JP3444327B2 - シリコン単結晶薄膜の製造方法 - Google Patents
シリコン単結晶薄膜の製造方法Info
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Description
上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる方法に関す
る。 【0002】 【関連技術】半導体単結晶基板(以下、単に「基板」と
いうことがある。)上にシリコン単結晶薄膜(以下、単
に「薄膜」ということがある。)を気相成長させる方法
を実施するための装置としては、例えば図2に示すよう
な装置が一般に用いられる。 【0003】同図において、気相成長装置10は、ガス
供給口14と排気口15を有する透明な石英ガラス容器
16を備えている。基板11は、前記石英ガラス容器1
6内でサセプタ12上に載置される。 【0004】前記基板11は、前記石英ガラス容器16
の上下外側に設けられた輻射加熱手段18によって加熱
されながら、回転軸13を中心として自転する。基板1
1が薄膜の製造に適する温度、例えば800〜1200
℃に加熱昇温された後に、キャリアガスと反応原料から
なる反応ガス20が、基板11の主表面側に導入される
と、反応ガス20の化学反応により基板11の主表面上
に薄膜が気相成長する。 【0005】 【発明が解決しようとする課題】シリコン単結晶薄膜の
気相成長時には、その薄膜表面に微細な凹凸が生じるこ
とがあり、この凹凸は成長させる薄膜の厚さの増大によ
り一層顕著になることが知られているが、その原因は不
明であった。例えば、薄膜の気相成長装置内に水分が共
存すると、水分子の酸素により薄膜の表面が酸化され、
さらに水素ガスにより還元されるなどして微小なピット
を形成することが推定されていた。 【0006】しかし、水分の影響を完全には除去できな
いために、それ以外の原因を探求することは実験的に無
理であった。同程度の水分濃度を有する環境であって
も、薄膜の表面が極めて滑らかな場合と凹凸を生じる場
合があることが経験的に知られていたものの、その原因
と生成機構が未解明であったために、安定して平滑なシ
リコン単結晶表面を得ることができなかった。 【0007】本発明者はシリコン単結晶薄膜の成長に関
する化学反応について検討を重ねたところ、次のことが
判明した。シリコン単結晶薄膜を工業的に成長させる時
には、塩化珪素原料を水素ガス中に混合して使用するこ
とが多い。 【0008】工業的に使用される塩化珪素原料は、通
常、四塩化珪素(SiCl4)、トリクロロシラン(S
iHCl3)、ジクロロシラン(SiH2Cl2)である
が、これらを使用すると反応副生成物として塩化水素が
生じる。周知のように塩化水素は腐触性のガスであるか
ら、成長した薄膜の表面を腐触する作用がある。 【0009】塩化珪素原料は単価が安く、しかもシラン
(SiH4)に比較して取り扱いが安全であり、塩化珪
素原料を使用しながら塩化水素の腐触作用を抑えること
ができれば有利であることから、塩化珪素原料を利用す
る方法を検討した。 【0010】化学の基本法則である質量作用の法則によ
れば、塩化水素の腐蝕性を抑えるには塩化水素と伴に生
じる塩化珪素原料の分解生成物を薄膜の表面に付与する
方法が有効である。そこで、次の化学反応を利用するこ
とを考えた。 【0011】即ち、塩化珪素原料として、例えばトリク
ロロシランを用いるシリコン単結晶薄膜の成長反応にお
いては、図3に示すごとく、トリクロロシラン(SiH
Cl3)が薄膜の表面近傍で分解してSiCl及び/又
はSiCl2が生じ薄膜の表面に吸着する一方、塩化水
素が遊離される。 【0012】SiCl及び/又はSiCl2が薄膜の表
面に吸着していればHClは分解の逆反応を優先的に生
じさせるので、HClによる薄膜の腐触反応を抑制する
ことができると考えられる。薄膜の表面にSiCl及び
/又はSiCl2を十分吸着させるためには、塩化珪素
原料を十分供給し、成長速度を十分大きくすればよい。 【0013】本発明者は、上記知見に基づいて、さらに
検討を進め本発明に到達した。本発明は、安定して平滑
なシリコン単結晶薄膜の表面を得ることができるように
したシリコン単結晶薄膜の製造方法を提供することを目
的とする。 【0014】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、塩化珪素原料を水素(H2)ガス中に混
合して半導体単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相
成長させ、かつ該シリコン単結晶薄膜の成長速度がその
成長温度における最高成長速度の80%以上であるとと
もに該シリコン単結晶薄膜の表面が塩化珪素原料の分解
生成物により80%以上被覆された状態で気相成長させ
る方法であって、前記塩化珪素原料がトリクロロシラン
(SiHCl3)であるとともに前記シリコン単結晶薄
膜の表面を被覆する塩化珪素原料の分解生成物がSiC
l及び/又はSiCl2であり、前記シリコン単結晶薄
膜の表面を被覆している塩化珪素原料の分解生成物の割
合φが0.8以上になるように、成長温度が800℃〜
1125℃の範囲において、下記式(1)により〔Si
HCl3〕と〔H2〕の供給量を決定することを特徴とす
る。 【0015】 【数4】 【0016】上記式(1)中、トリクロロシランが結晶
に吸着する時の速度定数Kad 及び結晶表面でSiを
生成する時の反応速度定数Krは次の通りである。【0017】 【数5】Kad=2.72×106exp(−1.72
×105/RT)【0018】 【数6】Kr=5.63 ×103 exp(−1.80
×105 /RT)【0019】 ここで、〔SiHCl3〕と〔H2〕はSi
HCl3とH2の基板表面のモル濃度(mol/m3)で
あり、〔SiHCl3〕/〔H2〕比は実質的に供給時の
モル濃度比に等しい。Rは理想気体定数(J/mol
K)、Tはガスの温度(K)である。【0020】 上記式(1)は、シリコン単結晶の表面に
塩化珪素原料がまず吸着し、続いて水素と化学反応する
ことにより生じたシリコンが薄膜として成長するモデル
を想定することにより導き出したものである。【0021】 シリコン単結晶の表面に、塩化珪素原料と
して例えばトリクロロシラン(SiHCl3)が吸着す
る速度Vadは、該トリクロロシランによって未だ被覆
されていない単結晶表面領域の割合(1−φ)と単結晶
表面近傍に存在するトリクロロシランのモル濃度〔Si
HCl3〕に比例し、【0022】 【数7】Vad=Kad(1−φ)〔SiHCl3〕【0023】 で表現することができる。【0024】 また、トリクロロシランが水素と化学反応
してシリコンを生成する速度Vrは、トリクロロシラン
によって被覆された単結晶表面領域の割合φと、水素の
モル濃度〔H2〕に比例し、【0025】 【数8】Vr=Krφ〔H2〕【0026】 で表現することができる。【0027】 塩化珪素原料のトリクロロシランが十分供
給されて成長速度が十分大きい時には、シリコンの生成
する速度Vrとシリコン単結晶の表面にトリクロロシラ
ンが吸着する速度Vadとが等しくなるので、【0028】 【数9】Vr=Vad ・・・・・(2)【0029】 が成り立つ。そして、上記式(2)を〔S
iHCl3〕/〔H2〕について解くと、前記式(1)が
得られる。【0030】 成長温度800℃〜1125℃の間で、例
えば〔SiHCl3〕/〔H2〕=0.004とすれば薄
膜の成長速度が最高成長速度の80%以上となり、被覆
率φも0.8以上とすることができ平滑なシリコン単結
晶表面を得ることができる。【0031】 【実施例】以下に実施例をあげて本発明をさらに説明す
る。【0032】 実施例1(製造装置入口における原料ガス
濃度と成長速度との関係) 図2に示した気相成長装置10を用い、反応原料のトリ
クロロシラン(SiHCl3)を一定の流量で流れる水
素ガス(キャリアガス)中に混合して石英ガラス容器1
6内に導入した。次に、該石英ガラス容器16内でサセ
プタ12上に載置された直径200mmのシリコン単結
晶基板11を輻射加熱手段18によって輻射加熱した。【0033】 該シリコン単結晶基板11をそれぞれ80
0℃、950℃及び1125℃に加熱昇温した場合(こ
の条件では図3に示した化学反応が進行する)につい
て、ガス供給口14における原料濃度(mol%)、そ
れぞれの成長温度における最高成長速度を100%とす
るときの相対的な成長速度を求め、その結果を図1に示
した。【0034】 ここでいう最高成長速度とは、原料濃度を
増加する時に成長速度の上昇が事実上終了した状態にお
ける成長速度のことである。図1に示すように、成長速
度は原料濃度を増加するに従い上昇する。従来は、原料
濃度の設定が容易に行える、初期の直線的に増加する領
域で気相成長を行っていた。【0035】 一方、本発明の特徴とする、成長速度がそ
の成長温度における最高成長速度の80%以上となる領
域では、図1に示すように、成長速度の増加率が漸減す
るかあるいは、実質的にもはや増加しない。この領域で
は、大量の原料を使用する為、従来より製造に用いられ
なかった。【0036】 しかし、下記実施例2に示すごとく、上記
実施例1の条件で1〜10μmの厚さのシリコン単結晶
薄膜を成長させた後、その薄膜表面の粗さをレーザー散
乱光による粗さ測定器を用いて測定したところ、成長速
度がその成長温度における最高成長速度の80%以上と
なる領域では、薄膜の表面が平滑なものが安定して得ら
れることが分かったのである。成長速度が最高成長速度
の80%より小さくなるにつれて、薄膜の表面に粗さが
目立つようになってきた。【0037】 成長速度は、水素のモル濃度並びに、トリ
クロロシランのような塩化珪素原料の分解生成物による
薄膜表面の被覆率に比例する。つまり、成長速度がその
成長条件における最高成長速度の80%以上となる状態
では、塩化珪素原料の分解生成物による薄膜表面の被覆
率も0.8以上となっている。また、被覆率φが0.8
以上となるように塩化珪素原料と水素のモル濃度比を決
定すると、成長速度が最高成長速度の80%以上となる
ので、薄膜の表面が平滑なものが安定して得られるので
ある。【0038】 実施例2(最高成長速度に対する成長速度
の割合とシリコン単結晶薄膜表面の粗さとの関係) 基板直径:100〜200mm 成長温度:800〜1150℃ 基板枚数:25枚(合計) 薄膜の厚さ:1〜10μm【0039】 上記実施例1の条件で、上記試料及び上記
成長条件を用いてシリコン単結晶薄膜を成長させた後、
その薄膜表面の粗さをレーザー散乱光による粗さ測定機
を用いて測定し、その結果を図4に示した。図4から明
らかなように、成長速度がその成長温度における最高成
長速度の80%以上となる領域では、薄膜の表面が平滑
なものが安定して得られることが分かる。【0040】 なお、上記実施例では塩化珪素原料とし
て、トリクロロシラン(SiHCl3)を用いた例を示
したが、その他の塩化珪素原料、例えば四塩化珪素(S
iCl4)やジクロロシラン(SiH2Cl2)等に対し
ても本発明方法を同様に適用することが可能である。【0041】 【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、シ
リコン単結晶薄膜の成長速度が、その成長温度における
最高成長速度の80%以上となるように制御することに
より、安定して滑らかな薄膜表面を得ることができる利
点がある。
度の割合との関係を示すグラフである。 【図2】気相成長装置の1例を示す概略説明図である。 【図3】シリコン単結晶表面における薄膜成長時の化学
反応を概念的に示す説明図である。 【図4】最高成長速度に対する成長速度の割合とシリコ
ン単結晶薄膜表面の粗さとの関係を示すグラフである。 【符号の説明】 10 気相成長装置 11 半導体単結晶基板 12 サセプタ 13 回転軸 14 ガス供給口 15 排気口 16 石英ガラス容器 18 輻射加熱手段 20 反応ガス
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 塩化珪素原料を水素(H2)ガス中に混
合して半導体単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を気相
成長させ、かつ該シリコン単結晶薄膜の成長速度がその
成長温度における最高成長速度の80%以上であるとと
もに該シリコン単結晶薄膜の表面が塩化珪素原料の分解
生成物により80%以上被覆された状態で気相成長させ
る方法であって、前記塩化珪素原料がトリクロロシラン
(SiHCl3)であるとともに前記シリコン単結晶薄
膜の表面を被覆する塩化珪素原料の分解生成物がSiC
l及び/又はSiCl2であり、前記シリコン単結晶薄
膜の表面を被覆している塩化珪素原料の分解生成物の割
合φが0.8以上になるように、成長温度が800℃〜
1125℃の範囲において、下記式(1)により〔Si
HCl3〕と〔H2〕の供給量を決定することを特徴とす
るシリコン単結晶薄膜の製造方法。 【数1】 (上記式(1)において、 【数2】Kad=2.72×106exp(−1.72
×105/RT) 【数3】Kr=5.63×103exp(−1.80×
105 /RT) である。〔SiHCl3〕と〔H2〕はSiHCl3とH2
の基板表面のモル濃度(mol/m3)である。Rは理
想気体定数(J/molK)、Tはガスの温度(K)で
ある。)
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