JP3395799B2 - Substrate transfer device and heat treatment device - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板搬送装置および熱
処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is a substrate transfer apparatus and thermal
Regarding a processing device .

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程において歩留りを低下さ
せる最大の原因の一つとして、大気中に浮遊する塵が半
導体ウエハに付着することによって、半導体素子を破壊
し、もって歩留りを低下させるということが知られてい
る。この大気中に浮遊する塵に起因する歩留りの低下を
改善するために、大気中に存在する塵を取り除く設備を
備えたクリーンルーム内で、半導体を製造するという手
段が取付けられている。One of the biggest cause of reducing the yield of the Prior Art Semiconductor manufacturing process, by dust floating in the atmosphere from adhering to the semiconductor wafer, and corrupted <br/> broken the semiconductor device, the yield with It is known to lower it. In order to improve the decrease in yield due to dust floating in the atmosphere, a means for manufacturing semiconductors is installed in a clean room equipped with a facility for removing dust existing in the atmosphere.

【０００３】このクリーンルーム内で薄板状の基板、例
えば半導体ウェハを基板フォークで移載する方法として
バキュームチャック方法とソフトランディング方法とい
う方法が一般に使われている。バキュームチャック方法
は、基板フォークに設けられた吸気穴からの吸気によっ
て、半導体ウェハを吸着し、たとえ移載時に基板フォー
クに振動が伝わっても、吸気作用によって基板を十分に
吸着しているため、安定して半導体ウェハを搬送するこ
とができる。しかし、この方法はクリーンルーム内の大
気に残っている極微量の塵を半導体ウェハの吸着作用に
よって基板フォークに集めることになり、この塵が半導
体ウェハに付着していまい、この塵が半導体ウェハの素
子に重大な欠陥をもたらすことになってしまう。そこ
で、近々、ソフトランディング方法が注目を集めている
が、この方法は基板フォーク上に設けられた凸部が半導
体ウェハをの周囲を支持することによって、半導体ウェ
ハの搬送時の振動による横ずれを防止している。Generally, a vacuum chuck method and a soft landing method are used as a method for transferring a thin plate-shaped substrate, for example, a semiconductor wafer by a substrate fork in this clean room. The vacuum chuck method sucks a semiconductor wafer by suction from a suction hole provided in the substrate fork, and even if vibration is transmitted to the substrate fork during transfer, the substrate is sufficiently sucked by the suction action. The semiconductor wafer can be stably transported. However, in this method, a very small amount of dust remaining in the atmosphere in the clean room is collected on the substrate fork by the adsorption action of the semiconductor wafer, and this dust may adhere to the semiconductor wafer. Will result in serious defects. Therefore, the soft landing method has recently attracted attention. In this method, the convex portion provided on the substrate fork supports the periphery of the semiconductor wafer to prevent lateral displacement due to vibration during transportation of the semiconductor wafer. is doing.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】つまり、ソフトランデ
ィング方法は基板フォークに設けられた半導体ウェハの
側面を支持する凸部によって、横ずれを防止しているた
め、安定した状態で移載するにはこの凸部による半導体
ウェハの支持が不可欠になる。In other words, in the soft landing method, the lateral shift is prevented by the convex portion provided on the substrate fork and supporting the side surface of the semiconductor wafer. Supporting the semiconductor wafer by the convex portions becomes indispensable.

【０００５】しかし、半導体ウエハを載置するウエハボ
ートの支柱の位置によって、基板フォークは、ウエハボ
ートの支柱に衝突するため、半導体ウエハを完全に支持
して移載することができない。例えば、図６に示すよう
に３本足形状のウエハボートに移載する場合、基板フォ
ークは、半導体ウエハを基板フォークの先端からはみ出
した状態でしか、支持することができない。However, depending on the position of the support of the wafer boat on which the semiconductor wafer is mounted, the substrate fork collides with the support of the wafer boat, so that the semiconductor wafer cannot be completely supported and transferred. For example, to transfer the wafer boat 3 legged shape, as shown in FIG. 6, the substrate follower
The ark can support the semiconductor wafer only in a state of protruding from the tip of the substrate fork.

【０００６】バキュームチャック方法であれば吸気作用
によって、半導体ウェハを十分に保持できる。しかし、
ソフトランディング方法では、半導体ウェハを取り囲む
凸部がなければ、だだ基板フォーク上に載置しているだ
けで、移載時の震動等によって、半導体ウェハが基板フ
ォーク上で位置ずれをしたり、落下の原因になったりし
てしまい、うまくウェハボートに移載できないという問
題があった。With the vacuum chuck method, the semiconductor wafer can be sufficiently held by the suction action. But,
In the soft landing method, if there is no convex portion that surrounds the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is simply placed on the substrate fork, and the semiconductor wafer may be displaced on the substrate fork due to vibration during transfer, There is a problem that it may be dropped and cannot be transferred onto the wafer boat properly.

【０００７】本発明は、このような事情に着目してなさ
れたものであり、その目的は基板の移載時にウエハボー
トの支柱に基板フォークの先端が衝突するのを防止でき
ると共に、基板を基板フォークの先端からはみ出さない
状態で安定して支持することができ、円滑かつ確実な移
載を実現できる基板搬送装置および熱処理装置を提供す
るものである。The present invention has been made in view of such a situation , and its purpose is to transfer a wafer wafer during transfer of a substrate.
This prevents the tip of the board fork from colliding with the
And the board does not stick out from the tip of the board fork.
Can be supported in a stable condition, and a smooth and reliable transfer
The present invention provides a substrate transfer device and a heat treatment device that can be mounted .

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
の発明は、熱処理装置に使われる薄板状の基板を載置し
て搬送する基板搬送装置において、薄板状の基板を載置
して搬送する基板フォークを備え、前記薄板状の基板が
載置されるウエハボートの支柱との接触を回避するため
の切り欠き部を前記基板フォークの先端に設けたことを
特徴とする。請求項２の発明は、請求項１の基板搬送装
置において、前記基板フォークが、前記薄板状の基板の
裏面を多点支持する凸部と、前記基板フォークに前記薄
板状の基板の側面を多点支持する凸部とを備えているこ
とを特徴とする。 請求項３の発明は、薄板状の基板を載
置して搬送する基板搬送装置を備えた熱処理装置におい
て、前記基板搬送装置は薄板状の基板を載置して搬送す
る基板フォークを備え、前記薄板状の基板が載置される
ウエハボートの支柱との接触を回避するための切り欠き
部を前記基板フォークの先端に設けたことを特徴とす
る。請求項４の発明は、請求項３の熱処理装置におい
て、前記基板フォークが、前記薄板状の基板の裏面を多
点支持する凸部と、前記基板フォークに前記薄板状の基
板の側面を多点支持する凸部とを有していることを特徴
とする。[Means for Solving the Problems] Claim 1 of the present invention
The invention provides a substrate transfer device for transferring by placing a thin plate-like substrate used in the heat treatment device, comprising a substrate forks for transporting and placing the thin plate-shaped substrate, prior Symbol lamellar substrate is placed to avoid contact with the wafer boat strut being
The a notch that is provided on the tip of the substrate fork
Characterize . The invention according to claim 2 is the substrate transfer device according to claim 1.
The substrate fork of the thin plate-shaped substrate
The convex part that supports the back surface at multiple points and the thin
The plate-shaped substrate has a plurality of convex portions that support the side surface of the substrate.
And are characterized. According to the invention of claim 3, a thin plate-shaped substrate is mounted.
In a heat treatment device equipped with a substrate transfer device for placing and transferring
The substrate transfer device mounts and transfers a thin plate-shaped substrate.
And a thin plate substrate is placed on the substrate fork.
Notch to avoid contact with wafer boat support
Is provided at the tip of the substrate fork.
It According to a fourth aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to the third aspect, the substrate fork has a convex portion that supports the back surface of the thin plate-shaped substrate at multiple points, and the substrate fork has multiple side surfaces of the thin plate-shaped substrate. It has a convex part which supports.

【作用】本発明は、基板フォークの先端に、ウエハボー
トの支柱との接触を回避する切り欠き部を設けているた
め、基板の移載時にウエハボートの支柱に基板フォーク
の先端が衝突するのを防止できると共に、基板を基板フ
ォークの先端からはみ出さない状態で安定して支持する
ことが可能となり、移載時の振動等による基板の位置ず
れや落下を防止することが可能となる。 According to the present invention, the substrate fork is provided with a notch at the tip thereof for avoiding contact with the support of the wafer boat .
Therefore , the substrate fork is attached to the support of the wafer boat when the substrate is transferred.
The tip of the board can be prevented from colliding, and the board can be supported stably without protruding from the tip of the board fork.
It becomes possible, it becomes possible to prevent positional deviation or dropping of the substrate that due to vibrations or the like during transfer.

【０００９】[0009]

【実施例】この発明を縦型熱処理装置に実施した一実施
例を、図面を参照して具体的に説明する。図１に示すよ
うに、縦型熱処理装置１は、被処理体として薄板状の基
板、例えば半導体ウェハを熱処理するために、次のよう
に構成している。まず、半導体ウェハを反応ガスと反応
させる容器として、耐熱材料、例えば石英ガラスを円筒
状に形成し、上端部を閉鎖し、下端部を開放した反応管
２が設けられている。この反応管２内には、半導体ウェ
ハ４を所定ピッチで多数枚積層搭載できる、耐熱材料、
例えば石英ガラス製のウエハボート３が設けられてい
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to a vertical heat treatment apparatus will be specifically described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the vertical heat treatment apparatus 1 is configured as follows in order to heat-treat a thin plate-shaped substrate, for example, a semiconductor wafer, as an object to be processed. First, as a container for reacting a semiconductor wafer with a reaction gas, there is provided a reaction tube 2 in which a heat-resistant material, for example, quartz glass is formed into a cylindrical shape, the upper end is closed, and the lower end is opened. In this reaction tube 2, a heat-resistant material capable of stacking and mounting a large number of semiconductor wafers 4 at a predetermined pitch,
For example, a wafer boat 3 made of quartz glass is provided.

【００１０】そして、前記反応管２の外周には、半導体
ウェハ４を加熱するための発熱体、例えば抵抗加熱ヒー
タ５が設けられている。さらに、この抵抗加熱ヒータ５
の外周には断熱材６を介して、ステンレススチール製の
筒体状のアウターシェル７が設けられており、全体とし
て加熱炉を構成している。前記反応管２の一端に処理ガ
スを供給するためのガス導入管８が連結され、また、前
記反応管２の他端には処理ガスを排出するための排出管
９が連結され、この排出管９は図示しない排気装置に接
続され前記反応管２内を排気可能に構成している。On the outer periphery of the reaction tube 2, a heating element for heating the semiconductor wafer 4, for example, a resistance heater 5 is provided. Furthermore, this resistance heater 5
An outer shell 7 made of stainless steel and having a cylindrical shape is provided on the outer periphery of the heat-insulating material 6 and constitutes a heating furnace as a whole. A gas introduction pipe 8 for supplying a processing gas is connected to one end of the reaction tube 2, and a discharge pipe 9 for discharging a processing gas is connected to the other end of the reaction tube 2, and this discharge pipe Reference numeral 9 is connected to an exhaust device (not shown) so that the inside of the reaction tube 2 can be exhausted.

【００１１】そして、前記ウェハボート３は耐熱材料、
例えば石英よりなる保温筒１０の上に載置され、この保
温筒１０は耐熱材料、例えば石英よりなる蓋体１１に載
置され、この蓋体１１は昇降機構、例えばボートエレベ
ータ２０により保持されて、前記ウェハボート３を前記
反応管２内の均熱領域にロード、アンロードできるよう
に構成している。前記反応管２の下部には、前記ウェハ
ボート３に半導体ウェハ４を移載するための、機構、例
えばウェハ移載機２１が設けられている。The wafer boat 3 is made of a heat-resistant material,
For example, it is placed on a heat insulating cylinder 10 made of quartz, and the heat insulating cylinder 10 is placed on a lid 11 made of a heat resistant material, for example, quartz, and the lid 11 is held by an elevating mechanism, for example, a boat elevator 20. The wafer boat 3 can be loaded and unloaded in the soaking area in the reaction tube 2. A mechanism, for example, a wafer transfer machine 21, for transferring the semiconductor wafers 4 to the wafer boat 3 is provided below the reaction tube 2.

【００１２】次に、図２に半導体搬送装置部を示す。ウ
ェハ移積載機２１は、半導体ウェハ４を載置する薄板状
の５枚の基板フォーク３０を、昇降機構２２によって上
下移動でき、回転機構２３によって水平回転移動でき、
水平移動機構２４によって水平方向に伸縮移動できるよ
うに構成されている。また、複数の半導体ウェハ４を収
納したキャリア３１が、キャリア積載台３２の上に載置
されている。Next, FIG. 2 shows a semiconductor carrier device section. The wafer transfer machine 21 can vertically move five thin plate-like substrate forks 30 on which the semiconductor wafers 4 are placed by the elevating mechanism 22 and horizontally rotate by the rotating mechanism 23.
The horizontal movement mechanism 24 is configured to be capable of expanding and contracting in the horizontal direction. Further, a carrier 31 accommodating a plurality of semiconductor wafers 4 is placed on a carrier loading table 32.

【００１３】そして、図３に示すように、前記ウエハ移
載機２１は、５枚の前記基板フォーク３０の根元（基
部）を所定の間隔、例えば前記キャリア３１の半導体ウ
エハ収納ピッチである３／１６インチ間隔でボルト止め
３６により保持する保持部３５を備えている。この保持
部３５がウエハ移載機２１内に長手方向に沿って張設さ
れたベルト３８に接続されており、このベルト３８をモ
ータ３７により回転駆動することによって、５枚の前記
基板フォーク３０を一度に水平方向に進退移動させるこ
とができるようになっている。Then, as shown in FIG. 3, the wafer transfer machine 21 has a base (base) of the five substrate forks 30.
Part) The Jo Tokoro intervals, bolted at 3/16 inch intervals, for example, a semiconductor wafer storing pitch of the carrier 31
A holding unit 35 that holds the unit 36 is provided . Hold this
The portion 35 is stretched in the wafer transfer machine 21 along the longitudinal direction.
The belt 38 is connected to the
The five substrate forks 30 can be moved back and forth in the horizontal direction at a time by being rotationally driven by the motor 37 .

【００１４】図４に示すように前記基板フォーク３０
は、炭化シリコンやアルミナなどを使い、厚さ１．３ｍ
ｍ、長さ２４０ｍｍ、幅４０ｍｍの長方形状に成形さ
れ、この基板フォーク３０の表面には、半導体ウエハ４
の裏面周縁部を多点支持（例えば４ヵ所で支持）する凸
部（裏面支持部）４１と、半導体ウエハ４の側面（周囲
部分）を多点支持（例えば４ヵ所で支持）する凸部（側
面支持部）４０とが一体成形により設けられている。凸
部（側面支持部）４０により半導体ウエハ４の横ずれを
防止することが可能となり、凸部（裏面支持部）４１に
より半導体ウエハ４にそりがあっても確実に半導体ウエ
ハ４を保持することが可能となる。 As shown in FIG. 4, the substrate fork 30 is provided.
Is made of silicon carbide or alumina, and has a thickness of 1.3 m
of molded m, length 240 m m, the rectangular width 40mm
It is, on the surface of the substrate fork 30, the semiconductor wafer 4
Convex that supports the back edge of the multi-point support (for example, support at 4 points)
Portion (back surface supporting portion) 41 and a side surface of the semiconductor wafer 4 (surroundings)
Convex part (side) that supports multiple points (for example, support at 4 points)
And a surface support portion) 40 are integrally formed. Convex
The lateral displacement of the semiconductor wafer 4 is prevented by the portion (side support portion) 40.
It becomes possible to prevent it from appearing on the convex portion (back surface supporting portion) 41.
Even if the semiconductor wafer 4 is warped, the semiconductor wafer
It becomes possible to hold the claw 4.

【００１５】また、前記基板フォーク３０を前記保持部
３５にボルト止め３６により取り付けるための穴部４２
が、長手方向の根元に４ヵ所設けられている。一方、前
記基板フォーク３０の長手方向の先端部には、例えば三
本柱のウエハボート３の中心部にある支柱４３が、基板
フォーク３０からウエハボートに移載するときでも、基
板フォーク３０が支柱４３に衝突しないように切り欠き
部（切欠部ともいう）４４が設けられている。Further, the substrate fork 30 is attached to the holding portion.
Hole 42 for attaching to 35 by bolts 36
Are provided at four locations at the base in the longitudinal direction. On the other hand, at the tip of the substrate fork 30 in the longitudinal direction, for example, the support column 43 at the center of the three-column wafer boat 3 is transferred from the substrate fork 30 to the wafer boat. A notch portion ( also referred to as a notch portion ) 44 is provided so as not to collide with 43.

【００１６】次に、以上のように構成した装置の動作に
ついて説明する。ウェハ移載機２１は、基板フォーク３
０を昇降機機構２２と回転機構２３の所定の運動によっ
て、キャリア３１の前方位置へ移動する。次に、前記基
板フォーク３０は、ウェハ移載機２１の前進水平移動に
よって、半導体ウェハ４間の所定位置に挿入する。そし
て、昇降機構２２は、基板フォーク３０を約２ｍｍ上昇
することによって、半導体ウェハ４を基板フォーク３０
上にある４個の凸部４０内で支持することができるよう
に載置する。Next, the operation of the apparatus configured as described above will be described. The wafer transfer machine 21 includes the substrate fork 3
0 is moved to the front position of the carrier 31 by a predetermined motion of the elevator mechanism 22 and the rotation mechanism 23. Next, the substrate fork 30 is inserted into a predetermined position between the semiconductor wafers 4 by the forward horizontal movement of the wafer transfer machine 21. Then, the elevating mechanism 22 raises the substrate fork 30 by about 2 mm to move the semiconductor wafer 4 to the substrate fork 30.
It is placed so that it can be supported in the four convex portions 40 above.

【００１７】次にウェハ移載機２１は、後退水平移動を
行って、半導体ウェハ４をキャリア３１から取り出し
て、昇降機構２２と回転機構２３の所定の動作によっ
て、ウェハボート３の前方へ移動する。次に、ウェハ移
載機２１は、基板フォークをウェハ移載機２１の前進水
平移動によって、ウェハボート３の方向へ前進する。こ
のとき、ウェハボート３の支柱４３は、基板フォーク３
０の切欠部４４内に位置され、ウェハボート３に設けら
れた図示しない溝部に半導体ウェハ４を嵌入させ、昇降
機構２２によって基板フォーク３０を２ｍｍ下降させる
と半導体ウェハ４は、ウェハボート３に載置できる。前
記操作を繰り返し行い、所望枚数の半導体ウェハ４をキ
ャリア３１からウェハボート３へ移載する。Next, the wafer transfer machine 21 performs a backward horizontal movement to take out the semiconductor wafer 4 from the carrier 31, and moves it to the front of the wafer boat 3 by a predetermined operation of the elevating mechanism 22 and the rotating mechanism 23. . Next, the wafer transfer device 21 advances the substrate fork toward the wafer boat 3 by the forward horizontal movement of the wafer transfer device 21. At this time, the support column 43 of the wafer boat 3 is attached to the substrate fork 3
When the semiconductor wafer 4 is fitted into a groove (not shown) provided in the wafer boat 3 and located in the notch 44 of 0, and the substrate fork 30 is lowered by 2 mm by the elevating mechanism 22, the semiconductor wafer 4 is mounted on the wafer boat 3. Can be placed. The above operation is repeated to transfer the desired number of semiconductor wafers 4 from the carrier 31 to the wafer boat 3.

【００１８】次に、複数枚の半導体ウェハ４が収納され
たウェハボート３は、昇降機構２２の上昇によって、前
記熱処理炉の反応管２内へ移動する。反応管２は予め抵
抗加熱ヒータ５によって、例えば１０００℃に加熱され
ており、ガス供給管８から処理ガスが供給され、半導体
ウェハ４を熱処理する。半導体ウェハ４を処理した後の
高温処理済みガスは排出管９から図示しない排気装置に
よって排出する。Next, the wafer boat 3 accommodating the plurality of semiconductor wafers 4 is moved into the reaction tube 2 of the heat treatment furnace by the raising and lowering mechanism 22. The reaction tube 2 is preheated to, for example, 1000 ° C. by the resistance heater 5, and the processing gas is supplied from the gas supply tube 8 to heat-treat the semiconductor wafer 4. The high-temperature processed gas after processing the semiconductor wafer 4 is exhausted from the exhaust pipe 9 by an exhaust device (not shown).

【００１９】前記熱処理を終了した後、ボートエレベー
タ２０の下降によって、半導体ウェハ４が熱処理炉の下
方に移動する。そして、半導体ウェハ４が所定の温度、
例えば５０℃まで自然冷却された後、半導体ウェハ４を
キャリア３１からウェハボート３に移載した場合とは、
逆の手順で熱処理終了された半導体ウェハ４をウェハボ
ート３からキャリア３１に移載して、所定の熱処理が終
了する。After the heat treatment is completed, the boat elevator 20 is lowered to move the semiconductor wafer 4 below the heat treatment furnace. Then, the semiconductor wafer 4 has a predetermined temperature,
For example, when the semiconductor wafer 4 is transferred from the carrier 31 to the wafer boat 3 after being naturally cooled to 50 ° C.,
The semiconductor wafer 4, which has been heat-treated in the reverse order, is transferred from the wafer boat 3 to the carrier 31, and the predetermined heat treatment is completed.

【００２０】前記実施例で示したように、この実施例で
は基板フォーク３０の先端部に切欠部４４を設けたの
で、基板フォーク３０とウェハボート３間での移載と
き、ウェハボート３の支柱４３が衝突せずに、半導体ウ
ェハ４を基板フォーク３０からウェハボート３に、又は
ウェハボート３から基板フォーク３０に載置することが
できる。さらに、基板フォーク３０に載置中に移載機２
１による水平方向や回転移動又は昇降機構２２による上
下移動中の振動が加わっても、基板フォーク３０にある
凸部４０により横ズレを防止でき、落下事故をも防止す
ることができる。As shown in the above-mentioned embodiment, since the notch 44 is provided at the tip of the substrate fork 30 in this embodiment, when the wafer is transferred between the substrate fork 30 and the wafer boat 3, the support of the wafer boat 3 is supported. The semiconductor wafer 4 can be placed on the wafer boat 3 from the substrate fork 30 or on the substrate fork 30 from the wafer boat 3 without the collision of 43. Further, the transfer machine 2 is mounted on the substrate fork 30 while being mounted.
Even if vibration is applied in the horizontal direction by 1 and rotational movement or vertical movement by the elevating mechanism 22, the lateral deviation can be prevented by the convex portion 40 on the substrate fork 30, and a fall accident can be prevented.

【００２１】なお、この発明は前記実施例に限定され
ず、基板フォークに設ける切欠部４４をウェハボートの
形状に合せ、凸部４０を半導体ウェハ４の支持できる状
態で残すことにより、どのようなウェハボートの形状に
も対応することができる。また、半導体ウェハに限らず
液晶基板やガラス基板等の平板状の被搬送物を搬送する
装置であれば、どのような装置でも適用することができ
る。The present invention is not limited to the above-described embodiment, but any kind of shape can be obtained by matching the notch portion 44 provided on the substrate fork with the shape of the wafer boat and leaving the convex portion 40 in a state capable of supporting the semiconductor wafer 4. The shape of the wafer boat can also be accommodated. Further, not only a semiconductor wafer but also any device can be applied as long as it is a device for carrying a flat object such as a liquid crystal substrate or a glass substrate.

【００２２】[0022]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板フォークの先端にウエハボートの支柱との接触を回避
する切り欠き部を設けているため、基板の移載時にウエ
ハボートの支柱に基板フォークの先端が衝突するのを防
止できると共に、基板を基板フォークの先端からはみ出
さない状態で安定して支持することができ、移載時の振
動等による基板の位置ずれや落下を防止することがで
き、基板の円滑かつ確実な移載が実現できる。As described above, according to the present invention, the group
Avoid contact with wafer boat support at the tip of plate fork
Since the notch part is provided, the wafer is not
Prevent the tip of the board fork from colliding with the support of the boat.
It can be stopped and the board protrudes from the tip of the board fork.
It is possible to support it stably when not in use, and to
It is possible to prevent the displacement and drop of the board due to movement.
Therefore, smooth and reliable transfer of the substrate can be realized .

【００２３】[0023]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】この発明を縦型熱処理装置に適した全体の断面
図である。FIG. 1 is an overall sectional view of the present invention suitable for a vertical heat treatment apparatus.

【図２】半導体搬送装置部の斜視説明図である。FIG. 2 is a perspective explanatory view of a semiconductor transfer device section.

【図３】図２のウェハ移載機の説明図である。FIG. 3 is an explanatory view of the wafer transfer machine of FIG.

【図４】基板フォークの斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a substrate fork.

【図５】基板フォークの断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a substrate fork.

【図６】従来の基板フォークの斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of a conventional substrate fork.

【００２４】[0024]

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 縦型熱処理装置 ２ 反応管 ３ ウェハボート ４ 半導体ウェハ ２０ ウェハ移載機 ３０ 基板フォーク ４０ 凸部 ４１ 凹部 ４３ 支柱 ４４ 切欠部 1 Vertical heat treatment equipment 2 reaction tubes 3 wafer boats 4 Semiconductor wafer 20 Wafer transfer machine 30 board forks 40 convex 41 recess 43 props 44 Notch

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−13550（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−314942（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−336412（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−139855（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−139947（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−31238（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/68 B65G 49/07 H01L 21/22 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-5-13550 (JP, A) JP-A-5-314942 (JP, A) JP-A-4-336412 (JP, A) JP-A-4- 139855 (JP, A) JP-A 2-139947 (JP, A) Actual development 5-31238 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl. ⁷ , DB name) H01L 21/68 B65G 49 / 07 H01L 21/22

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 熱処理装置に使われる薄板状の基板を載
置して搬送する基板搬送装置において、薄板状の基板を
載置して搬送する基板フォークを備え、前記薄板状の基
板が載置されるウエハボートの支柱との接触を回避する
ための切り欠き部を前記基板フォークの先端に設けたこ
とを特徴とする基板搬送装置。1. A heat treatment apparatus substrate transfer device for transferring by placing a thin plate-shaped substrate used for, comprises a substrate forks for transporting and placing the thin plate-shaped substrate, placing the previous SL lamellar substrate Avoid contact with the support of the wafer boat being placed
Substrate transfer apparatus, characterized in that the notches provided at the tip of the substrate fork for. 【請求項２】2. 前記基板フォークが、前記薄板状の基板The substrate fork is the thin plate substrate.
の裏面を多点支持する凸部と、前記基板フォークに前記The convex part that supports the back surface of the
薄板状の基板の側面を多点支持する凸部とを備えているProviding a convex portion that supports the side surface of the thin plate-shaped substrate at multiple points
ことを特徴とする請求項１に記載の基板搬送装置。The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein: 【請求項３】 薄板状の基板を載置して搬送する基板搬
送装置を備えた熱処理装置において、前記基板搬送装置
は薄板状の基板を載置して搬送する基板フォークを備
え、前記薄板状の基板が載置されるウエハボートの支柱
との接触を回避するための切り欠き部を前記基板フォー
クの先端に設けたことを特徴とする熱処理装置。 3. A substrate carrier for mounting and transporting a thin plate-shaped substrate.
In a heat treatment apparatus having a transfer device, the substrate transfer device
Is equipped with a board fork for placing and transporting thin board.
The support of the wafer boat on which the thin plate-shaped substrate is placed
The notch for avoiding contact with
A heat treatment device characterized by being provided at the tip of the blade. 【請求項４】4. 前記基板フォークが、前記薄板状の基板The substrate fork is the thin plate substrate.
の裏面を多点支持する凸部と、前記基板フォークに前記The convex part that supports the back surface of the
薄板状の基板の側面を多点支持する凸部とを有しているIt has a convex part that supports the side surface of the thin plate-like substrate at multiple points.
ことを特徴とする請求項３に記載の熱処理装置。The heat treatment apparatus according to claim 3, wherein: