JP3411835B2

JP3411835B2 - アクティブ測距装置

Info

Publication number: JP3411835B2
Application number: JP29342998A
Authority: JP
Inventors: 文宣東野
Original assignee: ペンタックス株式会社
Priority date: 1998-10-15
Filing date: 1998-10-15
Publication date: 2003-06-03
Anticipated expiration: 2018-10-15
Also published as: JP2000121351A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はカメラ、ビデオカメ
ラ等に用いられて被写体距離を測距するための測距装置
に関し、特に受光センサとしてＣＣＤ素子を用いたアク
ティブ測距装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来からカメラ等の測距方式として、パ
ッシブ測距方式とアクティブ測距方式が用いられる。パ
ッシブ測距方式は、同じ光学系をもつ２つの受光センサ
で被写体のコントラストを検知し、各受光センサ上に投
影される被写体の視差から生じる位置のずれをもとに距
離を求める方式である。このパッシブ測距装置では、外
部の光源を利用するため、受光センサで検出できる被写
体の明るさがあれば測距可能であるが、被写体にコント
ラストがなかったり、暗い場合には測距精度が低下して
しまう。一方、アクティブ測距方式は、投光素子から光
を被写体に向けて照射し、被写体で反射した光を受光素
子で検知して被写体像の重心位置、すなわち被写体から
の反射光の重心位置を求め、この重心位置を利用した三
角測量法によって距離を求める方式である。このアクテ
ィブ測距装置では、被写体が光を反射しさえすれば被写
体が暗くても、コントラストがなくても、繰り返しパタ
ーンであっても測距が可能である点でパッシブ測距装置
よりも有利である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アクテ
ィブ測距方式は、光源からの反射光を検知して測距を行
う方式であるため、外光が明るい場合には受光素子で受
光した信号が、被写体で反射した外光と、発光素子で発
光した光とを明確に区別することが困難であり、反射光
の重心位置を検出することが難しく、高精度の測距が困
難になる。このため、従来のアクティブ測距装置では、
外光が所定の明るさ以上のときには、予め設定したデフ
ォルト距離に設定することが行われているが、このデフ
ォルト距離は固定的に設定されているため、外光の明る
さが変化して測距可能な距離が変化した場合にもデフォ
ルト距離が固定的に設定されることになり、好適な測距
距離を得ることができなくなる。また、従来では、前記
した外光と発光素子からの光を区別するために赤外光を
利用することが行われており、発光素子で赤外光を発光
し、その反射光を可視光とは受光領域の受光感度を低減
した受光素子において受光することでアクティブ測距を
実現している。このため、発光素子及び受光素子のいず
れも赤外光を発光、受光するための素子で構成する必要
があり、可視領域での発光、受光を行う汎用型の発光素
子や受光素子を用いることができず、また、赤外光と可
視光とを分離するためのフィルタ等の部品も必要にな
り、結局アクティブ測距装置の低価格化の障害になると
いう問題がある。

【０００４】本発明の目的は、可視光を用いるとともに
外光の変化に追従して高い精度の測距が可能なアクティ
ブ測距を実現することで、汎用型の発光素子及び受光素
子の使用を可能とし、低価格に提供することが可能なア
クティブ測距装置を提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、被写体に向け
て光を照射する発光素子と、ＣＣＤ素子で構成されて前
記被写体からの反射光を受光する受光センサと、前記受
光センサで受光した受光データに基づいて前記反射光の
重心を検出し、かつ前記被写体までの距離を測距するア
クティブ測距装置であって、前記発光素子を発光した状
態で検出した前記被写体の第１の受光データと、前記発
光素子の発光を停止した状態で検出した前記被写体の第
２の受光データとから前記発光素子で発光されて前記被
写体で反射された光の受光データのみを演算し、その演
算した演算データに基づいて前記重心を検出する演算手
段を備えており、前記演算手段は、前記演算により得ら
れた演算データのレベルを基準値と比較し、前記演算デ
ータのレベルが前記基準値よりも低い場合には測距距離
を予め設定した第１のデフォルト距離に設定し、また前
記演算手段は外光の明るさを検出し、前記明るさから得
られる測距可能距離を前記第１のデフォルト距離と比較
し、測距可能距離が前記第１のデフォルト距離より大き
いときには前記第１のデフォルト距離よりも長い第２の
デフォルト距離に設定変更する。

