JP3425357B2 - ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の製造方法 - Google Patents
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、紫外・青色発光ダ
イオード，紫外・青色レーザダイオード等の発光デバイ
スの製造技術に係わり、特に気相成長法によってｐ型窒
化ガリウム系化合物半導体層を形成するためのｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体層の製造方法に関する。
イオード，紫外・青色レーザダイオード等の発光デバイ
スの製造技術に係わり、特に気相成長法によってｐ型窒
化ガリウム系化合物半導体層を形成するためのｐ型窒化
ガリウム系化合物半導体層の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より青色発光デバイス用の半導体材
料として、ＺｎＳｅ，ＳｉＣ，ＧａＮなどに関し、多く
の研究が成されてきた。その中で最近、窒化ガリウム系
化合物半導体層（Ｇａx Ａｌ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１））
が、常温で強い青色発光を示すことが注目されている
（特開平５−１８３１８９号公報）。
料として、ＺｎＳｅ，ＳｉＣ，ＧａＮなどに関し、多く
の研究が成されてきた。その中で最近、窒化ガリウム系
化合物半導体層（Ｇａx Ａｌ1-x Ｎ（０≦ｘ≦１））
が、常温で強い青色発光を示すことが注目されている
（特開平５−１８３１８９号公報）。
【０００３】窒化ガリウム系化合物半導体層の主な成長
方法としては、トリメチル・ガリウム（ＴＭＧ），トリ
メチル・アルミニウム（ＴＭＡ），アンモニア等を原料
ガスとして用いる有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）が用いられている。ドナー不純物としてはＳｉ、ア
クセプタ不純物としてはＺｎ，Ｃｄ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃ
ａ，Ｂａ等が用いられる。このとき、窒化ガリウム系化
合物半導体層に格子整合する良い基板がないため、通常
サファイア基板上に６００℃程度の低温で、ＡｌＮ，Ｇ
ａＮ等からなるバッファ層を成長した後、温度を９００
〜１１００℃に昇温し、ｎ型層，ｐ型層を順次積層して
発光デバイスを作成する。
方法としては、トリメチル・ガリウム（ＴＭＧ），トリ
メチル・アルミニウム（ＴＭＡ），アンモニア等を原料
ガスとして用いる有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）が用いられている。ドナー不純物としてはＳｉ、ア
クセプタ不純物としてはＺｎ，Ｃｄ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃ
ａ，Ｂａ等が用いられる。このとき、窒化ガリウム系化
合物半導体層に格子整合する良い基板がないため、通常
サファイア基板上に６００℃程度の低温で、ＡｌＮ，Ｇ
ａＮ等からなるバッファ層を成長した後、温度を９００
〜１１００℃に昇温し、ｎ型層，ｐ型層を順次積層して
発光デバイスを作成する。
【０００４】ところが、アクセプタ不純物を高濃度ドー
プして低抵抗ｐ型層を成長しようとしても、成長後に何
らかのプロセスを加えないとアクセプタを活性化できな
いため、比抵抗が１０8 Ωｃｍ以上のｉ層しか得られな
かった。この理由は、ＭＯＣＶＤ法による成長中に反応
ガス、或いは雰囲気ガス中から水素が結晶中に入り込
み、アクセプタ不純物を不活性化するものと考えられて
いる。
プして低抵抗ｐ型層を成長しようとしても、成長後に何
らかのプロセスを加えないとアクセプタを活性化できな
いため、比抵抗が１０8 Ωｃｍ以上のｉ層しか得られな
かった。この理由は、ＭＯＣＶＤ法による成長中に反応
ガス、或いは雰囲気ガス中から水素が結晶中に入り込
み、アクセプタ不純物を不活性化するものと考えられて
いる。
【０００５】そこで、雰囲気が真空中、或いはＮ2 ，Ｈ
ｅ，Ａｒ単独、若しくはそれらの混合ガス中で、４００
℃以上でアニールし、水素を結晶中から蒸発することで
ｐ型窒化ガリウム系半導体層を低抵抗化することが行わ
れていた（特開平５−１８３１８９号公報）。
ｅ，Ａｒ単独、若しくはそれらの混合ガス中で、４００
℃以上でアニールし、水素を結晶中から蒸発することで
ｐ型窒化ガリウム系半導体層を低抵抗化することが行わ
れていた（特開平５−１８３１８９号公報）。
【０００６】しかしながら、上記の方法でｐｎ接合を持
つ発光デバイス用基板をアニールする場合、本来アニー
ルが必要でないｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層まで
昇温してしまうため、ｎ型層が劣化する問題が発生す
る。即ち、温度が比較的高温の場合、ｎ型層からＮの蒸
発が起こり、Ｎ空孔を含む非発光中心が生成する。この
ため、ｎ型層の内部量子効率が低下し、発光デバイスと
しての特性が著しく劣化する。
つ発光デバイス用基板をアニールする場合、本来アニー
ルが必要でないｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層まで
昇温してしまうため、ｎ型層が劣化する問題が発生す
る。即ち、温度が比較的高温の場合、ｎ型層からＮの蒸
発が起こり、Ｎ空孔を含む非発光中心が生成する。この
ため、ｎ型層の内部量子効率が低下し、発光デバイスと
しての特性が著しく劣化する。
