JP3448237B2 - Waveguide type optical component and optical fiber connection method - Google Patents
Waveguide type optical component and optical fiber connection methodInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に、アレイ
導波路回折格子(AWG)と、他の光機能回路とが集積
された導波路型光部品および光ファイバ接続方法に関す
るものである。更に詳しくは、本発明は、機械強度、長
期信頼性に優れた、AWGと光/電気ハイブリッド集積
技術を用いて作製される光機能回路とが集積された導波
路型光部品を生産性が高く、低価格で提供するための回
路構成法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waveguide type optical component in which an arrayed waveguide diffraction grating (AWG) and another optical functional circuit are integrated on a substrate and an optical fiber connecting method. More specifically, the present invention has a high productivity of a waveguide type optical component which is excellent in mechanical strength and long-term reliability and in which an AWG and an optical functional circuit produced by using an optical / electric hybrid integration technology are integrated. , A circuit configuration method for providing at a low price.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、マルチメディアの普及に伴って通
信量の増大や情報の多様化が急速に進んでおり、高速で
大容量な通信ネットワークの研究開発が盛んに行われて
いる。それらの中でも、信号をN個の波長の異なる光に
乗せて伝送する波長多重通信方式(WDM通信方式)
は、光ファイバ1本当りの通信容量をN倍に向上する技
術として大きな期待を集めている。上記のWDM通信方
式では、1本の光ファイバ中を伝搬する複数の異なる波
長からなる信号光を個々に処理するために、それらの信
号光を合成、分離する波長合分波器が必要となる。現在
までに、ファイバグレーティングや多層膜反射フィルタ
などの反射ミラーとサーキュレータを用いたものなど各
種の波長合分波器が開発されている。それらの中でも、
平面光導波回路技術で作製されるアレイ導波路回折格子
(AWG)は、小型で生産性が高いなどの利点から最も
期待されている波長合分波器として挙げられる。2. Description of the Related Art In recent years, with the spread of multimedia, the amount of communication and the diversification of information are rapidly advancing, and research and development of high-speed and large-capacity communication networks are being actively conducted. Among them, a wavelength division multiplexing communication system (WDM communication system) for transmitting a signal by carrying light on N different wavelengths
Holds great expectations as a technique for improving the communication capacity per optical fiber N times. In the above WDM communication system, in order to individually process the signal lights of different wavelengths propagating in one optical fiber, a wavelength multiplexer / demultiplexer for combining and separating the signal lights is required. . To date, various wavelength multiplexers / demultiplexers have been developed, such as those using a reflection mirror such as a fiber grating or a multilayer film reflection filter and a circulator. Among them,
An arrayed waveguide diffraction grating (AWG) manufactured by the planar optical waveguide circuit technology is mentioned as a wavelength multiplexer / demultiplexer most expected because of its advantages such as small size and high productivity.
【0003】以下に、AWGの構造と動作原理について
解説を行う。AWGの概略構成を図7(a)に、透過ス
ペクトルの模式図を図7(b)に示す。AWGは、第1
の入出力チャネル導波路51と、第1の扇型スラブ導波
路53aと、チャネル導波路アレイ52と、第2の扇型
スラブ導波路53bと、第2の入出力チャネル導波路5
4とから構成される。第1の入出力チャネル導波路51
に入射された光は、第1の扇型スラブ導波路53a内に
おいて回折しながら伝搬し、第1の扇型スラブ導波路5
3aとチャネル導波路アレイ52との接続部において、
第1の入出力チャネル導波路51と第1の扇型スラブ導
波路53aとの接続部における界分布に依存した振幅、
位相分布を持つ。回折した光はチャネル導波路アレイ5
2により、チャネル導波路アレイ52と第2の扇型スラ
ブ導波路53bとの接続部まで伝搬される。ここで、チ
ャネル導波路アレイ52は、外側の導波路ほど所定の長
さΔLずつ順次長くなるように構成されており、波長λ
の光にとっての導波路長さΔLに相当する光路長差は
(2π・ne・ΔL)/λ(ne;チャネル導波路アレイ
の有効屈折率、λ;伝搬光の波長)であり、波長により
変化するので、チャネル導波路アレイ52と第2の扇型
スラブ導波路53bとの接続部における光の波面は波長
に依存した傾きとなる。チャネル導波路アレイ52から
第2の扇型スラブ導波路53bに入射された光は、第2
の扇型スラブ導波路53b内を伝搬し、第2の扇型スラ
ブ導波路53bと第2の入出力チャネル導波路54との
接続部において多光束干渉を起こしてある位置に焦点を
結ぶ。この焦点位置はチャネル導波路アレイ52と第2
の扇型スラブ導波路53bとの接続部における波面の傾
き具合に依存するため、光の波長によって焦点を結ぶ位
置が異なる。したがって、図7(b)に示すような、光
の波長によって低損失で結合する入出力チャネル導波路
が異なる透過スペクトルが得られ、波長合分波器として
機能する。現在までに半導体材料や石英を主成分とする
ガラス材料などでAWGが作製されているが、特に、石
英を主成分とするガラス材料で作製されたAWGは、材
料の特質から、低損失、低クロストーク、温度安定性が
高いなどの優れた特性のものが実現されている。The structure and operating principle of the AWG will be described below. A schematic configuration of the AWG is shown in FIG. 7 (a), and a schematic diagram of the transmission spectrum is shown in FIG. 7 (b). AWG is the first
Input / output channel waveguide 51, first fan-shaped slab waveguide 53a, channel waveguide array 52, second fan-shaped slab waveguide 53b, and second input / output channel waveguide 5
4 and. First input / output channel waveguide 51
The light incident on the first fan-shaped slab waveguide 53a propagates while being diffracted in the first fan-shaped slab waveguide 53a.
At the connection between 3a and the channel waveguide array 52,
An amplitude that depends on the field distribution at the connection between the first input / output channel waveguide 51 and the first fan-shaped slab waveguide 53a,
Has a phase distribution. The diffracted light is channel waveguide array 5
2 propagates to the connection between the channel waveguide array 52 and the second fan-shaped slab waveguide 53b. Here, the channel waveguide array 52 is configured such that the outer waveguides are sequentially lengthened by a predetermined length ΔL, and the wavelength λ
Optical path length difference corresponding to the waveguide length [Delta] L for the light (2π · n e · ΔL) / λ (n e; effective refractive index of the channel waveguide array, lambda; the wavelength of the propagating light), and wavelengths Therefore, the wavefront of the light at the connection between the channel waveguide array 52 and the second fan-shaped slab waveguide 53b has a slope depending on the wavelength. The light incident on the second fan-shaped slab waveguide 53b from the channel waveguide array 52 is
Of the fan-shaped slab waveguide 53b and is focused at a position where multi-beam interference occurs at the connection between the second fan-shaped slab waveguide 53b and the second input / output channel waveguide 54. This focal point is located at the channel waveguide array 52 and the second
Since it depends on the degree of inclination of the wavefront at the connection with the fan-shaped slab waveguide 53b, the focal point differs depending on the wavelength of light. Therefore, as shown in FIG. 7B, a transmission spectrum in which the input / output channel waveguides coupled with low loss differ depending on the wavelength of light is obtained, and the wavelength division multiplexer / demultiplexer functions. To date, AWGs have been made of semiconductor materials, glass materials containing quartz as a main component, and in particular, AWGs made of glass materials containing quartz as a main component have low loss and low loss due to the characteristics of the materials. It has achieved excellent characteristics such as crosstalk and high temperature stability.
【0004】最近、AWGを波長合分波器として使用
し、各種の光機能回路と組み合わせたWDM通信方式用
光部品の需要が徐々に高まっている。既に、半導体材料
や石英を主成分とするガラス材料を導波路材料として用
いたものが実現されているが、その中でも、石英を主成
分とするガラス材料を導波路材料として用いた場合に
は、材料的な特質から特に優れた特性のWDM通信方式
用光部品が実現されている。石英を主成分とするガラス
材料を使用したWDM通信方式用光部品としては、ま
ず、AWGと熱光学効果を用いた光機能回路とを組み合
わせたものとして、AWGと熱光学光位相変調器とを組
み合わせた光CDMA方式用変復調器や、AWGと熱光
学光強度変調器とを組み合わせた光アド・ドロップマル
チプレクサが挙げられる。Recently, there has been a gradual increase in demand for optical components for WDM communication systems that use an AWG as a wavelength multiplexer / demultiplexer and are combined with various optical functional circuits. Already, a material using a semiconductor material or a glass material containing quartz as a main component has been realized. Among them, when a glass material containing quartz as a main component is used as a waveguide material, Optical components for WDM communication systems having particularly excellent characteristics have been realized due to their material characteristics. As an optical component for a WDM communication system using a glass material containing quartz as a main component, first, an AWG and a thermo-optical phase modulator are combined as a combination of an AWG and an optical functional circuit using a thermo-optical effect. Examples include a combined modulator / demodulator for optical CDMA system and an optical add / drop multiplexer in which an AWG and a thermo-optical light intensity modulator are combined.
【0005】これらの熱光学効果を用いた回路は、制御
電流の印加を開始、または停止してから導波路の温度が
飽和状態に達するまでに0.1〜数msec程度の時間
を要するので、故障時の予備系への切替えやネットワー
ク設計変更時の光パスの切替えなどの低速な光パスの切
替えなどに用いられる。それに対して、数MHz以上の
高速な光信号のビットやセルを処理する高速動作が可能
なWDM通信方式用光部品を実現するためには、高速動
作可能な光機能回路をAWGと組み合わせる必要があ
る。しかし、石英を主成分とするガラス材料は、低損失
で温度安定性が高く導波路材料として適しているが、材
料的に非常に安定な特質を有しており、高速動作可能な
光機能回路を小型に構成することが困難である。In the circuits using these thermo-optic effects, it takes about 0.1 to several msec from the start or stop of application of the control current until the temperature of the waveguide reaches the saturated state. It is used for switching to a low-speed optical path such as switching to a standby system when a failure occurs and switching of an optical path when changing the network design. On the other hand, in order to realize an optical component for WDM communication system capable of high-speed operation for processing bits or cells of a high-speed optical signal of several MHz or more, it is necessary to combine an optical functional circuit capable of high-speed operation with an AWG. is there. However, although the glass material containing quartz as a main component has low loss and high temperature stability and is suitable as a waveguide material, it has an extremely stable characteristic in terms of material, and an optical functional circuit capable of high-speed operation. It is difficult to configure the small size.
【0006】導波路材料として優れた特質を有する石英
を主成分とするガラス材料を使用し、且つ、高速動作可
能な光機能回路を実現する方法として、壁面にチャネル
導波路が接続される様に導波路材料を除去して光機能素
子搭載用の溝を形成し、その溝内に壁面のチャネル導波
路と光結合するように、半導体や、LiNO3などの無
機誘電体などからなる高速動作可能な光機能素子を搭載
する、光/電気ハイブリッド集積技術がある。As a method for realizing an optical functional circuit capable of high-speed operation by using a glass material containing quartz as a main component, which has excellent characteristics as a waveguide material, a channel waveguide is connected to a wall surface. The waveguide material is removed to form a groove for mounting an optical functional element, and a high-speed operation consisting of a semiconductor or an inorganic dielectric such as LiNO 3 is possible so that the groove is optically coupled to the channel waveguide on the wall surface. There is an optical / electric hybrid integration technology that mounts various optical functional elements.
【0007】以下で、光/電気ハイブリッド集積技術に
ついて詳しく説明する。この技術による導波路型光部品
の作製手順を図8に示す。なお、ここでは基板としてS
iを使用し、SiCl4とGeCl4を燃焼させて石英を
主成分とするガラス材料を成膜する火炎堆積法(FHD
法)を使用して作製する場合について述べる。まず、図
8(a)に示すように、Si基板1上にアルカリ水溶液
を用いたウェットエッチングによって光機能素子を搭載
するためのSiテラス1aを形成する。その上にSiテ
ラス1aの高さよりも厚い第1の下部クラッド層2を形
成する。その上面をSiテラス1aの上面が露出するま
で機械的に平面研磨し、Siテラス1aの上面に光機能
素子を搭載する際に使用する基板側位置決めマーカ3を
形成して、図8(b)に示すような複合基板を作製す
る。The optical / electric hybrid integration technique will be described in detail below. FIG. 8 shows a procedure for manufacturing a waveguide type optical component by this technique. Here, as the substrate, S
Flame deposition method (FHD) in which SiCl 4 and GeCl 4 are burned using i to form a glass material containing quartz as a main component.
Method) will be described. First, as shown in FIG. 8A, a Si terrace 1a for mounting an optical functional element is formed on the Si substrate 1 by wet etching using an alkaline aqueous solution. A first lower clad layer 2 thicker than the height of the Si terrace 1a is formed thereon. The upper surface thereof is mechanically flat-polished until the upper surface of the Si terrace 1a is exposed, and a substrate side positioning marker 3 used when mounting the optical functional element on the upper surface of the Si terrace 1a is formed, as shown in FIG. A composite substrate as shown in is prepared.
【0008】その複合基板上に、FHD法と、ドライエ
ッチングとを組み合わせて、第2の下部クラッド層4
と、コア5と、上部クラッド層6とを形成して、図8
(c)に示すような埋め込み型矩形導波路構造を形成す
る。ここで、第2の下部クラッド層4は、後に光機能素
子を搭載した時に、コア5と光機能素子10の光軸の高
さとが合うように厚さを調整して成膜する。The second lower clad layer 4 is formed on the composite substrate by combining the FHD method and dry etching.
, The core 5 and the upper clad layer 6 are formed,
An embedded rectangular waveguide structure as shown in (c) is formed. Here, the second lower clad layer 4 is formed by adjusting the thickness so that the heights of the optical axes of the core 5 and the optical functional element 10 match when the optical functional element is mounted later.
【0009】図8(d)に示すように、ドライエッチン
グにより導波路材料をSiテラス1aの上面が露出する
まで除去して光機能素子搭載用の溝を形成する。その後
に、Siテラス1aの上面に光機能素子10の給電用電
気配線7と固定用AuSn半田8とを形成する。最後
に、光機能素子10を搭載する前にダイシングソーを用
いてチップ化し、基板側位置決めマーカ3と光機能素子
側位置決めマーカ9を使用して、コア5と光機能素子1
0の光軸との位置を合わせながら、AuSn半田8を加
熱して固定する(図8(e))。As shown in FIG. 8D, the waveguide material is removed by dry etching until the upper surface of the Si terrace 1a is exposed to form a groove for mounting an optical functional element. After that, the electric wiring 7 for feeding the optical functional element 10 and the fixing AuSn solder 8 are formed on the upper surface of the Si terrace 1a. Finally, before mounting the optical function element 10, the chip is made using a dicing saw, and the substrate side positioning marker 3 and the optical function element side positioning marker 9 are used to make the core 5 and the optical function element 1
The AuSn solder 8 is heated and fixed while aligning the position with the optical axis of 0 (FIG. 8E).
【0010】上記の光/電気ハイブリッド集積技術を用
いて作製される光機能部品とAWGを集積して実現した
導波路型光部品の例としては、半導体光増幅器チップを
搭載した半導体光スイッチアレイを2つのAWGで挟み
込んだ構成の光ATM方式用透過波長選択器が挙げられ
る。As an example of a waveguide type optical component realized by integrating an AWG and an optical functional component manufactured by using the above optical / electric hybrid integration technique, a semiconductor optical switch array equipped with a semiconductor optical amplifier chip is used. An example is a transmission wavelength selector for an optical ATM system, which is sandwiched between two AWGs.
【0011】前記のAWGと熱光学効果を用いた光機能
回路を組み合わせたWDM通信方式用光部品の場合に
は、当該光機能回路が導波路上に薄膜ヒータを装荷した
だけの構造であるため、作製工程の途中でAWGの特性
確認を行いながら作製工程を進めて作製することができ
た。しかし、光/電気ハイブリッド集積技術を用いて作
製した光機能部品は、光機能素子搭載用の溝で導波路が
切断されていて光機能素子を搭載する前は光が伝搬され
ない構造であるから、作製工程の途中でAWGの特性確
認を行うことができず、光機能素子の搭載までの全作製
工程を完了した後に部品全体の特性を評価して良品を選
別するか、あるいはAWGを当該光機能回路とは別の基
板上に作製し、特性評価を行って良品を選別してから有
機樹脂などの接着剤で接続して作製していた。更に、光
ファイバを接続する場合にも調芯用のモニタ光が伝搬し
ないので、回路中に調芯用のダミー導波路を形成する
か、あるいは搭載した光機能素子に給電しながら被接続
ファイバの調芯を行っていた。In the case of the optical component for WDM communication system in which the AWG and the optical functional circuit using the thermo-optic effect are combined, the optical functional circuit has a structure in which a thin film heater is simply loaded on the waveguide. It was possible to proceed with the manufacturing process while confirming the characteristics of the AWG during the manufacturing process. However, the optical functional component manufactured using the optical / electric hybrid integration technology has a structure in which the waveguide is cut by the groove for mounting the optical functional element and light is not propagated before the optical functional element is mounted. It is not possible to confirm the characteristics of the AWG during the manufacturing process, and after all manufacturing steps up to the mounting of the optical functional element are completed, the characteristics of all parts are evaluated to select non-defective products, or It was manufactured on a substrate different from the circuit, evaluated for characteristics, selected good products, and then connected by an adhesive such as an organic resin. Further, since the monitor light for centering does not propagate even when connecting the optical fiber, a dummy waveguide for centering is formed in the circuit, or the optical fiber of the mounted optical function element is fed and the connected fiber I was aligning.
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、全ての
回路について、全作製工程を完了してから良品を選別す
る方法では、仕様から外れた不良品に対しても光機能素
子の搭載を行うため、生産性の低下や生産コストの上昇
といった問題が生じていた。また、AWGと光機能回路
を別々の基板上に作製し、良品を選別してから接着接続
する方法では、接着箇所の増加によって機械的強度や長
期信頼性の低下を招いたり、また、数〜数十本ある導波
路を0.1μm程度の精度で調芯しながら接続する必要
があるため、実装工程が複雑化したり、回路接続専用の
実装装置が別途必要となり、同様に、生産性の低下、生
産コストの上昇などの問題を生じていた。更にファイバ
接続工程においても、調芯用ダミー導波路の形成により
回路構成が制限されたり、光機能素子に給電しながら被
接続ファイバの調芯ができる複雑なファイバ接続装置が
必要になるなどの問題が生じていた。However, in the method of selecting non-defective products after completing all the manufacturing steps for all circuits, the optical functional element is mounted even for defective products out of the specifications. There were problems such as lower productivity and higher production costs. Further, in a method in which an AWG and an optical functional circuit are formed on different substrates, and a non-defective product is selected and then adhesively connected, the mechanical strength and long-term reliability are deteriorated due to an increase in the number of adhering portions, and several to several Dozens of waveguides need to be connected while aligning them with an accuracy of about 0.1 μm, which complicates the mounting process and requires a separate mounting device for circuit connection, which also reduces productivity. However, there were problems such as an increase in production costs. Furthermore, in the fiber connection process, the circuit configuration is limited by the formation of the alignment dummy waveguide, and a complicated fiber connection device that can align the fiber to be connected while supplying power to the optical functional element is required. Was occurring.
【0013】本発明の目的は、上記従来技術に鑑みてな
されたものであり、AWGと、光/電気ハイブリッド集
積技術を用いて作製される光機能回路が同一基板上に作
製され、且つ、作製工程の途中におけるAWGの特性評
価が可能であって、不良品への無駄な工程を省くことが
でき、機械的強度、長期信頼性に優れ、且つ、生産性が
高く、低価格な導波路型光部品を提供することにある。The object of the present invention is made in view of the above-mentioned prior art, in which an AWG and an optical functional circuit manufactured by using the optical / electric hybrid integration technology are manufactured on the same substrate, and are manufactured. It is possible to evaluate the characteristics of the AWG during the process, eliminate unnecessary processes for defective products, have excellent mechanical strength, long-term reliability, high productivity, and low cost waveguide type. It is to provide optical components.
【0014】本発明の他の目的は、複雑な専用装置を使
用することなく、かかる導波路型光部品と光ファイバと
を容易に接続することができる光ファイバ接続方法を提
供することにある。Another object of the present invention is to provide an optical fiber connecting method capable of easily connecting such a waveguide type optical component and an optical fiber without using a complicated dedicated device.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に記載の本発明の導波路型光部品は、それ
ぞれ、第1および第2入出力チャネル導波路を有する複
数個のアレイ導波路回折格子と、前記第2入出力チャネ
ル導波路と光結合する光機能素子を有する光機能回路と
を同一基板上に配設し、前記複数個のアレイ導波路回折
格子のそれぞれの前記第2入出力チャネル導波路を前記
光機能回路を介して互いに光学的に接続した導波路型光
部品において、前記複数個のアレイ導波路回折格子の各
々の前記第2入出力チャネル導波路の個数を、接続され
る前記光機能回路のチャネル数よりも少なくとも1つ多
く定め、該第2入出力チャネル導波路のうち、前記光機
能回路に接続されない残余の入出力チャネル導波路の各
々のうちの1つを、前記光機能回路を迂回して、前記複
数個のアレイ導波路回折格子のうち、他のアレイ導波路
回析格子のうちの1つの残余の入出力チャネル導波路と
接続したことを特徴とする。To achieve the above object, according to the Invention The waveguide-type optical component of the present invention as set forth in claim 1, it
They are each, double having first and second input-output channel waveguides
Several arrayed waveguide diffraction gratings and an optical functional circuit having an optical functional element optically coupled with the second input / output channel waveguide are arranged on the same substrate, and the plurality of arrayed waveguide diffraction gratings are arranged. In the waveguide type optical component in which the respective second input / output channel waveguides are optically connected to each other via the optical function circuit, each of the plurality of arrayed waveguide diffraction gratings is provided.
The number of the second input / output channel waveguides
At least one more than the number of channels of the optical functional circuit
The optical device of the second input / output channel waveguide
Each of the remaining I / O channel waveguides that are not connected to the active circuit
One of each of the plurality of
Other arrayed waveguides out of several arrayed waveguide gratings
One of the remaining input and output channel waveguides of the diffraction grating
It is characterized by being connected .
【0016】[0016]
【0017】[0017]
【0018】[0018]
【0019】上記目的を達成するために、請求項2に記
載の本発明導波路型光部品は、請求項1に記載の導波路
型光部品において、前記残余の入出力チャネル導波路
は、前記第2入出力チャネル導波路のうち両外側に配置
されている導波路であることを特徴とする。[0019] To achieve the above object, the present invention waveguide type optical component according to claim 2, in the waveguide type optical component according to claim 1, input and output channel waveguides of the residual, the It is characterized in that it is a waveguide arranged on both outer sides of the second input / output channel waveguide.
【0020】上記目的を達成するために、請求項3に記
載の本発明光ファイバ接続方法は、請求項1または請求
項2に記載されている導波路型光部品に、光ファイバを
接続するにあたり、前記複数個のアレイ導波路回析格子
のうちの1つの前記第1入出力チャネル導波路からモニ
タ光を入射し、前記複数個のアレイ導波路回折格子を透
過して他のアレイ導波路回折格子の第1入出力チャネル
導波路まで伝搬されたモニタ光を被接続光ファイバで受
けて受光強度を測定しながら、当該受光強度が最大にな
るように当該被接続光ファイバを調芯し、当該被接続光
ファイバと当該導波路型光部品とを固定して接続するこ
とを特徴とする。In order to achieve the above object, an optical fiber connecting method according to a third aspect of the present invention is provided for connecting an optical fiber to the waveguide type optical component according to the first or second aspect. , A monitor light is incident from the first input / output channel waveguide of one of the plurality of arrayed waveguide diffraction gratings, transmitted through the plurality of arrayed waveguide diffraction gratings, and is transmitted to another arrayed waveguide diffraction grating. While the monitor light propagated to the first input / output channel waveguide of the grating is received by the connected optical fiber to measure the received light intensity, the connected optical fiber is aligned so that the received light intensity becomes maximum, The optical fiber to be connected and the waveguide type optical component are fixed and connected.
【0021】上記目的を達成するために、請求項4に記
載の本発明導波路型光部品は、請求項1または請求項2
に記載の導波路型光部品において、基板材料がSiであ
り、導波路材料がガラス材料であることを特徴とする。In order to achieve the above object, a waveguide type optical component according to a fourth aspect of the present invention is the optical element according to the first aspect or the second aspect.
In the waveguide type optical component described in (3), the substrate material is Si and the waveguide material is a glass material.
【0022】上記目的を達成するために、請求項5に記
載の本発明光ファイバ接続方法は、請求項3に記載の光
ファイバ接続方法において、基板材料がSiであり、導
波路材料がガラス材料であることを特徴とする。In order to achieve the above object, the optical fiber connecting method of the present invention according to claim 5 is the optical fiber connecting method according to claim 3 , wherein the substrate material is Si and the waveguide material is a glass material. Is characterized in that.
