JP3420510B2 - シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置 - Google Patents

シリコーン系接着性シート、その製造方法、および半導体装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコーン系接着
性シート、その製造方法、および半導体装置に関し、詳
しくは、取扱作業性が優れ、接着性が優れるシリコーン
系接着性シート、このようなシリコーン系接着性シート
を効率よく製造する方法、および、このようなシリコー
ン系接着性シートにより半導体チップを該チップ取付部
に載置してなる、信頼性が優れる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを該チップ取付部に接着す
るためにシリコーン系接着剤が用いられており、このシ
リコーン系接着剤としては、一分子中に少なくとも２個
のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシ
ロキサン、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合
水素原子を有するオルガノポリシロキサン、およびヒド
ロシリル化反応用触媒から少なくともなる液状あるいは
ペースト状の硬化性シリコーン組成物が例示され、さら
に、接着促進剤として、一分子中にケイ素原子結合アル
ケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子とケイ素原子
結合アルコキシ基少なくとも１個ずつ有するオルガノポ
リシロキサンを配合してなる液状もしくはペースト状の
硬化性シリコーン組成物(特開平３−１５７４７４号公
報参照)が例示される。
【０００３】しかし、液状あるいはペースト状の硬化性
シリコーン組成物は、硬化途上に、該組成物から低粘度
シリコーンオイル等が滲み出して周囲を汚染するという
問題があった。この低粘度シリコーンオイルは、主成分
のオルガノポリシロキサンに含まれる低重合度のオルガ
ノポリシロキサンであったり、接着促進剤として添加し
たオルガノポリシロキサンに含まれている低重合度のオ
ルガノポリシロキサンであるため、これらを完全に取り
除くことは非常に困難であった。このため、液状あるい
はペースト状の硬化性シリコーン組成物は取扱作業性が
悪いという問題があった。
【０００４】また、このような硬化性シリコーン組成物
を用いて半導体チップを該チップ取付部に載置した後、
該チップ上のボンディングパッドとボンディングワイヤ
やビームリードとをワイヤボンディングする際、そのワ
イヤボンダビリティ(接合性)が低下したりして、得られ
る半導体装置の信頼性が乏しくなるという問題があっ
た。
【０００５】このような問題を解決するため、シリコー
ンゴムシートの片面あるいは両面に液状もしくはペース
ト状の硬化性シリコーン組成物を塗布してなるシリコー
ン系接着性シート(特開平１０−１１２５１６号公報参
照)が提案されているが、依然として上記の問題を解決
するには充分ではなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記の
課題について鋭意検討した結果、本発明に到達した。す
なわち、本発明の目的は、取扱作業性が優れ、接着性が
優れるシリコーン系接着性シート、このようなシリコー
ン系接着性シートを効率よく製造する方法、およびこの
ようなシリコーン系接着性シートにより半導体チップを
該チップ取付部に載置してなる、信頼性が優れる半導体
装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願の請求項１〜５に係
るシリコーン系接着性シートは、架橋性シリコーン組成
物の架橋物に対して剥離性を有する基材の間で該組成物
を架橋させてなるシリコーン系接着性シートであって、
該基材の少なくとも一方が、該組成物に接する面に硫黄
原子を有するものであることを特徴とする。また、本願
の請求項６〜１０に係るシリコーン系接着性シートの製
造方法は、架橋性シリコーン組成物の架橋物に対して剥
離性を有する基材の間で該組成物を架橋させるシリコー
ン系接着性シートの製造方法であって、該基材の少なく
とも一方が、該組成物に接する面に硫黄原子を有するも
のであることを特徴とする。また、本願の請求項１１に
係る半導体装置は、架橋性シリコーン組成物の架橋物に
対して剥離性を有する基材(但し、該基材の少なくとも
一方が、該組成物に接する面に硫黄原子を有するもので
ある。)の間で該組成物を架橋させてなるシリコーン系
接着性シートにより半導体チップを該チップ取付部に載
置してなることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】はじめに、本願の請求項１〜５に
係るシリコーン系接着性シートを詳細に説明する。本願
の請求項１〜５に係るシリコーン系接着性シートは、被
着体に貼着した後、これを加熱することにより、該被着
体に接着するものであり、架橋性シリコーン組成物の架
橋物により形成されていることを特徴とする。この接着
性シートを形成する架橋物の架橋度合は限定されず、架
橋性シリコーン組成物を架橋せさて、その架橋物の硬さ
が実質的に変化しなくなるような状態まで完全に架橋さ
せた状態、あるいは不完全に架橋させ、溶剤により膨潤
するものの、完全に溶解することがなく、架橋性シリコ
ーン組成物が流動性を失ったような状態、すなわち、Ｊ
ＩＳ Ｋ ６８００(接着剤・接着用語)に定義されてい
るようなＢ−ステージ(熱硬化性樹脂の硬化中間体)のよ
うな状態が例示される。この接着性シートは、被着体に
接着する面が架橋性シリコーン組成物の架橋物により形
成されていれば、その内部構造は限定されず、例えば、
内部にシリコーンゴムシート、ポリイミド樹脂シート、
ポリエステル樹脂シート、エポキシ樹脂シート等の有機
樹脂支持体、またはシリカ粒子、ガラス粒子、アルミナ
粒子等の無機質充填剤あるいはシリコーンゴム粒子、ポ
リイミド樹脂粒子、ポリエステル樹脂粒子、エポキシ樹
脂粒子等の有機質充填剤を含有していてもよい。このよ
うなシリコーン系接着性シートの形状は限定されず、そ
の厚さは限定されないが、実用上好ましくは、１〜５０
００μｍの範囲内であり、特に好ましくは、１０〜１０
００μｍの範囲内である。
【０００９】このシリコーン系接着性シートは、架橋性
シリコーン組成物の架橋物に対して剥離性を有する基材
の間で該組成物を架橋させてなるものであり、該基材の
少なくとも一方が、該組成物に接する面に硫黄原子を有
するものであることを特徴とする。この硫黄原子は、ス
ルホン基、およびチオエーテル基からなる群より選択さ
れる基を構成する原子であることが好ましい。このよう
な剥離性を有する基材表面の硫黄原子、特には、硫黄原
子を構成原子とする基の有無は、例えば、元素分析、蛍
光Ｘ線分析、Ｘ線マイクロアナライザー分析、赤外線吸
収分析、ＥＳＣＡ分析等で容易に確認することができ
る。また、このような原子、あるいは基の含有量は限定
