JP3365461B2 - Surface treatment method and apparatus - Google Patents
Surface treatment method and apparatusInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、表面処理方法及びその
装置に関し、例えば、シリコン半導体ウエハの表面自然
酸化膜中の微量不純物を分析するための表面処理方法及
びその装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface treatment method and an apparatus therefor, for example, a surface treatment method and an apparatus therefor for analyzing trace impurities in a surface native oxide film of a silicon semiconductor wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】分析技術は種々の分野で重要になってい
る。電子材料の分野では、微量不純物が特性に大きな影
響を与えるので、感度の高い分析技術が望まれている。2. Description of the Related Art Analytical techniques have become important in various fields. In the field of electronic materials, trace impurities have a great influence on the characteristics, and therefore a highly sensitive analysis technique is desired.
【０００３】例えば、洗浄後のシリコン半導体ウエハの
表面自然酸化膜中の極微量不純物量を知ることによって
不純物の混入原因を究明し、これを製造プロセスの制御
（例えば使用薬液の使用可能回数）にフィードバックし
て不純物量の少ない洗浄方法を確立し、その耐圧特性等
を向上させることができる。[0003] For example, the cause of contamination of impurities is investigated by knowing the amount of extremely small amounts of impurities in the surface natural oxide film of a silicon semiconductor wafer after cleaning, and this is used for controlling the manufacturing process (for example, the number of times the chemical solution can be used). By feeding back, a cleaning method with a small amount of impurities can be established, and the pressure resistance characteristics and the like can be improved.
【０００４】従来、このための分析技術としては、「気
相分解法」等の技術が知られている。これは、酸化膜を
フッ化水素酸で溶解し、このフッ化水素酸中の金属をフ
ァーネス（フレームレス）原子吸光光度計、ＩＣＰ質量
分析計、全反射螢光Ｘ線で測定する技術である。例え
ば、この技術においては、シリコンウエハを常温、常圧
のフッ化水素蒸気中に曝したのち、水を一滴垂らし、ウ
エハ上をまんべんなく行き渡るように傾け、酸化膜と反
応した試料液を回収して分析する。Conventionally, techniques such as the "gas phase decomposition method" are known as analytical techniques for this purpose. This is a technique in which an oxide film is dissolved with hydrofluoric acid, and the metal in the hydrofluoric acid is measured with a furnace (frameless) atomic absorption spectrophotometer, an ICP mass spectrometer, and total reflection fluorescence X-ray. . For example, in this technique, a silicon wafer is exposed to hydrogen fluoride vapor at room temperature and pressure, then a drop of water is dropped, and the sample liquid that has reacted with the oxide film is collected by tilting it so that it spreads evenly over the wafer. analyse.
【０００５】この方法を用いると、例えば50nm厚の酸化
膜が形成された４インチシリコンウエハをフッ化水素蒸
気中に３時間曝して、フレームレス原子吸光分析法を使
用して、被測定不純物金属によって異なるが、 109〜10
10atoms/cm2 の金属を測定することが可能と言われてい
る。When this method is used, for example, a 4-inch silicon wafer on which an oxide film having a thickness of 50 nm is formed is exposed to vapor of hydrogen fluoride for 3 hours, and flameless atomic absorption spectrometry is used to measure the impurity metal to be measured. Depends on 10 9 to 10
It is said that it is possible to measure 10 atoms / cm 2 of metal.
【０００６】しかし、この方法は、測定に時間がかか
り、使いづらいという問題点が指摘されている。しか
も、この技術は、必ずしもその内容が詳しく開示されて
はおらず、応用が困難である。However, it has been pointed out that this method requires a long time for measurement and is difficult to use. Moreover, the content of this technology is not always disclosed in detail, and its application is difficult.
【０００７】他方、各種機器分析を用いて測定可能な不
純物元素もあるが、感度的に劣り、実用的でない。On the other hand, there are some impurity elements that can be measured using various types of instrumental analysis, but they have poor sensitivity and are not practical.
【０００８】このような分析技術の中で重要なことは、
いかに清浄に少量のフッ化水素酸で溶解するかである
が、従来このための技術としては、特開昭60−150620号
公報に記載されたフッ化水素蒸気による溶解、特開昭62
−209335号公報に記載されたようにフッ化水素蒸気を薄
膜上に吹きつける方法、特開平１−98944 号公報に記載
されたように蒸気分解後に超純水で溶解、回収する方法
が知られている。[0008] The important thing in such an analysis technique is
How to cleanly dissolve with a small amount of hydrofluoric acid is a conventional technique for this. Dissolution with hydrogen fluoride vapor described in JP-A-60-150620, JP-A-62-
A method of spraying hydrogen fluoride vapor onto a thin film as described in JP-A-209335 and a method of dissolving and recovering with ultrapure water after vapor decomposition as described in JP-A-1-98944 are known. ing.
【０００９】しかし、これら公知技術では、フッ化水素
蒸気による環境汚染の問題があり、しかも分析されるべ
き膜厚によっては分析不可能となる場合がある。However, these known techniques have a problem of environmental pollution due to hydrogen fluoride vapor, and may not be able to be analyzed depending on the film thickness to be analyzed.
【００１０】[0010]
【発明に至る経過】そこで、本出願人は、少量の処理液
により被分析材表面の分析を行い、環境汚染の問題を著
しく軽減し、広範囲の膜厚の被分析材に適用可能な効果
的な分析方法（これを以下に「先願発明」と称する。）
を特開平５−20354 号（特願平４−76182 号）において
提案している。Therefore, the applicant of the present invention analyzes the surface of the material to be analyzed with a small amount of the treatment liquid, significantly reduces the problem of environmental pollution, and is effective in applying the material to be analyzed in a wide range of film thicknesses. Analytical method (hereinafter referred to as "prior invention")
Is proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-20354 (Japanese Patent Application No. 4-76182).
【００１１】図15は、この先願発明による分析方法を実
施する装置の一例の概略図である。FIG. 15 is a schematic view of an example of an apparatus for carrying out the analysis method according to the invention of the prior application.
【００１２】半導体ウエハからなる被分析材Ｗは載置台
35上に支持され、この載置台35の軸36を中心に矢印55で
示すように回転運動する。一方、分解液44を保持したロ
ッド状の分解液保持部37は、アーム38が矢印46方向に回
動することにより被分析材Ｗ上の酸化膜に分解液３を接
触させる。分解液保持部37の運動（円弧運動）は、継手
39を介して軸40が回動することによって実現される。こ
の回動は、スロット45付きの作動板41と、スロット45へ
の係合ピン46を有し、矢印43方向に回転可能な回転板42
との組み合わせからなる。The material W to be analyzed made of a semiconductor wafer is mounted on a mounting table.
It is supported on 35 and rotates about the shaft 36 of the mounting table 35 as shown by an arrow 55. On the other hand, in the rod-shaped decomposition liquid holding portion 37 holding the decomposition liquid 44, the decomposition liquid 3 is brought into contact with the oxide film on the analyzed material W by the arm 38 rotating in the direction of the arrow 46. The movement (arc movement) of the decomposition liquid holding part 37
It is realized by rotating the shaft 40 via 39. This rotation has an operating plate 41 with a slot 45 and an engaging pin 46 for the slot 45, and a rotating plate 42 rotatable in the direction of arrow 43.
Combining with and.
【００１３】こうした機構は仮想線で示す密閉容器47の
中に収容され、この容器外へ導出された上記の軸36及び
軸40は容器49及び容器48によりシール構造が設けられ、
外気が密閉容器47に入り込まないようになっている。従
って、この容器47内には、窒素ガスを供給し、正圧の窒
素雰囲気が生成され、これによって汚染防止及び酸化防
止が図られる。Such a mechanism is housed in a closed container 47 shown in phantom, and the shaft 36 and the shaft 40 led out of the container are provided with a sealing structure by a container 49 and a container 48,
The outside air is prevented from entering the closed container 47. Therefore, nitrogen gas is supplied into the container 47 to generate a positive pressure nitrogen atmosphere, thereby preventing pollution and preventing oxidation.
【００１４】この装置による被分析材の処理に際して
は、分解液保持部37上に半導体ウエハＷを載置し、この
半導体ウエハ（被分析材）Ｗと分解液保持部37との間に
例えば１〜５mmの間隙を持たせ、分解液保持部37の先端
に分解液44として、20〜100 μｌのフッ化水素酸を垂ら
すと、表面張力により分解液44はその保持部37の先端と
半導体ウエハＷとの間に接触、保持される。When processing the material to be analyzed by this apparatus, a semiconductor wafer W is placed on the decomposition liquid holding portion 37, and, for example, 1 is placed between the semiconductor wafer (analysis material) W and the decomposition liquid holding portion 37. With a gap of ˜5 mm, 20 to 100 μl of hydrofluoric acid is dropped on the tip of the decomposition liquid holding part 37 as the decomposition liquid 44, and the decomposition liquid 44 is caused by the surface tension to the tip of the holding part 37 and the semiconductor wafer. It is kept in contact with W.
【００１５】従って、この状態で半導体ウエハＷを例え
ば１〜５min/ｌ回転で回転運動させると同時に、分解液
保持部37をウエハＷ上で径方向に一往復30〜120minで直
線運動（実際は、半径20〜50cm程度の円弧運動をさせる
のが簡便でよい。）させることにより、分解液保持部37
の先端はウエハＷの表面を図16に示すように渦巻き状の
軌跡58を描きながら、分解液44をウエハＷの表面（実際
には自然酸化膜）の全域に接触させる。Therefore, in this state, the semiconductor wafer W is rotated at a rate of, for example, 1 to 5 min / l, and at the same time, the decomposition liquid holding portion 37 is linearly moved on the wafer W in a radial reciprocation of 30 to 120 min. It is convenient to make a circular arc movement with a radius of about 20 to 50 cm.)
16, the decomposition liquid 44 is brought into contact with the entire surface of the wafer W (actually a natural oxide film) while drawing a spiral locus 58 on the surface of the wafer W as shown in FIG.
