JP3422780B2 - 無線周波増幅器 - Google Patents

無線周波増幅器

Info

Publication number
JP3422780B2
JP3422780B2 JP2001065625A JP2001065625A JP3422780B2 JP 3422780 B2 JP3422780 B2 JP 3422780B2 JP 2001065625 A JP2001065625 A JP 2001065625A JP 2001065625 A JP2001065625 A JP 2001065625A JP 3422780 B2 JP3422780 B2 JP 3422780B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
radio frequency
semiconductor device
frequency amplifier
input terminal
inductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001065625A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001298329A (ja
Inventor
スコット・マンロー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JP2001298329A publication Critical patent/JP2001298329A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3422780B2 publication Critical patent/JP3422780B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、一般的には、無
線周波増幅器、具体的には、セルラー電話に用いるのに
適した無線周波増幅器に関する。
【0002】
【従来の技術】セルラー電話における重要なファクタ
は、バッテリの寿命である。セルラー電話の電力増幅器
の効率を改善することによって、バッテリ寿命は増大す
る。
【0003】図1に、従来の電話無線周波電力増幅器の
回路図を示す。この無線周波増幅器は、バイポーラトラ
ンジスタ10を備え、このトランジスタは、出力端子と
してのコレクタ10aと、入力端子としてのベース10
bと、エミッタ10cとを有している。この無線周波増
幅器は、さらに、フィードバック・パスを備えている。
このフィードバック・パスは、バッテリ10のコレクタ
10aとベース10bとの間に、抵抗14と直列に接続
されたキャパシタ12よりなる。バイポーラトランジス
タ10のベース10bに接続された入力整合回路網16
と、バイポーラトランジスタのコレクタ10aに接続さ
れた出力整合回路網18とは、電力搬送を最適にする働
きをする。この発明により、電力増幅器の線形性を改善
することによって、設計者は、改善された線形性を、効
率に対してトレードオフすることができる。
【0004】文献“New Linearization Method of Inte
rstage Second Harmonic Enhancement”Jingら著,IEEE
MICROWAVE AND GUIDED WAVE LETTERS, Vol.8, No.11,
November 1998 は、フィードフォワード線形化のトラン
スペアレントな特性を、フィードバック線形化と組合わ
せる線形化方法を記載している。この文献に記載されて
いる方法は、第2高調波成分を用いており、この方法
は、デジタル・ワイヤレス通信システムに関連して記述
されている。この文献の図1は、この文献の主題である
回路を示している。この図および関連する本文からわか
るように、この回路は、所望以上の多くの要素を含み、
所望以上に複雑にし、高価にしている。さらに、回路に
より引き出される電流量は、バッテリを早く消耗させ、
バッテリを交換または充電することを必要とする。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、セ
ルラー電話に用いるのに特に適した新規な改善された無
線周波増幅器を提供することにある。
【0006】この発明の他の目的は、セルラー電話に用
いるのに特に適した新規な改善された無線周波増幅器で
あって、従来のセルラー電話無線周波増幅器よりも、構
造が簡単で、より少ない要素ですむ無線周波増幅器を提
供することにある。
【0007】この発明のさらに他の目的は、セルラー電
話に用いるのに特に適した新規な改善された無線周波増
幅器であって、従来のセルラー電話無線周波増幅器より
も製造が安価な無線周波増幅器を提供することにある。
【0008】この発明のさらに他の目的は、セルラー電
話に用いるのに特に適した新規な改善された無線周波増
幅器であって、従来のセルラー電話無線周波増幅器より
も少ない電流引き出す無線周波増幅器を提供することに
ある。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明によって構成さ
れた無線周波増幅器は、入力端子および出力端子を有す
る半導体デバイスと、共振回路とを備え、この共振回路
は、半導体デバイスの入力端子と出力端子との間に、イ
ンダクタに直列に接続されたキャパシタを有し、半導体
デバイスの入力端子に供給される無線周波信号の周波数
のほぼ第2高調波の共振周波数を有している。
【0010】この発明の上記の一般的な説明と、以下の
詳細な説明とは、この発明の例示であり、この例示に制
限されるものではない。
【0011】
【発明の実施の形態】図において、この発明によって製
造された無線周波増幅器は、入力端子および出力端子を
有する半導体デバイス20を備えている。この発明の実
施例として、半導体デバイス20は、出力端子としての
コレクタ20aと、入力端子としてのベース20bと、
エミッタ20cとを有している。
【0012】この発明によって構成された無線周波増幅
器は、キャパシタ22よりなる共振回路をさらに備えて
いる。キャパシタ22は、バッテリのコレクタ20aと
ベース20bとの間に、インダクタ24と直列に接続さ
れている。共振回路は、バイポーラトランジスタ20の
ベース20bに供給される無線周波信号の周波数のほぼ
第2高調波の共振周波数を有している。その結果、基本
周波数(すなわち、入力無線周波信号の周波数)は、阻
止される。というのは、この周波数ではフィードバック
・パスのインピーダンスが高く、他方、入力無線周波信
号の第2高調波に対しては、フィードバック・パスのイ
ンピーダンスが低いからである。
【0013】上述したこの発明の実施例(すなわち、セ
ルラー電話用の無線周波増幅器)に関して、バイポーラ
トランジスタ20のベース20bに供給される無線周波
信号の周波数は、900MHzである。キャパシタ22
は、できるだけ小さく(例えば、約0.5pf)なるよ
うに選択され、およびインダクタ24は、キャパシタ2
2の選択値を考慮して、入力無線周波信号のほぼ第2高
調波(例えば、1800MHz)で共振を生じるように
選択される(例えば、約14nh)。キャパシタ22お
よびインダクタ24に対して選択されたこのような値に
よれば、入力無線周波信号の第2高調波で共振が発生す
る。
【0014】好ましくは、この発明によって構成された
無線周波増幅器は、また、バイポーラトランジスタ20
のベース20bに接続された入力整合回路網26と、バ
イポーラトランジスタのコレクタ20aに接続された出
力整合回路網28とを備えている。これら整合回路網
は、電力搬送を最適にする働きをする。
【0015】ある特定の実施例について説明したが、こ
の発明は、図示の構成に限定することを意図するもので
はない。むしろ、この発明の趣旨から逸脱することな
く、請求項の範囲内の構成に対して、種々の変形を行う
ことができる。
【0016】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。 (1)入力端子および出力端子を有する半導体デバイス
と、共振回路とを備え、前記共振回路は、(a)前記半
導体デバイスの入力端子と出力端子との間に、インダク
タに直列に接続されたキャパシタを有し、(b)前記半
導体デバイスの入力端子に供給される無線周波信号の周
波数のほぼ第2高調波の共振周波数を有する、無線周波
増幅器。 (2)(a)前記半導体デバイスの入力端子に供給され
る無線周波信号の周波数は、900MHzであり、
(b)前記キャパシタは、約0.5pfであり、(c)
前記インダクタは、約14nhであり、(d)前記共振
周波数は、1800MHzより小さい、上記(1)に記
載の無線周波増幅器。 (3)(a)前記半導体デバイスの入力端子に接続され
た入力整合回路網と、(b)前記半導体デバイスの出力
端子に接続された出力整合回路網と、をさらに備える上
記(1)に記載の無線周波増幅器。 (4)前記半導体デバイスは、バイポーラトランジスタ
であり、前記キャパシタおよびインダクタは、前記バイ
ポーラトランジスタのコレクタとベースとの間に接続さ
れている、上記(1)に記載の無線周波増幅器。 (5)(a)前記半導体デバイスの入力端子に供給され
る無線周波信号の周波数は、900MHzであり、
(b)前記キャパシタは、約0.5pfであり、(c)
前記インダクタは、約14nhであり、(d)前記共振
周波数は、1800MHzより小さい、上記(4)に記
載の無線周波増幅器。 (6)(a)前記半導体デバイスの入力端子に接続され
た入力整合回路網と、(b)前記半導体デバイスの出力
端子に接続された出力整合回路網と、をさらに備える上
記(5)に記載の無線周波増幅器。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の電話無線周波電力増幅器の回路図であ
る。
【図2】この発明によって構成された無線周波電力増幅
器の回路図である。
【符号の説明】
20 半導体デバイス 20a コレクタ 20b ベース 20c エミッタ 22 キャパシタ 24 インダクタ 26 入力整合回路網 28 出力整合回路網
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平9−121130(JP,A) 特開 平6−53752(JP,A) 特開 昭53−119651(JP,A) 特開 昭64−16005(JP,A) 特開 平10−84230(JP,A) 特公 平7−58870(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03F 1/00 - 3/72 H04B 1/04

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】入力端子および出力端子を有する半導体デ
    バイスと、 共振回路とを備え、 前記共振回路は、 (a)前記半導体デバイスの入力端子と出力端子との間
    に、インダクタに直列に接続されたキャパシタを有し、 (b)前記半導体デバイスの入力端子に供給される無線
    周波信号の周波数のほぼ第2高調波の共振周波数を有す
    る、無線周波増幅器。
  2. 【請求項2】(a)前記半導体デバイスの入力端子に供
    給される無線周波信号の周波数は、900MHzであ
    り、 (b)前記キャパシタは、約0.5pfであり、 (c)前記インダクタは、約14nhであり、 (d)前記共振周波数は、1800MHzより小さい、
    請求項1に記載の無線周波増幅器。
  3. 【請求項3】(a)前記半導体デバイスの入力端子に接
    続された入力整合回路網と、 (b)前記半導体デバイスの出力端子に接続された出力
    整合回路網と、をさらに備える請求項1に記載の無線周
    波増幅器。
  4. 【請求項4】前記半導体デバイスは、バイポーラトラン
    ジスタであり、前記キャパシタおよびインダクタは、前
    記バイポーラトランジスタのコレクタとベースとの間に
    接続されている、請求項1に記載の無線周波増幅器。
  5. 【請求項5】(a)前記半導体デバイスの入力端子に供
    給される無線周波信号の周波数は、900MHzであ
    り、 (b)前記キャパシタは、約0.5pfであり、 (c)前記インダクタは、約14nhであり、 (d)前記共振周波数は、1800MHzより小さい、
    請求項4に記載の無線周波増幅器。
  6. 【請求項6】(a)前記半導体デバイスの入力端子に接
    続された入力整合回路網と、 (b)前記半導体デバイスの出力端子に接続された出力
    整合回路網と、をさらに備える請求項5に記載の無線周
    波増幅器。
JP2001065625A 2000-03-21 2001-03-08 無線周波増幅器 Expired - Fee Related JP3422780B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US53218900A 2000-03-21 2000-03-21
US09/532189 2000-03-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001298329A JP2001298329A (ja) 2001-10-26
JP3422780B2 true JP3422780B2 (ja) 2003-06-30

