JP3451331B2 - 光記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は改良された光学特性
を有する光記録媒体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、追記型ＣＤ（コンパクトディス
ク）の開発が活発化してきている。これは、従来のＣＤ
と異なりユーザが情報を記録することが可能で且つ記録
後の信号は従来のＣＤの規格を満足するため、市販ＣＤ
プレーヤで再生可能であるという特徴をもつ。このよう
なメディアを実現する方法の１つとして、特開平２−４
２６５２号公報において、基板上に色素をスピンコーテ
ィングして記録層を設け、その背後に金属反射層を設け
ることが提案されている。更に、後の特開平２−１３２
６５６号公報に述べられているように、記録層の複素屈
折率、膜厚を適当に選ぶことにより、記録後の信号がＣ
Ｄ規格を満足するようになり、追記型ＣＤとし商品化さ
れている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、特開平２−
４２６５２号公報及び特開平２−１３２６５６号公報で
示されている色素を用いた追記型ＣＤは、耐光性の点で
は未だ十分なものではなかった。即ち、太陽光に長時間
さらされて放置された場合等に信号特性が変化し、ＣＤ
規格を満足することができないという欠点があった。こ
れは記録層に用いられる色素材料、特に従来用いられて
いたシアニン系色素が光により変化することに起因して
いる。そこでこの変化を抑制するために、特開昭６３−
１５９０９０号公報に示されているように、記録層に光
安定化剤を含有することが知られている。しかし、光安
定化剤を少量（２０％以下）添加した場合には、十分な
耐光性を得ることができず、逆に多量（２０％以上）に
添加すると、記録層の光学的及び／又は熱的な特性が変
化し、各種の信号品質が低下するという問題点があっ
た。

【０００４】一方、特開平３−６２８７８号公報におい
ては、高耐光性色素であるフタロシアニン化合物を用い
た追記型ＣＤが開示されている。これは、フタロシアニ
ン化合物に特定の基を付加することにより、フタロシア
ニン化合物をスピンコートした記録層の複素屈折率を追
記型ＣＤに必要な値に調節し、高耐光性追記型ＣＤを実
現したものである。しかし、特開平３−６２８７８号公
報に開示されている追記型ＣＤは、従来のシアニン系色
素を記録層に用いたものに比べ、再生信号の品質が劣っ
ていた。即ち、再生信号を構成する個々の信号の長さ
（ピット長）が本来のＣＤ信号の理論値からずれやす
く、再生エラーが発生する場合があるという問題点があ
った。

【０００５】従って、本発明の目的は、前記した再生信
号に関する問題点のないフタロシアニン化合物を記録層
に用いた高耐光性光記録媒体、及びその製造方法を提供
することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意研究を
重ねた結果、前記従来技術の光記録媒体において、後記
一般式（Ｉ）で表わされるフタロシアニン系化合物を用
いることにより、前述の問題点を解決できるということ
を見い出し、本発明を完成するに至った。

【０００７】即ち、本発明によれば、基板上に少なくと
も記録層を設けてなる光記録媒体において、該記録層が
下記一般式（Ｉ）で表わされる金属フタロシアニン系化
合物を主成分として構成されていることを特徴とする光
記録媒体が提供される。

【化１】 （式中、Ｍ及びＡ^１〜Ａ^８は、それぞれ以下のものを表
わす。 Ｍ：２価の金属原子、置換３価金属原子、２置換４価金
属原子又はオキシ金属。Ａ^１とＡ^２、Ａ^３とＡ^４、Ａ^５
とＡ^６及びＡ^７とＡ^８：それぞれのどちらか一方は下記
一般式（II）で表わされるオキシ（若しくはチオ）フェ
ニル系基又は下記一般式（III）で表わされるチオフェ
ニル系基、他方は水素原子又はハロゲン原子であり、か
つ下記一般式（II）で表わされるオキシ（若しくはチ
オ）フェニル系基又は下記一般式（III）で表わされる
チオフェニル系基を、それぞれ少なくとも一つ有する。 一般式（II）：

【化２】 一般式（III）：

【化３】 Ｑ：Ｏ又はＳ原子。 Ｒ^１〜Ｒ^５：少なくとも一つは炭素数４〜１０の直鎖若
しくは分岐のアルコキシ基、他はそれぞれ独立に炭素数
１〜１０の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素
数１〜３のアルコキシ基、ハロゲン原子又は水素原子。 Ｒ^６〜Ｒ^１０：それぞれ独立に炭素数１〜１０の直鎖、
分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜３のアルコ
キシ基、ハロゲン原子又は水素原子。）

【０００８】また、本発明によれば、好ましい態様とし
て、前記一般式（Ｉ）で表わされるフタロシアニン系化
合物のＭが、Ｎｉ²⁺、Ｃｕ²⁺、Ｚｎ²⁺及びＰｄ²⁺から選
ばれた少なくとも一つの２価金属原子である化合物を使
用した記録層を設けてなる光記録媒体が、また前記一般
式（Ｉ）で表わされるフタロシアニ系化合物のＲ⁵、Ｒ⁶
及びＲ¹⁰が、それぞれ独立にメチル、エチル、ｎ−プロ
ピル、ｉｓｏ−プロピル、メトキシ、エトキシ、ｎ−プ
ロピルオキシ、ｉｓｏ−プロピルオキシから選ばれる一
つの基である化合物を使用した記録層を設けてなる光記
録媒体が、また前記記録層が７１０〜７５０ｎｍの範囲
に光吸収ピーク波長（λｍａｘ）を有するものである光
記録媒体が提供される。

【０００９】更に、本発明によれば、表面に情報ピット
及び／又は案内溝が形成されてなる基板上に、直接又は
他の層を介して前記一般式（Ｉ）で表わされる金属フタ
ロシアニン系化合物を主成分とする記録層を塗布成膜手
段により設け、その上に直接又は他の層を介して光反射
層を真空成膜手段により設け、更にその上に保護層を設
けることを特徴とする光記録媒体の製造方法が提供され
る。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の光記録媒体は、記録層が一般式（Ｉ）で表わさ
れる金属フタロシアニン系化合物を主成分として構成さ
れていることを特徴とする。

【化１】 この金属フタロシアニン系化合物において、中心金属Ｍ
としては、２価の金属原子、１置換３価金属原子、２置
換４価金属原子又はオキシ金属原子が用いられるが、具
体的には次のものが挙げられる。

【００１１】〈２価の金属〉 Ｃｕ²⁺、Ｚｎ²⁺、Ｆｅ²⁺、Ｃｏ²⁺、Ｎｉ²⁺、Ｒｕ²⁺、Ｒ
ｈ²⁺、Ｐｄ²⁺、Ｐｔ²⁺、Ｍｎ²⁺、Ｍｇ²⁺、Ｔｉ²⁺、Ｂｅ
²⁺、Ｃａ²⁺、Ｂａ²⁺、Ｃｄ²⁺、Ｈｇ²⁺、Ｐｂ²⁺、Ｓｎ²⁺
など。 〈１置換３価金属〉 Ａｌ−Ｃｌ、Ａｌ−Ｂｒ、Ａｌ−Ｆ、Ａｌ−Ｉ、Ｇａ−
Ｃｌ、Ｇａ−Ｆ、Ｇａ−Ｉ、Ｇａ−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｃｌ、
Ｉｎ−Ｂｒ、Ｉｎ−Ｉ、Ｉｎ−Ｆ、Ｔｌ−Ｃｌ、Ｔｌ−
Ｂｒ、Ｔｌ−Ｉ、Ｔｌ−Ｆ、Ａｌ−Ｃ₆Ｈ₅、Ａｌ−Ｃ₆
Ｈ₄（ＣＨ₃）、Ｉｎ−Ｃ₆Ｈ₅、Ｉｎ−Ｃ₆Ｈ₄（Ｃ
Ｈ₃）、Ｉｎ−Ｃ₁₀Ｈ₇、Ｍｎ（ＯＨ）、Ｍｎ（ＯＣ
₆Ｈ₅）、Ｍｎ〔ＯＳｉ（ＣＨ₃）₃〕、ＦｅＣｌ、ＲｕＣ
ｌなど。

【００１２】〈２置換４価金属〉 ＣｒＣｌ₂、ＳｉＣｌ₂、ＳｉＢｒ₂、ＳｉＦ₂、Ｓｉ
Ｉ₂、ＺｒＣｌ₂、ＧｅＣｌ₂、ＧｅＢｒ₂、ＧｅＩ₂、Ｇ
ｅＦ₂、ＳｎＣｌ₂、ＳｎＢｒ₂、ＳｎＩ₂、ＳｎＦ₂、Ｔ
ｉＣｌ₂、ＴｉＢｒ₂、ＴｉＦ₂、Ｓｉ（ＯＨ）₂、Ｇｅ
（ＯＨ）₂、Ｚｒ（ＯＨ）₂、Ｍｎ（ＯＨ）₂、Ｓｎ（Ｏ
Ｈ）₂、ＴｉＲ₂、ＣｒＲ₂、ＳｉＲ₂、ＳｎＲ₂、ＧｅＲ₂
〔Ｒはアルキル基、フェニル基、ナフチル基及びその誘
導体を表わす〕、Ｓｉ（ＯＲ’）₂、Ｓｎ（ＯＲ’）₂、
Ｇｅ（ＯＲ’）₂、Ｔｉ（ＯＲ’）₂、Ｃｒ（ＯＲ’）₂
〔Ｒ’はアルキル基、フェニル基、ナフチル基、トリア
ルキルシリル基、ジアルキルアルコキシシリル基及びそ
の誘導体を表わす〕、Ｓｎ（ＳＲ^-）₂、Ｇｅ（ＳＲ^-）₂
〔Ｒ^-はアルキル基、フェニル基、ナフチル基及びその
誘導体を表わす〕など。 〈オキシ置換〉 ＶＯ、ＭｎＯ、ＴｉＯなど。

【００１３】以上の金属の中でも、特にＮｉ²⁺、Ｃ
ｕ²⁺、Ｚｎ²⁺、Ｐｄ²⁺が好ましい。これらは、耐光性が
良好であり、記録層のλｍａｘが７１０〜７５０ｎｍ近
傍となるためである。記録層のλｍａｘが７１０〜７５
０ｎｍの範囲にあると、追記型ＣＤに必要な複素屈折率
を得やすい。

【００１４】また、Ａ¹〜Ａ⁸で示される置換基に含有さ
れる下記一般式（II）で表わされるオキシ（若しくはチ
オ）フェニル系基中、ＱはＯ又はＳ原子を表わし、また
Ｒ¹〜Ｒ⁵は少なくとも一つは炭素数４〜１０の直鎖若し
くは分岐のアルコキシ基、他はそれぞれ独立に炭素数１
〜１０の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数
１〜３のアルコキシ基、ハロゲン原子又は水素原子を表
わす。

【化２】

【００１５】炭素数４〜１０のアルコキシ基の具体例と
しては、ｎ−ブチルオキシ、ｉｓｏ−ブチルオキシ、ｔ
ｅｒｔ−ブチルオキシ、ｓｅｃ−ブチルオキシ、ｎ−ペ
ンチルオキシ、ｎｅｏ−ペンチルオキシ、ｉｓｏ−ペン
チルオキシ、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ、１−メチルブ
チルオキシ、２−メチルブチルオキシ、ｎ−ヘキシルオ
キシ、シクロヘキシルオキシ、アダマンチルオキシ、ノ
ルボルニルオキシ、ベンジルオキシ、などが挙げられる
が、好ましくはＲ¹及び／又はＲ⁵に分岐のアルコキシ基
を有するものが良い。Ｒ¹、Ｒ⁵に分岐のアルコキシ基を
有する化合物は、レーザー光波長域において良好な複素
屈折率（特に高い屈折率）を得やすいためである。ま
た、Ｒ¹〜Ｒ⁵のその他（Ｒ¹〜Ｒ⁵で炭素数４〜１０のア
ルコキシ基でないもの）の具体例としては、水素原子、
メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ
−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ
−ブチル、ｎ−ペンチル、ｉｓｏ−ペンチル、ｔｅｒｔ
−ペンチル、ｎｅｏ−ペンチル、１−メチルブチル、２
−メチルブチル、ｎ−ヘキシル、２−エチルブチル、シ
クロヘキシル、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロピルオキ
シ、ｉｓｏ−プロピルオキシの各基や、Ｆ、Ｃｌ、Ｂ
ｒ、Ｉ各原子などが挙げられる。

【００１６】一方、Ａ¹〜Ａ⁸で示される置換基に含有さ
れ、下記一般式（III）で表わされるチオフェニル系基
のＲ⁶〜Ｒ¹⁰は、同じであってもあるいは異なっていて
もよく、Ｒ⁶〜Ｒ¹⁰はそれぞれ独立に炭素数１〜１０の
直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜３の
アルコキシ基、ハロゲン原子又は水素原子を表わす。

【化３】

【００１７】Ｒ⁶〜Ｒ¹⁰の具体例としては、水素原子、
メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ
−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｓｅｃ
−ブチル、ｎ−ペンチル、ｉｓｏ−ペンチル、ｔｅｒｔ
−ペンチル、ｎｅｏ−ペンチル、１−メチルブチル、２
−メチルブチル、ｎ−ヘキシル、２−エチルブチル、シ
クロヘキシル、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロピルオキ
シ、ｉｓｏ−プロピルオキシの各基や、Ｆ、Ｃｌ、Ｂ
ｒ、Ｉ各原子などが挙げられるが、好ましくはＲ⁶及び
／又はＲ¹⁰にアルキル基、アルコキシ基を有するものが
良い。Ｒ⁶、Ｒ¹⁰にアルキル基、アルコキシ基を有する
化合物は、良好な複素屈折率（特に高い屈折率）を得や
すいためである。なお、Ｒ¹〜Ｒ¹⁰において炭素数が１
０より大きくなると、記録層の単位膜厚当りの吸光度が
低下し、良好な複素屈折率が得にくくなるので好ましく
ない。

【００１８】前記一般式（Ｉ）で示されるフタロシアニ
ン系化合物は、対応するフタロニトリル混合物の環化反
応などにより容易に合成することができる。即ち、下記
（IVI)及び（Ｖ)の混合物を、例えば１，８−ジアザビ
シクロ〔５，４，０〕−７−ウンデセンの存在下、金属
誘導体とアルコール中加熱反応することにより容易に合
成できる。

【化４】

【化５】

【００１９】Ａ¹〜Ａ⁸における前記一般式（II）で表わ
されるオキシ（若しくはチオ）フェニル系基と前記一般
式（III）で表わされるチオフェニル系基の比率は１／
３〜３／１が好ましく、更にこの範囲の比率を有する化
合物の混合物で記録層を形成することが好ましい。一般
式（II）の基の比率が大きくなると再生信号のピット長
ずれが生じやすく、逆に一般式（III）の基の比率が大
きくなると色素の分解温度が高くなり、記録感度が低下
しやすい。また、混合物とすることにより色素の溶解性
が向上し、記録層の成膜性が良くなる。

【００２０】Ａ¹〜Ａ⁸の他方は水素原子又はハロゲン原
子である。ハロゲン原子としては、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ
各原子を挙げることができ、好ましくはＣｌ、Ｂｒ原子
が良い。ハロゲン原子を付加することにより、色素の分
解温度が低くなり、記録感度が向上しやすいためであ
る。

【００２１】更に、フタロシアニン骨格のベンゼン環の
β位には、記録感度を向上する、記録層の吸収波長を調
節する、塗布溶媒に対する溶解性を向上する等の理由で
他の基を付加してもよく、このような基としては、ハロ
ゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基、アリ
ール基、アルキルチオ基、スルホン酸基、スルホン酸ア
ミン基などを挙げることができる。

【００２２】Ａ¹〜Ａ⁸又はβ位へのハロゲンの付加は、
前述の環化反応後、フタロシアニン化合物をハロゲン化
溶媒中、ハロゲン化剤（Ｂｒ₂など）と反応させること
などにより容易に行なうことができる。但し、この場合
異性体が多く存在するので、ハロゲンの数、付加位置は
特定しにくい。

【００２３】光吸収材料としては、前記フタロシアニン
系化合物のみではなく、該フタロシアニン系化合物に加
えて、従来より情報記録媒体の記録材料として知られて
いる任意の色素を混合して用いることができる。このよ
うな色素としては、例えば、シアニン系色素、ピリリウ
ム系・チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、ス
クワリリウム系色素、Ｎｉ、Ｃｒなどの金属錯塩系色
素、ナフトキノン系・アントラキノン系色素、インドフ
ェノール系色素、インドアニリン系色素、トリフェニル
メタン系色素、トリアリルメタン系色素、アミニウム系
・ジインモニウム系色素及びニトロソ化合物を挙げるこ
とができる。更に、必要に応じて他の第３成分、例えば
バインダー、安定剤等を含有させることができる。な
お、記録層の膜厚は、１００〜５０００Åが好ましく、
特に５００〜３０００Åが望ましい。記録層の膜厚が、
この範囲より薄くなると記録感度が低下し、また厚くな
ると反射率が低下するからである。

