JP3399124B2 - 酸化膜の成膜方法および酸化膜の成膜装置 - Google Patents
酸化膜の成膜方法および酸化膜の成膜装置Info
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- JP3399124B2 JP3399124B2 JP31013594A JP31013594A JP3399124B2 JP 3399124 B2 JP3399124 B2 JP 3399124B2 JP 31013594 A JP31013594 A JP 31013594A JP 31013594 A JP31013594 A JP 31013594A JP 3399124 B2 JP3399124 B2 JP 3399124B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
でウエハ上に酸化膜を成膜する方法に関する。
でウエハ上に酸化膜を成膜する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程で、例えば、基板
上に形成された配線間の隙間を埋め込む状態で当該基板
上に表面平坦な酸化膜を成膜する場合には、ＣＶＤ法に
よる成膜が行われている。上記成膜方法では、例えばテ
トラエトキシシラン（tetraethoxysilane （Ｃ2Ｈ5
Ｏ）4 Ｓｉ：以下、ＴＥＯＳと記す）を気化させたガス
やシラン（Ｓｉx Ｈ2x+2：以下、ＳｉＨ4 ）などのシリ
コンの供給源となるガスと、酸素やオゾン等の酸化剤と
なるガスとを反応ガスとして用いる。そして、例えば試
料を配置した減圧雰囲気中に上記各反応ガスを供給し、
当該試料の処理表面に酸化シリコンからなる酸化膜を成
膜する。
上に形成された配線間の隙間を埋め込む状態で当該基板
上に表面平坦な酸化膜を成膜する場合には、ＣＶＤ法に
よる成膜が行われている。上記成膜方法では、例えばテ
トラエトキシシラン（tetraethoxysilane （Ｃ2Ｈ5
Ｏ）4 Ｓｉ：以下、ＴＥＯＳと記す）を気化させたガス
やシラン（Ｓｉx Ｈ2x+2：以下、ＳｉＨ4 ）などのシリ
コンの供給源となるガスと、酸素やオゾン等の酸化剤と
なるガスとを反応ガスとして用いる。そして、例えば試
料を配置した減圧雰囲気中に上記各反応ガスを供給し、
当該試料の処理表面に酸化シリコンからなる酸化膜を成
膜する。
【０００３】上記酸化膜の成膜方法では、気相中でＳｉ
Ｈ4 またはＴＥＯＳの分解及び酸化反応が進んで成膜分
子が形成され、この成膜分子が基板表面に付着して酸化
シリコン膜が形成される。
Ｈ4 またはＴＥＯＳの分解及び酸化反応が進んで成膜分
子が形成され、この成膜分子が基板表面に付着して酸化
シリコン膜が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記成膜方法
には、以下のような課題がある。すなわち、上記成膜方
法では、気相中の成膜反応によって形成された成膜分子
が処理表面上に堆積して酸化膜が成膜される。このた
め、例えばトレンチの入口で成膜分子がトラップされ易
く、基板表面の段差を充分に埋め込むことができない。
には、以下のような課題がある。すなわち、上記成膜方
法では、気相中の成膜反応によって形成された成膜分子
が処理表面上に堆積して酸化膜が成膜される。このた
め、例えばトレンチの入口で成膜分子がトラップされ易
く、基板表面の段差を充分に埋め込むことができない。
【０００５】そこで本発明は、良好な埋め込み特性を確
保できる酸化膜の成膜方法を提供することを目的とす
る。
保できる酸化膜の成膜方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の酸化膜の成膜方法では、酸化剤となるオゾン
からなる第１の反応ガスを液体キャリアに溶解させた溶
液を霧状にして減圧雰囲気内に供給する。これによっ
て、当該減圧雰囲気中に配置された試料の処理表面に上
記第１の反応ガスを含む複数の反応ガスを反応させてな
る酸化膜を成膜する。上記液体キャリアは、水または過
酸化水素水であることとする。
の本発明の酸化膜の成膜方法では、酸化剤となるオゾン
からなる第１の反応ガスを液体キャリアに溶解させた溶
液を霧状にして減圧雰囲気内に供給する。これによっ
て、当該減圧雰囲気中に配置された試料の処理表面に上
記第１の反応ガスを含む複数の反応ガスを反応させてな
る酸化膜を成膜する。上記液体キャリアは、水または過
酸化水素水であることとする。
【０００７】さらに、上記酸化剤として、上記第１の反
応ガスの他に酸素または酸素と窒素とからなる第２の反
応ガスを上記減圧雰囲気中に気体状態で供給しても良
い。
応ガスの他に酸素または酸素と窒素とからなる第２の反
応ガスを上記減圧雰囲気中に気体状態で供給しても良
い。
【０００８】
【作用】上記成膜方法では、第１の反応ガスであるオゾ
ンを液体キャリアに溶解させた溶液を霧状にして減圧雰
囲気中に供給することから、上記オゾンは減圧雰囲気で
も気体になりにくい。このため、オゾンによる酸化の成
膜反応は試料の処理表面にまで持ち越される。そして、
上記液体キャリアを水または過酸化水素水にすること
で、成膜雰囲気内に汚染物質が持ち込まれることが防止
される。
ンを液体キャリアに溶解させた溶液を霧状にして減圧雰
囲気中に供給することから、上記オゾンは減圧雰囲気で
も気体になりにくい。このため、オゾンによる酸化の成
膜反応は試料の処理表面にまで持ち越される。そして、
上記液体キャリアを水または過酸化水素水にすること
で、成膜雰囲気内に汚染物質が持ち込まれることが防止
される。
【０００９】また、酸素または酸素と窒素とからなる第
２の反応ガスを、酸化剤として気体状態で上記減圧雰囲
気中に供給する場合には、処理表面上に成膜された酸化
膜が酸素アニール処理され当該酸化膜の膜質が改善され
る。
２の反応ガスを、酸化剤として気体状態で上記減圧雰囲
気中に供給する場合には、処理表面上に成膜された酸化
膜が酸素アニール処理され当該酸化膜の膜質が改善され
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の酸化膜の成膜方法の第１実施
例を図１に基づいて説明する。先ず、図２に基づいて、
第１実施例の成膜方法に用いる装置構成の一例を説明す
る。図に示すように、成膜装置６は、内部を減圧状態に
保つことができるチャンバ６０と、溶液４を貯蔵する液
槽６１とを有するものである。チャンバ６０と液槽６１
とは、チャンバ６０内に溶液４を供給するための供給管
６２で接続され、この供給管６２には霧状化手段６３が
設けられている。
例を図１に基づいて説明する。先ず、図２に基づいて、
第１実施例の成膜方法に用いる装置構成の一例を説明す
る。図に示すように、成膜装置６は、内部を減圧状態に
保つことができるチャンバ６０と、溶液４を貯蔵する液
槽６１とを有するものである。チャンバ６０と液槽６１
とは、チャンバ６０内に溶液４を供給するための供給管
６２で接続され、この供給管６２には霧状化手段６３が
設けられている。
【００１１】上記チャンバ６０内には、例えば冷却及び
加熱が可能な温調手段（図示せず）を備えた試料台６６
が配置されている。また、チャンバ６０の上方からはそ
の内部に、例えばシリコンの供給源となるその他の反応
ガス５をチャンバ６０内に導入するガス導入管６５が挿
入されている。そして、チャンバ６０内に挿入されたガ
ス導入管６５の先端部分は、試料１の処理表面１ａに対
してその他の反応ガス５が均等に供給されるように拡散
器６５ａとして構成されている。
加熱が可能な温調手段（図示せず）を備えた試料台６６
が配置されている。また、チャンバ６０の上方からはそ
の内部に、例えばシリコンの供給源となるその他の反応
ガス５をチャンバ６０内に導入するガス導入管６５が挿
入されている。そして、チャンバ６０内に挿入されたガ
ス導入管６５の先端部分は、試料１の処理表面１ａに対
してその他の反応ガス５が均等に供給されるように拡散
器６５ａとして構成されている。
【００１２】また、上記液槽６１は、第１の反応ガス２
であるオゾン（Ｏ3 ）を水（Ｈ2 Ｏ）または過酸化水素
水（Ｈ2 Ｏ2 ）等の液体キャリア３に溶解させた溶液４
を貯蔵するものである。この液槽６１には、上方から第
１の反応ガス２を液槽６１内に供給するための第１のガ
ス導入管６４が挿入されている。そして、第１のガス導
入管６４から供給される第１の反応ガス２によって、液
槽６１内は所定のガス圧力に保たれるように構成されて
いる。
であるオゾン（Ｏ3 ）を水（Ｈ2 Ｏ）または過酸化水素
水（Ｈ2 Ｏ2 ）等の液体キャリア３に溶解させた溶液４
を貯蔵するものである。この液槽６１には、上方から第
１の反応ガス２を液槽６１内に供給するための第１のガ
ス導入管６４が挿入されている。そして、第１のガス導
入管６４から供給される第１の反応ガス２によって、液
槽６１内は所定のガス圧力に保たれるように構成されて
いる。
【００１３】また、上記供給管６２は、その一端が液槽
６１の上方から上記溶液４に達する状態で当該液槽６１
内に挿入され、他端がチャンバ６０内に挿入されてい
る。そしてチャンバ６０内に挿入されている供給管６２
の先端部分は、試料１の処理表面１ａに対して反応ガス
が均等に供給されるようにするための拡散器６２ａとし
て構成され、試料台６６と上記ガス導入管６５の拡散器
６５ａとの間に配置される。この拡散器６２は、管体を
リング状に成形したものであり、上記リング状の内側に
向かう面に複数の拡散孔６２ｂが設けらている。
６１の上方から上記溶液４に達する状態で当該液槽６１
内に挿入され、他端がチャンバ６０内に挿入されてい
る。そしてチャンバ６０内に挿入されている供給管６２
の先端部分は、試料１の処理表面１ａに対して反応ガス
が均等に供給されるようにするための拡散器６２ａとし
て構成され、試料台６６と上記ガス導入管６５の拡散器
６５ａとの間に配置される。この拡散器６２は、管体を
リング状に成形したものであり、上記リング状の内側に
向かう面に複数の拡散孔６２ｂが設けらている。
【００１４】そして、上記霧状化手段６３は、例えば超
音波振動子からなるものであり、供給管６２の外壁に巻
き付ける状態で密着配置される。この霧状化手段６３
は、上記拡散器６２ａの拡散孔６２ｂを塞がない状態で
当該拡散器６２ａの外壁に密着配置しても良い。
音波振動子からなるものであり、供給管６２の外壁に巻
き付ける状態で密着配置される。この霧状化手段６３
は、上記拡散器６２ａの拡散孔６２ｂを塞がない状態で
当該拡散器６２ａの外壁に密着配置しても良い。
【００１５】上記構成の成膜装置６では、液槽６１内に
貯蔵された溶液４をチャンバ６０内に供給する際に、供
給管６２に設けられた霧状化手段６３によって溶液４が
霧状化される。このため、第１の反応ガス２は、霧状の
溶液４内に溶け込んだ状態で３ャンバ６０内に供給され
る。
貯蔵された溶液４をチャンバ６０内に供給する際に、供
給管６２に設けられた霧状化手段６３によって溶液４が
霧状化される。このため、第１の反応ガス２は、霧状の
溶液４内に溶け込んだ状態で３ャンバ６０内に供給され
る。
【００１６】次に、上記成膜装置６を用いた成膜方法を
上記図２と共に図１及び図３を用いて説明する。ここで
は、図１（１）に示すように例えばシリコンからなる８
インチの基板１１の表面に厚さ１μｍ，間隔０．３μｍ
のアルミニウムからなる配線１２が形成されたウエハを
試料１とし、この試料１の処理表面１ａに上記配線１２
による凹凸形状を埋め込む状態で酸化シリコンからなる
膜（以下，酸化膜と記す）を成膜する方法を例に取って
説明を行う。尚、成膜に用いる反応ガスとしては、酸化
剤となる第１の反応ガス２としてオゾン（Ｏ3 ）を用
い、シリコンの供給源となるその他の反応ガスとしてシ
ラン（Ｓｉx Ｈ2x+2, 以下ＳｉＨ4 と記す）を用いるこ
ととする。
上記図２と共に図１及び図３を用いて説明する。ここで
は、図１（１）に示すように例えばシリコンからなる８
インチの基板１１の表面に厚さ１μｍ，間隔０．３μｍ
のアルミニウムからなる配線１２が形成されたウエハを
試料１とし、この試料１の処理表面１ａに上記配線１２
による凹凸形状を埋め込む状態で酸化シリコンからなる
膜（以下，酸化膜と記す）を成膜する方法を例に取って
説明を行う。尚、成膜に用いる反応ガスとしては、酸化
剤となる第１の反応ガス２としてオゾン（Ｏ3 ）を用
い、シリコンの供給源となるその他の反応ガスとしてシ
ラン（Ｓｉx Ｈ2x+2, 以下ＳｉＨ4 と記す）を用いるこ
ととする。
【００１７】先ず、第１の反応ガス２として用いるＯ3
を溶解する水（Ｈ2 Ｏ）や過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）
を、液体キャリア３として液槽６１内に溜める。ここで
は、液体キャリア３としてＨ2 Ｏを用いることとする。
そして、第１のガス導入管６４から液槽６１内にＯ3 を
導入して液槽６１内を２ａｔｍに保ち、Ｈ2 ＯにＯ3 を
溶解させる。そして、Ｈ2 ＯにＯ3 を溶解させてなる溶
液４を液槽６１内に貯蔵しておく。図３には、１ａｔｍ
におけるＨ2 ＯへのＯ3 の溶解度曲線を示す。
を溶解する水（Ｈ2 Ｏ）や過酸化水素水（Ｈ2 Ｏ2 ）
を、液体キャリア３として液槽６１内に溜める。ここで
は、液体キャリア３としてＨ2 Ｏを用いることとする。
そして、第１のガス導入管６４から液槽６１内にＯ3 を
導入して液槽６１内を２ａｔｍに保ち、Ｈ2 ＯにＯ3 を
溶解させる。そして、Ｈ2 ＯにＯ3 を溶解させてなる溶
液４を液槽６１内に貯蔵しておく。図３には、１ａｔｍ
におけるＨ2 ＯへのＯ3 の溶解度曲線を示す。
【００１８】その後、上記試料１を−１０℃〜１０℃に
冷却した試料台６６上に載置する。次いで、チャンバ６
０内の雰囲気を排気口６０ａから排気し、チャンバ６０
内の雰囲気を０．１３３ｍＰａ以下の真空状態に保つ。
冷却した試料台６６上に載置する。次いで、チャンバ６
０内の雰囲気を排気口６０ａから排気し、チャンバ６０
内の雰囲気を０．１３３ｍＰａ以下の真空状態に保つ。
【００１９】次に、液槽６１内の溶液４を供給管６２に
流して当該供給管６２を通過する溶液４を霧状化手段６
３によって霧状にし、拡散器６２ａからチャンバ６０内
に供給する。この際、チャンバ６０内に、上記霧状の溶
液４が５〜２５ｇ／ｍｉｎで導入されるようにする。こ
れと同時に、その他の反応ガス５であるＳｉＨ4 を、ガ
ス導入管６５に５０〜１５０ｓｃｃｍの流量で流し、上
記拡散器６５ａからチャンバ６０内に供給する。これに
よって、チャンバ６０内の成膜雰囲気を１１０〜２７０
Ｐａの範囲に保つ。そして、図１（２）に示すように、
上記各反応ガス２，５の成膜反応によって、試料１の処
理表面１ａに酸化膜１３を成膜する。
流して当該供給管６２を通過する溶液４を霧状化手段６
３によって霧状にし、拡散器６２ａからチャンバ６０内
に供給する。この際、チャンバ６０内に、上記霧状の溶
液４が５〜２５ｇ／ｍｉｎで導入されるようにする。こ
れと同時に、その他の反応ガス５であるＳｉＨ4 を、ガ
ス導入管６５に５０〜１５０ｓｃｃｍの流量で流し、上
記拡散器６５ａからチャンバ６０内に供給する。これに
よって、チャンバ６０内の成膜雰囲気を１１０〜２７０
Ｐａの範囲に保つ。そして、図１（２）に示すように、
上記各反応ガス２，５の成膜反応によって、試料１の処
理表面１ａに酸化膜１３を成膜する。
【００２０】上記酸化膜（酸化シリコン膜）１３の成膜
方法では、第１の反応ガス２であるＯ3 は、霧状の溶液
４中に溶解した状態でチャンバ６０内に供給される。こ
のことから、酸化剤である上記Ｏ3 をガス状でチャンバ
内に供給する場合と比較して、上記第１実施例ではＯ3
の気相中での酸化力が低下する。このため、ＳｉＨ4の
Ｏ3 による分解酸化の成膜反応が気相中で進み難くな
り、上記成膜反応が試料１の処理表面１ａにまで持ち越
される。したがって、処理表面に気相中で形成された成
膜分子が堆積することが防止されて成膜の際の流動性が
確保される。そして、ボイドのない良好な埋め込み特性
を有する酸化膜１３が処理表面１３上に成膜される。
方法では、第１の反応ガス２であるＯ3 は、霧状の溶液
４中に溶解した状態でチャンバ６０内に供給される。こ
のことから、酸化剤である上記Ｏ3 をガス状でチャンバ
内に供給する場合と比較して、上記第１実施例ではＯ3
の気相中での酸化力が低下する。このため、ＳｉＨ4の
Ｏ3 による分解酸化の成膜反応が気相中で進み難くな
り、上記成膜反応が試料１の処理表面１ａにまで持ち越
される。したがって、処理表面に気相中で形成された成
膜分子が堆積することが防止されて成膜の際の流動性が
確保される。そして、ボイドのない良好な埋め込み特性
を有する酸化膜１３が処理表面１３上に成膜される。
【００２１】次に、第２実施例を説明する。第２実施例
の成膜方法は、上記第１実施例と同様のＯ3 からなる第
１の反応ガスと、第２の反応ガスとを酸化剤として用い
る方法である。第１の反応ガスは、上記第１実施例と同
様に液体キャリア３に溶解させて用いる。一方、第２の
反応ガスは、液体キャリアに溶解させずに減圧状態のチ
ャンバ６０内に気体状態で導入する。この、第２の反応
ガスとしては、Ｏ3 やＮ2 Ｏまたは図示されていない発
生機構で生成された酸素プラズマ等を用いる。但し、酸
素プラズマ中に含まれるイオンは、１０ｅＶ程度の低エ
ネルギーのものとする。また、第２の反応ガスをチャン
バ６０内に導入する際には、第２の反応ガスによる上記
その他の反応ガスの気相中での分解酸化が抑えられるよ
うに、当該第２の反応ガスの流量及びチャンバ６０内で
の供給位置を設定する。
の成膜方法は、上記第１実施例と同様のＯ3 からなる第
１の反応ガスと、第２の反応ガスとを酸化剤として用い
る方法である。第１の反応ガスは、上記第１実施例と同
様に液体キャリア３に溶解させて用いる。一方、第２の
反応ガスは、液体キャリアに溶解させずに減圧状態のチ
ャンバ６０内に気体状態で導入する。この、第２の反応
ガスとしては、Ｏ3 やＮ2 Ｏまたは図示されていない発
