JP3406523B2 - 電気光学サンプリングオシロスコープ - Google Patents
電気光学サンプリングオシロスコープInfo
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- JP3406523B2 JP3406523B2 JP30146698A JP30146698A JP3406523B2 JP 3406523 B2 JP3406523 B2 JP 3406523B2 JP 30146698 A JP30146698 A JP 30146698A JP 30146698 A JP30146698 A JP 30146698A JP 3406523 B2 JP3406523 B2 JP 3406523B2
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種信号の測定に
用いられる電気光学サンプリングオシロスコープに関す
る。
用いられる電気光学サンプリングオシロスコープに関す
る。
【0002】
【従来の技術】近時、例えば、2.4Gbpsという超
高速なビットレートの信号を扱う被測定回路の信号測定
には、被測定回路に擾乱を与えることなく測定可能な電
気光学サンプリングオシロスコープが用いられている。
ここで、上記電気光学サンプリングオシロスコープに
は、電気光学効果を利用して被測定信号を検出する電気
光学プローブが用いられる。
高速なビットレートの信号を扱う被測定回路の信号測定
には、被測定回路に擾乱を与えることなく測定可能な電
気光学サンプリングオシロスコープが用いられている。
ここで、上記電気光学サンプリングオシロスコープに
は、電気光学効果を利用して被測定信号を検出する電気
光学プローブが用いられる。
【0003】また、上述した電気光学サンプリングオシ
ロスコープは、 (1)信号を測定する際に、グランド線を必要としない
ため、測定が容易 (2)電気光学プローブの先端にある金属ピンが回路系
から各々絶縁されているので高入力インピーダンスを実
現でき、その結果被測定点の状態をほとんど乱すことが
ない (3)光パルスを利用することからGHzオーダーまで
の広帯域測定が可能といった特徴があることから、高速
化が進む通信情報システムの測定に特に用いられてい
る。
ロスコープは、 (1)信号を測定する際に、グランド線を必要としない
ため、測定が容易 (2)電気光学プローブの先端にある金属ピンが回路系
から各々絶縁されているので高入力インピーダンスを実
現でき、その結果被測定点の状態をほとんど乱すことが
ない (3)光パルスを利用することからGHzオーダーまで
の広帯域測定が可能といった特徴があることから、高速
化が進む通信情報システムの測定に特に用いられてい
る。
【0004】図5は、従来の電気光学サンプリングオシ
ロスコープに用いられる電気光学プローブの構成を示す
概略側面図である。この図において、4は、電気光学プ
ローブであり、被測定信号によって発生する電界を電気
光学結晶に対して作用させた状態で、該電気光学結晶に
レーザ光が入射されると、レーザ光の偏光状態が変化す
るという原理を用いて被測定信号の検出を行うものであ
る。
ロスコープに用いられる電気光学プローブの構成を示す
概略側面図である。この図において、4は、電気光学プ
ローブであり、被測定信号によって発生する電界を電気
光学結晶に対して作用させた状態で、該電気光学結晶に
レーザ光が入射されると、レーザ光の偏光状態が変化す
るという原理を用いて被測定信号の検出を行うものであ
る。
【0005】電気光学プローブ4において、5は、先端
部分がテーパ状に形成された金属ピンであり、図示しな
い信号線に当接される。この金属ピン5は、上記信号線
を伝送している被測定信号による電界を後述する電気光
学結晶7に作用させ易くする役目をする。6は、円板形
状の絶縁体であり、その裏面中央部には、金属ピン5の
端部が取り付けられている。すなわち、金属ピン5は、
絶縁体6により保持されている。電気光学結晶7は、B
SO(Bi12SiO20)が円柱形状に形成されてなり、
金属ピン5を介して結合された電界に応じて、一次の電
気光学変化であるポッケルス効果によりその屈折率が変
化するという光学的性質を有している。
部分がテーパ状に形成された金属ピンであり、図示しな
い信号線に当接される。この金属ピン5は、上記信号線
を伝送している被測定信号による電界を後述する電気光
学結晶7に作用させ易くする役目をする。6は、円板形
状の絶縁体であり、その裏面中央部には、金属ピン5の
端部が取り付けられている。すなわち、金属ピン5は、
絶縁体6により保持されている。電気光学結晶7は、B
SO(Bi12SiO20)が円柱形状に形成されてなり、
金属ピン5を介して結合された電界に応じて、一次の電
気光学変化であるポッケルス効果によりその屈折率が変
化するという光学的性質を有している。
【0006】8は、反射鏡であり、電気光学結晶7の裏
面に蒸着された誘電体多層膜ミラーである。この反射鏡
8は、電気光学結晶7を透過したレーザ光Laを反射す
る。電気光学結晶7は、反射鏡8を介して絶縁体6の表
面に接合されている。
面に蒸着された誘電体多層膜ミラーである。この反射鏡
8は、電気光学結晶7を透過したレーザ光Laを反射す
る。電気光学結晶7は、反射鏡8を介して絶縁体6の表
面に接合されている。
【0007】9は、略円筒形状のケースであり、円筒形
状の円筒部9bと、該円筒部9bの一端部にテーパ形状
に形成され、かつ軸線に沿って貫通穴が形成された先端
部9aとが一体に形成されている。この先端部9aに
は、上述した金属ピン5、絶縁体6、電気光学結晶7お
よび反射鏡8が各々収容されている。
状の円筒部9bと、該円筒部9bの一端部にテーパ形状
に形成され、かつ軸線に沿って貫通穴が形成された先端
部9aとが一体に形成されている。この先端部9aに
は、上述した金属ピン5、絶縁体6、電気光学結晶7お
よび反射鏡8が各々収容されている。
【0008】10は、コネクタ11と図示しないレーザ
発生装置との間を接続する偏光保持光ファイバである。
上記レーザ発生装置は、直線偏光のレーザ光Laを発生
する。また、コネクタ11は、その出射端11aから出
射されるレーザ光Laが電気光学結晶7および反射鏡8
に対して垂直に入射される位置に配設されている。12
は、コネクタ11の左方に配設されたコリメートレンズ
であり、レーザ光Laを平行光に変換する。
発生装置との間を接続する偏光保持光ファイバである。
上記レーザ発生装置は、直線偏光のレーザ光Laを発生
する。また、コネクタ11は、その出射端11aから出
射されるレーザ光Laが電気光学結晶7および反射鏡8
に対して垂直に入射される位置に配設されている。12
は、コネクタ11の左方に配設されたコリメートレンズ
であり、レーザ光Laを平行光に変換する。
【0009】13は、コリメートレンズ12の左方に配
設された偏光ビームスプリッタであり、紙面に対して平
行なレーザ光Laの偏光成分を直進させるとともに、上
記紙面に対して垂直なレーザ光Laの偏光成分を、レー
ザ光Laの直進方向に対して90度曲げて直進させる。
14は、偏光ビームスプリッタ13の左方に配設された
ファラデー素子であり、偏光ビームスプリッタ13を透
