JP3369633B2 - 導体ペースト及びそれを用いたセラミック多層配線基板 - Google Patents
導体ペースト及びそれを用いたセラミック多層配線基板Info
- Publication number
- JP3369633B2 JP3369633B2 JP12797893A JP12797893A JP3369633B2 JP 3369633 B2 JP3369633 B2 JP 3369633B2 JP 12797893 A JP12797893 A JP 12797893A JP 12797893 A JP12797893 A JP 12797893A JP 3369633 B2 JP3369633 B2 JP 3369633B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- conductor
- weight
- parts
- wiring board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
- H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
- H05K3/4061—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in inorganic insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導体ペ−スト及びそれ
を用いたセラミック多層配線基板に関し、主として950
℃以下の低温で焼成されるセラミックの多層配線基板に
用いる導体ペ−スト及びそれを用いた多層配線基板に関
する。
を用いたセラミック多層配線基板に関し、主として950
℃以下の低温で焼成されるセラミックの多層配線基板に
用いる導体ペ−スト及びそれを用いた多層配線基板に関
する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器に用いられる配線基板には、高
速化、高密度化などの要求からセラミックの多層基板が
使用されるようになってきている。このような多層基板
には、層間の導通をとるためにヴイアが形成されてい
る。該ヴイアは、一般にセラミックのグリ−ンシ−トに
貫通穴を開け、導電材を充填し、積層、焼成することに
よって形成される。
速化、高密度化などの要求からセラミックの多層基板が
使用されるようになってきている。このような多層基板
には、層間の導通をとるためにヴイアが形成されてい
る。該ヴイアは、一般にセラミックのグリ−ンシ−トに
貫通穴を開け、導電材を充填し、積層、焼成することに
よって形成される。
【０００３】セラミックの多層配線基板には、主として
アルミナが用いられている。このアルミナ基板にはタン
グステン等の高融点の配線材料が用いられている。しか
し、近年の高速化、高密度化等の要求から銅や銀、金を
導体とする低温で焼成できる基板が開発され、利用され
つつある。この低温焼成多層セラミック基板の内部導体
としては、銅、銀系の導体、金等が用いられ、一方、そ
の表面導体としては、銅、銀−パラジウム、銀−白金、
金等が用いられている。
アルミナが用いられている。このアルミナ基板にはタン
グステン等の高融点の配線材料が用いられている。しか
し、近年の高速化、高密度化等の要求から銅や銀、金を
導体とする低温で焼成できる基板が開発され、利用され
つつある。この低温焼成多層セラミック基板の内部導体
としては、銅、銀系の導体、金等が用いられ、一方、そ
の表面導体としては、銅、銀−パラジウム、銀−白金、
金等が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、低温焼成多
層セラミック基板において、その内部に銀を、表面に銀
−パラジウムの導体を用いる場合、この内部配線とヴイ
ア又はヴイアと表面のいずれかで銀と銀−パラジウムを
接続する必要がある。
層セラミック基板において、その内部に銀を、表面に銀
−パラジウムの導体を用いる場合、この内部配線とヴイ
ア又はヴイアと表面のいずれかで銀と銀−パラジウムを
接続する必要がある。
【０００５】この接続部分では、銀とパラジウムとの原
子の拡散速度が異なることにより、銀中に空隙を生ずる
などの問題があった。そのため、信頼性の高い接続を得
るのが困難であり、特に表面導体を焼き付けた後抵抗や
金導体の焼成を行うと、接続状態が悪化するという問題
があった。
子の拡散速度が異なることにより、銀中に空隙を生ずる
などの問題があった。そのため、信頼性の高い接続を得
るのが困難であり、特に表面導体を焼き付けた後抵抗や
金導体の焼成を行うと、接続状態が悪化するという問題
があった。
【０００６】本発明は、上記問題点を解消することを技
術的課題とし、高信頼性の導体接続が可能な導体ペ−ス
ト及びそれを用いたセラミック多層配線基板を提供する
ことを目的とする。
術的課題とし、高信頼性の導体接続が可能な導体ペ−ス
ト及びそれを用いたセラミック多層配線基板を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、ヴイア用の導
体ペ−ストとして、Agに特定量のPd、Au及び／又はPt、
結晶化ガラス及びペ−スト化に必要な有機ビヒクルを適
量含むペ−ストを用いることを特徴とする。これによ
り、Agの内部配線とAg-Pdの表面導体とを接続してなる
セラミック多層配線基板において、ヴイアと表面導体と
の接続を確実なものとすることができ、また、内部配線
の導体との接続も悪くすることがなく、その結果、高い
信頼性の導体の接続を可能とするものである。
体ペ−ストとして、Agに特定量のPd、Au及び／又はPt、
結晶化ガラス及びペ−スト化に必要な有機ビヒクルを適
量含むペ−ストを用いることを特徴とする。これによ
り、Agの内部配線とAg-Pdの表面導体とを接続してなる
セラミック多層配線基板において、ヴイアと表面導体と
の接続を確実なものとすることができ、また、内部配線
の導体との接続も悪くすることがなく、その結果、高い
信頼性の導体の接続を可能とするものである。
【０００８】即ち、本発明は、「93〜97重量部のAg粉
末、0.5〜2重量部のPd粉末、残りの成分がAu粉末及び／
又はPt粉末（ただし、Au粉末は0〜5重量部、Pt粉末は0
〜3重量部）からなり、か つ、Pd粉末、Au粉末及びPt粉
末の合計が3〜7重量部であり、さらに0.3〜3重量部（外
割）の結晶化ガラス及び適量の有機ビヒクルからなるこ
とを特徴とする導体ペ−スト。」を要旨とし、また、
「Agの内部配線とAg-Pdの表面導体とを接続してなるセ
ラミック多層配線基板において、前記導体ペ−ストを、
上記Agの内部配線とAg-Pdの表面導体とを接続するヴイ
アに用いることを特徴とするセラミック多層配線基
板。」を要旨とする。
末、0.5〜2重量部のPd粉末、残りの成分がAu粉末及び／
又はPt粉末（ただし、Au粉末は0〜5重量部、Pt粉末は0
〜3重量部）からなり、か つ、Pd粉末、Au粉末及びPt粉
末の合計が3〜7重量部であり、さらに0.3〜3重量部（外
割）の結晶化ガラス及び適量の有機ビヒクルからなるこ
とを特徴とする導体ペ−スト。」を要旨とし、また、
「Agの内部配線とAg-Pdの表面導体とを接続してなるセ
ラミック多層配線基板において、前記導体ペ−ストを、
上記Agの内部配線とAg-Pdの表面導体とを接続するヴイ
アに用いることを特徴とするセラミック多層配線基
板。」を要旨とする。
【０００９】
【作用】上記した本発明に係るヴイア用の導体ペ−スト
によれば、このヴイア用導体としてAgの他にPdを、さら
にAu及び／又はPtを加えることによって、表面のAg-Pd
導体とヴイア導体とが接する部分での金属原子の移動速
度の差が小さくする作用が生じる。そのため、表面導体
からヴイア導体方向への金属原子の拡散量と逆方向の拡
散量との差が少なくなり、ヴイア導体の周辺に発生する
空洞をなくすことができ、ヴイアと表面導体との接続を
確実なものとすることができる。
によれば、このヴイア用導体としてAgの他にPdを、さら
にAu及び／又はPtを加えることによって、表面のAg-Pd
導体とヴイア導体とが接する部分での金属原子の移動速
度の差が小さくする作用が生じる。そのため、表面導体
からヴイア導体方向への金属原子の拡散量と逆方向の拡
散量との差が少なくなり、ヴイア導体の周辺に発生する
空洞をなくすことができ、ヴイアと表面導体との接続を
確実なものとすることができる。
【００１０】その上、このヴイア導体を用いれば、内部
の導体との接続も悪くすることがないので、高い信頼性
の導体の接続が可能となるものである。また、上記した
本発明の導体ペ−ストによれば、結晶化ガラスを配合す
ることによりセッタ−への付着が生じることがなく、ク
ラックの発生もない作用が生じる。
