JP3380343B2 - 減圧型気相成長装置及びそれを用いた気相成長方法 - Google Patents
減圧型気相成長装置及びそれを用いた気相成長方法Info
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Description
り、特に減圧型気相成長装置(以下、LPCVD装置と
する)の構造及びそれを用いたLPCVD膜成長方法に
関するものである。
に示すような断面構造を有している。
ーチューブ4が位置し、プロセスチューブ1の外側には
昇温用のヒータコア2が設けられている。
l2 )供給用のインジェクタ6と、原料ガス(例えば、
NH3 )供給用のインジェクタ7からなるガスインジェ
クタ8及びシリコンウエハ3を支持するための石英断熱
筒5がインナーチューブ4内に位置する構造になってい
る。この他に、インナーチューブ4及びプロセスチュー
ブ1を減圧にするための排気口10が設けられている。
た従来のLPCVD装置では、インナーチューブ4内に
チャージされたシリコンウエハ3の上部部分(トップ)
と下部部分(ボトム)で膜質(例えば膜厚、多結晶シリ
コンならば結晶粒径等)が相違することになり、均一な
膜質を有する成長膜を得ることができない。
トップからボトムまでの温度分布と原料ガス分圧であ
り、特に、図5に示すような粗面状の多結晶シリコン膜
を形成する場合には、インナーチューブ4内の原料ガス
濃度が大きく影響する。なお、図5において、21はシ
リコン基板、22はそのシリコン基板21上に形成され
た酸化膜、23はその酸化膜22上に形成された平坦状
多結晶シリコン膜である。
は、ガスインジェクタ近くが濃度が高く、その反対方向
は低い濃度になることは避けられない。
質が良好でしかも膜厚が均一なCVD膜を生成すること
ができる減圧型気相成長装置及びそれを用いた気相成長
方法を提供することを目的とする。
成するために、 (1)上部が開口するインナーチューブ内に半導体ウエ
ハをセットし、その半導体ウエハ上に膜を形成する減圧
型気相成長装置において、前記インナーチューブ外に連
通する第1の排気口と、前記インナーチューブの下部に
配置されるとともに、このインナーチューブ内の下部に
連通する第2の排気口と、前記インナーチューブ内の下
部に配置されるとともに、前記第1の排気口の位置に対
して、前記半導体ウエハを挟んで左右方向に逆の位置に
配置される第1のガスインジェクタと、前記インナーチ
ューブ内の上部に配置されるとともに、前記第2の排気
口の位置に対して、前記半導体ウエハを挟んで左右方向
に逆の位置に配置される第2のガスインジェクタとを設
けるようにしたものである。
に半導体ウエハをセットし、その半導体ウエハ上に膜を
形成する減圧型気相成長装置を用いた気相成長方法にお
いて、(a)前記インナーチューブ外に連通する第1の
排気口と、前記インナーチューブの下部に配置されると
ともに、このインナーチューブ内の下部に連通する第2
の排気口と、前記インナーチューブ内の下部に配置され
るとともに、前記第1の排気口の位置に対して、前記半
導体ウエハを挟んで左右方向に逆の位置に配置される第
1のガスインジェクタと、前記インナーチューブ内の上
部に配置されるとともに、前記第2の排気口の位置に対
して、前記半導体ウエハを挟んで左右方向に逆の位置に
配置される第2のガスインジェクタとを備え、(b)前
記第1の排気口を開いて第1のガスインジェクタからガ
スを供給する工程と、(c)前記第2の排気口を開いて
第2のガスインジェクタからガスを供給する工程とを施
すようにしたものである。
いて、前記(b)工程及び(c)工程を数回繰り返して
膜の形成を行うようにしたものである。
に半導体ウエハをセットし、その半導体ウエハ上に膜を
形成する減圧型気相成長装置を用いた気相成長方法にお
いて、(a)前記インナチューブ外に連通する第1の排
気口と、前記インナチューブの下部に配置されるととも
に、このインナチューブ内の下部に連通する第2の排気
口と、前記インナチューブ内の下部に配置されるととも
に、前記第1の排気口の位置に対して、前記半導体ウエ
ハを挟んで左右方向に逆の位置に配置される第1のガス
インジェクタと、前記インナチューブ内の上部に配置さ
れるとともに、前記第2の排気口の位置に対して、前記
半導体ウエハを挟んで左右方向に逆の位置に配置される
第2のガスインジェクタとを備え、(b)前記第1の排
気口を開いて第1のガスインジェクタから第1のガスを
供給する工程と、(c)前記第2の排気口を開いて第2
のガスインジェクタから第2のガスを供給する工程と、
(d)上記工程を繰り返し、異種の連続積層膜を形成す
る工程とを施すようにしたものである。
で、 (1)上記したように、従来のLPCVD装置に、第2
の排気口及び第2のガスインジェクタを付加するように
したので、原料ガスの流れをLPCVD装置の下部から
上部への第1の流れと、上部から下部への第2の流れの
両方向に流すことが可能になり、ガスの方向性を数回変
更させることで、インナーチューブ内の原料ガス分布を
平均的に見ると均一にすることができる。
スインジェクタで形成された膜が互いに補完しあって、
トータルとしては均一な目標膜厚を得ることができる。
広がることから、処理可能ウエハ枚数を増加させること
ができる。
め、2層間にこれまでの成長方法では必ず発生してい
た、自然酸化膜をなくし、コンタミネーションの発
生を無くし、パーティクルの発生の低減もしくはパー
ティクルレスにすることができる。
工程の削減を図ることができる。
明する。
D装置の断面図である。
1の排気口110と第2の排気口111がLPCVD装
置の下部に設けられている。その第1の排気口110は
インナーチューブ104外に連通されており、第2の排
気口111はインナーチューブ104内に連通してお
り、互いに分離されている。
ると、第1のガスインジェクタ106は、原料ガス(例
えば、SiH2 Cl2 )供給用のインジェクタ106a
と原料ガス(例えば、NH3 )供給用のインジェクタ1
06bとを有し、従来と同様にLPCVD装置の下部の
インナーチューブ104内に取り付けられているが、第
2のガスインジェクタ107はインナーチューブ104
内の上部までに延びた導入管によって構成されている。
ここでも、第2のガスインジェクタ107は、原料ガス
(例えば、SiH2 Cl2 )供給用のインジェクタ10
7aと原料ガス(例えば、NH3 )供給用のインジェク
タ107bとを有している。
スインジェクタには、各々チューブ内と真空系及びガス
配管内との開閉をするためのゲートバルブ及びストップ
バルブを有している。上記以外の構成については、現行
のLPCVD装置と同様であり、プロセスチューブ10
1、ヒータコア102、半導体ウエハ103、石英断熱
筒105を有している。
VD膜を生成する際の動作・方法について述べる。
VD膜を生成する概略工程を示す図である。
の石英ボードに半導体ウエハ103を装填し、インナー
チューブ104のほぼ中央にロードインさせる。
引く。この時、第1の排気口110、第2の排気口11
1のゲートバルブは開いた状態である。また、第1のガ
スインジェクタ106及び第2のガスインジェクタ10
7のストップバルブは閉じた状態である。
は、通常、多結晶シリコンの場合は、500℃〜700
℃の範囲内で所定値に設定される。
口111のゲートバルブを閉じ、第1のガスインジェク
タ106のストップバルブを開き、インナーチューブ1
04内の圧力を、通常、多結晶シリコンの場合には、
0.1〜0.3torrの範囲内で所定値に設定する。
この状態で、例えば5分間維持し、その後、第1のガス
インジェクタ106のSiH4 ガス流量を絞りながら、
第2のガスインジェクタ107のストップバルブを開
き、徐々にガス流量を増加させると同時に、第2の排気
口111のゲートバルブを開き、第1の排気口110の
ゲートバルブを閉じる。この状態でのインナーチューブ
104内の圧力は、上記圧力と同じになるように前述の
方法によってコントロールされている。この状態で5分
間保持する。5分後には前述の動作方法と同じように、
排気口及びガスインジェクタの切り換えを行う。
とする膜厚が3000Åの場合は、上記の切り換え設定
は10回となる。
第2の排気口111及び第2のガスインジェクタ107
を付加するようにしたので、原料ガスの流れを下部から
上部へと、上部から下部への両方向に作ることが可能に
なり、ガスの方向性を数回変更させることで、インナー
チューブ内の原料ガスの分布を平均的に見ると、均一に
させることが可能となる。
へ向けて排気した時の圧力分布例を示す。図3におい
て、縦軸はLPCVD装置の高さを、横軸は圧力(to
rr)を示し、設定圧力は0.3torr、N2 400
SCCMであり、●は第1回目の生成時の特性A、○は
第2回目の生成時の特性Bを示している。
分布(実測値)を示しており、、特性Bは特性Aの逆パ
ターンを描いたものであるが、第2回目の生成時の圧力
分布に近似できると考えられる。このサイクルを数回く
り返すことで、平均的には図3でみると、インナーチュ
ーブ内の圧力分布は、限りなく0.25torrに近づ
くと考えられる。これにより、原料ガス分布がインナー
チューブ内で均一になるため、インナーチューブの広い
領域にわたって品質レベルの分布が均一な膜が得られ
る。
を生成する場合には、SiH4 ガス分圧が大きく、粗面
密度や粗面粒径等に影響するため、本発明によるLPC
VD装置とその成長方法を用いることで、品質の高い粗
面状多結晶シリコン膜を得ることができる。
る。
D装置の断面図である。
空引きのための第1の排気口210は第1の実施例と同
じ構造であるが、第2の排気口211は第1の排気口2
10と石英断熱筒205を中心にして対称な位置に設け
られている。また、第2の排気口211に対面した部位
にはインナーチューブ204の一部が存在しない構造で
ある。つまり、第2の排気口211はインナーチューブ
204内に連通するようになっている。なお、201は
プロセスチューブ、202はヒータコア、203は半導
体ウエハ、206は第1のガスインジェクタ、207は
第2のガスインジェクタである。
で、説明は省略する。
は、石英断熱筒105の下方に第2の排気口111が設
けられているため、インナーチューブ104の中に石英
ボードに装填された半導体ウエハ103を挿入する際、
第2の排気口111を脱着できるような工夫が必要であ
ったが、この第2実施例では、図6に示すように、第2
の排気口211が石英断熱筒205に対して、横サイド
に位置しているために、石英ボードの出し入れの際の第
2の排気口211の脱着は不必要である。
業が不要なため、処理時間の短縮が可能となる。また、
第2の排気口211の脱着システムが不要のため、製作
コストを低く抑えることができる。更に、第2の排気口
211の脱着が適正でない場合の、真空リークによる生
成膜の品質低下も発生することがない。
リコン膜の生成に適用した例を説明したが、ガスインジ
ェクタを増加させれば、ドープド多結晶シリコン膜生成
装置、窒化膜生成装置としても応用できる。
としても使用可能である。例えば、第1のガスインジェ
クタからSiH4 ガスを導入して、先ず、多結晶シリコ
ン膜を形成し、次に、第2のガスインジェクタからSi
H2 Cl2 ガスとNH3 ガスを導入することにより、多
結晶シリコン上に連続的に窒化膜を形成することも可能
となる。
の生成について更に詳細に説明する。
1内にあるインナーチューブ304の中を、まずCVD
膜生成用の原料ガスは、第1のガスインジェクタ306
から第1の排気口310に向けて、第1のガスの流れ3
21を発生させ、所定時間保持し、この後、第1のガス
インジェクタ306及び第1の排気口310を閉じ、次
に、第2のガスインジェクタ307から第2の排気口3
11に向けて、第2のガスの流れ322を発生させ、所
定時間保持する。
のガスインジェクタ306から第1の排気口310に向
けて、第1の排気口310での圧力が、例えば、0.5
torr以上になる様な第1のガスの流れ321を作
り、例えば5分間保持し、次に、第1の排気口310及
び第1のガスインジェクタ306を閉じた後、第2のガ
スインジェクタ307から第2の排気口311に向け
て、第2の排気口311での圧力が、例えば0.4to
rr以下の圧力になる様に第2のガスの流れ322を発
生させ、例えば15分間保持する。
膜厚、膜中の組成等)をインナーチューブのトップから
ボトムまでの間でバラツキを抑えることができる。この
理由はチューブ内の原料ガス分圧が上記膜質に大きく影
響しており、従来方法では、ボトムからトップにかけ
て、分圧の匂配があったが、本発明によれば、図8に示
すように、第1のガスインジェクタ306と第2のガス
インジェクタ307で形成された膜が互いに補完しあっ
て、トータルとしては目標膜厚を均一にすることができ
る。
ガスの分圧帯域が広がることから、処理可能ウエハ枚数
を増加させることができる。例えば、8インチウエハで
は100枚/1バッチを、150枚/1バッチにするこ
とも可能である。
SiH4 にした場合、図9(b)に示すように、半導体
基板501上に酸化膜502が形成され、その酸化膜5
02上に形成された多結晶シリコン膜503上に、連続
的に粗面状の多結晶シリコン504を形成することがで
きる。
導体基板401上に酸化膜402が形成され、その酸化
膜402上に形成された多結晶シリコン膜403上に、
自然酸化膜404が形成され、その上に粗面状の多結晶
シリコン405を形成することになっていたが、上記し
たように、本発明のCVD膜の形成方法では粗面形状に
悪影響を与える層間の自然酸化膜404を無くすことが
できる。更に、コンタミネーションの発生をなくし、パ
ーティクルの発生の低減もしくはパーティクルレスにす
ることができる。
分けて成長させていた工程を1回の成長で済ますことが
でき、工程を削減することができる。
のではなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能で
あり、それらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
よれば、以下のような効果を奏することができる。
気口及び第2のガスインジェクタを付加するようにした
ので、原料ガスの流れをLPCVD装置の下部から上部
への第1の流れと、上部から下部への第2の流れの両方
向に流すことが可能になり、ガスの方向性を数回変更さ
せることで、インナーチューブ内の原料ガス分布を平均
的に見ると均一にすることができる。
スインジェクタで形成された膜が互いに補完しあって、
トータルとしては均一な目標膜厚を得ることができる。
広がることから、処理可能ウエハ枚数を増加させること
ができる。
め、2層間にこれまでの成長方法では必ず発生してい
た、自然酸化膜、コンタミネーションの発生を無く
し、パーティクルの発生の低減もしくはパーティクル
レスにすることができる。
工程の削減を図ることができる。
面図である。
成する概略工程を示す図である。
向けて排気した時の圧力分布例を示す図である。
リコン膜の形成状態を示す断面図である。
面図である。
成の説明図である。
の位置に対するCVD膜の膜厚を示す図である。
D膜の生成状態を示す断面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 上部が開口するインナーチューブ内に半
導体ウエハをセットし、該半導体ウエハ上に膜を形成す
る減圧型気相成長装置において、 (a)前記インナーチューブ外に連通する第1の排気口
と、 (b)前記インナーチューブの下部に配置されるととも
に、該インナーチューブ内の下部に連通する第2の排気
口と、 (c)前記インナーチューブ内の下部に配置されるとと
もに、前記第1の排気口の位置に対して、前記半導体ウ
エハを挟んで左右方向に逆の位置に配置される第1のガ
スインジェクタと、 (d)前記インナーチューブ内の上部に配置されるとと
もに、前記第2の排気口の位置に対して、前記半導体ウ
エハを挟んで左右方向に逆の位置に配置される第2のガ
スインジェクタとを具備することを特徴とする減圧型気
相成長装置。 - 【請求項2】 上部が開口するインナーチューブ内に半
導体ウエハをセットし、該半導体ウエハ上に膜を形成す
る減圧型気相成長装置を用いた気相成長方法において、 (a)前記インナーチューブ外に連通する第1の排気口
と、前記インナーチューブの下部に配置されるととも
に、該インナーチューブ内の下部に連通する第2の排気
口と、前記インナーチューブ内の下部に配置されるとと
もに、前記第1の排気口の位置に対して、前記半導体ウ
エハを挟んで左右方向に逆の位置に配置される第1のガ
スインジェクタと、前記インナーチューブ内の上部に配
置されるとともに、前記第2の排気口の位置に対して、
前記半導体ウエハを挟んで左右方向に逆の位置に配置さ
れる第2のガスインジェクタとを備え、 (b)前記第1の排気口を開いて第1のガスインジェク
タからガスを供給する工程と、 (c)前記第2の排気口を開いて第2のガスインジェク
タからガスを供給する工程とを施すことを特徴とする気
相成長方法。 - 【請求項3】 請求項2記載の気相成長方法において、
前記(b)工程及び(c)工程を数回繰り返して膜の形
成を行うことを特徴とする気相成長方法。 - 【請求項4】 上部が開口するインナーチューブ内に半
導体ウエハをセットし、その半導体ウエハ上に膜を形成
する減圧型気相成長装置を用いた気相成長方法におい
て、 (a)前記インナーチューブ外に連通する第1の排気口
と、前記インナーチューブの下部に配置されるととも
に、該インナーチューブ内の下部に連通する第2の排気
口と、前記インナーチューブ内の下部に配置されるとと
もに、前記第1の排気口の位置に対して、前記半導体ウ
エハを挟んで左右方向に逆の位置に配置される第1のガ
スインジェクタと、前記インナーチューブ内の上部に配
置されるとともに、前記第2の排気口の位置に対して、
前記半導体ウエハを挟んで左右方向に逆の位置に配置さ
れる第2のガスインジェクタとを備え、 (b)前記第1の排気口を開いて第1のガスインジェク
タから第1のガスを供給する工程と、 (c)前記第2の排気口を開いて第2のガスインジェク
タから第2のガスを供給する工程と、 (d)上記工程を繰り返し、異種の連続積層膜を形成す
る工程とを施すことを特徴とする気相成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27411594A JP3380343B2 (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 減圧型気相成長装置及びそれを用いた気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27411594A JP3380343B2 (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 減圧型気相成長装置及びそれを用いた気相成長方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH08139029A JPH08139029A (ja) | 1996-05-31 |
JP3380343B2 true JP3380343B2 (ja) | 2003-02-24 |
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ID=17537229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP27411594A Expired - Fee Related JP3380343B2 (ja) | 1994-11-09 | 1994-11-09 | 減圧型気相成長装置及びそれを用いた気相成長方法 |
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JP5195227B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及びこの使用方法 |
WO2017037937A1 (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 株式会社日立国際電気 | 反応管、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-11-09 JP JP27411594A patent/JP3380343B2/ja not_active Expired - Fee Related
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