JP3426597B1 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
【要約】
【課題】 基板表面に付着する有機物を効率的に除去し
てシリコン酸化膜の絶縁耐圧特性を向上させた半導体装
置の製造方法を提供する。 【解決手段】 シリコン酸化膜上にポリシリコン膜を形
成する半導体装置の製造方法において、前記シリコン酸
化膜が形成された半導体基板を、硫酸と過酸化水素とを
含む洗浄液又は超純水にオゾンを添加したオゾン添加洗
浄水に浸漬してから、前記シリコン酸化膜上にポリシリ
コン膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
てシリコン酸化膜の絶縁耐圧特性を向上させた半導体装
置の製造方法を提供する。 【解決手段】 シリコン酸化膜上にポリシリコン膜を形
成する半導体装置の製造方法において、前記シリコン酸
化膜が形成された半導体基板を、硫酸と過酸化水素とを
含む洗浄液又は超純水にオゾンを添加したオゾン添加洗
浄水に浸漬してから、前記シリコン酸化膜上にポリシリ
コン膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に、ゲート電極としてポリシリコン電極
を用いる半導体装置の製造方法に関するものである。
方法に関し、特に、ゲート電極としてポリシリコン電極
を用いる半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ポリシリコン電極をゲート電極として用
いる半導体装置の製造は、図７に示すように、ゲート酸
化前洗浄において、基板の表面を超純水により洗浄して
表面に付着する塵や埃などの汚染物を取除いてから、ゲ
ート酸化において約８５０℃においてパイロジェニック
酸化により基板表面を酸化してゲート酸化膜を形成した
後、表面にポリシリコンから成るゲート電極層を形成
し、ゲート電極層にリンを拡散してＰ型としてから、パ
ターンニングを行うことによりなされる。
いる半導体装置の製造は、図７に示すように、ゲート酸
化前洗浄において、基板の表面を超純水により洗浄して
表面に付着する塵や埃などの汚染物を取除いてから、ゲ
ート酸化において約８５０℃においてパイロジェニック
酸化により基板表面を酸化してゲート酸化膜を形成した
後、表面にポリシリコンから成るゲート電極層を形成
し、ゲート電極層にリンを拡散してＰ型としてから、パ
ターンニングを行うことによりなされる。
【０００３】一般に、ポリシリコンから成るゲート電極
は、図８に示すような構成のポリシリコン電極形成装置
（縦型ＬＰＣＶＤ）により形成されている。このポリシ
リコン電極形成装置は、ヒータ１０により内部温度が調
整されるポリシリコン形成炉１２と、複数のウエハがチ
ャージされ、ウエハチャージ部分がポリシリコン形成炉
１２内に装填されたときにポリシリコン形成炉１２内を
密閉するボート１４と、ポリシリコン形成炉１２内に予
め定めた種類のガスを導入する雰囲気調整手段１６とを
備えている。
は、図８に示すような構成のポリシリコン電極形成装置
（縦型ＬＰＣＶＤ）により形成されている。このポリシ
リコン電極形成装置は、ヒータ１０により内部温度が調
整されるポリシリコン形成炉１２と、複数のウエハがチ
ャージされ、ウエハチャージ部分がポリシリコン形成炉
１２内に装填されたときにポリシリコン形成炉１２内を
密閉するボート１４と、ポリシリコン形成炉１２内に予
め定めた種類のガスを導入する雰囲気調整手段１６とを
備えている。
【０００４】表面にゲート酸化膜が形成された基板は、
清浄度を保った状態でボート１４にチャージされて、Ｎ
2 ガスが充填されたポリシリコン形成炉１２内に挿入さ
れる。ボート１４が完全にポリシリコン形成炉１２内に
挿入されて炉１２内を密閉すると、雰囲気調整手段１６
により１．０×１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空吸引を行い、
６００℃〜７００℃程度の温度に調整してからＳｉＨ4
ガスを導入して、ポリシリコンをゲート酸化膜上に堆積
させ、ポリシリコン膜を形成する。その後、ボート１４
を炉１２内から取り出して図示しない拡散炉内に搬送
し、拡散炉においてリンを拡散させた後、図示しないパ
ターニング装置によりパターニングが施されてゲート電
極とされる。
清浄度を保った状態でボート１４にチャージされて、Ｎ
2 ガスが充填されたポリシリコン形成炉１２内に挿入さ
れる。ボート１４が完全にポリシリコン形成炉１２内に
挿入されて炉１２内を密閉すると、雰囲気調整手段１６
により１．０×１０-3Ｔｏｒｒ程度の真空吸引を行い、
６００℃〜７００℃程度の温度に調整してからＳｉＨ4
ガスを導入して、ポリシリコンをゲート酸化膜上に堆積
させ、ポリシリコン膜を形成する。その後、ボート１４
を炉１２内から取り出して図示しない拡散炉内に搬送
し、拡散炉においてリンを拡散させた後、図示しないパ
ターニング装置によりパターニングが施されてゲート電
極とされる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のすべての工程は
清浄度を高く調整したクリーンルーム内で行うが、ゲー
ト酸化前洗浄における超純水の水質の劣化や、基板の搬
送中に、例えば、クリーンルームの通気テスト剤である
フタル酸エステルや、装置やカセットやボックス等を構
成する可塑剤の一種であるＤＢＰ（ｄｉｂｕｔｙｌｐｈ
ｔｈａｌａｔｅ）や、ウエハケースを構成する可塑剤の
一種であるＢＨＴ（ｂｕｔｙｌｈｙｄｒｏｘｙｔｏｌｕ
ｅｎｅ）等の有機物が基板表面に付着してしまう場合が
ある。
清浄度を高く調整したクリーンルーム内で行うが、ゲー
ト酸化前洗浄における超純水の水質の劣化や、基板の搬
送中に、例えば、クリーンルームの通気テスト剤である
フタル酸エステルや、装置やカセットやボックス等を構
成する可塑剤の一種であるＤＢＰ（ｄｉｂｕｔｙｌｐｈ
ｔｈａｌａｔｅ）や、ウエハケースを構成する可塑剤の
一種であるＢＨＴ（ｂｕｔｙｌｈｙｄｒｏｘｙｔｏｌｕ
ｅｎｅ）等の有機物が基板表面に付着してしまう場合が
ある。
【０００６】図９及び図１０は、有機物汚染を受けた基
板の表面に付着する有機物についてウエハ加熱脱離ＧＣ
−ＭＳにより測定した結果を示している。ウエハ加熱脱
離ＧＣ−ＭＳは基板を加熱したときに基板表面から脱離
したガスをクロマトグラフィーにかける構成の装置であ
り、図９及び図１０のそれぞれにおいて、縦軸は相対強
度、横軸は時間を示しており、相対強度が高いほど有機
物の付着量が多く、同じ時間に検出されたものは同じ種
類の物質であることを示している。
板の表面に付着する有機物についてウエハ加熱脱離ＧＣ
−ＭＳにより測定した結果を示している。ウエハ加熱脱
離ＧＣ−ＭＳは基板を加熱したときに基板表面から脱離
したガスをクロマトグラフィーにかける構成の装置であ
り、図９及び図１０のそれぞれにおいて、縦軸は相対強
度、横軸は時間を示しており、相対強度が高いほど有機
物の付着量が多く、同じ時間に検出されたものは同じ種
類の物質であることを示している。
【０００７】図９はゲート酸化膜形成前の超純水による
洗浄後のシリコン基板の表面に付着する有機物量を測定
した結果であり、図１０はゲート酸化膜形成後のシリコ
ン基板の表面に付着する有機物量を測定した結果であ
る。図９と図１０とを比較すると、超純水による洗浄後
のシリコン基板の表面に比べてゲート酸化後のシリコン
基板の表面の方が付着している有機物量は減っているも
のの、ゲート酸化によってシリコン基板の表面に付着す
る有機物は完全には除去されてないことがわかる。
洗浄後のシリコン基板の表面に付着する有機物量を測定
した結果であり、図１０はゲート酸化膜形成後のシリコ
ン基板の表面に付着する有機物量を測定した結果であ
る。図９と図１０とを比較すると、超純水による洗浄後
のシリコン基板の表面に比べてゲート酸化後のシリコン
基板の表面の方が付着している有機物量は減っているも
のの、ゲート酸化によってシリコン基板の表面に付着す
る有機物は完全には除去されてないことがわかる。