生機構で生成された酸素プラズマ等を用いる。但し、酸
素プラズマ中に含まれるイオンは、１０ｅＶ程度の低エ
ネルギーのものとする。また、第２の反応ガスをチャン
バ６０内に導入する際には、第２の反応ガスによる上記
その他の反応ガスの気相中での分解酸化が抑えられるよ
うに、当該第２の反応ガスの流量及びチャンバ６０内で
の供給位置を設定する。
【００２２】上記第２実施例の成膜方法では、液体キャ
リアに溶解させたＯ3 の他にガス状の酸化剤を用いるこ
とによって、処理表面１ａ上に成膜された酸化膜１３の
酸素アニール処理が進む。これによって、酸化膜１３の
膜質の改善反応が進み、耐圧特性に優れた酸化膜１３が
成膜される。
リアに溶解させたＯ3 の他にガス状の酸化剤を用いるこ
とによって、処理表面１ａ上に成膜された酸化膜１３の
酸素アニール処理が進む。これによって、酸化膜１３の
膜質の改善反応が進み、耐圧特性に優れた酸化膜１３が
成膜される。
【００２３】また、上記成膜の際の試料温度が高温であ
る場合には、上記第２の反応ガスとしてＯ2 を用いても
上記と同様の効果が得られる。また、酸化膜１３が窒化
されても良いものである場合には、第２の反応ガスとし
て、酸素と窒素からなるガスのプラズマを用いても良
い。
る場合には、上記第２の反応ガスとしてＯ2 を用いても
上記と同様の効果が得られる。また、酸化膜１３が窒化
されても良いものである場合には、第２の反応ガスとし
て、酸素と窒素からなるガスのプラズマを用いても良
い。
【００２４】尚、上記酸化膜の成膜方法は、上記各実施
例で示した試料や成膜条件に限定されるものではない。
例で示した試料や成膜条件に限定されるものではない。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明の成膜方法に
よれば、オゾンからなる第１の反応ガスを液体キャリア
に溶解させた溶液を霧状にして減圧雰囲気内に供給する
ことによって、オゾンによるその他の反応ガスの分解酸
化の成膜反応を試料の処理表面にまで持ち越すことが可
能になる。したがって、処理表面における成膜の際の流
動性が確保され、埋め込み特性に優れた膜を得ることが
できる。そして、上記液体キャリアに水または過酸化水
素水を用いることで、成膜処理の際の汚染を防止するこ
とが可能になる。また、酸化剤として酸素または酸素及
び窒素からなる第２の反応ガスを上記減圧雰囲気内に気
体状態で供給することによって、処理表面に成膜された
酸化膜の酸素アニール処理が進み、耐圧性に優れた酸化
膜が成膜される。
よれば、オゾンからなる第１の反応ガスを液体キャリア
に溶解させた溶液を霧状にして減圧雰囲気内に供給する
ことによって、オゾンによるその他の反応ガスの分解酸
化の成膜反応を試料の処理表面にまで持ち越すことが可
能になる。したがって、処理表面における成膜の際の流
動性が確保され、埋め込み特性に優れた膜を得ることが
できる。そして、上記液体キャリアに水または過酸化水
素水を用いることで、成膜処理の際の汚染を防止するこ
とが可能になる。また、酸化剤として酸素または酸素及
び窒素からなる第２の反応ガスを上記減圧雰囲気内に気
体状態で供給することによって、処理表面に成膜された
酸化膜の酸素アニール処理が進み、耐圧性に優れた酸化
膜が成膜される。
【図１】実施例の成膜方法を説明する図である。
【図２】実施例の成膜方法に用いる装置の構成図であ
る。
る。
【図３】Ｈ2 Ｏに対するＯ3 の溶解度曲線である。
１ 試料
１ａ 試料表面
２ 第１の反応ガス
３ 液体キャリア
４ 溶液
５ その他の反応ガス（反応ガス）
１３ 酸化膜
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−343456（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−87821（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−82489（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−190229（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−182955（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−295907（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−122281（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−310444（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/31
H01L 21/312
H01L 21/314
H01L 21/316
H01L 21/318
H01L 21/768
Claims (6)
- 【請求項１】 減圧雰囲気中にシリコン系化合物ガスと
酸化剤となる第１の反応ガスとを供給し、当該減圧雰囲
気中に配置された試料の処理表面に前記各反応ガスを反
応させてなる酸化膜を成膜する方法において、 前記第１の反応ガスは、オゾンガスであり、 前記オゾンガスは、当該オゾンガスを液体キャリアに溶
解させた溶液を霧状にした状態を保って−１０℃〜１０
℃に冷却された試料が収納された前記減圧雰囲気内に供
給されることを特徴とする酸化膜の成膜方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の酸化膜の成膜方法におい
て、 前記液体キャリアは、水または過酸化水素水であること
を特徴とする酸化膜の成膜方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の酸化膜の成膜方
法において、 前記酸化剤として、上記第１の反応ガスの他に酸素また
は酸素と窒素とからなる第２の反応ガスを前記減圧雰囲
気中に気体状態で供給することを特徴とする酸化膜の成
膜方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし３いずれか１項記載の酸
化膜の成膜方法において、 前記シリコン化合物ガスは、シランガスであることを特
徴とする酸化膜の成膜方法。 - 【請求項５】 減圧チャンバと、 当該減圧チャンバ内に配置された冷却可能な温調手段を
備えた試料台と、 オゾンガスを液体キャリアに溶解させた溶液を霧状にす
る霧状化手段を備えると共に、当該試料台の上方に当該
溶液を霧状を保って供給する第１のガス供給管と、 当該減圧チャンバ内にシリコン化合物ガスを供給する第
２のガス供給管と、 を含んで構成されることを特徴とする酸化膜の成膜装
置。 - 【請求項６】 前記霧状化手段は、超音波振動子である
こととを特徴とする請求項５記載の酸化膜の成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31013594A JP3399124B2 (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 酸化膜の成膜方法および酸化膜の成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31013594A JP3399124B2 (ja) | 1994-12-14 | 1994-12-14 | 酸化膜の成膜方法および酸化膜の成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167603A JPH08167603A (ja) | 1996-06-25 |
| JP3399124B2 true JP3399124B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=18001591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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| JP (1) | JP3399124B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6148761A (en) * | 1998-06-16 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Dual channel gas distribution plate |
-
1994
- 1994-12-14 JP JP31013594A patent/JP3399124B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08167603A (ja) | 1996-06-25 |
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