JP3404391B2 - Vacuum processing method and vacuum processing apparatus for substrate - Google Patents
Vacuum processing method and vacuum processing apparatus for substrateInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の真空処理方
法に係り、特に複数の真空処理室を有する真空処理及び
それを用いた基板の真空処理方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate vacuum processing method, and more particularly to a vacuum processing method having a plurality of vacuum processing chambers and a substrate vacuum processing method using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置ある
いはスパッタリング装置などの真空処理装置において
は、定められた複数枚の被処理基板を一つの単位（一般
にロットとよばれる）として基板カセットに収納して装
置に投入し、処理済みの基板も同一の単位毎に基板カセ
ットに収容して回収することにより、生産の効率化を図
るのが一般的な真空処理装置用搬送システム及び運転方
法である。2. Description of the Related Art In a vacuum processing apparatus such as a dry etching apparatus, a CVD apparatus or a sputtering apparatus, a plurality of predetermined substrates to be processed are stored in a substrate cassette as one unit (generally called a lot) and then processed. It is a general transport system for vacuum processing apparatus and an operating method that the production efficiency is improved by putting the processed substrates into the substrate cassette and collecting the processed substrates in the same unit for each unit.
【０００３】しかしながら、上記のような真空処理装
置、特にドライエッチング装置、ＣＶＤ装置など活性ガ
スによる反応を利用する装置においては、処理を行うに
従って反応生成物が処理容器内に付着、堆積するため
に、真空性能の劣化、ゴミの増加、光学モニタ信号のレ
ベル低下などの問題が生じることがしばしばあり、これ
を避けるために定期的に処理容器内をクリーニングする
作業が行われている。クリーニング作業には、有機溶剤
等によって付着物を拭き取る、所謂ウェットクリーニン
グと、付着物を分解する活性ガスやプラズマを利用する
ドライクリーニングとがあるが、作業性や効率面からは
ドライクリーニングが優れており、こうした機能は生産
ラインの自動化が進むにつれて不可欠なものとなりつつ
ある。However, in the vacuum processing apparatus as described above, particularly in the apparatus utilizing the reaction by the active gas such as the dry etching apparatus and the CVD apparatus, the reaction products adhere and deposit in the processing container as the processing is performed. In many cases, problems such as deterioration of vacuum performance, increase of dust, and decrease of optical monitor signal level occur, and in order to avoid such problems, the inside of the processing container is regularly cleaned. Cleaning work includes so-called wet cleaning, which wipes off adhered substances with an organic solvent, and dry cleaning using active gas or plasma that decomposes adhered substances, but dry cleaning is superior in terms of workability and efficiency. However, these functions are becoming indispensable as the automation of production lines progresses.
【０００４】このような機能を備えた真空処理装置用搬
送システムの一例として、実開昭６３−１２７１２５号
公報に開示された装置などがあげられる。An example of the transfer system for a vacuum processing apparatus having such a function is the apparatus disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 63-127125.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】例えば、実開昭６３−
１２７１２５号公報に開示された装置においては、処理
室をプラズマクリーニングするにあたってあらかじめ真
空予備室に収容されたダミーウェーハを処理室内に搬入
し、プラズマクリーニングが終了したら搬送手段によっ
てダミーウェーハを真空予備室に戻すようになされてい
る。このため、ダミーウェーハを収容する真空予備室
は、大きな容積を必要とするとともにダミーウェーハ専
用の搬送機構を必要とし、装置が複雑化するという問題
があった。DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention
In the apparatus disclosed in Japanese Patent No. 127125, when plasma cleaning the processing chamber, a dummy wafer previously stored in the vacuum preliminary chamber is loaded into the processing chamber, and when the plasma cleaning is completed, the dummy wafer is transferred to the vacuum preliminary chamber by the transfer means. It is designed to be returned. Therefore, the vacuum preliminary chamber for accommodating the dummy wafers requires a large volume and requires a transfer mechanism dedicated to the dummy wafers, resulting in a complicated apparatus.
【０００６】また、一旦、プラズマクリーニングに使用
されたダミーウェーハが、再び真空予備室に戻された後
に正規の処理を続行するため、真空予備室内では使用済
みのダミーウェーハとこれから正規の処理を受けようと
する未処理のウェーハとが混在することとなり、製品汚
染の観点から好ましくない。Further, since the dummy wafer once used for the plasma cleaning is returned to the vacuum preliminary chamber again and the regular process is continued, the used dummy wafer and the regular process from this are received in the vacuum preliminary chamber. Unprocessed wafers are mixed, which is not preferable from the viewpoint of product contamination.
【０００７】本発明の目的は、上記の問題点を解決し、
ゴミの発生や残留ガスなどによる製品の汚染をなくし、
高い生産効率と高い製品歩留まりを実現する基板の真空
処理方法を提供することにある。The object of the present invention is to solve the above problems,
Eliminates product contamination due to dust generation and residual gas,
It is an object of the present invention to provide a substrate vacuum processing method that realizes high production efficiency and high product yield.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は,上記目的を達
成するために、複数の基板を収納する複数のカセットを
大気雰囲気に載置するカセット台と、大気雰囲気で動作
する大気搬送装置と、基板を一枚毎処理する複数の真空
処理室と、未処理基板を前記いずれかの真空処理室へ搬
人するために前記基板を一枚搬出人する毎に大気雰囲気
または真空雰囲気に切替えられるロードロック室と、処
理済基板を前記いずれかの真空処理室から搬出するため
に前記基板を一枚搬出人する毎に大気雰囲気または真空
雰囲気に切替えられるアンロードロックとを備えた真空
処理装置を用いる基板の真空処理方法であって、前記大
気搬送装置は、前記ロードロック室及びアンロードロッ
ク室に共通する前側に位置し、未処理基板及び処理済基
板を搬送するＸ、Ｙ、Ｚ及びθ軸を有するロボットを有
しており、前記未処理基板またはクリーニング用のダミ
ー基板を収納した前記複数のカセットを、該大気搬送装
置の前側の所定位置にある実質的に水平な面上に固定配
置されカセットが収納される前記カセット台に載置し、
前記真空処理装置は、前記カセットに付与された生産情
報、または上位の制御装置から送られる情報に基づき、
前記基板を前記いずれのカセット台のカセット内のいず
れの場所からも前記ロードロック室ヘ一枚毎搬送し、該
ロードロック室からいずれかの真空処理室へ前記基板を
一枚毎搬入して処理し、前記いずれかの真空処埋室で処
理済の基板を一枚毎、前記アンロードロック室へ搬出
し、該アンロードロック室から前記基板を元のカセット
の元の位置に一枚毎回収することを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention provides a cassette table on which a plurality of cassettes for housing a plurality of substrates are placed in an atmosphere, and an atmosphere transfer device which operates in the atmosphere. , A plurality of vacuum processing chambers for processing the substrates one by one, and an atmospheric atmosphere each time one of the substrates is carried out to carry an unprocessed substrate to one of the vacuum processing chambers.
Alternatively, a load lock chamber that can be switched to a vacuum atmosphere and a processed substrate to be carried out from any of the vacuum processing chambers.
Atmosphere or vacuum every time one of the substrates is taken out
Vacuum with unload lock that can be switched to atmosphere
A method of vacuum processing a substrate using a processing device , wherein the atmospheric transfer device is located on the front side common to the load lock chamber and the unload lock chamber and transfers an unprocessed substrate and a processed substrate X, Y, Has a robot with Z and θ axes
The untreated substrate or the cleaning
-If the plurality of cassettes containing the substrates are
Fixed placement on a substantially horizontal surface in place in front of the
Placed on the cassette table where the cassette is placed,
The vacuum processing device, based on the production information given to the cassette, or information sent from the host controller,
Wherein also carry the load lock Shitsuhe one by one from any location in the substrate cassette base of the Izu Re cassette one said substrate from said <br/> load lock chamber to one of the vacuum processing chamber Each substrate is loaded and processed, and each substrate processed in one of the vacuum treatment chambers is unloaded to the unload lock chamber, and the substrates are returned to the original cassette from the unload lock chamber. It is characterized in that every sheet is collected at the position.
【０００９】本発明によれば、未処理の基板を収納した
カセットがカセット台に載置される。この時カセット台
は水平であるため、カセットの供給動作を単純化するこ
とが可能であり、生産ラインの自動化への対応が容易で
ある。According to the present invention, the cassette containing the unprocessed substrate is placed on the cassette table. At this time, since the cassette table is horizontal, it is possible to simplify the cassette supply operation, and it is easy to cope with automation of the production line.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１に
より説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【００１１】図１は、本発明による真空処理装置の、半
導体ウェーハに対するドライエッチング処理を行う装置
への応用を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an application of the vacuum processing apparatus according to the present invention to an apparatus for performing a dry etching process on a semiconductor wafer.
【００１２】装置は、未処理のウェーハを収納した状態
で、装置に処理対象を供給し、かつ処理済みのウェーハ
を再度元の位置に収納して回収するための、複数（通常
２５枚）のウェーハを収納できる複数のカセット１ａ、
１ｂおよび１ｃ、該カセット１ａ、１ｂ、１ｃを載置
し、装置への導入／払出しの位置を決定するための、位
置及び姿勢を変えることがなく、水平又は水平に近い平
面の上に常に一定位置に固定されたカセット台２ａ、２
ｂ、２ｃ、図示しない真空排気装置及びガス導入装置を
装備し、ウェーハを真空雰囲気に導入するためのロード
ロック室（基板受入室）５、同じくウェーハを大気中に
取りだすためのアンロードロック室（基板取出室）６、
ウェーハにエッチング処理を施すためのエッチング１１
（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）、それらをそれぞれ気密に
分離可能な隔離弁１２、及びロードロック室（基板受入
室）５／アンロードロック室（基板取出室）６とカセッ
ト１ａ、１ｂ、１ｃとの間に配置され、Ｘ、Ｙ、Ｚ及び
θ軸を有するロボットを備えた、ロードロック室（基板
受入室）５／アンロードロック室（基板取出室）６とカ
セット１ａ、１ｂ、１ｃとの間でウェーハを授受するた
めの第１搬送装置１３から構成されている。The apparatus is provided with a plurality of (usually 25) wafers for supplying an object to be processed to the apparatus while accommodating unprocessed wafers, and again accommodating and recovering the processed wafers at the original position. A plurality of cassettes 1a capable of storing wafers,
1b and 1c, the cassettes 1a, 1b, 1c are placed, and they are always fixed on a horizontal or near-horizontal plane without changing the position and attitude for determining the position of introduction / dispensing to the apparatus. Cassette stand 2a, 2 fixed in position
b, 2c, an evacuation device and a gas introduction device (not shown) are provided, a load lock chamber (substrate receiving chamber) 5 for introducing the wafer into a vacuum atmosphere, and an unload lock chamber (for loading the wafer into the atmosphere) Substrate extraction room) 6,
Etching for performing etching process on wafer 11
(11a, 11b, 11c), an isolation valve 12 capable of airtightly separating them, and a load lock chamber (substrate receiving chamber) 5 / unload lock chamber (substrate unloading chamber) 6 and cassettes 1a, 1b, 1c. Between the load lock chamber (substrate receiving chamber) 5 / unload lock chamber (substrate unloading chamber) 6 and the cassette 1a, 1b, 1c, which is provided with a robot having X, Y, Z, and θ axes. It comprises a first transfer device 13 for transferring and receiving wafers.
【００１３】装置の動作としては、まず、未処理のウェ
ーハを収納したカセット１ａ、１ｂがストッカ（図示省
略）から装置へとロボット又はオペレータにより供給さ
れ、カセット台２ａ、２ｂに載置される。この時カセッ
ト台２ａ、２ｂは水平な同一平面上にあるため、カセッ
トの供給動作を単純化することが可能であり、生産ライ
ンの自動化への対応が容易である。一方、カセット台２
ｃには、ダミーウェーハを収納したカセット１ｃが載置
される。In operation of the apparatus, first, cassettes 1a and 1b containing unprocessed wafers are supplied from a stocker (not shown) to the apparatus by a robot or an operator and placed on the cassette tables 2a and 2b. At this time, since the cassette stands 2a and 2b are on the same horizontal plane, it is possible to simplify the cassette supply operation, and it is easy to cope with automation of the production line. On the other hand, cassette stand 2
A cassette 1c containing a dummy wafer is placed on c.
【００１４】装置は、カセットに付与された生産情報を
自ら認識するか、上位の制御装置から送られる情報に基
づくか、あるいはオペレータの入力する命令によるか、
いずれかの方法によりウェーハに処理を行うことができ
る。Whether the device recognizes the production information given to the cassette by itself, based on the information sent from the host control device, or by a command inputted by the operator,
The wafer can be processed by either method.
【００１５】カセット１ａに収納された未処理のウェー
ハ（基板）２０を第１搬送装置１３により抜き取り、第
１搬送装置１３に対してカセット１ａとは反対側に配置
されたロードロック室（基板受入室）５へ隔離弁１２ａ
を通して搬入する。このときウェーハ（基板）２０は、
カセット１ａ内のいずれの場所に収納されたものでも良
い。ウェーハ（基板）２０は、隔離弁１２ａからロード
ロック室（基板受入室）５に入った後、隔離弁１２ｂか
らアンロードロック室（基板取出室）６を出るまで、装
置外部の雰囲気とは完全に遮断された状態にあるので、
隔離弁１２ａ、１２ｂを境にして仕切りを設け、カセッ
ト台２ａ、２ｂとそこに載置されたカセット１ａ、１ｂ
及び第１搬送装置１３のみを清浄度の高いクリーンルー
ム側に置き、残りの部分は清浄度の低いメインテナンス
ルーム側に置くことができる。ロードロック室（基板受
入室）５は、隔離弁１２ａを閉じた後、排気装置（図示
省略）によって所定の圧力まで真空排気され、次いで隔
離弁１２ｂが開放されてウェーハ（基板）２０は、搬送
室１６に設けられた真空搬送装置（図示略）により各エ
ッチング室１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）へ搬送さ
れ、各試料台８（８ａ，８ｂ，８ｃ）上に載置される。The unprocessed wafers (substrates) 20 stored in the cassette 1a are extracted by the first transfer device 13, and the load lock chamber (substrate receiving part) arranged on the opposite side of the first transfer device 13 from the cassette 1a. Chamber) 5 to isolation valve 12a
Carry in through. At this time, the wafer (substrate) 20 is
It may be stored anywhere in the cassette 1a. After the wafer (substrate) 20 enters the load lock chamber (substrate receiving chamber) 5 from the isolation valve 12a and exits the unload lock chamber (substrate unloading chamber) 6 from the isolation valve 12b, the atmosphere outside the apparatus is complete. Since it is blocked by
Partitions are provided with the isolation valves 12a and 12b as boundaries, and cassette stands 2a and 2b and cassettes 1a and 1b placed thereon.
Also, only the first transfer device 13 can be placed on the clean room side with high cleanliness, and the rest can be placed on the maintenance room side with low cleanliness. The load lock chamber (substrate receiving chamber) 5 is evacuated to a predetermined pressure by an exhaust device (not shown) after closing the isolation valve 12a, and then the isolation valve 12b is opened to transfer the wafer (substrate) 20. It is transferred to each etching chamber 11 (11a, 11b, 11c) by a vacuum transfer device (not shown) provided in the chamber 16 and placed on each sample stage 8 (8a, 8b, 8c).
【００１６】尚、各エッチング室１１ａ，１１ｂ，１１
ｃには、搬送室１６との間にそれらをそれぞれ気密に分
離する隔離弁１２ａ’１２ｂ’１２ｃ’（図示省略）が
設置されている。Incidentally, each etching chamber 11a, 11b, 11
Isolation valves 12a′12b′12c ′ (not shown) for airtightly separating them from the transfer chamber 16 are installed in c.
【００１７】各エッチング室１１（１１ａ，１１ｂ，１
１ｃに搬入されたウェーハ（基板）２０は、所定の条件
によりエッチング処理を施される。この間に、ロードロ
ック室（基板受入室）５は隔離弁１２ａ、１２ｂを閉じ
た状態で、ガス導入装置４により大気圧に復帰され、開
放された隔離弁１２ａから１枚目のウェーハと同様に２
枚目のウェーハが第１搬送装置１３によって搬入され、
再び排気装置によって所定の圧力まで真空排気される。
１枚目のウェーハ（基板）２０のエッチング処理が終了
すると、隔離弁１２ｃが開かれて処理済みのウェーハ
（基板）２０がアンロードロック室（基板取出室）６に
搬出され、続いて隔離弁１２ｃが閉じられ、隔離弁１２
ｂが開かれて２枚目のウェーハがロードロック室（基板
受入室）５から搬入され、隔離弁１２ｂを閉じた後エッ
チング処理が開始される。Each etching chamber 11 (11a, 11b, 1
The wafer (substrate) 20 carried into 1c is subjected to etching treatment under predetermined conditions. During this time, the load lock chamber (substrate receiving chamber) 5 is returned to the atmospheric pressure by the gas introduction device 4 with the isolation valves 12a and 12b closed, and the isolation valve 12a is opened like the first wafer. Two
The first wafer is loaded by the first transfer device 13,
The exhaust device again evacuates to a predetermined pressure.
When the etching process of the first wafer (substrate) 20 is completed, the isolation valve 12c is opened and the processed wafer (substrate) 20 is unloaded to the unload lock chamber (substrate unloading chamber) 6 and then the isolation valve 12c. 12c is closed, isolation valve 12
b is opened, the second wafer is loaded from the load lock chamber (substrate receiving chamber) 5, the isolation valve 12b is closed, and then the etching process is started.
【００１８】アンロードロック室（基板取出室）６に搬
出された処理済みウェーハ（基板）２０は、アンロード
ロック室（基板取出室）６を大気圧に復帰した後、隔離
弁１２ｄを通して第１搬送装置１３によって大気中に取
りだされ、当初収納されていたカセット１ａ内の元の位
置へ戻される。The processed wafer (substrate) 20 carried out to the unload lock chamber (substrate unloading chamber) 6 is returned to the atmospheric pressure in the unload lock chamber (substrate unloading chamber) 6 and then passed through the isolation valve 12d to the first position. It is taken out to the atmosphere by the carrier device 13 and returned to the original position in the cassette 1a which was initially stored.
【００１９】以上の動作を繰り返して、カセット１ａに
収納されていた未処理ウェーハの処理が完了し、元の位
置に再収納し終わるとカセット１ａは回収可能となり、
別の未処理のウェーハを収納したカセットと交換される
が、装置はその間カセット１ｂ内の未処理ウェーハの処
理を続けており、カセット１ｂの全てのウェーハの処理
が完了する前に別の未処理のウェーハを収納したカセッ
トが供給されれば、装置は常に連続的に稼働可能であ
る。この時カセット１ａ、カセット１ｂは水平な同一平
面上にあるため、カセット１ａの回収作業及び別の未処
理のウェーハを収納したカセットの供給作業を、搬送装
置１３によるカセット１ｂへのアクセスに影響を与える
ことなく行うことができる。By repeating the above operation, the processing of the unprocessed wafers stored in the cassette 1a is completed, and when the wafers are re-stored in the original position, the cassette 1a can be recovered.
The cassette is replaced with a cassette containing another unprocessed wafer, but the apparatus continues to process the unprocessed wafers in the cassette 1b, and another unprocessed wafer is processed before all the wafers in the cassette 1b are processed. If the cassette containing the wafers is supplied, the apparatus can always be operated continuously. At this time, since the cassettes 1a and 1b are on the same horizontal plane, the collection work of the cassette 1a and the supply work of the cassette containing another unprocessed wafer affect the access to the cassette 1b by the transfer device 13. It can be done without giving.
【００２０】エッチング室１１は、処理を重ねるにつれ
て反応生成物が内壁面に付着、堆積してくるためにプラ
ズマクリーニングによって付着物を除去し、元の状態に
復旧してやる必要があるが、プラズマクリーニングの実
施に当っては、カセット１ｃに収納されたダミーウェー
ハ３０を第１搬送装置１３によって抜取り、以降は前記
被処理ウェーハ（基板）２０の場合と全く同様にして処
理を行った後、ダミーウェーハ３０をカセット１ｃ内の
元の位置に戻すことができ、ダミーウェーハ３０は常に
カセット１ｃ内にストックされていることになる。In the etching chamber 11, since reaction products adhere to and accumulate on the inner wall surface as the treatment is repeated, it is necessary to remove the adhered substances by plasma cleaning and restore the original state. In practice, the dummy wafer 30 stored in the cassette 1c is extracted by the first transfer device 13, and thereafter, the dummy wafer 30 is processed in exactly the same manner as the case of the wafer (substrate) 20 to be processed. Can be returned to the original position in the cassette 1c, and the dummy wafers 30 are always stocked in the cassette 1c.
【００２１】尚、カセット１ｃのダミーウェーハ３０が
全てプラズマクリーニングで使用された場合や、数回の
使用により使用不良となった場合、ダミーウェーハ３０
はカセット１ｃごと全て交換される。If all the dummy wafers 30 in the cassette 1c are used for plasma cleaning or if the dummy wafers 30 become defective after being used several times, the dummy wafers 30 will be used.
Are all replaced with the cassette 1c.
【００２２】従って、プラズマクリーニングを特別な処
理シーケンスとして扱う必要は無く、通常のエッチング
処理の中に組み込んで一連の作業として行うことがで
き、クリーニングを実施する周期も任意に設定すること
が可能である。装置のハードウェア上からもプラズマク
リーニングの為の専用の機構は必要が無く、複数のカセ
ット台の一つ（本例の場合２ｃ）にダミーウェーハ３０
を収納したカセット（本例の場合１ｃ）を設置するだけ
で良く、プラズマクリーニングの必要が無い用途の場合
には、ダミーウェーハ３０を収納したカセットの代わり
に、被処理ウェーハ２０を収納したカセットを設置する
ことにより、より効率良く生産を行うことができること
は説明するまでもない。Therefore, it is not necessary to treat the plasma cleaning as a special processing sequence, it can be incorporated into a normal etching process as a series of operations, and the cleaning cycle can be set arbitrarily. is there. There is no need for a dedicated mechanism for plasma cleaning even from the hardware of the apparatus, and one of the plurality of cassette stands (2c in this example) is provided with a dummy wafer 30.
It suffices to install a cassette (1c in this example) that stores the wafers, and for applications that do not require plasma cleaning, replace the cassette that contains the dummy wafers 30 with the cassette that contains the wafers 20 to be processed. It goes without saying that the installation allows more efficient production.
【００２３】また、一旦プラズマクリーニングに使用さ
れたダミーウェーハは、再び大気中の元のカセットに戻
るようになされているので、真空室内では使用済みのダ
ミーウェーハとこれから正規の処理を受けようとする未
処理のウェーハとが混在することがなく、製品の汚染の
心配も無い。Further, since the dummy wafer once used for the plasma cleaning is returned to the original cassette in the atmosphere again, the dummy wafer which has already been used in the vacuum chamber is about to be subjected to regular processing. It does not mix with unprocessed wafers and there is no risk of product contamination.
【００２４】[0024]
【発明の効果】本発明によれば、ゴミの発生や残留ガス
などによる製品の汚染をなくし、高い生産効率と高い製
品歩留まりを実現する真空処理及びそれを用いた基板の
真空処理方法を提供することができる。According to the present invention, there is provided a vacuum processing which eliminates dust generation, contamination of products due to residual gas, etc., and realizes high production efficiency and high product yield, and a substrate vacuum processing method using the same. be able to.
【図１】本発明の一実施例のドライエッチング装置の平
面図である。FIG. 1 is a plan view of a dry etching apparatus according to an embodiment of the present invention.
１…基板カセット、２…カセット台、５…ロードロック
室（基板受入室）、６…アンロードロック室（基板取出
室）、８…試料台、１１…エッチング室、１２…隔離
弁、１３…第１搬送装置、１６…搬送室、２０…ウェー
ハ（基板）、３０…ダミーウェーハ。1 ... Substrate cassette, 2 ... Cassette stage, 5 ... Load lock chamber (substrate receiving chamber), 6 ... Unload lock chamber (substrate taking-out chamber), 8 ... Sample stage, 11 ... Etching chamber, 12 ... Isolation valve, 13 ... 1st transfer apparatus, 16 ... Transfer chamber, 20 ... Wafer (substrate), 30 ... Dummy wafer.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 温司 山口県下松市大字東豊井794番地 株式 会社 日立製作所 笠戸工場内 (56)参考文献 特開 昭62−207866（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−133521（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−178946（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−170013（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−258438（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−216315（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−52449（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 B01J 3/02 B65G 49/07 H01L 21/205 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Atsushi Ito 794 Azuma Higashitoyo, Shimomatsu City, Yamaguchi Prefecture, Ltd. Kasado Plant, Hitachi, Ltd. (56) References JP 62-207866 (JP, A) JP Sho 63-133521 (JP, A) JP-A-2-178946 (JP, A) JP-A-1-170013 (JP, A) JP-A-1-258438 (JP, A) JP-A-62-216315 (JP, A) A) JP-A-2-52449 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/68 B01J 3/02 B65G 49/07 H01L 21/205
Claims (2)
気雰囲気に載置するカセット台と、 大気雰囲気で動作する大気搬送装置と、基板を一枚毎処
理する複数の真空処理室と、基板を前記いずれかの真空
処理室へ搬人するために前記基板を一枚搬出人する毎に
大気雰囲気または真空雰囲気に切替えられるロードロッ
ク室と、基板を前記いずれかの真空処理室から搬出する
ために前記基板を一枚搬出人する毎に真空雰囲気または
大気雰囲気に切替えられるアンロードロックとを備えた
真空処理装置を用いる基板の真空処理方法であって、 前記大気搬送装置は、前記ロードロック室及びアンロー
ドロック室に共通する前側に位置し、未処理基板及び処
理済基板を搬送するＸ、Ｙ、Ｚ及びθ軸を有するロボッ
トを有しており、 前記未処理基板またはクリーニング用のダミー基板を収
納した前記複数のカセットを、該大気搬送装置の前側の
所定位置にある実質的に水平な面上に固定配置されカセ
ットが収納される前記カセット台に 載置し、前記真空処理装置は、 前記カセットに付与された生産情
報、または上位の制御装置から送られる情報に基づき、
前記基板を前記いずれのカセット台のカセット内のいず
れの場所からも前記ロードロック室ヘ一枚毎搬送し、該
ロードロック室からいずれかの真空処理室へ前記基板を
一枚毎搬入して処理し、前記いずれかの真空処埋室で処
理済の基板を一枚毎、前記アンロードロック室へ搬出
し、該アンロードロック室から前記基板を元のカセット
の元の位置に一枚毎回収することを特徴とする基板の真
空処理方法。1. A cassette stand for placing a plurality of cassettes for accommodating a plurality of substrates in an atmosphere, an atmosphere transfer device that operates in an atmosphere, a plurality of vacuum processing chambers for processing each substrate, and a substrate. In order to transport the above to any of the above vacuum processing chambers ,
A load lock chamber is switched to the air atmosphere or a vacuum atmosphere, a vacuum atmosphere or each time one out people the substrate to out the substrate from the one of the vacuum processing chamber
Equipped with an unload lock that can be switched to the atmosphere
A method of vacuum processing a substrate using a vacuum processing apparatus , wherein the atmospheric transfer device is located on the front side common to the load lock chamber and the unload lock chamber, and transfers X and Y of an unprocessed substrate and a processed substrate. Robot with Z, Z and θ axes
The unprocessed substrate or the dummy substrate for cleaning.
The plurality of cassettes stored are placed in front of the atmospheric transfer device.
The cassette is fixedly placed on a substantially horizontal surface in place.
Placed on the cassette table in which the cassette is stored , and the vacuum processing device, based on the production information given to the cassette or the information sent from the host controller,
Wherein also carry the load lock Shitsuhe one by one from any location in the substrate cassette base of the Izu Re cassette one said substrate from said <br/> load lock chamber to one of the vacuum processing chamber Each substrate is loaded and processed, and each substrate processed in one of the vacuum treatment chambers is unloaded to the unload lock chamber, and the substrates are returned to the original cassette from the unload lock chamber. A method of vacuum processing a substrate, characterized by recovering one by one at a position.
気雰囲気に載置するカセット台と、大気雰囲気で動作す
る大気搬送装置と、基板を一枚毎処理する複数の真空処
理室と、未処理基板を前記いずれかの真空処理室へ搬人
するために前記基板を一枚搬出人する毎に大気雰囲気ま
たは真空雰囲気に切替えられるロードロック室と、処理
済基板を前記いずれかの真空処理室から搬出するために
前記基板を一枚搬出人する毎に大気雰囲気または真空雰
囲気に切替えられるアンロードロックとを備えた真空処
理装置であって、 前記大気搬送装置は、前記ロードロック室及びアンロー
ドロック室に共通する前側に位置し、未処理基板及び処
理済基板を搬送するＸ、Ｙ、Ｚ及びθ軸を有するロボッ
トを有しており、 該大気搬送装置の前側の所定位置にある実質的に水平な
面上に固定配置され、前記未処理基板またはクリーニン
グ用のダミー基板を収納した複数の前記カセットが収納
されるカセット台を具備し、 前記真空処理装置は、前記カセットに付与された生産情
報、または上位の制御装置から送られる情報に基づき、
前記基板を前記いずれのカセット台のカセット内のいず
れの場所からも前記ロードロック室ヘ一枚毎搬送し、該
ロードロック室からいずれかの真空処理室へ前記基板を
一枚毎搬入して処理し、前記いずれかの真空処埋室で処
理済の基板を一枚毎、前記アンロードロック室へ搬出
し、該アンロードロック室から前記基板を元のカセット
の元の位置に一枚毎回収する、ことを特徴とする真空処
理装置。 2. A cassette stand for placing a plurality of cassettes for accommodating a plurality of substrates in an atmosphere, an atmosphere transfer device that operates in an atmosphere, a plurality of vacuum processing chambers for processing each substrate, A load-lock chamber that switches between an atmospheric atmosphere and a vacuum atmosphere each time one of the substrates is carried out in order to carry the processed substrate to the vacuum processing chamber, and the processed substrate to the vacuum processing chamber. A vacuum processing apparatus comprising: an unload lock that is switched to an atmospheric atmosphere or a vacuum atmosphere each time one of the substrates is unloaded in order to unload the substrate, wherein the atmospheric transfer device includes the load lock chamber and the unload lock chamber. The robot has a robot having X, Y, Z, and θ axes, which is located on the front side common to the lock chambers, and which transports the unprocessed substrate and the processed substrate. The robot is located at a predetermined position on the front side of the atmosphere transfer device. The vacuum processing apparatus is fixed to a substantially horizontal surface, and includes a plurality of the cassettes containing the unprocessed substrates or cleaning dummy substrates. Based on the produced production information or the information sent from the host controller,
The substrates are transferred to the load lock chambers one by one from any one of the cassettes of the cassette bases, and the substrates are loaded into the vacuum processing chambers from the load lock chambers and processed. Then, the substrates processed in any one of the vacuum treatment chambers are carried out to the unload lock chamber, and the substrates are recovered from the unload lock chamber to the original position of the original cassette. A vacuum processing apparatus characterized by:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002040579A JP3404391B2 (en) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | Vacuum processing method and vacuum processing apparatus for substrate |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family Applications (1)
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