【００１６】これによって、ウエハＷの表面の自然酸化
膜とフッ化水素酸44とが反応し、上記した軌跡に沿って
自然酸化膜が順次溶解せしめられ、その自然酸化膜中及
びその表面の不純物である金属はフッ化水素酸44中に補
集される。このようにして捕集された金属を含む液は、
ファーネス原子吸光分析装置に注入され、金属濃度が分
析される。As a result, the natural oxide film on the surface of the wafer W reacts with the hydrofluoric acid 44, and the natural oxide film is sequentially dissolved along the above-mentioned locus, and impurities in the natural oxide film and on the surface thereof are dissolved. The metal is collected in hydrofluoric acid 44. The liquid containing the metal thus collected is
It is injected into the furnace atomic absorption spectrophotometer and the metal concentration is analyzed.
【００１７】なお、この装置は、窒素ガス雰囲気中で半
導体ウエハを処理するものであるが、窒素ガスとしてバ
ブラーを通した湿潤な窒素（または湿潤なアルゴンでも
よい。）を密閉容器47内に供給して処理することもでき
る。この場合は、ウエハ表面の自然酸化膜をフッ化水素
酸で溶解する間にフッ化水素酸が蒸発するのを防ぐこと
ができる。また、窒素ガス中に不純物が含有されていて
も、これがバブラーで捕集されるため、装置内にこの不
純物が随伴されないという利点がある。Although this apparatus processes semiconductor wafers in a nitrogen gas atmosphere, wet nitrogen (or wet argon may be used) that has passed through a bubbler as nitrogen gas is supplied into the closed container 47. It can also be processed. In this case, it is possible to prevent the hydrofluoric acid from evaporating while the natural oxide film on the wafer surface is dissolved with hydrofluoric acid. Further, even if impurities are contained in the nitrogen gas, the impurities are collected by the bubbler, so that there is an advantage that the impurities are not accompanied in the apparatus.
【００１８】上記したように、先願発明に使用可能な図
15に示した装置は、分解液保持部37の先端の被分析材Ｗ
との間隙に分解液44を保持させ、両者を相対的に回転さ
せて処理しているので、分解液44を被分析材Ｗの必要な
箇所にのみ触れさせればよく、分解液44の液量は少量で
済む。従って、環境汚染の問題が大きく軽減される。As described above, a diagram usable in the invention of the prior application
The apparatus shown in FIG.
Since the decomposition liquid 44 is held in the gap between and and both are relatively rotated for processing, the decomposition liquid 44 may be brought into contact only with a necessary portion of the material W to be analyzed. Only a small amount is needed. Therefore, the problem of environmental pollution is greatly reduced.
【００１９】また、上記の間隙は容易に調整することが
できるため、分解液44の使用量を適切に設定でき、液量
も容易に調整できる。従って、被分析材が膜状態である
場合でも、或いは種々の膜厚（通常、自然酸化膜を処理
することが多いが、厚さ10nm以下の酸化膜に適用でき
る）である場合でも広範囲な分析が可能である。Further, since the above-mentioned gap can be easily adjusted, the amount of the decomposition liquid 44 used can be appropriately set, and the amount of liquid can also be easily adjusted. Therefore, even if the material to be analyzed is in a film state, or even if it has various thicknesses (usually a natural oxide film is often processed, it can be applied to an oxide film with a thickness of 10 nm or less), a wide range of analysis Is possible.
【００２０】しかし、本発明者が先願発明に基づく方法
を検討したところ、なお改善すべき問題が残されている
ことを見出した。即ち、上記したように、被分析材Ｗの
表面の全域に亘って自然酸化膜をフッ化水素酸で溶解す
るため、被分析材Ｗの不純物量は全面での合計量でしか
求めることができないので、被分析材内の不純物量の面
内分布を測定することが不可能である。また、処理時間
も例えば６インチウエハで数10分必要である。However, when the present inventor examined the method based on the invention of prior application, it was found that there was still a problem to be improved. That is, as described above, since the natural oxide film is dissolved with hydrofluoric acid over the entire surface of the material to be analyzed W, the amount of impurities in the material to be analyzed W can be obtained only by the total amount on the entire surface. Therefore, it is impossible to measure the in-plane distribution of the amount of impurities in the analyzed material. Further, the processing time is, for example, several tens of minutes for a 6-inch wafer.
【００２１】被分析材Ｗとして特に大口径のウエハで
は、ウエハ上の各位置又は各領域によって自然酸化膜の
汚染金属の混入量が異なることが多いため、そうした位
置又は領域毎の金属濃度が不明であると、製造プロセス
の制御は大まかには可能であっても正確若しくは高精度
には制御できないことになる。In the case of a wafer having a particularly large diameter as the material W to be analyzed, the amount of contaminated metal in the natural oxide film is often different at each position or region on the wafer, and therefore the metal concentration at each such position or region is unknown. Therefore, although the manufacturing process can be roughly controlled, it cannot be controlled accurately or highly accurately.
【００２２】[0022]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した先願発明の特徴を生かしながら、被分析材の不純物
等の少なくとも面内分布の測定を短時間で可能にし、こ
れを有効な情報として活用できる表面処理方法及びその
装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to make it possible to measure at least the in-plane distribution of impurities and the like in the material to be analyzed in a short time while making use of the characteristics of the invention of the prior application described above. An object of the present invention is to provide a surface treatment method and apparatus that can be utilized as information.
【００２３】[0023]
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、複数の
処理液保持部と被分析材表面との各間隙に処理液をそれ
ぞれ保持させ、前記処理液保持部と前記被分析材とを相
対的に運動させながら、この被分析材の複数区域を前記
処理液で同時に処理し、この処理後の前記処理液を前記
被分析材表面域の不純物の分布を得るための分析に供す
る表面処理方法に係るものである。That is, according to the present invention, the treatment liquid is retained in each gap between the plurality of treatment liquid holding portions and the surface of the material to be analyzed, and the treatment liquid holding portion and the material to be analyzed are respectively held. A surface treatment in which a plurality of areas of the material to be analyzed are simultaneously treated with the treatment liquid while relatively moving, and the treatment liquid after this treatment is subjected to analysis for obtaining a distribution of impurities in the surface area of the material to be analyzed. It relates to the method.
【００２４】[0024]
【００２５】本発明において、複数の処理液保持部を被
分析材表面上で相対的に蛇行させることが望ましい。In the present invention, it is desirable that the plurality of treatment liquid holding portions meander relative to each other on the surface of the material to be analyzed.
【００２６】また、本発明は、複数の処理液保持部を幅
広とし、被分析材表面上で一方向に相対的に移動させる
ようにしてもよい。Further, in the present invention, the plurality of treatment liquid holding portions may be widened and relatively moved in one direction on the surface of the material to be analyzed.
【００２７】また、本発明において、処理液として、被
分析材の表面域を分解させる分解液を使用することが望
ましい。Further, in the present invention, it is desirable to use a decomposition liquid that decomposes the surface area of the material to be analyzed as the processing liquid.
【００２８】また、本発明は、半導体ウエハの表面域を
分解液で処理し、この処理後の分解液を前記表面域の不
純物量分布の分析に供するのに好適である。Further, the present invention is suitable for treating the surface area of a semiconductor wafer with a decomposition liquid and subjecting the decomposition liquid after this treatment to the analysis of the impurity amount distribution in the surface area.
【００２９】また、本発明において、湿潤な不活性気体
中で処理を行うことが望ましい。Further, in the present invention, it is desirable to carry out the treatment in a wet inert gas.
【００３０】また、本発明は、被分析材載置手段と、前
記被分析材載置手段上に載置した被分析材との間隙に、
前記被分析材の表面域を処理するための処理液をそれぞ
れ保持する複数の処理液保持部と、これらの処理液保持
部を前記被分析材表面の複数区域で前記被分析材と相対
的にかつ同時に運動させる駆動手段とを有し、処理後の
前記処理液を前記被分析材表面の不純物の分布を得るた
めの分析に供するように構成された表面処理装置をも提
供するものである。Further, according to the present invention, in the gap between the analyzed material placing means and the analyzed material placed on the analyzed material placing means,
A plurality of processing liquid holding parts respectively holding a processing liquid for processing the surface area of the analyzed material, and these processing liquid holding parts in a plurality of areas of the analyzed material surface relative to the analyzed material. The present invention also provides a surface treatment apparatus having a driving means for simultaneously moving the treatment solution and configured to use the treated solution after the treatment for an analysis for obtaining a distribution of impurities on the surface of the material to be analyzed.
【００３１】本発明に基づく装置において、被分析材載
置手段と、この被分析材載置手段上に載置した被分析材
の表面との間に一定間隙を保って配置した複数の処理液
保持部と、前記複数の処理液保持部を支持する第１の支
持手段とを処理室内に有し、前記複数の処理液保持部を
前記被分析材載置手段に対して相対的に運動させる駆動
手段を前記処理室外に有するように構成することが望ま
しい。In the apparatus according to the present invention, a plurality of treatment liquids are arranged with a constant gap between the analyzed material placing means and the surface of the analyzed material placed on the analyzed material placing means. A holding part and a first supporting means for supporting the plurality of processing liquid holding parts are provided in the processing chamber, and the plurality of processing liquid holding parts are moved relative to the analyte placing means. It is preferable that the driving means is provided outside the processing chamber.
【００３２】[0032]
【００３３】また、前記において、互いに交差する水平
な２方向へ交互に駆動する駆動手段により、複数の処理
液保持部が被分析材載置手段上を相対的に蛇行するよう
に構成されていることが望ましい。Further, in the above description, the plurality of processing liquid holding portions are configured to meander relative to each other on the analyte mounting means by the driving means alternately driven in two horizontal directions intersecting with each other. Is desirable.
【００３４】また、前記において、複数の処理液保持部
が幅広であって、被分析材載置手段上を水平な１方向へ
相対的に移動するように構成してもよい。Further, in the above description, the plurality of processing liquid holding portions may be wide and relatively movable in one horizontal direction on the analyte mounting means.
【００３５】また、前記において、駆動手段が、被分析
材載置手段の下に設けられ、この載置手段を駆動させる
ようになっていることが望ましい。Further, in the above, it is preferable that the driving means is provided below the analyzed material placing means and drives the placing means.
【００３６】また、前記において、駆動手段が処理室外
に設けられ、第１の支持手段から連設された第２の支持
手段を介して処理液保持部を駆動させるようにしてもよ
い。Further, in the above, the driving means may be provided outside the processing chamber, and the processing liquid holding section may be driven via the second supporting means connected to the first supporting means.
【００３７】また、本発明に基づく装置において、一端
側に処理液保持部を有する第１の支持手段の他端側が駆
動手段に固定されているように構成してもよい。Further, in the apparatus according to the present invention, the other end side of the first supporting means having the treatment liquid holding portion on one end side may be fixed to the driving means.
【００３８】また、本発明に基づく装置において、被分
析材載置手段が凹部を有し、この凹部に被分析材を容し
た状態でその周縁部を支持するようにすることができ
る。Further, in the apparatus according to the present invention, the analyte placing means may have a concave portion, and the peripheral edge portion may be supported while the analyte is contained in the concave portion.
【００３９】また、本発明に基づく装置において、被分
析材載置手段の外径が被分析材の外径より若干小さくな
っていることが望ましい。Further, in the apparatus according to the present invention, it is desirable that the outer diameter of the analyzed material placing means is slightly smaller than the outer diameter of the analyzed material.
【００４０】上記において、被分析材載置手段の外側面
に切欠き部が形成され、この切欠き部上に被分析材の一
部分が位置するように載置されることが望ましい。In the above description, it is desirable that a notch is formed on the outer surface of the analyte placing means, and that the analyte be placed so that a part of the analyte is located on the notch.
【００４１】また、本発明に基づく装置において、処理
液保持部と被分析材表面との間隙を調節するための調節
手段が第１の支持手段に設けられていることが望まし
い。Further, in the apparatus according to the present invention, it is desirable that the first supporting means is provided with an adjusting means for adjusting the gap between the treatment liquid holding portion and the surface of the material to be analyzed.
【００４２】また、本発明に基づく装置において、湿潤
な不活性気体を供給する機構が処理室に設けられている
ことが望ましい。Further, in the apparatus according to the present invention, it is desirable that a mechanism for supplying a wet inert gas is provided in the processing chamber.
【００４３】また、本発明に基づく装置において、処理
液保持部が、被分析材の表面域を分解させる分解液を保
持するようになっていることが望ましい。Further, in the apparatus according to the present invention, it is desirable that the treatment liquid holding portion holds a decomposition liquid for decomposing the surface area of the material to be analyzed.
【００４４】また、本発明に基づく装置は、半導体ウエ
ハの表面域を分解液で処理し、処理後の分解液を前記の
表面域の不純物量分布の分析に供するのに好適である。Further, the apparatus according to the present invention is suitable for treating the surface area of a semiconductor wafer with a decomposition solution and subjecting the decomposed solution after the processing to analysis of the impurity amount distribution in the surface area.
【００４５】[0045]
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。The present invention will be described in detail below with reference to examples.
【００４６】図１〜図８は、本発明の第１の実施例を示
すものである。1 to 8 show a first embodiment of the present invention.
【００４７】図１に示すように、本発明の第１の実施例
による処理装置15は、被分析材である半導体ウエハＷを
載置する被分析材載置台（以下、ウエハ載置台と称す
る。）１を有している。As shown in FIG. 1, the processing apparatus 15 according to the first embodiment of the present invention mounts an analyzed material mounting table (hereinafter referred to as a wafer mounting table) on which a semiconductor wafer W which is an analyzed material is mounted. ) 1.
【００４８】この載置台１の外径Ｄは、図５に示すよう
にウエハＷの外径Ｗｄより若干小さく、例えば約２mm小
さくなっており、これによりウエハＷの位置合わせが容
易になり、ウエハＷをウエハ載置台１の上の所定の位置
に正確に置くことができる。即ち、上方から見て、ウエ
ハ載置台１がウエハＷで完全に隠れるように置くだけで
ほぼ正確に載置することができる。また、ウエハ載置台
１の切欠き１ａは、真空ピンセットによるウエハＷの扱
い（載置及び離脱）を容易にするためのものである。As shown in FIG. 5, the outer diameter D of the mounting table 1 is slightly smaller than the outer diameter Wd of the wafer W, for example, about 2 mm, which facilitates the alignment of the wafer W and the wafer W. The W can be accurately placed at a predetermined position on the wafer mounting table 1. That is, when viewed from above, the wafer mounting table 1 can be mounted almost exactly by simply placing it so that it is completely hidden by the wafer W. Further, the notch 1a of the wafer mounting table 1 is for facilitating the handling (mounting and dismounting) of the wafer W by the vacuum tweezers.
【００４９】ウエハ載置台1の下には、ウエハ載置台1を
直交する水平な２方向に運動させるための駆動機構DMが
設けられている。この駆動機構DMは、台座11と、台座11
上に設けられたYステージ10と、Yステージ10上に設けら
れたXステージ9とによって構成されている。ウエハ載置
台1はXステージ9の上に固定されている。Below the wafer mounting table 1, a driving mechanism DM for moving the wafer mounting table 1 in two horizontal directions orthogonal to each other is provided. This drive mechanism DM includes a base 11 and a base 11
It is configured by a Y stage 10 provided on the upper side and an X stage 9 provided on the Y stage 10. The wafer mounting table 1 is fixed on the X stage 9.
【００５０】そして、台座11の上面には２本のガイド溝
11ａが平行に設けられ、Ｙステージ10の底面に設けた脚
部10ｂがガイド溝11ａに凹凸嵌合している。また、同様
に、Ｙステージ10の上面にも２本のガイド溝10ａが平行
に設けられ、Ｘステージ９の底面に設けた脚部９ａがガ
イド溝10ａに凹凸嵌合している。Two guide grooves are formed on the upper surface of the pedestal 11.
11a are provided in parallel with each other, and the leg portion 10b provided on the bottom surface of the Y stage 10 is fitted in the guide groove 11a. Similarly, two guide grooves 10a are also provided in parallel on the upper surface of the Y stage 10, and the leg portions 9a provided on the bottom surface of the X stage 9 are fitted in the guide grooves 10a in a concavo-convex manner.
【００５１】このＸステージ９及びＹステージ10は、各
々の駆動源（図示省略）により図１において矢印Ｘ及び
Ｙで示す方向にそれぞれ往復動するように構成されてい
る。従って、Ｘステージ９上に固定されているウエハ載
置台１は各ステージの運動に伴って運動する。このＸス
テージ９及びＹステージ10は個々に又は同時に運動する
ことができる。The X stage 9 and the Y stage 10 are configured to reciprocate in the directions indicated by arrows X and Y in FIG. 1 by their respective drive sources (not shown). Therefore, the wafer mounting table 1 fixed on the X stage 9 moves along with the movement of each stage. The X stage 9 and the Y stage 10 can move individually or simultaneously.
【００５２】ウエハ載置台１の上方には、基台５に支軸
６により回動可能に軸支されたアーム（第１の支持手
段）２の先端側が位置している。この先端側では、アー
ム２は十字形に形成され、この十字形の先端側２ａから
下方向に向けて、その交差部を中心にほぼ90度の等間隔
で配された直径例えば５mmの円柱状分解液保持部３Ａ、
３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅが合計５本設けられ、これらは
ウエハ載置台１上に載置されるウエハＷの上面域に接近
して位置するように配置されている。A tip side of an arm (first supporting means) 2 rotatably supported on a base 5 by a support shaft 6 is located above the wafer mounting table 1. On this tip side, the arm 2 is formed in a cross shape, and is a columnar shape having a diameter of, for example, 5 mm, which is arranged from the tip side 2a of the cross shape downwardly and at equal intervals of about 90 degrees around the intersection. Decomposition liquid holding part 3A,
A total of five 3B, 3C, 3D, and 3E are provided, and these are arranged so as to be located close to the upper surface area of the wafer W mounted on the wafer mounting table 1.
【００５３】そして、中央部の分解液保持部３Ａ以外の
分解液保持部３Ｂ〜３Ｅ及びアーム２は調節機構を有し
ている。即ち、まず、アーム２は調節ねじ７により、中
心の分解液保持部３Ａの先端がウエハＷとの所定の間隙
（例えば約１mm）を保つように位置調節されている。こ
の状態において、その他の各処理液保持部３Ｂ〜３Ｅの
先端が、調節ねじ４により、ウエハＷとの間隙を中央の
処理液保持部３Ａのなす間隙に合わせる（即ち、すべて
の間隙が例えば１mmとなる）ように位置調節される。そ
して、上記の各間隙には後述する方法で例えばフッ化水
素酸からなる分解液12がそれぞれ保持される。The decomposition liquid holding portions 3B to 3E other than the central decomposition liquid holding portion 3A and the arm 2 have an adjusting mechanism. That is, first, the position of the arm 2 is adjusted by the adjusting screw 7 so that the front end of the central decomposition liquid holding portion 3A maintains a predetermined gap (for example, about 1 mm) from the wafer W. In this state, the tips of the other processing liquid holding portions 3B to 3E are adjusted by the adjusting screw 4 so that the gap between the wafer W and the central processing liquid holding portion 3A is made (that is, all the gaps are, for example, 1 mm. The position is adjusted so that Then, in each of the above-mentioned gaps, a decomposition liquid 12 made of, for example, hydrofluoric acid is held by a method described later.
【００５４】上記したＸステージ９、Ｙステージ10の台
座11は密閉容器８外に設けられている。その他のウエハ
載置台１と処理液保持部３Ａ〜３Ｅ、及びアーム２を介
した基台５は密閉容器８内に設けられ、基台５は密閉容
器８内に固定されている。The pedestal 11 of the X stage 9 and the Y stage 10 described above is provided outside the closed container 8. The other wafer mounting table 1, the processing liquid holders 3 </ b> A to 3 </ b> E, and the base 5 via the arm 2 are provided in the closed container 8, and the base 5 is fixed in the closed container 8.