されず、上記の分析方法により検出できる程度の含有量
があればよい。このような原子、あるいは基を有し、剥
離性を有する基材としては、構成分子中にこのような原
子、あるいは基を有する、ポリスルフォン樹脂、ポリエ
ーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹
脂が例示され、さらには、構成分子中にこのような原
子、あるいは基を有しない、ポリエチレン樹脂、ポリプ
ロピレン樹脂、フッ素樹脂脂等の表面を物理的および／
または化学的処理により、その表面に化学的に結合した
硫黄原子、あるいはこのような原子を構成原子とする基
を導入したものが例示される。また、これらの有機樹脂
のみからなる基材であってもよく、これらの有機樹脂か
らなる複合材であってもよい。さらに、この基材は、架
橋性シリコーン組成物の架橋物に対して、誘電率および
／または屈折率が大きい基材であることが好ましい。
【００１０】また、これらの基材の形状は限定されず、
例えば、ブロック状、板状、フィルム状が挙げれら、特
に、フィルム状の基材を用いた場合には、このシリコー
ン系接着性シートの保護材としてそのまま用いることが
できるので好ましく、例えば、半導体チップおよび該チ
ップ取付部等の被着体にこれを貼着する際に、この保護
材を剥がして使用することができるので好ましい。ま
た、このシリコーン系接着性シートの製造後に別の剥離
性の基材に貼り替えてもよい。この場合の剥離性の基材
は限定されない。
【００１１】このシリコーン系接着性シートにおいて、
架橋性シリコーン組成物としてはヒドロシリル化反応型
のものを用いることが好ましく、特に、このヒドロシリ
ル化反応型架橋性シリコーン組成物として、 (Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケ
ニル基を有するオルガノポリシロキサン、 (Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子水素原子を
有するオルガノポリシロキサン、 (Ｃ)(i)一分子中にケイ素原子結合アルケニル基もしく
はケイ素原子結合水素原子とケイ素原子結合アルコキシ
基を少なくとも１個ずつ有するシロキサン、(ii)一分子
中にケイ素原子結合アルケニル基とケイ素原子結合アル
コキシ基とケイ素原子結合エポキシ含有一価有機基を少
なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサン、(iii)一
分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個
有するシランもしくはシロキサンと、一分子中にケイ素
原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基を
少なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物
もしくは反応混合物、および(iv)一分子中にケイ素原子
結合アルコキシ基とケイ素原子結合エポキシ基含有一価
有機基を少なくとも１個ずつ有するオルガノシランもし
くはオルガノシロキサンと、一分子中にケイ素原子結合
ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基を少なくと
も１個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物もしくは
反応混合物からなる群より選択される少なくとも一種の
接着促進剤、および (Ｄ)ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる架橋
性シリコーン組成物であることが好ましい。
【００１２】この(Ａ)成分は上記組成物の主剤であり、
一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル
基を有するオルガノポリシロキサンである。この(Ａ)成
分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖
状、分枝鎖状、網状が例示される。また、(Ａ)成分中の
ケイ素原子結合アルケニル基としては、ビニル基、アリ
ル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示
され、特に、ビニル基であることが好ましい。このアル
ケニル基の結合位置としては、分子鎖末端および／また
は分子鎖側鎖が例示される。また、(Ａ)成分中のアルケ
ニル基以外のケイ素原子に結合した基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘ
キシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、ト
リル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベン
ジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル
基、３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロ
プロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは
非置換の一価炭化水素基が例示され、特に、メチル基、
フェニル基であることが好ましい。また、得られるシリ
コーン系接着性シートが優れた耐寒性を有し、このシリ
コーン系接着性シートを用いて作製した半導体装置の信
頼性がより向上することから、(Ａ)成分中のケイ素原子
に結合した有機基に対するフェニル基の含有量が１モル
％以上であることが好ましく、さらには、これが１〜６
０モル％の範囲内であることが好ましく、特には、これ
が１〜３０モル％の範囲内であることが好ましい。ま
た、(Ａ)成分の粘度は限定されないが、２５℃における
粘度が１００〜１，０００，０００mPa・sの範囲内であ
ることが好ましい。
【００１３】(Ｂ)成分は上記組成物の架橋剤であり、一
分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有
するオルガノポリシロキサンである。この(Ｂ)成分の分
子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分
枝鎖状、環状、網状が例示される。また、(Ｂ)成分中の
ケイ素原子に結合した水素原子の結合位置としては、分
子鎖末端および／または分子鎖側鎖が例示される。ま
た、(Ｂ)成分中の水素原子以外のケイ素原子に結合した
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル
基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキ
ル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，
３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキ
ル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基が例示さ
れ、特に、メチル基、フェニル基であることが好まし
い。また、この(Ｃ)成分の粘度は限定されないが、２５
℃における粘度が１〜１００，０００mPa・sの範囲内で
あることが好ましい。
【００１４】(Ｂ)成分の配合量は、上記(Ａ)成分を架橋
させるに十分な量であり、これは、上記(Ａ)成分中のケ
イ素原子結合アルケニル基１モルに対して、本成分中の
ケイ素原子結合水素原子が０.５〜１０モルの範囲内と
なる量であることが好ましく、特に、これが１〜３モル
の範囲内となる量であることが好ましい。これは、上記
組成物において、(Ａ)成分中のケイ素原子結合アルケニ
ル基１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原
子が上記の範囲未満のモル数であると、上記組成物が架
橋しなくなる傾向があり、一方、この範囲をこえるモル
数であると、上記組成物を架橋して得られる架橋物の耐
熱性が低下する傾向があるからである。
【００１５】(Ｃ)成分は、上記組成物の架橋物に良好な
接着性を付与するための成分であり、(Ｃ)(i)一分子中
にケイ素原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合
水素原子とケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１
個ずつ有するシロキサン、(ii)一分子中にケイ素原子結
合アルケニル基とケイ素原子結合アルコキシ基とケイ素
原子結合エポキシ含有一価有機基を少なくとも１個ずつ
有するオルガノシロキサン、(iii)一分子中にケイ素原
子結合アルコキシ基を少なくとも１個有するシランもし
くはシロキサンと、一分子中にケイ素原子結合ヒドロキ
シ基とケイ素原子結合アルケニル基を少なくとも１個ず
つ有するオルガノシロキサンの混合物もしくは反応混合
物、および(iv)一分子中にケイ素原子結合アルコキシ基
とケイ素原子結合エポキシ基含有一価有機基を少なくと
も１個ずつ有するオルガノシランもしくはオルガノシロ
キサンと、一分子中にケイ素原子結合ヒドロキシ基とケ
イ素原子結合アルケニル基を少なくとも１個ずつ有する
オルガノシロキサンの混合物もしくは反応混合物からな
る群より選択される少なくとも一種の接着促進剤であ
る。
【００１６】この(Ｃ)成分のうち、一分子中に、ケイ素
原子結合アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原
子、およびケイ素原子結合アルコキシ基をそれぞれ少な
くとも１個ずつ有するシロキサンの分子構造としては、
直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網
状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状であるこ
とが好ましい。このシロキサン中のケイ素原子結合アル
ケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、
ペンテニル基、ヘキセニル基が例示され、特に、ビニル
基であることが好ましい。また、このシロキサン中のケ
イ素原子結合アルコキシ基としては、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ
基が例示され、特に、メトキシ基であることが好まし
い。また、このシロキサン中のアルケニル基、水素原
子、およびアルコキシ基以外のケイ素原子に結合した基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル
基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキ
ル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，
３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキ
ル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基；３−グ
リシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基等の
グリシドキシアルキル基；２−（３，４−エポキシシク
ロヘキシル）エチル基、３−（３，４−エポキシシクロ
ヘキシル）プロピル基等の（３，４−エポキシシクロヘ
キシル）アルキル基；４−オキシラニルブチル基、８−
オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等
のエポキシ含有一価有機基が例示され、各種の基材に対
しても良好な接着性を付与することができることから、
一分子中に、このエポキシ含有一化有機基を少なくとも
１個有することが好ましい。このようなシロキサンの粘
度は限定されないが、２５℃において１〜５００mPa・s
の範囲内であることが好ましい。
【００１７】また、この(Ｃ)成分のうち、ケイ素原子結
合アルコキシ基を少なくとも１個有するシランもしくは
シロキサンと一分子中に、ケイ素原子結合ヒドロキシ基
とケイ素原子結合アルケニル基をそれぞれ少なくとも１
個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物において、前
者のシラン中のケイ素原子に結合したアルコキシ基とし
ては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキ
シ基、メトキシエトキシ基が例示され、特に、メトキシ
基であることが好ましい。また、このシランのケイ素原
子には上記のアルコキシ基以外に、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、ブテ
ニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル
基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等
のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキ
ル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３，
３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキ
ル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基；３−グ
リシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基等の
グリシドキシアルキル基；２−（３，４−エポキシシク
ロヘキシル）エチル基、３−（３，４−エポキシシクロ
ヘキシル）プロピル基等の（３，４−エポキシシクロヘ