【０００６】また、前記演算手段は、前記第１の受光デ
ータと第２の受光データのそれぞれに対し、前記受光セ
ンサ内の所定の領域の受光データのみを抽出し、前記抽
出した受光データがそれぞれ等しいレベルとなるように
少なくとも一方の受光データを補正し、かつ補正した上
で補正された第１及び第２のデータの差を演算し、演算
により得られた演算データに基づいて前記重心を検出す
る構成とすることが好ましい。

【０００７】本発明では、発光素子を発光したときの第
１の受光データと、発光素子を発光しない状態の第２の
各受光データを演算することで、外光分を相殺して発光
素子の発光光のみのデータを演算により求めることがで
き、この演算したデータに基づいてアクティブ測距を実
行することで、外光が明るい場合にも高精度の測距が実
現できる。また、外光が明るく有効なアクティブ測距が
困難な場合にはデフォルト距離を援用し、かつこのデフ
ォルト距離を援用しなければならない場合においても、
外光の明るさに応じてデフォルト距離を変更することに
より、より実際の距離に近いデフォルト距離に設定する
ことが可能となる。

【０００８】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の測距装置を備えた小
型カメラの外観図であり、カメラボディ１０の上面に各
種スイッチ１１、ＬＣＤ表示部１２、レリーズボタン１
３が配設されており、かつ前面には撮影レンズ１４が配
設されるとともに、前記撮影レンズ１４の上側領域には
ファインダ窓１５、ストロボ１６が配設され、さらに前
記ファインダ窓１５と並んで測距装置１７が配設され
る。前記測距装置１７は、可視領域のいずれかの波長光
を発光可能なＬＥＤ（発光ダイオード）４０と、前記Ｌ
ＥＤ４０で発光された光をカメラの前方の被写体に向け
て集光する集光レンズ２１と、前記被写体で反射された
光を受光する受光素子、ここではＣＣＤ素子からなるラ
インセンサ３０と、前記被写体からの反射光を前記ライ
ンセンサ３０に結像する結像レンズ２２とで構成され
る。ここで、前記集光レンズ２１と結像レンズ２２とは
透明樹脂を一体成形した複合レンズ２０として構成され
ている。

【０００９】前記受光素子を構成するラインセンサ３０
は、図２に示すように、多数個の光素子を含むＣＣＤ素
子が直線状に配置された受光部３１を有しており、前記
受光部３１において受光した光を光素子（フォトダイオ
ード）で光電変換して電荷を蓄積し、この蓄積した電荷
をラインに沿って転送し、その端部に設けられた出力部
３２から電圧信号として出力することで、前記受光部３
１において受光した光の光強度を検出することが可能と
されるものである。そして、ここでは、前記ＬＥＤ４０
で発光して被写体で反射した光を受光する前記ラインセ
ンサ３０の中央側の領域の光素子を測距有効領域ＵＡと
して構成し、その両側の前記ＬＥＤ４０で発光して被写
体で反射した光を受光することがない領域の光素子を測
距無効領域ＮＡとして構成している。

【００１０】また、前記ラインセンサ３０はＣＣＤ駆動
回路５１を介してＣＰＵ５０に接続されるとともに、ラ
インセンサ３０の出力部３２からの出力信号が前記ＣＰ
Ｕ５０に入力される。また、前記ＬＥＤ４０はＬＥＤ駆
動回路５２を介して前記ＣＰＵ５０に接続される。前記
ＣＰＵ５０は、測距動作時には、後述するように内蔵Ｒ
ＯＭ５４に記憶されているプログラムに基づいて所定の
シーケンスでの測距動作を実行する。前記ＣＰＵ５０に
はＲＡＭ５３が接続されており、測距演算に必要とされ
る各種データを記憶する。