【００２４】本発明において使用する基板は、従来の情
報記録媒体の基板として用いられている各種の材料から
任意に選択することができる。基板材料の例としては、
ポリメチルメタクリレートのようなアクリル樹脂、ポリ
塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹
脂、エポキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、アモルファ
スポリオレフィン、ポリエステル、ソーダ石灰ガラス等
のガラス及びセラミックスを挙げることができる。特に
寸法安定性、透明性及び平面性などの点から、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹
脂、アモルファスポリオレフィン、ポリエステル及びガ
ラスなどを挙げることができる。

【００２５】記録層が設けられる側の基板表面には、平
面性の改善、接着力の向上及び記録層の変質の防止の目
的で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材料として
は、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸／
メタクリル酸共重合体、スチレン／無水マレイン酸共重
合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリル
アミド、スチレン／スルホン酸共重合体、スチレン／ビ
ニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレ
ン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオ
レフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル／塩
化ビニル共重合体、エチレン／酢酸ビニル共重合体、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高
分子物質：シランカップリング剤などの有機物質：及び
無機酸化物（ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃等）、無機フッ化物
（ＭｇＦ₂）などの無機物質を挙げることができる。な
お、下塗層の層厚は一般に０．００５〜２０μｍの範囲
にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。

【００２６】また、基板（又は下塗層）上には、トラッ
キング用溝又はアドレス信号等の情報を表わす凹凸の形
成の目的で、プレグループ層が設けられてもよい。プレ
グループ層の材料としては、アクリル酸のモノエステ
ル、ジエステル、トリエステル及びテトラエステルのう
ちの少なくとも一種のモノマー（又はオリゴマー）と光
重合開始剤との混合物を用いることができる。

【００２７】更に、記録層の上には、Ｓ／Ｎ比、反射率
の向上及び記録時における感度の向上の目的で、反射層
が設けられてもよい。反射層の材料である光反射性物質
はレーザー光に対する反射率が高い物質であり、その例
としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｃａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔ
ｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｓｉなどの金属及び半金属を挙
げることができる。これらのうちで好ましいものはＡ
ｕ、Ａｌ及びＡｇである。これら物質は単独で用いても
よいし、あるいは二種以上の組合せで又は合金として用
いてもよい。なお、反射層の層厚は一般に１００〜３０
００Åの範囲にある。また、反射層は基板と記録層との
間に設けられてもよく、この場合には情報の記録再生は
記録層側（基板とは反対の側）から行なわれる。

【００２８】また、記録層（又は反射層）の上には、記
録層などを物理的及び化学的に保護する目的で保護層が
設けられてもよい。この保護層は、基板の記録層が設け
られていない側にも耐傷性、耐湿性を高める目的で設け
られてもよい。保護層に用いられる材料の例としては、
ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、ＭｇＦ₂、ＳｎＯ₂等の無機物質、熱
可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂を挙げるこ
とができる。なお、保護層の層厚は一般的には５００Å
〜５０μｍの範囲にある。

【００２９】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて説明する。本発明の光記録媒体の製造方法は、表面
に情報ピット及び／又は案内溝が形成されてなる基板上
に、直接又は他の層を介して前記一般式（Ｉ）で表わさ
れる金属フタロシアニン系化合物を主成分とする記録層
を塗布成膜手段により設け、その上に直接又は他の層を
介して光反射層を真空成膜手段により設け、更にその上
に保護層を設けることを特徴とする。即ち、本発明の製
造方法は、下記の工程からなる。 （イ）表面に情報ピット及び／又は案内溝が形成されて
いる基板上に、直接又は他の層を介して前記一般式
（Ｉ）で表わされる金属フタロシアニン系化合物を主成
分とする記録層を塗布成膜手段により設ける工程、 （ロ）記録層上に直接又は他の層を介して光反射層を真
空成膜手段により設ける工程、及び （ハ）記録層上に保護層を設ける工程。

【００３０】（記録層形成工程） 本発明の方法においては、先ず表面に情報ピット及び／
又は案内溝が形成されている基板上に、直接又は他の層
を介して、前記金属フタロシアニン系化合物を主成分と
する記録層が塗布成膜手段により設けられる。即ち、前
記フタロシアニン系化合物を溶媒に溶解し、液状の塗布
液として基板上にコートすることにより、記録層が形成
される。この塗布液を調整するための溶媒としては、公
知の有機溶媒（例えばアルコール、セルソルブ、ハロゲ
ン化炭素、ケトン、エーテル等）を使用することができ
る。また、コート方法としては、記録層の濃度、粘度、
溶剤の乾燥温度を調節することにより層厚を制御できる
ため、スピンコート法が望ましい。

【００３１】なお、記録層が設けられる側の基体表面に
下塗層を設けることが、基板表面の平面性の改善や接着
力の向上あるいは記録層の変質防止等の目的で、行なわ
れる。この場合の下塗層は、例えば前述した下塗層用物
質を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調整したの
ち、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エク
ストルージョンコートなどの塗布法により基板表面に塗
布することにより形成することができる。

【００３２】（光反射層形成工程） 本発明の方法においては、次に記録層上に直接又は他の
層を介して光反射層が真空成膜手段により設けられる。
即ち、前述した光反射性物質を、例えば蒸着、スパッタ
リング又はイオンプレーティングすることにより、光反
射層が記録層の上に形成される。

【００３３】（保護層形成工程） 本発明の方法においては、光反射層上に保護層が設けら
れる。即ち、前述した無機物質や種々の樹脂からなる保
護層用材料を、真空成膜又は塗布成膜することにより形
成される。特にＵＶ硬化性樹脂を用いるのが、好まし
く、該樹脂をスピンコート後、紫外線照射により硬化し
て形成される。

【００３４】

【実施例】以下実施例について本発明を説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。

【００３５】実施例１ 直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネイト円
板の表面上に、深さ約１２００Åの案内溝凹凸パターン
を有する基板を用意し、後記表１中（１）で表わされる
フタロシアニン化合物の記録層を、テトラヒドロフラ
ン、２−ブトキシエタノール、メチルシクロヘキサンか
らなる混合溶媒を塗布液としてスピンコートすることに
より設けた。なお、フタロシアニン化合物（１）は、Ａ
を有するフタロニトリルとＡ’を有するフタロニトリル
を比率（１／３）で混合し、１，８−ジアザビシクロ
〔５，４，０〕−７−ウンデセン及び金属塩化物を加え
て、１−ペンタノール中加熱反応することにより得た。
形成された記録層のλｍａｘは７３０ｎｍであった。ま
た、記録層の膜厚は約１５００Åであった。記録層の上
にＡｕスパッタ法によりＡｕを約８００Åの厚さに設け
反射層とし、更にその上に紫外線硬化樹脂からなる保護
層を約５μｍの厚さに設けて、本発明の光記録媒体を得
た。

【００３６】得られた光記録媒体に波長７８５ｎｍ、
Ｎ．Ａ．０．５、線速１．２ｍ／ｓの条件でＥＦＭ信号
を記録し、再生信号のピット長をインターバルアナライ
ザーにより測定したところ、標準ＣＤ（Ｔｅｓｔ５Ｂ）
からのピット長のずれは４０ｎｓ以下であり、追記型Ｃ
Ｄ規格（オレンジブック）を満足する値であった。

【００３７】実施例２〜６ 後記表１中（２）〜（６）で表わされるフタロシアニン
化合物について、実施例１と同様に光記録媒体を作成し
且つ評価したところ、記録層のλｍａｘは表１のとお
り、７１０〜７５０ｎｍの範囲にあり、再生信号のピッ
ト長ずれは４０ｎｓ以内であった。

【００３８】比較例１〜４ 後記表１中（７）〜（１０）で表わされるフタロシアニ
ン化合物について、実施例１と同様に光記録媒体を作成
し、且つ評価したところ、記録層のλｍａｘは表１のと
おり、７１０〜７５０ｎｍの範囲にあったが、再生信号
のピット長ずれは、１１Ｔピットで−６０ｎｓ以下であ
り、追記型ＣＤ規格を満足することができなかった。

【００３９】

【表１】

【００４０】

【発明の効果】請求項１の光記録媒体は、記録層が前記
一般式（Ｉ）で表わされる金属フタロシアニン系化合物
を主成分として構成されていることから、信号特性に優
れ、再生エラーが発生しにくく、且つ耐光性に優れてい
る。

【００４１】請求項２の光記録媒体は、前記一般式
（Ｉ）で表わされるフタロシアニン系化合物のＭがＮｉ
²⁺、Ｃｕ²⁺、Ｚｎ²⁺及びＰｄ²⁺から選ばれたものとした
ことから、耐光性が更に向上し、追記型ＣＤに必要な複
素屈折率を得やすくなるという効果が加わる。

【００４２】請求項３の光記録媒体は、前記一般式
（Ｉ）で表わされるフタロシアニン系化合物のＲ⁵、Ｒ⁶
及びＲ¹⁰が、それぞれ独立にメチル、エチル、ｎ−プロ
ピル、ｉｓｏ−プロピル、メトキシ、エトキシ、ｎ−プ
ロピルオキシ、ｉｓｏ−プロピルオキシから選ばれたも
のとしたことから、レーザー光波長域において良好な複
素屈折率を得やすいという効果が加わる。

【００４３】請求項４の光記録媒体は、記録層の光吸収
ピーク波長が７１０〜７５０ｎｍの範囲にあるものとし
たことから、レーザー光波長において、適切な複素屈折
率をより確実に得られるという効果が加わる。

【００４４】請求項５の光記録媒体の製造方法は、記録
層を塗布成膜手段により形成させ、且つ光反射層を真空
成膜手段により形成させるものとしたことから、本発明
の光記録媒体を容易に安定して製造することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−85630（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−39286（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−37991（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−133790（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−113886（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−129799（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−226390（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−369578（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−124354（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−131750（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−290830（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−299962（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−282108（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−226388（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−108265（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−43091（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−290665（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B41M 5/26 ＣＡＰＬＵＳ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくとも記録層を設けてなる
   光記録媒体において、該記録層が下記一般式（Ｉ）で表
   わされる金属フタロシアニン系化合物を主成分として構
   成されていることを特徴とする光記録媒体。 【化１】 （式中、Ｍ及びＡ^１〜Ａ^８は、それぞれ以下のものを表
   わす。 Ｍ：２価の金属原子、置換３価金属原子、２置換４価金
   属原子又はオキシ金属。Ａ^１とＡ^２、Ａ^３とＡ^４、Ａ^５
   とＡ^６及びＡ^７とＡ^８：それぞれのどちらか一方は下記
   一般式（II）で表わされるオキシ（若しくはチオ）フェ
   ニル系基又は下記一般式（III）で表わされるチオフェ
   ニル系基、他方は水素原子又はハロゲン原子であり、か
   つ下記一般式（II）で表わされるオキシ（若しくはチ
   オ）フェニル系基又は下記一般式（III）で表わされる
   チオフェニル系基を、それぞれ少なくとも一つ有する。 一般式（II）： 【化２】 一般式（III）： 【化３】 Ｑ：Ｏ又はＳ原子。 Ｒ^１〜Ｒ^５：少なくとも一つは炭素数４〜１０の直鎖若
   しくは分岐のアルコキシ基、他はそれぞれ独立に炭素数
   １〜１０の直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基、炭素
   数１〜３のアルコキシ基、ハロゲン原子又は水素原子。 Ｒ^６〜Ｒ^１０：それぞれ独立に炭素数１〜１０の直鎖、
   分岐若しくは環状のアルキル基、炭素数１〜３のアルコ
   キシ基、ハロゲン原子又は水素原子。）
2. 【請求項２】 前記一般式（Ｉ）で表わされるフタロシ
   アニン系化合物のＭが、Ｎｉ²⁺、Ｃｕ²⁺、Ｚｎ²⁺及びＰ
   ｄ²⁺から選ばれた少なくとも一つの２価金属原子である
   請求項１に記載の光記録媒体。
3. 【請求項３】 前記一般式（Ｉ）で表わされるフタロシ
   アニン系化合物のＲ⁵、Ｒ⁶及びＲ¹⁰が、それぞれ独立に
   メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、メ
   トキシ、エトキシ、ｎ−プロピルオキシ、ｉｓｏ−プロ
   ピルオキシから選ばれる一つの基である請求項１に記載
   の光記録媒体。
4. 【請求項４】 前記記録層が７１０〜７５０ｎｍの範囲
   に光吸収ピーク波長（λｍａｘ）を有するものである請
   求項１〜３のいずれか１項に記載の光記録媒体。
5. 【請求項５】 表面に情報ピット及び／又は案内溝が形
   成されてなる基板上に、直接又は他の層を介して前記一
   般式（Ｉ）で表わされる金属フタロシアニン系化合物を
   主成分とする記録層を塗布成膜手段により設け、その上
   に直接又は他の層を介して光反射層を真空成膜手段によ
   り設け、更にその上に保護層を設けることを特徴とする
   請求項１〜４のいずれか１項に記載の光記録媒体の製造
   方法。