JP3371229B2 - イオンビーム注入装置およびその方法 - Google Patents
イオンビーム注入装置およびその方法Info
- Publication number
- JP3371229B2 JP3371229B2 JP07296792A JP7296792A JP3371229B2 JP 3371229 B2 JP3371229 B2 JP 3371229B2 JP 07296792 A JP07296792 A JP 07296792A JP 7296792 A JP7296792 A JP 7296792A JP 3371229 B2 JP3371229 B2 JP 3371229B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- ion beam
- ions
- ion
- additional
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/12—Lenses electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/047—Changing particle velocity
- H01J2237/0473—Changing particle velocity accelerating
- H01J2237/04735—Changing particle velocity accelerating with electrostatic means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/10—Lenses
- H01J2237/12—Lenses electrostatic
- H01J2237/121—Lenses electrostatic characterised by shape
- H01J2237/1215—Annular electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/151—Electrostatic means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、加工部材を処理するた
めのイオン注入装置およびその方法に関するものであ
り、特に半導体ウェハにドーピング不純物を注入するの
に適したイオン注入装置に関するものである。
めのイオン注入装置およびその方法に関するものであ
り、特に半導体ウェハにドーピング不純物を注入するの
に適したイオン注入装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造技術において、イオンビー
ムを利用して半導体ウェハにイオン不純物を注入するこ
とは公知である。ウェハ表面の横方向にビームを走査さ
せるか、または静止ビーム上でウェハを移動させること
によって、ウェハに均一にドーピングすることができ
る。
ムを利用して半導体ウェハにイオン不純物を注入するこ
とは公知である。ウェハ表面の横方向にビームを走査さ
せるか、または静止ビーム上でウェハを移動させること
によって、ウェハに均一にドーピングすることができ
る。
【０００３】イオンビームがウェハ表面に衝突する角度
（ウェハ傾斜角）は、ウェハのイオン注入における重要
なパラメータである。半導体材処理における最近の傾向
は、ウェハ表面を横切る間のイオン衝突角度の変動を減
少させることを必要としている。
（ウェハ傾斜角）は、ウェハのイオン注入における重要
なパラメータである。半導体材処理における最近の傾向
は、ウェハ表面を横切る間のイオン衝突角度の変動を減
少させることを必要としている。
【０００４】走査イオンビーム装置では、静電偏向プレ
ートがウェハ表面上にイオンビーム衝突ラスターパター
ンを形成する。１組のプレートによって１方向の高速前
後走査が行われ、第２組のプレートによって直交方向の
ビーム偏向が行われる。そのようなラスター走査の結
果、典型的なイオンビーム構造では２００ｍｍのウェハ
を横切る間の衝突角度変動は±４゜になる。
ートがウェハ表面上にイオンビーム衝突ラスターパター
ンを形成する。１組のプレートによって１方向の高速前
後走査が行われ、第２組のプレートによって直交方向の
ビーム偏向が行われる。そのようなラスター走査の結
果、典型的なイオンビーム構造では２００ｍｍのウェハ
を横切る間の衝突角度変動は±４゜になる。
【０００５】この衝突角度変動を減少させる方法が提案
されている。１つの提案は、水平方向に２組、垂直方向
に２組の４組の偏向プレートを用いるものであり、複式
偏向装置と呼ばれる。ビームをまず初期軌道から偏向さ
せた後、ウェハに衝突する直前で再び偏向させて、最初
の未偏向軌道に対して平行方向に戻すものである。
されている。１つの提案は、水平方向に２組、垂直方向
に２組の４組の偏向プレートを用いるものであり、複式
偏向装置と呼ばれる。ビームをまず初期軌道から偏向さ
せた後、ウェハに衝突する直前で再び偏向させて、最初
の未偏向軌道に対して平行方向に戻すものである。
【０００６】大径のウェハに複式偏向装置を用いる場
合、離設間隔を広くした偏向プレートが必要となる。こ
れには、第１組の偏向プレートに加えられる走査電圧と
正確に同期させて走査されなければならない高い偏向電
圧が必要である。別の問題として、走査プレートの開口
が大きくなるのに伴って、周囲の静電界の制御が難しく
なり、ビーム空間電荷効果の影響を受けやすくなる。
合、離設間隔を広くした偏向プレートが必要となる。こ
れには、第１組の偏向プレートに加えられる走査電圧と
正確に同期させて走査されなければならない高い偏向電
圧が必要である。別の問題として、走査プレートの開口
が大きくなるのに伴って、周囲の静電界の制御が難しく
なり、ビーム空間電荷効果の影響を受けやすくなる。
【０００７】傾斜角変動を減少させる別の公知の方法
は、機械的に走査されるスピン式ディスクウェハ支持体
を用いるものである。スピン軸がビームに平行であれ
ば、衝突角度変動は存在しない。スピン式ディスク支持
体では、衝撃角度の変動に必要な状態を維持しながら衝
撃角度を制御することに問題がある。スピン式加工部材
支持体を設けた従来特許の一例として、マツカワの米国
特許第４，７９４，３０５号がある。
は、機械的に走査されるスピン式ディスクウェハ支持体
を用いるものである。スピン軸がビームに平行であれ
ば、衝突角度変動は存在しない。スピン式ディスク支持
体では、衝撃角度の変動に必要な状態を維持しながら衝
撃角度を制御することに問題がある。スピン式加工部材
支持体を設けた従来特許の一例として、マツカワの米国
特許第４，７９４，３０５号がある。
【０００８】別の最近の方法に、ビームを１つの軸線方
向に静電的に走査させてから、高屈折率の曲げ磁石を用
いて平行リボンビームを発生するものがある。次に、ウ
ェハをリボンビームに直交する方向に機械的に走査させ
て、均一な二次元注入を行う。エンジ(Enge)の米国特許
第４，２７６，４７７号、マッキンタイア(McIntyre)他
の米国特許第４，６８７，９３６号及びベリアン(Berri
an) 他の米国特許第４，９２２，１０６号にそのような
装置が開示されている。
向に静電的に走査させてから、高屈折率の曲げ磁石を用
いて平行リボンビームを発生するものがある。次に、ウ
ェハをリボンビームに直交する方向に機械的に走査させ
て、均一な二次元注入を行う。エンジ(Enge)の米国特許
第４，２７６，４７７号、マッキンタイア(McIntyre)他
の米国特許第４，６８７，９３６号及びベリアン(Berri
an) 他の米国特許第４，９２２，１０６号にそのような
装置が開示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このような事情に鑑み
て、本発明は、半導体ウェハ等の加工部材をそのウェハ
に制御された均一角度でイオンを衝突させて処理するイ
オンビーム注入装置を提供することを目的としている。
て、本発明は、半導体ウェハ等の加工部材をそのウェハ
に制御された均一角度でイオンを衝突させて処理するイ
オンビーム注入装置を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するた
め、本発明のイオンビーム注入装置は、イオン源(12)
と、加工部材をイオン源に対して所定向きに配置する支
持手段(59)と、ビーム形成手段(16、20) と、イオンビー
ム内のイオンを第１軌道から制御量だけ偏向させる電極
手段(26、28) と、イオンが加工部材に衝突する前に加速
する加速手段(30)と、イオンビームの制御手段(29)とを
備え、加速手段は、入口電極(32)と、追加電極(34)とを
有し、均一な角度で加工部材にイオンビームを衝突させ
るための空間的に不均一な電界を発生する電圧のバイア
スを加えるようにしたことを特徴としている。イオン源
で発生したイオンは質量分析磁石によって分析される。
分析磁石は、適当な質量のイオンで第１軌道に沿って移
動するイオンビームを形成する。電極対はイオンをこの
第１軌道から制御量だけ偏向させて、横方向走査を行
う。ビーム加速機が、制御量だけ偏向させたイオンを、
それらが加工部材に衝突する前に加速する。出力部を横
方向走査電極対に接続した制御回路が、イオンビームの
偏向を調節し、それによって加工部材のイオンビーム処
理を制御する。
め、本発明のイオンビーム注入装置は、イオン源(12)
と、加工部材をイオン源に対して所定向きに配置する支
持手段(59)と、ビーム形成手段(16、20) と、イオンビー
ム内のイオンを第１軌道から制御量だけ偏向させる電極
手段(26、28) と、イオンが加工部材に衝突する前に加速
する加速手段(30)と、イオンビームの制御手段(29)とを
備え、加速手段は、入口電極(32)と、追加電極(34)とを
有し、均一な角度で加工部材にイオンビームを衝突させ
るための空間的に不均一な電界を発生する電圧のバイア
スを加えるようにしたことを特徴としている。イオン源
で発生したイオンは質量分析磁石によって分析される。
分析磁石は、適当な質量のイオンで第１軌道に沿って移
動するイオンビームを形成する。電極対はイオンをこの
第１軌道から制御量だけ偏向させて、横方向走査を行
う。ビーム加速機が、制御量だけ偏向させたイオンを、
それらが加工部材に衝突する前に加速する。出力部を横
方向走査電極対に接続した制御回路が、イオンビームの
偏向を調節し、それによって加工部材のイオンビーム処
理を制御する。
【００１１】ビーム加速機は、空間的に不均一な電界を
発生させる制御電圧のバイアスがかけられている入口電
極を有している。図示の好適な実施例では、この入口電
極は、弓形すなわち湾曲した導電性電極になっている。
不均一な電界によって、発散軌道に沿って移動するイオ
ンが再び偏向して、比較的均一な角度で加工部材にイオ
ンを衝突させることができる。１つまたは複数の追加電
極が、再度偏向した後のイオンを加速して、それらが適
当なエネルギで加工部材に衝突する。
発生させる制御電圧のバイアスがかけられている入口電
極を有している。図示の好適な実施例では、この入口電
極は、弓形すなわち湾曲した導電性電極になっている。
不均一な電界によって、発散軌道に沿って移動するイオ
ンが再び偏向して、比較的均一な角度で加工部材にイオ
ンを衝突させることができる。１つまたは複数の追加電
極が、再度偏向した後のイオンを加速して、それらが適
当なエネルギで加工部材に衝突する。
【００１２】
【作用】このように、本発明によれば、イオンビーム
は、制御回路によってバイアスがかけられている平行な
離設プレート間を通過する時、初期軌道から制御可能に
偏向する。偏向した後、イオンビームは加速機に入り、
そこで偏向イオンビームが再度偏向して所望の最終エネ
ルギまで加速される。ビームが加速機を出る時、ビーム
は加工部材に衝突する軌道に沿って移動する。イオンビ
ームを形成しているイオンはすべて、均一の制御された
衝突角度で加工部材に衝突する。イオンを再び偏向させ
るビーム加速機の一部を形成する電極を用いることによ
って、加工部材までのイオンビームの経路を短くするこ
とができる。言い換えれば、イオンの再偏向及び加速の
両方を、単一のビーム経路形成構造で実施することがで
きる。
は、制御回路によってバイアスがかけられている平行な
離設プレート間を通過する時、初期軌道から制御可能に
偏向する。偏向した後、イオンビームは加速機に入り、
そこで偏向イオンビームが再度偏向して所望の最終エネ
ルギまで加速される。ビームが加速機を出る時、ビーム
は加工部材に衝突する軌道に沿って移動する。イオンビ
ームを形成しているイオンはすべて、均一の制御された
衝突角度で加工部材に衝突する。イオンを再び偏向させ
るビーム加速機の一部を形成する電極を用いることによ
って、加工部材までのイオンビームの経路を短くするこ
とができる。言い換えれば、イオンの再偏向及び加速の
両方を、単一のビーム経路形成構造で実施することがで
きる。
【００１３】
【実施例】図面において、イオン注入装置１０は、イオ
ンビーム１４を発生するイオン源１２を備えている。注
出電源１５が注出電極に電圧（約２０ｋＶ）を加えてお
り、これによってイオン源１２から出て軌道に沿ってイ
オン質量分析磁石１６に到るイオンが加速される。磁石
１６は、ビームをほぼ直角に屈曲させて、適当な質量の
イオンを移動経路に沿ってシャッター２０へ送る。シャ
ッター２０は、イオンビーム１４から不適当な質量のイ
オンを除去する。
ンビーム１４を発生するイオン源１２を備えている。注
出電源１５が注出電極に電圧（約２０ｋＶ）を加えてお
り、これによってイオン源１２から出て軌道に沿ってイ
オン質量分析磁石１６に到るイオンが加速される。磁石
１６は、ビームをほぼ直角に屈曲させて、適当な質量の
イオンを移動経路に沿ってシャッター２０へ送る。シャ
ッター２０は、イオンビーム１４から不適当な質量のイ
オンを除去する。
【００１４】ビーム１４は次に１対の偏向電極２６、２
８を通過する。制御回路２９によって電極２６、２８に
制御電圧が加えられているため、イオンビームは電界を
通過し、ここでイオンビーム１４は制御量だけ偏向す
る。２つのプレート２６、２８間の電圧差の大きさが、
偏向量を制御する。偏向イオンビームはビーム加速機３
０へ入り、ここでイオンビーム１４は、分析磁石１６を
出た時の軌道にほぼ平行な移動経路に方向修正される。
ビーム加速機３０には、湾曲した金属製の入口電極３２
と、複数の離設された平行金属プレート３４ａ〜ｄ（図
２）とが設けられている。加速機３０を通過後のビーム
内のイオンは、所望軌道へ方向修正されていると共に、
最終注入エネルギまで加速されている。
８を通過する。制御回路２９によって電極２６、２８に
制御電圧が加えられているため、イオンビームは電界を
通過し、ここでイオンビーム１４は制御量だけ偏向す
る。２つのプレート２６、２８間の電圧差の大きさが、
偏向量を制御する。偏向イオンビームはビーム加速機３
０へ入り、ここでイオンビーム１４は、分析磁石１６を
出た時の軌道にほぼ平行な移動経路に方向修正される。
ビーム加速機３０には、湾曲した金属製の入口電極３２
と、複数の離設された平行金属プレート３４ａ〜ｄ（図
２）とが設けられている。加速機３０を通過後のビーム
内のイオンは、所望軌道へ方向修正されていると共に、
最終注入エネルギまで加速されている。
【００１５】ビーム加速機３０の下流にイオン注入部４
０が配置されており、これは平行プレート３４ａ〜ｄに
よって加速されているイオンが当たる位置に半導体ウェ
ハ６０を支持する構造体を含んでいる。イオンビームが
他の粒子と衝突するとビームの保全性が低下するため、
イオン源１２から注入部４０までのビーム通路全体を脱
気する。イオン注入部４０の領域では、室４２が脱気さ
れ、また室４２の加圧及び減圧を繰り返さないようにす
るため、ウェハはロードロックに挿入され、それから引
き出される。カセット５０からシャトル５２で取り出さ
れたウェハを室４２の外に配置された機械式アーム４４
が把持する。アーム４４は、最初に各未注入ウェハをウ
ェハ方向決め装置５６上に載置する。方向決め装置５６
は、イオン注入が行われる前に未注入ウェハを所定向き
へ回転させて、イオンがウェハに衝突する時、イオンは
結晶格子構造の特定の向きに当たるようにする。次に、
ウェハをロードロック５８内へ移動させると、第２アー
ム４６がウェハを室４２内の注入位置へ移動させること
ができる。注入位置では、ウェハ支持体５９が、ウェハ
６０を一定である特定の傾斜角度でイオンビームに対し
て所定向きに配置する。
０が配置されており、これは平行プレート３４ａ〜ｄに
よって加速されているイオンが当たる位置に半導体ウェ
ハ６０を支持する構造体を含んでいる。イオンビームが
他の粒子と衝突するとビームの保全性が低下するため、
イオン源１２から注入部４０までのビーム通路全体を脱
気する。イオン注入部４０の領域では、室４２が脱気さ
れ、また室４２の加圧及び減圧を繰り返さないようにす
るため、ウェハはロードロックに挿入され、それから引
き出される。カセット５０からシャトル５２で取り出さ
れたウェハを室４２の外に配置された機械式アーム４４
が把持する。アーム４４は、最初に各未注入ウェハをウ
ェハ方向決め装置５６上に載置する。方向決め装置５６
は、イオン注入が行われる前に未注入ウェハを所定向き
へ回転させて、イオンがウェハに衝突する時、イオンは
結晶格子構造の特定の向きに当たるようにする。次に、
ウェハをロードロック５８内へ移動させると、第２アー
ム４６がウェハを室４２内の注入位置へ移動させること
ができる。注入位置では、ウェハ支持体５９が、ウェハ
６０を一定である特定の傾斜角度でイオンビームに対し
て所定向きに配置する。
【００１６】走査電極２６、２８は、制御回路２９の指
令に基づいて制御量の横方向ビーム走査を行う。回路に
は、このウェハの走査を行うことができるように走査電
極電圧を調整するためのプログラマブル制御装置が設け
られている。図１に示されている装置は横方向の走査を
行うだけであるため、図１に示されているような円形ウ
ェハの加工表面全体にイオン注入するためには、さらに
偏向イオンビームと加工部材との間を相対移動させるこ
とが必要である。本実施例では、（リボンイオンビーム
の平面に直交する方向の）ウェハ６０の前後方向の線形
移動が、支持体５９に取り付けられた適当な駆動機構
（図示せず）によって実施される。
令に基づいて制御量の横方向ビーム走査を行う。回路に
は、このウェハの走査を行うことができるように走査電
極電圧を調整するためのプログラマブル制御装置が設け
られている。図１に示されている装置は横方向の走査を
行うだけであるため、図１に示されているような円形ウ
ェハの加工表面全体にイオン注入するためには、さらに
偏向イオンビームと加工部材との間を相対移動させるこ
とが必要である。本実施例では、（リボンイオンビーム
の平面に直交する方向の）ウェハ６０の前後方向の線形
移動が、支持体５９に取り付けられた適当な駆動機構
（図示せず）によって実施される。
【００１７】イオンビームによる処理によってウェハ６
０のドーピングが完了すると、そのウェハは第３アーム
６２によって注入部４０から取り出される。このアーム
６２がウェハ６０をロードロック６４へ送ることによっ
て、第４の機械式アーム６６がウェハをシャトル６８へ
移送することができ、シャトルは注入済みウェハをカセ
ット７０へ移動させる。
０のドーピングが完了すると、そのウェハは第３アーム
６２によって注入部４０から取り出される。このアーム
６２がウェハ６０をロードロック６４へ送ることによっ
て、第４の機械式アーム６６がウェハをシャトル６８へ
移送することができ、シャトルは注入済みウェハをカセ
ット７０へ移動させる。
【００１８】図１ないし図３にわかりやすく示されてい
るように、加速機３０の入口電極３２は、弓形の入口湾
曲導電体によって構成されている。この電極３２は、イ
オン源１２、分析磁石１６及び偏向電極２６、２８を支
持しているハウジング１００と同じ電位に維持されてい
る。第２電極３４ａ（図２）には、高電圧電源１０２
（図１）によって正バイアスがかけられている。湾曲電
極３２と第１のほぼ平面状の電極３４ａとの間の電圧差
は、レンズ電源１０４によって維持されている。
るように、加速機３０の入口電極３２は、弓形の入口湾
曲導電体によって構成されている。この電極３２は、イ
オン源１２、分析磁石１６及び偏向電極２６、２８を支
持しているハウジング１００と同じ電位に維持されてい
る。第２電極３４ａ（図２）には、高電圧電源１０２
（図１）によって正バイアスがかけられている。湾曲電
極３２と第１のほぼ平面状の電極３４ａとの間の電圧差
は、レンズ電源１０４によって維持されている。
【００１９】レンズ電源１０４が約６０キロボルト、注
出電源１５が２０キロボルト、高電圧電源１０２が１２
０キロボルトである代表電圧によって、正電荷のイオン
が約２００keV の最終エネルギまで加速される。これら
の電圧は、入口表面の断面がほぼ円形で、曲率半径が１
３インチであって、偏向電極２６、２８の位置の走査頂
点から約２４インチ離して湾曲入口電極３２を設けた図
２の注入装置に適している。この構造に対応させて電極
３２に形成された入口開口１１２の幅Ｗ（図４）は約１
２インチである。
出電源１５が２０キロボルト、高電圧電源１０２が１２
０キロボルトである代表電圧によって、正電荷のイオン
が約２００keV の最終エネルギまで加速される。これら
の電圧は、入口表面の断面がほぼ円形で、曲率半径が１
３インチであって、偏向電極２６、２８の位置の走査頂
点から約２４インチ離して湾曲入口電極３２を設けた図
２の注入装置に適している。この構造に対応させて電極
３２に形成された入口開口１１２の幅Ｗ（図４）は約１
２インチである。
【００２０】図３の実施例では、電極３４ａが、入口電
極３２の前後表面の曲率とほぼ同じ曲率の入口表面１０
６を備えている。この実施例では、表面１０６が湾曲電
極３２の外形に「平行である」と言える。一般的に、電
極３４ａは、湾曲状、平面状、または電極３２とは異な
った形状の湾曲状にすることができる。
極３２の前後表面の曲率とほぼ同じ曲率の入口表面１０
６を備えている。この実施例では、表面１０６が湾曲電
極３２の外形に「平行である」と言える。一般的に、電
極３４ａは、湾曲状、平面状、または電極３２とは異な
った形状の湾曲状にすることができる。
【００２１】図２及び３に示されているように、電極３
４ａ〜３４ｄを分離させている絶縁体１１０は、各電極
を隣接の電極から電気的に絶縁していると共に、電極を
互いに離設させている。３つのバイアス抵抗Ｒが、電源
１０２に並列に電極３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄに
接続されており、隣接電極間の電圧差をほぼ同じにして
いる。各抵抗の抵抗値は約５０メグオームである。
４ａ〜３４ｄを分離させている絶縁体１１０は、各電極
を隣接の電極から電気的に絶縁していると共に、電極を
互いに離設させている。３つのバイアス抵抗Ｒが、電源
１０２に並列に電極３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄに
接続されており、隣接電極間の電圧差をほぼ同じにして
いる。各抵抗の抵抗値は約５０メグオームである。
【００２２】図５には、図２の実施例の場合の等電位線
１１１が示されており、湾曲入口電極３２及び後続の平
面電極３４ａ〜３４ｄを通過するイオンに対してビーム
加速機３０が与える影響を説明している。入口電極３２
と平面電極３４ａとの間の領域内の等電位線は湾曲して
いる。第１平面電極３４ａと最後の平面電極３４ｄとの
間の等電位線はほぼ平行であって、イオン軌道に直交し
ている。加速機３０によって形成された電界によって、
電極２６、２８の横方向走査のために発散経路で移動し
ているイオンが再び偏向して、互いにほぼ平行になる。
再偏向されたイオンは、加速機３０で加速されて、目標
物６０に比較的均一の衝撃角度で衝突する軌道で加速機
３０から出る。支持体の適当な方向決めによりこの衝撃
角度は垂直となりまたはある所定の衝撃角度となること
ができる。
１１１が示されており、湾曲入口電極３２及び後続の平
面電極３４ａ〜３４ｄを通過するイオンに対してビーム
加速機３０が与える影響を説明している。入口電極３２
と平面電極３４ａとの間の領域内の等電位線は湾曲して
いる。第１平面電極３４ａと最後の平面電極３４ｄとの
間の等電位線はほぼ平行であって、イオン軌道に直交し
ている。加速機３０によって形成された電界によって、
電極２６、２８の横方向走査のために発散経路で移動し
ているイオンが再び偏向して、互いにほぼ平行になる。
再偏向されたイオンは、加速機３０で加速されて、目標
物６０に比較的均一の衝撃角度で衝突する軌道で加速機
３０から出る。支持体の適当な方向決めによりこの衝撃
角度は垂直となりまたはある所定の衝撃角度となること
ができる。
【００２３】制御回路２９が横方向走査させることによ
って、電極３２、３４ａ〜ｄに形成される開口１１２を
細長いスロットにして、それを通って偏向イオンが加速
機３０へ入ることによって、再偏向及び加速が行われる
ようにすることができる。イオン注入装置１０の代表的
な用途が、円形またはほぼ円形の半導体ウェハのドーピ
ングであるから、得られたリボンイオンビームによる加
工部材６０の前後走査は、ウェハ支持体５９の機械的並
進移動によって達成される。
って、電極３２、３４ａ〜ｄに形成される開口１１２を
細長いスロットにして、それを通って偏向イオンが加速
機３０へ入ることによって、再偏向及び加速が行われる
ようにすることができる。イオン注入装置１０の代表的
な用途が、円形またはほぼ円形の半導体ウェハのドーピ
ングであるから、得られたリボンイオンビームによる加
工部材６０の前後走査は、ウェハ支持体５９の機械的並
進移動によって達成される。
【００２４】図６は、加速機３０のための変更形励起構
造を示している。本例では、出口電極３４ｄが接地され
ており、高電圧電源１０２のプラス端子が入口電極３２
に接続している。レンズ電極が、入口電極３２と電極３
４ａとの間に電位差を発生させている。
造を示している。本例では、出口電極３４ｄが接地され
ており、高電圧電源１０２のプラス端子が入口電極３２
に接続している。レンズ電極が、入口電極３２と電極３
４ａとの間に電位差を発生させている。
【００２５】図１に示されている構造では、所望イオン
エネルギは、イオン源から放出されたイオンに電位を加
えた合計になる。適当なイオンエネルギは、高電圧電源
１０２の電圧を調節することによって得られる。式で表
すと次のようになる。
エネルギは、イオン源から放出されたイオンに電位を加
えた合計になる。適当なイオンエネルギは、高電圧電源
１０２の電圧を調節することによって得られる。式で表
すと次のようになる。
【００２６】（１） ｈｖｐｓ＝所望エネルギ−レンズ
電源−注出電源 図６の構造では、所望エネルギが、電圧電源に注出電源
を加えた合計である。 （２） ｈｖｐｓ＝所望エネルギ−注出電源 図６の構造では、レンズ電源１０２の電圧の変動は、イ
オンエネルギに影響を与えないが、ビームの平行性にい
くらかの影響を与える。図６の構造では、注出電源電圧
程度の低いエネルギが可能である。
電源−注出電源 図６の構造では、所望エネルギが、電圧電源に注出電源
を加えた合計である。 （２） ｈｖｐｓ＝所望エネルギ−注出電源 図６の構造では、レンズ電源１０２の電圧の変動は、イ
オンエネルギに影響を与えないが、ビームの平行性にい
くらかの影響を与える。図６の構造では、注出電源電圧
程度の低いエネルギが可能である。
【００２７】以上に本発明の実施例を説明してきた。正
のイオンを注入するのに適した電圧極性の好適なイオン
注入装置を説明してきたが、負のイオンを注入する装置
も可能である。従って、発明の精神を逸脱しない範囲内
において様々な変更を加えることができる。
のイオンを注入するのに適した電圧極性の好適なイオン
注入装置を説明してきたが、負のイオンを注入する装置
も可能である。従って、発明の精神を逸脱しない範囲内
において様々な変更を加えることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、イオン
が加工部材に衝突する前に加速する手段と、イオンビー
ムの制御手段とを備え、加速手段が、均一な角度で加工
部材にイオンビームを衝突させるための空間的に不均一
な電界を発生する電圧のバイアスを加えるようにしたの
で、イオンの再偏向及び加速の両方を、単一のビーム経
路で形成する構造として加工部材までのイオンビームの
経路を短くするとともに、ウェハ表面を横切る間のイオ
ン衝突角度の変動を減少させることができる。
が加工部材に衝突する前に加速する手段と、イオンビー
ムの制御手段とを備え、加速手段が、均一な角度で加工
部材にイオンビームを衝突させるための空間的に不均一
な電界を発生する電圧のバイアスを加えるようにしたの
で、イオンの再偏向及び加速の両方を、単一のビーム経
路で形成する構造として加工部材までのイオンビームの
経路を短くするとともに、ウェハ表面を横切る間のイオ
ン衝突角度の変動を減少させることができる。
【図１】本発明によるイオン注入装置の概略図である。
【図２】イオンビーム加速機の拡大平面図である。
【図３】イオンビーム加速機の変更例の拡大平面図であ
る。
る。
【図４】イオンビーム加速機の入口部分の立面図であ
る。
る。
【図５】イオンを再び偏向させて加速する図２に示され
ている加速機によって発生する電界線を概略的に示して
いる。
ている加速機によって発生する電界線を概略的に示して
いる。
【図６】図２及び３に示されている加速機のための変更
形励起構造を示している。
形励起構造を示している。
１０ イオン注入装置
１２ イオン源
１４ イオンビーム
１６ 分析磁石
２０ シャッタ
２６、２８ 偏向プレート
２９ 制御回路
３０ 加速機
３２ 入口電極
３４ 平面電極
５９ 支持体
６０ 加工部材
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 モンロー リー キング
アメリカ合衆国 テキサス 78753 オ
ースチン チルドレス ドライブ 9824
(56)参考文献 特開 昭62−285354（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−295347（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−18853（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 37/317
H01J 37/12
Claims (16)
- 【請求項１】 加工部材(60)を制御可能に処理するため
のイオンビーム注入装置(10)であって、 ａ）加工部材を処理するためのイオンを発生するイオン
源手段(12)と、 ｂ）加工部材をイオン源手段に対して所定向きに配置す
る支持手段(59)と、 ｃ）イオンをイオン源手段で放出させて第１軌道に沿っ
て移動するイオンビーム(14)を形成するビーム形成手段
(16、20) と、 ｄ）前記イオンビーム内のイオンを前記第１軌道から制
御量だけ偏向させる電極手段(26、28) と、 ｅ）前記制御量だけ偏向させたイオンを、前記イオンが
加工部材に衝突する前に加速する加速手段(30)と、 ｆ）前記電極手段に接続される出力部が前記イオンビー
ムの偏向を調節して加工部材のイオンビーム処理を制御
する制御手段(29)とを有しており、 ｇ）前記加速手段は、入口電極(32)と、前記イオンを衝
撃エネルギまで加速する１つまたは複数の追加電極(34)
とを備え、前記入力電極はイオンビームが加工部材へ進
む途中に通過する開口(112)を形成した弓形電極であ
り、この弓形電極及び前記追加電極中の第１電極(34a)
には、空間的に不均一な電界を発生するためのバイアス
電圧が加えられて、発散軌道に沿って移動しているイオ
ンを再び偏向させ、このイオンが比較的均一な角度で加
工部材に衝突するようにしたことを特徴とするイオンビ
ーム注入装置。 - 【請求項２】 電極手段及び加速手段は固定されてお
り、支持手段は、加工部材表面全体を処理するように加
工部材をイオンビームに対して移動させる手段を含むこ
とを特徴とする請求項１のイオンビーム注入装置。 - 【請求項３】 少なくとも２つの追加電極(34)を有して
おり、前記追加電極は、弓形電極の開口を通って加工部
材に進むイオンを通過させるための開口を有する平行に
離設された電極プレートであることを特徴とする請求項
１のイオンビーム注入装置。 - 【請求項４】 前記追加電極の少なくとも１つが、入口
電極の湾曲表面から離設された湾曲入口表面(106)を備
えた離設電極プレートを有していることを特徴とする請
求項１のイオンビーム注入装置。 - 【請求項５】 離設電極プレートの湾曲入口表面が、入
口電極の湾曲表面とほぼ同じ曲率であることを特徴とす
る請求項４のイオンビーム注入装置。 - 【請求項６】 前記電極プレートは絶縁体(110) で分離
されていることを特徴とする請求項３または４のイオン
ビーム注入装置。 - 【請求項７】 少なくとも２つの追加電極(34)を有して
おり、第１追加電極(34a) は第１の電圧に維持され、第
２追加電極(34b) は第２の電圧に維持されており、入口
電極には、前記第１追加電極とは異なったバイアス電圧
がレンズ電源(104) によってかけられることを特徴とす
る請求項１のイオンビーム注入装置。 - 【請求項８】 レンズ電源は、第１追加電極よりも大き
い一定の電位のバイアスを入口電極にかけて、入口電極
と第１追加電極との間に静電界が形成されることを特徴
とする請求項７のイオンビーム注入装置。 - 【請求項９】 正電荷イオンがイオン源手段から注出電
源(15)によって加速され、加工部材に衝突するイオンエ
ネルギは、高電圧電源(102) 、注出電源及びレンズ電源
の合計に等しいことを特徴とする請求項８のイオンビー
ム注入装置。 - 【請求項１０】 少なくとも２つの追加電極(34)を有し
ており、入口電極には一定の正電位のバイアスが高電圧
電源(102) によってかけられ、第１追加電極には低電位
のバイアスがレンズ電源(104) によってかけられている
のに対して、第１追加電極よりも下流側のイオンビーム
経路に隣接した第２追加電極は、帯電イオンを加速する
ように第３の一定電位に維持されていることを特徴とす
る請求項１のイオンビーム注入装置。 - 【請求項１１】 レンズ電源は、第１追加電極に入口電
極よりも小さいバイアス電圧をかけることを特徴とする
請求項１０のイオンビーム注入装置。 - 【請求項１２】 イオンがイオン源手段から注出電源に
よって加速され、加工部材に衝突するイオンエネルギ
は、高電圧電源と注出電源の合計に等しいことを特徴と
する請求項１１のイオンビーム注入装置。 - 【請求項１３】 イオンビーム注入装置に使用されるイ
オン加速機であって、 ａ）前記イオン注入装置内を発散軌道で移動しているイ
オンを偏向させて、加工部材に比較的均一角度でイオン
を衝突させる非均一な電界を発生させるバイアス電圧が
かけられている弓形入口電極(32)と、 ｂ）前記イオンを、加工部材に衝突する前に衝突エネル
ギまで加速するための複数の離設された追加電極(34)
と、 ｃ）前記電極を分離させる複数の絶縁体(110)と、 ｄ）複数の追加電極とは異なった電位の電気的なバイア
スを弓形入口電極にかけて不均一電界を発生させると共
に、イオンを加速するように複数の離設された追加電極
に電気的なバイアスをかける電源(104) とを有している
ことを特徴とするイオン加速機。 - 【請求項１４】 加工部材を制御可能に処理するための
イオンビーム注入装置であって、 ａ）加工部材を処理するためのイオンを発生するイオン
源手段(12)と、 ｂ）加工部材をイオン源手段に対して所定向きに配置す
る支持手段(59)と、 ｃ）イオン源手段で発生したイオンから第１軌道に沿っ
て移動するイオンビームを形成するビーム形成手段(1
6、20) と、 ｄ）前記イオンビーム内のイオンを前記第１軌道から制
御量だけ偏向させる電極手段(26、28) と、 ｅ）前記制御量だけ偏向させたイオンを、前記イオンが
加工部材に衝突する前に加速する加速手段(30)と、 ｆ）前記電極手段に接続される出力部が前記イオンビー
ムの偏向を調節して加工部材のイオンビーム処理を制御
する制御手段(29)とを有しており、 ｇ）前記加速手段は、 i）電極手段を通過した後に発散軌道に沿って移動して
いるイオンを再び偏向させて比較的均一な角度で加工部
材に衝突させる不均一な電界を発生する、非偏向イオン
ビーム経路を中心に対称的な弓形の入口電極(32)と、 ii）前記イオンを衝撃エネルギまで加速する複数の離設
された平行な追加電極プレート(34)と、 iii)前記プレートを分離させる複数の絶縁体(110) と、 iv）前記複数の平行電極プレートに対して前記弓形の入
口電極にバイアスをかける電源手段(104) とを有してお
り、第１追加電極(34a) は高電圧電源によって一定の電
圧に維持され、第２追加電極(34b) は接地されており、
前記入口電極には、第１追加電極より高い電圧のバイア
スがレンズ電源によってかけられており、 正電荷イオンは、加工部材に衝突する時に制御イオンエ
ネルギまで加速されていることを特徴とするイオンビー
ム注入装置。 - 【請求項１５】 さらに、加工部材をイオンビームに対
して移動させる支持手段(59)を有していることを特徴と
する請求項１４のイオンビーム注入装置。 - 【請求項１６】 加工部材(60)にイオンビームを注入す
る方法であって、 ａ）イオンビームを初期軌道に沿って移動させる段階
と、 ｂ）加工部材を目標位置に配置する段階と、 ｃ）イオンを初期軌道から発散させて前後に走査するた
めに、少なくとも加工部材と同じ幅の広がりを持った細
いイオンビームを形成する段階と、 ｄ）イオンが初期軌道から発散する領域よりも下流側に
おいて、平面電極（34）に対して弓形電極（32）にバイ
アスをかけることによって空間的に不均一な静電界を発
生させ、前記弓形電極の開口（112）に入るイオンが、
前記静電界で偏向され、そして前記平面電極の開口を通
過してから加工部材に衝突するように前記イオンの再偏
向と加速の双方を行う段階と、 ｅ）加工部材を前後方向に移動させて、静電界を通過し
たイオンが加工部材の表面全体を処理する段階とを含ん
でいるイオンビーム注入方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US660738 | 1991-02-25 | ||
| US07/660,738 US5091655A (en) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | Reduced path ion beam implanter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594799A JPH0594799A (ja) | 1993-04-16 |
| JP3371229B2 true JP3371229B2 (ja) | 2003-01-27 |
Family
ID=24650775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07296792A Expired - Fee Related JP3371229B2 (ja) | 1991-02-25 | 1992-02-24 | イオンビーム注入装置およびその方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5091655A (ja) |
| EP (1) | EP0501638B1 (ja) |
| JP (1) | JP3371229B2 (ja) |
| DE (1) | DE69216660T2 (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5160846A (en) * | 1990-10-03 | 1992-11-03 | Eaton Corporation | Method and apparatus for reducing tilt angle variations in an ion implanter |
| US5177366A (en) * | 1992-03-06 | 1993-01-05 | Eaton Corporation | Ion beam implanter for providing cross plane focusing |
| DE69330699T2 (de) * | 1992-07-16 | 2002-07-04 | Axcelis Tech Inc | Ionenstrahl-Abrasterungsvorrichtung |
| EP0604011A1 (en) * | 1992-12-23 | 1994-06-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ion implantation apparatus and method |
| US5475618A (en) * | 1993-01-28 | 1995-12-12 | Advanced Micro Devices | Apparatus and method for monitoring and controlling an ion implant device |
| US5350926A (en) * | 1993-03-11 | 1994-09-27 | Diamond Semiconductor Group, Inc. | Compact high current broad beam ion implanter |
| DE4430534A1 (de) * | 1994-08-27 | 1996-04-11 | Hell Ag Linotype | Elektronenstrahl-Erzeuger |
| US5780863A (en) * | 1997-04-29 | 1998-07-14 | Eaton Corporation | Accelerator-decelerator electrostatic lens for variably focusing and mass resolving an ion beam in an ion implanter |
| US6229148B1 (en) | 1997-08-11 | 2001-05-08 | Micron Technology, Inc. | Ion implantation with programmable energy, angle, and beam current |
| KR100392039B1 (ko) | 1999-02-22 | 2003-07-22 | 가부시끼가이샤 도시바 | 이온 주입법 및 이온 주입 장치 |
| US6441382B1 (en) | 1999-05-21 | 2002-08-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Deceleration electrode configuration for ultra-low energy ion implanter |
| US6998625B1 (en) | 1999-06-23 | 2006-02-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion implanter having two-stage deceleration beamline |
| US6331227B1 (en) * | 1999-12-14 | 2001-12-18 | Epion Corporation | Enhanced etching/smoothing of dielectric surfaces |
| US7112809B2 (en) * | 2003-06-26 | 2006-09-26 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic lens for ion beams |
| US6774377B1 (en) | 2003-06-26 | 2004-08-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic parallelizing lens for ion beams |
| US6992308B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-01-31 | Axcelis Technologies, Inc. | Modulating ion beam current |
| US6903350B1 (en) | 2004-06-10 | 2005-06-07 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam scanning systems and methods for improved ion implantation uniformity |
| US6992310B1 (en) | 2004-08-13 | 2006-01-31 | Axcelis Technologies, Inc. | Scanning systems and methods for providing ions from an ion beam to a workpiece |
| US6992309B1 (en) | 2004-08-13 | 2006-01-31 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion beam measurement systems and methods for ion implant dose and uniformity control |
| US7005657B1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-02-28 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer-scanning ion implanter having fast beam deflection apparatus for beam glitch recovery |
| US7675047B2 (en) * | 2005-11-15 | 2010-03-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for shaping a ribbon-shaped ion beam |
| US7339179B2 (en) * | 2005-11-15 | 2008-03-04 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for providing a segmented electrostatic lens in an ion implanter |
| US7394079B2 (en) * | 2006-01-27 | 2008-07-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Architecture for ribbon ion beam ion implanter system |
| EP2030219A2 (en) * | 2006-06-12 | 2009-03-04 | Axcelis Technologies, Inc. | Beam angle adjustment in ion implanters |
| JP4946256B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2012-06-06 | 日新イオン機器株式会社 | 電界レンズおよびそれを備えるイオン注入装置 |
| US7547900B2 (en) * | 2006-12-22 | 2009-06-16 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for providing a ribbon-shaped gas cluster ion beam |
| US7973290B2 (en) * | 2008-08-13 | 2011-07-05 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method of beam energy identification for single wafer ion implantation |
| US9502213B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-11-22 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion beam line |
| US9218941B2 (en) | 2014-01-15 | 2015-12-22 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion implantation system and method with variable energy control |
| CN103956311B (zh) * | 2014-05-16 | 2017-02-22 | 厦门大学 | 带电粒子束轨迹控制装置 |
| US9978556B2 (en) | 2015-12-11 | 2018-05-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Parallelizing electrostatic acceleration/deceleration optical element |
| US10292790B2 (en) * | 2015-12-28 | 2019-05-21 | N2 Biomedical Llc | Ion implantation modification of archwires |
| US11635695B2 (en) * | 2020-06-15 | 2023-04-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for reducing line-end space in integrated circuit patterning |
| CN117941024A (zh) | 2021-08-05 | 2024-04-26 | 艾克塞利斯科技公司 | 混合能量离子注入 |
| US20230038392A1 (en) | 2021-08-05 | 2023-02-09 | Axcelis Technologies, Inc. | Blended energy ion implantation |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3731211A (en) * | 1969-09-29 | 1973-05-01 | Radiation Dynamics | Particle acceleration tube having improved beam focus control |
| US4276477A (en) * | 1979-09-17 | 1981-06-30 | Varian Associates, Inc. | Focusing apparatus for uniform application of charged particle beam |
| US4330708A (en) * | 1980-04-28 | 1982-05-18 | Meisburger William D | Electron lens |
| US4383180A (en) * | 1981-05-18 | 1983-05-10 | Varian Associates, Inc. | Particle beam accelerator |
| US4661712A (en) * | 1985-05-28 | 1987-04-28 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for scanning a high current ion beam with a constant angle of incidence |
| US4687936A (en) * | 1985-07-11 | 1987-08-18 | Varian Associates, Inc. | In-line beam scanning system |
| WO1987006391A1 (en) * | 1986-04-09 | 1987-10-22 | Eclipse Ion Technology, Inc. | Ion beam scanning method and apparatus |
| US4922106A (en) * | 1986-04-09 | 1990-05-01 | Varian Associates, Inc. | Ion beam scanning method and apparatus |
| JP2582552B2 (ja) * | 1986-05-29 | 1997-02-19 | 三菱電機株式会社 | イオン注入装置 |
| US4782304A (en) * | 1986-08-20 | 1988-11-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methds for ion beam acceleration |
| JP2706471B2 (ja) * | 1987-09-30 | 1998-01-28 | 日本真空技術株式会社 | 静電掃引型イオン注入機用平行掃引装置 |
-
1991
- 1991-02-25 US US07/660,738 patent/US5091655A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-02-14 DE DE69216660T patent/DE69216660T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-02-14 EP EP92301231A patent/EP0501638B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-02-24 JP JP07296792A patent/JP3371229B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0501638A1 (en) | 1992-09-02 |
| DE69216660T2 (de) | 1997-08-07 |
| US5091655A (en) | 1992-02-25 |
| EP0501638B1 (en) | 1997-01-15 |
| DE69216660D1 (de) | 1997-02-27 |
| JPH0594799A (ja) | 1993-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3371229B2 (ja) | イオンビーム注入装置およびその方法 | |
| JP3302436B2 (ja) | 交差平面集束を行うイオンビーム注入装置および方法 | |
| JP4883316B2 (ja) | イオンビーム用静電レンズ | |
| EP0223823B1 (en) | Apparatus for scanning a high current ion beam with a constant angle of incidence | |
| US5160846A (en) | Method and apparatus for reducing tilt angle variations in an ion implanter | |
| US6774377B1 (en) | Electrostatic parallelizing lens for ion beams | |
| KR20110081980A (ko) | 이온 주입을 위한 조정가능한 편향 광학장치 | |
| JP2008503067A (ja) | 改良したイオン注入均一化のためのイオンビーム走査システム及び方法 | |
| JPH03165433A (ja) | イオン注入装置 | |
| KR100479374B1 (ko) | 원추 자기 주사를 사용하는 이온 빔 주입 장치 및 방법 | |
| JP3336444B2 (ja) | イオンビーム注入装置とその方法 | |
| EP0377298B1 (en) | Uniform cross section ion beam system | |
| JP3106214B2 (ja) | イオンビームを注入する方法および装置 | |
| CN111108580B (zh) | 用于离子植入的装置、***及方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071122 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091122 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |