JP3420426B2

JP3420426B2 - 銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板

Info

Publication number: JP3420426B2
Application number: JP10713696A
Authority: JP
Inventors: 俊昭重岡; 智濱野
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1996-04-26
Filing date: 1996-04-26
Publication date: 2003-06-23
Anticipated expiration: 2016-04-26
Also published as: JPH09295883A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスセラミック
磁器と同時焼成が可能な銅メタライズ組成物と、該銅メ
タライズ組成物を用いてガラスセラミック磁器と同時焼
成し、ガラスセラミック磁器の絶縁基体に銅（Ｃｕ）か
ら成る配線層を形成した、誘電率が低く、低抵抗の導体
を有する各種回路基板や高周波用多層配線基板等に好適
なガラスセラミック配線基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、アルミナ質セラミックスは、
電気絶縁性や化学的安定性等の特性に優れていることか
ら半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージ
や、半導体素子の他に各種電子部品を搭載した混成集積
回路装置等の各種配線基板用絶縁基体として多用されて
いる。

【０００３】近年、高周波化及び高密度化が進むＩＣや
ＬＳＩ等の半導体素子を搭載する配線基板には、前記ア
ルミナ質セラミックスから成る絶縁基体より更に低い誘
電率とより低い配線抵抗が要求されるようになり、該要
求に適用できる絶縁基体としてガラスセラミックスが、
また該ガラスセラミックスと同時焼成できる焼成温度が
低い低抵抗の導体として、例えば銅（Ｃｕ）、金（Ａ
ｕ）、銀（Ａｇ）で配線層を形成することが注目され、
高周波化及び高密度化が進む通信分野で使用する配線基
板として前記ガラスセラミックスから成る絶縁基体と低
抵抗導体とを組合せたガラスセラミック配線基板の開発
がなされており、とりわけ前記低抵抗導体としてＣｕに
よる配線化が鋭意進められている。

【０００４】係るガラスセラミック配線基板は、一般に
はガラスセラミック原料粉末と有機バインダー、溶媒か
ら成る泥漿をドクターブレード法等のシート成形方法で
成形し、得られたガラスセラミックグリーンシートにス
ルーホールを形成し、該スルーホールに銅メタライズ組
成物を含む銅ペーストを充填し、次に、前記グリーンシ
ート上に銅ペーストを用いて所定の配線パターンを印刷
形成した後、位置合わせして複数枚加圧積層し、該積層
体を加熱してバインダーの除去及びガラスセラミックグ
リーンシートと銅メタライズ組成物とを同時焼成するこ
とにより作製されていた。

【０００５】前述のようにガラスセラミック磁器と同時
焼成可能な銅メタライズ組成物としては、銅メタライズ
組成物中にガラス粉末を含有するものが多く提案されて
おり、その一例として７００℃以上の温度で溶融するガ
ラス粉末を５〜２４体積％の割合で銅粉末と混合するこ
とが特開平５−２４３７００号公報等に提案されてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記銅
メタライズ組成物をガラスセラミックグリーンシート上
に印刷して同時焼成した場合、ガラス粉末の混合割合が
５体積％でも該ガラス粉末が焼成後の銅配線層表面に浮
いて残存し易く、後工程の半田濡れ性が悪いという課題
があった。

【０００７】また、同時焼成する際、前記銅メタライズ
組成物とガラスセラミック磁器との焼結開始温度が異な
ると焼成過程での収縮のズレから、更に焼結終了温度が
相違して銅メタライズ組成物が先に緻密化するとガラス
セラミック磁器の収縮が抑制され、その結果、焼成後の
絶縁基体には大きな反りやうねり等の変形が発生すると
いう課題があり、例えば、縦５０ｍｍ、横２０ｍｍ、厚
さ１ｍｍの寸法形状を有するガラスセラミック磁器の片
面のみに銅メタライズ層を形成した場合、その変形量が
０．５ｍｍを越えるものであった。

【０００８】その上、同時焼成後の銅配線層とガラスセ
ラミック磁器との界面における接着強度が、例えば、２
ｍｍ角の銅配線層に半田接合したリード線を接合面に対
して垂直に引っ張って評価するとその剥離荷重は３Ｋｇ
程度と低く、未だ充分とは言えず、更に接着強度の向上
及び安定化が必要であるという課題があった。

【０００９】

【発明の目的】本発明は前記課題に鑑みなされたもの
で、銅配線層とガラスセラミック磁器とを同時焼成する
ことができ、後工程の半田濡れ性等を阻害せず、かつガ
ラスセラミック磁器から成る絶縁基体の反りやうねり等
の変形を効果的に防止することができ、銅配線層とガラ
スセラミック磁器との界面の接着強度が高く、安定した
接着強度が得られる銅メタライズ組成物と、該銅メタラ
イズ組成物を用いて同時焼成し、ガラスセラミック磁器
の絶縁基体にＣｕから成る配線層を形成した、誘電率が
低く、低抵抗の導体を有する各種回路基板や高周波用多
層配線基板等に好適なガラスセラミック配線基板を提供
することを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
を解決するための方法について検討した結果、銅メタラ
イズ組成物中にガラスセラミック磁器中のガラス成分の
粘性を低下させることができる金属酸化物を添加すると
ともに、Ｃｕの焼結を遅らせることのできる無機物を同
時添加することにより、ガラスセラミック磁器と銅配線
層との接着強度を高く維持しながら、同時焼成後の銅配
線層への半田濡れ性が改善でき、絶縁基体の反り等の変
形も低減できることを知見したものである。

【００１１】即ち、本発明の銅メタライズ組成物は、８
００〜１１００℃でガラスセラミック磁器と同時焼成可
能なＣｕを主成分とする銅メタライズ組成物であり、該
組成物中に、前記ガラスセラミック磁器中のガラス成分
の粘性を同時焼成時に低下させることができる金属酸化
物として、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及びＢの
内の少なくとも１種の酸化物を前記Ｃｕ１００重量部に
対して０．１〜５．０重量部と、該Ｃｕの焼結を遅らせ
ることができる無機物を０．１〜５．０重量部の割合で
含有することを特徴とするものである。

【００１２】とりわけ、前記ガラスセラミック磁器中の
ガラス成分としてはＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、アルカリ土
類金属の酸化物及びＢ₂Ｏ₃を含有するとともに、前記
金属酸化物がＣａＯであり、かつ前記無機物がＡｌ₂Ｏ
₃、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂の内の少なくとも１種であるこ
とがより望ましいものである。

【００１３】また、本発明のガラスセラミック配線基板
は、ガラスセラミック磁器中のガラス成分の粘度を低下
させることができる金属酸化物として、アルカリ金属、
アルカリ土類金属、及びＢの少なくとも１種の酸化物を
Ｃｕ１００重量部に対して０．１〜５．０重量部と、前
記Ｃｕの焼結を遅らせることができる無機物を０．１〜
５．０重量部含有した銅メタライズ組成物を、窒素雰囲
気中、８００〜１１００℃の温度でガラスセラミック磁
器と同時焼成して形成した銅配線層を有することを特徴
とするものである。

【００１４】更に、前記ガラスセラミック配線基板は、
ガラスセラミック磁器中のガラス成分が、少なくともＳ
ｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、アルカリ土類金属の酸化物及びＢ
₂Ｏ₃を含有するとともに、前記金属酸化物がＣａＯで
あり、かつ前記無機物がＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ
₂の内の少なくとも１種であることがより望ましいもの
である。

【００１５】

【作用】本発明によれば、銅メタライズ組成物が、ガラ
スセラミック磁器中のガラス成分と反応し、該ガラス成
分の粘性を低下させ得る金属酸化物、即ち、アルカリ金
属、アルカリ土類金属、及びＢの内の少なくとも１種の
酸化物を含有し、更にＣｕの焼結を遅らせ得る無機物も
含有することから、８００〜１１００℃の温度で同時焼
成してもガラス成分が銅配線層表面に浮いて残存するこ
となく、しかも銅メタライズ組成物の収縮開始温度がガ
ラスセラミック磁器の収縮開始温度に近づき、ガラスセ
ラミック磁器中のガラス成分が前記無機物と反応して粘
性が低下し、銅メタライズ組成物中のＣｕ粒子の隙間へ
浸透し、その結果、銅配線層の接着強度が向上するとと
もに、前記無機物によりＣｕの焼結の開始が遅らせられ
て焼成後の絶縁基体の反りやうねり等の変形が極めて小
さいガラスセラミック配線基板を得ることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の銅メタライズ組成
物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板について
詳述する。

