JP3409670B2 - 外観検査方法およびその装置 - Google Patents
外観検査方法およびその装置Info
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Description
ォトマスク,磁気ディスク等の検査対象基板上に掲載さ
れたパターンを検出して,欠陥検査を行うパターン検
査,異物検査等の技術に関する。
は,図1〜図3に示す方式のものが知られている。
である。同図にてXYステージ1上に設置されたZθステー
ジ2上には被検査物である半導体ウェーハが設置されて
いる。この半導体ウェーハ3の上方には,照明光源4か
らの照明光を半導体ウェーハ3側へ向けるハーフミラー
6があり,ここで反射された照明光は,対物レンズ5を
経て,半導体ウェーハ3を照明する。半導体ウェーハ3
からの反射光は対物レンズ5,ハーフミラー6を経て,
検出光としてラインセンサ7で受光される構成となって
いる。ラインセンサ7で受光された検出光はA/Dコンバ
ータ8を通じてデジタル画像信号に変換され,設計デー
タパターン発生回路9によって生成されるデータと信号
比較手段10にて比較が行われる。この時両者の信号に
不一致となる個所があった場合にはいづれかのパターン
に欠陥があると判定できるものである。
物である。これは図1で述べた照明から検出までの一連
の光学系を2組持ち(図1と同じ符号の物は同等の機能を
有する物である),双方のラインセンサ7で受光された
信号はA/Dコンバータ8を通じてデジタル画像信号に変
換された後に,信号比較手段10にて比較を行い欠陥判
定ができるものである。
物である。これも図1で述べた照明から検出までの一連
の光学系を持ち,最初の走査領域で検出した検出信号を
画像記憶回路11に記憶させた後に,次の走査領域で選ら
れる検出信号と信号比較手段10にて比較を行うことで
検出信号の不一致を検出し欠陥があると判定できるもの
である。
観検査を行う上で共通して用いられる欠陥位置を特定す
る考え方である。欠陥の存在しないチップA及びCと欠
陥aの存在するチップBの3つのチップの比較結果にお
いて,チップBの欠陥はチップA,B領域による比較結
果ABおよびチップB,C領域による比較結果BCの2
度の不一致情報として検出される。これにより3つの比
較結果の情報から実際に欠陥が存在する位置を特定する
ものである。
に示した従来技術では下記のような問題点があることが
わかっている。
は,あらかじめ膨大な設計データを用意しておく必要が
あり,さらにこの設計データを元に比較検査を行える形
式にデータを変換する必要があり,検査の前段階におけ
る処理が増大するため,高密度な半導体パターンを高精
度に検査を行うには現実的でない。
に2チップ比較は2眼の特性を生かして同時に2つの領
域の比較が可能であるため検査効率が良好であるとされ
ているが,半導体ウェーハ検査のような精度の要求され
る検査を行うために2系統の独立した光学系の特性を揃
えることは難しく,比較的離れた位置にあるチップ領域
を比較する際に各領域で検査条件を一致させることが困
難であった。
高速検査を行えるという点で現在の主流といえる方式で
あるが,上記で述べた欠陥位置を特定するための処理を
考慮した場合に走査処理の効率が十分に良いとはいえな
い。以下にこの理由を示す。
上にチップA〜Cが配列されている場合,1行分の走査
で画像を検出できるチップの縦方向は検出を行うライン
センサの画素数によって拘束される。従って通常ライン
センサを用いた場合には,チップA〜Cを走査方向に短
冊状の領域a〜cに分割して,この領域をa〜c毎に走
査することが効率的である。これを複数の行列方向に配
列されているチップに適用した際の従来技術による検査
シーケンス例(その1)が図6である。同図では簡略化
のため8つのチップにて示している。
領域a〜cに分けて走査を行う場合,の場所から走査
を開始してチップAのaの短冊状の領域(以下,領域A
−aと表記)の画像の検出を行い,この検出信号A−a
と領域B−aを連続して走査して得られた検出信号B−
aの比較を行う。次に領域C−aを走査して得られた検
出信号C−aを上記検出信号B−aと比較する。このよ
うに順次隣接するチップ間の領域a同士のパターン比較
を行う。
ップの全ての領域aの走査を完了した後に上段E〜Hの
走査を行うことになるが,この時に下段の最終チップD
と上段の先頭チップEとの比較を行う必要がある。その
ためステージは同図に一点鎖線の〜で示すような大
きな走査を行うことになる。実際の半導体ウェーハでは
さらに多くのチップが高密度に配列されているためステ
ージの無駄な移動が多くなり検査効率を下げる要因とな
り問題である。
る考え方を適用する場合には、各検査領域に対して比較
対照が2つづつ存在する必要があるが,図6の斜線でハ
ッチングを施した領域は、比較対照が1つづつしか存在
しないために欠陥位置を特定できなくなり、正しく検査
できない領域となる。即ち、図6の斜線でハッチングを
施した領域に対応する半導体ウェハの周辺領域のチップ
は、従来の欠陥検査方式では検査することができない領
域となり、半導体ウェーハの全面を正しく検査できなか
った。
内部で同一形状のパターンが繰り返して存在する領域を
検査する場合にも、同一パターンの繰り返し領域の端部
のパターンは検査することができなかった。また、この
最終チップDと上段の先頭チップEとを比較する場合、
半導体ウェーハにおける面内の特性のばらつきにより検
出信号のレベルやノイズレベルが異なり、単純に比較を
行うことが困難となる場合もある。したがって、走査行
が移る場合にも、ウェハの面内の特性のばらつきによる
影響を小さくするために、近接したチップ間でパターン
比較を行わなければならなかった。
(その2)を示す。
検査できない領域をなくすために,ある一連の短冊状の
領域の先頭(領域A−a)と最後尾(領域E−a)では,そ
れぞれ隣接チップの一つ隣のチップを検出することで各
検査領域に対して必ず比較対照が2つづつ存在するよう
に走査方法を設定したものである。の場所から走査を
開始してはじめに領域C−aの画像検出を行い,次に領
域A−aの画像を検出して比較を行うが,このときライ
ンセンサの走査を領域C−a捜査時とは逆方向に行い,
画像記憶領域からのデータの読み出しを逆のアドレス
(検出画像C−aの右端から)から行うことで比較を可能
とし,以降は,領域B−a,C−a,D−aと順次隣接
領域での検出及び比較を行う。
域aの走査を完了した後にの位置で折り返して上段H
〜Eの走査を行うことになるが,上段の走査を行う際に
ラインセンサの走査を下段とは逆方向に行い,画像信号
D−aの画像記憶手段からのデータの読み出しを逆のア
ドレス(検出画像D−aの右端から)から行うことで比較
を可能とし,以下同様に走査を行うことで検査効率の向
上を図っている。ところがこの方式においては,検査が
できない領域をなくすために被検査領域以上に走査を必
要とするため,ステージの無駄な移動が多くなり検査効
率を下げる要因となり問題である。
(その3)を示す。この方法は,検査効率を優先しても
っとも少ない移動量で走査を行うが,上記図4で述べた
欠陥位置を特定する考え方を適用する場合には先述の理
由で,ステージが折り返しを行う位置(斜線のハッチン
グ部)では正しく検査ができなくなる。
のであり,その目的は、半導体ウェハ上に形成された複
数のチップ間のパターンを比較検査する場合に、半導体
ウェハの周辺に形成されたチップに対してもそれ以外の
部分に形成されたチップと同等の比較検査が行えるよう
にした外観検査方法及びその装置を提供することにあ
る。
形成されたチップ内の同一形状のパターン同士を比較検
査する場合に、チップの周辺に掲載されたパターンに対