キシル）アルキル基；４−オキシラニルブチル基、８−
オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基等
のエポキシ含有一価有機基を有していてもよく、各種の
基材に対しても良好な接着性を付与することができるこ
とから、このエポキシ含有一価有機基を一分子中に少な
くとも１個有することが好ましい。
【００１８】また、前者のシロキサンの分子構造として
は、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環
状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、網状で
あることが好ましい。このシロキサン中のケイ素原子に
結合したアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシエトキシ基が
例示され、特に、メトキシ基であることが好ましい。ま
た、このシロキサンのケイ素原子には上記のアルコキシ
基以外に、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル
基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、
ヘキセニル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル
基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル
基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、
３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロ
ピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置
換の一価炭化水素基；３−グリシドキシプロピル基、４
−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；
２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基、３
−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピル基等の
（３，４−エポキシシクロヘキシル）アルキル基；４−
オキシラニルブチル基、８−オキシラニルオクチル基等
のオキシラニルアルキル基等のエポキシ含有一価有機基
を有していてもよく、各種の基材に対しても良好な接着
性を付与することができることから、このエポキシ含有
一価有機基を一分子中に少なくとも１個有することが好
ましい。このようなシロキサンの粘度は限定されない
が、２５℃において１〜５００mPa・sの範囲内であるこ
とが好ましい。
【００１９】また、後者のオルガノシロキサンの分子構
造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖
状、環状、網状が例示され、特に、直鎖状、分枝鎖状、
網状であることが好ましい。このオルガノシロキサン中
のケイ素原子に結合したアルケニル基としては、ビニル
基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル
基が例示され、特に、ビニル基であることが好ましい。
また、このオルガノシロキサン中のヒドロキシ基および
アルケニル基以外のケイ素原子に結合した基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；フェニル
基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール
基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロ
ロメチル基、３−クロロプロピル基、３，３，３−トリ
フルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換
もしくは非置換の一価炭化水素基が例示される。このよ
うなオルガノシロキサンの粘度は限定されないが、２５
℃において１〜５００mPa・sの範囲内であることが好ま
しい。
【００２０】このケイ素原子結合アルコキシ基を少なく
とも１個有するシランもしくはシロキサンと一分子中
に、ケイ素原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アル
ケニル基をそれぞれ少なくとも１個ずつ有するオルガノ
シロキサンの比率は限定されないが、特に良好な接着性
を付与することができることから、前者のシランもしく
はシロキサンと後者のオルガノシロキサンの重量比率が
１／９９〜９９／１の範囲内であることが好ましい。
【００２１】(Ｃ)成分の配合量は上記組成物の架橋物に
良好な接着性を付与するに十分な量であり、例えば、
(Ａ)成分１００重量部に対して０.０１〜２０重量部の
範囲内となる量であることが好ましく、特に、これが
０.１〜１０重量部の範囲内となる量であることが好ま
しい。これは、(Ｃ)成分の配合量がこの範囲未満の量で
あると、硬化物の接着性が低下する傾向があり、一方、
この範囲をこえても接着性に影響はなく、むしろ、シリ
コーン系接着性シートの安定性が低下する傾向があるか
らである。
【００２２】(Ｄ)成分は上記組成物のヒドロシリル化反
応による硬化を促進するための触媒であり、白金系触
媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒等の周知のヒド
ロシリル化反応用触媒が例示され、特に、白金微粉末、
白金黒、白金担持シリカ微粉末、白金担持活性炭、塩化
白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金のオレフィ
ン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体等の白金系触
媒が反応速度が良好であることから好ましい。
【００２３】(Ｄ)成分の配合量は上記組成物の硬化を促
進するに十分な量であり、これは、白金系触媒を用いる
場合には、上記組成物において、この触媒中の白金金属
が重量単位で０.０１〜１,０００ppmの範囲内となる量
であることが好ましく、特に、これが０.１〜５００ppm
の範囲内となる量であることが好ましい。これは、(Ｄ)
成分の配合量が、この範囲未満の量であると、得られる
組成物の硬化速度が著しく遅くなる傾向があり、一方、
この範囲をこえる量であっても、さほど硬化速度には影
響がなく、むしろ、着色等の問題を生じるからである。
【００２４】上記組成物は、(Ａ)成分〜(Ｄ)成分を均一
に混合することにより得られる、この組成物を室温もし
くは室温〜２００℃の温度範囲、好ましくは、室温〜１
５０℃の温度範囲に加熱することによりヒドロシリル化
反応させて半硬化状物または完全硬化状物を形成するこ
とができる。上記組成物を加熱する際には、上記組成物
が基材と完全に接着してしまい、剥離が不可能にならな
いように注意を要する。
【００２５】この半硬化状物または完全硬化状物を形成
する際に、上記組成物のヒドロシリル化反応速度を調整
し、半硬化状物または完全硬化状物の安定性を向上させ
るために、上記組成物にヒドロシリル化反応抑制剤を配
合することが好ましい。このヒドロシリル化反応抑制剤
としては、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３，
５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、フェニルブ
チノール等のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペ
ンテン−１−イン、３，５−ジメチル−３−ヘキセン−
１−イン等のエンイン化合物；１，３，５，７−テトラ
メチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシ
ロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，
５，７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベ
ンゾトリアゾールが例示される。この付加反応抑制剤の
配合量としては、上記組成物の硬化条件により異なる
が、(Ａ)成分１００重量部に対して０．００００１〜５
重量部の範囲内であることが実用上好ましい。
【００２６】また、上記のような硬化性シリコーン組成
物には、その他任意の成分として、沈降シリカ、湿式シ
リカ、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、酸化チタン、ア
ルミナ、ガラス、石英、アルミノケイ酸、酸化鉄、酸化
亜鉛、炭酸カルシウム、カーボンブラック、炭化ケイ
素、窒化ケイ素、窒化ホウ素等の無機質充填剤、これら
の充填剤をオルガノハロシラン、オルガノアルコキシシ
ラン、オルガノシラザン等の有機ケイ素化合物により処
理した無機質充填剤；シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、
フッ素樹脂等の有機樹脂微粉末；銀、銅等の導電性金属
粉末等の充填剤、染料、顔料、難燃材、溶剤等を配合す
ることができる。さらに、本発明の目的を損なわない限
り、硬化性エポキシ樹脂、硬化性エポキシ変性シリコー
ン樹脂、硬化性シリコーン変性エポキシ樹脂、硬化性ポ
リイミド樹脂、硬化性ポリイミド変性シリコーン樹脂、
硬化性シリコーン変性ポリイミド樹脂等を配合すること
ができる。
【００２７】次に、本願の請求項６〜１０に係るシリコ
ーン系接着性シートの製造方法を詳細に説明する。本願
の請求項６〜１０に係るシリコーン系接着性シートの製
造方法は、架橋性シリコーン組成物の架橋物に対して剥
離性を有する基材の間で該組成物を架橋させるシリコー
ン系接着性シートの製造方法であって、該基材の少なく
とも一方が、該組成物に接する面に硫黄原子を有するも
のであることを特徴とする。この硫黄原子は、スルホン
基、およびチオエーテル基からなる群より選択される基
を構成する原子であることが好ましい。このような原
子、あるいは基を有する基材としては、前記と同様の基
材が例示される。さらに、この基材は、架橋性シリコー
ン組成物の架橋物に対して、誘電率および／または屈折
率が大きい基材であることが好ましい。また、この製造
方法で使用できる架橋性シリコーン組成物は限定され
ず、前記と同様の架橋性シリコーン組成物が例示され
る。
【００２８】この製造方法において、シリコーン系接着
性シートを製造する方法としては、架橋性シリコーン組
成物を前記の基材の間に挟み込んだ状態で架橋させる方
法、シリコーンゴムシート、有機樹脂シート等の支持体
の両面に該組成物を均一に塗布した後、これらの基材の
間に挟み込んだ状態で架橋させる方法、シリコーンゴム
粒子、有機樹脂粒子、無機質系粒子等の充填剤を配合し
た該組成物を前記の基材の間に挟み込んだ状態で架橋さ
せる方法が例示される。これらの基材の間に挟み込んで
シリコーン系接着性シートを調製するためには、これを
２本ロールやプレス機等により成形した後、もしくは成
形しながら、架橋性シリコーン組成物を架橋させること
が好ましい。
【００２９】続いて、本願の請求項１１に係る半導体装
置を詳細に説明する。この半導体装置は、少なくとも半
導体チップおよび該チップ取付部に接する面が硬化性シ
リコーン組成物の半硬化状物または完全硬化状物により
形成されたシリコーン系接着性シートにより半導体チッ
プを該チップ取付部に接着してなることを特徴とする。
この半導体装置に用いられるシリコーン系接着性シート
は上述の通りであり、このシートの好ましい製造方法も
上述の通りである。このような半導体装置としては、ダ
イオード、トランジスタ、サイリスタ、モノリシックＩ
Ｃ、ハイブリッドＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩが例示され
る。これらの半導体装置において、本発明の半導体装置
は、ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、モノリシ
ックＩＣ等のメモリ、さらにはハイブリッドＩＣ中の半
導体チップ等の半導体チップの片面の一部ないしは全部
を、該チップ取付部にシリコーン系接着性シートにより
接着していることを特徴としている。
【００３０】この半導体装置をさらに詳細に説明するた
めに、本発明の半導体装置の一例であるハイブリッドＩ
Ｃの断面図を図１に、ＬＳＩの断面図を図２にそれぞれ
示した。こららの図面により説明すると、図１で示され
る半導体装置は、半導体チップ１がシリコーン系接着性
シート２により回路基板３に接着されており、この半導
体チップ１と外部リードに接続した回路配線４とがボン
ディングワイヤ５により電気的に接続されている。この
回路基板３はセラミック、ガラス、エポキシ樹脂、ポリ
イミド樹脂、フェノール樹脂、ベークライト樹脂、メラ
ミン樹脂、ガラス繊維強化エポキシ樹脂等から形成され
ている。また、この回路配線４は金、銅、アルミニウ
ム、銀パラジウム、インジウムチンオキサイド(ＩＴＯ)
等から形成されている。また、このボンディングワイヤ
５は、金、銅、アルミニウムから形成されている。ま
た、この半導体素子１は封止樹脂６により樹脂封止され
ている。この封止樹脂６を形成する樹脂としては、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンサルファイ
ド樹脂が例示される。また、この回路基板２上には、こ
の半導体チップ１の他にも、抵抗、コンデンサー、コイ
ル等の電子部品が搭載されていてもよい。
【００３１】一方、図２で示される半導体装置は、半導
体チップ１がシリコーン系接着性シートの硬化物２によ
り回路基板７に接着しており、この半導体チップ１と回
路基板７上の回路配線４とがバンプ８により電気的に接
続されている。この回路基板７はポリイミド樹脂、セラ