過したレーザ光Laの偏光を紙面に対して45度回転さ
せる。
設された偏光ビームスプリッタであり、紙面に対して平
行なレーザ光Laの偏光成分を直進させるとともに、上
記紙面に対して垂直なレーザ光Laの偏光成分を、レー
ザ光Laの直進方向に対して90度曲げて直進させる。
14は、偏光ビームスプリッタ13の左方に配設された
ファラデー素子であり、偏光ビームスプリッタ13を透
過したレーザ光Laの偏光を紙面に対して45度回転さ
せる。
【0010】15は、ファラデー素子14の左方に、結
晶軸方位が22.5度傾くように配設された1/2波長
板であり、ファラデー素子14により回転された偏光を
紙面に対して平行にする。16は、1/2波長板15の
左方に配設された偏光ビームスプリッタであり、偏光ビ
ームスプリッタ13と同一構成とされている。17は偏
光ビームスプリッタ16の左方に配設された波長板であ
り、偏光ビームスプリッタ16を透過したレーザ光La
の強度バランスを調整することにより、最終的に得られ
る電気光学プローブ4の出力信号のS/N(Signal/Nois
e)を調整する。
晶軸方位が22.5度傾くように配設された1/2波長
板であり、ファラデー素子14により回転された偏光を
紙面に対して平行にする。16は、1/2波長板15の
左方に配設された偏光ビームスプリッタであり、偏光ビ
ームスプリッタ13と同一構成とされている。17は偏
光ビームスプリッタ16の左方に配設された波長板であ
り、偏光ビームスプリッタ16を透過したレーザ光La
の強度バランスを調整することにより、最終的に得られ
る電気光学プローブ4の出力信号のS/N(Signal/Nois
e)を調整する。
【0011】18は、偏光ビームスプリッタ16の上方
に配設された第1のフォトダイオードであり、偏光ビー
ムスプリッタ16により分岐されたレーザ光Laを第1
の電気信号S1に変換して、これを図示しない差動増幅
器へ出力する。19は、偏光ビームスプリッタ13の上
方に配設された第2のフォトダイオードであり、偏光ビ
ームスプリッタ13により分岐されたレーザ光Laを第
2の電気信号S2に変換して、これを図示しない差動増
幅器へ出力する。
に配設された第1のフォトダイオードであり、偏光ビー
ムスプリッタ16により分岐されたレーザ光Laを第1
の電気信号S1に変換して、これを図示しない差動増幅
器へ出力する。19は、偏光ビームスプリッタ13の上
方に配設された第2のフォトダイオードであり、偏光ビ
ームスプリッタ13により分岐されたレーザ光Laを第
2の電気信号S2に変換して、これを図示しない差動増
幅器へ出力する。
【0012】上記構成において、図5に示す金属ピン5
の先端部が信号線(図示略)に当接されると、信号線を
伝送している被測定信号のレベルに応じた電界が電気光
学結晶7と結合される。これにより、電気光学結晶7の
屈折率が電界の強度に応じて変化する。この状態におい
て、図示しないレーザ光発生装置からレーザ光Laが出
射されると、該レーザ光Laは、コネクタ11の出射端
11aから出射された後、コリメートレンズ12、偏光
ビームスプリッタ13、ファラデー素子14、1/2波
長板15、偏光ビームスプリッタ16および波長板17
を介して電気光学結晶7の表面に入射される。
の先端部が信号線(図示略)に当接されると、信号線を
伝送している被測定信号のレベルに応じた電界が電気光
学結晶7と結合される。これにより、電気光学結晶7の
屈折率が電界の強度に応じて変化する。この状態におい
て、図示しないレーザ光発生装置からレーザ光Laが出
射されると、該レーザ光Laは、コネクタ11の出射端
11aから出射された後、コリメートレンズ12、偏光
ビームスプリッタ13、ファラデー素子14、1/2波
長板15、偏光ビームスプリッタ16および波長板17
を介して電気光学結晶7の表面に入射される。
【0013】この結果、電気光学結晶7内部を伝搬して
いるレーザ光Laの偏光状態が変化する。そして、偏光
変化を受けたレーザ光Laは、反射鏡8により反射され
た後、電気光学結晶7の表面から出射され、偏光ビーム
スプリッタ16により分岐される。上記分岐された一方
のレーザ光Laは、第1のフォトダイオード18により
第1の電気信号S1に変換され、該第1の電気信号S1
は、差動増幅器へ入力される。
いるレーザ光Laの偏光状態が変化する。そして、偏光
変化を受けたレーザ光Laは、反射鏡8により反射され
た後、電気光学結晶7の表面から出射され、偏光ビーム
スプリッタ16により分岐される。上記分岐された一方
のレーザ光Laは、第1のフォトダイオード18により
第1の電気信号S1に変換され、該第1の電気信号S1
は、差動増幅器へ入力される。
【0014】また、偏光ビームスプリッタ16により分
岐された他方のレーザ光Laは、偏光ビームスプリッタ
13により第2のフォトダイオード19方向へ分岐され
た後、第2のフォトダイオード19により第2の電気信
号S2に変換される。そして、該第2の電気信号S2は、
差動増幅器に入力される。これにより、差動増幅器にお
いては、第1の電気信号S1と第2の電気信号S2とが差
動増幅された後、差動増幅された信号が電気光学プロー
ブ4の出力信号として電気光学サンプリングオシロスコ
ープの入力端子に入力される。この結果、電気光学サン
プリングオシロスコープの表示部には、信号線を伝送し
ている被測定信号の波形等が表示される。
岐された他方のレーザ光Laは、偏光ビームスプリッタ
13により第2のフォトダイオード19方向へ分岐され
た後、第2のフォトダイオード19により第2の電気信
号S2に変換される。そして、該第2の電気信号S2は、
差動増幅器に入力される。これにより、差動増幅器にお
いては、第1の電気信号S1と第2の電気信号S2とが差
動増幅された後、差動増幅された信号が電気光学プロー
ブ4の出力信号として電気光学サンプリングオシロスコ
ープの入力端子に入力される。この結果、電気光学サン
プリングオシロスコープの表示部には、信号線を伝送し
ている被測定信号の波形等が表示される。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の電気光学サンプリングオシロスコープにおいては、
偏光変化を受けたレーザ光Laの偏光状態を第1のフォ
トダイオード18および第2のフォトダイオード19に
より直接検波するという、直接検波方式の構成が採用さ
れている。しかしながら、上述した電気光学サンプリン
グオシロスコープにおいては、直接検波方式を実現すべ
く、コリメートレンズ12、偏光ビームスプリッタ1
3、ファラデー素子14、1/2波長板15、偏光ビー
ムスプリッタ16および波長板17が用いられているた
め、光学系が複雑となるとともに、装置が大型になって
しまうという欠点もあった。本発明はこのような背景の
下になされたもので、光学系の構成を簡略化することが
でき、ひいては装置を小型にすることができる電気光学
サンプリングオシロスコープを提供することを目的とす
る。
来の電気光学サンプリングオシロスコープにおいては、
偏光変化を受けたレーザ光Laの偏光状態を第1のフォ
トダイオード18および第2のフォトダイオード19に
より直接検波するという、直接検波方式の構成が採用さ
れている。しかしながら、上述した電気光学サンプリン
グオシロスコープにおいては、直接検波方式を実現すべ
く、コリメートレンズ12、偏光ビームスプリッタ1
3、ファラデー素子14、1/2波長板15、偏光ビー
ムスプリッタ16および波長板17が用いられているた
め、光学系が複雑となるとともに、装置が大型になって
しまうという欠点もあった。本発明はこのような背景の
下になされたもので、光学系の構成を簡略化することが
でき、ひいては装置を小型にすることができる電気光学
サンプリングオシロスコープを提供することを目的とす
る。
【0016】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、基準レーザ光を発生する発光手段と、被測定信号に
より生じる電界が印加され、当該電界の強度に応じて屈
折率が変化する電気光学結晶と、前記電気光学結晶の裏
面に設けられた反射鏡と、前記反射鏡に隣接配置された
反射板と、前記基準レーザ光を平行光に変換し、当該平
行光を前記電気光学結晶の表面及び反射板に並行照射す
る一方、前記電気光学結晶を透過して前記反射鏡で反射
されて入射された信号光及び前記反射板で反射されて入
射された参照光を合波・集光し合波光として出射するレ
ンズと、前記合波光に基づいて被測定信号を検出する検
出手段とを具備することを特徴とする。また、請求項2
に記載の発明は、請求項1に記載の電気光学サンプリン
グオシロスコープにおいて、発光手段から入射された基
準レーザ光をレンズに向けて出射する一方、該レンズか
ら入射された合波光を検出手段に向けて出射する方向性
結合器をさらに備えることを特徴とする。また、請求項
3に記載の発明は、基準レーザ光を発生する発光手段
と、被測定信号により生じる電界が印加され、当該電界
の強度に応じて屈折率が変化する電気光学結晶と、前記
基準レーザ光を平行光に変換し、当該平行光の一部を前
記電気光学結晶に照射する第1レンズと、該第1レンズ
と電気光学結晶を挟んで対向配置され、電気光学結晶を
透過して入射された信号光及び電気光学結晶を通過する
ことなく入射された参照光を合波・集光し合波光として
出射する第2レンズと、前記合波光に基づいて被測定信
号を検出する検出手段とを具備することを特徴とする。
は、基準レーザ光を発生する発光手段と、被測定信号に
より生じる電界が印加され、当該電界の強度に応じて屈
折率が変化する電気光学結晶と、前記電気光学結晶の裏
面に設けられた反射鏡と、前記反射鏡に隣接配置された
反射板と、前記基準レーザ光を平行光に変換し、当該平
行光を前記電気光学結晶の表面及び反射板に並行照射す
る一方、前記電気光学結晶を透過して前記反射鏡で反射
されて入射された信号光及び前記反射板で反射されて入
射された参照光を合波・集光し合波光として出射するレ
ンズと、前記合波光に基づいて被測定信号を検出する検
出手段とを具備することを特徴とする。また、請求項2
に記載の発明は、請求項1に記載の電気光学サンプリン
グオシロスコープにおいて、発光手段から入射された基
準レーザ光をレンズに向けて出射する一方、該レンズか
ら入射された合波光を検出手段に向けて出射する方向性
結合器をさらに備えることを特徴とする。また、請求項
3に記載の発明は、基準レーザ光を発生する発光手段
と、被測定信号により生じる電界が印加され、当該電界
の強度に応じて屈折率が変化する電気光学結晶と、前記
基準レーザ光を平行光に変換し、当該平行光の一部を前
記電気光学結晶に照射する第1レンズと、該第1レンズ
と電気光学結晶を挟んで対向配置され、電気光学結晶を
透過して入射された信号光及び電気光学結晶を通過する
ことなく入射された参照光を合波・集光し合波光として
出射する第2レンズと、前記合波光に基づいて被測定信
号を検出する検出手段とを具備することを特徴とする。
【0017】
【発明の実施の形態】<第1実施形態>以下、図面を参
照して本発明の実施形態について説明する。図1は本発
明の第1実施形態による電気光学サンプリングオシロス
コープの要部の構成を示す図である。この図に示す電気
光学サンプリングオシロスコープは、ホモダイン検波に
より被測定信号を検出するものである。
照して本発明の実施形態について説明する。図1は本発
明の第1実施形態による電気光学サンプリングオシロス
コープの要部の構成を示す図である。この図に示す電気
光学サンプリングオシロスコープは、ホモダイン検波に
より被測定信号を検出するものである。
【0018】この図において、20は、図示しない電気
光学サンプリングオシロスコープの本体に設けられた発
光回路であり、基準レーザ光La0を光ファイバ21の
一端面へ出射する。22は、方向性結合器であり、光フ
ァイバ21を介して入射される基準レーザ光La0を光
ファイバ23の一端面に出射するとともに、光ファイバ
23を介して入射される後述する信号光La3を光ファ
イバ24の一端面に出射する。
光学サンプリングオシロスコープの本体に設けられた発
光回路であり、基準レーザ光La0を光ファイバ21の
一端面へ出射する。22は、方向性結合器であり、光フ
ァイバ21を介して入射される基準レーザ光La0を光
ファイバ23の一端面に出射するとともに、光ファイバ
23を介して入射される後述する信号光La3を光ファ
イバ24の一端面に出射する。
【0019】25は、電気光学プローブであり、前述し
たように、被測定信号によって発生する電界を電気光学
結晶に対して作用させた状態で、該電気光学結晶にレー
ザ光が入射されると、レーザ光の偏光状態が変化すると
いう原理を用いて被測定信号の検出を行うものである。
この電気光学プローブ25において、26は、レンズで
あり、光ファイバ23の他端面から出射される基準レー
ザ光La0を平行光に変換する一方、後述する信号光L
a1および参照光La2を集光して信号光La3として光
ファイバ23の他端面に出射する。
たように、被測定信号によって発生する電界を電気光学
結晶に対して作用させた状態で、該電気光学結晶にレー
ザ光が入射されると、レーザ光の偏光状態が変化すると
いう原理を用いて被測定信号の検出を行うものである。
この電気光学プローブ25において、26は、レンズで
あり、光ファイバ23の他端面から出射される基準レー
ザ光La0を平行光に変換する一方、後述する信号光L
a1および参照光La2を集光して信号光La3として光
ファイバ23の他端面に出射する。
【0020】27は金属ピンであり、28は電気光学結
晶であり、29は反射鏡である。これらの金属ピン2
7、電気光学結晶28および反射鏡29は、図5に示す
金属ピン5、電気光学結晶7および反射鏡8と同一構成
とされている。すなわち、電気光学結晶28は、金属ピ
ン27を介して結合された被測定信号による電界に応じ
て、一次の電気光学変化であるポッケルス効果によりそ
の屈折率が変化するという、光学的性質を有している。
また、反射鏡29は、電気光学結晶28の裏面に蒸着さ
れており、レンズ26を透過した基準レーザ光La0を
信号光La1として反射する。
晶であり、29は反射鏡である。これらの金属ピン2
7、電気光学結晶28および反射鏡29は、図5に示す
金属ピン5、電気光学結晶7および反射鏡8と同一構成
とされている。すなわち、電気光学結晶28は、金属ピ
