレジスト１２のシフター対応部分に生ずる酸を中
和し、その部分の活性化を抑制することができる。
ば、露光工程に先だって、レジスト１２の表面付近にア
ンモニアなどの塩基性イオンを付着或いは混入させるこ
とができる。これらの塩基性イオンによれば、露光工程
の際にレジスト１２のシフター対応部分に生ずる酸を中
和し、その部分の活性化を抑制することができる。
【００２９】また、第２ブース３４を用いた上記の処理
によれば、露光工程の直後に、レジスト１２の表面付近
にアンモニアなどの塩基性イオンを付着或いは混入させ
ることができる。これらの塩基性イオンによれば、露光
工程の際にレジスト１２のシフター対応部分に発生した
酸を中和し、その部分において活性化したレジスト１２
を失活させることができる。
によれば、露光工程の直後に、レジスト１２の表面付近
にアンモニアなどの塩基性イオンを付着或いは混入させ
ることができる。これらの塩基性イオンによれば、露光
工程の際にレジスト１２のシフター対応部分に発生した
酸を中和し、その部分において活性化したレジスト１２
を失活させることができる。
【００３０】このように、本実施形態のパターン形成方
法によれば、ハーフトーンマスク３２のシフターが大き
な透過率を示すにも関わらず、レジスト１２のシフター
対応部分が十分に失活した状態で現像工程を開始するこ
とができる。従って、本実施形態のパターン形成方法に
よれば、現像工程の後に、シフター対応部分にディンプ
ルが発生するという問題を有効に解決することができ
る。
法によれば、ハーフトーンマスク３２のシフターが大き
な透過率を示すにも関わらず、レジスト１２のシフター
対応部分が十分に失活した状態で現像工程を開始するこ
とができる。従って、本実施形態のパターン形成方法に
よれば、現像工程の後に、シフター対応部分にディンプ
ルが発生するという問題を有効に解決することができ
る。
【００３１】第１ブース３０を用いた上記の処理、或い
は第２ブース３４を用いた上記の処理は、レジスト１２
のパターン対応部分の表面付近にも塩基性イオンを付着
させ、または混入させる。従って、レジスト１２のパタ
ーン対応部分の表面には、現像処理により除去され難い
難溶化層が形成される。
は第２ブース３４を用いた上記の処理は、レジスト１２
のパターン対応部分の表面付近にも塩基性イオンを付着
させ、または混入させる。従って、レジスト１２のパタ
ーン対応部分の表面には、現像処理により除去され難い
難溶化層が形成される。
【００３２】しかしながら、本実施形態では、第１ブー
ス３０内および第２ブース３４内の塩基性イオン濃度
が、上記の如く１ppb〜１０ppbの範囲、より好ましくは
１ppb〜５ppbの範囲に管理されている。このような塩基
性イオン濃度によれば、シフター対応部分においてレジ
スト１２を十分に失活させつつ、パターン対応部分にお
ける難溶化層の発生を十分に抑制することができる。こ
のため、本実施形態のパターン形成方法によれば、微細
な転写パターンを精度良くレジスト１２上にパターニン
グすることができる。
ス３０内および第２ブース３４内の塩基性イオン濃度
が、上記の如く１ppb〜１０ppbの範囲、より好ましくは
１ppb〜５ppbの範囲に管理されている。このような塩基
性イオン濃度によれば、シフター対応部分においてレジ
スト１２を十分に失活させつつ、パターン対応部分にお
ける難溶化層の発生を十分に抑制することができる。こ
のため、本実施形態のパターン形成方法によれば、微細
な転写パターンを精度良くレジスト１２上にパターニン
グすることができる。
【００３３】ところで、上述した実施の形態において
は、第１ブース３０および第２ブース３２に基板１０を
通すことにより、レジスト１２の表面付近に塩基性イオ
ンを付着または混入させることとしているが、本発明は
これに限定されるものではない。例えば、所定濃度のア
ンモニアガスなどをレジスト１２表面に吹きかけること
によりレジスト１２の表面付近に塩基性イオンを付着ま
たは混入させることとしてもよい。
は、第１ブース３０および第２ブース３２に基板１０を
通すことにより、レジスト１２の表面付近に塩基性イオ
ンを付着または混入させることとしているが、本発明は
これに限定されるものではない。例えば、所定濃度のア
ンモニアガスなどをレジスト１２表面に吹きかけること
によりレジスト１２の表面付近に塩基性イオンを付着ま
たは混入させることとしてもよい。
【００３４】また、上述した実施の形態においては、露
光工程の前後に、レジスト１２の表面に塩基性イオンを
供給する工程を２回実行することとしているが、これら
は常に組み合わせて用いる必要はない。すなわち、レジ
スト１２の表面に塩基性イオンを供給する工程は、露光
工程前に１回実行するだけであっても、また、露光工程
後に１回行うだけであっても良い。
光工程の前後に、レジスト１２の表面に塩基性イオンを
供給する工程を２回実行することとしているが、これら
は常に組み合わせて用いる必要はない。すなわち、レジ
スト１２の表面に塩基性イオンを供給する工程は、露光
工程前に１回実行するだけであっても、また、露光工程
後に１回行うだけであっても良い。
【００３５】また、上述した実施の形態においては、第
１ブース３０および第２ブース３４を減圧雰囲気に保つ
こととしているが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。すなわち、第１ブース３０および第２ブース３４
は、それぞれ常圧雰囲気に保たれていても、或いは加圧
雰囲気に保たれていてもよい。
１ブース３０および第２ブース３４を減圧雰囲気に保つ
こととしているが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。すなわち、第１ブース３０および第２ブース３４
は、それぞれ常圧雰囲気に保たれていても、或いは加圧
雰囲気に保たれていてもよい。