【０００７】また、温度が比較的低温の場合、高抵抗化
の原因となっているｐ型結晶内の水素の、結晶表面から
の蒸発があまり進まないため、低抵抗化するために必要
な時間が長くなるだけでなく、表面から遠いｐｎ接合近
傍のｐ型層が完全に低抵抗化されなくなる。このため、
ｎ型層への正孔の注入効率が低下し、発光デバイスの特
性が劣化する。
の原因となっているｐ型結晶内の水素の、結晶表面から
の蒸発があまり進まないため、低抵抗化するために必要
な時間が長くなるだけでなく、表面から遠いｐｎ接合近
傍のｐ型層が完全に低抵抗化されなくなる。このため、
ｎ型層への正孔の注入効率が低下し、発光デバイスの特
性が劣化する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、青色
発光デバイス等の製造においては、ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層を低抵抗化するためには、４００℃を超
える温度でアニールして結晶中から水素を蒸発させる必
要があるが、このような温度では下地のｎ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層の劣化を招く問題があった。
発光デバイス等の製造においては、ｐ型窒化ガリウム系
化合物半導体層を低抵抗化するためには、４００℃を超
える温度でアニールして結晶中から水素を蒸発させる必
要があるが、このような温度では下地のｎ型窒化ガリウ
ム系化合物半導体層の劣化を招く問題があった。
【０００９】本発明は、上記事情を考慮して成されたも
ので、その目的とするところは、アニール中に下層のｎ
型窒化ガリウム系化合物半導体層の劣化を招くことな
く、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を短時間に、厚
さ方向に均一に低抵抗化できるｐ型窒化ガリウム系化合
物半導体層の製造方法を提供することにある。
ので、その目的とするところは、アニール中に下層のｎ
型窒化ガリウム系化合物半導体層の劣化を招くことな
く、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を短時間に、厚
さ方向に均一に低抵抗化できるｐ型窒化ガリウム系化合
物半導体層の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】（構成）上記課題を解決
するために本発明は、次のような構成を採用している。
即ち本発明は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の製
造方法において、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上
に気相成長法によってｐ型不純物をドープした窒化ガリ
ウム系化合物半導体層を成長する工程と、窒素ガスを流
しながら２０〜１０００パスカルの減圧下で、前記成長
した窒化ガリウム系化合物半導体層に該半導体層の禁制
帯幅以上のエネルギーの光を照射しながら、該半導体層
を２００〜４００℃の温度でアニールする工程とを含む
ことを特徴とする。
するために本発明は、次のような構成を採用している。
即ち本発明は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の製
造方法において、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上
に気相成長法によってｐ型不純物をドープした窒化ガリ
ウム系化合物半導体層を成長する工程と、窒素ガスを流
しながら２０〜１０００パスカルの減圧下で、前記成長
した窒化ガリウム系化合物半導体層に該半導体層の禁制
帯幅以上のエネルギーの光を照射しながら、該半導体層
を２００〜４００℃の温度でアニールする工程とを含む
ことを特徴とする。
【００１１】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は次のものがあげられる。 (1) ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に成長した窒
化ガリウム系化合物半導体層を光照射と共にアニールす
る前に、該半導体層上に光に対して実質的に透明である
キャップ層を形成すること。 (2) 窒化ガリウム系化合物半導体層として、Ｇａx Ａｌ
1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）を用いること。 (3) 気相成長法として、ＭＯＣＶＤ法を用いること。
は次のものがあげられる。 (1) ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に成長した窒
化ガリウム系化合物半導体層を光照射と共にアニールす
る前に、該半導体層上に光に対して実質的に透明である
キャップ層を形成すること。 (2) 窒化ガリウム系化合物半導体層として、Ｇａx Ａｌ
1-x Ｎ（０≦ｘ≦１）を用いること。 (3) 気相成長法として、ＭＯＣＶＤ法を用いること。
【００１２】（作用）本発明では、気相成長法によりｐ
型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を
成長した後、窒素ガスを流しながら２０から１０００パ
スカルの減圧下で、成長した窒化ガリウム系化合物半導
体層の禁制帯幅以上のエネルギーの光を該半導体層に照
射しながら、２００〜４００℃の温度でアニールを行
う。
型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を