【００１１】以上の構成の測距装置による測距動作を説
明する。先ず、アクティブ測距の原理を図３の模式図を
参照して説明する。ＬＥＤ４０を発光してその発光光を
集光レンズ２１で集光して被写体に照射する。そして、
被写体において拡散反射した光を結像レンズ２２により
ラインセンサ３０に結像し、ラインセンサ３０では結像
された被写体像の重心を検出する。この重心は、被写体
像が結像されたラインセンサ３０を構成する複数のＣＣ
Ｄ素子のうち、最も光強度の高いＣＣＤ素子の位置とし
て検出すれば、被写体からの拡散反射光の光軸中心が検
出でき、この光軸中心を被写体像の重心位置とする。そ
して、被写体距離をＬとし、ＬＥＤ４０から結像レンズ
２２の光軸までの距離をＤ、結像レンズ２１とラインセ
ンサ３０との距離をｄ、検出した被写体像の重心位置か
ら前記光軸までの距離をｘとすると、（Ｌ＋ｄ）／Ｌ＝（Ｄ＋ｘ）／Ｄ …（１）これから、Ｌ＝（Ｄ・ｄ）／ｘ …（２）が求められる。

【００１２】次に、前記重心位置を検出する実施形態に
ついて説明する。前記したように、外光が明るい場合に
は、ＬＥＤ４０で発光して被写体に照射され、被写体か
ら反射した光の光強度は、外光を被写体で反射した光の
光強度とを識別することは困難になる。そこで、ここで
はＬＥＤ４０を発光しない場合の外光による被写体の反
射光を検出し、その検出データをＬＥＤ４０による被写
体の反射光から検出した検出データから差し引くことに
より、ＬＥＤによる被写体の反射光のみを抽出する方法
を採用する。この方法を図４のフローチャート及び図５
の信号レベル図を参照して説明する。先ず、ＣＰＵはＬ
ＥＤ駆動回路に信号を出力してＬＥＤを発光し、その発
光光を集光レンズを透して被写体に照射する（Ｓ１０
１）。また、これと同期してＣＰＵ５０はＣＣＤ駆動回
路５１に積分開始命令を出力し、これを受けてラインセ
ンサ３０はＬＥＤで発光されかつ被写体で反射された光
と外光による被写体の反射光が混合された光を受光して
その積分を開始し（Ｓ１０２）、かつ電荷蓄積終了命令
とともに積分を終了する（Ｓ１０３）。ラインセンサ３
０では受光部３１において蓄積した電荷がクロックに同
期して転送され出力部３２からＡ／Ｄ変換された電流又
は電圧のデータとして出力され、このデータは前記ＲＡ
Ｍ５３に格納され（Ｓ１０４）、そのデータＤＡＴＡ１
は例えば図５（ａ１）に示すデータとなる。

【００１３】次いで、ＣＰＵ５０はＬＥＤ駆動回路５２
を介してＬＥＤ４０の発光を停止する（Ｓ１０５）。そ
して、前記ステップＳ１０２と同様に、ラインセンサ３
０における積分を開始する（Ｓ１０６）が、ここではラ
インセンサ３０はＬＥＤ４０の発光光を受光することは
なく、外光による被写体の反射光を受光して積分を開始
し、電荷蓄積終了命令とともに積分を終了する（Ｓ１０
７）。この場合においても、ラインセンサ３０では受光
部３１において蓄積した電荷がクロックに同期して転送
され出力部３２からＡ／Ｄ変換された電流又は電圧のデ
ータとして出力される。このデータは前記ＲＡＭ５３に
格納され（Ｓ１０８）、そのデータＤＡＴＡ２は例えば
図５（ａ２）に示すデータとなる。

【００１４】しかる上で、図５（ｂ１）のように、ＣＰ
Ｕは前記ステップＳ１０２〜Ｓ１０４において検出した
データＤＡＴＡ１から、ラインセンサ３０の測距無効領
域ＮＡの複数の光素子、例えば１０個の光素子の各レベ
ルを抽出し、その平均レベルＬＡ１を計算する。また、
同様に、図５（ｂ２）のように、前記ステップＳ１０６
〜Ｓ１０８において検出したデータＤＡＴＡ２から、ア
クティブセンサの測距無効領域ＮＡの複数の光素子、前
記１０個の光素子と同一の光素子の各レベルを抽出し、
その平均レベルＬＡ２を計算する（Ｓ１０９）。そし
て、前記平均レベルＬＡ１とＬＡ２との比率を求め、そ
の比率を一方のデータ、ここではデータＤＡＴＡ２に乗
算し、データ補正を行う（Ｓ１１０）。例えば、図５
（ｂ１），（ｂ２）において、各レベルＬＡ１，ＬＡ２
の比率ＬＡ１／ＬＡ２＝１／２の場合には、データＤＡ
ＴＡ２に１／２を乗算する。これにより、図５（ｃ２）
に示すように、データＤＡＴＡ２のレベルが補正された
データＤＡＴＡ２’となり、図５（ｃ１）に示すデータ
ＤＡＴＡ１のレベルに等化される。しかる上で、データ
ＤＡＴＡ１と、補正されたデータＤＡＴＡ２’の差を演
算することにより（Ｓ１１１）、図５（ｄ）のように、
ラインセンサ３０の受光出力のうち、ＬＥＤ４０の発光
光による被写体の反射光の演算データＤＡＴＡ０のみが
算出される。

【００１５】したがって、この算出した演算データＤＡ
ＴＡ０のピーク位置の光素子を検出することで、ＬＥＤ
４０で発光され、被写体で反射された光の光軸位置、す
なわち被写体像における重心位置が検出でき、これに基
づいて前記（１），（２）式におけるｘを検出して演算
を行うことで被写体の測距が実現できる（Ｓ１１３）。
なお、前記被写体の測距演算に際しては、前記演算デー
タＤＡＴＡ０のピーク値を規定値と比較し（Ｓ１１
２）、演算データＤＡＴＡ０のレベルが規定値よりも小
さい場合には前記ステップＳ１０１〜Ｓ１１１を繰り返
し、得られた演算データＤＡＴＡ０を順次加算すること
によって、測距演算に十分なレベルを得ることが可能と
なる。これにより、アクティブ測距における外光の影響
を抑制し、高精度の測距が実現できる。

【００１６】ところで、外光の明るさ（Ｌｖ値）がある
程度以上のレベルになると、ＬＥＤによる反射光と、外
光による反射光との差である前記演算データＤＡＴＡ０
を測距演算に必要なレベルとして得ることが困難にな
り、アクティブ測距の精度が低下され、信頼性のある測
距データが得られなくなる。図６はその状態を示す図で
あり、アクティブ測距により得られる信頼性のある測距
値が、Ｌｖ値が増加するのに伴って低減されることが判
る。このため、Ｌｖ値があるレベル以上の場合には、測
距値を予め設定してあるデフォルト距離に設定すること
が行われる。このデフォルト距離は、通常２〜３ｍに設
定しておく。すなわち、カメラで撮影する場合の被写体
の距離は２〜３ｍ程度の場合が多いため、測距データに
信頼性が得られない場合には、このデフォルト距離を測
距値とすれば、撮影レンズによる被写界深度とあいまっ
て、ある程度焦点のあった写真を撮影する確率が高くな
ることに基づいている。

【００１７】しかしながら、前記したようにＬｖ値の増
加に伴って測距可能距離が短くなるということは、逆に
言えばＬｖ値が小さい場合には、信頼性のある測距値は
大きくなることであり、Ｌｖ値があるレベル以下の場合
には全ての測距値を一律に一定のデフォルト値に設定す
ることは、高精度な測距値を得る上で好ましくない。そ
こで、Ｌｖ値に基づいて前記デフォルト値を変化させる
ことが好ましい。図７はこのデフォルト値を変化する方
法を示すフローチャートであり、図８は変化したデフォ
ルト距離を示している。図７において、ステップＳ２０
１〜Ｓ２０８は、前記した被写体の重心を検出した際の
ステップＳ１０１〜Ｓ１０８と全く同じであり、その説
明は省略する。そして、ステップＳ２０９において、外
光による被写体の出力データＤＡＴＡ２を得た後、この
出力データＤＡＴＡ２とそのときの積分時間の関係から
外光のＬｖ値を検出する。または、図示を省略する外部
の測光装置からＬｖ値を検出する。そして、検出したＬ
ｖ値を図６の特性と対照し、測距可能な距離を算出する
（Ｓ２１０）。さらに、算出した測距可能な距離を、予
め設定されている第１のデフォルト距離と比較し（Ｓ２
１１）、測距可能な距離がデフォルト距離よりも小さい
場合には、デフォルト距離はそのまま維持して変更は行
わない。そして、この場合には、前記第１の実施形態の
ステップＳ１０９〜Ｓ１１１と同様にステップＳ２１３
〜Ｓ２１５において測距用データＤＡＴＡ０を算出す
る。なお、この測距用データＤＡＴＡ０を規定値と比較
し（Ｓ２１６）、規定値よりも大きい場合にはステップ
Ｓ２１７，Ｓ２１８において、前記得られた測距用デー
タＤＡＴＡ０に基づいて測距演算を実行する。また、ス
テップＳ２１６において、測距用データＤＡＴＡ０が規
定値よりも小さい場合には、前記第１の実施形態のよう
に繰り返し測距用データＤＡＴＡ０を検出して加算する
ようにしてもよいが、この実施形態では、測距用データ
ＤＡＴＡ０が規定値よりも小さい場合には、被写体距離
を直ちに前記第１のデフォルト距離に設定している（Ｓ
２１９）。

【００１８】一方、前記ステップＳ２１１において、ス
テップＳ２０９で検出されたＬｖ値に基づいて算出（ス
テップＳ２１０）された測距可能距離が、予め設定され
た第１のデフォルト距離（本実施形態の場合は２．０
ｍ）よりも大きい場合には、ステップＳ２１２におい
て、第１のデフォルト距離をかかる測距可能距離に応じ
たデフォルト距離に変更する。図８（ａ）は外光の明る
さが特定のＬｖ値における測距可能距離、すなわち、外
光の明るさが特定のＬｖ値の時に、ＬＥＤ４０からの発
光光が被写体に照射され、被写体から反射して受光部で
受光したときに得られる被写体の反射光の演算データ
（ステップＳ１１１で得られるものと同じ）がある既定
値に達することができると予想される最遠到達距離との
関係並びに第１のデフォルト距離が、前記測距可能距離
となるときのＬｖとの関係を示す図であり、前記ステッ
プＳ２１１においては、ステップＳ２１０で算出された
測距可能距離が、第１のデフォルト値（２．０ｍ）より
も大きいときには、図８（ａ）に示された測距可能距離
を、図８（ｂ）に示されるように、それぞれ１．２倍
し、１．２倍された値をかかる測距可能距離に対応した
デフォルト距離として変更し、Ｌｖ値が１３．９以上の
ときには、図８（ａ）に示すように、測距可能距離は２
ｍ以下となるので、デフォルト距離の変更は行わない
（すなわち、第１のデフォルト距離のまま）ことにな
る。すなわち、例えば、ステップＳ２０９にて検出され
たＬｖ値がＬｖ１２とすると、ステップＳ２１０におい
て算出される測距可能距離は、図８（ａ）から分かるよ
うに３．９ｍとなり、ステップＳ２１１での判定は“Ｙ
ｅｓ”となって、ステップＳ２１２において第１のデフ
ォルト距離２．０ｍは、図８（ｂ）に示されるＬｖ１２
に対応したデフォルト距離４．７ｍに変更される。これ
により、ステップＳ２１６において、被写体の反射光の
演算データが、ある既定値以上の出力として得られない
場合には、かかる演算データに基づいて算出される測距
データの信頼性は低く測距不能と判断し、ステップＳ２
１２において変更或いは変更されなかったデフォルト距
離（４．７ｍ）がステップＳ２１９において測距値とし
て設定され、測距を終了する。このことは、被写体の反
射光の演算データがある既定値以上の出力として得られ
ない場合には、被写体は測距可能距離より遠方にあると
判断して、測距値をデフォルト値として処理することに
より、少しでも被写体に近い距離にデフォルト距離を近
づけようとすることを意味する。なお、被写体の反射光
の演算データがある既定値以上の出力として得られる場
合には、ステップＳ２１７及びステップＳ２１８におい
て、その演算データに基づいて測距データを算出し、決
定する。

【００１９】したがって、前記実施形態では、アクティ
ブ測距方式の短所であった、外光が明るい場合にも高精
度のアクティブ測距が実現できることになり、特に外光
が明るくデフォルト距離を援用しなければならない場合
においても、より実際の距離に近いデフォルト距離に設
定することが可能となる。また、赤外光を用いることな
く可視光によりアクティブ測距が実現でき、発光素子及
び受光素子として赤外光用の高価な部品を使用する必要
がなく、安価に構成することも可能となる。