してもそれ以外の部分に形成されたパターンと同等の比
較検査が行えるようにした外観検査方法及びその装置を
提供することにある。
査効率と検査の信頼性を向上することのできる技術を提
供することある。
置を特定する考え方では3つのチップに対して順次比較
を行い,連続して不一致情報が得られた欠陥候補は実際
には中央のチップBが欠陥の存在領域であると特定して
いたが,ここで図9に示すように比較結果AB,BCで
それぞれ不一致,一致あるいは,一致,不一致という情
報が得られた欠陥候補は中央でないチップA,チップC
がそれぞれの存在領域であることが特定できる。この考
え方を採用することで,実施例で述べたような,列の先
頭あるいは最終領域に対する欠陥位置の特定のための余
分な画像走査を行うことがない効率の良い検査を実現
し,かつ欠陥位置が特定できないと言った問題を解消す
ることが出来る。
ある外観検査における走査軌跡と内部で処理されるの不
一致および一致情報の1例として得られる各差画像の状
態を示す,図11には本発明の第1の実施例である外観
検査装置の構成を示す。
うにXYステージ1上に設置されたZθステージ2上には被
検査物である半導体ウェーハが設置されている。この半
導体ウェーハ3の上方には,照明光源4からの照明光を
半導体ウェーハ3側へ向けるハーフミラー6があり,こ
こで反射された照明光は,対物レンズ5を経て,半導体
ウェーハ3を照明する。半導体ウェーハ3からの反射光
は対物レンズ5,ハーフミラー6を経て,検出光として
ラインセンサ7で受光される構成となっている。ライン
センサ7で受光された検出光はA/Dコンバータ8を通じ
てデジタルの画像信号に変換されるが,最初の走査領域
で検出した検出信号を画像記憶回路11に参照画像として
記憶させた後に,次の走査領域で選られる検出画像を差
画像算出手段14にて差画像の算出を行うが,ここで図
10に示すように半導体ウェーハ3上にチップA〜Hが配
列されている場合について,同図の欠陥例X〜Zの検出を
交えて説明すると以下のようになる。図10のの場所
から検出を開始して,初めに領域A−aの画像を参照画
像として検出する。これが参照画像が検出領域列の先頭
である場合である。次に領域B−aの画像を検出画像と
して検出し,差画像算出手段14により差画像ABが作成
され一致・不一致情報として一致・不一致情報記憶手段
に記憶される。ここでは欠陥Xが差画像AB上の不一致
(欠陥候補d1)となる。続いて領域C−aの画像を検出し
て領域B−aと領域C−aの比較により差画像BCが作成
される。この段階で先に記憶した一致・不一致情報との
比較を行うと欠陥Xについては差画像ABからは不一致と
して,差画像BCからは一致(同じ位置に欠陥候補がな
い)として現れるので,欠陥位置判定手段13において
欠陥Xは実際はチップA上に存在すると特定する。欠陥
Yについてはさらに次の領域D−aの検出を行うと差画
像CD上にも欠陥Yの不一致(欠陥候補d2)が現れるが,
これが検出画像の検出領域列の最終領域である場合であ
る。この場合は,一致・不一致情報記憶手段12から差
画像CD内の不一致(欠陥候補d2)に対して差画像BC内
では一致として現れるため,欠陥位置判定手段13にお
いて欠陥Yは実際はチップD上に存在すると特定する。
ここで領域判定手段15は,参照画像が検出領域列の先
頭である場合には,参照画像はXYステージ1を高速に
折り返した直後の画像では画像ひずみを生じることもあ
るため,この領域では画像感度制御信号を差画像算出手
段14へ送り,欠陥検出感度を低下させてひずみによる誤
検出をさけられるようにするものである。
を行い,列の先頭あるいは最終領域においては前述の判
定を行うことで欠陥位置の特定のための余分な画像走査
を行うことがなくなり,かつ被検査領域の全面を正しく
検査することが可能となる。
対象にして比較を行っているが,比較の対象がNチップ
先(Nは自然数)のチップを対象とした場合にも上記と同
様の考え方が適用できることは言うまでもなく、かつ以
下のような利点がある。図12に示すようなプロセスや
露光の均一性等の不良による徐々に発生する欠陥は隣接
チップによる比較では十分な差がでないため欠陥部を不
一致として検出できない場合が,同図のように2チップ
先のチップとの比較を行えば差を顕著にすることができ
検出可能となる。しかし,元々3チップ比較による欠陥
位置の判定は多数決の原理で欠陥を決定しているため,
このような場所においてはパターンに差異があるかどう
かは判別できるが,それが欠陥であるかどうかはユーザ
が比較を行う両チップを見て確認する必要がある。この
場合の装置の構成はNチップ先のチップとの比較を行う
場合はNチップ分の画像を記憶する画像記憶手段を持ち
連続的に画像操作を行うことで実現できる。
検査における被検査領域の例とその検査時に内部で処理
される不一致および一致情報の例として得られる差画像
を示す,図14には本発明の第2の実施例である外観検
査装置のブロック構成を示す。
うにXYステージ1上に設置されたZθステージ2上には被
検査物である半導体ウェーハが設置されている。この半
導体ウェーハ3の上方には,照明光源4からの照明光を
半導体ウェーハ3側へ向けるハーフミラー6があり,こ
こで反射された照明光は,対物レンズ5を経て,半導体
ウェーハ3を照明する。半導体ウェーハ3からの反射光
は対物レンズ5,ハーフミラー6を経て,検出光として
ラインセンサ7で受光される構成となっている。ライン
センサ7で受光された検出光はA/Dコンバータ8を通じ
てデジタルの画像信号に変換される。最初の走査領域で
検出した検出画像と検出画像を画像移動手段17にて被
検査パターンの繰り返しピッチ分移動を行った(以下、
所定のピッチと示す。)画像を差画像算出手段14にて比
較を行うが,ここで図13に示すように半導体ウェーハ
3上に被検査領域である繰返しパターンが配列されてい
る場合について,同図の欠陥例の検出を交えて説明する
と以下のようになる。
にて所定のピッチ分移動を行った画像の差画像算出手段
14において差画像が作成される。以下、差画像とは検出
画像と所定のピッチ分移動した画像の共通な領域のみを
示すものとする。
じめに差画像の先頭より欠陥候補の検出を行っていくと
最初に欠陥DD1が差画像上の不一致(欠陥候補D1)として
検出される。このとき、不一致D1は差画像の先頭から所
定のピッチ分の範囲にあるため、D1からさらに所定のピ
ッチ分離れた差画像上の位置で欠陥候補が存在するかを
確認するが、この場合存在しないのでD1は被検査領域の
先頭から所定のピッチ分の領域に存在する欠陥であると
特定する。続いて欠陥DD2が不一致(欠陥候補D2)として
検出される。このとき、不一致D2は差画像の先頭および
最後から所定のピッチ分の範囲外にあるため、D2からさ
らに所定のピッチ分離れた差画像上の位置でD3が存在す
るためD3の座標がそのままDD2の座標であると特定す
る。
補D4)として検出される。このとき、不一致D4は差画像
の最後から所定のピッチ分の範囲にあるため、D4からさ
らに所定のピッチ分手前の差画像上の位置で欠陥候補が
存在するかを確認するが、この場合存在しないのでD4は
被検査領域の最後から所定のピッチ分の領域に存在する
欠陥であると特定する。以上の方法を用いることで,繰
り返しパターンである被検査領域の画像の先頭あるいは
最終領域においても正しく欠陥位置を特定した検査が可
能となる。この実施例では、一つの繰り返しパターンに
着目して説明を行ったが、実際の検査では複数の繰り返
しパターンである被検査領域を配列した半導体ウェーハ
3の検査を行う。
ン比較時の一致・不一致情報として差画像を用いて説明
を行っているが、欠陥判定に先立ち差画像よりあらかじ
め各一致・不一致情報を欠陥候補の座標データとして格
納しておき、その情報を用いて同じ論理で欠陥位置判定
を行っても同様の結果が得られる。
出手段としてラインセンサを用いて説明しているが,こ
れはTVカメラや,SEM画像等の光学系以外の検出画像
を用いた検査にも同様の考え方が適用できることは言う
までもない。
ば、半導体ウェハ上に形成された複数のチップ間のパタ
ーンを比較検査する場合に、半導体ウェハの周辺に形成
されたチップに対してもそれ以外の部分に形成されたチ
ップと同等の比較検査が行えるようになった。
形成されたチップ内の同一形状のパターン同士を比較検
査する場合に、チップの周辺に掲載されたパターンに対
してもそれ以外の部分に形成されたパターンと同等の比
較検査が行えるようになった。
終領域に対する欠陥位置の特定のための余分な画像走査
を行うことがなくなるため効率の良く,かつ半導体ウェ
ーハの全面を正しく検査することが可能となる。
略正面図である。
略正面図である。
略正面図である。
するチップの平面図である。
分けの状態を示す平面図である。
きない領域を説明する検査チップの平面図である。
きない領域を説明する検査チップの平面図である。
の平面図である。
プの平面図である。
及び欠陥例と差画像の状態を説明する検査チップの平面
図である。
概略構成を示す略正面図である。
す検査チップの平面図である。
を示す検査チップの平面図である。
略正面図である。
ーハ,4…照明光源,5…対物レンズ,6…ハーフミラ
ー,7…ラインセンサ,8…信号処理回路,9…設計デ
ータパターン発生回路,10…信号比較手段,11…画
像記憶手段,12…一致・不一致情報記憶手段,13…
欠陥位置判定手段,13a…欠陥位置判定手段,14…
差画像算出手段,15…領域判定手段,15a…感度制
御信号,16…繰返しパターン領域,17…画像移動手
段 A〜H…チップ,a〜c…領域,AB〜EF…差画像 dd1〜dd4…不一致(欠陥候補),D1〜D3…欠陥例 DD1〜DD4…不一致(欠陥候補)
Claims (8)
- 【請求項1】基板上に本来同一形状となるように整列し
て形成された複数のパターンを検査する方法であって、
前記同一形状となるように整列して形成された複数のパ
ターンのうち先頭と末尾のパターンを除いたパターンに
ついては、当該パターンの画像と当該パターンに隣接す
る両側のパターンの画像とのそれぞれの差画像を用いて
当該パターンを検査することを前記整列して形成された
複数のパターンについて順次行うと共に、前記整列して
形成された同一形状の複数のパターンのうちの先頭と末
尾のパターンについては、該先頭又は末尾のパターンと
当該パターンに隣接するパターンとの差画像の情報と該
隣接するパターンと該隣接するパターンの更に隣のパタ
ーンとの差画像の情報とを用いて検査することにより、
前記整列して形成された同一形状の複数パターンの列の
先頭から末尾までのパターンに対して検査することを特
徴とする外観検査方法。 - 【請求項2】被検査物体上に行方向に連続的に配置され
た複数の被検査領域を順次撮像して得た前記被検査領域
の画像のうち先に得た被検査領域の画像を参照画像とし
て記憶手段に記憶し、後に得た前記被検査領域の画像を
検査画像として前記記憶手段に記憶した前記参照画像と
比較して前記被検査領域に本来同一形状になるように形
成されたパターンの差異を欠陥として判定する被検査パ
ターンの外観検査方法であって,第一の参照画像と第一
の検出画像とを比較して得た第一の一致・不一致情報
と、前記第一の検出画像と同じ画像であって前記記憶手
段に記憶した第二の参照画像と第二の検出画像とを比較
して得た第二の一致・不一致情報とを用いて,前記被検
査物体上の欠陥の存在領域を特定することを特徴とする
外観検査方法。 - 【請求項3】前記参照画像は、検出画像に先立って検出
され記憶手段に記憶されていることを特徴とする請求項
2記載の外観検査方法。 - 【請求項4】前記検出画像と参照画像とを比較して両画
像の差画像を求めて該差画像を2値化することを順次行
い、該2値化した差画像間の一致情報と不一致情報とを
用いて、前記被検査物体上に行方向に連続的に配置され
た複数の被検査領域の先頭から末尾までについて欠陥の
存在領域を特定することを特徴とする請求項2記載の外
観検査方法。 - 【請求項5】被検査物体上に行方向に連続的に配置され
た複数の被検査領域を順次撮像して得た前記被検査領域
の画像のうち先に得た被検査領域の画像を参照画像とし
て記憶手段に記憶し、後に得た前記被検査領域の画像を
検査画像として前記記憶手段に記憶した前記参照画像と
比較して前記被検査領域に本来同一形状になるように形
成されたパターンの差異を欠陥として判定する被検査パ
ターンの外観検査方法であって,第一の参照画像と第一
の検出画像との差画像を2値化して第一の2値化画像を
求め、前記第一の検出画像と同じ画像であって前記記憶
手段に記憶した第二の参照画像と第二の検出画像との差
画像を2値化して第二の2値化画像を求め、前記第一の
2値化画像と前記第二の2値化画像とを用いて前記被検
査物体上に行方向に連続的に配置された複数の被検査領
域の先頭の被検査領域から最後の被検査領域に亘る全被
検査領域において欠陥の存在領域を特定することを特徴
とする外観検査方法。 - 【請求項6】前記パターンは繰り返しパターンであっ
て、前記検出画像と参照画像とは、前記繰り返しパター
ンの繰り返しピッチの整数倍ずらせたパターンの画像で
あることを特徴とする請求項2又は5に記載の外観検査
方法。 - 【請求項7】被検査物体上に行列方向に連続的に配置さ
れた複数の被検査領域の検出画像と参照画像を比較して
パターンの差異を欠陥として判定する被検査パターンの
外観検査装置であって,被検査物体上を行または列方向
に相対的に移動可能で前記被検査物体を撮像する撮像手
段と,該撮像手段で撮像して得た前記被検査物体の検出
画像を参照画像として記憶する画像記憶手段と,前記撮
像手段で撮像して得た検出画像と前記画像記憶手段に記
憶された参照画像とを比較して一致・不一致情報を出力
する比較手段と,該比較手段から出力された第一の検出
画像と第一の参 照画像とを比較して得た第一の一致・不
一致情報と前記比較手段から出力された第二の検出画像
と第二の参照画像とを比較して得た第二の一致・不一致
情報とを比較することにより欠陥位置を特定する欠陥位
置特定手段とを備えたことを特徴とする外観検査装置。 - 【請求項8】繰り返しパターンからなる被検査領域より
得られた検出画像と,これを上記パターンの繰り返しの
ピッチの整数倍分ずらせた画像を比較してパターンの差
異を欠陥として判定する被検査パターンの外観検査装置
であって,被検査物体上を行または列方向に相対的に移
動可能で前記被検査物体を撮像する撮像手段と,該撮像
手段で撮像して得た前記被検査物体の検出画像を記憶す
る画像記憶手段と,前記撮像手段で撮像して得た検出画
像と記憶手段に記憶された画像とを比較して差画像を生
成する比較手段と,該比較手段から出力された第一の検
出画像と第一の記憶された画像との差画像から生成した
第一の差画像と前記該比較手段から出力された第二の検
出画像と第二の記憶された画像との差画像から生成した
第二の差画像とを比較することにより欠陥位置を特定す
る欠陥位置特定手段とを備えたことを特徴とする外観検
査装置。
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JP32753197A JP3409670B2 (ja) | 1997-11-28 | 1997-11-28 | 外観検査方法およびその装置 |
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