JP3418863B2 - Optical switch manufacturing method - Google Patents
Optical switch manufacturing methodInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は例えば光通信シス
テム等において用いられる光スイッチの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】この種の光スイッチの従来構造の一例を
図４に示す。基板１１上に、その基板表面と平行に可動
電極１２が配置される。可動電極１２はこの例では矩形
状とされてその対向２辺が図に示したように枠状をなす
支持構造体１３に連結支持された構造とされており、各
支持構造体１３の他端はそれぞれ固定部１４に連結さ
れ、固定部１４が基板１１上に設置された構造となって
いる。
【０００３】可動電極１２は可撓性を有する支持構造体
１３によって支持されることにより、基板表面に対して
垂直方向に変位可能とされており、この可動電極１２上
にマイクロミラー１５が搭載される。一方、基板１１
の、可動電極１２及び支持構造体１３と対向する部分に
は貫通孔１６が図に示したように方形状に開口するよう
に形成されており、この貫通孔１６に固定電極を構成す
る導電性基板１７が配設される。
【０００４】導電性基板１７は貫通孔１６に合致する形
状に加工されており、基板１１の裏面から貼り合わされ
て基板１１と一体化される。貫通孔１６内に位置する導
電性基板１７の上面、即ち固定電極面は基板１１の表面
より所定量下がった位置に位置され、これにより可動電
極１２の所要の変位量が確保できる構造となっている。
【０００５】上記のような構造とされた光スイッチ１８
においては、静電吸引力により可動電極１２を駆動して
基板表面と垂直方向に変位させ、これにより可動電極１
２上に直立しているマイクロミラー１５を基板表面と垂
直方向に変位させることにより、基板表面と平行方向か
ら入射する光ビームの光路を切り換えることができるも
のとなっている。
【０００６】図４Ａ中、２１ａ〜２１ｃは例えばこの光
スイッチ１８の周囲に配置される光ファイバを示し、２
２は光スイッチ１８に入射される入射光、２３ａ，２３
ｂは出射光を示す。光路にマイクロミラー１５が挿入さ
れた時は入射光２２はマイクロミラー１５によって反射
され、その出射光２３ａが光ファイバ２１ｂに入射され
る。一方、光路にマイクロミラー１５が挿入されない時
は入射光２２はそのまま進行して出射光２３ｂとなり、
光ファイバ２１ｃに入射されることになる。
【０００７】図５はこの図４に示した光スイッチ１８の
製造方法を工程順に示したものであり、以下各工程につ
いて説明する。
（１）基板１１を準備する。基板１１として、この例で
はシリコン基板が用いられる。
（２）基板１１上にＳｉＯ2 保護膜２４を成膜する。
【０００８】（３）固定部１４を形成する部分の保護膜
２４を除去する。
（４）可動電極１２等の可動体を構成する材料として、
多結晶シリコン膜２５を成膜する。
（５）多結晶シリコン膜２５をエッチング加工して、可
動電極１２、支持構造体１３及び固定部１４を形成す
る。
【０００９】（６）ＳｉＯ2 保護膜２６を表裏全面に成
膜する。
（７）基板１１裏面の、可動電極１２及び支持構造体１
３に対応する位置の保護膜２６を除去する。
（８）基板１１をＫＯＨ溶液によりエッチングし、貫通
孔１６を形成する。
（９）保護膜２４，２６を除去する。
【００１０】（１０）所要の加工を施した固定電極を構
成する導電性基板１７を基板１１の裏面から貼り合わせ
る。この導電性基板１７もこの例ではシリコン基板とさ
れる。
以下、図には示していないが、可動電極１２上にマイク
ロミラー１５を設置して、光スイッチ１８が完成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
に基板１１裏面からエッチングにより貫通孔１６を形成
し、導電性基板１７を基板１１裏面から貼り合わせると
いう構造では、基板１１は枠状となるため、その強度及
び接着面積等を考慮すると、所要の枠幅を確保する必要
があることから、図４Ａ中に破線１８ａで囲んだ素子領
域に対し、光スイッチ１８全体が大型となり、特に基板
１１としてシリコン基板を使用し、その異方性エッチン
グにより貫通孔１６を形成する場合には、貫通孔１６の
基板１１裏面における開口領域が大きくなることから、
より大型となり、この点で光スイッチの小型化が制限さ
れるものとなっていた。
【００１２】また、このような貼り合わせによるため、
作製精度の低下はまぬがれえず、導電性基板１７の上面
位置、つまり固定電極面の位置の精度は良好とは言えな
いものとなっていた。さらに、一連の成膜及びエッチン
グ工程とは別に、貼り合わせ工程（接着工程）を必要と
することから、工程が複雑であり、その点で製造に手間
がかかるものとなっていた。
【００１３】この発明の目的は、これら従来の問題点に
鑑み、小型化を図ることができ、かつ精度良く、簡易に
製造することができる光スイッチの構造及びその製造方
法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】この発明により製造され
た光スイッチは、基板上に、その基板表面と平行に位置
され、かつその基板表面に対して垂直方向に変位可能と
された可動電極上にマイクロミラーが搭載され、可動電
極を駆動してマイクロミラーを変位させることにより入
射する光ビームの光路切り換えが行われる光スイッチに
おいて、上記基板が導電材よりなり、その基板表面にエ
ッチング加工により凹部が形成され、その凹部の底面が
可動電極と平行対向する固定電極面とされる。
【００１５】そして上記基板がシリコン基板とされ、可
動電極が多結晶シリコン膜によって形成される。請求項
１の発明は、導電性基板の表面に形成された凹部の底面
が固定電極面とされ、その固定電極面と平行対向する可
動電極が導電性基板上に固定部及び支持構造体を介して
配置され、可動電極が駆動されて固定電極面と垂直方向
に変位することにより、可動電極上に搭載されたマイク
ロミラーが変位して入射する光ビームの光路切り換えが
行われる構造とされた光スイッチの製造方法であって、
導電性基板をシリコン基板とし、そのシリコン基板の表
面に多結晶シリコン膜を設け、可動電極、支持構造体及
び固定部をＳｉＯ2 被膜で保護した後、上記多結晶シリ
コン膜をエッチング液侵入路として、ＫＯＨ溶液により
シリコン基板を可動電極側からエッチングすることによ
り上記凹部を形成する。
【００１６】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図面を参
照して実施例により説明する。図１はこの発明により製
造された光スイッチを示したものであり、図４と対応す
る部分には同一符号を付してある。この例では基板１１
が導電材によって構成され、この基板１１の表面にエッ
チング加工により凹部３１が形成されて、この凹部３１
の底面が可動電極１２と平行対向する固定電極面を構成
するものとされ、即ち基板１１自体が固定電極をなすも
のとされる。
【００１７】図２はこの図１に示した光スイッチ３２の
製造方法を工程順に示したものであり、図２を参照して
光スイッチ３２の製造方法を説明する。
（１）導電材よりなる基板１１を準備する。この基板１
１にはシリコン基板が用いられる。
（２）基板１１上に多結晶シリコン膜３３を成膜する。
【００１８】（３）ＳｉＯ2 保護膜３４を成膜する。
（４）固定部１４を形成する部分の保護膜３４を除去す
る。
（５）多結晶シリコン膜３５を成膜する。
（６）多結晶シリコン膜３５をエッチング加工して、可
動電極１２、支持構造体１３及び固定部１４を形成す
る。なお、この際、可動電極１２には複数の貫通孔３６
を図１Ａに示したようにマトリクス状に設ける。
【００１９】（７）ＳｉＯ2 保護膜３７を表裏全面に成
膜する。
（８）表側（可動電極１２側）のＳｉＯ2 保護膜３４，
３７をパターニングし、可動電極１２の各貫通孔３６に
対応する部分に基板１１上の多結晶シリコン膜３３に至
る貫通孔３８を形成する。また、可動電極１２及び支持
構造体１３の外形に対し、保護膜３４，３７の外形（大
きさ）がわずかに大となるようにパターニングし、固定
部１４の外形に対しては所要量大きくなるようにパター
ニングする。
【００２０】（９）ＫＯＨ溶液により、基板１１をエッ
チングする。ＫＯＨ溶液は各貫通孔３８を通って多結晶
シリコン膜３３に達し、等方性のエッチング性を有する
この多結晶シリコン膜３３がエッチング液（ＫＯＨ溶
液）の侵入路として機能することにより、基板１１が露
出され、異方性エッチングされて凹部３１が形成され
る。なお、固定部１４の下に位置する多結晶シリコン膜
３３は上記したように、所要量大きな保護膜３４，３７
が存在しているため、エッチングされずに残る。
【００２１】（１０）保護膜３４，３７を除去する。
以下、図には示していないが、可動電極１２上にマイク
ロミラー１５を設置して、光スイッチ３２が完成する。
【００２２】上記のような製造方法を採用することによ
り、可動電極１２、支持構造体１３等を成膜形成した
後、それらが形成された側から基板１１をエッチング加
工して、可動電極１２の変位を可能とする所要の深さを
有する凹部３１を形成することができ、かつその凹部３
１の底面が固定電極面となる。従って、従来の光スイッ
チ１８の製造方法において必要であった貼り合わせ工程
は不要となり、その分精度良く、かつ簡易に製造できる
ものとなる。
【００２３】また、従来のように基板１１に貫通孔１６
を設ける必要はなく、つまり基板１１が枠状をなすもの
ではないため、従来枠幅を確保すべく必要とした領域は
不要となり、その分小型な光スイッチ３２を得ることが
できる。図３は２×２マトリクス光スイッチを構成した
場合の、従来のものと本発明によるものとの大きさを比
較した概念図である。
【００２４】図３Ａに示した従来のものでは、例えば４
００μｍ厚の基板１１で異方性エッチングにより貫通孔
１６を形成した場合、基板表面において１ｍｍ□の貫通
孔１６を形成するためには、基板裏面に約１．６ｍｍ□
のエッチング窓１６ａを形成しなければならず、枠状を
なす基板１１の強度、接着面積等から、最低でも幅