ミック、ガラス繊維強化エポキシ樹脂等から形成されて
いる。また、このバンプ８は金、アルミニウム、ハンダ
等から形成されている。また、この半導体チップ１と回
路基板７との間のバンプ８の周囲は樹脂９により含浸さ
れている。この樹脂９を形成する樹脂としては、液状硬
化性シリコーン樹脂、液状硬化性エポキシ樹脂が例示さ
れる。また、必要に応じて、さらにこの半導体チップ１
は封止樹脂６により樹脂封止されている。
【００３２】この半導体装置を製造する方法を図面によ
り説明する。図１で示される半導体装置を製造する方法
としては、次のような方法が例示される。半導体チップ
１にシリコーン系接着性シートを貼り付けた後、このシ
ートに回路基板３を貼り付けるか、または、この回路基
板３上にシリコーン系接着性シートを貼り付けた後、こ
のシートにこの半導体チップ１を貼り付け、次いで、こ
のシートを接着させる。このシートを接着させる方法と
しては、室温で放置するか、または２００℃以下に加熱
する方法が好ましい。この際、このシートを押圧しなが
ら接着させることが好ましい。その後、この半導体チッ
プ１と回路配線４とをボンディングワイヤ５により電気
的に接続する。続いて、この半導体チップ１を必要によ
り封止樹脂６により樹脂封止する。
【００３３】また、図２で示される半導体装置を製造す
る方法としては、次のような方法が例示される。半導体
チップ１にシリコーン系接着性シートを貼り付けた後、
このシートに回路基板７を貼り付けるか、または、この
回路基板７にシリコーン系接着性シートを貼り付けた
後、このシートにこの半導体チップ１を貼り付け、次い
で、このシートを接着させる。このシートを接着させる
方法としては、室温で放置するか、または２００℃以下
に加熱する方法が好ましい。この際、このシートを押圧
しながら接着させることが好ましい。その後、この半導
体チップ１と回路配線４とをバンプ８の融着により電気
的に接続する。続いて、このバンプ８の周囲を樹脂９に
より含浸する。さらに、この半導体チップ１を必要によ
り封止樹脂６により樹脂封止する。
【００３４】
【実施例】本発明のシリコーン系接着性シート、その製
造方法、および半導体装置を実施例により詳細に説明す
る。なお、実施例中の粘度は２５℃において測定した値
であり、基材表面の硫黄原子、あるいはこの原子を構成
原子とする基の有無は、該基材の表面を赤外線吸収分
析、ＥＳＣＡ分析、蛍光Ｘ線分析により確認した。ま
た、シリコーン系接着性シートの接着性、および半導体
装置の信頼性は次のようにして評価した。また、屈折率
は、２５℃、波長５８９nmにおいて測定した値である。
【００３５】［シリコーン系接着性シートの接着性］ シリコーン系接着性シート(１cm×１cm)を、シリコーン
ウエハー(３cm×３cm)、およびポリイミド樹脂フィルム
(３cm×３cm)上にそれぞれ貼着した後、これらを１５０
℃の熱風循環式オーブン中で２時間加熱することによ
り、このシートを基材に接着させてなる試験体を作成し
た。これらの試験体におけるシートのみをステンレスス
チール製へらで剥がすことにより、基材に対するシート
の接着性を評価した。このシートが基材に対して良好に
接着性している場合を○、基材に対して一部剥離を生じ
ている場合を△、基材に対して完全に剥離を生じている
場合を×とした。
【００３６】［半導体装置の信頼性の評価(その１)］ 図１で示した半導体装置の信頼性を評価した。すなわ
ち、表面に印刷により形成された回路配線４および端部
に外部リードを有するガラス繊維強化エポキシ樹脂製の
回路基板３上にシリコーン系接着性シートを貼着した
後、さらにこのシートに半導体チップ１を貼着した。続
いて、半導体チップ１を回路基板３にシリコーン系接着
性シートを介して貼着した直後に１５０℃の熱風循環式
オーブン中で２時間加熱した。次に、これらの半導体装
置の半導体チップ１と回路配線４とをボンディングワイ
ヤ５により電気的に接続した。その後、この半導体装置
をエポキシ系封止樹脂６で樹脂封止して半導体装置を２
０個作成した。このようにして作成した半導体装置を８
５℃、相対湿度８５％の条件下で１０００時間および３
０００時間放置した後、外部リード間の電気導通試験を
行い、それぞれの導通不良の半導体装置の数(不良率)を
求めた。
【００３７】［半導体装置の信頼性の評価(その２)］ 図２で示した半導体装置の信頼性を評価した。すなわ
ち、ポリイミド樹脂製の回路基板７にシリコーン系接着
性シートを貼着し、さらにこのシートに半導体素子１を
貼着した後、回路基板７上の回路配線４とを金製のバン
プ８により電気的に接続した。続いて、半導体チップ１
を回路基板７にシリコーン系接着性シートを介して貼着
した直後に１５０℃の熱風循環式オーブン中で２時間加
熱した。次に、これらの半導体装置の半導体チップ１と
回路基板７の間のバンプ８の周囲をシリコーン系樹脂９
で含浸した後、この半導体素子１をエポキシ系封止樹脂
で樹脂封止して半導体装置２０個を作成した。このよう
にして作成した半導体装置を８５℃、相対湿度８５％の
条件下で１０００時間および３０００時間放置した後、
外部リード間の電気導通試験を行い、それぞれの導通不
良の半導体装置の数(不良率)を求めた。
【００３８】［実施例１］ (Ａ)成分として、粘度４０,０００mPa・sの分子鎖両末端
ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン
(ビニル基の含有量＝０.０８重量％)７２重量部、およ
び粘度６,０００mPa・sの分子鎖両末端ジメチルビニルシ
ロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキ
サン共重合体(ビニル基の含有量＝０.８４重量％)１５
重量部、(Ｂ)成分として、粘度５mPa・sの分子鎖両末端
トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチル
ハイドロジェンシロキサン共重合体(ケイ素原子結合水
素原子の含有量＝０.７重量％)３重量部、(Ｃ)成分とし
て、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランと粘
度４０mPa・sの分子鎖両末端ジメチルヒドロキシ基封鎖
メチルビニルシロキサンオリゴマー(ビニル基の含有量
＝３１重量％）との重量比１：１の混合物１.０重量
部、(Ｄ)成分として、白金の１，３−ジビニル−１，
１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体(本組成物
において、この錯体中の白金金属が重量単位で５ppmと
なる量)、および付加反応抑制剤として、３−フェニル
−１−ブチン−３−オール０.０１重量部を均一に混合
して、粘度２５,０００mPa・sのヒドロシリル化反応型架
橋性シリコーン組成物を調製した。
【００３９】この架橋性シリコーン組成物を、厚さ１０
０μｍの、表面に化学的に結合した硫黄原子(スルホン
基中の硫黄原子)を有する剥離性基材としてのポリエー
テルスルホン樹脂シート(誘電率＝３.５、屈折率＝１.
６５)の間に挟み込み、クリアランスを調整したステン
レス製の２本ロールにより、該組成物の厚さが２００μ
ｍとなる状態で、８０℃の熱風循環式オーブン中で３０
０分間加熱することにより、該組成物をほぼ十分に架橋
させてなるシリコーン系接着性シート(誘電率＝２.８、
屈折率＝１.４１)を調製した。このシリコーン系接着性
シートはポリエーテルスルホン樹脂シートから容易に剥
がすことができ、ほぼ２００μｍの均一な厚さを有して
いた。このシリコーン系接着性シートの接着性、および
これを用いてなる半導体装置の信頼性を前記の方法によ
り評価し、それらの結果を表１に示した。
【００４０】［比較例１］ 実施例１において、ポリエーテルスルホン樹脂の代り
に、厚さ１００μｍの、表面をコロナ処理していない、
表面に化学的に結合した酸素原子、あるいは硫黄原子を
有しない剥離性基材としてのポリプロピレン樹脂シート
を用い、８０℃の熱風循環式オーブン中で１０分間加熱
した以外は実施例１と同様にして半硬化状のシリコーン
系接着性シート(誘電率＝２.８、屈折率＝１.４１)を調
製した。このシリコーン系接着性シートはポリプロピレ
ン樹脂シートから容易に剥がすことができ、ほぼ２００
μｍの均一な厚さを有していた。このシリコーン系接着
性シートの接着性、およびこのシリコーン系接着性シー
トを用いてなる半導体装置の信頼性を前記の方法により
評価し、それらの結果を表１に示した。
【００４１】［比較例２］ 実施例１において、ポリエーテルスルホン樹脂シートの
代りに、厚さ１００μｍの、表面に化学的に結合した酸
素原子、あるいは硫黄原子を有しない剥離性基材として
のポリテトラフルオロエチレン(ＰＴＦＥ)樹脂シート
(誘電率＝２.１、屈折率＝１.３４)を用いた以外は実施
例１と同様にして十分に架橋させてなるシリコーン系接
着性シート(誘電率＝２.８、屈折率＝１.４１)を調製し
た。このシリコーン系接着性シートはＰＴＦＥ樹脂シー
トから容易に剥がすことができ、ほぼ２００μｍの均一
な厚さを有していた。このシリコーン系接着性シートの
接着性、およびこのシリコーン系接着性シートを用いて
なる半導体装置の信頼性を前記の方法により評価し、そ
れらの結果を表１に示した。
【００４２】［実施例２］ (Ａ)成分として、粘度４０,０００mPa・sの分子鎖両末端
ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メ
チルフェニルシロキサン共重合体(ビニル基の含有量＝
０.０８重量％、ケイ素原子結合の全有機基に対するフ
ェニル基の含有量＝５モル％)７２重量部、および粘度
６,０００mPa・sの分子鎖両末端メチルフェニルビニルシ
ロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキ
サン・メチルフェニルシロキサン共重合体(ビニル基の
含有量＝０.８４重量％、ケイ素原子結合の全有機基に
対するフェニル基の含有量＝５モル％)１５重量部、
(Ｂ)成分として、粘度５mPa・sの分子鎖両末端トリメチ
ルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロ
ジェンシロキサン共重合体(ケイ素原子結合水素原子の
含有量＝０.７重量％)３重量部、(Ｃ)成分として、３−
グリシドキシプロピルトリメトキシシランと粘度４０mP
a・sの分子鎖両末端ジメチルヒドロキシシロキシ基封鎖
メチルビニルシロキサンオリゴマー(ビニル基の含有量
＝３１重量％）との重量比１：１の混合物２.０重量
部、(Ｄ)成分として、白金の１，３−ジビニル−１，
１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体(本組成物
において、この錯体中の白金金属が重量単位で５ppmと
なる量)、および付加反応抑制剤として、３−フェニル
−１−ブチン−３−オール０.０１重量部を均一に混合
して、粘度２５,０００mPa・sのヒドロシリル化反応型架
橋性シリコーン組成物を調製した。
【００４３】この架橋性シリコーン組成物を、厚さ１０
０μｍの、表面に化学的に結合した硫黄原子(チオエー
テル基中の硫黄原子)を有する剥離性基材としてのポリ
フェニレンサルファイド樹脂シート(誘電率＝３.０、屈
折率＝１.８３)の間に挟み込み、クリアランスを調整し
たステンレス製の２本ロールにより、該組成物の厚さを
２００μｍとなる状態で、８０℃の熱風循環式オーブン
中で３０分間加熱することにより、該組成物を架橋させ
てなる半硬化状のシリコーン系接着性シート(誘電率＝
３.０)を調製した。このシリコーン系接着性シートはポ
リフェニレンサルファイド樹脂シートから容易に剥すこ
とができ、ほぼ２００μｍの均一な厚さを有していた。
このシリコーン系接着性シートの接着性、およびこのシ
リコーン系接着性シートを用いてなる半導体装置の信頼
性を前記の方法により評価し、それらの結果を表１に示
した。
【００４４】
【表１】
【００４５】
【発明の効果】本願の請求項１〜５に係るシリコーン系
接着性シートは、取扱作業性が優れ、接着性が優れると
いう特徴がある。また、本願の請求項６〜１０に係るシ
リコーン系接着性シートの製造方法は、このようなシリ
コーン系接着性シートを効率よく製造することができる
という特徴がある。さらに、本願の請求項１１に係る半
導体装置は、上記のシリコーン系接着性シートを用いて
いるので、信頼性が優れるという特徴がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の半導体装置の一例であるハイブリッ
ドＩＣの断面図である。
【図２】 本発明の半導体装置の一例であるＬＳＩの断
面図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ ２ シリコーン系接着性シート ３ ガラス繊維強化エポキシ樹脂製の回路基板 ４ 回路配線 ５ ボンディングワイヤ ６ エポキシ系封止樹脂 ７ ポリイミド樹脂製の回路基板 ８ 金製のバンプ ９ シリコーン系樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 淑子 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダ ウコーニング・シリコーン株式会社 研 究開発本部内 (72)発明者 峰 勝利 千葉県市原市千種海岸２番２ 東レ・ダ ウコーニング・シリコーン株式会社 研 究開発本部内 (56)参考文献 特開 平９−48960（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−49035（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C09J 7/02 C09J 7/00 C09J 183/07 H01L 21/52 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ) 特許ファイル（ＰＡＴＯＬＩＳ)