【０００８】水質の劣化した超純水による洗浄によりシ
リコン基板の表面に付着した有機物や、基板の装置間の
搬送中にシリコン基板の表面に付着した有機物はベンゼ
ン環を有しているものが多く、ベンゼン環を持つ有機物
のうちゲート酸化時にシリコン酸化膜と反応したものは
燃焼しにくくなってしまい、ゲート酸化後もシリコン基
板の表面に残留してしまう。このようなシリコン基板の
表面に残留した有機物はゲート酸化膜の絶縁耐圧特性を
悪化させる原因となっている。
リコン基板の表面に付着した有機物や、基板の装置間の
搬送中にシリコン基板の表面に付着した有機物はベンゼ
ン環を有しているものが多く、ベンゼン環を持つ有機物
のうちゲート酸化時にシリコン酸化膜と反応したものは
燃焼しにくくなってしまい、ゲート酸化後もシリコン基
板の表面に残留してしまう。このようなシリコン基板の
表面に残留した有機物はゲート酸化膜の絶縁耐圧特性を
悪化させる原因となっている。
【０００９】そこで本発明は、基板表面に付着する有機
物を効率的に除去してシリコン酸化膜の絶縁耐圧特性を
向上させた半導体装置を得ることを目的としている。
物を効率的に除去してシリコン酸化膜の絶縁耐圧特性を
向上させた半導体装置を得ることを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明の半導体装置の製造方法は、シリコ
ン酸化膜上にポリシリコン膜を形成する際、前記シリコ
ン酸化膜が形成された半導体基板を、硫酸と過酸化水素
とを含む洗浄液又は超純水にオゾンを添加したオゾン添
加洗浄水に浸漬してから、前記シリコン酸化膜上にポリ
シリコン膜を形成することを特徴とする。
に、請求項１の発明の半導体装置の製造方法は、シリコ
ン酸化膜上にポリシリコン膜を形成する際、前記シリコ
ン酸化膜が形成された半導体基板を、硫酸と過酸化水素
とを含む洗浄液又は超純水にオゾンを添加したオゾン添
加洗浄水に浸漬してから、前記シリコン酸化膜上にポリ
シリコン膜を形成することを特徴とする。
【００１１】請求項１の発明では、半導体基板にポリシ
リコン電極層用のシリコン酸化膜を形成した後に、当該
半導体基板を硫酸と過酸化水素とを含む洗浄液又はオゾ
ン添加洗浄水に浸漬し、この浸漬によりシリコン酸膜表
面に付着している有機物が除去された状態で、ポリシリ
コン膜を形成するので、シリコン酸化膜の絶縁耐圧特性
が向上した半導体装置が得られる。
リコン電極層用のシリコン酸化膜を形成した後に、当該
半導体基板を硫酸と過酸化水素とを含む洗浄液又はオゾ
ン添加洗浄水に浸漬し、この浸漬によりシリコン酸膜表
面に付着している有機物が除去された状態で、ポリシリ
コン膜を形成するので、シリコン酸化膜の絶縁耐圧特性
が向上した半導体装置が得られる。
【００１２】このように、請求項２の発明の半導体装置
の製造方法は、請求項１に記載の半導体装置の製造方法
において、前記洗浄により、シリコン酸化膜上に存在す
る有機物が酸化されて取り除かれることを特徴とする。
の製造方法は、請求項１に記載の半導体装置の製造方法
において、前記洗浄により、シリコン酸化膜上に存在す
る有機物が酸化されて取り除かれることを特徴とする。
【００１３】また、請求項３の発明の半導体装置の製造
方法のように、前記硫酸と前記過酸化水素とを含む洗浄
液は、前記硫酸と前記過酸化水素が９対１の割合で混合
されていることがよい。
方法のように、前記硫酸と前記過酸化水素とを含む洗浄
液は、前記硫酸と前記過酸化水素が９対１の割合で混合
されていることがよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
〜図６を参照して説明する。なお、ウエハ加熱脱離ＧＣ
ーＭＳにより測定した結果を示すすべての線図につい
て、縦軸は相対強度、横軸は時間を示し、相対強度が高
いほど有機物の付着量が多く、同じ時間に検出されたも
のは同じ種類の物質であることを示している。
〜図６を参照して説明する。なお、ウエハ加熱脱離ＧＣ
ーＭＳにより測定した結果を示すすべての線図につい
て、縦軸は相対強度、横軸は時間を示し、相対強度が高
いほど有機物の付着量が多く、同じ時間に検出されたも
のは同じ種類の物質であることを示している。
【００１５】（第１の実施形態）図１〜図６を参照して
第１の実施形態を説明する。まず、図１に示すように、
表面にパターンを形成したシリコン基板を、超純水によ
り洗浄して（ゲート酸化前洗浄）からパイロジェニック
酸化によりゲート酸化膜を形成（ゲート酸化）する。次
に、得られた複数のシリコン基板を１２５℃に温度調整
され、硫酸と過酸化水素とが９対１の割合で混合された
ＳＰＭ（Ｓｕｒｆｉｃ Ｐｅｒｏｘｉｄｅｍｉｘｔｕｒ
ｅ）洗浄液に５分程度浸漬する。このとき、シリコン基
板表面に付着する有機物がＳＰＭ洗浄液により酸化され
て取除かれる。
第１の実施形態を説明する。まず、図１に示すように、
表面にパターンを形成したシリコン基板を、超純水によ
り洗浄して（ゲート酸化前洗浄）からパイロジェニック
酸化によりゲート酸化膜を形成（ゲート酸化）する。次
に、得られた複数のシリコン基板を１２５℃に温度調整
され、硫酸と過酸化水素とが９対１の割合で混合された
ＳＰＭ（Ｓｕｒｆｉｃ Ｐｅｒｏｘｉｄｅｍｉｘｔｕｒ
ｅ）洗浄液に５分程度浸漬する。このとき、シリコン基
板表面に付着する有機物がＳＰＭ洗浄液により酸化され
て取除かれる。
【００１６】その後、前述した縦型ＬＰＣＶＤのボート
に複数のシリコン基板をチャージしたのち、炉内温度を
６２０℃程度に調整したポリシリコン形成炉内に挿入
し、ＳｉＨ4 ガスをポリシリコン形成炉内に導入してポ
リシリコン膜の形成を開始し、予め定めた厚さにシリコ
ン膜が形成されたらリンを拡散してＰ型としてから、パ
ターンニングを行ってポリシリコン電極を得る。
に複数のシリコン基板をチャージしたのち、炉内温度を
６２０℃程度に調整したポリシリコン形成炉内に挿入
し、ＳｉＨ4 ガスをポリシリコン形成炉内に導入してポ
リシリコン膜の形成を開始し、予め定めた厚さにシリコ
ン膜が形成されたらリンを拡散してＰ型としてから、パ
ターンニングを行ってポリシリコン電極を得る。
【００１７】ここで、シリコン基板の有機物量をウエハ
加熱脱離ＧＣ−ＭＳで測定した結果を図２に示す。図２
において、試料１は超純水により洗浄後のシリコン基板
表面の有機物量、試料２はゲート酸化後のシリコン基板
表面の有機物量、試料３はＳＰＭ洗浄後のシリコン基板
表面の有機物量を測定した結果である。図２より明らか
なように、ＳＰＭ洗浄を行うことによってシリコン基板
表面に強固に付着していた有機物は殆ど除去されている
ことがわかる。
加熱脱離ＧＣ−ＭＳで測定した結果を図２に示す。図２
において、試料１は超純水により洗浄後のシリコン基板
表面の有機物量、試料２はゲート酸化後のシリコン基板
表面の有機物量、試料３はＳＰＭ洗浄後のシリコン基板
表面の有機物量を測定した結果である。図２より明らか
なように、ＳＰＭ洗浄を行うことによってシリコン基板
表面に強固に付着していた有機物は殆ど除去されている
ことがわかる。
【００１８】得られたゲート電極におけるゲート酸化膜
の絶縁耐性を調べた結果を図３に示す。なお、比較のた
め、ゲート酸化後にＳＰＭ洗浄を行わずにポリシリコン
膜を形成して得たゲート電極におけるゲート酸化膜の絶
縁耐性を調べた結果を図４に、また、基板表面に有機物
の付着の無い基板を用い、ゲート酸化後にＳＰＭ洗浄を
行ってポリシリコン膜を形成して得たゲート電極におけ
るゲート酸化膜の絶縁耐性を調べた結果を図５に、基板
表面に有機物の付着の無い基板を用い、ゲート酸化後に
ＳＰＭ洗浄を行わずにポリシリコン膜を形成して得たゲ
ート電極におけるゲート酸化膜の絶縁耐性を調べた結果
を図６にそれぞれ示す。
の絶縁耐性を調べた結果を図３に示す。なお、比較のた
め、ゲート酸化後にＳＰＭ洗浄を行わずにポリシリコン
膜を形成して得たゲート電極におけるゲート酸化膜の絶
縁耐性を調べた結果を図４に、また、基板表面に有機物
の付着の無い基板を用い、ゲート酸化後にＳＰＭ洗浄を
行ってポリシリコン膜を形成して得たゲート電極におけ
るゲート酸化膜の絶縁耐性を調べた結果を図５に、基板
表面に有機物の付着の無い基板を用い、ゲート酸化後に
ＳＰＭ洗浄を行わずにポリシリコン膜を形成して得たゲ
ート電極におけるゲート酸化膜の絶縁耐性を調べた結果
を図６にそれぞれ示す。
【００１９】図５及び図６に示すように、基板表面に有
機物の付着の無い基板を用いた場合は、ＳＰＭ洗浄を行
ってもＳＰＭ洗浄を行わなくても同様に良好な絶縁耐性
を有するものとなっている。これに対し、図４に示すよ
うに、基板表面に有機物の付着がある場合、ＳＰＭ洗浄
を行わないでポリシリコン膜を形成して得たゲート電極
におけるゲート酸化膜の絶縁耐性は非常に悪くなってい
るのがわかる。
機物の付着の無い基板を用いた場合は、ＳＰＭ洗浄を行
ってもＳＰＭ洗浄を行わなくても同様に良好な絶縁耐性
を有するものとなっている。これに対し、図４に示すよ
うに、基板表面に有機物の付着がある場合、ＳＰＭ洗浄
を行わないでポリシリコン膜を形成して得たゲート電極
におけるゲート酸化膜の絶縁耐性は非常に悪くなってい
るのがわかる。
【００２０】すなわち、図３に示したように本第１の実
施形態で得られたゲート電極におけるゲート酸化膜は、
図５及び図６とほぼ同様に良好な絶縁耐性を有するもの
となっており、基板表面に有機物が付着するシリコン基
板をＳＰＭ洗浄を行わないゲート電極を形成した場合と
比較しても絶縁耐性が向上していることがわかる。
施形態で得られたゲート電極におけるゲート酸化膜は、
図５及び図６とほぼ同様に良好な絶縁耐性を有するもの
となっており、基板表面に有機物が付着するシリコン基
板をＳＰＭ洗浄を行わないゲート電極を形成した場合と
比較しても絶縁耐性が向上していることがわかる。
【００２１】以上述べた第１の実施形態では、硫酸と過
酸化水素とが９対１の割合で混合されたＳＰＭ洗浄液を
用いる場合を挙げたが、ＳＰＭ洗浄液として用いられる
ものであれば硫酸と過酸化水素との割合がどのような割
合であってもよい。
酸化水素とが９対１の割合で混合されたＳＰＭ洗浄液を
用いる場合を挙げたが、ＳＰＭ洗浄液として用いられる
ものであれば硫酸と過酸化水素との割合がどのような割
合であってもよい。
【００２２】また、ＳＰＭ洗浄液の代わりにオゾンが添
加されて酸化性を強くされた超純水であるオゾン添加洗
浄水を用いてもよい。この場合も洗浄後のシリコン基板
表面の有機物量や、得られたゲート電極におけるゲート
酸化膜の絶縁耐性については、上述した第１の実施形態
とほぼ同様の結果が得られたので図示は省略する。
加されて酸化性を強くされた超純水であるオゾン添加洗
浄水を用いてもよい。この場合も洗浄後のシリコン基板
表面の有機物量や、得られたゲート電極におけるゲート
酸化膜の絶縁耐性については、上述した第１の実施形態
とほぼ同様の結果が得られたので図示は省略する。
【００２３】なお、ゲート洗浄後の洗浄液として上記第
１の実施形態ではＳＰＭ洗浄液とオゾン添加洗浄水とを
挙げたが、これらに限らず、シリコン基板をエッチング
しない性質の洗浄液であれば用いることができる。
１の実施形態ではＳＰＭ洗浄液とオゾン添加洗浄水とを
挙げたが、これらに限らず、シリコン基板をエッチング
しない性質の洗浄液であれば用いることができる。
【００２４】なお、以上述べた第１の実施形態において
は、すべてゲート電極におけるゲート酸化膜の絶縁耐性
を向上させる場合について述べたが、本発明はその他の
シリコン酸化膜の絶縁耐性を向上させる場合にも適用で
きる。
は、すべてゲート電極におけるゲート酸化膜の絶縁耐性
を向上させる場合について述べたが、本発明はその他の
シリコン酸化膜の絶縁耐性を向上させる場合にも適用で
きる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１〜４の発
明によれば、シリコン基板の表面に強固に付着する有機
物を殆ど除去できるため、シリコン酸化膜の絶縁耐圧特
性を向上させた半導体装置を製造できる、という効果を
達成する。
明によれば、シリコン基板の表面に強固に付着する有機
物を殆ど除去できるため、シリコン酸化膜の絶縁耐圧特
性を向上させた半導体装置を製造できる、という効果を
達成する。
【図１】本発明の第１の実施形態を簡単に示すフロー図
である。
である。
【図２】ゲート酸化前洗浄におけるシリコン基板の表面
に付着する有機物量と、ゲート酸化後のシリコン基板の
表面に付着する有機物量と、ＳＰＭ洗浄後のシリコン基
板の表面に付着する有機物量とを表す測定図である。
に付着する有機物量と、ゲート酸化後のシリコン基板の
表面に付着する有機物量と、ＳＰＭ洗浄後のシリコン基
板の表面に付着する有機物量とを表す測定図である。
【図３】第２の実施形態で得られたゲート電極における
ゲート酸化膜の絶縁耐性を示すヒストグラムである。
ゲート酸化膜の絶縁耐性を示すヒストグラムである。
【図４】ゲート酸化後にＳＰＭ洗浄を行わずにポリシリ
コン膜を形成して得たゲート電極におけるゲート酸化膜
の絶縁耐性を示すヒストグラムである。
コン膜を形成して得たゲート電極におけるゲート酸化膜
の絶縁耐性を示すヒストグラムである。
【図５】基板表面に有機物の付着の無い基板を用い、ゲ
ート酸化後にＳＰＭ洗浄を行ってポリシリコン膜を形成
して得たゲート電極におけるゲート酸化膜の絶縁耐性を
示すヒストグラムである。
ート酸化後にＳＰＭ洗浄を行ってポリシリコン膜を形成
して得たゲート電極におけるゲート酸化膜の絶縁耐性を
示すヒストグラムである。
【図６】基板表面に有機物の付着の無い基板を用い、ゲ
ート酸化後にＳＰＭ洗浄を行わずにポリシリコン膜を形
成して得たゲート電極におけるゲート酸化膜の絶縁耐性
を示すヒストグラムである。
ート酸化後にＳＰＭ洗浄を行わずにポリシリコン膜を形
成して得たゲート電極におけるゲート酸化膜の絶縁耐性
を示すヒストグラムである。
【図７】従来のゲート電極を形成する工程を簡単に示す
フロー図である。
フロー図である。
【図８】縦型ＬＰＣＶＤの構成を簡単に示す説明図であ
る。
る。
【図９】ゲート酸化膜形成前の超純水による洗浄後のシ
リコン基板の表面に付着する有機物量を表す測定図であ
る。
リコン基板の表面に付着する有機物量を表す測定図であ
る。
【図１０】ゲート酸化膜形成後のシリコン基板の表面に
付着する有機物量を表す測定図である。
付着する有機物量を表す測定図である。
１０ ヒータ
１２ ポリシリコン形成炉
１４ ボート
１６ 雰囲気調整手段
Claims (3)
- 【請求項１】 シリコン酸化膜上にポリシリコン膜を形
成する半導体装置の製造方法において、 前記シリコン酸化膜が形成された半導体基板を、硫酸と
過酸化水素とを含む洗浄液又は超純水にオゾンを添加し
たオゾン添加洗浄水に浸漬してから、前記シリコン酸化
膜上にポリシリコン膜を形成することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記洗浄により、シリコン酸化膜上に存
在する有機物が酸化されて取り除かれることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記硫酸と前記過酸化水素とを含む洗浄
液は、前記硫酸と前記過酸化水素が９対１の割合で混合
されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002368698A JP3426597B1 (ja) | 2002-12-19 | 2002-12-19 | 半導体装置の製造方法 |
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| JP09036698A Division JP3426494B2 (ja) | 1998-04-02 | 1998-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3426597B1 true JP3426597B1 (ja) | 2003-07-14 |
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