ン27を介して結合された被測定信号による電界に応じ
て、一次の電気光学変化であるポッケルス効果によりそ
の屈折率が変化するという、光学的性質を有している。
また、反射鏡29は、電気光学結晶28の裏面に蒸着さ
れており、レンズ26を透過した基準レーザ光La0を
信号光La1として反射する。
【0021】30は、反射鏡29に併設された反射板で
あり、レンズ26を透過した基準レーザ光La0を参照
光La2として反射する。31は、レンズ26と反射板
30との間であって、かつ電気光学結晶28に併設(図
2参照)されたダミー光学回路であり、例えば、ガラス
から構成されている。ここで、光ファイバ23の他端面
から反射鏡29までの往復光路長と、光ファイバ23の
他端面から反射板30までの往復光路長との差は、半波
長とされており、該差が半波長のときには、高感度が得
られる。なお、両往復光路長の差は、かならずしも半波
長でなくてもよい。さらに、図2に示すように、ダミー
光学回路31の断面積と電気光学結晶28の断面積とが
同面積となるように、ダミー光学回路31が形成されて
いる。これは、電気光学結晶28とダミー光学回路31
とに均等に基準レーザ光La0を透過させるためであ
る。
あり、レンズ26を透過した基準レーザ光La0を参照
光La2として反射する。31は、レンズ26と反射板
30との間であって、かつ電気光学結晶28に併設(図
2参照)されたダミー光学回路であり、例えば、ガラス
から構成されている。ここで、光ファイバ23の他端面
から反射鏡29までの往復光路長と、光ファイバ23の
他端面から反射板30までの往復光路長との差は、半波
長とされており、該差が半波長のときには、高感度が得
られる。なお、両往復光路長の差は、かならずしも半波
長でなくてもよい。さらに、図2に示すように、ダミー
光学回路31の断面積と電気光学結晶28の断面積とが
同面積となるように、ダミー光学回路31が形成されて
いる。これは、電気光学結晶28とダミー光学回路31
とに均等に基準レーザ光La0を透過させるためであ
る。
【0022】32は、光ファイバ24を介して入射され
る信号光La3を受光する受光回路であり、上記信号光
La3を電気信号に変換する光/電気変換機能を有して
いる。この電気信号は、被測定信号に対応する信号であ
る。また、上述した光ファイバ21、23および24と
しては、偏波面保存光ファイバを用いることが望まし
い。
る信号光La3を受光する受光回路であり、上記信号光
La3を電気信号に変換する光/電気変換機能を有して
いる。この電気信号は、被測定信号に対応する信号であ
る。また、上述した光ファイバ21、23および24と
しては、偏波面保存光ファイバを用いることが望まし
い。
【0023】上記構成において、図1に示す金属ピン2
7の先端部が信号線(図示略)に当接されると、信号線
を伝送している被測定信号のレベルに応じた電界が電気
光学結晶28と結合される。これにより、電気光学結晶
28の屈折率が電界の強度に応じて変化する。この状態
において、発光回路20から基準レーザ光La0が出射
されると、基準レーザ光La0は、光ファイバ21およ
び方向性結合器22を介して光ファイバ23へ導かれ
る。そして、上記基準レーザ光La0は、光ファイバ2
3の他端面から出射された後、レンズ26を透過する。
このとき、基準レーザ光La0は、平行光に変換され
る。
7の先端部が信号線(図示略)に当接されると、信号線
を伝送している被測定信号のレベルに応じた電界が電気
光学結晶28と結合される。これにより、電気光学結晶
28の屈折率が電界の強度に応じて変化する。この状態
において、発光回路20から基準レーザ光La0が出射
されると、基準レーザ光La0は、光ファイバ21およ
び方向性結合器22を介して光ファイバ23へ導かれ
る。そして、上記基準レーザ光La0は、光ファイバ2
3の他端面から出射された後、レンズ26を透過する。
このとき、基準レーザ光La0は、平行光に変換され
る。
【0024】そして、平行光たる基準レーザ光La0
は、図2に示すように電気光学結晶28およびダミー光
学回路31を反射鏡29および反射板30へ向けて伝搬
する。ここで、基準レーザ光La0を円偏光とした場合、
電気光学結晶28を伝搬している基準レーザ光La0の
x成分x1およびy成分y1は、基準レーザ光La0の角
周波数をω、時間をt、Aを定数とすると次の(1)式
および(2)式で表される。 x1=A・sin(ωt) ・・・・・・・・・・(1) y1=A・cos(ωt) ・・・・・・・・・・(2)
は、図2に示すように電気光学結晶28およびダミー光
学回路31を反射鏡29および反射板30へ向けて伝搬
する。ここで、基準レーザ光La0を円偏光とした場合、
電気光学結晶28を伝搬している基準レーザ光La0の
x成分x1およびy成分y1は、基準レーザ光La0の角
周波数をω、時間をt、Aを定数とすると次の(1)式
および(2)式で表される。 x1=A・sin(ωt) ・・・・・・・・・・(1) y1=A・cos(ωt) ・・・・・・・・・・(2)
【0025】また、電気光学結晶28内部を伝搬してい
る基準レーザ光La0の偏光状態が変化する。伝搬中に
おいては、基準レーザ光La0のx成分x1の位相が変化
せず、y成分y1の位相が変化するように電気光学結晶
28の結晶軸を合わせる。そして、偏光変化を受けた基
準レーザ光La0は、反射鏡29により信号光La1とし
て反射された後、レンズ26を透過して光ファイバ23
の他端面に入射される。ここで、上記信号光La1にお
けるx成分x1’は、反射回数と反射状態により決定さ
れる係数をmとすると、次の(3)式で表され、他方、
y成分y1’は、位相変化量をΔφとすると次の(4)
式で表される。 x1’=A・sin(ωt+mπ) ・・・・・・・(3) y1’=A・cos(ωt+mπ+Δφ) ・・・・(4)
る基準レーザ光La0の偏光状態が変化する。伝搬中に
おいては、基準レーザ光La0のx成分x1の位相が変化
せず、y成分y1の位相が変化するように電気光学結晶
28の結晶軸を合わせる。そして、偏光変化を受けた基
準レーザ光La0は、反射鏡29により信号光La1とし
て反射された後、レンズ26を透過して光ファイバ23
の他端面に入射される。ここで、上記信号光La1にお
けるx成分x1’は、反射回数と反射状態により決定さ
れる係数をmとすると、次の(3)式で表され、他方、
y成分y1’は、位相変化量をΔφとすると次の(4)
式で表される。 x1’=A・sin(ωt+mπ) ・・・・・・・(3) y1’=A・cos(ωt+mπ+Δφ) ・・・・(4)
【0026】他方、ダミー光学回路31を伝搬している
基準レーザ光La0は、偏光変化を受けることなく、反
射板30により参照光La2として反射された後、レン
ズ26を透過して光ファイバ23の他端面に入射され
る。ここで、信号光La1の周波数と参照光La2との周
波数とは同値である。さらに、信号光La1の位相と参
照光La2の位相とは、例えば、コヒーレント光ファイ
バ通信に用いられるバランスド受光回路における信号の
ように、逆位相とされている。ここで、上記参照光La
2におけるx成分x2’は、整数をnとすると、次の
(5)式で表され、他方、y成分y2’は、次の(6)
式で表される。 x2’=A・sin(ωt+nπ)・・・・・・・・(5) y2’=A・cos(ωt+nπ)・・・・・・・・(6)
基準レーザ光La0は、偏光変化を受けることなく、反
射板30により参照光La2として反射された後、レン
ズ26を透過して光ファイバ23の他端面に入射され
る。ここで、信号光La1の周波数と参照光La2との周
波数とは同値である。さらに、信号光La1の位相と参
照光La2の位相とは、例えば、コヒーレント光ファイ
バ通信に用いられるバランスド受光回路における信号の
ように、逆位相とされている。ここで、上記参照光La
2におけるx成分x2’は、整数をnとすると、次の
(5)式で表され、他方、y成分y2’は、次の(6)
式で表される。 x2’=A・sin(ωt+nπ)・・・・・・・・(5) y2’=A・cos(ωt+nπ)・・・・・・・・(6)
【0027】これにより、光ファイバ23においては、
信号光La1と参照光La2とが合波され、信号光La3
が生成される。ここで、上記信号光La3は、電気光学
結晶28を伝搬している信号光La1の偏光面の変化を
示す信号の光であり、言い換えれば、被測定信号の変化
に応じた信号の光である。ここで、信号光La3におけ
るy成分y3は、次の(7)式で表される。 y3=y1’+y2’ ・・・・・・・・・・・・・・・・(7) そして、上記(7)式の右辺に上述した(4)式および
(5)式を代入すると次の(8)式が導かれる。 y3=A・cos(ωt+mπ+Δφ)+0.25・cos(ωt+nπ) =A・2・cos(ωt+(m+n)π/2+Δφ/2)・cos(Δφ /2+(m−n)・π/2) ・・・・・・・・・(8)
信号光La1と参照光La2とが合波され、信号光La3
が生成される。ここで、上記信号光La3は、電気光学
結晶28を伝搬している信号光La1の偏光面の変化を
示す信号の光であり、言い換えれば、被測定信号の変化
に応じた信号の光である。ここで、信号光La3におけ
るy成分y3は、次の(7)式で表される。 y3=y1’+y2’ ・・・・・・・・・・・・・・・・(7) そして、上記(7)式の右辺に上述した(4)式および
(5)式を代入すると次の(8)式が導かれる。 y3=A・cos(ωt+mπ+Δφ)+0.25・cos(ωt+nπ) =A・2・cos(ωt+(m+n)π/2+Δφ/2)・cos(Δφ /2+(m−n)・π/2) ・・・・・・・・・(8)
【0028】上記(8)式において、前項のA・2・c
os(ωt+(m+n)π/2+Δφ/2)は、基準レ
ーザ光La0のベースバンド信号(キャリア)成分を表
しており、後項のcos(Δφ/2+(m−n)・π/
2)は、被測定信号成分のエンベローブを表している。
また、上記cos(Δφ/2+(m−n)・π/2)か
らわかるように、微少な変動Δφに対して、最大感度に
なる条件は、信号光La1と参照光La2との位相差が半
波長(π+2・k・π(kは整数))であることから次
の(9)式で表される。 (m−n)・π/2=π/2+k・π ・・・・・・(9)
os(ωt+(m+n)π/2+Δφ/2)は、基準レ
ーザ光La0のベースバンド信号(キャリア)成分を表
しており、後項のcos(Δφ/2+(m−n)・π/
2)は、被測定信号成分のエンベローブを表している。
また、上記cos(Δφ/2+(m−n)・π/2)か
らわかるように、微少な変動Δφに対して、最大感度に
なる条件は、信号光La1と参照光La2との位相差が半
波長(π+2・k・π(kは整数))であることから次
の(9)式で表される。 (m−n)・π/2=π/2+k・π ・・・・・・(9)
【0029】そして、上記信号光La3は、方向性結合
器22および光ファイバ24を介して、受光回路32へ
導かれた後、受光回路32により電気信号に変換され
る。この結果、電気光学サンプリングオシロスコープの
表示部には、信号線を伝送している被測定信号の波形等
が表示される。
器22および光ファイバ24を介して、受光回路32へ
導かれた後、受光回路32により電気信号に変換され
る。この結果、電気光学サンプリングオシロスコープの
表示部には、信号線を伝送している被測定信号の波形等
が表示される。
【0030】以上説明したように、上述した第1実施形
態による電気光学サンプリングオシロスコープによれ
ば、直接検波方式に必要な偏光ビームスプリッタ13、
偏光ビームスプリッタ16等(図5参照)が不要である
ので、従来の電気光学サンプリングオシロスコープに比
して光学系の構成を簡略化することができ、ひいては装
置を小型にすることができる。
態による電気光学サンプリングオシロスコープによれ
ば、直接検波方式に必要な偏光ビームスプリッタ13、
偏光ビームスプリッタ16等(図5参照)が不要である
ので、従来の電気光学サンプリングオシロスコープに比
して光学系の構成を簡略化することができ、ひいては装
置を小型にすることができる。
【0031】<第2実施形態>次に、本発明の第2実施
形態による電気光学サンプリングオシロスコープの構成
について図3を参照して説明する。図3において、図1
の各部に対応する部分には同一の符号を付けその説明を
省略する。図3においては、図1に示す方向性結合器2
2および光ファイバ24に代えて、レンズ33および光
ファイバ34が設けられている。また、図3に示す電気
光学サンプリングオシロスコープおいては、図1に示す
反射鏡29および反射板30が設けられていない構成と
されている。
形態による電気光学サンプリングオシロスコープの構成
について図3を参照して説明する。図3において、図1
の各部に対応する部分には同一の符号を付けその説明を
省略する。図3においては、図1に示す方向性結合器2
2および光ファイバ24に代えて、レンズ33および光
ファイバ34が設けられている。また、図3に示す電気
光学サンプリングオシロスコープおいては、図1に示す
反射鏡29および反射板30が設けられていない構成と
されている。
【0032】図3に示すレンズ33は、電気光学結晶2
8およびダミー光学回路31の同図右方に配設されてお
り、電気光学結晶28を透過した信号光La1’とダミ
ー光学回路31を透過した参照光La2’とを集光し
て、信号光La3’として光ファイバ34の一端面に出
射する。すなわち、レンズ33は、レンズ26に対向配
置されており、レンズ26とレンズ33との間には、電
気光学結晶28およびダミー光学回路31が配設されて
いる。光ファイバ34は、信号光La3’を受光回路3
2へ導く。この光ファイバ34としては、偏波面保存光
ファイバを用いることが望ましい。
8およびダミー光学回路31の同図右方に配設されてお
り、電気光学結晶28を透過した信号光La1’とダミ
ー光学回路31を透過した参照光La2’とを集光し
て、信号光La3’として光ファイバ34の一端面に出
射する。すなわち、レンズ33は、レンズ26に対向配
置されており、レンズ26とレンズ33との間には、電
気光学結晶28およびダミー光学回路31が配設されて
いる。光ファイバ34は、信号光La3’を受光回路3
2へ導く。この光ファイバ34としては、偏波面保存光
ファイバを用いることが望ましい。
【0033】また、光ファイバ21の他端面から、レン
ズ26、電気光学結晶28および33を経由して、光フ
ァイバ34の一端面までの光路長と、光ファイバ21の
他端面から、レンズ26、ダミー光学回路31およびレ
ンズ33を経由して、光ファイバ34の一端面までの光
路長との差は、半波長とされている。上記差が半波長の
ときには、高感度が得られる。従って、ダミー光学回路
31の屈折率は、両光路長の差が半波長となるような値
とされている。なお、両光路長の差は、かならずしも半
波長でなくてもよい。
ズ26、電気光学結晶28および33を経由して、光フ
ァイバ34の一端面までの光路長と、光ファイバ21の
他端面から、レンズ26、ダミー光学回路31およびレ
ンズ33を経由して、光ファイバ34の一端面までの光
路長との差は、半波長とされている。上記差が半波長の
ときには、高感度が得られる。従って、ダミー光学回路
31の屈折率は、両光路長の差が半波長となるような値
とされている。なお、両光路長の差は、かならずしも半
波長でなくてもよい。
【0034】上記構成において、図3に示す金属ピン2
7の先端部が信号線(図示略)に当接されると、前述し
た動作と同様にして信号線を伝送している被測定信号の
レベルに応じた電界が電気光学結晶28と結合される。
この状態において、発光回路20から基準レーザ光La
0が出射されると、基準レーザ光La0は、光ファイバ2
1へ導かれる。そして、上記基準レーザ光La0は、光
ファイバ21の他端面から出射された後、レンズ26を
透過する。このとき、基準レーザ光La0は、平行光に
変換される。
7の先端部が信号線(図示略)に当接されると、前述し
た動作と同様にして信号線を伝送している被測定信号の
レベルに応じた電界が電気光学結晶28と結合される。
この状態において、発光回路20から基準レーザ光La
0が出射されると、基準レーザ光La0は、光ファイバ2
1へ導かれる。そして、上記基準レーザ光La0は、光
ファイバ21の他端面から出射された後、レンズ26を
透過する。このとき、基準レーザ光La0は、平行光に
変換される。
【0035】そして、平行光たる基準レーザ光La0
は、電気光学結晶28およびダミー光学回路31を透過
する。この結果、電気光学結晶28内部を伝搬している
信号光La1の偏光状態が変化する。そして、偏光変化
を受けた信号光La1は、信号光La1’として透過した
後、レンズ33を透過して光ファイバ34の一端面に入
射される。
は、電気光学結晶28およびダミー光学回路31を透過
する。この結果、電気光学結晶28内部を伝搬している
信号光La1の偏光状態が変化する。そして、偏光変化
を受けた信号光La1は、信号光La1’として透過した
後、レンズ33を透過して光ファイバ34の一端面に入
射される。
【0036】他方、ダミー光学回路31を伝搬している
基準レーザ光La0は、偏光変化を受けることなく、参
照光La2’として透過した後、レンズ33を透過して
光ファイバ34の一端面に入射される。ここで、信号光
La1’の周波数と参照光La2’との周波数とは同値で
ある。
基準レーザ光La0は、偏光変化を受けることなく、参
照光La2’として透過した後、レンズ33を透過して
光ファイバ34の一端面に入射される。ここで、信号光
La1’の周波数と参照光La2’との周波数とは同値で
ある。
【0037】これにより、光ファイバ34においては、
信号光La1’と参照光La2’とが合波され、信号光L
a3’が生成される。ここで、上記信号光La3’は、電
気光学結晶28を伝搬している信号光La1’の偏光面
の変化を示す信号の光であり、言い換えれば、被測定信
号の変化に応じた信号の光である。
信号光La1’と参照光La2’とが合波され、信号光L
a3’が生成される。ここで、上記信号光La3’は、電
気光学結晶28を伝搬している信号光La1’の偏光面
の変化を示す信号の光であり、言い換えれば、被測定信
号の変化に応じた信号の光である。
【0038】そして、上記信号光La3は、光ファイバ
34を介して、受光回路32へ導かれた後、受光回路3
2により電気信号に変換される。この結果、電気光学サ
ンプリングオシロスコープの表示部には、信号線を伝送
している被測定信号の波形等が表示される。
34を介して、受光回路32へ導かれた後、受光回路3
2により電気信号に変換される。この結果、電気光学サ
ンプリングオシロスコープの表示部には、信号線を伝送
している被測定信号の波形等が表示される。
【0039】以上説明したように、上述した第2実施形
態による電気光学サンプリングオシロスコープによれ
ば、レンズ33を設けた構成としたので、図1に示す方
向性結合器22、反射鏡29および反射板30が不要で
あるため、第1実施形態による電気光学サンプリングオ
シロスコープに比して構成を簡単にすることができる。
態による電気光学サンプリングオシロスコープによれ
ば、レンズ33を設けた構成としたので、図1に示す方
向性結合器22、反射鏡29および反射板30が不要で
あるため、第1実施形態による電気光学サンプリングオ
シロスコープに比して構成を簡単にすることができる。
【0040】<第3実施形態>図4は、本発明の第3実
施形態による電気光学サンプリングオシロスコープの要
部の構成を示す図である。この図において、図1の各部
に対応する部分には同一の符号を付けその説明を省略す
る。図5においては、図1に示す方向性結合器22に代
えて、光導波路素子100が設けられている。図4に示
す光導波路素子100は、方向性結合器22(図1参
照)と同様にして、光信号を分岐・結合させる機能を有
している。この光導波路素子100において、100a
は、光ファイバ21の他端部に接続された光導波路であ
り、基準レーザ光La0を光分岐結合部100bへ導
く。この光分岐結合部100bは、基準レーザ光La0
を分岐する一方、信号光La1と参照光La2とを結合
(合波)させて、これを信号光La3として出力する。
施形態による電気光学サンプリングオシロスコープの要
部の構成を示す図である。この図において、図1の各部
に対応する部分には同一の符号を付けその説明を省略す
る。図5においては、図1に示す方向性結合器22に代
えて、光導波路素子100が設けられている。図4に示
す光導波路素子100は、方向性結合器22(図1参
照)と同様にして、光信号を分岐・結合させる機能を有
している。この光導波路素子100において、100a
は、光ファイバ21の他端部に接続された光導波路であ
り、基準レーザ光La0を光分岐結合部100bへ導
く。この光分岐結合部100bは、基準レーザ光La0
を分岐する一方、信号光La1と参照光La2とを結合
(合波)させて、これを信号光La3として出力する。
【0041】100cは、光導波路であり、光分岐結合
部100bにより分岐された信号光La1を光ファイバ
23へ導く一方、光ファイバ23を介して入射される信
号光La3を光分岐結合部100bへ導く。100d
は、光導波路100cに併設された光導波路であり、同
図の例では、使用されていない。100eは、光分岐結
合部100bにより分岐された信号光La3を光ファイ
バ24へ導く光導波路である。
部100bにより分岐された信号光La1を光ファイバ
23へ導く一方、光ファイバ23を介して入射される信
号光La3を光分岐結合部100bへ導く。100d
は、光導波路100cに併設された光導波路であり、同
図の例では、使用されていない。100eは、光分岐結
合部100bにより分岐された信号光La3を光ファイ
バ24へ導く光導波路である。
【0042】上記構成において、図4に示す金属ピン2
7の先端部が信号線(図示略)に当接されると、信号線
を伝送している被測定信号のレベルに応じた電界が電気
光学結晶28と結合される。これにより、電気光学結晶
28の屈折率が電界の強度に応じて変化する。この状態
において、発光回路20から基準レーザ光La0が出射
されると、基準レーザ光La0は、光ファイバ21およ
び光導波路100aを介して、光分岐結合部100bへ
導かれる。そして、上記基準レーザ光La0は、光分岐
結合部100bにより分岐された後、光導波路100c
を介して光ファイバ23へ導かれる。そして、基準レー
ザ光La0は、光ファイバ23の他端面から出射された
後、レンズ26を透過する。このとき、基準レーザ光L
a0は、平行光に変換される。
7の先端部が信号線(図示略)に当接されると、信号線
を伝送している被測定信号のレベルに応じた電界が電気
光学結晶28と結合される。これにより、電気光学結晶
28の屈折率が電界の強度に応じて変化する。この状態
において、発光回路20から基準レーザ光La0が出射
されると、基準レーザ光La0は、光ファイバ21およ
び光導波路100aを介して、光分岐結合部100bへ
導かれる。そして、上記基準レーザ光La0は、光分岐
結合部100bにより分岐された後、光導波路100c
を介して光ファイバ23へ導かれる。そして、基準レー
ザ光La0は、光ファイバ23の他端面から出射された
後、レンズ26を透過する。このとき、基準レーザ光L
a0は、平行光に変換される。
【0043】そして、平行光たる基準レーザ光La0
は、電気光学結晶28およびダミー光学回路31を反射
鏡29および反射板30へ向けて伝搬する。また、前述
した動作と同様にして、電気光学結晶28内部を伝搬し
ている基準レーザ光La0の偏光状態が変化する。そし
て、偏光変化を受けた基準レーザ光La0は、反射鏡2
9により信号光La1として反射された後、レンズ26
を透過して光ファイバ23の他端面に入射される。
は、電気光学結晶28およびダミー光学回路31を反射
鏡29および反射板30へ向けて伝搬する。また、前述
した動作と同様にして、電気光学結晶28内部を伝搬し
ている基準レーザ光La0の偏光状態が変化する。そし
て、偏光変化を受けた基準レーザ光La0は、反射鏡2
9により信号光La1として反射された後、レンズ26
を透過して光ファイバ23の他端面に入射される。
【0044】他方、ダミー光学回路31を伝搬している
基準レーザ光La0は、偏光変化を受けることなく、反
射板30により参照光La2として反射された後、レン
ズ26を透過して光ファイバ23の他端面に入射され
る。ここで、信号光La1の周波数と参照光La2との周
波数とは同値である。これにより、光ファイバ23にお
いては、信号光La1と参照光La2とが合波され、信号
光La3が生成される。ここで、上記信号光La3は、電
気光学結晶28を伝搬している信号光La1の偏光面の
変化を示す信号の光であり、言い換えれば、被測定信号
の変化に応じた信号の光である。
基準レーザ光La0は、偏光変化を受けることなく、反
射板30により参照光La2として反射された後、レン
ズ26を透過して光ファイバ23の他端面に入射され
る。ここで、信号光La1の周波数と参照光La2との周
波数とは同値である。これにより、光ファイバ23にお
いては、信号光La1と参照光La2とが合波され、信号
光La3が生成される。ここで、上記信号光La3は、電
気光学結晶28を伝搬している信号光La1の偏光面の
変化を示す信号の光であり、言い換えれば、被測定信号
の変化に応じた信号の光である。
【0045】そして、上記信号光La3は、光導波路1
00cを介して光分岐結合部100bへ導かれた後、光
分岐結合部100bにより光導波路100eへ導かれ
る。さらに、信号光La3は、光ファイバ24を介し
て、受光回路32へ導かれた後、受光回路32により電
気信号に変換される。この結果、電気光学サンプリング
オシロスコープの表示部には、信号線を伝送している被
測定信号の波形等が表示される。
00cを介して光分岐結合部100bへ導かれた後、光
分岐結合部100bにより光導波路100eへ導かれ
る。さらに、信号光La3は、光ファイバ24を介し
て、受光回路32へ導かれた後、受光回路32により電
気信号に変換される。この結果、電気光学サンプリング
オシロスコープの表示部には、信号線を伝送している被
測定信号の波形等が表示される。
【0046】以上図面を参照して本発明の実施形態につ
いて詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限
られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限りの
設計変更等があっても、本発明に含まれる。例えば、上
述した第1および第2実施形態による電気光学サンプリ
ングオシロスコープにおいては、電気光学結晶28とし
て、BSOを用いた例について説明したが、これに限定
されることなく、上記BSOに代えてLN(LiNbO
3)、CdTeまたはBTO(Bi12TiO20)を用い
てもよい。
いて詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限
られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限りの
設計変更等があっても、本発明に含まれる。例えば、上
述した第1および第2実施形態による電気光学サンプリ
ングオシロスコープにおいては、電気光学結晶28とし
て、BSOを用いた例について説明したが、これに限定
されることなく、上記BSOに代えてLN(LiNbO
3)、CdTeまたはBTO(Bi12TiO20)を用い
てもよい。
【0047】また、上述した第1および第2実施形態に
よる電気光学サンプリングオシロスコープにおいては、
電気光学結晶28に対して被測定信号による電界が十分
に作用する場合、金属ピン27を設けない構成としても
よい。
よる電気光学サンプリングオシロスコープにおいては、
電気光学結晶28に対して被測定信号による電界が十分
に作用する場合、金属ピン27を設けない構成としても
よい。
【0048】また、上述した第1、第2および第3実施
形態による電気光学サンプリングオシロスコープにおい
ては、ダミー光学回路31を設けた例について説明した
が、ダミー光学回路31を設けることなく、レンズ26
と反射板30(レンズ33)との間を空間結合とする構
成としてもよい。
形態による電気光学サンプリングオシロスコープにおい
ては、ダミー光学回路31を設けた例について説明した
が、ダミー光学回路31を設けることなく、レンズ26
と反射板30(レンズ33)との間を空間結合とする構
成としてもよい。
【0049】さらに、上述した第1、第2および第3実
施形態による電気光学サンプリングオシロスコープにお
いては、図2に示す電気光学結晶28の断面積とダミー
光学回路31の断面積とを等しくした例について説明し
たが、必ずしも両断面積を等しくする必要はなく、電気
光学結晶28およびダミー光学回路31の双方を基準レ
ーザ光La0が透過する構成であればよい。
施形態による電気光学サンプリングオシロスコープにお
いては、図2に示す電気光学結晶28の断面積とダミー
光学回路31の断面積とを等しくした例について説明し
たが、必ずしも両断面積を等しくする必要はなく、電気
光学結晶28およびダミー光学回路31の双方を基準レ
ーザ光La0が透過する構成であればよい。
【0050】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
従来の電気光学サンプリングオシロスコープに用いられ
ていた偏光ビームスプリッタ等が不要であるので、光学
系の構成を簡略化することができ、ひいては装置を小型
にすることができるという効果が得られる。
従来の電気光学サンプリングオシロスコープに用いられ
ていた偏光ビームスプリッタ等が不要であるので、光学
系の構成を簡略化することができ、ひいては装置を小型
にすることができるという効果が得られる。
【図1】 本発明の第1実施形態による電気光学サンプ
リングオシロスコープの要部の構成を示す図である。
リングオシロスコープの要部の構成を示す図である。
【図2】 図1に示すA−A線視断面図である。
【図3】 同第2実施形態による電気光学サンプリング
オシロスコープの要部の構成を示す図である。
オシロスコープの要部の構成を示す図である。
【図4】 同第3実施形態による電気光学サンプリング
オシロスコープの要部の構成を示す図である。
オシロスコープの要部の構成を示す図である。
【図5】 従来の電気光学サンプリングオシロスコープ
における電気光学プローブの構成を示す図である。
における電気光学プローブの構成を示す図である。
20 発光回路
22 方向性結合器
25 電気光学プローブ
26 レンズ
28 電気光学結晶
29 反射鏡
30 反射板
31 ダミー光学回路
32 受光回路
33 レンズ
100 光導波路素子
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 菊池 潤
東京都大田区蒲田4丁目19番7号 安藤
電気株式会社内
(72)発明者 伴城 暢一
東京都大田区蒲田4丁目19番7号 安藤
電気株式会社内
(72)発明者 遠藤 善雄
東京都大田区蒲田4丁目19番7号 安藤
電気株式会社内
(72)発明者 品川 満
東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日
本電信電話株式会社内
(72)発明者 永妻 忠夫
東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日
本電信電話株式会社内
(72)発明者 山田 順三
東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日
本電信電話株式会社内
(56)参考文献 特開 昭64−18070(JP,A)
特開 平6−34675(JP,A)
特開 昭63−300970(JP,A)
特開 平7−225108(JP,A)
特開 平7−209396(JP,A)
特開 平9−292415(JP,A)
特開 昭63−151869(JP,A)
特開 平6−258351(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
G01R 13/00 - 13/42
G01R 31/302
G01R 15/24
Claims (3)
- 【請求項1】 基準レーザ光を発生する発光手段と、被測定信号により生じる電界が印加され、当該電界の強
度に応じて屈折率が変化する電気光学結晶と、 前記電気光学結晶の裏面に設けられた反射鏡と、 前記反射鏡に隣接配置された反射板と、 前記基準レーザ光を平行光に変換し、当該平行光を前記
電気光学結晶の表面及び反射板に並行照射する一方、前
記電気光学結晶を透過して前記反射鏡で反射されて入射
された信号光及び前記反射板で反射されて入射された参
照光を合波・集光し合波光として出射するレンズと、 前記合波光に基づいて被測定信号を検出する検出手段と
を具備することを特徴とする電気光学サンプリングオシ
ロスコープ。 - 【請求項2】 発光手段から入射された基準レーザ光を
レンズに向けて出射する一方、該レンズから入射された
合波光を検出手段に向けて出射する方向性結合器をさら
に備えることを特徴とする請求項1に記載の電気光学サ
ンプリングオシロスコープ。 - 【請求項3】 基準レーザ光を発生する発光手段と、被測定信号により生じる電界が印加され、当該電界の強
度に応じて屈折率が変化する 電気光学結晶と、前記基準レーザ光を平行光に変換し、当該平行光の一部
を前記電気光学結晶に照射する第1レンズと、 該第1レンズと電気光学結晶を挟んで対向配置され、電
気光学結晶を透過して入射された信号光及び電気光学結
晶を通過することなく入射された参照光を合波・集光し
合波光として出射する第2レンズと、 前記合波光に基づいて被測定信号を検出する検出手段と
を具備することを特徴とする電気光学サンプリングオシ
ロスコープ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30146698A JP3406523B2 (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 電気光学サンプリングオシロスコープ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30146698A JP3406523B2 (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 電気光学サンプリングオシロスコープ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000131347A JP2000131347A (ja) | 2000-05-12 |
JP3406523B2 true JP3406523B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=17897248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30146698A Expired - Fee Related JP3406523B2 (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 電気光学サンプリングオシロスコープ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3406523B2 (ja) |
-
1998
- 1998-10-22 JP JP30146698A patent/JP3406523B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000131347A (ja) | 2000-05-12 |
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