【００５５】図２は、密閉容器８と駆動機構ＤＭとの間
のシール機構の要部を示す一部断面正面図である。密閉
容器８の底板８ａには切除部８ｂが設けられ、Ｘステー
ジ９に固定されかつウエハ載置台１を支持する支柱17が
切除部８ｂに挿通される。支柱17には、底板８ａを上下
から密着して挟む樹脂製のシール板18、18が固定され、
容器８のシールを保持しながら駆動機構ＤＭの駆動によ
りウエハ載置台１がＸ、Ｙ方向に移動するようになって
いる。FIG. 2 is a partial sectional front view showing the main part of the sealing mechanism between the closed container 8 and the drive mechanism DM. A cutout portion 8b is provided on the bottom plate 8a of the hermetically sealed container 8, and a column 17 fixed to the X stage 9 and supporting the wafer mounting table 1 is inserted into the cutout portion 8b. The support plates 17 are fixed with resin seal plates 18 and 18 that sandwich the bottom plate 8a from above and below,
The wafer mounting table 1 is moved in the X and Y directions by driving the driving mechanism DM while holding the seal of the container 8.
【００５６】そして、この容器の外部には湿潤窒素の供
給機構が設けられ、流量計25へ供給された乾燥窒素30は
連結パイプ26を経由してバブラー27の水29の中へ放出さ
れる。この水中で不純物を捕集されて浄化された湿潤窒
素30Ａは、導入パイプ28から密閉容器８の中へ導入され
る。これによって、処理中において、密閉容器８の内部
を湿潤窒素雰囲気に保つと共に、分解液12の蒸発を防い
でいる。なお、バブラー27を通ることにより、窒素ガス
中の不純物は捕集され、容器８内に随伴されることはな
い。A wet nitrogen supply mechanism is provided outside the container, and the dry nitrogen 30 supplied to the flow meter 25 is discharged into the water 29 of the bubbler 27 via the connecting pipe 26. The wet nitrogen 30A in which impurities are collected and purified in this water is introduced into the closed container 8 through the introduction pipe 28. As a result, the inside of the closed container 8 is kept in a wet nitrogen atmosphere during the processing, and the decomposition liquid 12 is prevented from evaporating. Impurities in the nitrogen gas are collected by passing through the bubbler 27 and are not entrained in the container 8.
【００５７】このように構成されたこの処理装置15を使
用し、ウエハＷを次のようにして処理する。Using the processing apparatus 15 thus constructed, the wafer W is processed as follows.
【００５８】まず、図１のように、ウエハＷのオリエン
テーションフラットＷａをアーム２の先端方向に合わせ
てウエハ載置台１の上にセットし、ウエハＷの上面と一
定の間隙を置いて配された分解液保持部３Ａ〜３Ｅの各
先端に処理液12を垂らして接触させてから、上記のＸス
テージ９及びＹステージ10を駆動させる。First, as shown in FIG. 1, the orientation flat Wa of the wafer W is set on the wafer mounting table 1 so as to be aligned with the direction of the tip of the arm 2, and is arranged with a certain gap from the upper surface of the wafer W. After the processing liquid 12 is hung down and brought into contact with the respective tips of the decomposition liquid holding portions 3A to 3E, the X stage 9 and the Y stage 10 are driven.
【００５９】図３は、分解液保持部３Ａ〜３Ｅの先端に
対する分解液12の供給方法を１本の分解液保持部のみに
ついて示す概略図である。図示の如く、分解液12は例え
ばピペット13を用いて分解液保持部とウエハＷとの間に
所定量だけ滴下する。分解液12としては、例えばフッ化
水素酸が使用され、１枚のウエハＷの分析において各分
解液支持部毎に夫々20μｌ程度の液量が適量であり、滴
下された分解液12は、分解液保持部３Ａ〜３Ｅとウエハ
Ｗとの間の間隙に分解液12の表面張力により、図３に示
すように保持される。FIG. 3 is a schematic view showing a method of supplying the decomposition liquid 12 to the tips of the decomposition liquid holding portions 3A to 3E for only one decomposition liquid holding portion. As shown in the figure, the decomposition liquid 12 is dropped by a predetermined amount between the decomposition liquid holding portion and the wafer W using a pipette 13, for example. As the decomposition liquid 12, for example, hydrofluoric acid is used, and in the analysis of one wafer W, an appropriate amount is about 20 μl for each decomposition liquid support portion, and the decomposition liquid 12 dropped is decomposed. As shown in FIG. 3, the decomposition liquid 12 is held in the gap between the liquid holding portions 3A to 3E and the wafer W by the surface tension of the decomposition liquid 12.
【００６０】なお、シリコン（Ｓｉ）からなるウエハＷ
の表面は自然酸化膜（ＳｉＯ2 ）により被覆され、その
自然酸化膜表面及び内部には微量の金属等からなる不純
物が混入するが、不純物の分布はウエハ面内で均一では
ない。そして、この不純物量の変動若しくは変化は、種
々の工程を経た後に、ウエハＷをスクライブラインに沿
って細分割して得られるＩＣチップの性能のばらつきを
招くため、ウエハＷの表面における不純物量の分布状況
を知り、これに基づいて工程を制御することは非常に重
要である。A wafer W made of silicon (Si)
The surface of is covered with a natural oxide film (SiO 2 ), and a small amount of impurities such as metal are mixed in the surface and inside of the natural oxide film, but the distribution of the impurities is not uniform in the wafer surface. The variation or change in the amount of impurities causes variations in the performance of IC chips obtained by subdividing the wafer W along the scribe lines after various processes, and thus the amount of impurities on the surface of the wafer W is reduced. It is very important to know the distribution situation and control the process based on this.
【００６１】そこで、図４に示すように、ウエハＷの表
面の自然酸化膜Ｗｂに分解液12を介して接触させながら
分解液保持部３Ａ〜３Ｅを矢印52のように走査して移動
させれば、分解液保持部３Ａ〜３Ｅの先端に保持されて
いる分解液（フッ化水素酸）12により、自然酸化膜Ｗｂ
は仮想線の如くに溶解し、これと同時に、自然酸化膜Ｗ
ｂ中及びその表面上に存在する不純物金属は、分解液12
中に溶解し、捕集されていく。Therefore, as shown in FIG. 4, the decomposition solution holding portions 3A to 3E are moved by scanning as shown by an arrow 52 while contacting the natural oxide film Wb on the surface of the wafer W through the decomposition solution 12. For example, the natural oxide film Wb is formed by the decomposition liquid (hydrofluoric acid) 12 held at the tips of the decomposition liquid holding portions 3A to 3E.
Melts like a virtual line, and at the same time, the natural oxide film W
Impurity metals present in and on the surface of b
It dissolves in and is collected.
【００６２】分解液保持部の走査終了後は、分解液保持
部を除去すると、不純物を溶解して捕集したフッ化水素
酸12Ａが走査終了点においてウエハＷ上に残るので、こ
れをウエハＷから吸引して取り出し、ファーネス原子吸
光分析装置にかけて不純物の元素分析を行う。After the decomposition liquid holding portion has been scanned, if the decomposition liquid holding portion is removed, the hydrofluoric acid 12A that has dissolved and collected the impurities remains on the wafer W at the scanning end point. Then, the sample is sucked out from the container and subjected to furnace atomic absorption spectrometry for elemental analysis of impurities.
【００６３】具体例には、図６に示すように、ウエハＷ
の表面において５本の分解液保持部３Ａ〜３Ｅをそれぞ
れ蛇行状（ジグザグ状）の軌跡14Ａ、14Ｂ、14Ｃ、14
Ｄ、14Ｅを描くように同時に走査する。この場合の走査
速度はＸ及びＹ方向に５mm/secでよく、１枚のウエハＷ
の処理時間は５〜10分で済む。As a concrete example, as shown in FIG.
The five decomposition solution holding portions 3A to 3E are arranged in a meandering (zigzag) trajectory 14A, 14B, 14C, 14 on the surface of
Simultaneously scan to draw D and 14E. The scanning speed in this case may be 5 mm / sec in the X and Y directions, and one wafer W
Processing time is 5-10 minutes.
【００６４】５本の分解液保持部３Ａ〜３ＥはウエハＷ
の表面上の５ポイントを別々にかつ同時に走査すること
になり、図６（ａ）に示した蛇行状の軌跡を描いて各走
査領域毎にそれぞれの不純物（即ち、ウエハ上の面内分
布）を測定できることになる。各軌跡の走査終了点（矢
印位置の部分）には、不純物を溶解した分解液が粒状に
残るが、これらを夫々取り出して分析に供する。The five decomposition liquid holding portions 3A to 3E are wafers W.
5 points on the surface of the wafer are separately and simultaneously scanned, and the impurities (that is, the in-plane distribution on the wafer) are drawn in each scanning region by drawing the meandering locus shown in FIG. 6A. Will be able to be measured. At the scanning end point (portion at the position of the arrow) of each trajectory, the decomposed solution in which impurities are dissolved remains in the form of particles, but these are taken out for analysis.
【００６５】図６（ｂ）は、このウエハＷを各チップ16
に切り出すためのスクライブライン53と軌跡14Ａ〜14Ｅ
（但し、図面では中心部での軌跡14Ａのみを示す。）と
の関係を示したものである。ウエハＷの表面における不
純物の面内分布を知ることが重要であることが理解され
よう。FIG. 6 (b) shows that this wafer W is used for each chip 16
Scribe line 53 and locus 14A-14E for cutting into
(However, in the drawing, only the locus 14A at the central portion is shown.). It will be appreciated that it is important to know the in-plane distribution of impurities on the surface of the wafer W.
【００６６】既述した図16の渦巻き状の軌跡では、ウエ
ハＷの全域を１本の分解液保持部に保持させた分解液に
より処理しているので、不純物のウエハ面内分布を測定
することは不可能である上に、分解液の液量を増やす必
要があり、また走査時間が長くなる。In the spiral locus of FIG. 16 described above, since the entire region of the wafer W is processed by the decomposition liquid held in one decomposition liquid holding portion, the in-plane distribution of impurities should be measured. In addition to that, it is necessary to increase the amount of the decomposition liquid, and the scanning time becomes long.
【００６７】しかし、本実施例の場合は分解液保持部３
Ａ〜３Ｅの各走査区域14Ａ〜14ＥはウエハＷの一部分に
すぎないので、ウエハ面内分布を測定できることは勿
論、保持させる分解液12の量が少なく、走査時間も短く
てすみ、分解液の蒸発量も少なくなって、分解液中の不
純物量の変動が小となる。However, in the case of this embodiment, the decomposition liquid holding portion 3
Since each of the scanning areas 14A to 14E of A to 3E is only a part of the wafer W, it is possible to measure the in-plane distribution of the wafer W, and of course, the amount of the decomposition liquid 12 to be held is small, the scanning time is short, and the decomposition liquid The amount of evaporation also decreases, and the fluctuation of the amount of impurities in the decomposition liquid becomes small.
【００６８】また、上記の間隙は容易に調整することが
できるため、分解液44の使用量を適切に設定でき、液量
も容易に調整できる。従って、被分析材が膜状態である
場合でも、或いは種々の膜厚である場合でも広範囲な分
析が可能である。Further, since the above-mentioned gap can be easily adjusted, the amount of the decomposition liquid 44 used can be appropriately set, and the amount of liquid can also be easily adjusted. Therefore, a wide range of analysis is possible even when the material to be analyzed is in a film state or has various film thicknesses.
【００６９】この例によれば、分解液支持部１個当たり
の処理液を20μｌ（50μｌでもよい。）と少量にしてい
るにも拘らず、各分解液支持部の走査領域を小さくして
いるので、走査部分の自然酸化膜を確実に溶解してその
中の不純物を総て捕集することができる。According to this example, the scanning area of each decomposition liquid supporting portion is made small, although the processing liquid per decomposition liquid supporting portion is as small as 20 μl (may be 50 μl). Therefore, it is possible to surely dissolve the natural oxide film in the scanning portion and collect all the impurities therein.
【００７０】図７は上記した軌跡14の拡大図である。図
示のように、１ポイントの走査面積はＬ1 ×Ｌ2 ＝４cm
×４cm＝16cm2 であり、軌跡は幅ｗ＝５mmで蛇行する。
そして、図７は軌跡付近を更に拡大して示した想像断面
図であり、ウエハＷ表面のフッ化水素酸で溶解された酸
化膜部分の分解部分12Ｂを示している。FIG. 7 is an enlarged view of the locus 14 described above. As shown, the scanning area of 1 point is L 1 × L 2 = 4 cm
× 4 cm = 16 cm 2 , and the locus meanders with a width w = 5 mm.
Then, FIG. 7 is an imaginary cross-sectional view further enlarging and showing the vicinity of the locus, showing the decomposed portion 12B of the oxide film portion dissolved by hydrofluoric acid on the surface of the wafer W.
【００７１】次に、本実施例による処理を具体例につい
て説明する。分析に供したウエハWは、6インチシリコン
ウエハをFeCl3水溶液に浸漬して引上げ、ウエハをFeで
故意に汚染させた。そして、図６（ａ）のように、ウエ
ハの中央部1箇所と周辺部4箇所の合計5ポイントの金属
不純物を上記したようにして捕集し、その測定をファー
ネス原子吸光分析装置（バリアン社製Spectr AA400、GT
A96）により行った。Next, a specific example of the processing according to this embodiment will be described. The wafer W used for the analysis was obtained by immersing a 6-inch silicon wafer in an FeCl 3 aqueous solution and pulling it up to intentionally contaminate the wafer with Fe. Then, as shown in FIG. 6 (a), a total of 5 points of metal impurities at one central portion and four peripheral portions of the wafer are collected as described above, and the measurement is performed by a furnace atomic absorption spectrometer (Varian Inc.). Spectr AA400, GT
A96).
【００７２】走査終了後、アーム２をウエハＷより引き
上げると、ウエハ上の５箇所に金属を溶解したフッ化水
素酸が残るので、これを採取して分析装置に装入し、元
素分析を行った。測定時のファーネス原子吸光分析の温
度プログラムは次の通りであった。When the arm 2 is pulled up from the wafer W after the end of scanning, hydrofluoric acid in which the metal has been dissolved remains at five points on the wafer, and this is sampled and placed in an analyzer for elemental analysis. It was The temperature program for furnace atomic absorption spectrometry during measurement was as follows.
【００７３】 [0073]
【００７４】上記条件で行ったＦｅの分析結果は、各走
査領域14Ａ〜14Ｅについて次の通りであった。なお、こ
の分析では、各分解液保持部についての処理液20μｌの
総てを１回の測定に使用した。The results of Fe analysis conducted under the above conditions were as follows for each of the scanning regions 14A to 14E. In this analysis, 20 μl of the treatment liquid for each decomposition liquid holding part was used for one measurement.
【００７５】
領域14Ａ・・・ 1.0×1011atoms/cm2
領域14Ｂ・・・ 1.1×1011atoms/cm2
領域14Ｃ・・・ 1.0×1011atoms/cm2
領域14Ｄ・・・ 1.2×1011atoms/cm2
領域14Ｅ・・・ 1.2×1011atoms/cm2
この結果から、試料のウエハは均一に汚染されているこ
とが確認された。Region 14A ... 1.0 × 10 11 atoms / cm 2 Region 14B ・ ・ ・ 1.1 × 10 11 atoms / cm 2 Region 14C ・ ・ ・ 1.0 × 10 11 atoms / cm 2 Region 14D ・ ・ ・ 1.2 × 10 11 atoms / cm 2 region 14 E ... 1.2 × 10 11 atoms / cm 2 From these results, it was confirmed that the sample wafer was uniformly contaminated.
【００７６】次に測定限界値を示す。測定限界値は、バ
ックグラウンド（前記のシリコンウエハにおいて汚染を
していないもの）の変動の10σ（σは標準偏差）とし
た。比較のため、図１５及び図１６に示したようにして
6インチウエハの全面を100μlのフッ化水素酸で溶解
し、そのうちの20μlを分析に使用して測定した場合の
測定限界値と、本具体例での測定限界値とを、各種金属
について下記に示す。Next, the measurement limit value is shown. The measurement limit value was set to 10σ (σ is a standard deviation) of the fluctuation of the background (the above silicon wafer is not contaminated). For comparison, as shown in FIG. 15 and FIG.
The measurement limit value when dissolving the entire surface of a 6-inch wafer with 100 μl of hydrofluoric acid, and 20 μl of which was used for analysis, and the measurement limit value in this specific example are shown below for various metals. Show.
【００７７】 全面走査における測定限界値 本具体例における測定限界値 Ａｌ ４×109 atoms/cm2 1.2×1010atoms/cm2 Ｃｒ ７×109 atoms/cm2 2.1×109 atoms/cm2 Ｆｅ ２×109 atoms/cm2 ６×109 atoms/cm2 Ｎａ １×108 atoms/cm2 ３×108 atoms/cm2 Measurement Limit Value in Whole Surface Scan Measurement Limit Value in this Example Al 4 × 10 9 atoms / cm 2 1.2 × 10 10 atoms / cm 2 Cr 7 × 10 9 atoms / cm 2 2.1 × 10 9 atoms / cm 2 Fe 2 × 10 9 atoms / cm 2 6 × 10 9 atoms / cm 2 Na 1 × 10 8 atoms / cm 2 3 × 10 8 atoms / cm 2
【００７８】上記の結果から、本具体例による場合に
は、不純物の面内分布の情報が得られる反面、その代償
として測定限界値は約3倍高くなり、また分解液が少な
いために溶解する金属量も少なくなり、測定元素数も測
定に使用した通常の原子吸光装置では1元素に限られ
る。しかし、本具体例によれば、ウエハ面上で局部的に
汚染を受けている場合の測定には有効であり、上記の測
定限界値（感度）は十分に満足できるものである。そし
て、更に高感度な分析装置を使用すれば、上記したよう
な3倍程度の測定限界値の低下は解消され、全く問題な
いと考えられる。From the above results, in the case of this example, the information on the in-plane distribution of impurities can be obtained, but at the cost of this, the measurement limit value is about 3 times higher, and since the decomposition liquid is small, it dissolves. The amount of metal also decreases, and the number of elements to be measured is limited to one in the usual atomic absorption spectrometer used for measurement. However, according to this example, it is effective for the measurement in the case where the wafer surface is locally contaminated, and the above measurement limit value (sensitivity) can be sufficiently satisfied. If an even more sensitive analyzer is used, the above-mentioned decrease in the measurement limit value of about 3 times is eliminated, and it is considered that there is no problem at all.
【００７９】以上に説明した本実施例による測定は、５
ポイントの区域についてそれぞれ行うものであるが、そ
れ以上の例えば９ポイントの区域の測定も可能である。
即ち、図６（ａ）においては分解液保持部が３Ａ〜３Ｅ
の５本であるが、３本ずつ３列の９ポイントの分解液保
持部を設け、かつ走査領域を変更すれば、図６（ａ）の
14Ａ〜14Ｅ以外の非走査域ＦＧＨＩの測定も可能とな
る。更にこれ以上、例えば４本ずつ４列で16分割する方
法、更にはそれ以上に分解する方法も可能と考えられ
る。また、５本の分解液保持部３Ａ〜３Ｅを使用して
Ｆ．Ｇ．Ｈ．Ｉの測定も簡便に行うことも可能である。The measurement according to the present embodiment described above is 5
Although it is performed for each area of points, it is possible to measure a larger area, for example, 9 points.
That is, in FIG. 6 (a), the decomposition liquid holding portions are 3A to 3E.
However, if three 9-point decomposing solution holders in three rows are provided and the scanning area is changed, the three in FIG.
It is also possible to measure the non-scanning area FGHI other than 14A to 14E. It is considered that a method of further dividing into, for example, 4 lines each in 4 rows into 16 sections, or a method of further dividing into 16 sections is possible. In addition, the F.V. G. H. It is also possible to easily measure I.
【００８０】14Ａ〜14Ｅの区域の測定後（前でもよい）
にウエハＷを例えば45度回転させ、分解液保持部３Ａに
は処理液12を滴下せず、これ以外の分解液保持部３Ｂ〜
３Ｅのみに処理液を保持させて行えばよい。但し、この
場合は一部捕集が重複する部分があるので計算時に補正
を行う必要がある。After measurement of the areas 14A to 14E (may be before)
The wafer W is rotated by, for example, 45 degrees, and the processing liquid 12 is not dropped on the decomposition liquid holding portion 3A.
The treatment liquid may be held only in 3E. However, in this case, since there is a part where the collection overlaps, it is necessary to correct it at the time of calculation.
【００８１】また、各分解液保持部３Ａ〜３Ｅの全部で
はなく、任意の一部のみを用いて測定することも可能で
あり、測定区域もウエハＷのサイズに合わせて縮小又は
拡大することもでき、走査の軌跡も蛇行状ではなく、網
状又は渦巻き状とすることも可能である。このような走
査はＸステージ９及びＹステージ10の駆動により行わ
れ、この動作は自動制御機構（図示省略）により行われ
るようになっている。Further, it is possible to measure not only all of the decomposition liquid holding sections 3A to 3E but only an arbitrary part thereof, and the measurement area can be reduced or expanded according to the size of the wafer W. It is also possible that the scanning locus is not a meandering shape but a mesh shape or a spiral shape. Such scanning is performed by driving the X stage 9 and the Y stage 10, and this operation is performed by an automatic control mechanism (not shown).
【００８２】なお、本実施例の装置によれば、上記した
ように、ウエハＷ表面の複数区域を同時に処理し、ウエ
ハＷの表面に存在する不純物を検出するので、処理区域
毎に正確な不純物の量や種類を測定することができる。
上記の具体例では意図的に不純物を混入させたが、実際
には製造プロセスで不可避的に混入する不純物を検出で
きることは勿論である。According to the apparatus of this embodiment, as described above, a plurality of areas on the surface of the wafer W are processed at the same time, and impurities existing on the surface of the wafer W are detected. The amount and type of can be measured.
Although impurities are intentionally mixed in the above-mentioned specific examples, it goes without saying that impurities that are inevitably mixed in the manufacturing process can be actually detected.
【００８３】更に、処理の所要時間もこれまでの１／２
〜１／６に短縮される。この測定結果は、直ちにウエハ
Ｗの製造ラインにフィードバックされ、不純物混入の原
因究明や後工程における加工条件の設定等に利用され
る。Furthermore, the time required for the processing is 1/2 that of the conventional one.
It is shortened to ~ 1/6. This measurement result is immediately fed back to the wafer W manufacturing line, and is used for investigating the cause of the contamination of impurities and setting the processing conditions in the subsequent process.
【００８４】図９は、上述した第１の実施例を変形した
本発明の他の実施例を示すものである。FIG. 9 shows another embodiment of the present invention which is a modification of the first embodiment described above.
【００８５】この実施例による装置56が上述した第1の
実施例の処理装置と異なる点は、次の事項である。即
ち、ウエハ載置台1は容器8内に固定されるが、アーム2
は継手5Aを介して、Xステージ9上に固定された固定台21
に設けた支持棒20（第2の支持手段）に連接されてい
る。そして、支持棒20の容器8に入り込む部分には例え
ばテフロン（登録商標）製のベローズ22が設けられ、容
器8の密閉度を保つと共に、支持棒20が任意に変位でき
るように構成されている。The apparatus 56 according to this embodiment differs from the processing apparatus according to the first embodiment described above in the following points. That is, the wafer mounting table 1 is fixed in the container 8, but the arm 2
Is a fixed base 21 fixed on the X stage 9 via the joint 5A.
Is connected to a support rod 20 (second support means) provided on the. A bellows 22 made of, for example, Teflon (registered trademark) is provided in a portion of the supporting rod 20 that enters the container 8 so that the supporting rod 20 can be arbitrarily displaced while maintaining the airtightness of the container 8. .
【００８６】この実施例の場合も、支持棒20がベローズ
22と摺動するだけで、駆動機構の操作も上述の第１の実
施例と変わりなく、その動作や継手５Ａ及び分解液保持
部３Ａ〜３Ｅの調節機構の構造、調節容量も上述の第１
の実施例と同様である。Also in this embodiment, the support bar 20 is a bellows.
The operation of the drive mechanism is the same as that of the above-mentioned first embodiment only by sliding with 22, and the operation, the structure of the adjusting mechanism of the joint 5A and the decomposition liquid holding portions 3A to 3E, and the adjusting capacity are also the above-mentioned first embodiment.
It is similar to the embodiment of.
【００８７】従って、この実施例も上述したと同じ蛇行
状の走査軌跡や、５ポイント又はそれ以上の測定等、同
じ機能を有し、測定区域毎に正確な不純物の量や種類を
測定することができる上に、摺動する駆動機構ＤＭを容
器８外に設けることにより密閉容器８内での塵埃の発生
を抑制する効果も併せて奏せられる。Therefore, this embodiment also has the same function as the above-mentioned meandering scanning locus and measurement of 5 points or more, and it is possible to accurately measure the amount and kind of impurities for each measurement area. In addition to the above, by providing the sliding drive mechanism DM outside the container 8, the effect of suppressing the generation of dust in the closed container 8 is also exhibited.
【００８８】図10〜図12は、本発明の更に他の実施例を
示すものである。10 to 12 show still another embodiment of the present invention.
【００８９】この実施例の処理装置58は、図９に示した
実施例と全体的な構造は同じであるが、分解液保持部３
Ａ〜３Ｅの先端に板状の幅広部23を設けていることが特
徴的である。また、図１の分解液保持部３Ａ〜３Ｅの先
端に板状の幅広部23を設けてもよい。The processing apparatus 58 of this embodiment has the same overall structure as that of the embodiment shown in FIG.
It is characteristic that a plate-shaped wide portion 23 is provided at the tips of A to 3E. Further, a plate-shaped wide portion 23 may be provided at the tips of the decomposed liquid holding portions 3A to 3E in FIG.
【００９０】この板状の幅広部23により、処理液保持部
３Ａ〜３Ｅの測定区域は、図11に示すように、一方向
（例えばＸ方向）のみの走査軌跡19により各区域の全面
に分解液12を作用させることができる。図11において、
矢印は走査方向を示しているが、走査方向は図の一方向
のみならず、他の三方向のいずれかにも任意に設定する
ことができる。Due to the plate-shaped wide portion 23, the measurement area of the processing liquid holding portions 3A to 3E is decomposed into the entire surface of each area by the scanning locus 19 in only one direction (for example, the X direction) as shown in FIG. The liquid 12 can act. In FIG.
The arrow indicates the scanning direction, but the scanning direction can be arbitrarily set not only in one direction in the drawing but also in any of the other three directions.
【００９１】そして、処理区域の寸法Ｌ1 及びＬ2 は上
述した第１の実施例と同じである（この例では、幅広部
23の幅をＬ2 （４cm）とし、走査距離をＬ1 （４cm）と
している。）が、幅広部23によって任意の大きさに設定
することもできる。また、上述の第１の実施例と同様に
５ポイント又はそれ以上の処理も勿論可能である。The dimensions L 1 and L 2 of the processing area are the same as those in the first embodiment described above (in this example, the wide portion is used).
The width of 23 is L 2 (4 cm) and the scanning distance is L 1 (4 cm). ) Can be set to an arbitrary size by the wide portion 23. Further, as in the case of the first embodiment described above, processing of 5 points or more is of course possible.
【００９２】この装置58の場合、分解液保持部３Ａ〜３
Ｅの幅寸法が大きいため、これに応じて分解液12の保持
量も多くなる。従って、分解液として、フッ化水素酸に
加えて硝酸及び／又は過酸化水素酸等の酸化剤を添加混
合して使用することができ、ウエハＷの面内だけでな
く、その内部の測定にも有効である。In the case of this device 58, the decomposition liquid holding parts 3A to 3
Since the width dimension of E is large, the holding amount of the decomposition liquid 12 also increases accordingly. Therefore, as the decomposition liquid, an oxidizing agent such as nitric acid and / or hydrogen peroxide can be added and mixed in addition to hydrofluoric acid, and can be used not only in the surface of the wafer W but also in the inside thereof. Is also effective.
【００９３】即ち、図12及び図13に示すように、フッ化
水素酸に酸化剤として硝酸及び／又は過酸化水素酸を加
えた分解液12を使用すれば、まず、ウエハＷの表面の自
然酸化膜Ｗｂをフッ化水素酸が分解して分解部12Ｂを生
成し、更に硝酸又は過酸化水素酸がシリコン（Ｓｉ）を
ＳｉＯ2 化してこれをフッ化水素酸が分解する。従っ
て、フッ化水素酸では分解し得なかった深部（Ｓｉ部
分）を分解してこの分解部12Ｃを作り、この分解部12Ｃ
の含有不純物をフッ化水素酸に溶解して分析できる。That is, as shown in FIGS. 12 and 13, if the decomposition liquid 12 in which nitric acid and / or hydrogen peroxide acid is added as an oxidant to hydrofluoric acid is used, first, the natural surface of the wafer W is Hydrofluoric acid decomposes the oxide film Wb to generate the decomposed portion 12B, and nitric acid or hydrogen peroxide converts silicon (Si) into SiO 2 , which is decomposed by hydrofluoric acid. Therefore, the deep portion (Si portion) that could not be decomposed by hydrofluoric acid is decomposed to form this decomposed portion 12C, and this decomposed portion 12C
Impurities contained in can be analyzed by dissolving them in hydrofluoric acid.
【００９４】従って、ウエハＷの表面のＳｉＯ2 Ｗｂの
不純物量を測定できるのみならず、ウエハＷの自然酸化
膜Ｗｂよりも下の部分の分析もできるようになり、例え
ばイオン注入時に注入装置からウエハ内に混入する金属
を各区画毎に知ることができる。しかも、処理に要する
時間は、走査が蛇行しないで一方向であるので、１〜２
分で済む。Therefore, not only the amount of impurities of SiO 2 Wb on the surface of the wafer W can be measured but also the portion of the wafer W below the natural oxide film Wb can be analyzed. The metal mixed in the wafer can be known for each section. Moreover, the time required for processing is one to two because the scanning does not meander in one direction.
It only takes minutes.
【００９５】また、この装置によれば、一方向のみの走
査を短時間で行えるため、走査距離が短くなって走査中
での酸化剤の減少量が小さくなり、軌跡の最初と最後の
部分での被溶解部分の厚みにムラが生じにくくなる。Further, according to this apparatus, since the scanning in only one direction can be performed in a short time, the scanning distance is shortened and the reduction amount of the oxidant during the scanning is reduced, so that the beginning and the end of the locus are reduced. Unevenness is less likely to occur in the thickness of the portion to be melted.
【００９６】図14は、本発明の更に他の実施例を示すも
のである。FIG. 14 shows still another embodiment of the present invention.
【００９７】この実施例では、ウエハ載置台31は、表面
側において周縁部31ａの内側に第１のリング状凹部31ｂ
が設けられ、更にその内側の１段下がった深さに円形の
第２の凹部31ｃが設けられ、二重の凹部を有したもので
ある。In this embodiment, the wafer mounting table 31 has a first ring-shaped recess 31b inside the peripheral edge 31a on the front surface side.
Is provided, and a circular second recess 31c is provided at a depth one step lower inside thereof, and has a double recess.
【００９８】この例では、ウエハＷは、この周縁部をウ
エハ載置台31の第１の凹部31ｂの底面上に載せて載置さ
れる。従って、ウエハＷはその周縁部以外の裏面とウエ
ハ載置台31の凹部31ｃの底面との間に非接触の空間31ｄ
が形成されることになる。In this example, the wafer W is mounted with its peripheral portion placed on the bottom surface of the first recess 31b of the wafer mounting table 31. Therefore, the wafer W has a non-contact space 31d between the back surface other than the peripheral portion thereof and the bottom surface of the recess 31c of the wafer mounting table 31.
Will be formed.
【００９９】このため、上記した処理時に、ウエハＷの
裏面の汚染（これはウエハ載置台31との接触による汚染
も含む。）がないので、ウエハＷは、表面を処理した後
に反転させて裏面を処理することができ、両面の測定が
可能となる。なお、このウエハ載置台31は、上述した各
実施例にも適用可能である。Therefore, at the time of the above processing, since the back surface of the wafer W is not contaminated (this includes the contamination due to the contact with the wafer mounting table 31), the wafer W is reversed after being processed. Can be processed and both sides can be measured. The wafer mounting table 31 can be applied to each of the above-described embodiments.
【０１００】なお、上述した実施例では、分解液の測定
には単元素測定用の原子吸光装置を使用したが、多元素
同時測定用の原子吸光装置を使用すれば数元素の同時測
定が可能である。また、この多元素同時測定の原子吸光
装置は感度的にも上述の実施例に使用した原子吸光装置
より優れているので、このような測定装置を使用すれ
ば、上述の実施例の測定結果より更に低い濃度まで測定
が可能である。In the above-mentioned embodiment, the atomic absorption device for single element measurement was used for the measurement of the decomposition solution, but the simultaneous measurement of several elements is possible by using the atomic absorption device for simultaneous measurement of multiple elements. Is. In addition, since the atomic absorption spectrometer for simultaneous multi-element measurement is superior in sensitivity to the atomic absorption spectrometer used in the above-mentioned embodiment, if such a measuring instrument is used, from the measurement results of the above-mentioned embodiment, It is possible to measure even lower concentrations.
【０１０１】また、処理後の分解液を乾燥させて、全反
射螢光Ｘ線装置で測定する手法にも本発明に基づく処理
方法は有効であり、全反射螢光Ｘ線装置は多元素同時測
定であるので有効なデータとなる。また、誘導結合高周
波プラズマ質量スペクトル分析装置（ＩＣＰ−ＭＳ）を
測定装置とするのも有効である。The treatment method according to the present invention is also effective for the method of drying the decomposed solution after the treatment and measuring with the total reflection fluorescence X-ray apparatus. Since it is a measurement, it is valid data. It is also effective to use an inductively coupled high frequency plasma mass spectrum analyzer (ICP-MS) as the measuring device.
【０１０２】以上、本発明の実施例を説明したが、上述
の実施例は本発明の技術的思想に基づいて更に変形を加
えることができる。Although the embodiments of the present invention have been described above, the above-described embodiments can be further modified based on the technical idea of the present invention.
【０１０３】例えば、上述の実施例では、ウエハ載置台
１又はアーム２の支持部をＸステージ９及びＹステージ
10により駆動させているが、ウエハ載置台１及びアーム
２の支持部の双方に例えばＸステージ９及びＹステージ
10の駆動機構を具備させて、交互又は同時に双方を駆動
させるようにしてもよく、また、駆動機構としては、上
記以外のものを採用することもできる。For example, in the above-described embodiment, the supporting portion of the wafer mounting table 1 or the arm 2 is connected to the X stage 9 and the Y stage.
Although it is driven by 10, the X stage 9 and the Y stage are provided on both the wafer mounting table 1 and the supporting portion of the arm 2.
The driving mechanism of 10 may be provided to drive both of them alternately or simultaneously, and as the driving mechanism, a driving mechanism other than the above may be adopted.
【０１０４】また、上述した各実施例は互いに任意に組
み合わせることも可能であり、分解液保持部３Ａ〜３Ｅ
の数も２個又はそれ以上であればよく、その配置、形状
等も種々変更してよい。また、走査軌跡は上述したもの
に限定されることはない。Further, the above-mentioned respective embodiments can be arbitrarily combined with each other, and the decomposition liquid holding portions 3A to 3E can be combined.
The number may be two or more, and its arrangement, shape, etc. may be variously changed. Further, the scanning locus is not limited to the one described above.
【０１０５】また、分解液12の注液方法もピペットによ
り１回の測定終了後にその都度注液する方法以外に、ア
ーム２又は処理液保持部３Ａ〜３Ｅを通して供給しても
よく、またそれらに自動注液機構を設けて自動的に行え
ば、更に能率化を図ることも可能である。分解液も被処
理対象によって種々変更してよいし、分解若しくは溶解
するもの以外の作用をなす処理液を使用することも考え
られる。Further, the method for injecting the decomposition solution 12 is not limited to the method of injecting each time after the end of one measurement with a pipette, but the solution 12 may be supplied through the arm 2 or the processing solution holders 3A to 3E, or to them. If an automatic liquid injection mechanism is provided and automatically performed, it is possible to further improve efficiency. The decomposition liquid may be variously changed depending on the object to be treated, and it is also conceivable to use a treatment liquid having an action other than that of decomposing or dissolving.
【０１０６】更に、本発明は、上述した半導体ウエハの
みならず、その他にも表面の分析が必要な種々の被分析
材に適用が可能である。Furthermore, the present invention can be applied not only to the above-mentioned semiconductor wafer, but also to various other materials to be analyzed which require surface analysis.
【０１０７】[0107]
【発明の作用効果】本発明は、処理装置に設けた複数の
処理液保持部と被分析材表面との間隙に処理液を夫々保
持させ、これらの処理液保持部と被分析材とを相対運動
させながら、この被分析材の複数区域をこの処理液で処
理するので、処理済みの処理液を試料として、被分析材
の少なくとも表面域の不純物を複数区域毎に分析するこ
とができ、少なくとも面内分布を短時間に測定でき、こ
の複数区域毎の分析データを被分析材としての製品の品
質、管理、製造の工程制御、ひいては歩留の向上に有効
に用いることができる。According to the present invention, the processing liquid is held in the gap between the plurality of processing liquid holding portions provided in the processing apparatus and the surface of the material to be analyzed, and these processing liquid holding portions and the material to be analyzed are made to face each other. Since a plurality of areas of this material to be analyzed are treated with this treatment liquid while moving, impurities that are at least in the surface area of the material to be analyzed can be analyzed for each of a plurality of areas using the treated treatment liquid as a sample. The in-plane distribution can be measured in a short time, and the analytical data for each of the plurality of areas can be effectively used for the quality, management, and process control of the product as the material to be analyzed, and eventually for improving the yield.
【０１０８】また、上記の間隙は容易に調整することが
できるため、処理液の使用量を適切に設定でき、液量も
容易に調整できる。従って、被分析材が膜状態である場
合でも、或いは種々の膜厚である場合でも広範囲な分析
が可能である。Further, since the above-mentioned gap can be easily adjusted, the amount of the processing liquid used can be appropriately set and the amount of the liquid can be easily adjusted. Therefore, a wide range of analysis is possible even when the material to be analyzed is in a film state or has various film thicknesses.
【図１】本発明の実施例による処理装置の概略斜視図で
ある。FIG. 1 is a schematic perspective view of a processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】同密閉容器と駆動機構との間のシール機構の要
部を示す一部断面正面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional front view showing a main part of a sealing mechanism between the closed container and a drive mechanism.
【図３】同処理装置における処理液の注液方法を示す概
略拡大正面図である。FIG. 3 is a schematic enlarged front view showing a method of injecting a processing liquid in the processing apparatus.
【図４】同処理の原理を示す概略拡大断面図である。FIG. 4 is a schematic enlarged cross-sectional view showing the principle of the same process.
【図５】同処理装置においてウエハを載置した載置台の
正面図である。FIG. 5 is a front view of a mounting table on which a wafer is mounted in the processing apparatus.
【図６】同処理装置における処理区域を示し、同図
（ａ）は処理区域毎の分解液保持部の軌跡を示す平面
図、同図（ｂ）はウエハの各チップと分解液保持部の軌
跡との関係を示す平面図である。FIG. 6 shows a processing area in the processing apparatus, FIG. 6A is a plan view showing a locus of a decomposition solution holding portion for each processing area, and FIG. 6B is a diagram showing each chip of the wafer and the decomposition solution holding portion. It is a top view which shows the relationship with a locus.
【図７】同軌跡の拡大図である。FIG. 7 is an enlarged view of the locus.
【図８】同軌跡付近を抽出して示すウエハの拡大断面図
である。FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of a wafer showing the vicinity of the locus.
【図９】本発明の他の実施例による処理装置の概略斜視
図である。FIG. 9 is a schematic perspective view of a processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図10】本発明の更に他の実施例による処理装置の概略
斜視図である。FIG. 10 is a schematic perspective view of a processing apparatus according to still another embodiment of the present invention.
【図11】同処理装置における処理区域と分解液支持部の
軌跡を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing trajectories of a treatment area and a decomposed liquid support portion in the treatment apparatus.
【図12】同処理装置における処理中の分解液によるウエ
ハ表面域の分解領域を示す拡大断面図である。FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view showing a decomposition region of a wafer surface region by a decomposition liquid being processed in the processing apparatus.
【図13】同分解液保持部の軌跡付近を抽出して示すウエ
ハの拡大断面図である。FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view of a wafer showing the vicinity of the locus of the decomposed liquid holding unit.
【図14】本発明の更に他の実施例によるウエハ載置台の
断面図である。FIG. 14 is a sectional view of a wafer mounting table according to still another embodiment of the present invention.
【図15】先願発明による処理装置の概略斜視図である。FIG. 15 is a schematic perspective view of a processing device according to the invention of the prior application.
【図16】同処理装置によるウエハ表面における分解液保
持部の軌跡を示す平面図である。FIG. 16 is a plan view showing the locus of the decomposed liquid holding unit on the wafer surface by the processing apparatus.
１、31・・・ウエハ載置台 １ａ・・・切欠き ２・・・アーム ３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅ・・・分解液保持部 ４、７・・・調節ねじ ５・・・基台 ６・・・軸 ８・・・容器 ９・・・Ｘステージ 10・・・Ｙステージ 11・・・台座 12・・・分解液 13・・・ピペット 14、14Ａ、14Ｂ、14Ｃ、14Ｄ、14Ｅ・・・軌跡 15、56、57、58・・・処理装置 20・・・支持棒 21・・・固定台 22・・・ベローズ 23・・・幅広部 27・・・バブラー 29・・・水 30・・・窒素 30Ａ・・・湿潤窒素 51・・・間隙 ＤＭ・・・駆動機構 Ｗ・・・ウエハ Ｗｂ・・・自然酸化膜 1, 31 ... Wafer mounting table 1a ... Notch 2 ... arm 3A, 3B, 3C, 3D, 3E ... Decomposition liquid holding part 4, 7 ... Adjusting screw 5 ... base 6 ... axis 8 ... Container 9 ... X stage 10 ... Y stage 11 ... pedestal 12 ... Decomposition liquid 13-pipette 14, 14A, 14B, 14C, 14D, 14E ... Locus 15, 56, 57, 58 ... Processing device 20 ... Support rod 21 ... Fixed stand 22 ... Bellows 23 ... Wide part 27 ... Bubbler 29 ... water 30 ... Nitrogen 30A ... wet nitrogen 51 ... Gap DM: Drive mechanism W: Wafer Wb: Natural oxide film
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−203548（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−241959（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−249769（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−159293（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 1/00 - 1/44 H01L 21/66 ─────────────────────────────────────────────────── --- Continuation of the front page (56) References JP-A-5-203548 (JP, A) JP-A-6-241959 (JP, A) JP-A-6-249769 (JP, A) JP-A-7- 159293 (JP, A) (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) G01N 1/00-1/44 H01L 21/66
Claims (20)
各間隙に処理液をそれぞれ保持させ、前記処理液保持部
と前記被分析材とを相対的に運動させながら、前記被分
析材の複数区域を前記処理液で同時に処理し、この処理
後の前記処理液を前記被分析材表面域の不純物の分布を
得るための分析に供する表面処理方法。1. The analysis liquid is held in respective gaps between a plurality of processing liquid holding portions and the surface of the material to be analyzed, and the analysis liquid is held while relatively moving the processing liquid holding portions and the material to be analyzed. A surface treatment method in which a plurality of regions of a material are simultaneously treated with the treatment liquid, and the treatment liquid after this treatment is subjected to analysis for obtaining a distribution of impurities on the surface region of the material to be analyzed.
せる分解液を用いる、請求項１に記載された方法。2. The method according to claim 1, wherein a decomposition liquid that decomposes the surface area of the material to be analyzed is used as the processing liquid.
請求項２に記載された方法。3. A semiconductor wafer is used as the material to be analyzed,
The method according to claim 2.
面上の前記処理液保持部の各走査領域毎で、前記半導体
ウエハと相対的に蛇行状の軌跡を描いて運動させる、請
求項３に記載された方法。4. A plurality of processing liquid holding parts are moved in a meandering trajectory relative to the semiconductor wafer in each scanning region of the processing liquid holding part on the surface of the semiconductor wafer. The method described in.
側の先端を幅広とし、半導体ウエハ表面上の前記処理液
保持部の各走査領域毎で、前記処理液保持部と前記半導
体ウエハとを相対的に一方向に運動させる、請求項３に
記載された方法。5. The processing liquid holding section and the semiconductor wafer are widened at the tips of the plurality of processing liquid holding sections for holding the decomposition liquid, and the processing liquid holding section and the semiconductor wafer are provided for each scanning region of the processing liquid holding section on the surface of the semiconductor wafer. The method of claim 3, wherein the and are moved in one direction relative to each other.
項３に記載された方法。6. The method according to claim 3, wherein the treatment is carried out in a wet inert gas.
手段上に載置した被分析材との間隙に前記被分析材の表
面域を処理するための処理液をそれぞれ保持する複数の
処理液保持部と、前記複数の処理液保持部を前記被分析
材表面の複数区域で前記被分析材と相対的にかつ同時に
運動させる駆動手段とを有し、処理後の前記処理液を前
記被分析材表面域の不純物の分布を得るための分析に供
するように構成された表面処理装置。7. A processing liquid for treating the surface area of the analyzed material is held in a gap between the analyzed material mounting means and the analyzed material mounted on the analyzed material mounting means, respectively. The treatment liquid after treatment includes a plurality of treatment liquid holding parts and a driving means for moving the plurality of treatment liquid holding parts in the plurality of areas of the surface of the analyzed material relative to and simultaneously with the analyzed material. A surface treatment apparatus configured to perform the analysis for obtaining the distribution of impurities in the surface area of the material to be analyzed.
る分解液を用いる、請求項７に記載された装置。8. The apparatus according to claim 7, wherein a decomposition liquid that decomposes the surface area of the material to be analyzed is used as the processing liquid.
請求項８に記載された装置。9. A semiconductor wafer is used as the material to be analyzed,
The device according to claim 8.
段と、前記ウエハ載置手段上に載置した半導体ウエハの
表面との間に一定間隙を保って配置した複数の処理液保
持部と、前記複数の処理液保持部を支持する第1の支持
手段とを処理室内に有し、前記複数の処理液保持部を前
記ウエハ載置手段に対して相対的に運動させる駆動手段
を前記処理室外に有する、請求項９に記載された装置。10. A plurality of processing liquid holders arranged with a constant gap between a wafer placing means, which is an analyte placing means, and a surface of a semiconductor wafer placed on the wafer placing means. And a first supporting means for supporting the plurality of processing liquid holding parts in the processing chamber, and a driving means for moving the plurality of processing liquid holding parts relative to the wafer mounting means. The apparatus according to claim 9, which is provided outside the processing chamber.
駆動する駆動手段により、複数の処理液保持部がウエハ
載置手段上を前記ウエハ載置手段と相対的に蛇行状の軌
跡を描いて運動するように構成されている、請求項１０
に記載された装置。11. A plurality of processing liquid holding portions draw a meandering trajectory on the wafer mounting means relative to the wafer mounting means by a driving means that is alternately driven in two horizontal directions intersecting with each other. 11. The apparatus according to claim 10, which is configured to exercise.
The device described in.
る側の先端が幅広であって、ウエハ載置手段上を前記ウ
エハ載置手段と相対的に水平な一方向へ運動するように
構成された、請求項１０に記載された装置。12. The plurality of processing liquid holding portions have wide ends at the side for holding the decomposition liquid, and are configured to move on the wafer mounting means in one direction that is relatively horizontal to the wafer mounting means. The apparatus of claim 10 configured.
けられ、この載置手段を駆動させるように構成された、
請求項１０に記載された装置。13. A driving means is provided below the wafer mounting means and is configured to drive the mounting means.
The device according to claim 10.
の支持手段から連接された第2の支持手段を介して処理
液保持部を駆動させるようになっている、請求項１０に
記載された装置。14. The driving means is provided outside the processing chamber,
11. The apparatus according to claim 10, wherein the processing liquid holding section is driven via the second supporting means connected to the supporting means of.
支持手段の他端側が駆動手段に固定されている、請求項
９に記載された装置。15. The apparatus according to claim 9, wherein the other end side of the first supporting means having the treatment liquid holding portion on one end side is fixed to the driving means.
部に半導体ウエハを容した状態でその周縁部を支持する
ように構成された、請求項９に記載された装置。16. The apparatus according to claim 9, wherein the wafer mounting means has a concave portion, and is configured to support the peripheral portion of the semiconductor wafer while the semiconductor wafer is accommodated in the concave portion.
の外径より若干小さくなるように構成された、請求項９
に記載された装置。17. The outer diameter of the wafer mounting means is configured to be slightly smaller than the outer diameter of the semiconductor wafer.
The device described in.
形成され、この切欠き部上に半導体ウエハの一部分が位
置するように載置される、請求項１７に記載された装
置。18. The apparatus according to claim 17, wherein a notch is formed on the outer surface of the wafer placing means, and the semiconductor wafer is placed so that a part of the semiconductor wafer is located on the notch.
間隙を調整するための調節手段が第１の支持手段に設け
られている、請求項１０に記載された装置。19. The apparatus according to claim 10, wherein the first supporting means is provided with an adjusting means for adjusting a gap between the processing liquid holding part and the surface of the semiconductor wafer.
理室に設けられている、請求項１０に記載された装置。20. The apparatus according to claim 10, wherein a mechanism for supplying a wet inert gas is provided in the processing chamber.
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