【００１７】本発明の銅メタライズ組成物とは、Ｃｕを
主成分とし、該Ｃｕ以外に同時焼成時にガラスセラミッ
ク磁器中のガラス成分と反応してガラス成分の粘性を低
下させることができる金属酸化物と、前記Ｃｕの焼結を
遅らせることができる無機物を含有させたものであり、
前記金属酸化物は、Ｃｕ１００重量部に対してアルカリ
金属、アルカリ土類金属、及びＢの少なくとも１種の酸
化物を０．１〜５．０重量部とするもので、かつ前記無
機物は、Ｃｕ１００重量部に対して０．１〜５．０重量
部とするものである。

【００１８】本発明において、前記金属酸化物として
は、例えば、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏ等のアルカリ金属の酸化
物、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ等のアルカリ土類金属の酸
化物や、Ｂ₂Ｏ₃等が挙げられるが、ガラスセラミック
磁器中のガラス成分の組成に応じて適宜選択することが
必要であるが、ガラスセラミック磁器中のガラス成分が
ＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｂ₂Ｏ₃−アルカリ土類金属酸
化物系ガラス、特に結晶性ガラスである場合、銅メタラ
イズ組成物中に金属酸化物として特にＣａＯ成分を添加
することにより、前記ガラス成分の粘性を効果的に低下
させ、かつ該ガラス成分をＣｕ粒子間に浸透させること
ができる。

【００１９】また、前記金属酸化物の含有量がＣｕ１０
０重量部に対して０．１重量部未満になると、ガラスセ
ラミック磁器中のガラス成分を銅メタライズ組成物中に
浸透させる効果が小さく接着強度が低下し、５．０重量
部を越えるとガラスセラミック磁器中のガラス成分が過
度に銅メタライズ組成物中に浸透し、銅配線層表面に析
出して銅配線層の半田濡れ性やメッキ処理性が劣化する
上、接着強度も低下する傾向を示す。

【００２０】従って、前記金属酸化物の含有量は０．１
〜５．０重量部に特定され、特に０．５〜３．０重量部
が望ましい。

【００２１】また、前記金属酸化物は、炭酸塩や硝酸
塩、酢酸塩等の化合物の他、それらの複合酸化物を用い
ることも可能である。

【００２２】一方、前記Ｃｕの焼結を遅くし得る無機物
としては、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ムライト
（３Ａｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂）、コージェライト（２Ｍ
ｇＯ・２Ａｌ₂Ｏ₃・５ＳｉＯ₂）等が挙げられるが、
銅メタライズ組成物が前記ガラス成分の浸透により早く
焼結してしまうのを防ぎ、かつガラス成分と添加した無
機物とによりガラスセラミック磁器と銅配線層との界面
で強固に接着すると言う点ではＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、
ＺｒＯ₂の少なくとも１種が好適である。

【００２３】前記無機物の含有量が、Ｃｕ１００重量部
に対して０．１重量部未満の場合、前記Ｃｕの焼結を遅
らせる効果が小さく、絶縁基体に反り等の変形が大とな
り、５．０重量部を越えると、得られた銅配線層が緻密
化せず、それはとりもなおさず収縮量の減少となること
から、ガラスセラミック磁器と銅配線層との接着強度が
低下するとともに、反りが大となる。

【００２４】従って、その含有量は０．１〜５．０重量
部に特定され、より好ましくは０．５〜３．０重量部と
なる。

【００２５】次に、銅メタライズ組成物中のＣｕは、平
均粒径が２〜８μｍ（ＢＥＴ法による比表面積が０．１
〜１．０ｍ²／ｇ）、好ましくは平均粒径が３〜７μｍ
（比表面積が０．２〜０．５ｍ²／ｇ）の球状銅粉末を
用いるのが好ましい。

【００２６】また、前記銅メタライズ組成物を用いて銅
ペーストを調製する場合、該メタライズ組成物に添加さ
れるビヒクル中のバインダーには、窒素雰囲気中での熱
分解性に優れたメタクリル酸樹脂、具体的には、メタク
リル酸イソブチル、メタクリル酸ノルマルブチル等を用
いるのが望ましく、前記ビヒクルの溶剤には、ブチルカ
ルビトールアセテート、ジブチルフタレート、αテルピ
ネオール等が好適であり、前記銅ペーストは、例えば銅
粉末１００重量部にバインダーを２〜６重量部と溶媒を
添加混合して調製される。

【００２７】また、本発明で用いられるガラスセラミッ
ク磁器組成物としては、ガラス成分とセラミックフィラ
ー成分から成るものを用い、ガラス成分としては周知の
ガラスを用いることができるが、特に焼成時に結晶化す
る結晶性ガラスが望ましく、該結晶性ガラスからの結晶
相の析出により強度を向上でき、この結果、銅配線層の
接着強度も向上させることができる。

【００２８】一方、セラミックフィラー成分としては、
ジルコン酸カルシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸
ストロンチウム、チタン酸バリウム、アルミナ、ムライ
ト、フォルステライト、ジルコニア、スピネル等を用い
ることができる。

【００２９】次に、絶縁基体としては、例えばＳｉＯ₂
−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｂ₂Ｏ₃−ＭｇＯ−ＺｎＯ系結晶性ガラ
スとセラミックフィラーから成る原料粉末に窒素雰囲気
下での熱分解性に優れたメタクリル酸イソブチル等のア
クリル系樹脂の有機バインダーを、固形分で前記原料粉
末に対して８〜２０重量％と、フタル酸エステル等の可
塑剤及びトルエン等の溶媒を添加して調製した泥漿を周
知のシート成形法でグリーンシートを成形する。

【００３０】得られたグリーンシート表面の所定位置に
前述のような銅メタライズ組成物を含有するペーストを
印刷して導体パターンを形成した後、該シートを位置合
わせして複数枚加圧積層する。

【００３１】その後、前記積層体を３００〜５００℃の
水蒸気を含んだ窒素雰囲気中で熱処理してグリーンシー
ト及び銅ペースト中のバインダーや可塑剤、溶媒を分解
除去し、次いで温度を７００〜８００℃に上げてグリー
ンシート及び銅ペースト中の残留炭素を除去する。

【００３２】この時、処理温度が７００℃より低いと残
留する炭素を効率良く除去できず、焼成後の絶縁基体中
に炭素が残留し、８００℃より高いと焼成収縮による絶
縁基体の緻密化が急激に進行し、絶縁基体内部に未分解
の炭素が残留し、絶縁基体の色調不良や絶縁不良が発生
する。

【００３３】その後、乾燥窒素雰囲気中、８００〜１１
００℃、より望ましくは９００〜１０５０℃の温度でガ
ラスセラミック磁器と銅メタライズ組成物とを同時焼成
することにより、本発明の銅配線層を有するガラスセラ
ミック配線基板を形成することができる。

【００３４】

【実施例】以下、本発明の銅メタライズ組成物及びそれ
を用いたガラスセラミック配線基板について、実施例に
基づき具体的に詳述する。

【００３５】先ず、平均粒径が５．０μｍの球状銅粉末
１００重量部に対して、金属酸化物と無機物をそれぞれ
表１及び表２に示す割合で秤量し、それに有機バインダ
ーとしてメタクリル酸イソブチルと、溶媒としてブチル
カルビトールアセテート及びジブチルフタレートの混合
溶液を添加して混練し、ペースト状の銅メタライズ用試
料を作製した。

【００３６】尚、前記銅メタライズ用試料中の有機バイ
ンダー量は、球状銅粉末１００重量部に対して３重量部
とした。

【００３７】また、表１及び表２に示す銅メタライズ組
成物の金属酸化物及び無機物、ガラスセラミック磁器の
ガラス成分及びフィラー成分の種類の詳細は、表３に記
載した通りである。

【００３８】

【表１】

【００３９】

【表２】

【００４０】

【表３】

【００４１】一方、絶縁基体用のガラスセラミック成形
体は、ＳｉＯ₂４４重量％、Ａｌ₂Ｏ₃２８重量％、Ｍ
ｇＯ１１重量％、ＺｎＯ８重量％、Ｂ₂Ｏ₃９重量％の
組成を有する結晶性ガラス粉末６０重量％と、セラミッ
クフィラーとして、ジルコン酸カルシウム２０重量％、
チタン酸ストロンチウム１６重量％、アルミナ４重量％
から成るガラスセラミック原料粉末１００重量部に対し
て、有機バインダーとしてメタクリル酸イソブチル樹脂
を固形分で１４重量部、可塑剤としてフタル酸ジブチル
を７重量部添加し、それにトルエンを溶媒として添加し
てボールミルにより４０時間混合して調製した泥漿を、
ドクターブレード法により厚さ０．３ｍｍのグリーンシ
ートに成形した。

【００４２】かくして得られたペースト状の銅メタライ
ズ用試料を用いて、前記ガラスセラミックグリーンシー
ト上に焼成後の形状が縦２ｍｍ、横２ｍｍ（２ｍｍ
角）、厚さ１５μｍとなる銅配線層用パターンを形成
し、これを最上層として銅配線層用パターンを形成して
いないグリーンシート６枚を加圧積層したものと、焼成
後の形状が縦５０ｍｍ、横２０ｍｍ、厚さ１５μｍとな
る銅配線層用パターンを作成し、これを最上層として銅
配線層用パターンを形成していないグリーンシートを焼
成後の全体の厚さが１ｍｍとなるように加圧積層し、パ
ターンにそって切断した２種類を準備した。

【００４３】次いで、ガラスセラミック成形体及び銅メ
タライズ用試料中の有機バインダー等の有機成分を分解
除去するために、水蒸気を含んだ窒素雰囲気中、７５０
℃の温度で３時間保持する熱処理を行って残留炭素量を
２００ｐｐｍ以下に低減した後、雰囲気を乾燥窒素に切
り替え、９００℃に昇温して１時間保持する焼成を行
い、銅配線層を有する評価用のガラスセラミック配線基
板を得た。

【００４４】かくして得られた評価用のガラスセラミッ
ク配線基板を用いて、２ｍｍ角の銅配線層に厚さ２．５
μｍのＮｉメッキを行い、その上に厚さ０．１μｍのＡ
ｕメッキをした後、該メッキ被覆層上にＣｕ系のリード
線を銅配線層表面と平行に半田接合し、その時の半田濡
れ部を目視検査して半田濡れ性の良否を、また、前記リ
ード線を銅配線層表面に対して垂直方向に曲げ、該リー
ド線を１０ｍｍ／ｍｉｎ．の引っ張り速度で垂直方向に
引っ張り、リード線が剥離した時の荷重を銅配線層の接
着強度として評価した。

【００４５】また、ガラスセラミック配線基板の反り
は、縦５０ｍｍ、横２０ｍｍの銅配線層部分の変形量を
計測し、該変形値を相対反りとして評価した。

【００４６】

【表４】

【００４７】

【表５】

【００４８】表４及び表５から明らかなように、銅メタ
ライズ組成物に含有される金属酸化物の量が０．１重量
部未満の試料番号１、３８、５２では、半田濡れ性も良
好であり相対反りも小さいものの、接着強度が２．３ｋ
ｇ／２ｍｍ角以下と弱く、逆に５．０重量部を越える試
料番号８、４３、５７は、相対反りは小さいものの、半
田濡れ性が悪く、簡単にリード線が剥がれてしまい接着
強度測定ができなかった。

【００４９】また、銅メタライズ組成物に含有される無
機物の量が０．１重量部未満の試料番号９、１６、３
２、４４では、相対反りが０．５４ｍｍ以上と大であ
り、５．０重量部を越える試料番号１５、２１、３５、
４７は相対反りが０．５８ｍｍ以上と大きく、接着強度
は１．５ｋｇ／２ｍｍ角以下と極めて弱くなっている。

【００５０】それらに対して、本発明ではいずれも半田
濡れ性が良好で接着強度も３．１ｋｇ／２ｍｍ角以上と
高く、相対反りも０．４６ｍｍ以下と小さくなってい
る。

【００５１】

【発明の効果】以上、詳述したように、本発明の銅メタ
ライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基
板は、銅メタライズ組成物が、ガラスセラミック磁器中
のガラス成分と反応し、該ガラス成分の粘性を低下させ
得る金属酸化物、即ち、アルカリ金属、アルカリ土類金
属、及びＢの内の少なくとも１種の酸化物を含有し、更
にＣｕの焼結を遅らせ得る無機物も含有することから、
銅メタライズ組成物の収縮開始温度がガラスセラミック
磁器の収縮開始温度に近づき、８００〜１１００℃の温
度で同時焼成してもガラス成分が銅配線層表面に浮いて
残存することがなく、しかもガラスセラミックスが液相
を生成する温度で、銅メタライズ組成物もほぼ同時に液
相を生成し、両者の収縮も同時に開始されて最終的に絶
縁基体の反りやうねり等の変形が極めて小さくなると共
に、ガラスセラミック磁器中のガラス成分が銅粒子間に
浸透し、その結果、銅配線層の接着強度を高く維持した
ガラスセラミック配線基板を得ることができる。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】８００〜１１００℃の温度でガラスセラミ
ック磁器と同時焼成可能な銅を主成分とする銅メタライ
ズ組成物において、該銅メタライズ組成物中に、前記同
時焼成時にガラスセラミック磁器中のガラス成分の粘性
を低下させ得る金属酸化物として、アルカリ金属、アル
カリ土類金属、及びホウ素（Ｂ）の少なくとも１種の酸
化物を前記銅（Ｃｕ）１００重量部に対して０．１〜
５．０重量部と、前記銅（Ｃｕ）の焼結を遅らせ得る無
機物を０．１〜５．０重量部含有することを特徴とする
銅メタライズ組成物。
【請求項２】前記ガラスセラミック磁器中のガラス成分
が、少なくともシリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ（Ａｌ₂
Ｏ₃）、アルカリ土類金属の酸化物及び酸化ホウ素（Ｂ
₂Ｏ₃）を含有するとともに、前記金属酸化物がカルシ
ア（ＣａＯ）であり、かつ前記無機物がアルミナ（Ａｌ
₂Ｏ₃）、シリカ（ＳｉＯ₂）、ジルコニア（Ｚｒ
Ｏ₂）の内の少なくとも１種であることを特徴とする請
求項１記載の銅メタライズ組成物。
【請求項３】ガラスセラミック磁器中のガラス成分の粘
度を低下させ得る金属酸化物として、アルカリ金属、ア
ルカリ土類金属、及びホウ素（Ｂ）の少なくとも１種の
酸化物を銅（Ｃｕ）１００重量部に対して０．１〜５．
０重量部と、前記銅（Ｃｕ）の焼結を遅らせ得る無機物
を０．１〜５．０重量部含有した銅メタライズ組成物
を、窒素雰囲気中、８００〜１１００℃の温度でガラス
セラミック磁器と同時焼成して形成した銅配線層を有す
るガラスセラミック配線基板。
【請求項４】前記ガラスセラミック磁器中のガラス成分
が、少なくともシリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ（Ａｌ₂
Ｏ₃）、アルカリ土類金属の酸化物及び酸化ホウ素（Ｂ
₂Ｏ₃）を含有するとともに、前記金属酸化物がカルシ
ア（ＣａＯ）であり、かつ前記無機物がアルミナ（Ａｌ
₂Ｏ₃）、シリカ（ＳｉＯ₂）、ジルコニア（Ｚｒ
Ｏ₂）の内の少なくとも１種であることを特徴とする請
求項３記載のガラスセラミック配線基板。