【００２０】なお、本発明の測距装置は、銀塩フィルム
を用いるカメラの測距装置としての適用はもとより、デ
ジタルカメラ、ビデオカメラ等の種々のカメラへの適用
が可能である。また、本発明の測距装置をＡＦ装置と組
み合わせることにより、極めて高精度のＡＦ撮影が実現
できる。

【００２１】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、発光素子
を発光したときの第１の受光データと、発光素子を発光
しない状態の第２の各受光データを演算することで、外
光分を相殺して発光素子の発光光のみのデータを演算に
より求めることができ、この演算したデータに基づいて
アクティブ測距を行うとともに、演算したデータが基準
値よりも低い場合には測距距離を予め設定した第１のデ
フォルト距離に設定しているので、外光が明るい場合に
も高精度の測距が実現できる。また、外光が明るくデフ
ォルト距離を援用しなければならない場合においても、
外光の明るさから得られる測距可能距離が第１のデフォ
ルト距離より大きいときには当該第１のデフォルト距離
よりも長い第２のデフォルト距離に設定変更することに
より、より実際の距離に近いデフォルト距離に設定する
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の測距装置をカメラに適用した実施形態
の斜視図である。

【図２】図１の測距装置の平面構成を示す図である。

【図３】アクティブ測距による測距データの演算を説明
するための模式図である。

【図４】アクティブ測距の工程を説明するためのフロー
チャートである。

【図５】重心を検出する際の受光データの処理工程を説
明するための図である。

【図６】Ｌｖ値と測距可能距離との相関を示す図であ
る。

【図７】デフォルト距離を援用するアクティブ測距の工
程を説明するためのフローチャートである。

【図８】デフォルト距離の変更例を示す図である。

【符号の説明】

１０カメラボディ１３レリーズボタン１４撮影レンズ１５ファインダ窓１７測距装置２０複合レンズ２１集光レンズ２２結像レンズ３０ラインセンサ３１受光部３２出力部４０ＬＥＤ５０ＣＰＵ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01C 3/06 G01B 11/00 G02B 7/32 G03B 13/36

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】被写体に向けて光を照射する発光素子
と、ＣＣＤ素子で構成されて前記被写体からの反射光を
受光する受光センサと、前記受光センサで受光した受光
データに基づいて反射光の重心を検出し、かつ前記被写
体までの距離を測距するアクティブ測距装置であって、
前記発光素子を発光した状態で検出した前記被写体の第
１の受光データと、前記発光素子の発光を停止した状態
で検出した前記被写体の第２の受光データとから前記発
光素子で発光されて前記被写体で反射された光の受光デ
ータのみを演算し、その演算した演算データに基づいて
前記重心を検出するとともに、前記第２の受光データ及
びそのときの前記受光センサの電荷蓄積時間から求めら
れる外光の明るさ、または外部の測光装置から得られる
外光の明るさを検出し、前記明るさから得られる測距可
能距離を演算する演算手段を備え、前記演算手段は、前
記演算により得られた演算データのレベルを基準値と比
較し、前記演算データのレベルが前記基準値よりも低い
場合には測距距離を予め設定した第１のデフォルト距離
に設定し、前記測距可能距離が前記第１のデフォルト距
離よりも大きいときには前記第１のデフォルト距離より
も長い第２のデフォルト距離に設定変更することを特徴
とするアクティブ測距装置。
【請求項２】前記演算手段は、前記第１の受光データ
と第２の受光データのそれぞれに対し、前記受光センサ
内の所定の領域の受光データのみを抽出し、前記抽出し
た受光データがそれぞれ等しいレベルとなるように少な
くとも一方の受光データを補正し、かつ補正した上で補
正された第１及び第２の受光データの差を演算し、演算
により得られた演算データに基づいて前記重心を検出す
る請求項１に記載のアクティブ測距装置。
【請求項３】前記演算手段は、前記発光素子で発光し
かつ被写体において反射される光が受光されない領域に
おいて受光された受光データを抽出する請求項２に記載
のアクティブ測距装置。