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 架橋性シリコーン組成物の架橋物に対し
    て剥離性を有する基材の間で該組成物を架橋させてなる
    シリコーン系接着性シートであって、該基材の少なくと
    も一方が、該組成物に接する面に硫黄原子を有するもの
    であることを特徴とするシリコーン系接着性シート。
  2. 【請求項２】 架橋性シリコーン組成物に接する面に硫
    黄原子を有する基材が有機樹脂からなることを特徴とす
    る、請求項１記載のシリコーン系接着性シート。
  3. 【請求項３】 硫黄原子が、スルホン基、およびチオエ
    ーテル基からなる群より選択される基を構成する原子で
    あることを特徴とする、請求項１または２記載のシリコ
    ーン系接着性シート。
  4. 【請求項４】 架橋性シリコーン組成物がヒドロシリル
    化反応型のものであることを特徴とする、請求項１記載
    のシリコーン系接着性シート。
  5. 【請求項５】 ヒドロシリル化反応型架橋性シリコーン
    組成物が、 (Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケ
    ニル基を有するオルガノポリシロキサン、 (Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原
    子を有するオルガノポリシロキサン、 (Ｃ)(i)一分子中にケイ素原子結合アルケニル基もしく
    はケイ素原子結合水素原子とケイ素原子結合アルコキシ
    基を少なくとも１個ずつ有するシロキサン、(ii)一分子
    中にケイ素原子結合アルケニル基とケイ素原子結合アル
    コキシ基とケイ素原子結合エポキシ含有一価有機基を少
    なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサン、(iii)一
    分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個
    有するシランもしくはシロキサンと、一分子中にケイ素
    原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基を
    少なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物
    もしくは反応混合物、および(iv)一分子中にケイ素原子
    結合アルコキシ基とケイ素原子結合エポキシ含有一価有
    機基を少なくとも１個ずつ有するオルガノシランもしく
    はオルガノシロキサンと、一分子中にケイ素原子結合ヒ
    ドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基を少なくとも
    １個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物もしくは反
    応混合物からなる群より選択される少なくとも一種の接
    着促進剤、 および (Ｄ)ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなること
    を特徴とする、請求項４記載のシリコーン系接着性シー
    ト。
  6. 【請求項６】 架橋性シリコーン組成物の架橋物に対し
    て剥離性を有する基材の間で該組成物を架橋させるシリ
    コーン系接着性シートの製造方法であって、該基材の少
    なくとも一方が、該組成物に接する面に硫黄原子を有す
    るものであることを特徴とするシリコーン系接着性シー
    トの製造方法。
  7. 【請求項７】 架橋性シリコーン組成物に接する面に硫
    黄原子を有する基材が有機樹脂からなることを特徴とす
    る、請求項６記載のシリコーン系接着性シートの製造方
    法。
  8. 【請求項８】 硫黄原子が、スルホン基、およびチオエ
    ーテル基からなる群より選択される基を構成する原子で
    あることを特徴とする、請求項６または７記載のシリコ
    ーン系接着性シートの製造方法。
  9. 【請求項９】 架橋性シリコーン組成物がヒドロシリル
    化反応型のものであることを特徴とする、請求項６記載
    のシリコーン系接着性シートの製造方法。
  10. 【請求項１０】 ヒドロシリル化反応型架橋性シリコー
    ン組成物が、 (Ａ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケ
    ニル基を有するオルガノポリシロキサン、 (Ｂ)一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原
    子を有するオルガノポリシロキサン、 (Ｃ)(i)一分子中にケイ素原子結合アルケニル基もしく
    はケイ素原子結合水素原子とケイ素原子結合アルコキシ
    基を少なくとも１個ずつ有するシロキサン、(ii)一分子
    中にケイ素原子結合アルケニル基とケイ素原子結合アル
    コキシ基とケイ素原子結合エポキシ含有一価有機基を少
    なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサン、(iii)一
    分子中にケイ素原子結合アルコキシ基を少なくとも１個
    有するシランもしくはシロキサンと、一分子中にケイ素
    原子結合ヒドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基を
    少なくとも１個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物
    もしくは反応混合物、および(iv)一分子中にケイ素原子
    結合アルコキシ基とケイ素原子結合エポキシ含有一価有
    機基を少なくとも１個ずつ有するオルガノシランもしく
    はオルガノシロキサンと、一分子中にケイ素原子結合ヒ
    ドロキシ基とケイ素原子結合アルケニル基を少なくとも
    １個ずつ有するオルガノシロキサンの混合物もしくは反
    応混合物からなる群より選択される少なくとも一種の接
    着促進剤、 および (Ｄ)ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなること
    を特徴とする、請求項９記載のシリコーン系接着性シー
    トの製造方法。
  11. 【請求項１１】 半導体チップを請求項１乃至５のいず
    れか１項記載のシリコーン系接着性シートにより該チッ
    プ取付部に載置してなることを特徴とする半導体装置。
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