Ｗ 1 ，Ｗ2 が１ｍｍ程度必要となり、図から明らかなよ
うにこの枠部分の面積ロスは極めて大きいものとなる。
【００２５】これに対し、図３Ｂに示した本発明による
光スイッチ構造では上述のような枠部分を必要とせず、
隣接するスイッチ素子間の距離を非常に短く（例えば１
０μｍ以下）することができ、この点で小型化に極めて
適した構造となっている。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
より製造された光スイッチは、図４に示した従来の光ス
イッチ１８のように基板１１の枠状領域をスイッチ素子
領域の周囲に設ける必要がないため、光スイッチを大幅
に小型化することができる。さらに、小型化により光路
をより短くすることができるため、その点で光学的な性
能の向上を図ることができる。
【００２７】また、従来の光スイッチ１８のような貼り
合わせ構造を用いるものではないため、例えば貼り合わ
せによる固定電極面の位置精度の低下あるいは接着時の
応力の影響といった問題を解消することができ、さらに
貼り合わせを必要としない分、製造工程を簡易化するこ
とができる。なお、請求項１の発明によれば基板１１の
表面、つまり可動電極１２等と対向する側に固定電極面
を構成し、かつ可動電極１２の所要の変位を可能とする
凹部３１を簡易かつ良好に形成することができる。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
[0001]
The present invention relates to an optical communication system, for example.
Optical switches used in systemsMade ofAbout the manufacturing method
You.
[0002]
2. Description of the Related Art An example of a conventional structure of this type of optical switch is shown below.
As shown in FIG. Movable on the substrate 11 in parallel with the surface of the substrate
An electrode 12 is arranged. The movable electrode 12 is rectangular in this example
And the two opposite sides form a frame as shown in the figure.
The support structure 13 is connected to and supported by the support structure 13.
The other ends of the support structures 13 are respectively connected to the fixing portions 14.
And the fixing portion 14 has a structure installed on the substrate 11.
I have.
The movable electrode 12 is a flexible supporting structure.
13 to support the substrate surface
The movable electrode 12 can be displaced in the vertical direction.
Is mounted with a micro mirror 15. On the other hand, the substrate 11
In the portion facing the movable electrode 12 and the support structure 13
Is such that the through hole 16 opens in a square shape as shown in the figure.
The fixed electrode is formed in the through hole 16.
A conductive substrate 17 is provided.
The conductive substrate 17 has a shape matching the through hole 16.
And is bonded from the back side of the substrate 11
To be integrated with the substrate 11. The guide located in the through hole 16
The upper surface of the conductive substrate 17, that is, the fixed electrode surface is the surface of the substrate 11.
Is located at a position lower by a predetermined amount, thereby
The structure is such that a required displacement amount of the pole 12 can be secured.
[0005] The optical switch 18 having the above structure
In, the movable electrode 12 is driven by electrostatic attraction
The movable electrode 1 is displaced in a direction perpendicular to the surface of the substrate.
2 and the micromirror 15 standing upright on the substrate surface
Displacement in the vertical direction allows the
Can switch the optical path of the incoming light beam
It has become.
In FIG. 4A, reference numerals 21a to 21c denote, for example, this light.
2 shows an optical fiber disposed around the switch 18;
Reference numeral 2 denotes incident light incident on the optical switch 18, 23a and 23
b indicates the emitted light. Micro mirror 15 is inserted in the optical path
Incident light 22 is reflected by the micro mirror 15
Outgoing light 23a is incident on the optical fiber 21b.
You. On the other hand, when the micro mirror 15 is not inserted into the optical path
Indicates that the incident light 22 proceeds as it is to become the output light 23b,
The light enters the optical fiber 21c.
FIG. 5 shows the optical switch 18 shown in FIG.
The manufacturing method is shown in the order of the steps.
Will be described.
(1) Prepare the substrate 11. In this example, as the substrate 11,
Is a silicon substrate.
(2) SiO on the substrate 11TwoA protective film 24 is formed.
(3) Protective film on the part where the fixing part 14 is formed
24 is removed.
(4) As a material constituting a movable body such as the movable electrode 12,
A polycrystalline silicon film 25 is formed.
(5) The polycrystalline silicon film 25 is etched and
Forming a moving electrode 12, a support structure 13, and a fixing portion 14;
You.
(6) SiOTwoProtective film 26 is formed on both front and back surfaces.
Film.
(7) The movable electrode 12 and the support structure 1 on the back surface of the substrate 11
The protective film 26 at the position corresponding to No. 3 is removed.
(8) The substrate 11 is etched with a KOH solution and penetrated.
A hole 16 is formed.
(9) The protective films 24 and 26 are removed.
(10) A fixed electrode on which required processing has been performed is configured.
Bonding the conductive substrate 17 to be formed from the back surface of the substrate 11
You. This conductive substrate 17 is also a silicon substrate in this example.
It is.
Hereinafter, although not shown in the figure, a microphone is placed on the movable electrode 12.
The optical switch 18 is completed by installing the mirror 15.
[0011]
However, as described above,
Formed through hole 16 by etching from the back of substrate 11
Then, when the conductive substrate 17 is bonded from the back surface of the substrate 11,
In such a structure, the substrate 11 has a frame shape, so that its strength and
It is necessary to secure the required frame width considering the bonding area
4A, the device area surrounded by a broken line 18a in FIG.
The entire optical switch 18 becomes large with respect to the area,
A silicon substrate was used as 11 and its anisotropic etchin
When the through hole 16 is formed by the
Since the opening area on the back surface of the substrate 11 becomes large,
Larger, which limits optical switch miniaturization
Was to be done.
[0012] Also, due to such bonding,
The lowering of the manufacturing accuracy is inevitable, and the upper surface of the conductive substrate 17
The accuracy of the position, that is, the position of the fixed electrode surface, is not good.
It had become a thing. In addition, a series of film formation and etchin
Bonding process (adhesion process) is required separately from the
Process, the process is complicated, and the
Was to be taken.
An object of the present invention is to address these conventional problems.
In view of the above, miniaturization can be achieved, with high accuracy and simplicity.
Structure of optical switch that can be manufactured and method of manufacturing the same
Is to provide a law.
[0014]
[Means for Solving the Problems]ThisAccording to the invention ofManufactured
Optical switchLocated on the board, parallel to the board surface
And can be displaced in the vertical direction with respect to the substrate surface.
Micro mirror is mounted on the movable electrode
Drive the poles to displace the micromirror
An optical switch that switches the optical path of the emitted light beam
Above, the substrate is made of a conductive material, and the surface of the substrate is etched.
A recess is formed by the etching process, and the bottom surface of the recess is
It is a fixed electrode surface that faces the movable electrode in parallel.
[0015]AndThe above substrate is a silicon substrate,
The moving electrode is formed by a polycrystalline silicon film. Claim
1The invention is directed to a bottom surface of a concave portion formed on a surface of a conductive substrate.
Is the fixed electrode surface, and it is possible to face parallel to the fixed electrode surface.
The moving electrode is fixed on the conductive substrate via the fixed part and the support structure.
Placed, the movable electrode is driven, and perpendicular to the fixed electrode surface
The microphone mounted on the movable electrode
The optical path of the incident light beam is
A method of manufacturing an optical switch having a structure to be performed,
The conductive substrate is a silicon substrate.
A polycrystalline silicon film is provided on the surface, and movable electrodes, support structures and
And the fixing part is SiOTwo After protection with a coating,
Using a KOH solution with the con film as an etchant entry path
By etching the silicon substrate from the movable electrode side
The recess is formed.
[0016]
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
An example will be described with reference to FIG. FIG.Made
BuiltLight switchHFIG. 4 corresponds to FIG.
Are given the same reference numerals. In this example, the substrate 11
Is formed of a conductive material, and the surface of the substrate 11 is etched.
The recess 31 is formed by the chining process.
Forms a fixed electrode surface whose bottom faces parallel to the movable electrode 12
That is, the substrate 11 itself forms a fixed electrode.
It is assumed that
FIG. 2 shows the optical switch 32 shown in FIG.
FIG. 2 shows a manufacturing method in the order of steps, with reference to FIG.
A method for manufacturing the optical switch 32 will be described.
(1) A substrate 11 made of a conductive material is prepared. This substrate 1
1 is a silicon substrate.
(2) A polycrystalline silicon film 33 is formed on the substrate 11.
(3) SiOTwoA protective film 34 is formed.
(4) The portion of the protective film 34 where the fixing portion 14 is to be formed is removed.
You.
(5) A polycrystalline silicon film 35 is formed.
(6) The polycrystalline silicon film 35 is etched and
Forming a moving electrode 12, a support structure 13, and a fixing portion 14;
You. At this time, the movable electrode 12 has a plurality of through holes 36.
Are provided in a matrix as shown in FIG. 1A.
(7) SiOTwoA protective film 37 is formed on the entire front and back.
Film.
(8) SiO on the front side (movable electrode 12 side)TwoProtective film 34,
37 is patterned into each through hole 36 of the movable electrode 12.
The corresponding portion reaches the polycrystalline silicon film 33 on the substrate 11.
A through hole 38 is formed. In addition, the movable electrode 12 and the support
The outer shape of protective film 34, 37 (larger
Patterning and fixing to slightly increase
Putter so that the required amount is larger than the outer shape of part 14
To synchronize.
(9) The substrate 11 is etched with a KOH solution.
Ching. The KOH solution passes through each through hole 38 and is polycrystalline.
Reaches the silicon film 33 and has isotropic etching properties
This polycrystalline silicon film 33 serves as an etching solution (KOH solution).
Liquid 11), the substrate 11
And is subjected to anisotropic etching to form a recess 31.
You. Note that the polycrystalline silicon film located below the fixing portion 14
As described above, reference numeral 33 denotes a large amount of protective films 34 and 37 as described above.
Is present and remains without being etched.
(10) The protective films 34 and 37 are removed.
Hereinafter, although not shown in the figure, a microphone is placed on the movable electrode 12.
The optical switch 32 is completed by installing the mirror 15.
By adopting the above manufacturing method,
Then, the movable electrode 12, the support structure 13, and the like were formed as films.
Thereafter, the substrate 11 is etched from the side where they are formed.
The required depth to allow the movable electrode 12 to be displaced.
Having the concave portion 31 and the concave portion 3
The bottom surface of 1 is a fixed electrode surface. Therefore, the conventional optical switch
Bonding process required in the method for manufacturing the h18
Is unnecessary, and it can be manufactured with high accuracy and ease.
It will be.
Further, as in the prior art, the through hole 16 is formed in the substrate 11.
Need not be provided, that is, the substrate 11 has a frame shape
Therefore, the area that was conventionally required to secure the frame width is
It becomes unnecessary, and a small optical switch 32 can be obtained.
it can. FIG. 3 shows a 2 × 2 matrix optical switch.
The size of the conventional one and the one according to the present invention.
It is the conceptual diagram which was compared.
In the conventional device shown in FIG.
Through hole by anisotropic etching on substrate 11 having a thickness of 00 μm
When 16 is formed, penetrate 1 mm square on the substrate surface
In order to form the hole 16, about 1.6 mm
Etching window 16a must be formed.
From the strength of the substrate 11 to be formed, the bonding area, etc., at least the width
W 1, WTwoIs required about 1 mm, which is clear from the figure.
Thus, the area loss of this frame portion is extremely large.
On the other hand, according to the present invention shown in FIG.
The optical switch structure does not require the frame portion as described above,
The distance between adjacent switch elements is very short (for example, 1
0 μm or less).
It has a suitable structure.
[0026]
As described above, according to the first aspect of the present invention,
YoThe optical switch manufactured, The conventional optical switch shown in FIG.
The frame-shaped region of the substrate 11 is switched by a switch element
No need to install around the area, so optical switch
Can be downsized. In addition, the optical path
Can be made shorter, so that
Performance can be improved.
In addition, as in the case of the conventional optical switch 18,
Because it does not use a laminated structure, for example,
Of the fixed electrode surface due to
Can solve problems such as the effects of stress, and
Since the bonding is not required, the manufacturing process can be simplified.
Can be. The claim1According to the invention of
Fixed electrode surface on the surface, that is, the side facing the movable electrode 12 etc.
And enables the required displacement of the movable electrode 12
The recess 31 can be formed easily and satisfactorily.
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａは請求項１の発明により製造された光スイッ
チの平面図、ＢはそのＣＣ断面図。
【図２】請求項１の発明の実施例を説明するための製造
工程図。
【図３】２×２マトリクス光スイッチを構成した場合の
従来のものと本発明によるものとの大きさを比較するた
めの図。
【図４】Ａは従来の光スイッチを示す平面図、Ｂはその
断面図。
【図５】図４の光スイッチの製造方法を説明するための
製造工程図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1A is an optical switch manufactured according to the invention of claim 1;
H is a plan view, and B is a CC cross-sectional view. FIG. 2 is a manufacturing process diagram for explaining the embodiment of the invention of claim 1 ; FIG. 3 is a diagram for comparing the size of a conventional device and that of the present invention when a 2 × 2 matrix optical switch is configured. FIG. 4A is a plan view showing a conventional optical switch, and FIG. FIG. 5 is a manufacturing process diagram for explaining the manufacturing method of the optical switch of FIG. 4;
Claims (1)
底面が固定電極面とされ、その固定電極面と平行対向す
る第１の多結晶シリコンでなる可動電極が上記シリコン
基板上に上記可動電極と一体の固定部及び支持構造体を
介して配置され、上記可動電極が駆動されて上記固定電
極面と垂直方向に変位することにより、上記可動電極上
に搭載されたマイクロミラーが変位して入射する光ビー
ムの光路切り換えが行われる構造とされた光スイッチの
製造方法であって、上記シリコン基板上に第２の多結晶シリコンを成膜し、
その上にＳｉＯ 2 被覆で保護された複数の貫通孔の形成
されている上記可動電極、上記支持構造体及び上記固定
部を作製した後に 、ＫＯＨ溶液により上記シリコン基板
を上記可動電極側からエッチングすることにより、上記
固定部の下部以外の上記第２の多結晶シリコンを等方性
エッチングし、更に上記シリコン基板を異方性エッチン
グして上記凹部を形成することを特徴とする光スイッチ
の製造方法。(57) Claims 1. A bottom surface of a concave portion formed on the surface of a silicon substrate is a fixed electrode surface, and a movable electrode made of first polycrystalline silicon is opposed in parallel to the fixed electrode surface. Is disposed on the silicon substrate via a fixed portion and a support structure integrated with the movable electrode, and the movable electrode is driven to be displaced in a direction perpendicular to the fixed electrode surface, whereby the movable A method for manufacturing an optical switch in which a micromirror mounted on an electrode is displaced to switch an optical path of an incident light beam, wherein a second polycrystalline silicon film is formed on the silicon substrate. ,
Formation of multiple through-holes protected by SiO 2 coating thereon
The movable electrode, the support structure, and the fixed
Parts were fabricated, after which, by etching the silicon substrate from the movable electrode side by a KOH solution, the
The above-mentioned second polycrystalline silicon other than the lower part of the fixing part is isotropic.
Etch and further anisotropically etch the silicon substrate
Method of manufacturing an optical switch, characterized in that by grayed forming the recess.
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