【００３６】更に、上述した実施の形態においては、第
１ブース３０内の塩基性イオン濃度と、第２ブース３４
内の塩基性イオン濃度とを同じにしているが、本発明は
これに限定されるものではなく、それらの濃度は、必要
に応じて互いに異なる濃度としてもよい。
１ブース３０内の塩基性イオン濃度と、第２ブース３４
内の塩基性イオン濃度とを同じにしているが、本発明は
これに限定されるものではなく、それらの濃度は、必要
に応じて互いに異なる濃度としてもよい。
【００３７】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、ハーフト
ーンマスクが用いられることにより活性化するレジスト
上のシフター対応部分を、現像工程に先立って失活させ
ることができる。このため、本発明によれば、シフター
対応部分におけるディンプルの発生を防止しつつ、微細
な転写パターンを精度良くレジスト上にパターニングす
ることができる。
ーンマスクが用いられることにより活性化するレジスト
上のシフター対応部分を、現像工程に先立って失活させ
ることができる。このため、本発明によれば、シフター
対応部分におけるディンプルの発生を防止しつつ、微細
な転写パターンを精度良くレジスト上にパターニングす
ることができる。
【図１】 本発明の実施の形態１のパターン形成方法の
流れを説明するための図である。
流れを説明するための図である。
【図２】 従来のパターン形成方法の流れを説明するた
めの図である。
めの図である。
【図３】 ハーフトーンマスクの構造を説明するための
平面図および断面図である。
平面図および断面図である。
１０ 基板
１２ レジスト
１６；３２ ハーフトーンマスク
１８ 遮光部分
２０ 透光部分
２２ シフター
３０ 第１ブース
３４ 第２ブース
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６８
(56)参考文献 特開 平９−274313（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−83073（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−14058（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−273944（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−198048（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−231553（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−292719（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/00 - 7/42
Claims (6)
- 【請求項１】 写真製版によるパターン形成方法であっ
て、 基板上に化学増幅系レジストを塗布する塗布工程と、シフターの領域に６％より大きく２０％以下の透過率を
有する ハーフトーンマスクを用いて前記レジストを露光
する露光工程と、 前記レジストを現像する現像工程と、 前記現像工程の前に、前記基板上に塗布された前記レジ
ストを、塩基性イオン濃度が１ppb以上１０ppb以下に管
理された雰囲気に晒す中和工程と、 を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項２】 前記中和工程は、前記レジストの塗布さ
れた前記基板を、塩基性イオン濃度が所定範囲内に管理
されたブースに通すことで行われることを特徴とする請
求項１記載のパターン形成方法。 - 【請求項３】 前記ブース内の塩基性イオン濃度が所定
範囲内となるように、前記ブース内に塩基性イオンを供
給する管理工程を含むことを特徴とする請求項２記載の
パターン形成方法。 - 【請求項４】 前記ブースを、減圧雰囲気とする減圧工
程を含むことを特徴とする請求項３記載のパターン形成
方法。 - 【請求項５】 前記中和工程は、前記露光工程の前に前
記レジストを前記雰囲気に晒す第１中和工程を含むこと
を特徴とする請求項１乃至４の何れか１項記載のパター
ン形成方法。 - 【請求項６】 前記中和工程は、前記露光工程の後に前
記レジストを前記雰囲気に晒す第２中和工程を含むこと
を特徴とする請求項１乃至５の何れか１項記載のパター
ン形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001006106A JP3453365B2 (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 写真製版によるパターン形成方法 |
| KR1020010057934A KR100790687B1 (ko) | 2001-01-15 | 2001-09-19 | 사진 제판에 의한 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001006106A JP3453365B2 (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 写真製版によるパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002214803A JP2002214803A (ja) | 2002-07-31 |
| JP3453365B2 true JP3453365B2 (ja) | 2003-10-06 |
Family
ID=18874049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001006106A Expired - Fee Related JP3453365B2 (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 写真製版によるパターン形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3453365B2 (ja) |
| KR (1) | KR100790687B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080023814A (ko) | 2006-09-12 | 2008-03-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 |
| JP2015045836A (ja) * | 2013-08-02 | 2015-03-12 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法及びそれに用いられる表面処理剤、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3130672B2 (ja) * | 1992-09-04 | 2001-01-31 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスクパターンの形成方法 |
| JPH10198048A (ja) * | 1997-01-13 | 1998-07-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| KR100271641B1 (ko) * | 1998-01-14 | 2001-03-02 | 김영환 | 포토레지스트 패턴형성방법 |
-
2001
- 2001-01-15 JP JP2001006106A patent/JP3453365B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-19 KR KR1020010057934A patent/KR100790687B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100790687B1 (ko) | 2008-01-02 |
| JP2002214803A (ja) | 2002-07-31 |
| KR20020061479A (ko) | 2002-07-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101003375B1 (ko) | 리소그래피 마스크의 제조 방법 및 리소그래피 마스크 | |
| JP2007310175A (ja) | フォトマスク | |
| EP0037708B1 (en) | Method of forming patterns | |
| US6218082B1 (en) | Method for patterning a photoresist | |
| JP2002202585A5 (ja) | ||
| JP3453365B2 (ja) | 写真製版によるパターン形成方法 | |
| US6423455B1 (en) | Method for fabricating a multiple masking layer photomask | |
| US6251547B1 (en) | Simplified process for making an outrigger type phase shift mask | |
| US5851734A (en) | Process for defining resist patterns | |
| US7189495B2 (en) | Method of forming photoresist pattern free from side-lobe phenomenon | |
| JP3214455B2 (ja) | 投影露光方法 | |
| JPS57100428A (en) | Method for photomechanical process | |
| JPH07219203A (ja) | 位相シフトマスクとその製造方法 | |
| JPH03203390A (ja) | プリント基板の製造方法 | |
| JPH03146954A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| US20030181033A1 (en) | Masks and method for contact hole exposure | |
| US20030117605A1 (en) | Apparatus and method for contact hole exposure | |
| JPS60235422A (ja) | マスクパタ−ンの欠陥修正方法 | |
| JPS59155930A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPS63218959A (ja) | ホトマスクパタ−ンの修正方法 | |
| KR100207448B1 (ko) | 산의 확산방지막이 구비된 3중층 감광막 | |
| JP2002365782A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPS6057927A (ja) | 欠陥修正方法 | |
| KR101087785B1 (ko) | 노광마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 형성 방법 | |
| KR0123241B1 (ko) | 포토마스크 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |