JP3393533B2 - 波長板集積型偏波無依存半導体増幅器 - Google Patents
波長板集積型偏波無依存半導体増幅器Info
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- semiconductor
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信，光交換，
光情報処理等に用いる波長板集積型偏波無依存半導体増
幅器に関する。
光情報処理等に用いる波長板集積型偏波無依存半導体増
幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信，光交換，光情報処理といった光
を利用したシステムの構築を考えると、光ファイバや光
導波路，光スイッチ，光受光器，光増幅器等の光素子が
必要不可欠になる。これらの素子は、光ファイバと結合
したり、集積化を行うことで実用的部品にする必要があ
る。集積化することは、μｍ精度で必要とされる光ファ
イバと半導体素子との光軸合せを省くことができるの
で、堅牢となり、信頼性の増加が予想できる。
を利用したシステムの構築を考えると、光ファイバや光
導波路，光スイッチ，光受光器，光増幅器等の光素子が
必要不可欠になる。これらの素子は、光ファイバと結合
したり、集積化を行うことで実用的部品にする必要があ
る。集積化することは、μｍ精度で必要とされる光ファ
イバと半導体素子との光軸合せを省くことができるの
で、堅牢となり、信頼性の増加が予想できる。
【０００３】ところで、通常の光ファイバにおいては、
光源からの偏波面を維持する機能は有しておらず、半導
体光スイッチや半導体光増幅器といった光機能素子に入
力される信号光は、環境の変化に応じてその偏波状態が
変動する。
光源からの偏波面を維持する機能は有しておらず、半導
体光スイッチや半導体光増幅器といった光機能素子に入
力される信号光は、環境の変化に応じてその偏波状態が
変動する。
【０００４】しかし上記のような半導体デバイスの導波
構造は一般的に等方的でなく、幅が数ミクロンあるのに
対して厚みがサブミクロンオーダであることや、導波層
のスイッチイング特性又は活性層の増幅特性が偏波状態
によって異なる。そのため入力信号光の偏波状態によっ
て出力特性が大きく変動するという課題（利得の偏波依
存性）が生じていた。
構造は一般的に等方的でなく、幅が数ミクロンあるのに
対して厚みがサブミクロンオーダであることや、導波層
のスイッチイング特性又は活性層の増幅特性が偏波状態
によって異なる。そのため入力信号光の偏波状態によっ
て出力特性が大きく変動するという課題（利得の偏波依
存性）が生じていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】偏波依存性を低減する
方法として、半導体光増幅器の出射端にλ／４板機能素
子を集積することが考えられる。ここで、入射端には反
射防止膜を、出射端に高反射膜等を付加して反射率を高
めることにより反射型光増幅器として使用する。このと
き出射端で反射された信号光が再びλ／４板を通過する
ので、結局はλ／２板として動作することになり、偏波
面を９０°回転することができる。このような構成であ
れば、入射偏波と出射偏波とでは９０°異なっているた
め干渉を起こさない。したがって、反防止膜に対する負
荷が軽減される。この波長板といった光学素子はバルク
部品のものがよく利用されている。２つの直交する直線
偏波成分の位相差がπになる板厚を有した波長板をλ／
２板と称する。該λ／２板のサイズは大きく、半導体材
料との整合性が良くないという、問題がある。
方法として、半導体光増幅器の出射端にλ／４板機能素
子を集積することが考えられる。ここで、入射端には反
射防止膜を、出射端に高反射膜等を付加して反射率を高
めることにより反射型光増幅器として使用する。このと
き出射端で反射された信号光が再びλ／４板を通過する
ので、結局はλ／２板として動作することになり、偏波
面を９０°回転することができる。このような構成であ
れば、入射偏波と出射偏波とでは９０°異なっているた
め干渉を起こさない。したがって、反防止膜に対する負
荷が軽減される。この波長板といった光学素子はバルク
部品のものがよく利用されている。２つの直交する直線
偏波成分の位相差がπになる板厚を有した波長板をλ／
２板と称する。該λ／２板のサイズは大きく、半導体材
料との整合性が良くないという、問題がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する波長
板集積型偏波無依存半導体増幅器は、半導体基板上に作
製された埋め込み構造を有した半導体光増幅器の一方側
端面に埋め込み導波路が集積接続されており、該埋め込
み導波路は二つの第１の導波路と第２の導波路とから構
成され、第１の導波路（長さ：Ｌ1 ）は半導体光増幅器
の活性層と集積され、第２の導波路（長さ：Ｌ2 ，Ｌ2
≦Ｌ1 ）は第１の導波路と平行に位置し、二つの導波路
の中心を結ぶ直線と基板に平行な直線とのなす角を４５
°に設定してあり、二つの導波路が有する固有な導波モ
ードの最低次から数えて２つの等価屈折率をｎ1 及びｎ
2 （ｎ1 ＞ｎ2 ）とすると、第２の導波路の長さＬ2 が
式で定義されていることを特徴とする。
板集積型偏波無依存半導体増幅器は、半導体基板上に作
製された埋め込み構造を有した半導体光増幅器の一方側
端面に埋め込み導波路が集積接続されており、該埋め込
み導波路は二つの第１の導波路と第２の導波路とから構
成され、第１の導波路（長さ：Ｌ1 ）は半導体光増幅器
の活性層と集積され、第２の導波路（長さ：Ｌ2 ，Ｌ2
≦Ｌ1 ）は第１の導波路と平行に位置し、二つの導波路
の中心を結ぶ直線と基板に平行な直線とのなす角を４５
°に設定してあり、二つの導波路が有する固有な導波モ
ードの最低次から数えて２つの等価屈折率をｎ1 及びｎ
2 （ｎ1 ＞ｎ2 ）とすると、第２の導波路の長さＬ2 が
式で定義されていることを特徴とする。
【数２】
【０００７】上記波長板集積型偏波無依存半導体増幅器
において、第１の導波路の形状が光学的に等方であるこ
とを特徴とする。
において、第１の導波路の形状が光学的に等方であるこ
とを特徴とする。
【０００８】上記波長板集積型偏波無依存半導体増幅器
において、第１の導波路及び第２の導波路の少なくとも
何れか一方に電流注入を可能とすることを特徴とする。
において、第１の導波路及び第２の導波路の少なくとも
何れか一方に電流注入を可能とすることを特徴とする。
【０００９】［作用］λ／２板は、入射光偏波と波長板
の結晶軸との間のなす角度をθとすれば、出射光偏波を
入射光偏波より２θ回転させる機能を有している。板厚
を位相差πだけずれるように設定すれば、入射偏波を９
０°回転することができる。本発明は、λ／２板におい
て、θ＝４５°に設定した場合と全く同一の原理に基づ
いて偏波面を回転する機能を半導体で作製し、半導体光
増幅器に集積化している。但し、光増幅器自体を反射型
で使用するため、この波長板の場所を２回通過する。し
たがって、波長板としてはλ／２板の半分に相当するλ
／４板で十分となる。入射光は増幅領域を通過後に波長
板領域を通過し、端面で反射されて波長板部を再び通過
する際には、偏波が９０°回転する。したがって、どの
入射偏波に対しても必ずＴＥ（横）偏波利得とＴＭ
（縦）偏波利得とを１回ずつもらうことができるため、
全体として偏波無依存化が可能となる。
の結晶軸との間のなす角度をθとすれば、出射光偏波を
入射光偏波より２θ回転させる機能を有している。板厚
を位相差πだけずれるように設定すれば、入射偏波を９
０°回転することができる。本発明は、λ／２板におい
て、θ＝４５°に設定した場合と全く同一の原理に基づ
いて偏波面を回転する機能を半導体で作製し、半導体光
増幅器に集積化している。但し、光増幅器自体を反射型
で使用するため、この波長板の場所を２回通過する。し
たがって、波長板としてはλ／２板の半分に相当するλ
／４板で十分となる。入射光は増幅領域を通過後に波長
板領域を通過し、端面で反射されて波長板部を再び通過
する際には、偏波が９０°回転する。したがって、どの
入射偏波に対しても必ずＴＥ（横）偏波利得とＴＭ
（縦）偏波利得とを１回ずつもらうことができるため、
全体として偏波無依存化が可能となる。
【００１０】なお、増幅器領域と波長板領域との境界に
達したとき、直交する二方向の波の間に位相差が生じて
はならない（直線偏波でないといけない。）。そのた
め、光増幅器領域における導波路は光学的に等方でなけ
ればならない。
達したとき、直交する二方向の波の間に位相差が生じて
はならない（直線偏波でないといけない。）。そのた
め、光増幅器領域における導波路は光学的に等方でなけ
ればならない。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適な実施の形態
を図面を参照して説明するが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
を図面を参照して説明するが、本発明はこれらに限定さ
れるものではない。
【００１２】＜第１の実施の形態＞図１は、本発明の第
１の実施の形態にかかる半導体偏波回転素子の斜視図で
ある。図２（ａ）は図１の波長板の機能を有する領域の
拡大図であり、図２（ｂ）はその側面断面図であり、図
３は領域Ｂにおける断面図である。ここで、符号１１は
ＩｎＰ基板、１２はＩｎＰ埋め込み層、２１はバンドギ
ャップ波長1.3 μｍ帯のＩｎＧａＡｓＰ導波層（第１の
導波路）、２２はバンドギャップ波長1.1 μｍ帯のＩｎ
ＧａＡｓＰ導波層（第２の導波路）を各々図示する。
１の実施の形態にかかる半導体偏波回転素子の斜視図で
ある。図２（ａ）は図１の波長板の機能を有する領域の
拡大図であり、図２（ｂ）はその側面断面図であり、図
３は領域Ｂにおける断面図である。ここで、符号１１は
ＩｎＰ基板、１２はＩｎＰ埋め込み層、２１はバンドギ
ャップ波長1.3 μｍ帯のＩｎＧａＡｓＰ導波層（第１の
導波路）、２２はバンドギャップ波長1.1 μｍ帯のＩｎ
ＧａＡｓＰ導波層（第２の導波路）を各々図示する。
【００１３】本素子の動作原理を簡単に示す。ここで、
半導体光増幅器の一経路当たりの増幅利得として、ＴＥ
（横）偏波をＧTE、ＴＭ（縦）偏波をＧTMとする。ｘ方
向に電界成分を有するＴＥ偏波光が入射された状態で
は、先ずＧTEの利得を光増幅器領域でもらう。入射光が
λ／４板領域に入ると、領域Ａを入射してきた光はＴＥ
偏波を保持したまま領域Ｂに侵入する。この領域Ｂでは
結晶の主軸（二つの導波路を結ぶ線）が図３に示される
ように、第１の導波路２１の光の主軸（ｘ軸）と直交す
る方向と第１の導波路２１と第２の導波路２２とを結ぶ
軸とのなす角度（θ）が４５°ずれていることになる。
領域Ｂにおける固有な導波モードの有する最低次から数
えて二つの等価屈折率をｎ1 及びｎ2 （（ｎ1 ＞ｎ2 ）
としてその長さＬを、下記数式に設定することで、先に
述べたλ／２板の原理に基づいて反射された光が領域Ｂ
の入口で偏波が９０°回転してＴＭ偏波となって出射さ
れることになる。
半導体光増幅器の一経路当たりの増幅利得として、ＴＥ
（横）偏波をＧTE、ＴＭ（縦）偏波をＧTMとする。ｘ方
向に電界成分を有するＴＥ偏波光が入射された状態で
は、先ずＧTEの利得を光増幅器領域でもらう。入射光が
λ／４板領域に入ると、領域Ａを入射してきた光はＴＥ
偏波を保持したまま領域Ｂに侵入する。この領域Ｂでは
結晶の主軸（二つの導波路を結ぶ線）が図３に示される
ように、第１の導波路２１の光の主軸（ｘ軸）と直交す
る方向と第１の導波路２１と第２の導波路２２とを結ぶ
軸とのなす角度（θ）が４５°ずれていることになる。
領域Ｂにおける固有な導波モードの有する最低次から数
えて二つの等価屈折率をｎ1 及びｎ2 （（ｎ1 ＞ｎ2 ）
としてその長さＬを、下記数式に設定することで、先に
述べたλ／２板の原理に基づいて反射された光が領域Ｂ
の入口で偏波が９０°回転してＴＭ偏波となって出射さ
れることになる。
【数３】
【００１４】したがって、ＴＥ偏波光として行きにＧTE
の利得を受け、ＴＭ偏波光として戻る際にＧTMの利得を
受ける。すなわち、全体として（ＧTE＋ＧTM）の利得を
もらって出射される。
の利得を受け、ＴＭ偏波光として戻る際にＧTMの利得を
受ける。すなわち、全体として（ＧTE＋ＧTM）の利得を
もらって出射される。
【００１５】一方、ＴＭ偏波が入射された場合に関して
も同様である。すなわち、ＴＭ偏波光として行きにＧTM
の利得を受け、波長板領域で偏波が９０°回転してＴＥ
偏波光として戻る際にＧTEの利得を受ける。すなわち、
全体として（ＧTE＋ＧTM）の利得をもらって出射され
る。
も同様である。すなわち、ＴＭ偏波光として行きにＧTM
の利得を受け、波長板領域で偏波が９０°回転してＴＥ
偏波光として戻る際にＧTEの利得を受ける。すなわち、
全体として（ＧTE＋ＧTM）の利得をもらって出射され
る。
【００１６】このようにどちらの入射状態でも同じ利得
（ＴＥ利得とＴＭ利得を一回ずつ）を得ることになり、
偏波依存性を解消することができる。実際には、加工精
度の問題により、波長1.55μｍの入射光に対して８３度
の偏波回転を実現した。
（ＴＥ利得とＴＭ利得を一回ずつ）を得ることになり、
偏波依存性を解消することができる。実際には、加工精
度の問題により、波長1.55μｍの入射光に対して８３度
の偏波回転を実現した。
【００１７】なお、第１の導波路を伝搬してきた波の進
行速度がｘ方向とｙ方向とで異なると、進行した波が光
増幅器領域とλ／４板領域との境界に達したとき、二方
向の波の間に位相差が生じるため、直線偏波にならな
い。そのため、λ／４板領域で所望の効果が得られな
い。よって、第１の導波路２１は光学的に等方でなけれ
ばならない。
行速度がｘ方向とｙ方向とで異なると、進行した波が光
増幅器領域とλ／４板領域との境界に達したとき、二方
向の波の間に位相差が生じるため、直線偏波にならな
い。そのため、λ／４板領域で所望の効果が得られな
い。よって、第１の導波路２１は光学的に等方でなけれ
ばならない。
【００１８】ここで、光学的等方について概説する。真
空中で光の波長及び物質の長さをそれぞれλ及びＬで表
すとする。屈折率ｎの媒質中では光学的波長や光学的長
さはλ／ｎ及びｎＬになる。そのため、図４（ａ）に示
すように、真空中では正方形状でないと、等方ではない
が、媒質中では図４（ｂ）に示すように、上下左右を異
なった材質（ｎC1, ｎC2, ｎC2, ｎC1）で囲むことによ
り、ほぼ等方な状況を実現することができる。具体的に
は、半導体光増幅器の偏波依存性はｘ方向とｙ方向とで
閉じ込め係数の相違が原因で起こる。そこで、作製精度
の問題から長方形状（横長）でも、活性層部を縦方向に
三層（ＬＯＣ）構成とすることで、偏波無依存化が可能
となる。
空中で光の波長及び物質の長さをそれぞれλ及びＬで表
すとする。屈折率ｎの媒質中では光学的波長や光学的長
さはλ／ｎ及びｎＬになる。そのため、図４（ａ）に示
すように、真空中では正方形状でないと、等方ではない
が、媒質中では図４（ｂ）に示すように、上下左右を異
なった材質（ｎC1, ｎC2, ｎC2, ｎC1）で囲むことによ
り、ほぼ等方な状況を実現することができる。具体的に
は、半導体光増幅器の偏波依存性はｘ方向とｙ方向とで
閉じ込め係数の相違が原因で起こる。そこで、作製精度
の問題から長方形状（横長）でも、活性層部を縦方向に
三層（ＬＯＣ）構成とすることで、偏波無依存化が可能
となる。
【００１９】＜第２の実施の形態＞図５は本発明の第２
の実施の形態にかかる、半導体偏波回転素子の側面断面
図である。図２の構造に対して、上下に電極３１，３２
を設けていることが第１の実施の形態と異なる。これら
二つの電極３１，３２を用いて電流を注入することにい
より導波層２１，２２の屈折率を変化することができる
ため、トリミングが可能となる。
の実施の形態にかかる、半導体偏波回転素子の側面断面
図である。図２の構造に対して、上下に電極３１，３２
を設けていることが第１の実施の形態と異なる。これら
二つの電極３１，３２を用いて電流を注入することにい
より導波層２１，２２の屈折率を変化することができる
ため、トリミングが可能となる。
【００２０】この結果、第１の実施の形態と較べて回転
精度を向上でき、波長1.55μｍの入射光に対して８５度
の偏波回転を実現した。この場合、電極は領域Ｂだけに
することも可能である。また各領域に電極を設け、領域
間で電気分離を行うことも可能である。さらに、導波層
２１，２２の少なくとも一方にだけ電流注入できるよう
に電極を部分的に設けることも可能である。
精度を向上でき、波長1.55μｍの入射光に対して８５度
の偏波回転を実現した。この場合、電極は領域Ｂだけに
することも可能である。また各領域に電極を設け、領域
間で電気分離を行うことも可能である。さらに、導波層
２１，２２の少なくとも一方にだけ電流注入できるよう
に電極を部分的に設けることも可能である。
【００２１】さらに、導波層構造に超格子構造を用いる
ことも可能であるし、導波層部を導波層よりもバンドギ
ャップ波長の短い組成で挟んだＳＣＨ構造を採用するこ
とも可能である。
ことも可能であるし、導波層部を導波層よりもバンドギ
ャップ波長の短い組成で挟んだＳＣＨ構造を採用するこ
とも可能である。
【００２２】本実施の形態においては、ＩｎＰ基板上の
ＩｎＧａＡｓＰ材料系について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、他の材料を用いることに
よっても、同様な効果を得ることができる。また、ドー
ピング層等も任意である。
ＩｎＧａＡｓＰ材料系について説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、他の材料を用いることに
よっても、同様な効果を得ることができる。また、ドー
ピング層等も任意である。
【００２３】また、二つの導波路の位置関係としては、
どちらが左右，上下であっても構わず、図３に示すよう
に、なす角θが４５°であることのみ重要である。
どちらが左右，上下であっても構わず、図３に示すよう
に、なす角θが４５°であることのみ重要である。
【００２４】この二つの導波路として組成が異なるもの
を実施の形態では例にして説明したが、組成の同じもの
を用いて、寸法を調節することも可能である。
を実施の形態では例にして説明したが、組成の同じもの
を用いて、寸法を調節することも可能である。
【００２５】さらに、導波層構造に超格子構造を用いる
ことも可能であるし、導波層部を導波層よりもバンドギ
ャップ波長の短い、組成で挟んだＳＣＨ構造を採用する
ことも可能である。
ことも可能であるし、導波層部を導波層よりもバンドギ
ャップ波長の短い、組成で挟んだＳＣＨ構造を採用する
ことも可能である。
【００２６】また第２の実施の形態で導波層２２若しく
は導波層２１と導波層２２の両方をバンドギャップ波長
1.55μｍ帯のＩｎＧａＡｓＰ導波層とすれば、電流注入
により光増幅器として動作させることができる。
は導波層２１と導波層２２の両方をバンドギャップ波長
1.55μｍ帯のＩｎＧａＡｓＰ導波層とすれば、電流注入
により光増幅器として動作させることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上、実施の形態と共に説明したよう
に、本発明の半導体光増幅器では、半導体基板上に作製
された埋め込み構造を有した半導体光増幅器の一方側端
面に埋め込み導波路が集積接続されており、その埋め込
み導波路は二つの導波路（第１の導波路，第２の導波
路）から構成され、第１の導波路（長さ：Ｌ1 ）は半導
体光増幅器の活性層と集積され、第２の導波路（長さ：
Ｌ2 ，Ｌ2 ≦Ｌ1 ）は第１の導波路と平行に位置し、二
つの導波路の中心を結ぶ直線と基板に平行な直線とのな
す角を４５°に設定してあり、二つの導波路が有する固
有な導波モードの最低次から数えて２つの等価屈折率を
ｎ1 及びｎ2 （ｎ1 ＞ｎ2 ）とすると、第２の導波路の
長さＬ2 が式（１）で定義されていることを特徴とし、
さらには、第１の導波路及び第２の導波路の少なくとも
どちらか一方に電流注入を可能とする電極構造が設置さ
れているようにしたので、半導体光増幅器の偏波依存性
の解消に有効な偏波制御デバイスを実現することができ
る。
に、本発明の半導体光増幅器では、半導体基板上に作製
された埋め込み構造を有した半導体光増幅器の一方側端
面に埋め込み導波路が集積接続されており、その埋め込
み導波路は二つの導波路（第１の導波路，第２の導波
路）から構成され、第１の導波路（長さ：Ｌ1 ）は半導
体光増幅器の活性層と集積され、第２の導波路（長さ：
Ｌ2 ，Ｌ2 ≦Ｌ1 ）は第１の導波路と平行に位置し、二
つの導波路の中心を結ぶ直線と基板に平行な直線とのな
す角を４５°に設定してあり、二つの導波路が有する固
有な導波モードの最低次から数えて２つの等価屈折率を
ｎ1 及びｎ2 （ｎ1 ＞ｎ2 ）とすると、第２の導波路の
長さＬ2 が式（１）で定義されていることを特徴とし、
さらには、第１の導波路及び第２の導波路の少なくとも
どちらか一方に電流注入を可能とする電極構造が設置さ
れているようにしたので、半導体光増幅器の偏波依存性
の解消に有効な偏波制御デバイスを実現することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体偏波回転素
子の斜視図である。
子の斜視図である。
【図２】（ａ）は図１の波長板の気相を有する領域の拡
大図であり、（ｂ）はその側面図である。
大図であり、（ｂ）はその側面図である。
【図３】領域Ｂにおける断面図である。
【図４】光学的等方に関する説明図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の半導体偏波回転素
子の側面断面図である。
子の側面断面図である。
１ 活性層
１１ ＩｎＰ基板
１２ ＩｎＰ埋め込み層
２１ バンドギャップ波長1.3 μｍ帯のＩｎＧａＡｓＰ
層（第１の導波路） ２２ バンドギャップ波長1.3 μｍ帯のＩｎＧａＡｓＰ
層（第２の導波路） ３１，３２ 電極
層（第１の導波路） ２２ バンドギャップ波長1.3 μｍ帯のＩｎＧａＡｓＰ
層（第２の導波路） ３１，３２ 電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 伊藤 敏夫
東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日
本電信電話株式会社内
(56)参考文献 特開 平５−257020（ＪＰ，Ａ)
特表 平９−508723（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01S 5/065
G02B 6/122
G02F 1/025
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に作製された埋め込み構造
を有した半導体光増幅器の一方側端面に埋め込み導波路
が集積接続されており、 該埋め込み導波路は二つの第１の導波路と第２の導波路
とから構成され、第１の導波路（長さ：Ｌ1 ）は半導体
光増幅器の活性層と集積され、第２の導波路（長さ：Ｌ
2 ，Ｌ2 ≦Ｌ1 ）は第１の導波路の導波方向と平行に位
置し、 二つの導波路の中心を結ぶ直線と基板に平行な直線との
なす角を４５°に設定してあり、 二つの導波路が有する固有な導波モードの最低次から数
えて２つの等価屈折率をｎ1 及びｎ2 （ｎ1 ＞ｎ2 ）と
すると、 第２の導波路の長さＬ2 が式で定義されていることを特
徴とする波長板集積型偏波無依存半導体増幅器。 【数１】 - 【請求項２】 請求項１において、 第１の導波路の形状が光学的に等方であることを特徴と
する波長板集積型偏波無依存半導体増幅器。 - 【請求項３】 請求項１において、 第１の導波路及び第２の導波路の少なくとも何れか一方
に電流注入を可能とすることを特徴とする波長板集積型
偏波無依存半導体増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17946897A JP3393533B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 波長板集積型偏波無依存半導体増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17946897A JP3393533B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 波長板集積型偏波無依存半導体増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126882A JPH1126882A (ja) | 1999-01-29 |
| JP3393533B2 true JP3393533B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=16066384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17946897A Expired - Lifetime JP3393533B2 (ja) | 1997-07-04 | 1997-07-04 | 波長板集積型偏波無依存半導体増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3393533B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP6226427B2 (ja) * | 2014-05-15 | 2017-11-08 | 日本電信電話株式会社 | 偏波回転素子 |
-
1997
- 1997-07-04 JP JP17946897A patent/JP3393533B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1126882A (ja) | 1999-01-29 |
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