【0023】[0023]
【作用】本発明の請求項1に記載の導波路型光部品は、
複数個のAWGと光/電気ハイブリッド集積技術を用い
て作製された光機能回路とを同一基板上に集積して光部
品を構成する場合に、光機能回路を迂回するように複数
個のAWGを接続することにより、光機能回路に接続さ
れる第2入出力チャネル導波路が光機能素子を搭載する
ための溝によって切断されていても、光機能素子を搭載
する前に縦続接続された複数個のAWGの特性評価を行
って良品を選別することができるので、不良品へ無駄な
光機能素子を搭載する工程を省くことができ、導波路型
光部品を機械強度、長期信頼性、生産性が高く、且つ低
価格に作製することができる。The waveguide type optical component according to claim 1 of the present invention comprises:
Using multiple AWG and optical / electric hybrid integration technology
The optical unit is integrated with the optical functional circuit manufactured by
In order to configure the product, it is possible to use multiple devices to bypass the optical function circuit.
By connecting one AWG, it can be connected to the optical function circuit.
The second input / output channel waveguide is equipped with an optical functional element
Equipped with optical functional element even if it is cut by the groove for
Before the operation, the characteristics of a plurality of AWGs connected in series can be evaluated and good products can be selected. Therefore, it is possible to omit the step of mounting useless optical functional elements on defective products. It is possible to manufacture a waveguide type optical component with high mechanical strength, long-term reliability, high productivity, and low cost.
【0024】[0024]
【0025】[0025]
【0026】[0026]
【0027】本発明の請求項2に記載した導波路型光部
品は、請求項1に記載した導波路型光部品において、特
に、前述の他のAWGに接続される入出力チャネル導波
路を、光機能回路に接続される第2入出力チャネル導波
路の両外側に配置することにより、光機能素子搭載前に
複数個のAWGの特性評価をより正確に行うことがで
き、不良品への光素子搭載工程をより確実に省くことが
できる。The waveguide type optical component according to claim 2 of the present invention, in the waveguide type optical component according to claim 1, in particular, the input and output channel waveguides connected to the other AWG described above, By arranging them on both outer sides of the second input / output channel waveguide connected to the optical function circuit, the characteristics of a plurality of AWGs can be evaluated more accurately before mounting the optical function element, and the optical property of defective products can be improved. The element mounting process can be eliminated more reliably.
【0028】本発明の請求項3に記載した光ファイバ接
続方法は、請求項1または請求項2に記載の導波路型光
部品において、前述の光機能回路を迂回するように複数
個のAWGを接続しており、光機能回路に接続される第
2入出力チャネル導波路が光機能素子を搭載するための
溝によって切断されていても、一方の第1入出力チャネ
ル導波路から入射したモニタ光が複数個のAWGを介し
て他方の第1入出力チャネル導波路まで伝搬するように
し、伝搬されたモニタ光を被接続光ファイバで受けて受
光強度を測定しながら、その光強度が最大になるように
調芯しながら、被接続光ファイバと当該導波路型光部品
を接続するので、光機能回路に接続される第2入出力チ
ャネル導波路が光機能素子を搭載するための溝によって
切断されていても、調芯用ダミー導波路を形成したり、
光機能素子へ給電しながら光ファイバ接続を行う必要が
なく、回路構成の制限や光ファイバ接続装置の複雑化を
伴わずに、容易に被接続光ファイバと導波路型光部品と
の接続を行うことができる。An optical fiber connecting method according to a third aspect of the present invention is the waveguide type optical component according to the first or second aspect , in which a plurality of AWGs are provided so as to bypass the optical functional circuit. Even if the second input / output channel waveguide connected to the optical functional circuit is cut by the groove for mounting the optical functional element, the monitor light incident from one of the first input / output channel waveguides While propagating through the plurality of AWGs to the other first input / output channel waveguide and receiving the propagated monitor light by the connected optical fiber to measure the received light intensity, the light intensity is maximized. Since the optical fiber to be connected and the waveguide type optical component are connected while aligning as described above, the second input / output channel waveguide connected to the optical functional circuit is cut by the groove for mounting the optical functional element. Even if Or forming a dummy waveguide alignment,
It is not necessary to connect the optical fiber while supplying power to the optical functional element, and it is easy to connect the connected optical fiber and the waveguide type optical component without limiting the circuit configuration and complicating the optical fiber connecting device. be able to.
【0029】本発明の請求項4に記載の導波路型光部品
は、請求項1または請求項2に記載の導波路型光部品に
おいて、非常に平坦性が高いSi基板を使用し、且つ、
材料的に非常に安定な特質を有する石英を主成分とする
ガラス材料からなる導波路材料を用いることで、特に、
低損失、低クロストーク、温度安定性が高いといった優
れた性能を有する当該導波路型光部品を作製することが
できる。A waveguide type optical component according to a fourth aspect of the present invention is the waveguide type optical component according to the first or second aspect , which uses a Si substrate having extremely high flatness, and
By using a waveguide material made of a glass material containing quartz as a main component, which has a very stable property,
It is possible to manufacture the waveguide type optical component having excellent performances such as low loss, low crosstalk, and high temperature stability.
【0030】本発明の請求項5に記載の光ファイバ接続
方法は、請求項3に記載の光ファイバ接続方法におい
て、非常に平坦性が高いSi基板を使用し、且つ、材料
的に非常に安定な特質を有する石英を主成分とするガラ
ス材料からなる導波路材料を用いることで、特に、低損
失、低クロストーク、温度安定性が高いといった優れた
性能を有する当該導波路型光部品を作製することができ
る。An optical fiber connecting method according to a fifth aspect of the present invention is the optical fiber connecting method according to the third aspect , which uses a Si substrate having a very high flatness and is very stable in terms of material. By using a waveguide material made of a glass material containing quartz as a main component, which has various characteristics, it is possible to manufacture the waveguide type optical component having excellent performance such as low loss, low crosstalk, and high temperature stability. can do.
【0031】[0031]
【発明の実施の形態】〔実施例1〕本発明の第1の実施
例に係る導波路型光部品を図1に示す。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [Embodiment 1] FIG. 1 shows a waveguide type optical component according to a first embodiment of the present invention.
【0032】図1に示すように、本実施例は多波長受光
回路であり、ここで、光/電気ハイブリッド集積技術を
用いて作製した、光機能回路としての8チャネルの半導
体PDアレイ10aと、当該半導体PDアレイ10aの
チャネル数より1チャネル多い9チャネルのAWG55
とをSi基板1上に集積する。第1の入出力チャネル導
波路51に被接続ファイバ11から入射された複数の異
なる波長からなる信号光を扇形スラブ導波路53を介し
てAWG55に導き、このAWG55でそれぞれの波長
に対応する第2の入出力チャネル導波路54に分波し
て、半導体PDアレイ10aで受光する。9本ある第2
の入出力チャネル導波路54のうち、8本の第2の入出
力チャネル導波路54aを半導体PDアレイ10aに接
続し、残余の1本の第2の入出力チャネル導波路54b
を特性確認用チャネル導波路として回路の端へ接続して
ある。本実施例では、AWG55として、チャネル間ピ
ーク波長間隔が50GHz、FSRが16ch(800
GHz)のものを使用した。AWG55の設計パラメー
タの一例は、チャネル導波路アレイ52の本数が50
本、チャネル導波路アレイ52の隣接導波路長差(Δ
L)が125μm、扇型スラブ導波路53の焦点距離が
15mmである。第1の入出力チャネル導波路51と、
チャネル導波路アレイ52と、扇形スラブ導波路53
と、第2の入出力チャネル導波路54とは、図1(b)
に示す矩形導波路構造をもつ。当該導波路構造の概略寸
法の一例は、Si基板1の厚さが1mm、第1の下部ク
ラッド層2の厚さが20μm、第2の下部クラッド層4
の厚さが5μm、上部クラッド層6の厚さは20μm、
コア5の断面寸法が7μm角であり、コア5とクラッド
層との比屈折率差は0.7%である。半導体PDアレイ
10aとしては、光機能素子、すなわち半導体PDを搭
載する際の位置ずれトレランスを大きくするために、た
とえば、テーパ形状を用いたスポットサイズ変換部付き
の半導体PDチップを使用し、その概略寸法は、たとえ
ば、長さ1mm、厚さ300μm、幅500μmであ
る。As shown in FIG. 1, this embodiment is a multi-wavelength light receiving circuit, in which an 8-channel semiconductor PD array 10a as an optical functional circuit manufactured by using the optical / electric hybrid integration technique, 9-channel AWG55, which is one more channel than the semiconductor PD array 10a.
And are integrated on the Si substrate 1. The signal light having a plurality of different wavelengths, which is incident on the first input / output channel waveguide 51 from the fiber 11 to be connected, is guided to the AWG 55 through the fan-shaped slab waveguide 53, and the second wavelength corresponding to each wavelength is generated by the AWG 55. The input / output channel waveguide 54 is demultiplexed and received by the semiconductor PD array 10a. Second with nine
Of the second input / output channel waveguides 54a, 54b of the second input / output channel waveguides 54a are connected to the semiconductor PD array 10a, and the remaining one second input / output channel waveguides 54b.
Is connected to the end of the circuit as a characteristic confirmation channel waveguide. In this embodiment, the AWG 55 has a peak wavelength interval between channels of 50 GHz and an FSR of 16 ch (800
GHz) was used. An example of the design parameters of the AWG 55 is that the number of channel waveguide arrays 52 is 50.
Book, adjacent waveguide length difference of the channel waveguide array 52 (Δ
L) is 125 μm, and the focal length of the fan-shaped slab waveguide 53 is 15 mm. A first input / output channel waveguide 51,
Channel waveguide array 52 and fan-shaped slab waveguide 53
And the second input / output channel waveguide 54 shown in FIG.
It has a rectangular waveguide structure. An example of the approximate dimensions of the waveguide structure is as follows: the Si substrate 1 has a thickness of 1 mm, the first lower cladding layer 2 has a thickness of 20 μm, and the second lower cladding layer 4 has a thickness of 20 μm.
Has a thickness of 5 μm, the upper cladding layer 6 has a thickness of 20 μm,
The cross-sectional dimension of the core 5 is 7 μm square, and the relative refractive index difference between the core 5 and the cladding layer is 0.7%. As the semiconductor PD array 10a, for example, a semiconductor PD chip with a spot size conversion section using a tapered shape is used in order to increase the positional deviation tolerance when mounting an optical functional element, that is, a semiconductor PD, and its outline is shown. The dimensions are, for example, 1 mm in length, 300 μm in thickness, and 500 μm in width.
【0033】被接続ファイバ11の接続の際には、第2
の入出力チャネル導波路54bからモニタ光を入射し、
第1の入出力チャネル導波路51へ伝搬されたモニタ光
を被接続ファイバ11で受け、その受光強度が最大にな
るように被接続ファイバ11を調芯して、有機接着剤や
金属半田、たとえばUV硬化型有機接着剤で固定する。
本発明では第1の入出力チャネル導波路51と第2の入
出力チャネル導波路54bを使用することによって、調
芯用ダミー導波路を用いることなく、従来から使用して
いる調芯機能のみを有するファイバ接続装置を用いて、
被接続ファイバ11の接続を行うことができる。本実施
例の光部品は、図8に示した光/電気ハイブリッド集積
技術を使用して作製することができる。When connecting the fiber 11 to be connected, the second
The monitor light enters from the input / output channel waveguide 54b of
The connected fiber 11 receives the monitor light propagated to the first input / output channel waveguide 51, and the connected fiber 11 is aligned so that the received light intensity is maximized. Fix with UV curable organic adhesive.
In the present invention, by using the first input / output channel waveguide 51 and the second input / output channel waveguide 54b, only the aligning function which has been conventionally used is used without using the aligning dummy waveguide. With the fiber connecting device that has,
The fiber 11 to be connected can be connected. The optical component of this embodiment can be manufactured by using the optical / electric hybrid integration technique shown in FIG.
【0034】本発明の有効性を確認するために、本実施
例の多波長受光回路を50回路作製した。まず、図8
(a)から図8(e)に示すように、基板1の上の導波
路材料を部分的に除去して光機能素子搭載用の溝を形成
するまでの工程と、ダイシングソーを用いたチップ化す
るまでの工程を行い、光機能回路10aに接続されてい
ない第2の入出力チャネル導波路54bを用いてAWG
55の特性を評価した。評価は、図7(b)に示した、
損失、クロストーク、及びピーク波長ずれの3項目につ
いて行った。ここで、特性の許容値は、損失2dB以
下、クロストーク30dB以上、ピーク波長ずれ0.0
4nm(5GHz)以下と設定した。測定方法として
は、損失とクロストークは光機能回路10aに接続され
ていない第2の入出力チャネル導波路54bにおける実
測値として直接的に測定し、ピーク波長ずれは、光機能
回路10aに接続されていない第2の入出力チャネル導
波路54bにおけるピーク波長の実測値と、チャネル間
ピーク波長間隔の設計値とを基にして計算により求め
た。この測定方法では、損失とクロストークを0.1d
B以下の誤差で測定でき、ピーク波長ずれを0.02n
m(2.5GHz)以下の誤差で測定できた。特性評価
の結果、上記の条件を満たした良品は全体の84%に相
当する42回路であった。選別した良品に対して光機能
素子たる半導体PDチップを搭載する。すなわち、上述
の溝の内部に、基板1上の導波路と光結合するように光
機能回路を構成する光機能素子(本例では半導体PDチ
ップ)を、図8(d),(e)に示すように、光/電気
ハイブリッド集積技術を用いて搭載する。それにより、
基板1上にAWG55と光機能回路としての半導体PD
アレイ10aとを配置して光部品を得る。ここで、再度
AWG55の特性評価を行った結果、42回路中40回
路で上記の許容値を満たす良好な特性が得られた。最後
の特性評価で2つの回路が上記の許容値を満たさなかっ
たが、これは、光機能回路10aに接続されていない第
2の入出力チャネル導波路54bの実測値から、光機能
回路10aに接続されている第2の入出力チャネル導波
路54aのピーク波長を推定する際に、チャネル間ピー
ク波長間隔の値として設計値を用いたため、実際に作製
したAWG55のチャネル間ピーク波長間隔の値との誤
差によってピーク波長を正確に求めることができなかっ
たからである。In order to confirm the effectiveness of the present invention, fifty multi-wavelength light receiving circuits of this embodiment were manufactured. First, FIG.
As shown in FIGS. 8A to 8E, steps of partially removing the waveguide material on the substrate 1 to form a groove for mounting an optical functional element, and a chip using a dicing saw. Process until the optical functional circuit 10a is connected to the AWG by using the second input / output channel waveguide 54b.
55 properties were evaluated. The evaluation is shown in FIG.
The three items of loss, crosstalk, and peak wavelength shift were performed. Here, the allowable values of the characteristics are a loss of 2 dB or less, a crosstalk of 30 dB or more, and a peak wavelength shift of 0.0.
It was set to 4 nm (5 GHz) or less. As the measuring method, the loss and the crosstalk are directly measured as the actual measurement values in the second input / output channel waveguide 54b not connected to the optical functional circuit 10a, and the peak wavelength shift is connected to the optical functional circuit 10a. It was calculated based on the actual measurement value of the peak wavelength in the second input / output channel waveguide 54b which is not provided and the design value of the peak wavelength interval between channels. With this measurement method, the loss and crosstalk are 0.1d.
It can be measured with an error of B or less, and the peak wavelength shift is 0.02n.
It was possible to measure with an error of m (2.5 GHz) or less. As a result of the characteristic evaluation, 42 circuits corresponding to 84% of the total were non-defective products satisfying the above conditions. A semiconductor PD chip, which is an optical functional element, is mounted on the selected good product. That is, an optical functional element (semiconductor PD chip in this example) that configures an optical functional circuit so as to be optically coupled to the waveguide on the substrate 1 is shown in FIGS. 8D and 8E inside the groove. As shown, it is mounted using optical / electric hybrid integration technology. Thereby,
An AWG 55 and a semiconductor PD as an optical function circuit are provided on the substrate 1.
The array 10a is arranged to obtain an optical component. Here, as a result of evaluating the characteristics of the AWG 55 again, good characteristics satisfying the above-mentioned allowable value were obtained in 40 of 42 circuits. In the final characteristic evaluation, the two circuits did not satisfy the above-mentioned allowable values. This is because the measured values of the second input / output channel waveguide 54b not connected to the optical function circuit 10a indicate Since the design value was used as the value of the inter-channel peak wavelength interval when estimating the peak wavelength of the connected second input / output channel waveguide 54 a, the value of the inter-channel peak wavelength interval of the AWG 55 actually produced was This is because the peak wavelength could not be accurately obtained due to the error of.
【0035】本実施例では、AWG55と半導体レーザ
アレイ10aとを同一基板1の上に作製しているので、
機械強度、長期信頼性に優れ、更に、光機能素子を搭載
する工程の前に行った特性評価で8個の不良品を選別す
ることができ、不良品に半導体PDチップを搭載するこ
とを省くことができる。本実施例では、従来の全回路に
素子搭載を行う方法と比較して、半導体PDチップの搭
載工程と半導体PDチップにかかる費用を16%削減す
ることができた。In this embodiment, since the AWG 55 and the semiconductor laser array 10a are manufactured on the same substrate 1,
It has excellent mechanical strength and long-term reliability. Furthermore, it is possible to select 8 defective products by the characteristic evaluation performed before the process of mounting the optical functional element, eliminating the need to mount semiconductor PD chips on the defective products. be able to. In this embodiment, the cost for mounting the semiconductor PD chip and the cost for the semiconductor PD chip can be reduced by 16% as compared with the conventional method of mounting elements on all circuits.
【0036】本実施例では、光機能回路を構成する光機
能素子として半導体PDチップを用いたが、本発明はこ
れに制限されるものでなく、半導体材料、若しくは無機
誘電体材料からなるレーザチップや、EA変調器チップ
や、AO変調器チップや、光増幅器チップなどの他の光
機能素子を用いた場合にも本発明を適用することがで
き、機械強度、長期信頼性、生産性の向上、生産コスト
の削減といった効果が本実施例と同様に得られる。In this embodiment, the semiconductor PD chip was used as the optical functional element constituting the optical functional circuit, but the present invention is not limited to this, and a laser chip made of a semiconductor material or an inorganic dielectric material. The present invention can be applied to the case where other optical functional elements such as EA modulator chip, AO modulator chip, and optical amplifier chip are used to improve mechanical strength, long-term reliability, and productivity. The effect of reducing the production cost can be obtained in the same manner as this embodiment.
【0037】本実施例では、導波路材料として石英を主
成分としたガラス材料を用いたが、本発明はこれに制限
されるものでなく、半導体材料や無機誘電体材料を導波
路材料とした場合にも適用することができ、本実施例と
同様に上記の効果が得られる。In this embodiment, a glass material containing quartz as a main component is used as the waveguide material, but the present invention is not limited to this, and a semiconductor material or an inorganic dielectric material is used as the waveguide material. It can also be applied to the case, and the above effects can be obtained as in the present embodiment.
【0038】本実施例では、光機能回路10aに接続さ
れない第2の入出力チャネル導波路54bを、光機能回
路10aに接続された第2の入出力チャネル導波路54
aに隣接する位置に1本のみ配置したが、これを2本、
若しくはそれ以上にすることでチャネル間ピーク波長間
隔も求めることができ、以って、素子搭載工程の前に行
う特性評価をより正確に行うことができる。In this embodiment, the second input / output channel waveguide 54b not connected to the optical function circuit 10a is replaced with the second input / output channel waveguide 54 connected to the optical function circuit 10a.
Only one was placed in the position adjacent to a, but two
Alternatively, the peak wavelength interval between channels can be obtained by setting the value more than that, so that the characteristic evaluation performed before the device mounting step can be performed more accurately.
【0039】〔実施例2〕本発明の第2の実施例に係る
導波路型光部品を図2に示す。[Second Embodiment] FIG. 2 shows a waveguide type optical component according to a second embodiment of the present invention.
【0040】図2に示すように、本実施例は多波長受光
回路であり、ここで、光/電気ハイブリッド集積技術を
用いて作製した、光機能回路としての、8チャネルの半
導体PDアレイ10aと、半導体PDアレイのチャネル
数より2チャネル多い10チャネルのAWG55とをS
i基板1上にが集積する。10本ある第2の入出力チャ
ネル導波路54のうち、中央に位置する8本の第2の入
出力チャネル導波路54aを半導体PDアレイ10aへ
接続し、導波路54aの両外側に配置されている2本の
第2の入出力チャネル導波路54bを特性確認用チャネ
ル導波路として回路の端へ接続してある。使用したAW
G55の構造パラメータは、第2の入出力チャネル導波
路54の本数が10本であることを除き、実施例1と全
て同じであるので、詳細な説明は省略する。各チャネル
導波路の形成に使用した導波路構造と、半導体PDアレ
イ10aの概略構成と、その作製手順と、ファイバ接続
方法は実施例1と同じであるので、詳細な説明は省略す
る。As shown in FIG. 2, this embodiment is a multi-wavelength light receiving circuit, in which an 8-channel semiconductor PD array 10a as an optical functional circuit manufactured by using the optical / electric hybrid integration technique is used. , The AWG55 of 10 channels, which is two channels more than the number of channels of the semiconductor PD array,
are integrated on the i substrate 1. Of the ten second input / output channel waveguides 54, eight second input / output channel waveguides 54a located at the center are connected to the semiconductor PD array 10a, and are arranged on both outer sides of the waveguide 54a. The two second input / output channel waveguides 54b are connected to the ends of the circuit as characteristic confirmation channel waveguides. AW used
The structural parameters of G55 are all the same as in Example 1 except that the number of the second input / output channel waveguides 54 is 10, and therefore detailed description thereof is omitted. The waveguide structure used for forming each channel waveguide, the schematic configuration of the semiconductor PD array 10a, the manufacturing procedure thereof, and the fiber connecting method are the same as those in the first embodiment, and thus detailed description thereof will be omitted.
【0041】本実施例においても、実施例1と同様に、
上記の多波長受光回路を50回路作製した。ダイシング
ソーでチップ化した段階で、光機能回路10aに接続さ
れていない第2の入出力チャネル導波路54bを用いて
AWG55の特性を評価した。損失とクロストークは、
実施例1と同様に光機能回路10aに接続されない第2
の入出力チャネル導波路54bにおける実測値として直
接的に測定した。ピーク波長ずれは、光機能回路10a
に接続されている第2の入出力チャネル導波路54aの
両外側に配置された、2本の光機能回路に接続されてい
ない第2の入出力チャネル導波路54bにおけるピーク
波長の実測値と、その実測値の差から得られるチャネル
間ピーク波長間隔に基づいて計算により求めた。本実施
例では、光機能回路10aに接続されている第2の入出
力チャネル導波路54aのピーク波長を計算する際に、
チャネル間ピーク波長間隔を実測値から得ることができ
るので、設計値を使用する実施例1の場合よりも正確に
AWG55のピーク波長ずれを評価することができる。
このような測定方法では、損失とクロストークを実施例
1と同様に0.1dB以下の誤差で測定でき、ピーク波
長ずれを実施例1の場合の半分である0.01nm
(1.25GHz)以下の誤差で測定できた。実施例1
と同様に、特性の許容値を損失2dB以下、クロストー
ク30dB以上、ピーク波長ずれ0.04nm(5GH
z)以下と設定して良品の選別を行った結果、良品は全
体の80%に相当する40回路であった。選別した良品
に対して光機能素子たる半導体PDチップを搭載して、
再度AWG55の特性評価を行った結果、40回路全て
で上記の許容値を満たす良好な特性が得られた。Also in this embodiment, as in the first embodiment,
Fifty multi-wavelength light receiving circuits were manufactured. The characteristics of the AWG 55 were evaluated using the second input / output channel waveguide 54b not connected to the optical function circuit 10a at the stage of chip formation with a dicing saw. Loss and crosstalk are
The second, which is not connected to the optical function circuit 10a as in the first embodiment,
It was directly measured as the measured value in the input / output channel waveguide 54b. The peak wavelength shift is caused by the optical function circuit 10a.
A measured value of the peak wavelength in the second input / output channel waveguide 54b which is arranged on both outer sides of the second input / output channel waveguide 54a which is not connected to the two optical function circuits, It was calculated based on the peak wavelength interval between channels obtained from the difference between the measured values. In this embodiment, when calculating the peak wavelength of the second input / output channel waveguide 54a connected to the optical function circuit 10a,
Since the peak wavelength interval between channels can be obtained from the actual measurement value, the peak wavelength deviation of the AWG 55 can be evaluated more accurately than in the case of the first embodiment using the design value.
With such a measuring method, the loss and the crosstalk can be measured with an error of 0.1 dB or less as in the first embodiment, and the peak wavelength shift is half that in the first embodiment, ie, 0.01 nm.
It was possible to measure with an error of (1.25 GHz) or less. Example 1
Similarly, the allowable values of the characteristics are loss 2 dB or less, crosstalk 30 dB or more, peak wavelength shift 0.04 nm (5 GH
As a result of selecting non-defective products by setting z) or less, the non-defective products were 40 circuits corresponding to 80% of the whole. A semiconductor PD chip that is an optical functional element is mounted on the selected good product,
As a result of evaluating the characteristics of the AWG55 again, good characteristics satisfying the above-mentioned allowable values were obtained in all 40 circuits.
【0042】本実施例では、実施例1と同様に、AWG
55と半導体PDアレイ10aとを同一基板1の上に作
製しているので、機械強度、長期信頼性に優れ、更に、
光機能素子を搭載する工程の前に行った特性評価で10
個の不良品を選別することができ、不良品に半導体PD
チップを搭載することを省くことができたため、従来の
全回路に素子搭載を行う方法と比較して、半導体PDチ
ップの搭載工程と半導体PDチップにかかる費用を20
%削減することができた。本実施例では、素子を搭載す
る前にAWG55の特性評価を正確に行うことができ、
前記の許容値を満たさない不良品を完全に選別すること
ができたため、実施例1と比較して、無駄な素子を搭載
することをより省くことができた。In this embodiment, the AWG is the same as in the first embodiment.
Since 55 and the semiconductor PD array 10a are formed on the same substrate 1, mechanical strength and long-term reliability are excellent.
10 in the characteristic evaluation performed before the process of mounting the optical functional element
Individual defective products can be sorted, and semiconductor PDs can be selected as defective products.
Since the chip mounting can be omitted, the semiconductor PD chip mounting process and the semiconductor PD chip cost can be reduced by 20 compared with the conventional method of mounting the elements on all circuits.
It was possible to reduce by%. In this embodiment, the characteristics of the AWG55 can be accurately evaluated before mounting the device,
Since defective products that do not satisfy the above-mentioned allowable value could be completely sorted out, it was possible to further omit mounting useless elements as compared with Example 1.
【0043】本実施例では、光機能素子として半導体P
Dチップを使用し、導波路材料として石英を主成分とし
たガラス材料を用いたが、本発明はこれに制限されるも
のでなく、他の光機能素子、導波路材料を用いた場合に
も適用することができ、機械強度、長期信頼性、生産性
の向上、生産コストの削減といった効果が本実施例と同
様に得られる。In this embodiment, the semiconductor P is used as an optical functional element.
Although the D chip was used and the glass material containing quartz as the main component was used as the waveguide material, the present invention is not limited to this, and it is also possible to use other optical functional elements and waveguide materials. It can be applied, and effects such as mechanical strength, long-term reliability, productivity improvement, and production cost reduction can be obtained as in the present embodiment.
【0044】〔実施例3〕本発明の第3の実施例に係る
導波路型光部品を図3に示す。[Third Embodiment] FIG. 3 shows a waveguide type optical component according to a third embodiment of the present invention.
【0045】図3に示すように、本実施例は透過波長選
択回路であり、ここで、光/電気ハイブリッド集積技術
を用いて作製した、光機能回路としての8チャネルの半
導体光スイッチアレイ10bと、半導体光スイッチアレ
イのチャネル数より2チャネル多い10チャネルのAW
G55aおよび55bとをSi基板1上に集積する。第
1のAWG55aの第1の入出力チャネル導波路51a
に被接続ファイバ11から入射された異なる波長からな
る複数の信号光を、第1のAWG55aでそれぞれの波
長に対応する第2の入出力チャネル導波路54aへ波長
毎に分離して、半導体光スイッチアレイ10bに導く。
この光スイッチアレイ10bにおいて、透過させたい波
長に対応したチャネルを電流印加によりON状態にし、
その透過した信号光を第2のAWG55bに導き、さら
に第2のAWG55bにより第1の入出力チャネル導波
路51bに合波させる。2つのAWG55aおよび55
bは、10本ある第2の入出力チャネル導波路54のう
ち、中央に位置する8本の第2の入出力チャネル導波路
54aが半導体光スイッチアレイ10bに接続され、チ
ャネル導波路54aの両外側に配置されている2本の第
2の入出力チャネル導波路54bは特性確認用チャネル
導波路として図示のように回路の端へ接続されている。As shown in FIG. 3, the present embodiment is a transmission wavelength selection circuit, in which an 8-channel semiconductor optical switch array 10b as an optical functional circuit manufactured by using the optical / electric hybrid integration technique is used. , AW of 10 channels, which is 2 channels more than that of the semiconductor optical switch array
G55a and 55b are integrated on the Si substrate 1. First input / output channel waveguide 51a of the first AWG 55a
A plurality of signal lights having different wavelengths, which are incident on the fiber 11 to be connected to the optical fiber, are separated by the first AWG 55a into the second input / output channel waveguides 54a corresponding to the respective wavelengths, and the semiconductor optical switch Lead to array 10b.
In this optical switch array 10b, a channel corresponding to a wavelength to be transmitted is turned on by applying a current,
The transmitted signal light is guided to the second AWG 55b, and is further multiplexed by the second AWG 55b into the first input / output channel waveguide 51b. Two AWGs 55a and 55
In b, among the ten second input / output channel waveguides 54, eight second input / output channel waveguides 54a located in the center are connected to the semiconductor optical switch array 10b, and both of the channel waveguides 54a are connected. The two second input / output channel waveguides 54b arranged on the outer side are connected to the ends of the circuit as a characteristic confirmation channel waveguide as shown in the drawing.
【0046】2つのAWG55aおよび55bの構造パ
ラメータは、第2の入出力チャネル導波路54の本数が
10本であることを除き、実施例1と全て同じであるの
で詳細な説明は省略する。半導体光スイッチアレイ10
bとしては、素子搭載の際の位置ずれトレランスを大き
くするために、テーパ形状を用いたスポットサイズ変換
部付きの半導体光増幅器チップを8チップ使用し、その
概略寸法は、たとえば、長さ1mm、厚さ300μm、
幅500μmである。各チャネル導波路の形成に使用し
た導波路構造と、その作製手順と、ファイバ接続方法は
実施例1と同じであるので、詳細な説明は省略する。The structural parameters of the two AWGs 55a and 55b are all the same as in Example 1 except that the number of the second input / output channel waveguides 54 is 10, and therefore detailed description thereof will be omitted. Semiconductor optical switch array 10
As b, eight semiconductor optical amplifier chips with a spot size conversion part using a tapered shape are used in order to increase the positional deviation tolerance at the time of mounting the element, and the approximate size is, for example, 1 mm in length, Thickness 300 μm,
The width is 500 μm. Since the waveguide structure used for forming each channel waveguide, the manufacturing procedure thereof, and the fiber connecting method are the same as those in the first embodiment, detailed description thereof will be omitted.
【0047】本実施例においても、実施例1と同様に、
上記の透過波長選択回路を50回路作製した。ダイシン
グソーでチップ化した段階で、光機能回路10bに接続
されていない第2の入出力チャネル導波路54bを用い
て2つのAWG55aおよび55bの特性評価を行っ
た。特性評価は実施例2と同様の方法で行ったので、詳
細な説明は省略する。本実施例では、実施例2と同様
に、損失とクロストークを0.1dB以下の誤差で測定
でき、ピーク波長ずれを0.01nm(1.25GH
z)以下の誤差で測定できた。実施例1と同様に、特性
の許容値を損失2dB以下、クロストーク30dB以
上、ピーク波長ずれ0.04nm(5GHz)以下と設
定して良品の選別を行った結果、2つのAWG55aお
よび55bともに許容値を満たした良品は全体の64%
に相当する32回路であった。その後、選別した良品に
対して半導体光スイッチアレイ10bを構成する半導体
光増幅器チップを搭載し、得られた半導体光スイッチア
レイ10bを駆動させて特性評価を行った結果、32回
路全てで2つのAWG55aおよび55bがともに上記
の許容値を満たす良好な特性が得られた。本実施例で
は、素子10bを搭載する前に2つのAWG55aおよ
び55bの特性評価を正確に行うことができ、良品のみ
を完全に選別することができたので、実施例1と比較し
て、無駄な素子を搭載することをより省くことができ
た。Also in this embodiment, as in the first embodiment,
Fifty circuits of the above transmission wavelength selection circuit were manufactured. The characteristics of the two AWGs 55a and 55b were evaluated by using the second input / output channel waveguide 54b not connected to the optical function circuit 10b at the stage of chip formation with a dicing saw. Since the characteristic evaluation was performed by the same method as in Example 2, detailed description will be omitted. In this example, as in Example 2, the loss and the crosstalk can be measured with an error of 0.1 dB or less, and the peak wavelength shift is 0.01 nm (1.25 GH).
z) It was possible to measure with the following error. As in the case of Example 1, the allowable values of the characteristics are set to a loss of 2 dB or less, a crosstalk of 30 dB or more, and a peak wavelength shift of 0.04 nm (5 GHz) or less, and as a result, good products are selected. As a result, two AWGs 55a and 55b are allowed. 64% of non-defective products that meet the value
It was 32 circuits corresponding to. After that, a semiconductor optical amplifier chip that constitutes the semiconductor optical switch array 10b is mounted on the selected non-defective products, and the obtained semiconductor optical switch array 10b is driven to perform characteristic evaluation. As a result, two AWGs 55a for all 32 circuits are obtained. Good characteristics of 55 and 55b satisfying the above-mentioned allowable values were obtained. In this example, the characteristics of the two AWGs 55a and 55b could be accurately evaluated before mounting the element 10b, and only non-defective products could be completely selected. It was possible to eliminate the need to install various elements.
【0048】本実施例では、実施例1と同様に、2つの
AWG55aおよび55bと半導体光スイッチアレイ1
0bとを同一基板上に作製しているので、機械強度、長
期信頼性に優れ、更に、光機能素子、すなわち半導体光
増幅器チップを搭載する前に行った特性評価で18個の
不良品を選別することができ、不良品に半導体光増幅器
チップを搭載することを省くことができたので、従来の
全回路に素子搭載を行う方法と比較して、半導体光増幅
器チップの搭載工程と半導体光増幅器チップにかかる費
用を36%削減することができた。In this embodiment, as in the first embodiment, the two AWGs 55a and 55b and the semiconductor optical switch array 1 are used.
Since 0b and 0b are manufactured on the same substrate, it has excellent mechanical strength and long-term reliability. Furthermore, 18 defective products are selected by the characteristic evaluation performed before mounting the optical functional element, that is, the semiconductor optical amplifier chip. Since it was possible to eliminate the need to mount a semiconductor optical amplifier chip on a defective product, compared to the conventional method of mounting elements on all circuits, the mounting process of the semiconductor optical amplifier chip and the semiconductor optical amplifier The cost of chips was reduced by 36%.
【0049】本実施例では、光機能回路を構成する光機
能素子として半導体光増幅器チップを使用し、導波路材
料として石英を主成分としたガラス材料を用いたが、本
発明はこれに制限されるものでなく、他の光機能素子、
導波路材料を用いた場合にも適用することができ、信頼
性、生産性の向上、生産コストの削減といった効果が本
実施例と同様に得られる。In this embodiment, the semiconductor optical amplifier chip is used as the optical functional element constituting the optical functional circuit and the glass material containing quartz as the main component is used as the waveguide material, but the present invention is not limited to this. Other optical functional elements,
It can also be applied to the case where a waveguide material is used, and the same effects as reliability, productivity improvement, and production cost reduction can be obtained as in the present embodiment.
【0050】〔実施例4〕本発明の第4の実施例に係る
導波路型光部品を図4に示す。[Fourth Embodiment] FIG. 4 shows a waveguide type optical component according to a fourth embodiment of the present invention.
【0051】図4に示すように、本実施例は実施例3と
同様の透過波長選択回路であり、ここで、光/電気ハイ
ブリッド集積技術を用いて作製した。光機能回路として
の8チャネルの半導体光スイッチアレイ10bと、半導
体光スイッチアレイ10bのチャネル数よりも2チャネ
ル多い10チャネルのAWG55aおよび55bとをS
i基板1上に集積する。2つのAWG55aおよび55
bは、10本ある第2の入出力チャネル導波路54のう
ち、中央に位置する8本の第2の入出力チャネル導波路
54aが半導体光スイッチアレイ10bに接続され、そ
の両外側に配置されている。一方のAWGからの2本の
第2の入出力チャネル導波路54bは半導体光スイッチ
アレイ10bを迂回するようにして他方のAWGの第2
の入出力チャネル導波路54bと相互接続されている。As shown in FIG. 4, this embodiment is a transmission wavelength selection circuit similar to that of the third embodiment, and was manufactured using the optical / electric hybrid integration technique. The 8-channel semiconductor optical switch array 10b as an optical functional circuit and the 10-channel AWGs 55a and 55b, which are two more channels than the semiconductor optical switch array 10b, are S.
Integrated on i substrate 1. Two AWGs 55a and 55
In b, among the 10 second input / output channel waveguides 54, the 8 second input / output channel waveguides 54a located at the center are connected to the semiconductor optical switch array 10b, and arranged on both outer sides thereof. ing. The two second input / output channel waveguides 54b from one AWG bypass the semiconductor optical switch array 10b, and the second second input / output channel waveguide 54b of the other AWG is provided.
Of the input / output channel waveguide 54b.
【0052】使用した2つのAWG55aおよび55b
の構造パラメータは、第2の入出力チャネル導波路54
の本数が10本であることを除き、実施例1と全て同じ
であるので、詳細な説明は省略する。各チャネル導波路
の形成に使用した導波路構造と、その作製手順は実施例
1と同じであり、半導体光スイッチアレイ10bの概略
構成は実施例3と同じであるので、詳細な説明は省略す
る。Two AWGs 55a and 55b used
The structural parameter of the second input / output channel waveguide 54 is
Since all are the same as those in the first embodiment except that the number is 10, the detailed description will be omitted. The waveguide structure used for forming each channel waveguide and the manufacturing procedure thereof are the same as those in the first embodiment, and the schematic configuration of the semiconductor optical switch array 10b is the same as that in the third embodiment, so detailed description thereof will be omitted. .
【0053】被接続ファイバ11の接続の際には、第1
の入出力チャネル導波路51aから第1のAWG55a
にモニタ光を入射し、2つのAWG55aおよび55b
を透過して、第2のAWG55bから第1の入出力チャ
ネル導波路51bへ伝搬されたモニタ光を被接続ファイ
バ11で受け、その受光強度が最大になるように被接続
ファイバ11を調芯してUV硬化型有機接着剤で固定し
た。本発明では、第1のAWG55a側の第1の入出力
チャネル導波路51aと、第2のAWG55b側の第1
の入出力チャネル導波路51bとを使用することによっ
て、調芯用ダミー導波路を用いることなく、従来から使
用している調芯機能のみを有するファイバ接続装置を用
いて、被接続ファイバ11の接続を行うことができる。
本実施例の光部品は、図8に示した光/電気ハイブリッ
ド集積技術を使用して作製することができる。When connecting the fiber 11 to be connected, the first
From the input / output channel waveguide 51a to the first AWG 55a
Monitor light to the two AWGs 55a and 55b
Is transmitted through the second AWG 55b to the first input / output channel waveguide 51b and received by the connected fiber 11, and the connected fiber 11 is aligned so that the received light intensity is maximized. And fixed with a UV-curable organic adhesive. In the present invention, the first input / output channel waveguide 51a on the first AWG 55a side and the first input / output channel waveguide 51a on the second AWG 55b side are provided.
By using the input / output channel waveguide 51b of FIG. 1, connection of the connected fiber 11 can be performed by using a fiber connecting device having only an aligning function which has been conventionally used, without using a dummy waveguide for aligning. It can be performed.
The optical component of this embodiment can be manufactured by using the optical / electric hybrid integration technique shown in FIG.
【0054】本実施例においても、実施例1と同様に、
上記の透過波長選択回路を50回路作製した。ダイシン
グソーでチップ化した段階で、光機能回路10bに接続
されていない第2の入出力チャネル導波路54bを用い
て2つのAWG55aおよび55bの特性評価を行っ
た。特性評価は、第1のAWG55a側の第1の入出力
チャネル導波路51aと、第2のAWG55b側の第1
の入出力チャネル導波路51bを使用し、2つのAWG
55aおよび55bが縦続に接続された状態での透過ス
ペクトルを測定した。実施例2と同様に、損失とクロス
トークは、光機能回路10bに接続されていない第2の
入出力チャネル導波路54bにおける実測値として直接
的に測定し、ピーク波長ずれは、光機能回路10bに接
続されている第2の入出力チャネル導波路54aの両外
側に配置された、光機能回路10bに接続されていない
2本の第2の入出力チャネル導波路54bにおけるピー
ク波長の実測値と、その実測値の差から得られるチャネ
ル間ピーク波長間隔に基づいて計算により求めた。この
測定方法では、実施例2と同様に、損失とクロストーク
を0.1dB以下の誤差で測定でき、ピーク波長ずれを
0.01nm(1.25GHz)以下の誤差で正確に測
定できた。実施例1と同様に、特性の許容値を損失2d
B以下、クロストーク30dB以上、ピーク波長ずれ
0.04nm(5GHz)以下と設定して良品の選別を
行った結果、2つのAWG55aおよび55bがともに
許容値を満たした良品は全体の64%に相当する32回
路であった。その後、選別した良品に対して半導体光増
幅器チップを搭載し、得られた半導体光スイッチアレイ
10bを駆動させて特性評価を行った結果、32回路全
てで2つのAWG55aおよび55bがともに上記の許
容値を満たす良好な特性が得られた。本実施例では、素
子を搭載する前に2つのAWG55aおよび55bの特
性評価を正確に行うことができ、良品のみを完全に選別
することができたので、実施例1と比較して、無駄な素
子を搭載することをより省くことができた。Also in this embodiment, as in the first embodiment,
Fifty circuits of the above transmission wavelength selection circuit were manufactured. The characteristics of the two AWGs 55a and 55b were evaluated by using the second input / output channel waveguide 54b not connected to the optical function circuit 10b at the stage of chip formation with a dicing saw. The characteristics are evaluated by the first input / output channel waveguide 51a on the first AWG 55a side and the first input / output channel waveguide 51a on the second AWG 55b side.
Using two input / output channel waveguides 51b
The transmission spectrum was measured with 55a and 55b connected in cascade. Similar to the second embodiment, the loss and the crosstalk are directly measured as the actual measurement values in the second input / output channel waveguide 54b not connected to the optical function circuit 10b, and the peak wavelength shift is the optical function circuit 10b. And the measured values of the peak wavelengths of the two second input / output channel waveguides 54b which are arranged on both outer sides of the second input / output channel waveguide 54a which are not connected to the optical function circuit 10b. , And it was calculated based on the peak wavelength interval between channels obtained from the difference between the measured values. With this measurement method, as in Example 2, the loss and crosstalk could be measured with an error of 0.1 dB or less, and the peak wavelength shift could be accurately measured with an error of 0.01 nm (1.25 GHz) or less. As in the first embodiment, the allowable value of the characteristic is set to the loss 2d.
B or less, crosstalk 30 dB or more, peak wavelength shift 0.04 nm (5 GHz) or less, and as a result of selection of good products, good products in which the two AWGs 55a and 55b both satisfy the allowable value correspond to 64% of the whole. It was 32 circuits that After that, a semiconductor optical amplifier chip is mounted on the selected non-defective product, and the obtained semiconductor optical switch array 10b is driven to perform characteristic evaluation. As a result, two AWGs 55a and 55b in all 32 circuits have the above allowable values. Good characteristics satisfying the above conditions were obtained. In this example, the characteristics of the two AWGs 55a and 55b could be accurately evaluated before mounting the elements, and only non-defective products could be completely selected. It was possible to omit mounting the device.
【0055】本実施例では、実施例1と同様に、2つの
AWG55aおよび55bと半導体光スイッチアレイ1
0bとを同一基板1の上に作製しているので、機械強
度、長期信頼性に優れ、更に、光機能素子を搭載する前
に行った特性評価で18個の不良品を選別することがで
き、不良品に半導体光増幅器チップを搭載することを省
くことができたので、従来の全回路に素子搭載を行う方
法と比較して、半導体光増幅器チップの搭載工程と半導
体光増幅器チップにかかる費用を36%削減することが
できた。In this embodiment, as in the first embodiment, the two AWGs 55a and 55b and the semiconductor optical switch array 1 are arranged.
Since 0b and 0b are manufactured on the same substrate 1, it has excellent mechanical strength and long-term reliability. Furthermore, it is possible to select 18 defective products by the characteristic evaluation performed before mounting the optical functional element. Since it was possible to omit mounting the semiconductor optical amplifier chip on the defective product, compared to the conventional method of mounting elements on all circuits, the semiconductor optical amplifier chip mounting process and the cost required for the semiconductor optical amplifier chip Was reduced by 36%.
【0056】本実施例では、光機能素子として半導体光
増幅器チップを使用し、導波路材料として石英を主成分
としたガラス材料を用いたが、本発明はこれに制限され
るものでなく、他の光機能素子、導波路材料を用いた場
合にも適用することができ、信頼性、生産性の向上、生
産コストの削減といった効果が本実施例と同様に得られ
る。In this embodiment, the semiconductor optical amplifier chip was used as the optical functional element and the glass material containing quartz as the main component was used as the waveguide material, but the present invention is not limited to this. The present invention can also be applied to the case where the optical functional element and the waveguide material are used, and the same effects as reliability, productivity improvement, and production cost reduction can be obtained.
【0057】〔実施例5〕本発明の第5の実施例に係る
導波路型光部品を図5に示す。[Fifth Embodiment] FIG. 5 shows a waveguide type optical component according to a fifth embodiment of the present invention.
【0058】図5に示すように、本実施例は実施例3と
同様の透過波長選択回路であり、光/電気ハイブリッド
集積技術を用いて作製した、光機能回路としての8チャ
ネルの半導体光スイッチアレイ10bと、半導体光スイ
ッチアレイ10bのチャネル数よりも1チャネル多い9
チャネルのAWG55aおよび55bとをSi基板1上
に集積する。本実施例では、2つのAWG55aおよび
55bを扇型スラブ導波路53の部分で重ねあわせ、且
つ、AWG55aおよび55bのそれぞれ9本ある第2
の入出力チャネル導波路54のうち、8本の第2の入出
力チャネル導波路54aを半導体光スイッチアレイ10
bへ接続し、残余の各1本の第2の入出力チャネル導波
路54bを特性確認用チャネル導波路として回路の端へ
接続してある。As shown in FIG. 5, this embodiment is a transmission wavelength selection circuit similar to that of the third embodiment, and is an 8-channel semiconductor optical switch as an optical functional circuit manufactured by using the optical / electric hybrid integration technique. One more channel than the array 10b and the semiconductor optical switch array 10b.
The channels AWGs 55a and 55b are integrated on the Si substrate 1. In the present embodiment, two AWGs 55a and 55b are overlapped at the fan-shaped slab waveguide 53, and there are nine AWGs 55a and 55b, respectively.
Of the second input / output channel waveguides 54a of the semiconductor optical switch array 10
and the remaining one second input / output channel waveguide 54b is connected to the end of the circuit as a characteristic confirmation channel waveguide.
【0059】使用したAWG55aおよび55bの構造
パラメータは、第2の入出力チャネル導波路54の本数
が10本であることを除き、実施例1と全て同じである
ので、詳細な説明は省略する。各チャネル導波路の形成
に使用した導波路構造と、その作製手順は実施例1と同
じであり、半導体光スイッチアレイ10bの概略構成
と、ファイバ接続方法は実施例3と同じであるので、詳
細な説明は省略する。The structural parameters of the AWGs 55a and 55b used are all the same as in Example 1 except that the number of the second input / output channel waveguides 54 is 10, so detailed description will be omitted. Since the waveguide structure used for forming each channel waveguide and its manufacturing procedure are the same as those in the first embodiment, and the schematic configuration of the semiconductor optical switch array 10b and the fiber connecting method are the same as those in the third embodiment, the details will be described. Detailed description is omitted.
【0060】本実施例においても、実施例1と同様に、
上記の透過波長選択回路を50回路作製した。ダイシン
グソーでチップ化した段階で、光機能回路10bに接続
されていない第2の入出力チャネル導波路54bを用い
てAWG55aおよび55bの特性を評価した。測定方
法としては、実施例1と同様に、損失とクロストークは
光機能回路10bに接続されていない第2の入出力チャ
ネル導波路54bにおける実測値として直接的に測定
し、ピーク波長ずれは、光機能回路10bに接続されて
いない第2の入出力チャネル導波路54bにおけるピー
ク波長の実測値と、チャネル間ピーク波長間隔の設計値
を基に計算により求めた。この測定方法では、実施例1
と同様に、損失とクロストークを0.1dB以下の誤差
で測定でき、ピーク波長ずれを0.02nm(2.5G
Hz)以下の誤差で測定できた。実施例1と同様に、特
性の許容値を損失2dB以下、クロストーク30dB以
上、ピーク波長ずれ0.04nm(5GHz)以下と設
定して良品の選別を行った結果、2つのAWG55aお
よび55bがともに上記の許容値を満たした良品は全体
の76%に相当する38回路であった。その後、選別し
た良品に対して半導体光増幅器チップを搭載し、得られ
た半導体光スイッチアレイ10bを駆動させてAWG5
5aおよび55bの特性評価を行った結果、38回路中
36回路で2つのAWG55aおよび55bがともに上
記の許容値を満たす良好な特性が得られた。最後の特性
評価で2つの回路が上記の許容値を満たさなかったが、
これは実施例1と同様に、光機能回路10bに接続され
ていない第2の入出力チャネル導波路54bの実測値か
ら、光機能回路10bに接続されている第2の入出力チ
ャネル導波路54aのピーク波長を推定する際に、チャ
ネル間ピーク波長間隔の値として設計値を用いたので、
実際に作製したAWG55a、55bのチャネル間ピー
ク波長間隔の値との誤差によってピーク波長を正確に求
めることができなかったからである。本実施例では、2
つのAWG55aおよび55bの特性がともに上記の許
容値を満たす必要があるが、2つのAWG55aおよび
55bが扇型スラブ導波路53の部分で重ね合わせら
れ、近接して配置されているので、実施例3に比べて、
作製誤差等の面内分布の影響を低く抑えることができ、
歩留り良く作製することができる。Also in this embodiment, as in the first embodiment,
Fifty circuits of the above transmission wavelength selection circuit were manufactured. The characteristics of the AWGs 55a and 55b were evaluated using the second input / output channel waveguide 54b not connected to the optical function circuit 10b at the stage of chip formation with a dicing saw. As the measurement method, as in the first embodiment, the loss and the crosstalk are directly measured as the actual measurement values in the second input / output channel waveguide 54b not connected to the optical functional circuit 10b, and the peak wavelength deviation is It was calculated based on the measured value of the peak wavelength in the second input / output channel waveguide 54b not connected to the optical function circuit 10b and the designed value of the peak wavelength interval between channels. In this measuring method,
Similarly, loss and crosstalk can be measured with an error of 0.1 dB or less, and the peak wavelength shift is 0.02 nm (2.5 G
It was possible to measure with an error of less than (Hz). As in Example 1, the allowable values of the characteristics were set to a loss of 2 dB or less, a crosstalk of 30 dB or more, and a peak wavelength shift of 0.04 nm (5 GHz) or less. As a result, two good AWGs 55a and 55b were selected. The non-defective products satisfying the above-mentioned allowable value were 38 circuits corresponding to 76% of the whole. After that, a semiconductor optical amplifier chip is mounted on the selected good product, and the obtained semiconductor optical switch array 10b is driven to drive the AWG5.
As a result of evaluating the characteristics of 5a and 55b, good characteristics of the two AWGs 55a and 55b satisfying the above-mentioned allowable values were obtained in 36 out of 38 circuits. Two circuits did not meet the above tolerances in the final characterization,
Similar to the first embodiment, this is based on the measured value of the second input / output channel waveguide 54b not connected to the optical function circuit 10b, and the second input / output channel waveguide 54a connected to the optical function circuit 10b. Since the design value was used as the value of the peak wavelength interval between channels when estimating the peak wavelength of
This is because the peak wavelength could not be accurately determined due to an error from the value of the peak wavelength interval between channels of the AWGs 55a and 55b actually manufactured. In this embodiment, 2
It is necessary that the characteristics of the two AWGs 55a and 55b both satisfy the above-mentioned allowable value, but since the two AWGs 55a and 55b are superposed on each other in the fan-shaped slab waveguide 53 and arranged in close proximity to each other, the third embodiment is omitted. Compared to
The influence of in-plane distribution such as manufacturing error can be suppressed to a low level,
It can be manufactured with high yield.
【0061】本実施例では、実施例1と同様に、2つの
AWG55aおよび55bと半導体光スイッチアレイ1
0bとを同一基板1上に作製しているので、機械強度、
長期信頼性に優れ、更に、光機能素子を搭載する前に行
った特性評価で12個の不良品を選別することができ、
不良品に半導体光増幅器チップを搭載することを省くこ
とができたので、従来の全回路に素子搭載を行う方法と
比較して、半導体光増幅器チップの搭載工程と半導体光
増幅器チップにかかる費用を24%削減することができ
た。In this embodiment, as in the first embodiment, the two AWGs 55a and 55b and the semiconductor optical switch array 1 are arranged.
Since 0b and 0b are formed on the same substrate 1, mechanical strength,
It has excellent long-term reliability, and 12 defective products can be selected by the characteristic evaluation performed before mounting the optical functional device.
Since it was possible to omit mounting a semiconductor optical amplifier chip on a defective product, compared to the conventional method of mounting elements on all circuits, the semiconductor optical amplifier chip mounting process and the cost for the semiconductor optical amplifier chip can be reduced. It was possible to reduce by 24%.
【0062】本実施例では、光機能素子として半導体光
増幅器チップを使用し、導波路材料として石英を主成分
としたガラス材料を用いたが、本発明はこれに制限され
るものでなく、他の光機能素子、導波路材料を用いた場
合にも適用することができ、機械強度、長期信頼性、生
産性の向上、生産コストの削減といった効果が本実施例
と同様に得られる。In this embodiment, the semiconductor optical amplifier chip is used as the optical functional element and the glass material containing quartz as the main component is used as the waveguide material, but the present invention is not limited to this. The present invention can also be applied to the case where the optical functional element and the waveguide material are used, and the same effects as mechanical strength, long-term reliability, productivity improvement, and production cost reduction can be obtained.
【0063】〔実施例6〕本発明の第6の実施例に係る
導波路型光部品を図6に示す。[Embodiment 6] FIG. 6 shows a waveguide type optical component according to a sixth embodiment of the present invention.
【0064】図6に示すように、本実施例は実施例3と
同様の透過波長選択回路であり、ここで、光/電気ハイ
ブリッド集積技術を用いて作製した、光機能回路として
の8チャネルの半導体光スイッチアレイ10bと、半導
体光スイッチアレイ10bのチャネル数よりも2チャネ
ル多い10チャネルのAWG55aおよび55bをSi
基板1上に集積する。2つのAWG55aおよび55b
は、10本ある第2の入出力チャネル導波路54のう
ち、中央に位置する8本の第2の入出力チャネル導波路
54aが半導体光スイッチアレイ10bに接続され、チ
ャネル導波路54aの両外側に配置されている。 As shown in FIG. 6, this embodiment is a transmission wavelength selection circuit similar to that of the third embodiment. Here, an 8-channel optical function circuit manufactured by using the optical / electric hybrid integration technique is used. The semiconductor optical switch array 10b and the 10-channel AWGs 55a and 55b, which are two more channels than the semiconductor optical switch array 10b, are Si.
Integrated on the substrate 1. Two AWGs 55a and 55b
Among the 10 second input / output channel waveguides 54, the eight second input / output channel waveguides 54a located in the center are connected to the semiconductor optical switch array 10b, and both outsides of the channel waveguides 54a. that it has been placed in.
【0065】[0065]
【0066】[0066]
【0067】一方のAWGからの2本の第2の入出力チ
ャネル導波路54bは半導体光スイッチアレイ10bを
迂回するようにして他方のAWGの第2の入出力チャネ
ル導波路54bと相互接続されている。[0067] are two second output channel waveguides 54b and the second interconnect input and output channel waveguides 54b of the other AWG so as to bypass the semiconductor optical switch array 10b of from one AWG There is.
【0068】使用した2つのAWG55aおよび55b
の構造パラメータは、第2の入出力チャネル導波路54
の本数が10本であることを除き、実施例1と全て同じ
であるので、詳細な説明は省略する。各チャネル導波路
の形成に使用した導波路構造と、その作製手順は実施例
1と同じであり、半導体光スイッチアレイ10bの概略
構成は実施例3と同じであるので、詳細な説明は省略す
る。Two AWGs 55a and 55b used
The structural parameter of the second input / output channel waveguide 54 is
Since all are the same as those in the first embodiment except that the number is 10, the detailed description will be omitted. The waveguide structure used for forming each channel waveguide and the manufacturing procedure thereof are the same as those in the first embodiment, and the schematic configuration of the semiconductor optical switch array 10b is the same as that in the third embodiment, so detailed description thereof will be omitted. .
【0069】被接続ファイバ11の接続の際には、第1
の入出力チャネル導波路51aから第1のAWG55a
にモニタ光を入射し、2つのAWG55aおよび55b
を透過して、第2のAWG55bから第1の入出力チャ
ネル導波路51bへ伝搬されたモニタ光を被接続ファイ
バ11で受け、その受光強度が最大になるように被接続
ファイバ11を調芯してUV硬化型有機接着剤で固定し
た。本発明では、第1のAWG55a側の第1の入出力
チャネル導波路51aと、第2のAWG55b側の第1
の入出力チャネル導波路51bとを使用することによっ
て、調芯用ダミー導波路を用いることなく、従来から使
用している調芯機能のみを有するファイバ接続装置を用
いて、被接続ファイバ11の接続を行うことができる。
本実施例の光部品は、図8に示した光/電気ハイブリッ
ド集積技術を使用して作製することができる。When connecting the fiber 11 to be connected, the first
From the input / output channel waveguide 51a to the first AWG 55a
Monitor light to the two AWGs 55a and 55b
Is transmitted through the second AWG 55b to the first input / output channel waveguide 51b and received by the connected fiber 11, and the connected fiber 11 is aligned so that the received light intensity is maximized. And fixed with a UV-curable organic adhesive. In the present invention, the first input / output channel waveguide 51a on the first AWG 55a side and the first input / output channel waveguide 51a on the second AWG 55b side are provided.
By using the input / output channel waveguide 51b of FIG. 1, connection of the connected fiber 11 can be performed by using a fiber connecting device having only an aligning function which has been conventionally used, without using a dummy waveguide for aligning. It can be performed.
The optical component of this embodiment can be manufactured by using the optical / electric hybrid integration technique shown in FIG.
【0070】本実施例においても、実施例1と同様に、
上記の透過波長選択回路を50回路作製した。ダイシン
グソーでチップ化した段階で、光機能回路10bに接続
されていない第2の入出力チャネル導波路54bを用い
て2つのAWG55aおよび55bの特性評価を行っ
た。特性評価は、実施例4と同様の方法で行ったので、
詳細については省略する。この方法では、実施例4と同
様に、損失とクロストークを0.1dB以下の誤差で測
定でき、ピーク波長ずれを0.01nm(1.25GH
z)以下の誤差で正確に測定できた。実施例1と同様
に、特性の許容値を損失2dB以下、クロストーク30
dB以上、ピーク波長ずれ0.04nm(5GHz)以
下と設定して良品の選別を行った結果、2つのAWG5
5aおよび55bがともに許容値を満たした良品は全体
の64%に相当する32回路であった。その後、選別し
た良品に対して半導体光増幅器チップを搭載し、半導体
光スイッチアレイ10bを駆動させて特性評価を行った
結果、32回路全てで2つのAWG55aおよび55b
がともに上記の許容値を満たす良好な特性が得られた。
本実施例では、素子を搭載する前に2つのAWG55a
および55bの特性評価を正確に行うことができ、良品
のみを完全に選別することができたので、実施例1と比
較して、無駄な素子を搭載することをより省くことがで
きた。 Also in this embodiment, as in the first embodiment,
Fifty circuits of the above transmission wavelength selection circuit were manufactured. The characteristics of the two AWGs 55a and 55b were evaluated by using the second input / output channel waveguide 54b not connected to the optical function circuit 10b at the stage of chip formation with a dicing saw. Since the characteristic evaluation was performed by the same method as in Example 4,
Details are omitted. With this method, loss and crosstalk can be measured with an error of 0.1 dB or less, and the peak wavelength shift is 0.01 nm (1.25 GHz), as in the case of the fourth embodiment.
z) Accurate measurement was possible with the following error. As in the first embodiment, the allowable value of the characteristic is a loss of 2 dB or less, and the crosstalk 30
As a result of selecting non-defective products by setting the peak wavelength shift to 0.04 nm (5 GHz) or less, the two AWG5
The non-defective products in which 5a and 55b both satisfied the allowable value were 32 circuits corresponding to 64% of the whole. After that, a semiconductor optical amplifier chip is mounted on the selected non-defective product, and the semiconductor optical switch array 10b is driven to perform characteristic evaluation. As a result, two AWGs 55a and 55b are provided for all 32 circuits.
In both cases, good characteristics satisfying the above allowable values were obtained.
In this embodiment, two AWGs 55a are mounted before mounting the device.
And 55b characteristics can be accurately evaluated,
It was possible to select only
In comparison, it is possible to save the use of unnecessary elements.
Came.
【0071】[0071]
【0072】[0072]
【0073】[0073]
【0074】本実施例では、実施例1と同様に、2つの
AWG55aおよび55bと半導体光スイッチアレイ1
0bとを同一基板1の上に作製しているので、機械強
度、長期信頼性に優れ、更に、光機能素子を搭載する前
に行った特性評価で18個の不良品を選別することがで
き、不良品に半導体光増幅器チップを搭載することを省
くことができたので、従来の全回路に素子搭載を行う方
法と比較して、半導体光増幅器チップの搭載工程と半導
体光増幅器チップにかかる費用を36%削減することが
できた。In this embodiment, as in the first embodiment, the two AWGs 55a and 55b and the semiconductor optical switch array 1 are arranged.
Since 0b and 0b are manufactured on the same substrate 1, it has excellent mechanical strength and long-term reliability. Furthermore, it is possible to select 18 defective products by the characteristic evaluation performed before mounting the optical functional element. Since it was possible to omit mounting the semiconductor optical amplifier chip on the defective product, compared to the conventional method of mounting elements on all circuits, the semiconductor optical amplifier chip mounting process and the cost required for the semiconductor optical amplifier chip Was reduced by 36%.
【0075】本実施例では、光機能素子として半導体光
増幅器チップを使用し、導波路材料として石英を主成分
としたガラス材料を用いたが、本発明はこれに制限され
るものでなく、他の光機能素子、導波路材料を用いた場
合にも適用することができ、信頼性、生産性の向上、生
産コストの削減といった効果が本実施例と同様に得られ
る。In this embodiment, the semiconductor optical amplifier chip is used as the optical functional element and the glass material containing quartz as the main component is used as the waveguide material, but the present invention is not limited to this. The present invention can also be applied to the case where the optical functional element and the waveguide material are used, and the same effects as reliability, productivity improvement, and production cost reduction can be obtained.
【0076】[0076]
【発明の効果】以上、実施例に基づいて具体的に説明し
たところから明らかなように、本発明では、複数個のA
WGと光/電気ハイブリッド集積技術を用いて作製され
た光機能回路とを同一基板上に集積して光部品を構成す
る場合に、光機能回路を迂回するように複数個のAWG
を接続することにより、光機能回路に接続される第2入
出力チャネル導波路が光機能素子を搭載するための溝に
よって切断されていても、光機能素子を搭載する前に縦
続接続された複数個のAWGの特性評価を行って良品を
選別することができるので、不良品へ無駄な光機能素子
を搭載する工程を省くことができ、導波路型光部品を機
械強度、長期信頼性、生産性が高く、且つ低価格に作製
することができる。しかも、調芯用ダミー導波路、光機
能素子への給電が可能な複雑なファイバ接続装置がなく
ても、容易にファイバ接続ができ、機械強度、長期信頼
性に優れた導波路型光部品を生産性良く、低コストで提
供することができる。したがって、本発明は、機械強
度、長期信頼性が高く、且つ、生産性が高く、低価格な
光導波路型光部品を実用化する上で極めて効果的であ
る。As is apparent from the concrete description based on the embodiments, the plurality of A's are used in the present invention.
Fabricated using WG and optical / electric hybrid integration technology
Optical function circuit is integrated on the same substrate to form an optical component.
Multiple AWGs to bypass the optical function circuit when
The second input that is connected to the optical function circuit by connecting
The output channel waveguide is used as a groove for mounting the optical functional element.
Therefore, even if it is cut, the
Evaluate the characteristics of multiple AWGs that are connected in series
It is possible to sort, so useless optical functional elements for defective products
The process of mounting the
High mechanical strength, long-term reliability, high productivity, and low cost
can do. Moreover, a waveguide type optical component with excellent mechanical strength and long-term reliability can be easily connected without the need for a centering dummy waveguide and a complicated fiber connecting device capable of supplying power to the optical functional element. It can be provided with high productivity and low cost. Therefore, the present invention is extremely effective in putting into practical use an optical waveguide type optical component which has high mechanical strength, long-term reliability, high productivity, and low cost.
【図1】(a)は本発明の第1の実施例に係る導波路型
光部品の概略構成を示す平面図、(b)は(a)中のA
−A’線断面図である。FIG. 1A is a plan view showing a schematic configuration of a waveguide type optical component according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is an A in FIG.
It is a sectional view taken along the line A-A '.
【図2】本発明の第2の実施例に係る導波路型光部品の
概略構成を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of a waveguide type optical component according to a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第3の実施例に係る導波路型光部品の
概略構成を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of a waveguide type optical component according to a third embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第4の実施例に係る導波路型光部品の
概略構成を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of a waveguide type optical component according to a fourth embodiment of the present invention.
【図5】本発明の第5の実施例に係る導波路型光部品の
概略構成を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a schematic configuration of a waveguide type optical component according to a fifth embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第6の実施例に係る導波路型光部品の
概略構成を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration of a waveguide type optical component according to a sixth embodiment of the present invention.
【図7】(a)はアレイ導波路回折格子(AWG)の概
略構成を示す平面図、(b)はAWGの透過スペクトル
の概略を示す模式図である。7A is a plan view showing a schematic configuration of an arrayed waveguide diffraction grating (AWG), and FIG. 7B is a schematic diagram showing a schematic transmission spectrum of an AWG.
【図8】光/電気ハイブリッド集積技術を用いて作製さ
れる導波路型光部品の作製手順を示す工程図である。FIG. 8 is a process chart showing a manufacturing procedure of a waveguide type optical component manufactured by using an optical / electric hybrid integration technique.
1 Si基板 2 第1の下部クラッド層 3 基板側位置合わせ用マーカ 4 第2の下部クラッド層 5 コア 6 上部クラッド層 7 給電用電気配線 8 固定用AuSn半田 9 光機能素子側位置合わせ用マーカ 10 光機能素子 10a 半導体PDアレイ(光機能回路) 10b 半導体光スイッチアレイ 11 被接続ファイバ 1a Siテラス 51、51a、51b 第1の入出力チャネル導波路 52 チャネル導波路アレイ 53 扇形スラブ導波路 53a 第1の扇型スラブ導波路 53b 第2の扇型スラブ導波路 54、54a、54b 第2の入出力チャネル導波路 55 アレイ導波路回折格子 55a 第1のアレイ導波路回折格子 55b 第2のアレイ導波路回折格子 1 Si substrate 2 First lower cladding layer 3 PCB side alignment marker 4 Second lower cladding layer 5 cores 6 Upper clad layer 7 Electric wiring for power supply 8 Fixing AuSn solder 9 Optical function element side alignment marker 10 Optical functional element 10a Semiconductor PD array (optical functional circuit) 10b Semiconductor optical switch array 11 Connected fiber 1a Si terrace 51, 51a, 51b First input / output channel waveguide 52 channel waveguide array 53 Fan-shaped slab waveguide 53a First fan-shaped slab waveguide 53b Second fan-shaped slab waveguide 54, 54a, 54b Second input / output channel waveguide 55 Array Waveguide Diffraction Grating 55a First arrayed waveguide diffraction grating 55b Second arrayed waveguide diffraction grating
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 明正 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日 本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 平10−303815(JP,A) 特開 平10−227936(JP,A) 特開 平10−227934(JP,A) 特開 平11−30722(JP,A) 特開 平10−48458(JP,A) 特開 平9−49937(JP,A) 特開 平8−313744(JP,A) J.B.D.Soole et.a l.,Electronics Let ters,1995年 7月20日,Vol. 31 No.15,pp.1289−1291 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G02B 6/12 - 6/14 G02B 6/28 - 6/34 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Akimasa Kaneko 3-19-2 Nishishinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Nihon Telegraph and Telephone Corporation (56) References Japanese Patent Laid-Open No. 10-303815 (JP, A) Special Features Kaihei 10-227936 (JP, A) JP 10-227934 (JP, A) JP 11-30722 (JP, A) JP 10-48458 (JP, A) JP 9-49937 ( JP, A) JP-A-8-313744 (JP, A) J. B. D. Soul et. a. , Electronics Letters, July 20, 1995, Vol. 31 No. 15, pp. 1289-1291 (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G02B 6/12-6/14 G02B 6/28-6/34
Claims (5)
ル導波路を有する複数個のアレイ導波路回折格子と、前
記第2入出力チャネル導波路と光結合する光機能素子を
有する光機能回路とを同一基板上に配設し、前記複数個
のアレイ導波路回折格子のそれぞれの前記第2入出力チ
ャネル導波路を前記光機能回路を介して互いに光学的に
接続した導波路型光部品において、 前記複数個のアレイ導波路回折格子の各々の前記第2入
出力チャネル導波路の個数を、接続される前記光機能回
路のチャネル数よりも少なくとも1つ多く定め、該第2
入出力チャネル導波路のうち、前記光機能回路に接続さ
れない残余の入出力チャネル導波路の各々のうちの1つ
を、前記光機能回路を迂回して、前記複数個のアレイ導
波路回折格子のうち、他のアレイ導波路回析格子のうち
の1つの残余の入出力チャネル導波路と接続したことを
特徴とする導波路型光部品。1. An optical functional circuit having a plurality of arrayed waveguide diffraction gratings each having first and second input / output channel waveguides, and an optical functional element optically coupled to the second input / output channel waveguides. In a waveguide type optical component in which the second input / output channel waveguides of each of the plurality of arrayed waveguide diffraction gratings are optically connected to each other via the optical functional circuit. The number of the second input / output channel waveguides of each of the plurality of arrayed waveguide diffraction gratings is determined to be at least one greater than the number of channels of the optical functional circuit to be connected, and the second
Among the input / output channel waveguides, one of each of the remaining input / output channel waveguides not connected to the optical function circuit is bypassed to the optical function circuit and the plurality of arrayed waveguide gratings Among them, a waveguide type optical component characterized in that it is connected to the remaining input / output channel waveguide of one of the other array waveguide diffraction gratings.
て、 前記残余の入出力チャネル導波路は、前記第2入出力チ
ャネル導波路のうち両外側に配置されている導波路であ
ることを特徴とする導波路型光部品。2. The waveguide type optical component according to claim 1, wherein the remaining input / output channel waveguide is a waveguide arranged on both outer sides of the second input / output channel waveguide. A waveguide type optical component.
る導波路型光部品に、光ファイバを接続するにあたり、 前記複数個のアレイ導波路回析格子のうちの1つの前記
第1入出力チャネル導波路からモニタ光を入射し、前記
複数個のアレイ導波路回折格子を透過して他のアレイ導
波路回析格子の第1入出力チャネル導波路まで伝搬され
たモニタ光を被接続光ファイバで受けて受光強度を測定
しながら、当該受光強度が最大になるように当該被接続
光ファイバを調芯し、当該被接続光ファイバと当該導波
路型光部品とを固定して接続することを特徴とする光フ
ァイバ接続方法。3. When connecting an optical fiber to the waveguide type optical component according to claim 1 or 2, one of the plurality of arrayed waveguide diffraction gratings is used as the first optical fiber. Monitor light is input from the output channel waveguide, transmitted through the plurality of arrayed waveguide diffraction gratings, and propagated to the first input / output channel waveguides of other arrayed waveguide diffraction gratings. While receiving light with a fiber and measuring the received light intensity, align the connected optical fiber so that the received light intensity is maximized, and fix and connect the connected optical fiber and the waveguide type optical component. A method for connecting an optical fiber, characterized by:
型光部品において、 基板材料がSiであり、導波路材料がガラス材料である
ことを特徴とする導波路型光部品。4. The waveguide type optical component according to claim 1 or 2, wherein the substrate material is Si and the waveguide material is a glass material.
おいて、基板材料がSiであり、導波路材料がガラス材
料であることを特徴とする光ファイバ接続方法。5. The optical fiber connecting method according to claim 3, wherein the substrate material is Si and the waveguide material is a glass material.
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