成長した後、窒素ガスを流しながら２０から１０００パ
スカルの減圧下で、成長した窒化ガリウム系化合物半導
体層の禁制帯幅以上のエネルギーの光を該半導体層に照
射しながら、２００〜４００℃の温度でアニールを行
う。
【００１３】ここで、窒素ガスの圧力が２０パスカルよ
り低くなると窒化ガリウム系化合物半導体層からのＮの
蒸発を防ぐことができず、また１０００パスカルより高
くなると水素の蒸発が抑えられるので、この範囲が望ま
しい。この方法によって、結晶からの窒素の蒸発を防ぐ
と同時に、結晶からの水素の蒸発を加速することができ
る。
り低くなると窒化ガリウム系化合物半導体層からのＮの
蒸発を防ぐことができず、また１０００パスカルより高
くなると水素の蒸発が抑えられるので、この範囲が望ま
しい。この方法によって、結晶からの窒素の蒸発を防ぐ
と同時に、結晶からの水素の蒸発を加速することができ
る。
【００１４】また本発明では、アニール時にｐ型窒化ガ
リウム系化合物半導体層の禁制帯幅以上のエネルギーの
光を該半導体に照射する理由は、ｐ型層のみに光エネル
ギーを与えるためである。ｐ型層のみに選択的に与えら
れた熱エネルギーは、結晶欠陥で再結合し、それによっ
て放出されたフォノンが水素の結晶内移動を助け、外へ
蒸発することを可能にする。
リウム系化合物半導体層の禁制帯幅以上のエネルギーの
光を該半導体に照射する理由は、ｐ型層のみに光エネル
ギーを与えるためである。ｐ型層のみに選択的に与えら
れた熱エネルギーは、結晶欠陥で再結合し、それによっ
て放出されたフォノンが水素の結晶内移動を助け、外へ
蒸発することを可能にする。
【００１５】アニール温度を２００〜４００℃に設定し
た理由は、２００℃未満の温度であると水素の蒸発が起
こらず、低抵抗化しないためであり、４００℃以上の温
度であると、カーボン，ナトリウムなどの低抵抗化する
のに有害な元素がＧａＮ表面に付着するからである。
た理由は、２００℃未満の温度であると水素の蒸発が起
こらず、低抵抗化しないためであり、４００℃以上の温
度であると、カーボン，ナトリウムなどの低抵抗化する
のに有害な元素がＧａＮ表面に付着するからである。
【００１６】また本発明では、窒化ガリウム系化合物半
導体層からの窒素の分解，蒸発を十分に防ぐことができ
るが、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に光に対し
て実質的に透明なキャップ層を設ければ、窒化ガリウム
系化合物半導体層からの窒素の蒸発をさらに防ぐことが
可能となる。
導体層からの窒素の分解，蒸発を十分に防ぐことができ
るが、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に光に対し
て実質的に透明なキャップ層を設ければ、窒化ガリウム
系化合物半導体層からの窒素の蒸発をさらに防ぐことが
可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。図１は、本発明の一実施形態方
法を適用する窒化ガリウム系化合物半導体の積層構造を
示す断面図である。
形態によって説明する。図１は、本発明の一実施形態方
法を適用する窒化ガリウム系化合物半導体の積層構造を
示す断面図である。
【００１８】まず、ＣＶＤチャンバ内に収容したサファ
イア基板１１に対し、ＴＭＧ，ＴＭＡ，アンモニアを原
料ガスとして用いるＭＯＣＶＤ法で、ＧａＮバッファ層
１２を介してＳｉドープｎ型ＧａＮ層１３を２０μｍ成
長し、さらにその上にＭｇドープｐ型ＧａＮ層１４を２
０μｍ成長した。このウェハを二分割し、その一つに
は、波長３３７ｎｍ，エネルギー密度２０００Ｗ／ｃｍ
2 の窒素レーザを照射しつつ、窒素を流しながら３００
パスカルの減圧下で、３５０℃で３０分間のアニールを
施した。他の一つには、常圧の窒素を流しながら、８０
０℃で１５分間のアニールを施した。
イア基板１１に対し、ＴＭＧ，ＴＭＡ，アンモニアを原
料ガスとして用いるＭＯＣＶＤ法で、ＧａＮバッファ層
１２を介してＳｉドープｎ型ＧａＮ層１３を２０μｍ成
長し、さらにその上にＭｇドープｐ型ＧａＮ層１４を２
０μｍ成長した。このウェハを二分割し、その一つに
は、波長３３７ｎｍ，エネルギー密度２０００Ｗ／ｃｍ
2 の窒素レーザを照射しつつ、窒素を流しながら３００
パスカルの減圧下で、３５０℃で３０分間のアニールを
施した。他の一つには、常圧の窒素を流しながら、８０
０℃で１５分間のアニールを施した。
【００１９】両者のウェハをＣＶＤチャンバから取り出
した後、電極を付け、発光ダイオードを作成した。駆動
電流３０ｍＡの両者の発光スペクトルを、図２に示す。
実線１は前者の試料であり、破線２は後者の試料であ
る。前者のバンド端発光は大変強かったが、後者のバン
ド端発光は弱く、しかも深い順位に起因する発光が観察
された。前者のウェハをアニールするときに、ｐ型Ｇａ
Ｎ層１４上にＳｉＯ2 からなるキャップ層を１００ｎｍ
付けておくと、付けないものよりもさらにバンド端発光
は強くなった。
した後、電極を付け、発光ダイオードを作成した。駆動
電流３０ｍＡの両者の発光スペクトルを、図２に示す。
実線１は前者の試料であり、破線２は後者の試料であ
る。前者のバンド端発光は大変強かったが、後者のバン
ド端発光は弱く、しかも深い順位に起因する発光が観察
された。前者のウェハをアニールするときに、ｐ型Ｇａ
Ｎ層１４上にＳｉＯ2 からなるキャップ層を１００ｎｍ
付けておくと、付けないものよりもさらにバンド端発光
は強くなった。
【００２０】このように本実施形態によれば、ｐ型Ｇａ
Ｎ層１４をアニールする際に、光を照射すると共に、窒
素ガスの圧力及びアニール温度を最適化することによ
り、ｎ型ＧａＮ層１３を劣化させずに、ｐ型ＧａＮ層１
４を短時間に、且つ厚み方向に均一に低抵抗化すること
ができる。また、ｐ型ＧａＮ層１４のみに集中的に熱エ
ネルギーを与えることができ、アニール温度を低くする
ことができる。しかも、III族とＶ族の化学量論比が
１：１となる結晶を得ることができる。従って、発光ダ
イオードはもとより青色発光デバイスの製造に極めて有
効である。
Ｎ層１４をアニールする際に、光を照射すると共に、窒
素ガスの圧力及びアニール温度を最適化することによ
り、ｎ型ＧａＮ層１３を劣化させずに、ｐ型ＧａＮ層１
４を短時間に、且つ厚み方向に均一に低抵抗化すること
ができる。また、ｐ型ＧａＮ層１４のみに集中的に熱エ
ネルギーを与えることができ、アニール温度を低くする
ことができる。しかも、III族とＶ族の化学量論比が
１：１となる結晶を得ることができる。従って、発光ダ
イオードはもとより青色発光デバイスの製造に極めて有
効である。
【００２１】また、ｐ型ＧａＮ層１４上にアニール時の
照射光に対して透明なキャップ層を設けることにより、
ＧａＮ層１３，１４からのＮの蒸発をさらに防ぐことが
可能となる。
照射光に対して透明なキャップ層を設けることにより、
ＧａＮ層１３，１４からのＮの蒸発をさらに防ぐことが
可能となる。
【００２２】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れるものではない。実施形態では、ＧａＮの製造につい
て説明したが、これに限らずＧａＡｌＮに適用すること
ができ、さらに各種の窒化ガリウム系化合物半導体の製
造に適用することが可能である。
れるものではない。実施形態では、ＧａＮの製造につい
て説明したが、これに限らずＧａＡｌＮに適用すること
ができ、さらに各種の窒化ガリウム系化合物半導体の製
造に適用することが可能である。
【００２３】また、アニール時の窒素ガスの圧力は、３
００パスカル程度に何ら限定されるものではなく、結晶
からの窒素の蒸発を防ぐと同時に、結晶からの水素の蒸
発を加速する減圧条件であればよい。具体的には、窒素
ガスの圧力が２０パスカルより低くなると窒化ガリウム
系化合物半導体層からのＮの蒸発を防ぐことができない
ので、２０パスカル以上とすればよい。さらに、窒素ガ
スの圧力が１０００パスカルより高くなると、水素の蒸
発が抑えられるので、１０００パスカル以下とすればよ
い。
００パスカル程度に何ら限定されるものではなく、結晶
からの窒素の蒸発を防ぐと同時に、結晶からの水素の蒸
発を加速する減圧条件であればよい。具体的には、窒素
ガスの圧力が２０パスカルより低くなると窒化ガリウム
系化合物半導体層からのＮの蒸発を防ぐことができない
ので、２０パスカル以上とすればよい。さらに、窒素ガ
スの圧力が１０００パスカルより高くなると、水素の蒸
発が抑えられるので、１０００パスカル以下とすればよ
い。
【００２４】また本発明では、アニール時に照射する光
は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層で十分吸収され
るものであればよく、該半導体層の禁制帯幅以上のエネ
ルギーを有する波長であればよい。
は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層で十分吸収され
るものであればよく、該半導体層の禁制帯幅以上のエネ
ルギーを有する波長であればよい。
【００２５】また、アニール温度は３５０℃程度に何ら
限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能で
ある。但し、アニール温度が２００℃未満の温度である
と水素の蒸発が起こらず低抵抗化しないため、アニール
温度は２００℃以上が望ましい。さらに、アニール温度
が４００℃を越えるとカーボン，ナトリウムなどの低抵
抗化するのに有害な元素が窒化ガリウム系化合物半導体
層の表面に付着するので、アニール温度は４００℃以下
が望ましい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。
限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能で
ある。但し、アニール温度が２００℃未満の温度である
と水素の蒸発が起こらず低抵抗化しないため、アニール
温度は２００℃以上が望ましい。さらに、アニール温度
が４００℃を越えるとカーボン，ナトリウムなどの低抵
抗化するのに有害な元素が窒化ガリウム系化合物半導体
層の表面に付着するので、アニール温度は４００℃以下
が望ましい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、気
相成長法によってｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上
にｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体
を成長した後、窒素ガスを流しながら２０から１０００
パスカルの減圧下で、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
の禁制帯幅以上のエネルギーの光を該半導体に照射しな
がら、２００〜４００℃の温度でアニールすることによ
り、窒素の結晶からの蒸発を防ぐと同時に、水素の蒸発
を加速するとができ、これによりアニール中にｎ型層の
劣化が発生せず、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を短
時間に、厚さ方向に均一に低抵抗化することが可能とな
る。
相成長法によってｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上
にｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体
を成長した後、窒素ガスを流しながら２０から１０００
パスカルの減圧下で、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
の禁制帯幅以上のエネルギーの光を該半導体に照射しな
がら、２００〜４００℃の温度でアニールすることによ
り、窒素の結晶からの蒸発を防ぐと同時に、水素の蒸発
を加速するとができ、これによりアニール中にｎ型層の
劣化が発生せず、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を短
時間に、厚さ方向に均一に低抵抗化することが可能とな
る。
【図１】実施形態で作成した半導体構造を示す断面図。
【図２】実施形態における窒化ガリウム系発光ダイオー
ドの発光スペクトルを従来例と比較して示す図。
ドの発光スペクトルを従来例と比較して示す図。
１１…サファイア基板
１２…ＧａＮバッファ層
１３…ｎ型ＧａＮ層（ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体
層） １４…ｐ型ＧａＮ層（ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層）
層） １４…ｐ型ＧａＮ層（ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体
層）
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フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平９−266218（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−266352（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−222797（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−153933（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−126758（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−186174（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−238692（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−178213（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−313133（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−219904（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−177135（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−295890（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−191160（ＪＰ，Ａ)
国際公開97／26680（ＷＯ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
H01L 21/205
H01L 21/268
Claims (2)
- 【請求項１】ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に気
相成長法によってｐ型不純物をドープした窒化ガリウム
系化合物半導体層を成長する工程と、窒素ガスを流しな
がら２０〜１０００パスカルの減圧下で、前記成長した
窒化ガリウム系化合物半導体層に該半導体層の禁制帯幅
以上のエネルギーの光を照射しながら、該半導体層を２
００〜４００℃の温度でアニールする工程とを含むこと
を特徴とするｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の製造
方法。 - 【請求項２】前記成長した窒化ガリウム系化合物半導体
層をアニールする前に、該半導体層上に前記光に対して
実質的に透明であるキャップ層を形成することを特徴と
する請求項１記載のｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07024298A JP3425357B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07024298A JP3425357B2 (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274557A JPH11274557A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3425357B2 true JP3425357B2 (ja) | 2003-07-14 |
Family
ID=13425913
Family Applications (1)
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