Family

ID=24120724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001065625A Expired - Fee Related JP3422780B2 (ja) 2000-03-21 2001-03-08 無線周波増幅器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3422780B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101178461B1 (ko) * 2011-03-25 2012-09-10 포항공과대학교 산학협력단 전력증폭기의 선형성 향상회로
JP2015146537A (ja) * 2014-02-04 2015-08-13 国立大学法人東京工業大学 ミリ波送信機用送信回路

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53119651A (en) * 1977-03-29 1978-10-19 Fujitsu Ltd Amplifier
JPH0758870B2 (ja) * 1985-10-26 1995-06-21 日本電気株式会社 低抗帰還形増幅器
JPS6416005A (en) * 1987-07-09 1989-01-19 Nec Corp Transistor amplifier
JPH0653752A (ja) * 1992-07-29 1994-02-25 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 増幅器
JP3442208B2 (ja) * 1995-10-26 2003-09-02 島田理化工業株式会社 高周波用電子回路
JPH1084230A (ja) * 1996-09-09 1998-03-31 Toshiba Lighting & Technol Corp 増幅器、光受信回路および回路装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001298329A (ja) 2001-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI328340B (en) Power amplifier and method thereof
US7286019B2 (en) Method and system for amplifying a signal
CN103117711B (zh) 一种单片集成的射频高增益低噪声放大器
TWI378638B (en) Amplifier, attenuating module and method for attenuating an rf signal
US20020118067A1 (en) Analog amplifier circuit
CN114094950A (zh) 射频功率放大器
CN115567016A (zh) 两级差分功率放大器及射频功放模组
US8497744B1 (en) Lattice network for power amplifier output matching
WO2002056462A9 (en) Gain and bandwidth enhancement for rf power amplifier package
CN114142818A (zh) 应用于5G-Sub6G频段通信***的射频功率放大器
CN101882910A (zh) 提高功放功率附加效率和线性度的输出匹配电路
CN211063579U (zh) 一种x波段低噪声放大器
JP3422780B2 (ja) 無線周波増幅器
US8130041B2 (en) Power amplifier device
CN201733278U (zh) 提高功放功率附加效率和线性度的输出匹配电路
CN218829870U (zh) 增益曲线调整电路、功率放大器及射频芯片
JP2007312003A (ja) アッテネータ
CN112087206B (zh) 一种超低功耗宽带低噪声放大器
CN114900138A (zh) 一种基于SiGe-BiCMOS工艺的共源共基放大器
CN214380823U (zh) 一种功率放大器电路
CN101527542A (zh) 用于最小化共模振荡的多级放大器电路、方法及集成电路
CN117277977B (zh) 射频功率放大器及射频芯片模组
KR100487347B1 (ko) 고효율 전력 증폭기
CN112583371A (zh) 一种基于lc谐振负载的宽频带共源共栅极低噪声放大器
CN214675077U (zh) 接收机及其放大器

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees