JP3385625B2 - 光導波路及びその製造方法 - Google Patents
光導波路及びその製造方法Info
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- JP3385625B2 JP3385625B2 JP14684192A JP14684192A JP3385625B2 JP 3385625 B2 JP3385625 B2 JP 3385625B2 JP 14684192 A JP14684192 A JP 14684192A JP 14684192 A JP14684192 A JP 14684192A JP 3385625 B2 JP3385625 B2 JP 3385625B2
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- optical waveguide
- light
- clad
- light emitting
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の発光素子と、発
光素子に対応した複数の受光素子との間を光学的に接続
する光導波路及びその製造方法に関する。
光素子に対応した複数の受光素子との間を光学的に接続
する光導波路及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種システム、半導体チップ、あるいは
半導体チップを搭載したボード（以下、単にシステム等
ともいう）との間での信号伝送に光を用いることによっ
て、種々の利点が生まれる。これらの利点として、例え
ば、ＣＲ定数に依存しない高速（高いビットレート）で
の信号伝送、システム等の相互干渉の減少、電磁ノイズ
の減少等を挙げることができる。光による信号伝送に
は、通常、発光素子と受光素子を使用する。そして、こ
れらを光学的に接続するために、大きく分けて、光ファ
イバー等から成る光導波路を用いる場合と、このような
光導波路を使用せずに空間をそのまま用いる場合とがあ
る。特に、システム等の内部における信号伝送のような
近距離の信号伝送を行う場合や、２次元的に配置された
システム等における信号伝送には、光導波路を用いるこ
とが好ましい。また、３次元的に配置されたシステム等
における信号伝送には、空間をそのまま用いることが好
ましい。
半導体チップを搭載したボード（以下、単にシステム等
ともいう）との間での信号伝送に光を用いることによっ
て、種々の利点が生まれる。これらの利点として、例え
ば、ＣＲ定数に依存しない高速（高いビットレート）で
の信号伝送、システム等の相互干渉の減少、電磁ノイズ
の減少等を挙げることができる。光による信号伝送に
は、通常、発光素子と受光素子を使用する。そして、こ
れらを光学的に接続するために、大きく分けて、光ファ
イバー等から成る光導波路を用いる場合と、このような
光導波路を使用せずに空間をそのまま用いる場合とがあ
る。特に、システム等の内部における信号伝送のような
近距離の信号伝送を行う場合や、２次元的に配置された
システム等における信号伝送には、光導波路を用いるこ
とが好ましい。また、３次元的に配置されたシステム等
における信号伝送には、空間をそのまま用いることが好
ましい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】信号伝送を光導波路に
て行う場合、光ＩＣの研究例にも多く見られるように、
如何に高精度且つ簡便なしかも安価な方法で、発光素子
と受光素子との間を光学的に接続するかが大きな課題で
ある。
て行う場合、光ＩＣの研究例にも多く見られるように、
如何に高精度且つ簡便なしかも安価な方法で、発光素子
と受光素子との間を光学的に接続するかが大きな課題で
ある。
【０００４】例えば、光導波路として光ファイバーを用
いて発光素子と受光素子との間を光学的に接続する例を
図８に示す。発光素子１００から射出された光はレンズ
１０２によって収束され、コア部及びクラッド部から成
る光ファイバー１０４のコア部中を伝わり、光ファイバ
ー１０４から出射した光はレンズ１０６によって収束さ
れて受光素子１０８に入射する。レンズ１０２，１０６
を配置することによって、光ファイバー１０４の接続端
部における光の損失を最小にすることができる。レンズ
には、通常、球面レンズ、収束性ロッドレンズ等が使用
され、これらは発光素子１００あるいは受光素子１０８
と一体化され、モジュール化される。しかしながら、こ
のような一体化作業には高精度が要求され、システム等
のコストダウンを図る上で大きな障害となっている。
いて発光素子と受光素子との間を光学的に接続する例を
図８に示す。発光素子１００から射出された光はレンズ
１０２によって収束され、コア部及びクラッド部から成
る光ファイバー１０４のコア部中を伝わり、光ファイバ
ー１０４から出射した光はレンズ１０６によって収束さ
れて受光素子１０８に入射する。レンズ１０２，１０６
を配置することによって、光ファイバー１０４の接続端
部における光の損失を最小にすることができる。レンズ
には、通常、球面レンズ、収束性ロッドレンズ等が使用
され、これらは発光素子１００あるいは受光素子１０８
と一体化され、モジュール化される。しかしながら、こ
のような一体化作業には高精度が要求され、システム等
のコストダウンを図る上で大きな障害となっている。
【０００５】発光素子と光ファイバー、あるいは光ファ
イバーと受光素子との間で効率の良い光学的接続を行う
ことは重要である。伝送帯域において高効率にて光によ
る信号伝送を行う場合、光導波路としてモード分散のな
いシングルモードファイバーを使用する必要がある。こ
のシングルモードファイバーのコア部の径は、数μｍか
ら十数μｍである。従って、かかるシングルモードファ
イバーのコア部に効率良く光を入射させることは極めて
重要である。光ファイバーと発光素子あるいは受光素子
との光学的接続のために光コネクターを使用する場合、
光ファイバーと発光素子あるいは受光素子との位置合わ
せの観点から、光コネクターには高精度が要求され、光
コネクターのコストアップ、ひいては、システム等全体
のコストアップをもたらす。
イバーと受光素子との間で効率の良い光学的接続を行う
ことは重要である。伝送帯域において高効率にて光によ
る信号伝送を行う場合、光導波路としてモード分散のな
いシングルモードファイバーを使用する必要がある。こ
のシングルモードファイバーのコア部の径は、数μｍか
ら十数μｍである。従って、かかるシングルモードファ
イバーのコア部に効率良く光を入射させることは極めて
重要である。光ファイバーと発光素子あるいは受光素子
との光学的接続のために光コネクターを使用する場合、
光ファイバーと発光素子あるいは受光素子との位置合わ
せの観点から、光コネクターには高精度が要求され、光
コネクターのコストアップ、ひいては、システム等全体
のコストアップをもたらす。
【０００６】一方、光ファイバーを加工して、先玉ファ
イバー、テーパーファイバーとすることによって、結合
効率を向上させる方法もある。しかしながら、このよう
な光ファイバーの加工は高い技術と煩雑な作業とを必要
とし、光ファイバーやシステム等全体のコストダウンと
いう要求を満足させることができない。
イバー、テーパーファイバーとすることによって、結合
効率を向上させる方法もある。しかしながら、このよう
な光ファイバーの加工は高い技術と煩雑な作業とを必要
とし、光ファイバーやシステム等全体のコストダウンと
いう要求を満足させることができない。
【０００７】例えば、半導体チップ間の光ファイバーに
よる光学的接続が、特開平１−１３０１１２号公報に開
示されている。この公報によれば、発光素子アレーと受
光素子アレーとの間の光学的接続は、Ｖ字溝が形成され
た基板、及びこのＶ字溝内に配置され端面を光軸に対し
て斜めに研磨された光ファイバーを用いて行われる。こ
の場合においても、発光素子と光ファイバーとの間、及
び光ファイバーと受光素子との間の位置合わせに高精度
が要求されると共に、非常に高精度のＶ字溝を形成した
基板が必要とされる。
よる光学的接続が、特開平１−１３０１１２号公報に開
示されている。この公報によれば、発光素子アレーと受
光素子アレーとの間の光学的接続は、Ｖ字溝が形成され
た基板、及びこのＶ字溝内に配置され端面を光軸に対し
て斜めに研磨された光ファイバーを用いて行われる。こ
の場合においても、発光素子と光ファイバーとの間、及
び光ファイバーと受光素子との間の位置合わせに高精度
が要求されると共に、非常に高精度のＶ字溝を形成した
基板が必要とされる。
【０００８】以上のように、発光素子、光導波路、受光
素子から成る光による信号伝送系における、発光素子、
光導波路、受光素子の位置合わせ精度、及び高い位置合
わせ精度の要求から生じる光ファイバーや光コネクター
等の各種光伝送用光学部品のコスト増は、特に、システ
ム等の内部における多数の信号伝送路として光導波路を
用いる場合、即ち、アレー状に配置された多数の光導波
路を用いる場合、最大の問題である。従って、このよう
な高精度の位置合わせ及び各種光伝送用光学部品の高精
度加工といった問題を解決できない限り、各種光伝送用
光学部品のコストダウンは困難であり、更には、システ
ム等の内部における多数の信号伝送路として光導波路を
広く使用することはコストの面から極めて困難である。
素子から成る光による信号伝送系における、発光素子、
光導波路、受光素子の位置合わせ精度、及び高い位置合
わせ精度の要求から生じる光ファイバーや光コネクター
等の各種光伝送用光学部品のコスト増は、特に、システ
ム等の内部における多数の信号伝送路として光導波路を
用いる場合、即ち、アレー状に配置された多数の光導波
路を用いる場合、最大の問題である。従って、このよう
な高精度の位置合わせ及び各種光伝送用光学部品の高精
度加工といった問題を解決できない限り、各種光伝送用
光学部品のコストダウンは困難であり、更には、システ
ム等の内部における多数の信号伝送路として光導波路を
広く使用することはコストの面から極めて困難である。
【０００９】従って、本発明の目的は、光による信号伝
送系における発光素子、光導波路、受光素子の位置合わ
せを高精度且つ容易に行うことができ、しかも高い位置
合わせ精度の要求から生じる光導波路のコスト増を招く
ことのない、光導波路及びその製造方法を提供すること
にある。
送系における発光素子、光導波路、受光素子の位置合わ
せを高精度且つ容易に行うことができ、しかも高い位置
合わせ精度の要求から生じる光導波路のコスト増を招く
ことのない、光導波路及びその製造方法を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、複数の発
光素子と、発光素子に対応した複数の受光素子との間を
光学的に接続する光導波路であって、光導波路が、複数
の柱状のコア部とクラッド部から成り、複数の柱状のコ
ア部が互いに平行に配列され、コア部の周囲が、コア部
の屈折率よりも小さい屈折率を有するクラッド部で満た
されて成ることを特徴とする本発明の光導波路によって
達成することができる。
光素子と、発光素子に対応した複数の受光素子との間を
光学的に接続する光導波路であって、光導波路が、複数
の柱状のコア部とクラッド部から成り、複数の柱状のコ
ア部が互いに平行に配列され、コア部の周囲が、コア部
の屈折率よりも小さい屈折率を有するクラッド部で満た
されて成ることを特徴とする本発明の光導波路によって
達成することができる。
【００１１】コア部の断面形状は、円、楕円、正方形、
長方形、多角形、その他任意の形状とすることができ
る。コア部及びクラッド部の材料の組み合わせは、コア
部の屈折率がクラッド部の屈折率より大きく、即ち、ｎ
1＞ｎ2であり、しかもコア部及びクラッド部に従来から
要求されている諸特性を満足し得るものであれば、如何
なるものとすることもできるが、中でも、精密なコア部
及びクラッド部の形成といった観点から、ＳｉＯ2（屈
折率ｎ1＝１．５）／ポリイミド樹脂（屈折率ｎ2＝１．
４〜１．５）、ＳｉＯXＮY（屈折率ｎ1＝１．５〜２．
０）／ポリイミド樹脂、Ａｌ2Ｏ3（屈折率ｎ1＝１．
７）／ＳＯＧ（Spin On Glass）（屈折率ｎ2＝１．４〜
１．５）が好ましい。
長方形、多角形、その他任意の形状とすることができ
る。コア部及びクラッド部の材料の組み合わせは、コア