の導体との接続も悪くすることがないので、高い信頼性
の導体の接続が可能となるものである。また、上記した
本発明の導体ペ−ストによれば、結晶化ガラスを配合す
ることによりセッタ−への付着が生じることがなく、ク
ラックの発生もない作用が生じる。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。表面のAg
-Pd導体は、通常Pd比率が10〜20wt％のものが用いられ
ている。これは、10wt％より少ないと、エレクトロマイ
グレ−ションの発生する確率が高くなり、一方、20wt％
より多いと高価になるばかりでなく、シ−ト抵抗も上昇
するからである。
-Pd導体は、通常Pd比率が10〜20wt％のものが用いられ
ている。これは、10wt％より少ないと、エレクトロマイ
グレ−ションの発生する確率が高くなり、一方、20wt％
より多いと高価になるばかりでなく、シ−ト抵抗も上昇
するからである。
【００１２】本発明において、このAg-Pdからなる表面
導体と接するヴイア導体は、Agを主成分とし、Pdを0.5
〜2wt％含み、Pd、Au、Ptの合計を3〜7wt％含まなけれ
ばならない。Pdは、表面のAg-Pd導体との接続の改良に
有効なため、0.5wt％以上含む必要がある。しかし、2wt
％を超える量では内部のAg導体との接続が悪くなるの
で、0.5〜2wt％の範囲にあることが望ましい。
導体と接するヴイア導体は、Agを主成分とし、Pdを0.5
〜2wt％含み、Pd、Au、Ptの合計を3〜7wt％含まなけれ
ばならない。Pdは、表面のAg-Pd導体との接続の改良に
有効なため、0.5wt％以上含む必要がある。しかし、2wt
％を超える量では内部のAg導体との接続が悪くなるの
で、0.5〜2wt％の範囲にあることが望ましい。
【００１３】Au及び／又はPtの添加も表面のAg-Pd導体
との接続を改良できる。Pdの他にAu及び／又はPtを加え
た場合には、内部のAg導体との接続をあまり悪くしない
で表面との接続を改善することができるので、Au、Ptの
いずれか又は両方を1wt％以上加えることが好ましい。P
d、Au、Ptの合計が3wt％より少ないと、表面のAg-Pdと
の接続が悪くなり、逆にこれらの合計が7wt％を超える
場合には、内部のAg導体との接続が悪くなるので、好ま
しくない。また、Au、Ptはそれぞれ5wt％以下、3wt％以
下でないと、内部配線のAg導体との接続が悪くなるの
で、好ましくない。
との接続を改良できる。Pdの他にAu及び／又はPtを加え
た場合には、内部のAg導体との接続をあまり悪くしない
で表面との接続を改善することができるので、Au、Ptの
いずれか又は両方を1wt％以上加えることが好ましい。P
d、Au、Ptの合計が3wt％より少ないと、表面のAg-Pdと
の接続が悪くなり、逆にこれらの合計が7wt％を超える
場合には、内部のAg導体との接続が悪くなるので、好ま
しくない。また、Au、Ptはそれぞれ5wt％以下、3wt％以
下でないと、内部配線のAg導体との接続が悪くなるの
で、好ましくない。
【００１４】本発明において、ガラスは、結晶化するも
のが好ましい。それは、再焼成による軟化がなく、基板
との密着性に優れるからであり、また、焼成時にアルミ
ナ等のセッタ−に付着しにくいからである。この結晶化
ガラスとしては、850℃の焼成で結晶を析出するような
組成のものであれば、いずれも使用することができる。
これを例示すれば、SiO2 33％、Al2O3 18％、B2O3 2
％、ZnO 17％、CaO 17％、TiO2 13％の組成からなるガ
ラス(850℃の焼成で結晶を析出する組成のガラス)など
を挙げることができる。
のが好ましい。それは、再焼成による軟化がなく、基板
との密着性に優れるからであり、また、焼成時にアルミ
ナ等のセッタ−に付着しにくいからである。この結晶化
ガラスとしては、850℃の焼成で結晶を析出するような
組成のものであれば、いずれも使用することができる。
これを例示すれば、SiO2 33％、Al2O3 18％、B2O3 2
％、ZnO 17％、CaO 17％、TiO2 13％の組成からなるガ
ラス(850℃の焼成で結晶を析出する組成のガラス)など
を挙げることができる。
【００１５】結晶化ガラスの量が0.3wt％未満の場合に
は、アルミナ等焼成時に用いるセッタ−に付着すること
があり、また、ヴイア導体と基板との密着性が良くない
ので空隙を生じることがあり、好ましくない。逆に3％
を超える量では、ヴイア導体の周辺の基板にクラックを
生じることがあるので、本発明では0.3〜3重量部（外
割）の結晶化ガラスを用いるのが好ましい。
は、アルミナ等焼成時に用いるセッタ−に付着すること
があり、また、ヴイア導体と基板との密着性が良くない
ので空隙を生じることがあり、好ましくない。逆に3％
を超える量では、ヴイア導体の周辺の基板にクラックを
生じることがあるので、本発明では0.3〜3重量部（外
割）の結晶化ガラスを用いるのが好ましい。
【００１６】本発明において、金属成分として使用する
原材料のうち、Ag粉末としては、球形のAg粉末を使用す
るのが好ましい。球形のAg粉末は、吸油量が小さいため
ペ−スト化しやすく、しかも固形分や粘度の調整が容易
であるからである。このような球形のAg粉末の粒径とし
ては、0.5〜2μｍが好ましい。
原材料のうち、Ag粉末としては、球形のAg粉末を使用す
るのが好ましい。球形のAg粉末は、吸油量が小さいため
ペ−スト化しやすく、しかも固形分や粘度の調整が容易
であるからである。このような球形のAg粉末の粒径とし
ては、0.5〜2μｍが好ましい。
【００１７】また、本発明において、Pd粉末としては、
同じく球形であって、その粒径：0.2〜1μｍが好まし
い。一方、Au粉末は粒径：0.2〜1.5μｍが、また、Pt粉
末は粒径：0.1〜1.5μｍのものが適している。
同じく球形であって、その粒径：0.2〜1μｍが好まし
い。一方、Au粉末は粒径：0.2〜1.5μｍが、また、Pt粉
末は粒径：0.1〜1.5μｍのものが適している。
【００１８】有機ビヒクルについては、ペ−スト化で
き、充填できるような粘度特性が得られるものならば、
いずれも使用することができる。これを例示すれば、エ
チルセルロ−ス、メタクリレ−ト樹脂などを高沸点の溶
剤(例えばテルピネオ−ル、ブチルカルビノ−ル、ジブ
チルフタレ−トなどの溶剤)に10〜20％溶解したものを
挙げることができる。
き、充填できるような粘度特性が得られるものならば、
いずれも使用することができる。これを例示すれば、エ
チルセルロ−ス、メタクリレ−ト樹脂などを高沸点の溶
剤(例えばテルピネオ−ル、ブチルカルビノ−ル、ジブ
チルフタレ−トなどの溶剤)に10〜20％溶解したものを
挙げることができる。
【００１９】また、有機ビヒクルの量は、金属成分に対
して10〜20％の範囲にあることが好ましい。さらに、本
発明において、必要に応じ分散剤や粘度調整剤などを添
加することも有効であり、これも本発明に包含されるも
のである。
して10〜20％の範囲にあることが好ましい。さらに、本
発明において、必要に応じ分散剤や粘度調整剤などを添
加することも有効であり、これも本発明に包含されるも
のである。
【００２０】本発明の導体ペ−ストは、表面にAg-Pdの
導体を、内部配線にAgを用いる場合、これらを接続する
ヴイア導体として用いることができる。また、内部配線
としてAg-Pd導体とAg導体を併用する場合、この接続用
ヴイアとしても使用できる。
導体を、内部配線にAgを用いる場合、これらを接続する
ヴイア導体として用いることができる。また、内部配線
としてAg-Pd導体とAg導体を併用する場合、この接続用
ヴイアとしても使用できる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と共に挙げ、
本発明をより詳細に説明する。
本発明をより詳細に説明する。
【００２２】（実施例１〜７）
(1) 原材料
実施例１〜７において、次の原材料を使用した。
・銀(Ag)粉末：三井金属鉱業社製の粒径約１μｍで球形
に近い粉末。 ・パラジウム(Pd)粉末：住友金属鉱山社製の粒径約0.5
μｍの粉末。 ・金(Au)粉末：田中貴金属インタ−ナショナル社製の粒
径約1μｍの粉末。 ・白金(Pt)粉末：田中貴金属工業社製の粒径約1μｍの
粉末。 ・結晶化ガラス：SiO2 33％、Al2O3 18％、B2O3 2％、Z
nO 17％、CaO 17％、TiO2 13％の組成からなるガラス(8
50℃の焼成で結晶を析出する組成のガラス)。 ・有機ビヒクル：エチルセルロ−スを15％ジブチルフタ
レ−トに溶解した有機ビヒクル。
に近い粉末。 ・パラジウム(Pd)粉末：住友金属鉱山社製の粒径約0.5
μｍの粉末。 ・金(Au)粉末：田中貴金属インタ−ナショナル社製の粒
径約1μｍの粉末。 ・白金(Pt)粉末：田中貴金属工業社製の粒径約1μｍの
粉末。 ・結晶化ガラス：SiO2 33％、Al2O3 18％、B2O3 2％、Z
nO 17％、CaO 17％、TiO2 13％の組成からなるガラス(8
50℃の焼成で結晶を析出する組成のガラス)。 ・有機ビヒクル：エチルセルロ−スを15％ジブチルフタ
レ−トに溶解した有機ビヒクル。
【００２３】(2) 導体ペ−ストの調製
上記銀(Ag)粉末、パラジウム(Pd)粉末、金(Au)粉末、白
金(Pt)粉末、結晶化ガラスをそれぞれ表１に示す割合
（重量部）で混合し、さらに適量の有機ビヒクルを混合
した後、三本ロ−ルミルで混練し、導体ペ−ストを調製
した。
金(Pt)粉末、結晶化ガラスをそれぞれ表１に示す割合
（重量部）で混合し、さらに適量の有機ビヒクルを混合
した後、三本ロ−ルミルで混練し、導体ペ−ストを調製
した。
【００２４】(3) 多層セラミック基板の製造
アルミナ粉末：50重量％とホウケイ酸亜鉛ガラス：50重
量％とを混合し、これに有機バインダ−としてアクリル
樹脂を加えてスラリ−化し、該スラリ−をドクタ−ブレ
−ド法によりシ−ト状（厚み：約0.2ｍｍ）に成形し、
セラミックグリ−ンシ−トを得た。
量％とを混合し、これに有機バインダ−としてアクリル
樹脂を加えてスラリ−化し、該スラリ−をドクタ−ブレ
−ド法によりシ−ト状（厚み：約0.2ｍｍ）に成形し、
セラミックグリ−ンシ−トを得た。
【００２５】このグリ−ンシ−トにＮＣパンチングによ
り、0.15ｍｍのヴイア用の穴を開けた。次に、この穴に
前記(2)のヴイア用の導体ペ−ストを印刷により充填
し、さらに、この上に内部の配線パタ−ンを印刷した。
熱圧着後、400℃で脱バインダ−し、850℃で焼成して多
層セラミック基板を得た。得られた基板に銀−パラジウ
ム(Pd比率20％)ペ−ストを印刷し、850℃で焼成した。
さらに、この基板を、抵抗や金導体等の焼成を想定し
て、850℃で3回再焼成した。
り、0.15ｍｍのヴイア用の穴を開けた。次に、この穴に
前記(2)のヴイア用の導体ペ−ストを印刷により充填
し、さらに、この上に内部の配線パタ−ンを印刷した。
熱圧着後、400℃で脱バインダ−し、850℃で焼成して多
層セラミック基板を得た。得られた基板に銀−パラジウ
ム(Pd比率20％)ペ−ストを印刷し、850℃で焼成した。
さらに、この基板を、抵抗や金導体等の焼成を想定し
て、850℃で3回再焼成した。
【００２６】(4) 評価
導通の評価は、図１に示すようなパタ−ンの基板を作製
し、テスタ−にて導通を調べた。この基板の表裏それぞ
れに96箇所の導通箇所（測定箇所）を設け、各実施例ご
とに50基板作製し、それぞれ合計9600箇所の導通を調査
した。その結果を表１に示す。
し、テスタ−にて導通を調べた。この基板の表裏それぞ
れに96箇所の導通箇所（測定箇所）を設け、各実施例ご
とに50基板作製し、それぞれ合計9600箇所の導通を調査
した。その結果を表１に示す。
【００２７】なお、図１は、導通評価用の基板の断面の
模式図であり、１はセラミック層、２はヴイア、３は内
部配線、４は表面導体をそれぞれ示す。上記した導通の
調査は、図１において、端子Ａ−端子Ｂ間(表)及び端子
Ｃ−端子Ｄ間(裏)の導通をテスタ−にて調べたものであ
る。
模式図であり、１はセラミック層、２はヴイア、３は内
部配線、４は表面導体をそれぞれ示す。上記した導通の
調査は、図１において、端子Ａ−端子Ｂ間(表)及び端子
Ｃ−端子Ｄ間(裏)の導通をテスタ−にて調べたものであ
る。
【００２８】（比較例１〜６）なお、比較のため、実施
例と同一の原材料を用い、表１に示す割合（重量部）の
導体ペ−ストを実施例と同様に調製した。得られた導体
ペ−ストに対して、同じく実施例と同様に評価を行っ
た。その結果を表１に付記した。比較例１、２、４で
は、断面観察の結果、表面導体とヴイアの接続部付近で
空洞が認められ、また、比較例３では内部配線とヴイア
の接続部で空洞が観察された。
例と同一の原材料を用い、表１に示す割合（重量部）の
導体ペ−ストを実施例と同様に調製した。得られた導体
ペ−ストに対して、同じく実施例と同様に評価を行っ
た。その結果を表１に付記した。比較例１、２、４で
は、断面観察の結果、表面導体とヴイアの接続部付近で
空洞が認められ、また、比較例３では内部配線とヴイア
の接続部で空洞が観察された。
【００２９】
【表１】
【００３０】Pd配合の有無については、表１から明らか
なように、実施例１〜７においてPdを配合することによ
り表面のAg-Pd導体との接続性が改善され、導通不良が
皆無であった。これに対して、Pdを配合しない比較例１
(Ag：100重量部のペ−スト)では、15箇所の導通不良箇
所が発生した。また、このPdの配合量については、比較
例３(Pd量：3重量部)でみられるように、Pd量が多いと
内部配線との接続が逆に悪くなることが認められ、従っ
て、本発明では、実施例１〜７のようにPd量：0.5〜2wt
％配合するのが好ましい。
なように、実施例１〜７においてPdを配合することによ
り表面のAg-Pd導体との接続性が改善され、導通不良が
皆無であった。これに対して、Pdを配合しない比較例１
(Ag：100重量部のペ−スト)では、15箇所の導通不良箇
所が発生した。また、このPdの配合量については、比較
例３(Pd量：3重量部)でみられるように、Pd量が多いと
内部配線との接続が逆に悪くなることが認められ、従っ
て、本発明では、実施例１〜７のようにPd量：0.5〜2wt
％配合するのが好ましい。
【００３１】その上、比較例２との対比から明らかなよ
うに、本発明では、Pd量を0.5〜2wt％とし、さらにAu及
び／又はPtを添加することにより、内部配線との接続を
悪化しないで表面導体との接続を改善する効果があるこ
とが認められた。しかし、Auは5wt％を超えると、実施
例６と比較例５との対比から明らかなように、やはり内
部配線との接続性が悪くなることが認められた。また、
Ptは3wt％を超えると、実施例７と比較例６との対比か
ら明らかなように、同じく内部配線との接続が悪化する
ことが認められた。
うに、本発明では、Pd量を0.5〜2wt％とし、さらにAu及
び／又はPtを添加することにより、内部配線との接続を
悪化しないで表面導体との接続を改善する効果があるこ
とが認められた。しかし、Auは5wt％を超えると、実施
例６と比較例５との対比から明らかなように、やはり内
部配線との接続性が悪くなることが認められた。また、
Ptは3wt％を超えると、実施例７と比較例６との対比か
ら明らかなように、同じく内部配線との接続が悪化する
ことが認められた。
【００３２】（実施例８、９）セッタ−への付着及びク
ラック発生の有無を調査するため、表２に示す配合割合
の導体ペ−ストを調製した。(使用原材料は前記と同一
のものを使用した。)この導体ペ−ストを用いたものに
対して、 (1) セッタ−への付着の有無として、アルミナセッタ−
を実体顕微鏡で観察した。 (2) クラック発生の有無として、試料をエポキシ樹脂に
包埋後、断面が見えるように研磨し、顕微鏡にて観察し
た。 この(1)及び(2)の観察結果を表２に示す。
ラック発生の有無を調査するため、表２に示す配合割合
の導体ペ−ストを調製した。(使用原材料は前記と同一
のものを使用した。)この導体ペ−ストを用いたものに
対して、 (1) セッタ−への付着の有無として、アルミナセッタ−
を実体顕微鏡で観察した。 (2) クラック発生の有無として、試料をエポキシ樹脂に
包埋後、断面が見えるように研磨し、顕微鏡にて観察し
た。 この(1)及び(2)の観察結果を表２に示す。
【００３３】（比較例７、８）なお、比較のため、結晶
化ガラス無添加(比較例７)及び5重量部添加(比較例８)
の導体ペ−ストを実施例８、９と同様に調製した。この
導体ペ−ストを用いたものに対して、上記(1)及び(2)の
観察をした。その観察結果を表２に付記した。
化ガラス無添加(比較例７)及び5重量部添加(比較例８)
の導体ペ−ストを実施例８、９と同様に調製した。この
導体ペ−ストを用いたものに対して、上記(1)及び(2)の
観察をした。その観察結果を表２に付記した。
【００３４】
【表２】
【００３５】表２から明らかなように、結晶化ガラス無
添加の比較例７では、クラックが発生しないけれども、
セッタ−への付着が認められた。また、この結晶化ガラ
スを5重量部配合した比較例８では、逆にセッタ−への
付着が認められないものの、クラックが発生した。これ
に対して、実施例８、９でみられるように、結晶化ガラ
スの配合量が0.3〜3wt％でセッタ−への付着及びクラッ
ク発生が認められなかった。
添加の比較例７では、クラックが発生しないけれども、
セッタ−への付着が認められた。また、この結晶化ガラ
スを5重量部配合した比較例８では、逆にセッタ−への
付着が認められないものの、クラックが発生した。これ
に対して、実施例８、９でみられるように、結晶化ガラ
スの配合量が0.3〜3wt％でセッタ−への付着及びクラッ
ク発生が認められなかった。
【００３６】
【発明の効果】以上のとおり、本発明にかかる導体ペ−
ストをヴイア用の導体ペ−ストとして用いることによ
り、Ag導体（内部配線）とAg-Pd導体（表面導体）とを
良好に接続することができる効果が生じる。従って、内
部配線に低抵抗のAg導体を使用した、接続信頼性に優れ
たセラミック多層基板を提供することができる。また、
本発明にかかる導体ペ−ストによれば、結晶化ガラスを
配合することによりセッタ−への付着が生じることがな
く、しかもヴイア導体周辺の基板にクラックが発生する
こともない効果が生じる。
ストをヴイア用の導体ペ−ストとして用いることによ
り、Ag導体（内部配線）とAg-Pd導体（表面導体）とを
良好に接続することができる効果が生じる。従って、内
部配線に低抵抗のAg導体を使用した、接続信頼性に優れ
たセラミック多層基板を提供することができる。また、
本発明にかかる導体ペ−ストによれば、結晶化ガラスを
配合することによりセッタ−への付着が生じることがな
く、しかもヴイア導体周辺の基板にクラックが発生する
こともない効果が生じる。
【図１】導通評価用の基板の断面模式図。
１ セラミック層
２ ヴイア
３ 内部配線
４ 表面導体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｓ
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01B 1/00 - 1/24
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】 93〜97重量部のAg粉末、0.5〜2重量部の
Pd粉末、残りの成分がAu粉末及び／又はPt粉末（ただ
し、Au粉末は0〜5重量部、Pt粉末は0〜3重量部）からな
り、かつ、Pd粉末、Au粉末及びPt粉末の合計が3〜7重量
部であり、さらに0.3〜3重量部（外割）の結晶化ガラス
及び適量の有機ビヒクルからなることを特徴とする導体
ペ−スト。 - 【請求項２】 Agの内部配線とAg-Pdの表面導体とを接
続してなるセラミック多層配線基板において、93〜97重
量部のAg粉末、0.5〜2重量部のPd粉末、残りの成分がAu
粉末及び／又はPt粉末（ただし、Au粉末は0〜5重量部、
Pt粉末は0〜3重量部）からなり、かつ、Pd粉末、Au粉末
及びPt粉末の合計が3〜7重量部であり、さらに0.3〜3重
量部（外割）の結晶化ガラス及び適量の有機ビヒクルか
らなる導体ペ−ストを、上記Agの内部配線とAg-Pdの表
面導体とを接続するヴイアに用いることを特徴とするセ
ラミック多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12797893A JP3369633B2 (ja) | 1993-05-01 | 1993-05-01 | 導体ペースト及びそれを用いたセラミック多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12797893A JP3369633B2 (ja) | 1993-05-01 | 1993-05-01 | 導体ペースト及びそれを用いたセラミック多層配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314517A JPH06314517A (ja) | 1994-11-08 |
| JP3369633B2 true JP3369633B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=14973407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12797893A Expired - Fee Related JP3369633B2 (ja) | 1993-05-01 | 1993-05-01 | 導体ペースト及びそれを用いたセラミック多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3369633B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4247863B2 (ja) | 1999-07-12 | 2009-04-02 | ソニー株式会社 | 電子部品用金属材料、電子部品用配線材料、電子部品用電極材料、電子部品、電子機器、金属材料の加工方法及び電子光学部品 |
| KR100393592B1 (ko) * | 2001-07-05 | 2003-08-02 | 엘지전자 주식회사 | 도전성 페이스트 및 이를 이용한 집적 회로 장치 |
| TW200733143A (en) | 2006-01-23 | 2007-09-01 | Hitachi Metals Ltd | Conductor paste, multilayer ceramic substrate and fabrication method of multilayer ceramic substrate |
| CN109628790A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-04-16 | 山东赢耐鑫电子科技有限公司 | 一种高纯金银钯铂合金键合引线及其制备方法 |
-
1993
- 1993-05-01 JP JP12797893A patent/JP3369633B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06314517A (ja) | 1994-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3209089B2 (ja) | 導電性ペースト | |
| JPH11274717A (ja) | 導電ペーストおよびそれを用いたセラミック基板の製造方法 | |
| JP3422233B2 (ja) | バイアホール用導電性ペースト、およびそれを用いた積層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH09246723A (ja) | 低温焼成セラミック回路基板 | |
| JP2003077336A (ja) | 導電性ペースト及びこれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| JP3369633B2 (ja) | 導体ペースト及びそれを用いたセラミック多層配線基板 | |
| JP4038602B2 (ja) | 導電性ペースト及びセラミック多層基板 | |
| JP3785903B2 (ja) | 多層基板及びその製造方法 | |
| JPH06334351A (ja) | 導体ペーストおよびそれを用いたセラミック多層配線基板 | |
| JP3119714B2 (ja) | 導体ペースト組成物および配線基板 | |
| JP2898121B2 (ja) | 導体ぺーストおよび配線基板 | |
| JP2965222B2 (ja) | 導体ペースト | |
| JP4012601B2 (ja) | 銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板 | |
| JPH08298018A (ja) | 導電性ペースト | |
| JP3098288B2 (ja) | 導体組成物およびそれを用いたセラミック基板 | |
| JPH0917232A (ja) | 導体ペースト組成物 | |
| JP4646362B2 (ja) | 導体組成物およびこれを用いた配線基板 | |
| JPH06302968A (ja) | セラミックス多層配線基板 | |
| JPH1116418A (ja) | 銅メタライズ組成物及びそれを用いたガラスセラミック配線基板 | |
| JP3790361B2 (ja) | 導電ペースト組成物およびそれを用いたセラミック配線基板 | |
| JP4022102B2 (ja) | 多層配線基板 | |
| JP3879276B2 (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
| JPH11186727A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JP2004140005A (ja) | 配線基板 | |
| JP3252743B2 (ja) | セラミックス回路基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |