JP3374279B2 - Multilayer chip component and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明に属する技術分野】本発明は、半田付け性，耐食
性及び耐熱性を良好なものに改良した外部電極を備える
積層チップ部品及びその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminated chip part having external electrodes having improved solderability, corrosion resistance and heat resistance, and a method for manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】積層セラミックコンデンサを積層チップ
部品として例示すると、図２５で示すように内部電極１
を設けたセラミックシート２を内部電極１と交互に複数
積層させて焼成することによりコンデンサチップ素子を
得、そのチップ素子の両端部には外部電極３，４を設け
ることから積層チップ部品として構成されている。2. Description of the Related Art When a laminated ceramic capacitor is exemplified as a laminated chip component, as shown in FIG.
A plurality of ceramic sheets 2 provided with are laminated alternately with the internal electrodes 1 and fired to obtain a capacitor chip element, and external electrodes 3 and 4 are provided at both ends of the chip element to constitute a laminated chip component. ing.

【０００３】従来、その積層チップ部品の外部電極は、
図２６で示すように内部電極１と電気的に導通する銅ま
たは銀または銀―パラジウム合金による１層目の下地層
３０と、下地層３０の半田食われを防ぐ２層目のニッケ
ルによるメッキ被膜３１と、ニッケルによるメッキ被膜
３１の半田付け性を改良する銀―銅合金または錫または
錫―パラジウム合金による最外層のメッキ被膜３２との
積層膜から形成されている（特開平６−１７６９５３
号）。Conventionally, the external electrodes of the laminated chip parts are
As shown in FIG. 26, a first underlayer 30 made of copper or silver or a silver-palladium alloy that is electrically conductive with the internal electrode 1, and a second nickel plated coating 31 for preventing solder erosion of the underlayer 30. , A silver-copper alloy or a tin or tin-palladium alloy for improving the solderability of the plated coating 31 made of nickel, and a plated film 32 of the outermost layer (Japanese Patent Laid-Open No. 6-176953).
issue).

【０００４】その積層チップ部品は、外部電極３を半田
５で回路パターンのランド部６に固定することから回路
基板７の板面に搭載されるが、環境等の問題から鉛を含
む半田に代えて、鉛を含まない樹脂ペーストが半田とし
て用いられる傾向にある。The multilayer chip component is mounted on the plate surface of the circuit board 7 because the external electrode 3 is fixed to the land portion 6 of the circuit pattern with the solder 5. However, the solder containing lead is replaced by the solder containing lead due to environmental problems. Therefore, a resin paste containing no lead tends to be used as solder.

【０００５】その樹脂ペーストを半田として用いるに
は、外部端子を回路パターンのランド部に確実に導通固
定するため、半田を２００℃〜３５０℃の温度で乾燥硬
化させる必要かある。然し、この半田の加熱処理によ
り、外部電極の最外層を形成する銀―銅合金または錫ま
たは錫またはパラジュウム合金の表面が酸化してしま
う。To use the resin paste as solder, it is necessary to dry and cure the solder at a temperature of 200 ° C. to 350 ° C. in order to surely fix the external terminal to the land portion of the circuit pattern. However, the heat treatment of the solder oxidizes the surface of the silver-copper alloy or tin or tin or palladium alloy forming the outermost layer of the external electrode.

【０００６】その外部電極の酸化を防止するため、外部
電極の最外層を銀１００％で形成することもあるが、こ
れでは銀によるマイグレーション等の問題が生ずるとこ
ろから好ましくない。In order to prevent the oxidation of the external electrode, the outermost layer of the external electrode may be formed of 100% silver, but this is not preferable because it causes a problem such as migration due to silver.

【０００７】[0007]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、外部電極の
半田付けとして樹脂ペーストを用いても、その加熱処理
に伴って表面が酸化することがなく、また、銀によるマ
イグレーション等の問題も生じない外部電極を備えた積
層チップ部品及びその製造方法を提供することを目的と
する。According to the present invention, even when a resin paste is used for soldering an external electrode, the surface is not oxidized due to the heat treatment, and there is a problem such as migration due to silver. An object of the present invention is to provide a layered chip part having no external electrode and a method for manufacturing the same.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
積層チップ部品においては、銀（Ａｇ）並びに銅（Ｃ
ｕ）を主成分とし、貴金属である金（Ａｕ）を含有する
合金層で形成した外部電極を備えることにより構成され
ている。In the laminated chip component according to claim 1 of the present invention, silver (Ag) and copper (C) are used.
u) as a main component, and an external electrode formed of an alloy layer containing a noble metal, gold (Au), is provided.

【０００９】本発明の請求項２に係る積層チップ部品に
おいては、８２．５ｗｔ％〜９２．５ｗｔ％の銀（Ａ
ｇ）と２．５ｗｔ％の銅（Ｃｕ）を主成分とし、５．０
ｗｔ％〜１５．０ｗｔ％の貴金属である金（Ａｕ）を含
有する合金層で形成した外部電極を備えることにより構
成されている。In the layered chip component according to claim 2 of the present invention, 82.5 wt% to 92.5 wt% of silver (A
g) and 2.5 wt% copper (Cu) as main components, and 5.0
It is configured by including an external electrode formed of an alloy layer containing gold (Au) which is a noble metal of 1 wt% to 15.0 wt%.

【００１０】本発明の請求項３に係る積層チップ部品の
製造方法においては、８２．５ｗｔ％〜９２．５ｗｔ％
の銀（Ａｇ）と２．５ｗｔ％の銅（Ｃｕ）を主成分と
し、５．０ｗｔ％〜１５．０ｗｔ％の貴金属である金
（Ａｕ）を含有する導電性ペーストをチップ素子に端部
に塗布し、その導電性ペーストを７５０℃〜８００℃の
温度で焼き付けて外部電極を形成するようにされてい
る。In the method of manufacturing a layered chip component according to claim 3 of the present invention, 82.5 wt% to 92.5 wt%
Of silver (Ag) and 2.5 wt% of copper (Cu) as main components and 5.0 wt% to 15.0 wt% of a noble metal, gold (Au), as a conductive paste at the end of the chip element. The conductive paste is applied and baked at a temperature of 750 ° C. to 800 ° C. to form external electrodes.

【００１１】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明を各種の検査データ
に基づいて説明すると、本発明に係る積層チップ部品は
銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）を主成分とし、銀の一部を置換
するよう金（Ａｕ）を貴金属として含有する合金層で形
成した外部電極を備えることにより構成されている。ま
た、貴金属のパラジウム（Ｐｄ）を含有する合金層で形
成した外部電極を備えるものを比較例とし、添付の検査
データは、従来例に係る積層セラミックコンデンサのＡ
ｇ／Ｃｕ＝９７．５／２．５ｗｔ％の組成比による外部
電極を基準にし、本発明並びに比較例の表１で示す組成
比の合金層による積層セラミックコンデンサの外部電極
に基づいて求めた。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described based on various inspection data. A laminated chip component according to the present invention contains silver (Ag) and copper (Cu) as main components and partially replaces silver. Therefore, the external electrode is formed by an alloy layer containing gold (Au) as a noble metal. Further, a comparative example is provided with an external electrode formed of an alloy layer containing a noble metal palladium (Pd), and the attached inspection data shows A of the multilayer ceramic capacitor according to the conventional example.
Based on the external electrode having a composition ratio of g / Cu = 97.5 / 2.5 wt%, it was determined based on the external electrode of the multilayer ceramic capacitor including the alloy layer having the composition ratio shown in Table 1 of the present invention and Comparative Example.

【００１２】その積層セラミックコンデンサを製造する
には、まず、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とする内部電極
を誘電体グリーンシートの表面に印刷し、これを内部電
極と交互に複数枚積層してから加熱加圧処理により一体
化し、それを焼成処理後に長さ０．６ｍｍ×幅０．３ｍ
ｍの大きさに切断することにより、内部電極の引出し端
が両端面に露出する積層セラミックコンデンサ素子を構
成する。In order to manufacture the monolithic ceramic capacitor, first, an internal electrode containing nickel (Ni) as a main component is printed on the surface of the dielectric green sheet, and a plurality of the internal electrodes are alternately laminated, and then laminated. It is integrated by heat and pressure treatment, and after firing it is 0.6 mm in length × 0.3 m in width
By cutting into a size of m, a monolithic ceramic capacitor element is formed in which the lead-out end of the internal electrode is exposed on both end faces.

【００１３】その積層セラミックコンデンサ素子を用い
ては、湿式バレルによる切削バリ等の除去処理を施した
後、銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）を主成分とし、貴金属を含
有する金属材料をガラスフリット材と混合（金属材料１
００ｇに対してガラスフリット６ｇ配合）したガラスペ
ーストにより外部電極を両端部に形成し、積層セラミッ
クコンデンサとして構成する。The monolithic ceramic capacitor element is subjected to a removing process such as cutting burrs by a wet barrel and then a glass frit containing a noble metal containing silver (Ag) and copper (Cu) as main components. Mixed with wood (metal material 1
External electrodes are formed on both ends by a glass paste prepared by mixing 6 g of glass frit with 100 g of glass frit to form a monolithic ceramic capacitor.

【００１４】その外部電極を形成するガラスペーストに
は、本発明のものは８２．５ｗｔ％〜９２．５ｗｔ％の
銀（Ａｇ）と２．５ｗｔ％の銅（Ｃｕ）を主成分とし、
５．０ｗｔ％〜１５．０ｗｔ％の金（Ａｕ）を含有させ
たものを用いた。また、比較例のものは７２．５ｗｔ％
〜９２．５ｗｔ％の銀（Ａｇ）と２．５ｗｔ％の銅（Ｃ
ｕ）を主成分とし、５．０ｗｔ％〜２５．０ｗｔ％のパ
ラジウム（Ｐｄ）を含有させたものを用いた。In the glass paste forming the external electrodes, the glass paste of the present invention contains 82.5 wt% to 92.5 wt% silver (Ag) and 2.5 wt% copper (Cu) as main components,
A material containing 5.0 wt% to 15.0 wt% of gold (Au) was used. The comparative example has 72.5 wt%
~ 92.5 wt% silver (Ag) and 2.5 wt% copper (C
u) was used as the main component and 5.0 wt% to 25.0 wt% of palladium (Pd) was contained.

【００１５】そのガラスペーストを用いては、厚さ１５
〜２０μｍｍに塗布し、１５０℃で１０分間乾燥した
後、焼付け温度７５０℃、８００℃、８５０℃の３点を
選んで１０〜１５分間加熱処理することにより一層のみ
の合金化した外部電極を形成する。これにより、従来例
のものの場合、表２で示すようにＡｇ／Ｃｕ＝７５．０
／２５ｗｔ％（従来例１）、Ａｇ／Ｃｕ＝９７．５／
２．５ｗｔ％（従来例２）の組成比による外部電極を作
製した。本発明のもののＡｕを含有する場合、並びに、
比較例のもののＰｄを含有する場合は、上述した組成の
ものとと共に、次の表１で示す組成（ｗｔ％）の外部電
極を作製した。With the glass paste, a thickness of 15
After coating to ~ 20 μm and drying at 150 ° C for 10 minutes, a baking temperature of 750 ° C, 800 ° C, and 850 ° C is selected and heat treated for 10 to 15 minutes to form a single-layer alloyed external electrode. To do. Thus, in the case of the conventional example, as shown in Table 2, Ag / Cu = 75.0
/ 25 wt% (conventional example 1), Ag / Cu = 97.5 /
An external electrode having a composition ratio of 2.5 wt% (conventional example 2) was produced. When containing Au of the present invention, and
In the case of containing Pd of the comparative example, an external electrode having the composition (wt%) shown in the following Table 1 was prepared together with the above-mentioned composition.

【００１６】[0016]

【表１】 [Table 1]

【００１７】[0017]

【表２】 [Table 2]

【００１８】このようにして得られた積層セラミックコ
ンデンサにより、各温度による焼付け処理後に研磨処理
した外部電極のＣＯＭＰ像から合金層の密度並びにガラ
ス成分の析出を検査した。その結果は、図１並びに図２
で示すようにＡｇに対するＡｕ、Ｐｄの置換量が増加し
て行くに従い、外部電極の密度が疎になることが確認さ
れた。但し、これは焼付け温度が８００℃になると、外
部電極の密度が密になることから、その問題は解消され
ることを確認できた。With the thus obtained multilayer ceramic capacitor, the density of the alloy layer and the deposition of the glass component were inspected from the COMP image of the external electrode that had been subjected to polishing treatment after baking at each temperature. The results are shown in FIG. 1 and FIG.
It was confirmed that the density of the external electrodes became sparser as the substitution amount of Au and Pd for Ag increased as shown in (4). However, it was confirmed that this problem was solved because the density of the external electrodes became dense when the baking temperature reached 800 ° C.

【００１９】その外部電極の焼付け温度が８５０℃と高
温度になると、外部電極の表面にはガラス成分が析出す
る傾向があり、このガラス成分が析出すると、半田付け
不良や外部電極との電気的接続不良を誘起するため、焼
付け温度としては８００℃までが好ましい。即ち、外部
電極は合金層が密であり、ガラス成分が析出しない焼付
け温度に温度設定する必要がある。When the baking temperature of the external electrode reaches a high temperature of 850 ° C., the glass component tends to be deposited on the surface of the external electrode. When the glass component is deposited, poor soldering or electrical contact with the external electrode occurs. A baking temperature of up to 800 ° C. is preferable in order to induce poor connection. That is, the external electrode has a dense alloy layer, and it is necessary to set the temperature to a baking temperature at which the glass component does not precipitate.

【００２０】次に、積層セラミックコンデンサ２０個に
ついて、焼付け温度と電気的特性との関係を検査した。
本発明のものについて、Ａｕ置換と焼成温度との関係を
検査した結果は、図３〜図８で示す通りである。焼成温
度７５０℃の場合、Ｃｐ（ｎＦ）、ｔａｎδ（％）及び
ＩＲ（Ω）は５．０ｗｔ％〜３５．０ｗｔ％の全てでバ
ラ付きが小さく安定している。Next, the relationship between the baking temperature and the electrical characteristics was examined for 20 monolithic ceramic capacitors.
The results of inspecting the relationship between Au substitution and the firing temperature for the present invention are as shown in FIGS. When the firing temperature is 750 ° C., Cp (nF), tan δ (%), and IR (Ω) are all in the range of 5.0 wt% to 35.0 wt% and are stable with little variation.

【００２１】焼付け温度８００℃の場合、Ｃｐ（ｎＦ）
は２５．０ｗｔ％以上になるとバラツキも大きく容量値
も低い範囲にあり、ｔａｎδ（％）は２５．０ｗｔ％以
上になるとバラツキが大きい傾向になる。また、ＩＲ
（Ω）も２５．０ｗｔ％以上になるとバラツキが大きい
傾向になる。但し、焼付け温度８５０℃の場合は、次に
示すＰｄ置換のときと同様な傾向にある。When the baking temperature is 800 ° C., Cp (nF)
Is in the range where the variation is large and the capacity value is low when it is 25.0 wt% or more, and the variation tends to be large when tan δ (%) is 25.0 wt% or more. Also, IR
When (Ω) is also 25.0 wt% or more, there is a tendency that the variation is large. However, in the case of the baking temperature of 850 ° C., there is the same tendency as in the case of the Pd substitution shown below.

【００２２】比較例のものについても、Ｐｄ置換と焼成
温度との関係を検査した結果は、図９〜図１７で示す通
りである。焼付け温度が７５０℃の場合、ＡｇのＰｄ置
換の組成比でＰｄの含有量が１５．０ｗｔ％以上になる
と、Ｃｐ（ｎＦ）値がバラ付く傾向があり、また、ｔａ
ｎδ（％）は全体にバラ付き、Ｐｄの含有量が２５．０
ｗｔ％以上ではバラ付き範囲が更に大きくなる傾向にあ
る。それに加えて、Ｐｄの含有量が１５．０ｗｔ％以上
になると、ＩＲ（Ω）もバラ付く傾向にあることが判っ
た。Also for the comparative example, the results of inspecting the relationship between Pd substitution and the firing temperature are as shown in FIGS. When the baking temperature is 750 ° C. and the Pd content is 15.0 wt% or more in the composition ratio of Pd substitution of Ag, the Cp (nF) value tends to vary, and ta
nδ (%) varies throughout, Pd content is 25.0
If it is more than wt%, the variation range tends to become larger. In addition, it was found that the IR (Ω) tends to vary when the Pd content is 15.0 wt% or more.

【００２３】焼付け温度８００℃の場合、Ｐｄ含有量が
１５．０ｗｔ％以上になると、Ｃｐ値がバラ付く傾向に
あり、ｔａｎδ（％）もバラ付きが大きくなる傾向にあ
り、ＩＲ（Ω）がバラ付く傾向にある。焼付け温度８５
０℃の場合、Ｃｐ（ｎＦ）はＰｄの含有量が１５ｗｔ％
以上になると、バラツキも大きく容量値も低い範囲にあ
り、ｔａｎδ（％）はＰｄの含有量が２５．０ｗｔ％以
上になると、バラツキが大きくなる傾向になる。また、
ＩＲ（Ω）は全ての組成比に対してバラ付きが大きく不
安定である。At a baking temperature of 800 ° C., when the Pd content is 15.0 wt% or more, the Cp value tends to vary, and the tan δ (%) tends to vary greatly, and IR (Ω) It tends to vary. Baking temperature 85
At 0 ° C, Cp (nF) has a Pd content of 15 wt%
When it is above, the variation is large and the capacitance value is in a low range, and when the Pd content is 25.0 wt% or more, the variation in tan δ (%) tends to be large. Also,
IR (Ω) is highly unstable and unstable with respect to all composition ratios.

【００２４】組成比／焼付け温度とＥＰＭＡ分析を行っ
たところ、図１８〜図２０で示すように内部電極に対す
る外部電極中のＣｕ成分の拡散量についてはＡｕ並びに
Ｐｄの置換量が増すに従って減少する傾向にある。ま
た、焼付け温度が７５０℃のものに比べて、８００℃の
ものがより多く拡散することが検証できた。When the composition ratio / baking temperature and EPMA analysis were conducted, as shown in FIGS. 18 to 20, the diffusion amount of the Cu component in the outer electrode with respect to the inner electrode decreased as the substitution amount of Au and Pd increased. There is a tendency. It was also verified that the temperature of 800 ° C diffused more than the temperature of 750 ° C.

【００２５】組成比とイオンマイグレーションについて
は、図２１で示す水滴法を適用することから行った。そ
の結果は、図２２〜図２４に示す如くＡｕの置換並びに
Ｐｄの置換による組成比のいずれのものも、焼付け温度
７５０℃、８００℃及び８５０℃でも差異はない。Ｐｄ
の置換量３５．０ｗｔ％のものでは、イオンマイグレー
ションが発生せず、２５．０ｗｔ％のものでも印加電圧
が小さいと、イオンマイグレーションが全く発生しない
ことが判った。Regarding the composition ratio and the ion migration, the water drop method shown in FIG. 21 was applied. As a result, as shown in FIGS. 22 to 24, there is no difference between the composition ratios by Au substitution and Pd substitution even at the baking temperatures of 750 ° C., 800 ° C. and 850 ° C. Pd
It was found that the ion migration did not occur at the substitution amount of 35.0 wt% and the ion migration did not occur at all even at the 25.0 wt% when the applied voltage was small.

【００２６】イオンマイグレーションに関し、上述した
導電性の樹脂ペーストや従来例１，従来例２のものと比
較すると、全てがイオンマイグレーションの発生し難い
ことが判った。これと共に、導電性の樹脂ペーストより
イオンマイグレーションが発生し難いＡｕ置換量の１
５．０ｗｔ％のものは従来例１と略同等レベルであり、
それ以上の含有量のものでは従来例１のものより発生し
難かったこと判った。また、Ｐｄ置換量が５．０ｗｔ％
のものでは従来例１と同等レベル、Ｐｄ置換量が１５．
０ｗｔ％、２５．０ｗｔ％ではそれ以上であった。Regarding the ion migration, it was found that all of them are less likely to cause the ion migration as compared with the above-mentioned conductive resin paste and the conventional examples 1 and 2. Along with this, the Au substitution amount of 1 which is less likely to cause ion migration than the conductive resin paste
5.0 wt% is almost the same level as the conventional example 1,
It was found that when the content was more than that, it was less likely to occur than in the conventional example 1. In addition, the Pd substitution amount is 5.0 wt%
The same level as in Conventional Example 1 and the Pd substitution amount of 15.
It was more than that at 0 wt% and 25.0 wt%.

【００２７】以上総合すると、次表３で示す通りであ
り、本発明のものは、望ましくは金（Ａｕ）含有量が
５．０ｗｔ％〜２５．０ｗｔ％のいずれかである銀（Ａ
ｇ）を組成分のものにより構成すると、初期電気特性を
満足し、イオンマイグレーション評価も従来例１のもと
同等以上の外部電極として形成できる。Summarizing the above, the results are shown in Table 3 below. In the present invention, silver (A) having a gold (Au) content of 5.0 wt% to 25.0 wt% is preferable.
If g) is composed of components, the initial electric characteristics can be satisfied, and the ion migration evaluation can be performed as an external electrode equivalent to or higher than that of Conventional Example 1.

【００２８】[0028]

【表３】 [Table 3]

【００２９】表３で示す通り、Ａｕ並びにＰｄは焼付け
温度が４５０〜７００℃で酸化し、その酸化物が生成す
るので、焼付け温度７００℃以下のものは銀と合金化せ
ず、反面、７５０℃以上、望ましくは８００℃までであ
ると合金化し、且つ、銀の単一相の層がないので銀イオ
ン（Ａｇ^＋）の遊離が少なくなる。このため、短絡時間
は延びてショート不良率が低下する。As shown in Table 3, Au and Pd oxidize at a baking temperature of 450 to 700 ° C., and an oxide thereof is formed. Therefore, those having a baking temperature of 700 ° C. or less do not alloy with silver, but 750 Above ℃, desirably up to 800 ℃ is alloyed, and because there is no single phase layer of silver, the liberation of silver ions (Ag ⁺ ) is reduced. Therefore, the short circuit time is extended and the short circuit defect rate is reduced.

【００３０】本発明の実施の形態では、Ａｕ単独の含有
量について説明したが、含有量の範囲内でＰｄとＡｕを
混合しても同等な効果が得られる。In the embodiment of the present invention, the content of Au alone has been described, but the same effect can be obtained even if Pd and Au are mixed within the content range.

【００３１】[0031]

【発明の効果】以上の如く、本発明に係る積層チップ部
品に依れば、銀（Ａｇ）並びに銅（Ｃｕ）を主成分と
し、貴金属である金（Ａｕ）を含有する合金層で形成し
た外部電極を備え、特に、８２．５ｗｔ％〜９２．５ｗ
ｔ％の銀（Ａｇ）と２．５ｗｔ％の銅（Ｃｕ）を主成分
とし、５．０ｗｔ％〜１５．０ｗｔ％の貴金属である金
（Ａｕ）を含有する合金層で形成した外部電極を備える
ことにより、外部電極の半田付けとして導電性の樹脂ペ
ーストを用いても、その加熱処理に伴って表面酸化が生
ずることがなく、半田付け性，耐食性及び耐熱性の良好
な外部電極を備えた積層チップ部品として構成できる。As described above, according to the layered chip component of the present invention, it is formed of an alloy layer containing silver (Ag) and copper (Cu) as main components and containing noble metal gold (Au). Equipped with external electrodes, especially 82.5wt% -92.5w
An external electrode formed of an alloy layer containing t% silver (Ag) and 2.5 wt% copper (Cu) as main components and containing 5.0 wt% to 15.0 wt% noble metal gold (Au). As a result, even if a conductive resin paste is used for soldering the external electrodes, surface oxidation does not occur due to the heat treatment, and the external electrodes have good solderability, corrosion resistance, and heat resistance. It can be configured as a laminated chip component.

【００３２】本発明に係る積層チップ部品の製造方法に
依れば、８２．５ｗｔ％〜９２．５ｗｔ％の銀（Ａｇ）
と２．５ｗｔ％の銅（Ｃｕ）を主成分とし、５．０ｗｔ
％〜１５．０ｗｔ％の貴金属である金（Ａｕ）を含有す
る導電性ペーストをチップ素子に端部に塗布し、この導
電性ペーストを７５０℃〜８００℃の温度で焼き付けて
外部電極を形成することにより、外部電極の半田付けと
して導電性の樹脂ペーストを用いても、その加熱処理に
伴って表面酸化が生ずることがなく、半田付け性，耐食
性及び耐熱性の良好な外部電極を備えた積層チップ部品
として製法を変えることなく安価に製造できる。According to the method for manufacturing a laminated chip part of the present invention, 82.5 wt% to 92.5 wt% of silver (Ag) is used.
And 2.5 wt% copper (Cu) as the main component, 5.0 wt
% To 15.0 wt% of a noble metal, gold (Au), is applied to the end of the chip element, and the conductive paste is baked at a temperature of 750 ° C. to 800 ° C. to form an external electrode. Therefore, even if a conductive resin paste is used for soldering the external electrodes, surface oxidation does not occur due to the heat treatment, and the laminated layers are provided with the external electrodes having good solderability, corrosion resistance and heat resistance. It can be manufactured at low cost as a chip component without changing the manufacturing method.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明のＡｇ／Ａｕ／Ｃｕの組成材料で温度を
変えて焼付け形成した外部電極のＣＯＭＰ像を顕微鏡写
真で示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory view showing a microscope image of a COMP image of an external electrode formed by baking the composition material of Ag / Au / Cu of the present invention at different temperatures.

【図２】比較例のＡｇ／Ｐｄ／Ｃｕの組成材料で温度を
変えて焼付け形成した外部電極のＣＯＭＰ像を顕微鏡写
真で示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a microscope image of a COMP image of an external electrode formed by baking the composition material of Ag / Pd / Cu of Comparative Example at different temperatures.

【図３】本発明のＡｇ／Ａｕ／Ｃｕの組成材料で焼付け
温度７５０℃により焼付け処理した外部電極のｔａｎδ
特性を示すグラフである。FIG. 3 is a tan δ of an external electrode baked with a composition material of Ag / Au / Cu of the present invention at a baking temperature of 750 ° C.
It is a graph which shows a characteristic.

【図４】本発明のＡｇ／Ａｕ／Ｃｕの組成材料で焼付け
温度８００℃により焼付け処理した外部電極のＣｐ（ｎ
Ｆ）特性を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing Cp (n) of an external electrode baked with a composition material of Ag / Au / Cu of the present invention at a baking temperature of 800 ° C.
F) A graph showing characteristics.

【図５】本発明のＡｇ／Ａｕ／Ｃｕの組成材料で焼付け
温度８００℃により焼付け処理した外部電極のｔａｎδ
特性を示すグラフである。FIG. 5 is a tan δ of an external electrode baked with a composition material of Ag / Au / Cu of the present invention at a baking temperature of 800 ° C.
It is a graph which shows a characteristic.

【図６】本発明のＡｇ／Ａｕ／Ｃｕの組成材料で焼付け
温度７５０℃により焼付け処理した外部電極のＩＲ
（Ω）特性を示すグラフである。FIG. 6 is an IR of an external electrode baked with a composition material of Ag / Au / Cu of the present invention at a baking temperature of 750 ° C.
6 is a graph showing (Ω) characteristics.

【図７】本発明のＡｇ／Ａｕ／Ｃｕの組成材料で焼付け
温度８００℃により焼付け処理した外部電極のＩＲ
（Ω）特性を示すグラフである。FIG. 7: IR of an external electrode baked with a composition temperature of Ag / Au / Cu of the present invention at a baking temperature of 800 ° C.
6 is a graph showing (Ω) characteristics.

【図８】比較例のＡｇ／Ｐｄ／Ｃｕの組成材料で焼付け
温度７５０℃により焼付け処理した外部電極のＣｐ（ｎ
Ｆ）特性を示すグラフである。FIG. 8 shows Cp (n of an external electrode baked with a composition temperature of 750 ° C. using a composition material of Ag / Pd / Cu of a comparative example.
F) A graph showing characteristics.

【図９】比較例のＡｇ／Ｐｄ／Ｃｕの組成材料で焼付け
温度７５０℃により焼付け処理した外部電極のｔａｎδ
特性を示すグラフである。9 is a tan δ of an external electrode baked with a composition material of Ag / Pd / Cu of a comparative example at a baking temperature of 750 ° C. FIG.
It is a graph which shows a characteristic.

【図１０】比較例のＡｇ／Ｐｄ／Ｃｕの組成材料で焼付
け温度８００℃により焼付け処理した外部電極のＣｐ
（ｎＦ）特性を示すグラフである。FIG. 10 is a Cp of an external electrode baked with a composition material of Ag / Pd / Cu of a comparative example at a baking temperature of 800 ° C.
It is a graph which shows a (nF) characteristic.

【図１１】比較例のＡｇ／Ｐｄ／Ｃｕの組成材料で焼付
け温度８００℃により焼付け処理した外部電極のｔａｎ
δ特性を示すグラフである。FIG. 11 is a tan of an external electrode baked with a composition material of Ag / Pd / Cu of a comparative example at a baking temperature of 800 ° C.
6 is a graph showing δ characteristics.

【図１２】比較例のＡｇ／Ｐｄ／Ｃｕの組成材料で焼付
け温度８５０℃により焼付け処理した外部電極のＣｐ
（ｎＦ）特性を示すグラフである。FIG. 12 is a Cp of an external electrode baked with a composition material of Ag / Pd / Cu of a comparative example at a baking temperature of 850 ° C.
It is a graph which shows a (nF) characteristic.

【図１３】比較例のＡｇ／Ｐｄ／Ｃｕの組成材料で焼付
け温度８５０℃により焼付け処理した外部電極のＣｐ
（ｎＦ）特性を示すグラフである。FIG. 13 is a Cp of an external electrode baked with a composition material of Ag / Pd / Cu of a comparative example at a baking temperature of 850 ° C.
It is a graph which shows a (nF) characteristic.

【図１４】比較例のＡｇ／Ｐｄ／Ｃｕの組成材料で焼付
け温度７５０℃により焼付け処理した外部電極のＩＲ
（Ω）特性を示すグラフである。FIG. 14 is an IR of an external electrode baked with a composition material of Ag / Pd / Cu of a comparative example at a baking temperature of 750 ° C.
6 is a graph showing (Ω) characteristics.

【図１５】比較例のＡｇ／Ｐｄ／Ｃｕの組成材料で焼付
け温度８００℃により焼付け処理した外部電極のＩＲ
（Ω）特性を示すグラフである。FIG. 15 is an IR of an external electrode baked with a composition material of Ag / Pd / Cu of a comparative example at a baking temperature of 800 ° C.
6 is a graph showing (Ω) characteristics.

【図１６】比較例のＡｇ／Ｐｄ／Ｃｕの組成材料で焼付
け温度８５０℃により焼付け処理した外部電極のＩＲ
（Ω）特性を示すグラフである。FIG. 16: IR of the external electrode baked with the composition material of Ag / Pd / Cu of the comparative example at a baking temperature of 850 ° C.
6 is a graph showing (Ω) characteristics.

【図１７】比較例のＡｇ／Ｐｄ／Ｃｕの組成材料で焼付
け温度７５０℃により焼付け処理した外部電極のＣｐ
（ｎＦ）特性を示すグラフである。FIG. 17 is a Cp of an external electrode baked with a composition material of Ag / Pd / Cu of a comparative example at a baking temperature of 750 ° C.
It is a graph which shows a (nF) characteristic.

【図１８】各組成材料で７５０℃の焼付け温度により形
成した外部電極のＥＰＭＡ分析結果をＣＯＭＰ像の顕微
鏡写真で示す説明図である。FIG. 18 is an explanatory view showing a EPMA analysis result of an external electrode formed by each composition material at a baking temperature of 750 ° C. as a microscope image of a COMP image.

【図１９】各組成材料で８００℃の焼付け温度により形
成した外部電極のＥＰＭＡ分析結果をＣＯＭＰ像の顕微
鏡写真で示す説明図である。FIG. 19 is an explanatory diagram showing EPMA analysis results of external electrodes formed by a baking temperature of 800 ° C. for each composition material, as micrographs of COMP images.

【図２０】比較例のＡｇ／Ｐｄ／Ｃｕの組成材料で８５
０℃の焼付け温度により形成した外部電極のＥＰＭＡ分
析結果をＣＯＭＰ像の顕微鏡写真で示す説明図である。20 is a graph showing the composition of Ag / Pd / Cu of Comparative Example 85
It is explanatory drawing which shows the EPMA analysis result of the external electrode formed by the baking temperature of 0 degreeC by the microscope picture of a COMP image.

【図２１】イオンマイグレーションの検査に適用する水
滴検査回路を示す説明図である。FIG. 21 is an explanatory diagram showing a water drop inspection circuit applied to an ion migration inspection.

【図２２】導電性樹脂，従来例１並びに従来例２の外部
電極によるイオンマイグレーション評価を示すグラフで
ある。FIG. 22 is a graph showing the evaluation of ion migration using the conductive resin and the external electrodes of Conventional Example 1 and Conventional Example 2.

【図２３】従来例２並びに本発明のＡｇ／Ａｕ／Ｃｕの
組成材料による外部電極のイオンマイグレーション評価
を示すグラフである。FIG. 23 is a graph showing the evaluation of ion migration of the external electrode using the Ag / Au / Cu composition material of Conventional Example 2 and the present invention.

【図２４】従来例２並びに比較例のＡｇ／Ｐｄ／Ｃｕの
組成材料による外部電極のイオンマイグレーション評価
を示すグラフである。FIG. 24 is a graph showing the evaluation of ion migration of the external electrode using the Ag / Pd / Cu composition material of Conventional Example 2 and Comparative Example.

【図２５】一般例に係る積層セラミックコンデンサを示
す側断面図である。FIG. 25 is a side sectional view showing a monolithic ceramic capacitor according to a general example.

【図２６】一般例に係る積層セラミックコンデンサの外
部電極並びに搭載構造を示す説明図である。FIG. 26 is an explanatory diagram showing an external electrode and a mounting structure of a multilayer ceramic capacitor according to a general example.

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 銀（Ａｇ）並びに銅（Ｃｕ）を主成分と
し、貴金属である金（Ａｕ）を含有する合金層で形成し
た外部電極を備えてなることを特徴とする積層チップ部
品。1. A layered chip part comprising an external electrode formed of an alloy layer containing silver (Ag) and copper (Cu) as main components and containing gold (Au) which is a noble metal. 【請求項２】 ８２．５ｗｔ％〜９２．５ｗｔ％の銀
（Ａｇ）と２．５ｗｔ％の銅（Ｃｕ）を主成分とし、
５．０ｗｔ％〜１５．０ｗｔ％の貴金属である金（Ａ
ｕ）を含有する合金層で形成した外部電極を備えてなる
ことを特徴とする請求項１に記載の積層チップ部品。2. A main component of 82.5 wt% to 92.5 wt% silver (Ag) and 2.5 wt% copper (Cu),
5.0 wt% to 15.0 wt% precious metal gold (A
The multilayer chip component according to claim 1, further comprising an external electrode formed of an alloy layer containing u). 【請求項３】 ８２．５ｗｔ％〜９２．５ｗｔ％の銀
（Ａｇ）と２．５ｗｔ％の銅（Ｃｕ）を主成分とし、
５．０ｗｔ％〜１５．０ｗｔ％の貴金属である金（Ａ
ｕ）を含有する導電性ペーストをチップ素子に端部に塗
布し、その導電性ペーストを７５０℃〜８００℃の温度
で焼き付けて外部電極を形成したことを特徴とする積層
チップ部品の製造方法。3. A main component of 82.5 wt% to 92.5 wt% silver (Ag) and 2.5 wt% copper (Cu),
5.0 wt% to 15.0 wt% precious metal gold (A
A method for manufacturing a laminated chip component, characterized in that a conductive paste containing u) is applied to an end portion of a chip element and the conductive paste is baked at a temperature of 750 ° C. to 800 ° C. to form an external electrode.