JP3382854B2 - 汚染成分含有ガスの処理方法 - Google Patents
汚染成分含有ガスの処理方法Info
- Publication number
- JP3382854B2 JP3382854B2 JP17486698A JP17486698A JP3382854B2 JP 3382854 B2 JP3382854 B2 JP 3382854B2 JP 17486698 A JP17486698 A JP 17486698A JP 17486698 A JP17486698 A JP 17486698A JP 3382854 B2 JP3382854 B2 JP 3382854B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pollutant
- gas
- ozone
- reaction layer
- adsorbent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Description
用により汚染成分を無害化する汚染成分含有ガスの処理
方法に関し、特に大量のガス中に含まれる微量の汚染成
分の無害化又は比較的高濃度の他の汚染成分と共存する
比較的低濃度の特定汚染成分の無害化に適した汚染成分
含有ガスの処理方法に関する。
成分を含有するガスの無害化処理方法の一つとしてオゾ
ンによる酸化分解処理方法がある。オゾンは自己分解性
を有することから、処理済のガス中に残存して人体に影
響を及ぼす危険性は少なく、クリーンな処理剤として今
後さらに利用分野が拡大していくものと予測される。オ
ゾンによる処理は、汚染成分含有ガス中にオゾン発生器
(オゾナイザー)からのオゾン含有ガスを注入すること
によって行うが、通常は処理対象ガス中の汚染成分の濃
度は非常に希薄なため、汚染成分の酸化分解に寄与する
前に分解するオゾンの割合も多く、無害化効率が低いと
いう問題がある。また、近年、各種環境汚染物質の中で
特に毒性の強いダイオキシンが大きな問題となってお
り、ごみ焼却炉の排ガスなどのダイオキシンを含有する
排ガスの処理方法の開発が望まれている。ダイオキシン
はオゾンによる酸化分解が可能であるが、通常ダイオキ
シンが含まれるごみ焼却炉の排ガスなどにはダイオキシ
ン以外に多量のVOC(有機揮発性物質)、SOx、N
Oxなどの有害成分が含まれており、それらの濃度はダ
イオキシンに対し10〜100倍にも達している。その
ため、これらのダイオキシン含有ガスにオゾンを注入し
てもVOCなどとの反応により消費されてしまい、ダイ
オキシンの酸化分解に寄与できない。
来技術における問題点を解決し、汚染成分含有ガス中に
含まれる汚染成分を効率よくオゾン処理することがで
き、また、他の多量の有害成分とともに含まれるダイオ
キシンなどの特定汚染成分を優先的に分解し、無害化す
ることができる汚染成分含有ガスの処理方法を提供する
ことを目的とする。
有ガスのオゾンによる処理方法について種々検討の結
果、処理対象ガス中の汚染成分とオゾンを共吸着する高
シリカ吸着剤を用い、予め汚染成分を吸着濃縮した吸着
剤表面にオゾンを供給し、前記汚染成分を酸化分解する
ことにより微量の汚染成分を確実に処理することがで
き、かつオゾンの処理効率を大幅に向上できること、さ
らにダイオキシンのようなある種の特定汚染成分につい
ては、他の多量の汚染成分と共存する場合であっても選
択的な吸着が可能で、吸着濃縮した状態でオゾンによる
酸化分解が可能となることを見出し、本発明を完成し
た。すなわち、本発明は次の(1)〜(3)の態様を含
むものである。 (1)汚染成分含有ガスの処理方法において、前記汚染
成分を吸着し、かつオゾンを吸着する高シリカペンタシ
ルゼオライト、脱アルミニウムフォージャサイト、メソ
ポーラスシリケート又はこれらのうちの2種以上の混合
物からなる高シリカ吸着剤を充填した反応層に、前記汚
染成分含有ガスを導入して前記汚染成分を前記吸着剤に
吸着させ、清浄化ガスを前記反応層から流出させ、前記
汚染成分含有ガスの導入を停止した後、前記汚染成分を
吸着した前記反応層にオゾン含有ガスを導入して前記吸
着剤表面で前記汚染成分を酸化分解することを特徴とす
る汚染成分含有ガスの処理方法。
理方法において、前記汚染成分のうち特定の汚染成分を
選択的に吸着し、かつオゾンを吸着する高シリカペンタ
シルゼオライト、脱アルミニウムフォージャサイト、メ
ソポーラスシリケート又はこれらのうちの2種以上の混
合物からなる高シリカ吸着剤を充填した反応層に、前記
ガスを導入して前記特定の汚染成分を前記吸着剤に選択
的に吸着させ、その他の汚染成分を含有するガスを前記
反応層から流出させてその他の汚染成分は別途無害化処
理し、前記汚染成分含有ガスの導入を停止した後、前記
特定の汚染成分を吸着した前記反応層にオゾン含有ガス
を導入して前記吸着剤表面で前記特定の汚染成分を酸化
分解することを特徴とする汚染成分含有ガスの処理方
法。
分がダイオキシンであることを特徴とする前記(1)又
は(2)の汚染成分含有ガスの処理方法。
対象の汚染成分とオゾンを共吸着する(汚染成分とオゾ
ンの両方を吸着する)ものであり、吸着剤表面で汚染成
分をオゾンにより酸化分解させるものである。このよう
な吸着剤として本発明では高シリカペンタシルゼオライ
ト(シリカライト又はSiO2 /Al2 O3 比が高いZ
SM−5)、脱アルミニウムフォージャサイト(超安定
Y型ゼオライト:USY)、メソポーラスシリケート
(MCM−41、FSM−16、テトラエトキシシラン
をシリカ源とする低温酸性合成メソポーラスシリケート
、又は低分子ケイ酸をシリカ源とする低温酸性合成メ
ソポーラスシリケートなど)又はこれらのうちの2種
以上の混合物からなる高シリカ吸着剤を使用する。
タシルゼオライトは、シリカ源としてケイ酸ナトリウム
やヒュームドシリカを使用し、有機テンプレートとして
テトラプロピルアンモニウムブロミドを使用して150
〜180℃程度で水熱合成を行って得られるSiO2 /
Al2 O3 比10〜1000程度のペンタシルゼオライ
トである。脱アルミニウムフォージャサイトは、SiO
2 /Al2 O3 比5程度のNa−Y型ゼオライトをアン
モニア水で処理することによりゼオライト骨格のAlの
大半を除去して得られたSiO2 /Al2 O3 比10〜
400の超安定Y型ゼオライト(USY)である。
オングストロームのメソ孔を有するシリカ系多孔質体で
あって、種々の製造方法があり、製造条件等によりSi
O2/Al2 O3 比10から実質的にSiO2 のみのも
のまで得られている。例えば、MCM−41はモービル
社により開発された温度140℃、pH13.5、シリ
カ源として水ガラス、ケイ酸ナトリウム、有機テンプレ
ートとしてカチオン系界面活性剤(炭素数8以上)を使
用して得られる比表面積1600m2 /g程度、SiO
2 /Al2 O3 比1000程度のシリカ系多孔質体であ
る。FMS−16は同じく黒田、稲垣等により開発され
たカネマイトにカチオン系界面活性剤をインターカレー
ションして得られたMCM−41と類似の構造のSiO
2 /Al 2 O3 比1000程度のシリカ系多孔質体であ
る。また、低温メソポーラスシリケートはstuck
y等により提唱された方法、すなわち、シリカ源として
テトラエトキシシラン(TEOS)を、有機テンプレー
トとしてカチオン系界面活性剤を使用して室温下にpH
1以下で合成するものであり、低温メソポーラスシリケ
ートは本発明等が開発した方法、すなわち、シリカ源
として縮重合したシリカを含まないケイ酸を、有機テン
プレートとしてカチオン系界面活性剤を使用して室温p
H1以下で合成するものである。これらの低温メソポー
ラスシリケートは製造条件等によりSiO2 /Al2 O
3 比10から実質的にSiO2 のみのものまで得ること
ができる。
れらの高シリカ吸着剤の中でもSiO2 /Al2 O3 比
70以上の高シリカペンタシルゼオライト、SiO2 /
Al 2 O3 比20以上の脱アルミニウムフォージャサイ
ト、SiO2 /Al2 O3 比20以上のメソポーラスシ
リケートが、ダイオキシン及びオゾンの吸着能が高く、
吸着したオゾンの分解率も低いので好ましい吸着剤であ
る。これらの中では高シリカペンタシルゼオライトはオ
ゾン吸着能は高いがオゾン分解率が若干高い傾向にあ
り、オゾン吸着能及び分解率を勘案するとSiO2 /A
l2 O3 比20以上のメソポーラスシリケートが最も良
好な性能を示し、次いでSiO2 /Al2O3 比20以
上の脱アルミニウムフォージャサイト、SiO2 /Al
2 O3 比70以上の高シリカペンタシルゼオライトの順
である。
て単独又は混合物の形で粒状、ペレット状、ラシヒリン
グ状、ハニカム状など任意の形状に成形して使用する。
また、吸着剤充填塔の被処理ガス入口側に高濃度オゾン
の吸着性能の高いメソポーラスシリケートを、処理済み
ガスの出口側に低濃度オゾンの吸着性能の高い脱アルミ
ニウムフォージャサイトを充填した2層構造の吸着剤層
としてオゾンの使用効率を高めることもできる。
は、先ず汚染成分含有ガスを前記高シリカ吸着剤を充填
した反応層に導入して汚染成分を吸着させる。反応層出
口ガス中の未吸着の汚染成分の濃度が許容値を超えた時
点で汚染成分含有ガスの導入を停止する。吸着工程から
酸化分解工程への切り換えは反応層の出口や反応層内に
配置したセンサーによる汚染成分濃度に基づいて決定す
ることもできるが、処理対象ガスの性状がわかってお
り、汚染成分濃度に大きな変動がない場合には、予め吸
着時間を設定しておき、所定時間毎に切り換えるように
するなど、任意の方法をとることができる。また、必要
により、前記反応層の後端部に未吸着領域を残した状態
で汚染成分含有ガスの導入を停止するようにすれば、後
の酸化分解工程も含めて全工程を通じて反応層出口ガス
への前記汚染成分の流出を完全に防止することができ
る。
した高シリカ吸着剤の反応層にオゾン含有ガスを導入す
る。オゾンによる汚染成分の酸化分解の反応速度は吸着
剤表面における汚染成分濃度〔D1〕とオゾン濃度〔O
3 〕の積、すなわち〔D1〕×〔O3 〕に比例すること
から、本発明では汚染成分とオゾンを共吸着する高シリ
カ吸着剤を用い、予め汚染成分を吸着濃縮した吸着剤表
面においてオゾンと反応させるため、高い反応速度を確
保でき、汚染成分を効率的に除去することができるとと
もに、オゾンを有効に使用することができる。吸着工程
の温度は15〜100℃の範囲、好ましくは25〜50
℃の範囲が適当である。
れる汚染成分を濃縮した状態でオゾン処理することがで
きるので、各種VOCなどを含む工場排ガスなどの処理
に有効である。
〜20モル、好ましくは3〜10モルの範囲が適当であ
る。オゾンはそれ自体公知の無声放電方式、紫外線ラン
プ方式、水電解方式などいずれの方式のものでも適用で
きる。酸化分解工程の温度は15〜100℃の範囲、好
ましくは25〜50℃の範囲が適当である。
ンの流出を完全に防ぐために、活性炭やアルミナ系化合
物などのオゾン分解剤充填層を反応層の出口側に設けて
もよい。
場合の基本操作は前記のとおりであるが、前記高シリカ
吸着剤を充填した反応層を2つ以上有する吸着反応器を
使用し、各反応層において前記汚染成分を前記吸着剤に
吸着させる吸着工程と、前記汚染成分が既に吸着されて
いる反応層にオゾン含有ガスを導入して前記吸着剤表面
で前記汚染成分を酸化分解する酸化分解工程とを順次繰
り返すようにする。このようにして複数の高シリカ吸着
剤反応層を交互に吸着工程及び酸化分解工程とすること
によって、汚染成分含有ガスを連続的に処理することが
できる。なお、通常の場合、吸着工程に比較して酸化分
解工程は短時間で済むので、酸化分解が終了し吸着工程
に移るまでの間はガスの導出入を止め待機状態とすれば
よい。また、3つ以上の反応層を有する吸着反応器の場
合には、吸着工程にある反応層の数を酸化分解工程にあ
る反応層よりも多くすることもできる。
汚染成分を含有するガスを前記高シリカ吸着剤の反応層
に導入して、前記複数の汚染成分中のダイオキシンなど
処理対象とする特定の汚染成分を選択吸着させる。反応
層出口ガス中の特定の汚染成分の濃度が許容値を超えた
時点で前記複数の汚染成分を含有するガスの導入を停止
する。吸着工程から酸化分解工程への切り換えは反応層
の出口や反応層内に配置したセンサーによる汚染成分濃
度に基づいて決定することもできるが、処理対象ガスの
性状がわかっており、汚染成分濃度に大きな変動がない
場合には、予め吸着時間を設定しておき、所定時間毎に
切り換えるようにするなど、任意の方法をとることがで
きる。また、必要により、前記反応層の後端部に前記特
定汚染成分の未吸着領域を残した状態でガスの導入を停
止するようにすれば、後の酸化分解工程も含めて全工程
を通じて反応層出口ガスへの前記特定汚染成分の流出を
完全に防止することができる。
を選択吸着した高シリカ吸着剤の反応層にオゾン含有ガ
スを導入する。前記のとおりオゾンも高シリカ吸着剤に
吸着されるので吸着剤相中における特定の汚染成分濃度
〔D2〕とオゾン濃度〔O3〕の積〔D2〕・〔O3 〕
は、処理対象の特定の汚染成分を含有するガスに直接オ
ゾンを注入した場合に比較して飛躍的に大きくなり、し
かも処理対象ガス中に含まれる他の汚染成分によってオ
ゾンが消費されることもないので、この酸化分解工程に
おいて前記特定の汚染成分は極めて効率よく酸化分解さ
れ、吸着剤は再生される。
を選択吸着して除去した後の他の汚染成分を含むガス
は、別工程において、通常行われている活性炭吸着法な
どの適当な方法により処理することによって無害化すれ
ばよい。比較的多量のVOCなどの他の汚染成分と比較
的少量のダイオキシンなどの特定の汚染成分を含むガス
を直接処理する場合、特定の汚染成分は除去されないで
排出される場合が多いが、本発明の方法は前記特定の汚
染成分は別途選択除去されているので、特定の汚染成分
が排出される恐れはない。
れ、しかも比較的多量の他の汚染成分と共存する比較的
少量の特定の汚染成分を、選択吸着により濃縮した状態
でオゾン処理することができ、特に少量だが有害性の強
い特定の汚染成分を含むガスの処理に好適である。この
場合、前記特定の汚染成分は他の汚染成分に比較して吸
着されやすいものであることが必要である。このような
処理を行うのに適した複数の汚染成分を含有するガスの
例として、ダイオキシンを含有するごみ焼却炉排ガスが
ある。
を充填した反応層を2つ以上有する吸着反応器を使用
し、各反応層において前記特定の汚染成分を前記吸着剤
に吸着させる吸着工程と、前記特定の汚染成分が既に吸
着されている反応層にオゾン含有ガスを導入して前記吸
着剤表面で前記特定の汚染成分を酸化分解する酸化分解
工程とを順次繰り返すようにし、複数の高シリカ吸着剤
反応層を交互に吸着工程及び酸化分解工程とすることに
よって、複数の汚染成分を含有するガス(特定の汚染成
分を含有するガス)を連続的に処理することができる。
特定の汚染成分を吸着した反応層にオゾン含有ガスを導
入する際の導入方向は特に制限はないが、前記汚染成分
又は特定の汚染成分やオゾンが反応層から流出すること
を極力防止するために、オゾン含有ガスを被処理ガスと
逆の方向から導入するのが好ましい。
に具体的に説明する。図1は本発明の方法による汚染成
分含有ガス又は複数の汚染成分を含有するガス(特定の
汚染成分を含有するガス)の処理プロセスの第1の実施
態様を示す説明図である。以下の説明において汚染成分
含有ガス又は複数の汚染成分を含有するガスを処理対象
ガス、汚染成分含有ガス中の汚染成分又は複数の汚染成
分を含有するガス中の特定の汚染成分を処理対象成分と
する。図1において吸着反応器1は高シリカ吸着剤を充
填した反応層2を有している。先ず吸着工程の際にはガ
ス導入管3(オゾン処理済みガス導出管5)のバルブ1
3を閉じバルブ10を開き、吸着処理済みガス導出管4
のバルブ12を開き、オゾン発生器6に接続する配管の
バルブ11を閉じた状態としておき、バルブ10を介し
て処理対象ガス7を導入する。処理対象ガス7が汚染成
分含有ガスの場合には汚染成分が吸着除去され、吸着処
理済みガス導出管4を経て排出される吸着処理済みガス
8中の汚染成分の含有量が許容値以下であるときにはそ
のまま大気に放出することができる。処理対象ガス7が
複数の汚染成分を含有するガスの場合には特定の汚染成
分が吸着除去され、吸着処理済みガス導出管4を経て排
出される吸着処理済みガス8中の特定の汚染成分の含有
量はが許容値以下であっても、他の汚染成分は除去され
ていないため、別途必要な処理を行ったのち大気中に放
出される。
理済みガス8中の処理対象成分の濃度が許容値を超えた
時点でバルブ10及びバルブ12を閉じて処理対象ガス
の導入を止め、バルブ11及びバルブ13を開いてオゾ
ン発生器6から反応層2内にオゾンを導入する。導入さ
れたオゾンは高シリカ吸着剤表面に吸着濃縮されている
処理対象成分を酸化分解する。通常の場合、バルブ13
を経て排出される排ガス中には処理対象成分及びオゾン
は含まれていないか、極めて低濃度であり、そのまま大
気中に放出することができる。なお、ここでは吸着工程
から酸化分解工程への切り換えを吸着処理済みガス中の
処理対象成分を分析することによって行うこととした
が、前記のとおり排ガス等の処理対象ガスの性状がわか
っており、処理対象物濃度に大きな変動がない場合に
は、予め時間を設定しておき、所定時間毎に切り換える
ようにするなど、任意の方法をとることができる。処理
対象成分の有害性が高い場合などには反応層の後端部に
未吸着の吸着剤領域を残した状態で工程切り換えを行え
ば安全である。なお、必要に応じてリークオゾンを分解
するオゾン分解剤層を反応層の後流側に設けてもよい。
処理プロセスの第2の実施態様を示す説明図である。こ
のプロセスにおいては2個の高シリカ吸着剤を充填した
反応層22a、22bを有する吸着反応器21を使用
し、一方の反応層を吸着工程、他方の反応層を酸化分解
工程とする。図2において反応層22aが吸着工程にあ
り、処理対象ガス27はガス導入管23のバルブ31を
通って反応層22aに導入され、処理対象成分を吸着除
去された後、処理対象成分の濃度が許容値以下の吸着処
理済みガス28として吸着処理済みガス導出管24から
バルブ33を経て系外へ排出され、必要により別途処理
を行った後、大気中に放出される。この間、バルブ3
2、34、35及び37は閉じられている。
理済みガス28中の処理対象成分の濃度が許容値を超え
た時点でバルブ31及び33を閉じ、バルブ32及び3
4を開いて処理対象ガス27を高シリカ吸着剤を充填し
た反応層22bに通すようにし、反応層22bを吸着工
程とする。一方、処理対象成分を吸着している反応層2
2aは酸化分解工程とし、バルブ35及びバルブ37を
開いてオゾン発生器26から反応層22a内にオゾンを
導入する。この間、バルブ36及びバルブ38は閉じら
れている。反応層22a内に導入されたオゾンは高シリ
カ吸着剤表面に吸着濃縮されている処理対象成分を酸化
分解する。通常の場合、バルブ37を経てオゾン処理済
みガス導出管25から排出される分解後のオゾン処理済
みガス29中には処理対象成分及びオゾンは含まれてい
ないか、極めて低濃度であり、そのまま大気中に放出す
ることができる。なお、必要に応じてリークオゾンを分
解するオゾン分解剤層を反応層の後流側に設けてもよ
い。
填した反応層22a、22bを交互に吸着工程及び酸化
分解工程とすることによって、処理対象ガスを連続的に
処理することができる。なお、通常の場合、吸着工程に
比較して酸化分解工程は短時間で済むので、酸化分解が
終了し吸着工程に移るまでの間はバルブを閉じて待機状
態とすればよい。
処理プロセスの第3の実施態様を示す説明図である。図
3において円筒形の吸着反応器41は複数に区分された
高シリカ吸着剤を充填した反応層が軸を中心にして円盤
状に配置された形式のもので、吸着ゾーン42及び酸化
分解ゾーン43とに区分されており、全体が中心軸回り
に回転することにより各反応層が順次、吸着工程及び酸
化分解工程を繰り返すようになっている。ガス導入管4
4から吸着ゾーンにある反応層に導入された処理対象ガ
ス45は処理対象成分を吸着除去され、吸着処理済みガ
ス導出管46から処理対象成分の濃度が許容値以下の吸
着処理済みガス47として系外へ排出され、必要により
別途処理を行った後、大気中に放出される。
着した反応層は吸着反応器41の回転により酸化分解ゾ
ーン43に移行し、オゾン発生器48からオゾン含有ガ
スを導入される。導入されたオゾンは高シリカ吸着剤表
面に吸着濃縮されている処理対象成分を酸化分解する。
通常の場合、オゾン処理済みガス導出管49を経て排出
されるオゾン処理済みガス50中には処理対象成分及び
オゾンは含まれていないか、極めて低濃度なので、その
まま大気中に放出することができる。なお、必要に応じ
てリークオゾンを分解するオゾン分解剤層を反応層の後
流側に設けてもよい。また、図には吸着反応器41を2
等分して吸着ゾーン42及び酸化分解ゾーン43とする
例を示したが、両方のゾーンの割合は吸着工程と酸化分
解工程の所要時間等に応じて適宜設定すればよい。さら
に、必要により吸着工程と酸化分解工程との境界を明確
にするため、ガスの導入導出を行わない中間ゾーンを設
けてもよい。
る。 (実施例1)印刷工場の排気ガスを模擬してイソプロピ
ルアルコール(IPA)を100ppm含有する空気を
用い、図1の装置で無害化処理を行った。直径70c
m、高さ150cmの円筒形の反応層に、メソポーラス
シリケート(SiO2 /Al2O3 =1000)、脱ア
ルミニウムフォージャサイト(SiO2 /Al2 O3 =
70)、高シリカぺンタシルゼオライト(SiO2 /A
l2 O3 =40)、及び市販のシリカゲル(比較例)を
それぞれ2m3 充填し、吸着温度を25℃に設定し、前
記模擬ガスを空塔速度2m/secで供給し、反応層の
出口側にIPA濃度センサーを付設して常時測定した。
IPA濃度センサーが1ppmの値(許容値)を示した
時点で前記模擬ガスの供給を停止し、吸着処理工程を終
了した。吸着処理可能時間はメソポーラスシリケートが
約2時間、脱アルミニウムフォージャサイトが約1.5
時間、高シリカぺンタシルゼオライトが約1.2時間、
及びシリカゲルが約0.5時間であった。その後、弁を
切り換えて吸着工程から酸化分解工程に移し、反応層を
酸化分解温度である25℃に保持し、水電解オゾン発生
装置でO3 :20%、O2 :76%、H2 O:4%から
なるオゾン含有ガスを発生させ、模擬ガスと逆の供給方
向で空塔速度0.01m/secで供給してIPAの酸
化分解を行った。その際の反応層の出口におけるIPA
濃度及びO3 濃度を測定し、時系列的な変化を調べた。
前記の吸着処理時間から、IPAの吸着量はメソポーラ
スシリケート>脱アルミニウムフォージャサイト>高シ
リカぺンタシルゼオライト>シリカゲルの順で小さくな
り、また、メソポーラスシリケートと脱アルミニウムフ
ォージャサイトと高シリカぺンタシルゼオライトでは、
酸化分解処理を開始してから約1時間後に反応層からの
O3 のリークが始まるので、この間に吸着したIPAは
O3 により分解されたものと推定された。しかし、シリ
カゲルでは、酸化分解処理を開始してから約0.2時間
でO3 がリークした。
を使用して汚染成分含有ガスから汚染成分を吸着濃縮
し、吸着剤表面でオゾンと反応させるので効率よく汚染
成分を分解除去することができ、オゾンの利用効率も従
来のオゾン処理に比較して飛躍的に向上する。また、比
較的多量の他の汚染成分と共存する比較的含有量の少な
い特定汚染成分を含む複数の汚染成分を含有するガスか
ら、特定汚染成分を吸着濃縮し、吸着剤相中でオゾンと
反応させることにより、前記濃縮効果に加えて、他の汚
染成分によるオゾンの分解も防ぐことができ、特定汚染
成分の重点的な除去が可能である。例えば、ごみ焼却炉
排ガスのようなダイオキシン以外に多量の有害成分を含
むダイオキシン含有ガスからダイオキシンのみを選択吸
着し、ダイオキシンを吸着した吸着剤充填層にオゾンを
導入して共吸着させることにより、オゾンの利用率を飛
躍的に向上させることができ、効率的なダイオキシン含
有ガスの処理が可能となる。すなわち、従来、ダイオキ
シン含有ガスへの適用が困難であったオゾン処理を利用
して極めて効率的、かつ安全なダイオキシン含有ガスの
処理プロセスの構築を可能とした。更に、本発明の方法
によれば大量の処理対象ガス中に直接オゾンを導入する
場合に比較してオゾン関連設備をコンパクトにすること
ができる。
セスの第1の実施態様を示す説明図。
セスの第2の実施態様を示す説明図。
セスの第3の実施態様を示す説明図。
Claims (3)
- 【請求項1】 汚染成分含有ガスの処理方法において、
前記汚染成分を吸着し、かつオゾンを吸着する高シリカ
ペンタシルゼオライト、脱アルミニウムフォージャサイ
ト、メソポーラスシリケート又はこれらのうちの2種以
上の混合物からなる高シリカ吸着剤を充填した反応層
に、前記汚染成分含有ガスを導入して前記汚染成分を前
記吸着剤に吸着させ、清浄化ガスを前記反応層から流出
させ、前記汚染成分含有ガスの導入を停止した後、前記
汚染成分を吸着した前記反応層にオゾン含有ガスを導入
して前記吸着剤表面で前記汚染成分を酸化分解すること
を特徴とする汚染成分含有ガスの処理方法。 - 【請求項2】 複数の汚染成分を含有するガスの処理方
法において、前記汚染成分のうち特定の汚染成分を選択
的に吸着し、かつオゾンを吸着する高シリカペンタシル
ゼオライト、脱アルミニウムフォージャサイト、メソポ
ーラスシリケート又はこれらのうちの2種以上の混合物
からなる高シリカ吸着剤を充填した反応層に、前記ガス
を導入して前記特定の汚染成分を前記吸着剤に選択的に
吸着させ、その他の汚染成分を含有するガスを前記反応
層から流出させてその他の汚染成分は別途無害化処理
し、前記汚染成分含有ガスの導入を停止した後、前記特
定の汚染成分を吸着した前記反応層にオゾン含有ガスを
導入して前記吸着剤表面で前記特定の汚染成分を酸化分
解することを特徴とする汚染成分含有ガスの処理方法。 - 【請求項3】 前記汚染成分又は前記特定の汚染成分が
ダイオキシンであることを特徴とする請求項1又は2に
記載の汚染成分含有ガスの処理方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17486698A JP3382854B2 (ja) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | 汚染成分含有ガスの処理方法 |
KR1019990023259A KR100358624B1 (ko) | 1998-06-22 | 1999-06-21 | 오염 물질을 함유하는 오염 유체의 처리 방법 |
CA002276114A CA2276114C (en) | 1998-06-22 | 1999-06-21 | Method for processing polluted fluid containing pollutants |
US09/338,325 US6503469B2 (en) | 1998-06-22 | 1999-06-22 | Method for processing polluted fluid containing pollutants |
DE69930443T DE69930443T2 (de) | 1998-06-22 | 1999-06-22 | Verfahren zur Behandlung von verunreinigtem Fluid |
AT99112034T ATE320842T1 (de) | 1998-06-22 | 1999-06-22 | Verfahren zur behandlung von verunreinigtem fluid |
AU35775/99A AU716634B2 (en) | 1998-06-22 | 1999-06-22 | Method for processing polluted fluid containing pollutants |
EP99112034A EP0967002B1 (en) | 1998-06-22 | 1999-06-22 | Method for processing polluted fluid |
NO993086A NO993086L (no) | 1998-06-22 | 1999-06-22 | Fremgangsmåte for prosessering av forurenset fluid |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17486698A JP3382854B2 (ja) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | 汚染成分含有ガスの処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000005563A JP2000005563A (ja) | 2000-01-11 |
JP3382854B2 true JP3382854B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=15986035
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17486698A Expired - Fee Related JP3382854B2 (ja) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | 汚染成分含有ガスの処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3382854B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180043824A (ko) | 2015-09-30 | 2018-04-30 | 후타무라 가가쿠 가부시키가이샤 | 가스 중의 voc 및/또는 기상 무기 환원성 화합물의 오존 산화 분해 처리 방법 |
US10493423B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-12-03 | Futamura Kagaku Kabushiki Kaisha | Purification treatment method of liquid containing harmful substance, and purification treatment device of liquid containing harmful substance for carrying out said method |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103990351B (zh) * | 2014-05-31 | 2016-05-25 | 蔡博 | 一种挥发性有机废气的净化回收装置 |
-
1998
- 1998-06-22 JP JP17486698A patent/JP3382854B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180043824A (ko) | 2015-09-30 | 2018-04-30 | 후타무라 가가쿠 가부시키가이샤 | 가스 중의 voc 및/또는 기상 무기 환원성 화합물의 오존 산화 분해 처리 방법 |
US10493423B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-12-03 | Futamura Kagaku Kabushiki Kaisha | Purification treatment method of liquid containing harmful substance, and purification treatment device of liquid containing harmful substance for carrying out said method |
US10549235B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-02-04 | Futamura Kagaku Kabushiki Kaisha | Ozone oxidation decomposition treatment method for VOCs and/or gaseous inorganic reducing compounds in gas |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000005563A (ja) | 2000-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100470747B1 (ko) | 오염된 공기의 악취와 휘발성 유기물질 처리방법 및 장치 | |
CN101391177B (zh) | 低浓度有机化合物的气体净化方法 | |
EP1852172A1 (en) | Removal of contaminants with ozone | |
KR100358624B1 (ko) | 오염 물질을 함유하는 오염 유체의 처리 방법 | |
KR101700269B1 (ko) | 오존 발생 및 오존 제거가 가능한 플라즈마 촉매 흡착 정화 장치 및 이를 이용한 정화 방법 | |
CN101322916B (zh) | 含硫化合物气体净化滤材装置与方法 | |
JP3382854B2 (ja) | 汚染成分含有ガスの処理方法 | |
JP2009297629A (ja) | 有害成分含有液の処理方法及び装置 | |
JPS6348574B2 (ja) | ||
JP3382857B2 (ja) | 有害物質含有ガスの処理方法及び装置 | |
KR100331210B1 (ko) | 유해 물질을 함유하는 오염 기체의 처리방법 및 처리장치 | |
JPS61200837A (ja) | 排ガス処理方法 | |
JP3553336B2 (ja) | 排ガスの脱硝処理方法及び装置 | |
JP3611278B2 (ja) | 汚染成分含有水の処理方法 | |
JP2653300B2 (ja) | 脱臭装置 | |
JP4512994B2 (ja) | 水処理システム | |
JP2009082785A (ja) | 有害物質含有ガスの処理方法及び装置 | |
JP2008253613A (ja) | ポリ塩化ビフェニル又はダイオキシン類を処理する作業エリアの雰囲気浄化方法及び浄化システム | |
KR200359604Y1 (ko) | 촉매산화 흡착탑 | |
JP2001113125A (ja) | 排ガス処理装置及び処理方法 | |
JP2003053132A (ja) | 排ガス処理剤及びこれを利用する排ガス処理設備 | |
JP2002035542A (ja) | 廃棄ガス中に含まれる希薄なガス状炭化水素の処理方法及び該方法を実施するための装置 | |
JP2023124395A (ja) | 臭気ガスの非循環式脱臭方法及びその非循環式脱臭装置 | |
KR19990040660A (ko) | 흡착과 플라즈마를 이용한 휘발성 유기화합물제거장치 및 제거 방법 | |
CN110302667A (zh) | 一种去除VOCs的高效可再生吸附光催化反应模块及其工作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021119 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071220 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081220 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101220 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101220 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111220 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111220 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121220 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131220 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |