JP3406041B2 - 太陽電池のシミュレーション方法 - Google Patents
太陽電池のシミュレーション方法Info
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Description
象の太陽電池の出力電流と出力電圧を演算する太陽電池
のシミュレーション方法に関する。
度などの気象の影響を受けるので、太陽電池からの電力
は不安定である。このために、太陽電池の研究や開発で
は、太陽電池を設置した状態のシミュレーションをし
て、太陽電池の特性を示すデータを得る。
流に対する出力電圧を演算する必要がある。このため
に、例えば太陽電池の基本式を用いる。太陽電池の基本
式には、 I=IL−IO〔exp{q(V+RsI)/nkT}−
1〕−(V+RsI)/Rsh IO=COT3{exp(−qEg/nkT)} の式がある。これらの式の中で、 IL:光起電流[A] IO:飽和電流[A] Rs:直
列抵抗[Ω] Rsh:並列抵抗[Ω] n:接合定数 CO:飽
和電流温度係数 Eg:エネルギーギャップ[eV] T:素子
絶対温度[K] k:ボルツマン定数[eV] q:電子
の電荷量[C] である。そして、これらの式を用いて、出力電流Iと出
力電圧Vとの関係を演算する。
タから、電流ー電圧特性曲線や電力ー電圧特性曲線を描
き、これらの曲線を太陽電池の研究や開発に用いる。
た、太陽電池の基本式を用いた場合、最大の電力を出力
するときの太陽電池の最大出力動作電圧VOPは、太陽電
池に与えられた状態、例えば日射強度が多少変動して
も、ほとんど変化しない。 しかし、日射強度が少なく
なった状態では、基本式から演算した最大出力動作電圧
VOPより、実測の電圧VOPが小さくなる。すなわち、日
射強度が小さいときに誤差も生じやすい。
合、基本式を用いて描いた電流ー電圧特性曲線の精度が
悪くなる。この結果、例えば、電力ー電圧特性曲線を用
いて最大の電力供給を予測する場合、予測の誤差が大き
くなる。すなわち、この式を使って精度よく電流・電圧
特性曲線が得られる方法が開発されていない。
き、シミュレーション対象の太陽電池の、与えられた状
態での出力電流と出力電圧とを精度良く演算できる太陽
電池のシミュレーション方法を提供することにある。
るため、請求項1の発明は、あらかじめ選択されると共
に温度T1および日射量E1が所定状態に保たれたときの
シミュレーション対象の太陽電池の出力電圧V1に対す
る出力電流I1がそれぞれ入力されると、これらの値を
保持する第1処理過程と、シミュレーション対象の太陽
電池の直列抵抗RS、補正係数K、温度が1[℃]変化
したときの短絡電流ISCの変化αおよび開放電圧VOCの
変化βが入力されると、これらの値を保持する第2処理
過程と、シミュレーション対象の太陽電池の温度T2と
日射量E2が入力されると、第1処理過程および第2処
理過程で保持した値から、 I2=I1+ISC{(E2/E1)−1}+α(T2−T1) V2=V1+β(T2−T1)−RS(I2−I1) の式を用いて、シミュレーション対象の太陽電池の出力
電流I2と出力電圧V2を演算する第3処理過程とを含
む。
ると共に温度T1および日射量E1が所定状態に保たれた
ときのシミュレーション対象の太陽電池の出力電圧V1
に対する出力電流I1がそれぞれ入力されると、これら
の値を保持する第1処理過程と、シミュレーション対象
の太陽電池の直列抵抗RS、補正係数K、温度が1
[℃]変化したときの短絡電流ISCの変化αおよび開放
電圧VOCの変化βが入力されると、これらの値を保持す
る第2処理過程と、シミュレーション対象の太陽電池の
温度T2と日射量E2が入力されると、第1処理過程およ
び第2処理過程で保持した値から、 I2=I1+ISC{(E2/E1)−1}+α(T2−T1) V2=V1+β(T2−T1)−RS(I2−I1)−KI2
(T2−T1) の式を用いて、シミュレーション対象の太陽電池の出力
電流I2と出力電圧V2を演算する第3処理過程とを含
む。
第3処理過程で得た出力電流I2および出力電圧V2を用
いて、電流ー電圧特性曲線を描く処理過程を含む。
第3処理過程で得た出力電流I2および出力電圧V2を用
いて、電力ー電圧特性曲線を描く処理過程を含む。
たシミュレーション対象の太陽電池のデータを用いる。
つまり、このシミュレーション対象の太陽電池を、温度
T1および日射量E1の所定状態に保ったときの出力電圧
V1に対する出力電流I1を用いる。
とがそれぞれ入力されると、これらの値を保持する。こ
の後、シミュレーション対象の太陽電池の直列抵抗R
S、補正係数K、温度が1[℃]変化したときの短絡電
流ISCの変化αおよび開放電圧VOCの変化βが入力され
ると、これらの値を保持する。
電池の値を保持した状態の場合、シミュレーションをす
る対象の太陽電池を任意状態に保ったとき、この状態の
温度T2と日射量E2とが入力されると、 I2=I1+ISC{(E2/E1)−1}+α(T2−T1) V2=V1+β(T2−T1)−RS(I2−I1) または、 I2=I1+ISC{(E2/E1)−1}+α(T2−T1) V2=V1+β(T2−T1)−RS(I2−I1)−KI2
(T2−T1) の式を用いて、シミュレーション対象の太陽電池の出力
電流I2と出力電圧V2を演算する。つまり、所定状態の
シミュレーション対象の太陽電池の出力電圧V1と出力
電流I1とに基づいて、温度T2と日射量E2とに保った
任意状態での、シミュレーション対象の太陽電池の出力
電流I2と出力電圧V2とを演算する。
ョン対象の太陽電池の電流ー電圧特性や、電力ー電圧特
性得ることができる。
明する。
ステムの一例を示すブロック図である。
るための入力装置1と、情報を例えば磁気的に記憶する
外部記憶装置2と、制御装置3と、処理した情報を表示
する表示装置4と、処理した情報をプリントアウトする
出力装置5とを備える。
た太陽電池をシミュレーション対象の太陽電池とする。
そして、このシミュレーション対象の太陽電池を、日射
量E1と温度T1の所定状態に保ったときの特性が入力さ
れる。通常、所定状態として、基準状態を用いる。基準
状態は、1000[W/m2]の放射照度と25[℃]
のモジュール温度とに、シミュレーション対象の太陽電
池を保った状態である。
の太陽電池の特性が入力装置1に入力される。このと
き、入力される特性は、シミュレーション対象の太陽電
池の実測での出力電圧V1と出力電流I1、または、演算
等によりあらかじめ求めた出力電圧V1と出力電流I1で
ある。つまり、入力される特性は、シミュレーション対
象の太陽電池の各動作点である。この特性が入力される
と、制御装置3は、図1に示すように、各動作点A1の
出力電流I1と出力電圧V1とを、外部記憶装置2に記憶
させる(ステップS1)。シミュレーション対象の太陽
電池の各動作点A1(V1,I1)により表される特性
が、図3に示す曲線101である。この曲線101が、
シミュレーション対象の太陽電池の電流ー電圧特性曲線
である。
象の太陽電池のパラメータが入力装置1に入力される。
このパラメータは、シミュレーション対象の太陽電池の
直列抵抗RS、補正係数K、短絡電流ISC、温度が1
[℃]変化したときの短絡電流ISCの変化α、同じく温
度が1[℃]変化したときの開放電圧VOCの変化βであ
る。制御装置3は、このパラメータを外部記憶装置2に
記憶させる(ステップS2)。
ション対象の太陽電池に関する情報を記憶している状態
のときに、シミュレーション用の太陽電池、つまり演算
対象の太陽電池が設置された状態の日射量E2と温度T2
が入力装置1に入力される。入力が終了すると、制御装
置3は、 I2=I1+ISC{(E2/E1)−1}+α(T2−T1) (1) の式を用いて、シミュレーション対象の太陽電池の出力
電流I1を、出力電流I2に変換する(ステップS3)。
シミュレーション対象の太陽電池は、基準状態にあるの
で、式(1)の中で、 放射照度E1=1000[W/m2] 温度T1=25[℃] である。この後、制御装置3は、 V2=V1+β(T2−T1)−RS(I2−I1)−KI2(T2−T1) (2) の式を用いて、シミュレーション対象の太陽電池の出力
電圧V1を、出力電圧V2に変換する(ステップS4)。
式(2)の中で、K[Ω/℃]は、曲線補正因子であ
る。
るためのものである。この曲線補正因子Kは、演算対象
の太陽電池の種類、例えば単結晶太陽電池、多結晶太陽
電池、アモルファス太陽電池に応じて、ゼロ、またはゼ
ロとは異なる値に決められる。
に、基準状態に設置されたときのシミュレーション対象
の太陽電池の各動作点A1(V1,I1)は、放射照度E
2、温度T2の任意状態に設置されたときの演算対象の太
陽電池の動作点A2(V2,I2)に変換される。
I2)を結ぶことで、放射照度E2、太陽電池温度T 2の
状態に設置された演算対象の太陽電池の電流ー電圧特性
を示す曲線102を描く。この曲線を表示装置4に表示
し、また出力装置5に出力する。
と出力電圧とから電力を演算する。そして、この電力と
出力電圧とから、電力ー電圧特性曲線を求めて、表示装
置4に表示し、また出力装置5に出力する。
の太陽電池を任意の状態に置いたときの、出力電流I2
と出力電圧V2とを、演算により得ることができる。
の発明によれば、照度E1と温度T1の所定状態でのシミ
ュレーション対象の太陽電池の出力電圧V1に対する出
力電流I1があらかじめ与えられた場合,シミュレーショ
ン対象の太陽電池を任意状態に設置したときの照度E2
と温度T2を入力するだけで、任意状態に保ったとき
の、シミュレーション対象の太陽電池の出力電流I2と
出力電圧V2とを演算できる。
した出力電流と出力電圧とを用いて、任意状態のときの
シミュレーション対象の太陽電池の電流ー電圧特性曲線
や電力ー電圧特性曲線を描くことができる。
を示すブロック図である。
る。
Claims (4)
- 【請求項1】 あらかじめ選択されると共に温度T1お
よび日射量E1が所定状態に保たれたときのシミュレー
ション対象の太陽電池の出力電圧V1に対する出力電流
I1がそれぞれ入力されると、これらの値を保持する第
1処理過程と、シミュレーション対象の 太陽電池の直列抵抗RS、補正
係数K、温度が1[℃]変化したときの短絡電流ISCの
変化αおよび開放電圧VOCの変化βが入力されると、こ
れらの値を保持する第2処理過程と、 シミュレーション対象の太陽電池の温度T2と日射量E2
が入力されると、第1処理過程および第2処理過程で保
持した値から、 I2=I1+ISC{(E2/E1)−1}+α(T2−T1) V2=V1+β(T2−T1)−RS(I2−I1) の式を用いて、シミュレーション対象の太陽電池の出力
電流I2と出力電圧V2を演算する第3処理過程とを含む
太陽電池のシミュレーション方法。 - 【請求項2】 あらかじめ選択されると共に温度T1お
よび日射量E1が所定状態に保たれたときのシミュレー
ション対象の太陽電池の出力電圧V1に対する出力電流
I1がそれぞれ入力されると、これらの値を保持する第
1処理過程と、シミュレーション対象の 太陽電池の直列抵抗RS、補正
係数K、温度が1[℃]変化したときの短絡電流ISCの
変化αおよび開放電圧VOCの変化βが入力されると、こ
れらの値を保持する第2処理過程と、 シミュレーション対象の太陽電池の温度T2と日射量E2
が入力されると、第1処理過程および第2処理過程で保
持した値から、 I2=I1+ISC{(E2/E1)−1}+α(T2−T1) V2=V1+β(T2−T1)−RS(I2−I1)−KI2
(T2−T1) の式を用いて、シミュレーション対象の太陽電池の出力
電流I2と出力電圧V2を演算する第3処理過程とを含む
太陽電池のシミュレーション方法。 - 【請求項3】請求項1または2記載の第3処理過程で得
た出力電流I2および出力電圧V2を用いて、電流ー電圧
特性曲線を描く処理過程を含むことを特徴とする太陽電
池のシミュレーション方法。 - 【請求項4】請求項1または2記載の第3処理過程で得
た出力電流I2および出力電圧V2を用いて、電力ー電圧
特性曲線を描く処理過程を含むことを特徴とする太陽電
池のシミュレーション方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00262694A JP3406041B2 (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 太陽電池のシミュレーション方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00262694A JP3406041B2 (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 太陽電池のシミュレーション方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07211929A JPH07211929A (ja) | 1995-08-11 |
JP3406041B2 true JP3406041B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=11534612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00262694A Expired - Fee Related JP3406041B2 (ja) | 1994-01-14 | 1994-01-14 | 太陽電池のシミュレーション方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3406041B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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KR101487818B1 (ko) * | 2008-08-21 | 2015-01-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양 전지 가상 구현 장치의 보간 방법 |
KR101614224B1 (ko) * | 2014-12-19 | 2016-06-01 | 공주대학교 산학협력단 | 히스테리시스 제어를 적용한 pv 시뮬레이션 장치 및 그의 제어 방법 |
-
1994
- 1994-01-14 JP JP00262694A patent/JP3406041B2/ja not_active Expired - Fee Related
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