JP3383814B2 - Method for producing periodically arranged microcrystals - Google Patents
Method for producing periodically arranged microcrystalsInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、非晶質薄膜中に微結晶
が２次元的または３次元的に周期配列した微結晶の製造
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing fine crystals in which amorphous crystals are periodically arranged in a two-dimensional or three-dimensional manner.
【０００２】[0002]
【従来の技術】数十オングストロームから千オングスト
ローム程度の粒径を有する結晶を微結晶という。微結晶
は量子効果、発光、室温における単電子効果など大粒径
の結晶にない特有の現象を示す。そのため、これらの効
果を次世代のデバイスとして利用することが期待されて
いる。しかし、そのためには、微結晶の位置とサイズを
正確に制御することが必要である。2. Description of the Related Art Crystals having a grain size of about several tens of angstroms to about 1,000 angstroms are called microcrystals. Microcrystals show unique phenomena such as quantum effect, light emission, and single-electron effect at room temperature, which are not found in crystals with a large grain size. Therefore, it is expected that these effects will be utilized as a next-generation device. However, this requires precise control of the position and size of the crystallites.
【０００３】今日、微結晶の位置を正確に制御するた
め、原子レベルで平坦な微傾斜基板の表面に形成される
原子ステップを利用する方法が多くの研究者によって試
みられている。しかし、原子ステップの間隔を正確に制
御することは不可能であり、原子ステップのどこに微結
晶が発生するかも全く制御されていない。また、３次元
的に微結晶の位置を制御する方法に至っては、その報告
例は殆ど存在しない。[0003] Today, many researchers have attempted a method of utilizing atomic steps formed on the surface of a vicinal substrate that is flat at the atomic level in order to precisely control the position of the crystallites. However, it is impossible to accurately control the interval between atomic steps, and there is no control over where the crystallites occur in atomic steps. In addition, there are almost no reports of methods for controlling the position of the microcrystals three-dimensionally.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】以上、説明したよう
に、従来の手法では基板表面上で微結晶の位置をある程
度制御することは可能であるが、正確に意図した位置に
微結晶を形成する技術は未確立である。従って、本発明
は上述の問題点を解決するためになされたものであっ
て、２次元的または３次元的に周期配列した位置に正確
に微結晶を形成する製造方法を提供することを目的とす
る。As described above, although it is possible to control the position of the microcrystals on the surface of the substrate to some extent by the conventional method, the microcrystals are accurately formed at the intended positions. The technology is unestablished. Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a manufacturing method for accurately forming microcrystals at positions where two-dimensionally or three-dimensionally periodically arranged. To do.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１の周期配列した微結晶の製造方法
は、基板表面上に形成された非晶質薄膜にコヒーレント
な放射光、レーザー光またはコヒーレントな電子ビーム
のいずれかを複数の方向から照射して上記非晶質薄膜上
に２次元干渉像を形成することにより、２次元干渉像の
存在する位置の非晶質材料を微結晶化することを特徴と
するものである。In order to solve the above-mentioned problems, the method for producing periodically-arranged microcrystals according to claim 1 of the present invention is a coherent synchrotron radiation to an amorphous thin film formed on a substrate surface. , A laser beam or a coherent electron beam is irradiated from a plurality of directions to form a two-dimensional interference image on the amorphous thin film, so that the amorphous material at the position where the two-dimensional interference image exists can be removed. It is characterized by being crystallized.
【０００６】すなわち、請求項１では、コヒーレントな
放射光、レーザー光またはコヒーレントな電子ビーム
（以下、コヒーレントビームと総称することがある）の
２次元的な干渉と非晶質薄膜との直接相互作用を利用す
る。非晶質薄膜等の非晶質材料に放射光等のコヒーレン
トビームを照射すると、結晶化が促進される。例えば、
非晶質シリコンからなる薄膜に放射光を照射し、必要に
より、後に熱処理を行うと、放射光の照射された範囲に
微結晶が生じる。これは放射光により非晶質シリコン薄
膜中の内殻電子が励起した後のオージェ過程で多価イオ
ンが生成し、この多価イオンのクーロン反発により結晶
化が促進されるものと推定される。なお、上記コヒーレ
ントビームの波長を充分に短くすることにより、２次元
的に配列される微結晶の配列の周期を短くし、且つ充分
な位置精度を持たせることが可能である。That is, in claim 1, two-dimensional interference of coherent radiation light, laser light, or coherent electron beam (hereinafter sometimes collectively referred to as coherent beam) and direct interaction with the amorphous thin film. To use. When an amorphous material such as an amorphous thin film is irradiated with a coherent beam such as synchrotron radiation, crystallization is promoted. For example,
When a thin film made of amorphous silicon is irradiated with radiant light and, if necessary, heat-treated later, microcrystals are generated in a range irradiated with radiant light. It is presumed that polyvalent ions are generated in the Auger process after the core electrons in the amorphous silicon thin film are excited by the synchrotron radiation and Coulomb repulsion of the polyvalent ions promotes crystallization. By sufficiently shortening the wavelength of the coherent beam, it is possible to shorten the cycle of the array of microcrystals that are two-dimensionally arrayed and to provide sufficient positional accuracy.
【０００７】請求項２の周期配列した微結晶の製造方法
は、基板表面上に形成された非晶質薄膜にコヒーレント
な放射光またはレーザー光を複数の方向から照射して上
記非晶質薄膜中に３次元干渉像を形成することにより、
３次元干渉像の存在する位置の非晶質材料を微結晶化す
ることを特徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for producing periodically arranged microcrystals, wherein an amorphous thin film formed on a substrate surface is irradiated with coherent radiation light or laser light from a plurality of directions. By forming a three-dimensional interference image on
The feature is that the amorphous material at the position where the three-dimensional interference image exists is crystallized.
【０００８】すなわち、請求項２では、非晶質薄膜中に
３次元的周期構造を有する干渉像を形成することによ
り、３次元的に周期配列した微結晶を形成するものであ
る。この場合、コヒーレントビームの合成波は、上記基
板の表面に対して垂直な方向にも定在していなければな
らないから、基板の表面及び裏面からコヒーレントビー
ムを照射する必要がある。That is, according to a second aspect of the present invention, an interference image having a three-dimensional periodic structure is formed in an amorphous thin film to form microcrystals that are three-dimensionally periodically arranged. In this case, the composite wave of the coherent beam must also be standing in the direction perpendicular to the surface of the substrate, and therefore the front and back surfaces of the substrate must be irradiated with the coherent beam.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１に本実施の形態で使用する周
期配列した微結晶の製造装置を示す。本装置は、コヒー
レントビーム供給装置１、基板交換室２および反応室３
から構成されている。コヒーレントビーム供給装置１
は、例えば、シンクロトロン放射光装置等の放射光光源
４から放出されるコヒーレントな放射光をフィルター５
により単色化した後、反応室３に供給するようになって
いる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a manufacturing apparatus for periodically arranged microcrystals used in this embodiment. This apparatus comprises a coherent beam supply device 1, a substrate exchange chamber 2 and a reaction chamber 3.
It consists of Coherent beam supply device 1
Is a filter 5 for coherent radiation emitted from a radiation light source 4 such as a synchrotron radiation device.
It is supplied to the reaction chamber 3 after being made monochromatic by.
【００１０】基板交換室２は反応室３の真空を破らずに
基板６を反応室３に導入するために設けられており、反
応室３と基板交換室２とはゲートバルブ７により隔てら
れている。基板交換室２と反応室３とは、それぞれ独立
の真空排気装置８、９を備えている。The substrate exchange chamber 2 is provided to introduce the substrate 6 into the reaction chamber 3 without breaking the vacuum of the reaction chamber 3. The reaction chamber 3 and the substrate exchange chamber 2 are separated by a gate valve 7. There is. The substrate exchange chamber 2 and the reaction chamber 3 are provided with independent vacuum exhaust devices 8 and 9, respectively.
【００１１】反応室３は、常時、真空排気装置９により
真空が保たれている。反応室３内において基板６は基板
ホルダー１０上に装着される。基板ホルダー１０の下部
には基板ヒーター１１が取り付けられていて、必要に応
じて基板６を加熱する。ただし、本発明の請求項２の発
明においては、基盤６の裏面側からも放射光を照射する
必要があるため、基板ヒーター１１は取り付けてはなら
ず、その場合は遠方から赤外線等を照射して加熱するよ
うな構成とすることができる。The reaction chamber 3 is constantly kept in vacuum by a vacuum exhaust device 9. The substrate 6 is mounted on the substrate holder 10 in the reaction chamber 3. A substrate heater 11 is attached to the lower portion of the substrate holder 10 to heat the substrate 6 as needed. However, in the invention of claim 2 of the present invention, since it is necessary to irradiate the radiant light from the back surface side of the substrate 6 as well, the substrate heater 11 must not be attached. It can be configured to be heated by heating.
【００１２】放射光光源４からフィルター５を介して反
応室３内に導入された放射光は、ハーフミラー１２、１
３、１４を用いて、複数方向、たとえば４方向に分割さ
れ、さらにミラー１５、１６、１７、１８を介して、た
とえば４方向から基板６上に照射される。なお、ハーフ
ミラー１２および１４間、ハーフミラー１３とミラー１
６間、およびハーフミラー１４とミラー１８間には、そ
れぞれミラー１９、２０、２１が配置されている。放射
光を基板６に照射する方向が常に一定であれば、ハーフ
ミラー１２乃至１４やミラー１５乃至２１は反応室３の
外部に位置していても差し支えない。The emitted light introduced into the reaction chamber 3 from the emitted light source 4 through the filter 5 is reflected by the half mirrors 12 and 1.
3, 14 are divided into a plurality of directions, for example, 4 directions, and the substrate 6 is irradiated from, for example, 4 directions via mirrors 15, 16, 17, 18. In addition, between the half mirrors 12 and 14, the half mirror 13 and the mirror 1
Mirrors 19, 20 and 21 are arranged between 6 and the half mirror 14 and the mirror 18, respectively. The half mirrors 12 to 14 and the mirrors 15 to 21 may be located outside the reaction chamber 3 as long as the direction of irradiating the substrate 6 with the emitted light is always constant.
【００１３】上記基板６上に形成された非晶質薄膜上
に、たとえば、正方格子の周期構造を有する２次元干渉
像を形成するために、４つのミラー１５乃至１８を介し
て４方向Ａ乃至Ｄから放射光を照射する場合、これらの
４方向は、図２に示すように、上方から見て、９０°の
角度間隔となるように設定されている。４方向の放射光
の垂直面内での傾斜角度（図３中θ）は、基板６上の非
晶質薄膜中に製造すべき微結晶の間隔に対応させて、互
いに等しくされる。On the amorphous thin film formed on the substrate 6, for example, in order to form a two-dimensional interference image having a periodic structure of a square lattice, four directions A to 4 are formed through four mirrors 15 to 18. When radiating light from D, these four directions are set to have an angular interval of 90 ° when viewed from above, as shown in FIG. The inclination angles (θ in FIG. 3) of the radiated light in the four directions in the vertical plane are made equal to each other corresponding to the intervals of the microcrystals to be produced in the amorphous thin film on the substrate 6.
【００１４】なお、上記傾斜角度θが変化すると、上記
４方向Ａ乃至Ｄからの放射光の波Ｗが基板６上の非晶質
薄膜上に写る間隔が変化し、それに伴って、上記２次元
干渉像の格子間隔も変化するので、２次元干渉像の格子
間隔に合わせて、上記垂直面内での傾斜角度θを所定の
値に設定する必要がある。上記のように、たとえば、上
方から見て９０°の間隔に設定され、且つ垂直面内での
傾斜角度θが互いに等しくされた４方向Ａ乃至Ｄからの
波が互いに干渉することにより、正方格子を有する２次
元的に周期配列した干渉像が形成される。When the tilt angle θ changes, the interval at which the wave W of the radiated light from the four directions A to D appears on the amorphous thin film on the substrate 6 changes, and accordingly the two-dimensional shape changes. Since the lattice spacing of the interference image also changes, it is necessary to set the tilt angle θ in the vertical plane to a predetermined value in accordance with the lattice spacing of the two-dimensional interference image. As described above, for example, the waves from the four directions A to D, which are set at an interval of 90 ° when viewed from above and have the same inclination angle θ in the vertical plane, interfere with each other, thereby causing a square lattice. A two-dimensionally periodically arranged interference image having is formed.
【００１５】図４は、六方格子の周期構造を有する２次
元干渉像を形成するために、基板６上の非晶質薄膜への
放射光の照射を３方向Ｅ乃至Ｇからとし、お互いに対し
て、上方から見てそれぞれ１２０°の角度をなす方向か
ら照射する場合を示したものである。３方向の放射光の
垂直面内での傾斜角度は、非晶質薄膜中に製造すべき微
結晶の間隔に対応させて、互いに等しくされる。この場
合、３方向からの放射光が互いに干渉して、六方格子を
有する２次元的に周期配列した干渉像が形成される。FIG. 4 shows that, in order to form a two-dimensional interference image having a hexagonal lattice periodic structure, the amorphous thin film on the substrate 6 is irradiated with radiant light from three directions E to G, and the amorphous thin film is irradiated with respect to each other. In this case, the irradiation is performed from the directions forming an angle of 120 ° when viewed from above. The inclination angles of the emitted light in the three directions in the vertical plane are made equal to each other in accordance with the intervals of the microcrystals to be produced in the amorphous thin film. In this case, the emitted lights from the three directions interfere with each other to form a two-dimensionally arranged interference image having a hexagonal lattice.
【００１６】図５乃至図７は、体心立方格子の周期構造
を有する３次元干渉像を形成するために基板６上の非晶
質薄膜への放射光の照射を基板６の上から２方向Ｈおよ
びＩ、下から２方向ＪおよびＫの合計４方向からとする
場合を示したものである。この場合、４方向の放射光
は、お互いに対して、それぞれ１０９°２８’の角度を
なし、これら４方向の放射光が互いに干渉して、体心立
方格子を有する３次元的に周期配列した干渉像が形成さ
れる。FIGS. 5 to 7 show the irradiation of synchrotron radiation on the amorphous thin film on the substrate 6 in two directions from above the substrate 6 in order to form a three-dimensional interference image having a periodic structure of a body-centered cubic lattice. It shows the case where the total number of directions is H and I, and the two directions from the bottom are J and K. In this case, the radiated lights in the four directions form an angle of 109 ° 28 ′ with respect to each other, and the radiated lights in the four directions interfere with each other to form a three-dimensional periodic array having a body-centered cubic lattice. An interference image is formed.
【００１７】なお、本発明において、基板６上の非晶質
薄膜に形成される２次元干渉像あるいは３次元干渉像
は、上記の正方格子を有するもの、六方格子を有するも
のや体心立方格子を有するものに限定されない。放射光
を照射する方向の数、上方から見た角度、垂直面内での
傾斜角度を変えることにより、任意の周期配列を有する
２次元干渉像あるいは３次元干渉像を形成することが可
能である。In the present invention, the two-dimensional interference image or the three-dimensional interference image formed on the amorphous thin film on the substrate 6 has the above-mentioned tetragonal lattice, hexagonal lattice or body-centered cubic lattice. It is not limited to those having. It is possible to form a two-dimensional interference image or a three-dimensional interference image having an arbitrary periodic array by changing the number of radiated light irradiation directions, the angle viewed from above, and the inclination angle in the vertical plane. .
【００１８】[0018]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。非晶質シ
リコン薄膜（非晶質薄膜）にコヒーレントな放射光を照
射し、さらに、６５０℃で１時間窒素雰囲気中で熱処理
することにより、微結晶が得られる。すなわち、図８中
（ａ）に示すように、基板６上に、製造すべき微結晶の
粒径と同程度の厚さ（たとえば１００オングストローム
程度）を有する非晶質シリコン薄膜２２を形成してお
き、この非晶質シリコン薄膜２２に複数の方向から放射
光を照射し、非晶質シリコン薄膜２２上に２次元的な周
期配列を有する干渉像を形成し（図８中（ｂ）に横方向
の干渉像の強度分布を示すが、縦方向も同様の強度分布
を有し、全体として２次元的な干渉像が形成される）、
その後、熱処理を施せば、図９に示すように、非晶質シ
リコン薄膜２２中に多数の微結晶２３が２次元的に分布
され、２次元的に周期配列した構造が得られる。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. Microcrystals are obtained by irradiating an amorphous silicon thin film (amorphous thin film) with coherent radiation and further heat-treating at 650 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere. That is, as shown in FIG. 8A, an amorphous silicon thin film 22 having a thickness (for example, about 100 angstroms) approximately the same as the grain size of microcrystals to be manufactured is formed on the substrate 6. Then, the amorphous silicon thin film 22 is irradiated with radiant light from a plurality of directions to form an interference image having a two-dimensional periodic array on the amorphous silicon thin film 22 (horizontal in FIG. 8B). Although the intensity distribution of the interference image in the direction is shown, the vertical intensity also has a similar intensity distribution, and a two-dimensional interference image is formed as a whole),
After that, when heat treatment is performed, as shown in FIG. 9, a large number of microcrystals 23 are two-dimensionally distributed in the amorphous silicon thin film 22 and a structure in which two-dimensional periodic arrangement is obtained.
【００１９】また、第２の実施例として、図１０に示す
ように、放射光の透過性を有する基板６上に、製造すべ
き微結晶の粒径より大きな膜厚（たとえば１０００オン
グストローム以上程度）を有する非晶質シリコン薄膜２
４を形成し、表面側及び裏面側の複数の方向からコヒー
レントな放射光を照射し、３次元的な周期配列を有する
干渉像を非晶質シリコン薄膜２４中に形成し、その後、
熱処理を行えば、図１１に示すように、非晶質シリコン
薄膜２４中に微結晶２５が３次元的に周期配列した構造
が得られる。As a second embodiment, as shown in FIG. 10, a film having a thickness larger than the grain size of the microcrystals to be manufactured (for example, about 1000 angstroms or more) is formed on the substrate 6 having the radiant light transmitting property. Amorphous silicon thin film 2 having
4 is formed, coherent radiation is irradiated from a plurality of directions on the front surface side and the back surface side, an interference image having a three-dimensional periodic array is formed in the amorphous silicon thin film 24, and thereafter,
By performing the heat treatment, as shown in FIG. 11, a structure in which the microcrystals 25 are three-dimensionally periodically arranged in the amorphous silicon thin film 24 is obtained.
【００２０】[0020]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
の周期配列した微結晶の製造方法によれば、コヒーレン
トビームの２次元的な干渉像と非晶質薄膜との直接相互
作用を利用して、非晶質薄膜中に微結晶を２次元的に周
期配列させることができ、係る微結晶を有する薄膜を次
世代のデバイスとして利用することができる。As described above, according to the first aspect of the present invention.
According to the method for producing microcrystals in which the periodic arrangement is performed, the microcrystals are two-dimensionally formed in the amorphous thin film by utilizing the two-dimensional interference image of the coherent beam and the direct interaction with the amorphous thin film. A thin film having such microcrystals that can be periodically arrayed can be used as a next-generation device.
【００２１】請求項２の周期配列した微結晶の製造方法
によれば、コヒーレントビームの３次元的な干渉像と非
晶質薄膜との直接相互作用を利用して、非晶質薄膜中に
微結晶を３次元的に周期配列させることができ、係る微
結晶を有する薄膜を次世代のデバイスとして利用するこ
とができる。According to the manufacturing method of periodically arranged microcrystals according to claim 2, the three-dimensional interference image of the coherent beam and the direct interaction between the amorphous thin film are used to make fine particles in the amorphous thin film. Crystals can be three-dimensionally arranged periodically, and a thin film having such microcrystals can be used as a next-generation device.
【図１】本発明の実施の形態で使用する周期配列した微
結晶の製造装置を示す説明図。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a manufacturing apparatus for periodically arranged microcrystals used in an embodiment of the present invention.
【図２】上記実施の形態で基板に対して上方から見て４
方向から光を照射する場合の光の照射方向を上方から示
す概略平面図。FIG. 2 is a plan view of the substrate when viewed from above in the embodiment 4;
FIG. 3 is a schematic plan view showing the irradiation direction of light when the light is irradiated from the direction.
【図３】上記４方向の光の垂直面内での傾斜角度を示す
概略側面図。FIG. 3 is a schematic side view showing tilt angles of light in the four directions in a vertical plane.
【図４】上記基板に対して３方向から光を照射する場合
の光の照射方向を示す概略平面図。FIG. 4 is a schematic plan view showing a light irradiation direction when light is applied to the substrate from three directions.
【図５】体心立方格子の周期構造を有する３次元干渉像
を形成するために基板に対して４方向から放射光を照射
する場合の光の照射方向を上方から示す概略平面図。FIG. 5 is a schematic plan view showing an irradiation direction of light from above when a substrate is irradiated with radiated light from four directions in order to form a three-dimensional interference image having a periodic structure of a body-centered cubic lattice.
【図６】図５の光の照射方向を水平方向から示す概略側
面図。6 is a schematic side view showing the light irradiation direction of FIG. 5 from the horizontal direction.
【図７】図６のVII −VII 線に沿う概略矢視図。7 is a schematic arrow view taken along the line VII-VII of FIG.
【図８】基板上に形成された非晶質薄膜上に２次元干渉
像を形成するために放射光を複数の方向から照射する様
子を示す概略側面図。FIG. 8 is a schematic side view showing a state in which radiated light is irradiated from a plurality of directions to form a two-dimensional interference image on an amorphous thin film formed on a substrate.
【図９】図８中（ａ）の非晶質薄膜中に形成された微結
晶の２次元的な周期構造を示す概略斜視図。9 is a schematic perspective view showing a two-dimensional periodic structure of microcrystals formed in the amorphous thin film of FIG. 8 (a).
【図１０】基板上に形成された非晶質薄膜上に３次元干
渉像を形成するために放射光を表面側及び裏面側の複数
の方向から照射する様子を示す概略側面図。FIG. 10 is a schematic side view showing a state in which radiated light is irradiated from a plurality of directions on a front surface side and a back surface side to form a three-dimensional interference image on an amorphous thin film formed on a substrate.
【図１１】図１０の非晶質薄膜中に形成された微結晶の
３次元的な周期構造を示す概略斜視図。11 is a schematic perspective view showing a three-dimensional periodic structure of microcrystals formed in the amorphous thin film of FIG.
１ コヒーレントビーム供給装置 ２ 基板交換室 ３ 反応室 ４ 放射光光源 ５ フィルター ６ 基板 ７ ゲートバルブ ８、９ 真空排気装置 １０ 基板ホルダー １１ 基板ヒーター １２乃至１４ ハーフミラー １５乃至２１ ミラー ２２、２４ 非晶質シリコン薄膜（非晶質薄膜） ２３、２５ 微結晶 1 Coherent beam supply device 2 board exchange room 3 reaction chamber 4 Synchrotron light source 5 filters 6 substrate 7 Gate valve 8, 9 Vacuum exhaust device 10 substrate holder 11 Substrate heater 12 to 14 half mirror 15 to 21 mirrors 22, 24 Amorphous silicon thin film (amorphous thin film) 23, 25 microcrystal
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−3089（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−18709（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−103975（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−212410（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−221027（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−315990（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−301695（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−204439（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−204440（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−345758（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−345773（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 B01J 19/12 H01L 21/20 ＣＡ（ＳＴＮ) ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP 62-3089 (JP, A) JP 62-18709 (JP, A) JP 1-103975 (JP, A) JP 4- 212410 (JP, A) JP 7-221027 (JP, A) JP 7-315990 (JP, A) JP 8-301695 (JP, A) JP 11-204439 (JP, A) JP-A-11-204440 (JP, A) JP-A-11-345758 (JP, A) JP-A-11-345773 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) C30B 1/00-35/00 B01J 19/12 H01L 21/20 CA (STN) JISC file (JOIS)
Claims (2)
ヒーレントな放射光、レーザー光またはコヒーレントな
電子ビームのいずれかを複数の方向から照射して上記非
晶質薄膜上に２次元干渉像を形成することにより、２次
元干渉像の存在する位置の非晶質材料を微結晶化するこ
とを特徴とする周期配列した微結晶の製造方法。1. A two-dimensional interference on an amorphous thin film formed on a surface of a substrate by irradiating the amorphous thin film with a coherent radiation beam, a laser beam, or a coherent electron beam from a plurality of directions. A method for producing periodically-arranged microcrystals, which comprises microcrystallizing an amorphous material at a position where a two-dimensional interference image exists by forming an image.
ヒーレントな放射光またはレーザー光を複数の方向から
照射して上記非晶質薄膜中に３次元干渉像を形成するこ
とにより、３次元干渉像の存在する位置の非晶質材料を
微結晶化することを特徴とする周期配列した微結晶の製
造方法。2. An amorphous thin film formed on the surface of a substrate is irradiated with coherent radiation light or laser light from a plurality of directions to form a three-dimensional interference image in the amorphous thin film. A method for producing periodically arranged microcrystals, which comprises microcrystallizing an amorphous material at a position where a three-dimensional interference image exists.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00923698A JP3383814B2 (en) | 1998-01-21 | 1998-01-21 | Method for producing periodically arranged microcrystals |
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