部の屈折率がクラッド部の屈折率より大きく、即ち、ｎ
1＞ｎ2であり、しかもコア部及びクラッド部に従来から
要求されている諸特性を満足し得るものであれば、如何
なるものとすることもできるが、中でも、精密なコア部
及びクラッド部の形成といった観点から、ＳｉＯ2（屈
折率ｎ1＝１．５）／ポリイミド樹脂（屈折率ｎ2＝１．
４〜１．５）、ＳｉＯXＮY（屈折率ｎ1＝１．５〜２．
０）／ポリイミド樹脂、Ａｌ2Ｏ3（屈折率ｎ1＝１．
７）／ＳＯＧ（Spin On Glass）（屈折率ｎ2＝１．４〜
１．５）が好ましい。
【００１２】本発明の光導波路の好ましい態様において
は、シングルモードで光は導波される。
は、シングルモードで光は導波される。
【００１３】本発明の光導波路の好ましい別の態様にお
いては、１つの発光素子とこの発光素子に対応する１つ
の受光素子との間の光学的接続が、隣接する少なくとも
２つのコア部を介して行われる。
いては、１つの発光素子とこの発光素子に対応する１つ
の受光素子との間の光学的接続が、隣接する少なくとも
２つのコア部を介して行われる。
【００１４】本発明の光導波路の好ましい更に別の態様
においては、クラッド部は、発光素子が発光した光に対
して吸収作用を有する材料から成る。このような材料と
して、カーボンブラック等を分散させたポリイミド樹脂
やＳＯＧを例示することができる。このような材料を使
用することによって、臨界受光角を越えた光によるコア
部相互の干渉、所謂クロストークを防止することができ
る。
においては、クラッド部は、発光素子が発光した光に対
して吸収作用を有する材料から成る。このような材料と
して、カーボンブラック等を分散させたポリイミド樹脂
やＳＯＧを例示することができる。このような材料を使
用することによって、臨界受光角を越えた光によるコア
部相互の干渉、所謂クロストークを防止することができ
る。
【００１５】本発明の光導波路の好ましい更に別の態様
においては、光導波路の光入出力部の少なくとも一方が
光導波路の軸線方向に対して垂直以外の面で構成され、
かかる面を有する光入出力部への光の入出力は光導波路
の軸線方向以外の角度で行われる。これによって、発光
素子と受光素子の配置の自由度を高くすることができ
る。
においては、光導波路の光入出力部の少なくとも一方が
光導波路の軸線方向に対して垂直以外の面で構成され、
かかる面を有する光入出力部への光の入出力は光導波路
の軸線方向以外の角度で行われる。これによって、発光
素子と受光素子の配置の自由度を高くすることができ
る。
【００１６】上記の目的は、 （Ａ）基体上にコア層形成用薄膜を形成する工程と、 （Ｂ）該コア層形成用薄膜をパターニングすることによ
って、基体上に３列以上の柱状のコア部を形成する工程
と、 （Ｃ）全面にクラッド層形成用材料層を形成した後、該
クラッド層形成用材料層を平坦化処理し、コア部の間及
びコア部の上に、コア部の屈折率よりも小さい屈折率を
有するクラッド層形成用材料層から成るクラッド部を形
成する工程と、 （Ｄ）クラッド部上にコア層形成用薄膜を形成した後、
該コア層形成用薄膜をパターニングすることによって、
クラッド層上に３列以上の柱状のコア部を形成し、次い
で、全面にクラッド層形成用材料層を形成した後、該ク
ラッド層形成用材料層を平坦化処理し、コア部の間及び
コア部の上に、コア部の屈折率よりも小さい屈折率を有
するクラッド層形成用材料層から成るクラッド部を形成
する工程を、少なくとも２回、繰り返すことを特徴とす
る本発明の光導波路の製造方法によって達成することが
できる。
って、基体上に３列以上の柱状のコア部を形成する工程
と、 （Ｃ）全面にクラッド層形成用材料層を形成した後、該
クラッド層形成用材料層を平坦化処理し、コア部の間及
びコア部の上に、コア部の屈折率よりも小さい屈折率を
有するクラッド層形成用材料層から成るクラッド部を形
成する工程と、 （Ｄ）クラッド部上にコア層形成用薄膜を形成した後、
該コア層形成用薄膜をパターニングすることによって、
クラッド層上に３列以上の柱状のコア部を形成し、次い
で、全面にクラッド層形成用材料層を形成した後、該ク
ラッド層形成用材料層を平坦化処理し、コア部の間及び
コア部の上に、コア部の屈折率よりも小さい屈折率を有
するクラッド層形成用材料層から成るクラッド部を形成
する工程を、少なくとも２回、繰り返すことを特徴とす
る本発明の光導波路の製造方法によって達成することが
できる。
【００１７】
【作用】本発明の原理を以下説明する。図６に示すよう
な光導波路において、その伝播モードは、光がコア部の
軸線に対して角度θ（入射補角）にて光導波路のコア部
に導入され臨界角θC以下で全反射を繰り返しながら伝
播していく過程で、Ｘ方向の位相変化の和が２πｍ（但
し、ｍ＝１，２，・・・）となる条件で形成される。伝
播定数Ｋ＝２π／λの光が図６に示すようにＸ方向に一
往復するときの全位相変化量は、 （２ａ・Ｋ・ｓｉｎθ＋ψg）×２ で与えられる。ここで、ａは光導波路のコア部の半径
（コア径）であり、ψgはグース−ヘンシェンシフトで
あり、次式で与えられる。尚、ψgはθ≧θCのとき０で
あり、θ＝０のとき−πである。ＴＥ波に対して： ｔａｎ（ψg／２）＝｛√（ｎ1 2ｓｉｎ2φ−ｎ2 2）｝／（ｎ1ｃｏｓ φ） ＴＭ波に対して： ｔａｎ（ψg／２）＝｛ｎ1√（ｎ1 2ｓｉｎ2φ−ｎ2 2）｝／（ｎ2 2ｃ ｏｓφ） 但し、φ＝（π／２）−θ であり、ｎ1はコア部の屈
折率、ｎ2はクラッド部の屈折率である。
な光導波路において、その伝播モードは、光がコア部の
軸線に対して角度θ（入射補角）にて光導波路のコア部
に導入され臨界角θC以下で全反射を繰り返しながら伝
播していく過程で、Ｘ方向の位相変化の和が２πｍ（但
し、ｍ＝１，２，・・・）となる条件で形成される。伝
播定数Ｋ＝２π／λの光が図６に示すようにＸ方向に一
往復するときの全位相変化量は、 （２ａ・Ｋ・ｓｉｎθ＋ψg）×２ で与えられる。ここで、ａは光導波路のコア部の半径
（コア径）であり、ψgはグース−ヘンシェンシフトで
あり、次式で与えられる。尚、ψgはθ≧θCのとき０で
あり、θ＝０のとき−πである。ＴＥ波に対して： ｔａｎ（ψg／２）＝｛√（ｎ1 2ｓｉｎ2φ−ｎ2 2）｝／（ｎ1ｃｏｓ φ） ＴＭ波に対して： ｔａｎ（ψg／２）＝｛ｎ1√（ｎ1 2ｓｉｎ2φ−ｎ2 2）｝／（ｎ2 2ｃ ｏｓφ） 但し、φ＝（π／２）−θ であり、ｎ1はコア部の屈
折率、ｎ2はクラッド部の屈折率である。
【００１８】このときの、各モードの位相変化に対する
選択則の関係（モード次数と入射補角の関係）を図７に
示す。図７から、光導波路がシングルモードであるため
の条件は、 θ1＞θC 即ち、 ｓｉｎ-1｛（π−ψg）／２ａＫ｝＞θC であることが判る。ここで、 θC＝ｓｉｎ-1｛（ｎ1 2−ｎ2 2）／ｎ1 2｝1/2 ≒ｓｉｎ-1（√（２Δ）） である。ここで、Δは比屈折率差であり、 Δ＝（ｎ1−ｎ2）／ｎ1 で表される。従って、 （π−ψg）／２ａＫ）＞√（２Δ） （１）式 となる。
選択則の関係（モード次数と入射補角の関係）を図７に
示す。図７から、光導波路がシングルモードであるため
の条件は、 θ1＞θC 即ち、 ｓｉｎ-1｛（π−ψg）／２ａＫ｝＞θC であることが判る。ここで、 θC＝ｓｉｎ-1｛（ｎ1 2−ｎ2 2）／ｎ1 2｝1/2 ≒ｓｉｎ-1（√（２Δ）） である。ここで、Δは比屈折率差であり、 Δ＝（ｎ1−ｎ2）／ｎ1 で表される。従って、 （π−ψg）／２ａＫ）＞√（２Δ） （１）式 となる。
【００１９】今、光導波路に導入される光の波長λが一
定、即ち、伝播定数Ｋ＝２π／λが一定のときには、
（１）式から、コア径ａを小さくすることで、シングル
モードの光導波路が実現することが可能となる（図７参
照）。波長λの値が小さくなると１次モードの光が伝播
されるが、このときの波長λをシングルモード光導波路
のカットオフ波長という。
定、即ち、伝播定数Ｋ＝２π／λが一定のときには、
（１）式から、コア径ａを小さくすることで、シングル
モードの光導波路が実現することが可能となる（図７参
照）。波長λの値が小さくなると１次モードの光が伝播
されるが、このときの波長λをシングルモード光導波路
のカットオフ波長という。
【００２０】一方、光の波長λが長い程、大きなコア径
でシングルモード光導波路が実現可能となる。例えば、
光通信用シングルモードファイバーの場合のコア径は、
波長が０．８５μｍの場合約７μｍ、波長が１．３μｍ
の場合約１０μｍ、波長が１．５５μｍの場合約１２μ
ｍとなる。図７からも明かなように、大きなコア径でシ
ングルモード光導波路を実現しようとする場合には、コ
ア部とクラッド部の比屈折率差Δを小さくすることによ
って、θCを小さくすればよい。また、臨界受光角を大
きくしたい場合には、コア部とクラッド部の比屈折率差
Δを大きくすればよい。
でシングルモード光導波路が実現可能となる。例えば、
光通信用シングルモードファイバーの場合のコア径は、
波長が０．８５μｍの場合約７μｍ、波長が１．３μｍ
の場合約１０μｍ、波長が１．５５μｍの場合約１２μ
ｍとなる。図７からも明かなように、大きなコア径でシ
ングルモード光導波路を実現しようとする場合には、コ
ア部とクラッド部の比屈折率差Δを小さくすることによ
って、θCを小さくすればよい。また、臨界受光角を大
きくしたい場合には、コア部とクラッド部の比屈折率差
Δを大きくすればよい。
【００２１】以上の原理に基づき、或る波長において高
伝送帯域を有する微細なコア径を有するシングルモード
光導波路が実現可能である。例えば、光の波長が約１μ
ｍ、コア部とクラッド部の比屈折率差Δ＝（ｎ1−ｎ2）
／ｎ1＝１％の場合、（１）式から、シングルモードと
なるためのコア部の半径ａは波長の５〜１０倍、即ち、
約５〜１０μｍとなる。この場合、コア部の断面形状を
円形としているが、コア部の断面形状が矩形の場合にも
同程度の大きさでシングルモードの光伝播を実現でき
る。この程度の大きさのコア部を有する光導波路は、通
常のフォトリソグラフ技術を用いて作製可能である。
伝送帯域を有する微細なコア径を有するシングルモード
光導波路が実現可能である。例えば、光の波長が約１μ
ｍ、コア部とクラッド部の比屈折率差Δ＝（ｎ1−ｎ2）
／ｎ1＝１％の場合、（１）式から、シングルモードと
なるためのコア部の半径ａは波長の５〜１０倍、即ち、
約５〜１０μｍとなる。この場合、コア部の断面形状を
円形としているが、コア部の断面形状が矩形の場合にも
同程度の大きさでシングルモードの光伝播を実現でき
る。この程度の大きさのコア部を有する光導波路は、通
常のフォトリソグラフ技術を用いて作製可能である。
【００２２】このように、光導波路のコア径を小さくす
れば、相当長波長の光までシングルモードで伝搬可能に
なる。しかるに、発光素子から射出された光の光導波路
における受光効率が悪化するため、通常、コア径の微細
化には限界がある。
れば、相当長波長の光までシングルモードで伝搬可能に
なる。しかるに、発光素子から射出された光の光導波路
における受光効率が悪化するため、通常、コア径の微細
化には限界がある。
【００２３】本発明の光導波路は複数の柱状のコア部と
クラッド部から成り、複数の柱状のコア部が互いに平行
に配列され、コア部の周囲が、コア部の屈折率よりも小
さい屈折率を有するクラッド部で満たされている。従っ
て、コア部の配列を発光素子の光のスポットサイズ（例
えば、数十μｍ）に比べて十分冗長にしておけば、即
ち、例えば隣接する少なくとも２つのコア部に発光素子
から射出された光が入射するようにコア部を配列すれ
ば、コア径を微細にしても、光導波路全体としての受光
効率が悪化することがない。本発明の光導波路に光が入
射するとき、光の入射角が臨界受光角θMAX＝ｓｉｎ
（ＮＡ／ｎ1）よりも小さければ、光はコア部をシング
ルモードで伝播する。ここで、ＮＡは開口比、即ち、ｎ
1ｓｉｎθC＝ｎ1√（２Δ）である。
クラッド部から成り、複数の柱状のコア部が互いに平行
に配列され、コア部の周囲が、コア部の屈折率よりも小
さい屈折率を有するクラッド部で満たされている。従っ
て、コア部の配列を発光素子の光のスポットサイズ（例
えば、数十μｍ）に比べて十分冗長にしておけば、即
ち、例えば隣接する少なくとも２つのコア部に発光素子
から射出された光が入射するようにコア部を配列すれ
ば、コア径を微細にしても、光導波路全体としての受光
効率が悪化することがない。本発明の光導波路に光が入
射するとき、光の入射角が臨界受光角θMAX＝ｓｉｎ
（ＮＡ／ｎ1）よりも小さければ、光はコア部をシング
ルモードで伝播する。ここで、ＮＡは開口比、即ち、ｎ
1ｓｉｎθC＝ｎ1√（２Δ）である。
【００２４】また、上記のようにコア部を配列すれば、
発光素子と受光素子とを正確に位置合わせするだけでよ
く、発光素子あるいは受光素子に対して本発明の光導波
路を高精度で位置合わせする必要がない。発光素子が射
出する光のスポットサイズ（例えば、数十μｍ）に比較
してコア部のコア径が小さく、しかも隣接する少なくと
も２つのコア部に発光素子からの光が入射するからであ
る。また、受光素子として、５０μｍ角〜２００μｍ角
程度の面積の櫛形電極、ミアンダ電極構造を有するＰＩ
ＮホトディテクタやＭＳＭホトディテクタを用いれば、
集光レンズを用いる必要がなくなり、位置合わせ精度を
より一層粗くすることができる。
発光素子と受光素子とを正確に位置合わせするだけでよ
く、発光素子あるいは受光素子に対して本発明の光導波
路を高精度で位置合わせする必要がない。発光素子が射
出する光のスポットサイズ（例えば、数十μｍ）に比較
してコア部のコア径が小さく、しかも隣接する少なくと
も２つのコア部に発光素子からの光が入射するからであ
る。また、受光素子として、５０μｍ角〜２００μｍ角
程度の面積の櫛形電極、ミアンダ電極構造を有するＰＩ
ＮホトディテクタやＭＳＭホトディテクタを用いれば、
集光レンズを用いる必要がなくなり、位置合わせ精度を
より一層粗くすることができる。
【００２５】
【実施例】図１に本発明の光導波路の模式的断面図を示
す。図１の（Ａ）に示す光導波路１は、シリコンから成
る基板１０の上に形成された、ＳｉＯ2から成るコア部
１２、及びクラッド材から成るクラッド部１４から構成
されている。クラッド材はポリイミド樹脂である。コア
部の断面形状は矩形である。コア部の寸法は、幅２〜５
μｍ、厚さ１〜２μｍであり、コア部とコア部の水平方
向のギャップＬHを０．５〜１．０μｍ、垂直方向のギ
ャップＬVを０．３〜０．５μｍとした。コア部の屈折
率ｎ1は１．５であり、クラッド部の屈折率ｎ2は１．４
〜１．５である。尚、図１の（Ａ）中、信号光のビーム
を破線の円で示した。
す。図１の（Ａ）に示す光導波路１は、シリコンから成
る基板１０の上に形成された、ＳｉＯ2から成るコア部
１２、及びクラッド材から成るクラッド部１４から構成
されている。クラッド材はポリイミド樹脂である。コア
部の断面形状は矩形である。コア部の寸法は、幅２〜５
μｍ、厚さ１〜２μｍであり、コア部とコア部の水平方
向のギャップＬHを０．５〜１．０μｍ、垂直方向のギ
ャップＬVを０．３〜０．５μｍとした。コア部の屈折
率ｎ1は１．５であり、クラッド部の屈折率ｎ2は１．４
〜１．５である。尚、図１の（Ａ）中、信号光のビーム
を破線の円で示した。
【００２６】図１の（Ａ）に示した光導波路は、以下の
工程で作製することができる。 ［工程−１０］ 図２の（Ａ）に模式的な一部断面図を示すように、先
ず、基板１０の上にＣＶＤ法で厚さ１．０μｍのＳｉＯ
2膜２０を形成する。このＳｉＯ2膜上にレジスト２２を
形成した後、通常のフォトリソグラフ法でレジストをパ
ターニングする。その後、例えばＣＦ4等のガスを使用
してリアクティブ・イオン・エッチングあるいはイオン
ミーリング（Ａｒガススパッターエッチング）を行い、
ＳｉＯ2膜２０をパターニングする（図２の（Ｂ）参
照）。ＳｉＯ2膜２０の水平方向のギャップＬHを０．５
μｍとした。こうして、ＳｉＯ2から成る複数の柱状の
コア部１２が平行に配列されたコア層が１層形成され
る。
工程で作製することができる。 ［工程−１０］ 図２の（Ａ）に模式的な一部断面図を示すように、先
ず、基板１０の上にＣＶＤ法で厚さ１．０μｍのＳｉＯ
2膜２０を形成する。このＳｉＯ2膜上にレジスト２２を
形成した後、通常のフォトリソグラフ法でレジストをパ
ターニングする。その後、例えばＣＦ4等のガスを使用
してリアクティブ・イオン・エッチングあるいはイオン
ミーリング（Ａｒガススパッターエッチング）を行い、
ＳｉＯ2膜２０をパターニングする（図２の（Ｂ）参
照）。ＳｉＯ2膜２０の水平方向のギャップＬHを０．５
μｍとした。こうして、ＳｉＯ2から成る複数の柱状の
コア部１２が平行に配列されたコア層が１層形成され
る。
【００２７】［工程−２０］
次いで、レジスト２２を除去し、全面にポリイミド樹脂
を塗布してポリイミド樹脂層２４を形成した後、１次加
熱を行い不要な有機成分を加熱蒸発させる（図２の
（Ｃ）参照）。次に、ポリイミド樹脂層２４をエッチバ
ックしてポリイミド樹脂層２４を平坦化する。コア部１
２の上のポリイミド樹脂層２４の厚さＬVを０．３μｍ
とした。こうして、コア部１２の周囲は、ポリイミド樹
脂から成るクラッド部１４で満たされる（図２の（Ｄ）
参照）。必要に応じて、２次加熱を行い、ポリイミド樹
脂層２４を硬化させる。２次加熱は、複数のコア層を形
成した後行ってもよい。
を塗布してポリイミド樹脂層２４を形成した後、１次加
熱を行い不要な有機成分を加熱蒸発させる（図２の
（Ｃ）参照）。次に、ポリイミド樹脂層２４をエッチバ
ックしてポリイミド樹脂層２４を平坦化する。コア部１
２の上のポリイミド樹脂層２４の厚さＬVを０．３μｍ
とした。こうして、コア部１２の周囲は、ポリイミド樹
脂から成るクラッド部１４で満たされる（図２の（Ｄ）
参照）。必要に応じて、２次加熱を行い、ポリイミド樹
脂層２４を硬化させる。２次加熱は、複数のコア層を形
成した後行ってもよい。
【００２８】以下、クラッド部１４の上で、［工程−１
０］及び［工程−２０］を必要な回数繰り返し、必要な
数のコア層を形成する。以上の工程によって、図１の
（Ａ）に示した光導波路１が完成する。
０］及び［工程−２０］を必要な回数繰り返し、必要な
数のコア層を形成する。以上の工程によって、図１の
（Ａ）に示した光導波路１が完成する。
【００２９】本発明の光導波路１を用いた半導体チップ
同士の間の光による信号伝送の例を図３に斜視図にて示
す。図３中、参照番号３０Ａ，３０Ｂは半導体チップ、
参照番号３２は発光素子、参照番号３４は受光素子であ
る。半導体チップ３０Ａ，３０Ｂ、発光素子３２及び受
光素子３４はアレー状に複数配置されている。発光素子
３２と受光素子３４とは１つのアレーにおいて混在して
もよい。この例においては、光導波路の光入出力部が光
導波路の軸線方向に対して垂直な面１６で構成され、光
入出力部への光の入出力は光導波路の軸線方向と平行で
ある。
同士の間の光による信号伝送の例を図３に斜視図にて示
す。図３中、参照番号３０Ａ，３０Ｂは半導体チップ、
参照番号３２は発光素子、参照番号３４は受光素子であ
る。半導体チップ３０Ａ，３０Ｂ、発光素子３２及び受
光素子３４はアレー状に複数配置されている。発光素子
３２と受光素子３４とは１つのアレーにおいて混在して
もよい。この例においては、光導波路の光入出力部が光
導波路の軸線方向に対して垂直な面１６で構成され、光
入出力部への光の入出力は光導波路の軸線方向と平行で
ある。
【００３０】図３からも明らかなように、発光素子３２
と光導波路１の位置合わせ、及び受光素子３４と光導波
路１の位置合わせを高精度で行う必要はない。１つの発
光素子とこの発光素子に対応する１つの受光素子との間
の光学的接続が、隣接する少なくとも２つのコア部を介
して行われるからである。半導体チップ３０Ａ，３０Ｂ
及び光導波路１を搭載すべき基板４６が十分平坦でしか
も発光素子３２と受光素子３４が所定の間隔でアレー状
に配列されているならば、複数の発光素子と受光素子の
内の少なくとも一組を正確に位置合わせするだけで、全
ての発光素子と受光素子を位置合わせすることができ
る。
と光導波路１の位置合わせ、及び受光素子３４と光導波
路１の位置合わせを高精度で行う必要はない。１つの発
光素子とこの発光素子に対応する１つの受光素子との間
の光学的接続が、隣接する少なくとも２つのコア部を介
して行われるからである。半導体チップ３０Ａ，３０Ｂ
及び光導波路１を搭載すべき基板４６が十分平坦でしか
も発光素子３２と受光素子３４が所定の間隔でアレー状
に配列されているならば、複数の発光素子と受光素子の
内の少なくとも一組を正確に位置合わせするだけで、全
ての発光素子と受光素子を位置合わせすることができ
る。
【００３１】本発明の光導波路１を用いた光電子集積回
路（ＯＥＩＣ）とＯＥＩＣとの間の光による信号伝送の
例を図４に側面図及び斜視図にて示す。図４中、参照番
号４０Ａ，４０ＢはＯＥＩＣである。光導波路１は、上
述した方法によって、基板１０の所定領域上に形成され
ている。即ち、光導波路１は、ＯＥＩＣを実装する基板
の上に一体となって形成されている。ＯＥＩＣ４０Ａ，
４０Ｂの端部には、等間隔で等しい高さに発光素子モジ
ュール４２及び受光素子モジュール４４が形成されてい
る。光導波路１の端面１６への光の入出力がほぼ垂直に
なるように、ＯＥＩＣ４０Ａ，４０Ｂを基板１０の所定
の領域にフリップチップ実装する。発光素子は基板１０
にほぼ平行な光を射出する。
路（ＯＥＩＣ）とＯＥＩＣとの間の光による信号伝送の
例を図４に側面図及び斜視図にて示す。図４中、参照番
号４０Ａ，４０ＢはＯＥＩＣである。光導波路１は、上
述した方法によって、基板１０の所定領域上に形成され
ている。即ち、光導波路１は、ＯＥＩＣを実装する基板
の上に一体となって形成されている。ＯＥＩＣ４０Ａ，
４０Ｂの端部には、等間隔で等しい高さに発光素子モジ
ュール４２及び受光素子モジュール４４が形成されてい
る。光導波路１の端面１６への光の入出力がほぼ垂直に
なるように、ＯＥＩＣ４０Ａ，４０Ｂを基板１０の所定
の領域にフリップチップ実装する。発光素子は基板１０
にほぼ平行な光を射出する。
【００３２】このとき、ＯＥＩＣ４０Ａ，４０Ｂの発光
素子及び受光素子のそれぞれを全て位置合わせする必要
はなく、いずれか一組あるいは二組の発光素子及び受光
素子を、例えば実際の光信号をモニターするなどして、
位置合わせすればよい。発光素子の光放出角を大きくし
信号ビームの広がりを大きくする程、位置合わせ精度を
粗くすることができる。この場合、発光素子の光放出角
があまり大きいと、隣接する発光素子に対応するコア部
への光の干渉、所謂クロストーク、が生じる。これを防
止するために、発光素子が発光した光に対して吸収作用
を有する材料、例えば、カーボンブラックを分散したポ
リイミド樹脂やＳＯＧ、からクラッド部を構成すればよ
い。
素子及び受光素子のそれぞれを全て位置合わせする必要
はなく、いずれか一組あるいは二組の発光素子及び受光
素子を、例えば実際の光信号をモニターするなどして、
位置合わせすればよい。発光素子の光放出角を大きくし
信号ビームの広がりを大きくする程、位置合わせ精度を
粗くすることができる。この場合、発光素子の光放出角
があまり大きいと、隣接する発光素子に対応するコア部
への光の干渉、所謂クロストーク、が生じる。これを防
止するために、発光素子が発光した光に対して吸収作用
を有する材料、例えば、カーボンブラックを分散したポ
リイミド樹脂やＳＯＧ、からクラッド部を構成すればよ
い。
【００３３】光導波路の光入出力部の少なくとも一方が
光導波路の軸線方向に対して垂直以外の面で構成され、
かかる面を有する光入出力部への光の入出力は光導波路
の軸線方向以外の角度で行われる例を、図５に側面図に
て示す。図５の（Ａ）に示す例においては、回路を取り
付ける基板４６上にＯＥＩＣ４０Ａ，４０Ｂが取り付け
られ、ＯＥＩＣ４０Ａ，４０Ｂに形成された発光素子モ
ジュール４２、及び受光素子モジュール４４に対して、
光導波路１が取り付けられている。
光導波路の軸線方向に対して垂直以外の面で構成され、
かかる面を有する光入出力部への光の入出力は光導波路
の軸線方向以外の角度で行われる例を、図５に側面図に
て示す。図５の（Ａ）に示す例においては、回路を取り
付ける基板４６上にＯＥＩＣ４０Ａ，４０Ｂが取り付け
られ、ＯＥＩＣ４０Ａ，４０Ｂに形成された発光素子モ
ジュール４２、及び受光素子モジュール４４に対して、
光導波路１が取り付けられている。
【００３４】図５の（Ａ）に示した光電子集積回路４０
Ａ，４０Ｂは、これらの回路を取り付ける基板４６に対
して垂直に光を入出力する。即ち、発光素子モジュール
４２は基板４６に対して垂直方向に光を射出し、受光素
子モジュール４４は垂直方向の光を受光する。この場合
には、コア部及びクラッド部を形成した基板１０を所定
の大きさに切断した後、端面１６を４５度に研磨する。
こうすることによって、光導波路の光入出力部が光導波
路の軸線方向に対して垂直以外の面１６（本実施例にお
いては、軸線方向に対して４５度傾いた面）で構成され
る。そして、かかる面１６を有する光入出力部への光の
入出力は光導波路の軸線方向以外の角度（本実施例にお
いては、軸線方向に対して９０度）で行われる。
Ａ，４０Ｂは、これらの回路を取り付ける基板４６に対
して垂直に光を入出力する。即ち、発光素子モジュール
４２は基板４６に対して垂直方向に光を射出し、受光素
子モジュール４４は垂直方向の光を受光する。この場合
には、コア部及びクラッド部を形成した基板１０を所定
の大きさに切断した後、端面１６を４５度に研磨する。
こうすることによって、光導波路の光入出力部が光導波
路の軸線方向に対して垂直以外の面１６（本実施例にお
いては、軸線方向に対して４５度傾いた面）で構成され
る。そして、かかる面１６を有する光入出力部への光の
入出力は光導波路の軸線方向以外の角度（本実施例にお
いては、軸線方向に対して９０度）で行われる。
【００３５】また、基板４６が用いる光を透過させ得る
ならば、図５の（Ｂ）に示すように、基板４６の裏面に
光導波路１を形成し、表面にＯＥＩＣ４０Ａ，４０Ｂを
実装することも可能である。尚、図５では光路を破線で
示した。
ならば、図５の（Ｂ）に示すように、基板４６の裏面に
光導波路１を形成し、表面にＯＥＩＣ４０Ａ，４０Ｂを
実装することも可能である。尚、図５では光路を破線で
示した。
【００３６】以上、本発明を好ましい実施例に基づき説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。図１の（Ｂ）に示すように、光導波路１のコア
部１２を千鳥状に配列することができる。また、光導波
路１のコア部１２の断面形状を図１の（Ｃ）に示すよう
に、円形とすることができる。発光素子、受光素子、及
び光導波路の配置状態は実施例に限定されず、如何なる
配置にすることもできる。光導波路のコア部の寸法、コ
ア部及びクラッド部の材料等は例示であり、適宜変更す
ることができる。
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。図１の（Ｂ）に示すように、光導波路１のコア
部１２を千鳥状に配列することができる。また、光導波
路１のコア部１２の断面形状を図１の（Ｃ）に示すよう
に、円形とすることができる。発光素子、受光素子、及
び光導波路の配置状態は実施例に限定されず、如何なる
配置にすることもできる。光導波路のコア部の寸法、コ
ア部及びクラッド部の材料等は例示であり、適宜変更す
ることができる。
【００３７】
【発明の効果】本発明の光導波路においては、発光素子
及び受光素子の位置合わせを正確に行えばよく、発光素
子と光導波路、受光素子と光導波路の位置合わせ精度は
粗くてもよい。従って、高い位置合わせ精度の要求から
生じる光導波路のコスト増、発光素子、受光素子等のコ
スト増を招くことがない。また、光伝送用光学部品の位
置合わせや組立コストを容易に低減することができる。
及び受光素子の位置合わせを正確に行えばよく、発光素
子と光導波路、受光素子と光導波路の位置合わせ精度は
粗くてもよい。従って、高い位置合わせ精度の要求から
生じる光導波路のコスト増、発光素子、受光素子等のコ
スト増を招くことがない。また、光伝送用光学部品の位
置合わせや組立コストを容易に低減することができる。
【００３８】更に、発光素子、受光素子の各々をアレー
化した場合でも、アレーの間隔とは独立して光導波路を
作製することができるし、少なくとも一組の発光素子と
受光素子とを位置合わせすれば、アレー全ての位置合わ
せを行う必要が無くなる。従って、多数の光導波路を容
易に且つ高い位置合わせ精度で形成することができ、光
配線のコストダウンが図れる。
化した場合でも、アレーの間隔とは独立して光導波路を
作製することができるし、少なくとも一組の発光素子と
受光素子とを位置合わせすれば、アレー全ての位置合わ
せを行う必要が無くなる。従って、多数の光導波路を容
易に且つ高い位置合わせ精度で形成することができ、光
配線のコストダウンが図れる。
【００３９】また、本発明の光導波路を用いることによ
って、高い自由度でＯＥＩＣ等の配置を行うことができ
る。更に、本発明の光導波路の構造は、基本的にはシン
グルモードであるので、高いビットレートでの信号伝送
が可能である。
って、高い自由度でＯＥＩＣ等の配置を行うことができ
る。更に、本発明の光導波路の構造は、基本的にはシン
グルモードであるので、高いビットレートでの信号伝送
が可能である。
【図１】本発明の光導波路の模式的な断面図である。
【図２】本発明の光導波路の作製方法の各工程を説明す
るための、光導波路の模式的な断面図である。
るための、光導波路の模式的な断面図である。
【図３】本発明の光導波路を用いた半導体チップ同士の
間の光による信号伝送の例を示す図である。
間の光による信号伝送の例を示す図である。
【図４】本発明の光導波路を用いた光電子集積回路同士
の間の光による信号伝送の例を示す図である。
の間の光による信号伝送の例を示す図である。
【図５】本発明の光導波路を用いた光電子集積回路同士
の間の光による信号伝送の図４とは別の例を示す図であ
る。
の間の光による信号伝送の図４とは別の例を示す図であ
る。
【図６】光導波路中の光の伝播状態を説明するための図
である。
である。
【図７】モード次数と入射補角の関係を示す図である。
【図８】従来の、光導波路として光ファイバーを用いて
発光素子と受光素子との間を光学的に接続する例を示す
図である。
発光素子と受光素子との間を光学的に接続する例を示す
図である。
１ 光導波路
１０ 基板
１２ コア部
１４ クラッド部
１６ 基板の端面
２０ ＳｉＯ2膜
２２ レジスト
２４ ポリイミド樹脂層
３０Ａ，３０Ｂ 半導体チップ
３２ 発光素子
３４ 受光素子
４０Ａ，４０Ｂ 光電子集積回路（ＯＥＩＣ）
４２ 発光素子モジュール
４４ 受光素子モジュール
４６ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 27/14
G02B 6/122
G02B 6/42
H01L 31/12
Claims (7)
- 【請求項１】複数の発光素子と該発光素子に対応した複
数の受光素子との間を光学的に接続する光導波路であっ
て、 該光導波路は、複数の柱状のコア部とクラッド部から成
り、 複数の柱状のコア部は、水平方向に互いに平行に３列以
上配列され、且つ、垂直方向に互いに平行に３段以上配
列され、 該コア部とコア部との間が、コア部の屈折率よりも小さ
い屈折率を有するクラッド部で満たされて成り、 １つの発光素子と該発光素子に対応する１つの受光素子
との間の光学的接続が、少なくとも、１つのコア部、該
１つのコア部の垂直方向に隣接するコア部、及び、該１
つのコア部の水平方向に隣接するコア部を介して行われ
る ことを特徴とする光導波路。 - 【請求項２】シングルモードで光を導波することを特徴
とする請求項１に記載の光導波路。 - 【請求項３】 クラッド部は、発光素子が発光した光に対
して吸収作用を有する材料から成ることを特徴とする請
求項１に記載の光導波路。 - 【請求項４】 複数の発光素子と該発光素子に対応した複
数の受光素子との間を光学的に接続する光導波路であっ
て、 該光導波路は、複数の柱状のコア部とクラッド部から成
り、複数の柱状のコア部は、水平方向に互いに平行に３列以
上配列され、且つ、垂直方向に互いに平行に３段以上配
列され、 該コア部の周囲が、コア部の屈折率よりも小さい屈折率
を有するクラッド部で満たされて成り、 光導波路の光入出力部の少なくとも一方が光導波路の軸
線方向に対して垂直以外の面で構成され、かかる面を有
する光入出力部への光の入出力は光導波路の軸線方向以
外の角度で行われ、 １つの発光素子と該発光素子に対応する１つの受光素子
との間の光学的接続が 、少なくとも、１つのコア部、該
１つのコア部の垂直方向に隣接するコア部、及び、該１
つのコア部の水平方向に隣接するコア部を介して行われ
る ことを特徴とする光導波路。 - 【請求項５】（Ａ）基体上にコア層形成用薄膜を形成す
る工程と、 （Ｂ）該コア層形成用薄膜をパターニングすることによ
って、基体上に３列以上の柱状のコア部を形成する工程
と、 （Ｃ）全面にクラッド層形成用材料層を形成した後、該
クラッド層形成用材料層を平坦化処理し、コア部の間及
びコア部の上に、コア部の屈折率よりも小さい屈折率を
有するクラッド層形成用材料層から成るクラッド部を形
成する工程と、 （Ｄ）クラッド部上にコア層形成用薄膜を形成した後、
該コア層形成用薄膜をパターニングすることによって、
クラッド層上に３列以上の柱状のコア部を形成し、次い
で、全面にクラッド層形成用材料層を形成した後、該ク
ラッド層形成用材料層を平坦化処理し、コア部の間及び
コア部の上に、コア部の屈折率よりも小さい屈折率を有
するクラッド層形成用材料層から成るクラッド部を形成
する工程を、少なくとも２回、繰り返すことを特徴とす
る光導波路の製造方法。 - 【請求項６】コア層形成用薄膜は二酸化ケイ素から成
り、クラッド層形成用材料層はポリイミド樹脂から成る
ことを特徴とする請求項５に記載の光導波路の製造方
法。 - 【請求項７】コア層形成用薄膜を化学的気相成長法にて
形成することを特徴とする請求項６に記載の光導波路の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14684192A JP3385625B2 (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 光導波路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14684192A JP3385625B2 (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 光導波路及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326906A JPH05326906A (ja) | 1993-12-10 |
| JP3385625B2 true JP3385625B2 (ja) | 2003-03-10 |
Family
ID=15416748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14684192A Expired - Lifetime JP3385625B2 (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | 光導波路及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3385625B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP4590722B2 (ja) * | 2000-12-06 | 2010-12-01 | 凸版印刷株式会社 | 光部品搭載用基板製造方法 |
| JP2007128105A (ja) * | 2001-12-26 | 2007-05-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路デバイスの製造方法及び光導波路デバイス |
| JP4867947B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2012-02-01 | 住友電気工業株式会社 | 光インターフェイスボールグリッドアレイの実装方法 |
| JP2016156933A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 日本電信電話株式会社 | 光集積回路および製造方法 |
-
1992
- 1992-05-14 JP JP14684192A patent/JP3385625B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JPH05326906A (ja) | 1993-12-10 |
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