JP3364951B2 - Solid-state imaging device - Google Patents

Solid-state imaging device

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JP3364951B2
JP3364951B2 JP15096992A JP15096992A JP3364951B2 JP 3364951 B2 JP3364951 B2 JP 3364951B2 JP 15096992 A JP15096992 A JP 15096992A JP 15096992 A JP15096992 A JP 15096992A JP 3364951 B2 JP3364951 B2 JP 3364951B2
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子(CCD
イメージセンサ)を用いて被写体の撮像を行うビデオカ
メラ装置やイメージスキャナ等に用いて好適な、液晶板
に印加する電圧をオンオフ制御してCCDイメージセン
サと撮像光との相対的位置を電気的にシフトさせながら
撮像を行う固体撮像装置に関し、特に、上記液晶板に電
圧を印加したときに該液晶板を透過する偏光成分以外の
撮像光の光量、及び、上記液晶板に電圧を印加しないと
きに該液晶板を透過する偏光成分以外の撮像光の光量
を、それぞれ等しくして解像度の劣化を防止した固体撮
像装置に関する。 【0002】 【従来の技術】固体撮像素子(CCDイメージセンサ)
は、小型で低消費電力であることからビデオカメラ装置
やイメージスキャナ等に広く用いられている。上記ビデ
オカメラ装置等には、通常は40万画素程度のCCDイ
メージセンサが設けられているが、この40万画素程度
のCCDイメージセンサは、撮像管に比べると解像度が
かなり低い。また、近年においては、いわゆる高品位テ
レビジョン受像機(HDテレビジョン受像機)と呼ばれ
る高解像度のテレビジョン受像機が普及してきており、
このHDテレビジョン受像機に対応すべく、画素面積を
縮小化することにより画素数を200万画素に増やした
CCDイメージセンサが開発された。しかし、上記画素
面積を縮小化すると、固体撮像素子から出力される撮像
信号のレベルが低くなりS/N比が低下してしまう。こ
のS/N比の低下を考慮した場合、上記200万画素の
固体撮像素子はもはや限界に近く、現状では、さらに画
素数を増加させて解像度の向上を図ることは困難となっ
ている。また、上記200万画素のCCDイメージセン
サでも、印刷原稿等の入力用として用いるには、まだ解
像度が不十分であり、さらに高解像度化が求められてい
る。 【0003】こうしたことから、固体撮像素子(CCD
イメージセンサ)と撮像光の相対的位置を画素ピッチの
1以上の整数分の1づつシフトさせて撮像を行うことに
より空間サンプリング領域を増加し、画素数を増やすこ
となく高解像度化を図る固体撮像装置が開発された。 【0004】この固体撮像装置は、CCDイメージセン
サを圧電素子上に設け、このCCDイメージセンサを1
/2画素ピッチの振幅でフィールド毎に1方向に振動さ
せることにより、上記CCDイメージセンサに照射する
撮像光を1/2画素ピッチづらして照射(イメージシフ
ト)することができ、空間サンプリング領域を増加して
画素数を増やすことなく高解像度の画像を得ることがで
きる。 【0005】また、他に、CCDイメージセンサの前面
に薄いガラス板を設け、このガラス板を微小な角度で振
動させながら撮像を行う固体撮像装置も知られている。
この固体撮像装置は、上記ガラス板が振動される毎に、
該CCDイメージセンサに照射される撮像光が上記イメ
ージシフトされることとなり、空間サンプリング領域を
増加することができ、画素数を増やすことなく高解像度
の画像を得ることができる。 【0006】しかし、このような固体撮像装置は、CC
Dイメージセンサ自体を振動させるか、若しくは、CC
Dイメージセンサの前面に設けたガラス板を振動させる
ような機械的振動により上記CCDイメージセンサに照
射する撮像光をイメージシフトするようにしていたた
め、機械的構造が複雑化するうえ、該イメージシフト自
体の信頼性に乏しかった。 【0007】このため、このような機械的にイメージシ
フトを行う固体撮像装置の欠点を是正すべく、上記イメ
ージシフトを電気的に行うことができるような固体撮像
装置が開発された。 【0008】上記電気的にイメージシフトを行う固体撮
像装置は、例えばCCDイメージセンサとレンズとの間
に、いわゆる複屈折現象を示す光学素子として水晶板が
設けられており、さらに上記レンズの前段に、交流電圧
で駆動され、偏光方向が水平(H)方向の撮像光のみを
透過させる偏光フィルムが張り付けられた液晶板が設け
られている。 【0009】このような固体撮像装置は、撮像が開始さ
れると、上記液晶板に上記偏光フィルムを介した偏光方
向がH方向の撮像光が照射されるとともに、例えば1フ
ィールド毎に交流電圧が印加される。上記液晶板は、交
流電圧が印加されると入射された上記H方向の撮像光を
偏光方向を変換することなくそのまま出射し、交流電圧
が印加されないと上記H方向の撮像光を、90度の偏光
角度差を有する偏光方向が垂直(V)方向の撮像光に変
換して出射する。この液晶板から出射された上記H方向
の撮像光及びV方向の撮像光は、それぞれ上記水晶板に
照射される。上記水晶板は、上記H方向の撮像光が照射
されるとその光路を変換することなくそのまま常光とし
てCCDイメージセンサに照射し、上記V方向の撮像光
が照射されると、上記H方向の撮像光の光路に対して、
例えば1/2画素ピッチ分、V方向の下方向にシフト
し、これを異常光としてCCDイメージセンサに照射す
る。 【0010】これにより、上記CCDイメージセンサに
照射される撮像光としては、1フィールド毎に常光及び
該常光の照射位置に対して1/2画素ピッチ分V方向の
下方向にシフトされた異常光が照射されることとなるた
め、空間サンプリング領域を増加することができ解像度
を高めることができる。 【0011】この電気的にイメージシフト行う固体撮像
装置は、上述の機械的にイメージシフトを行う固体撮像
装置と比較して、複雑な機構系を必要とする可動部がな
いことからイメージシフトの信頼性を高めることがで
き、また、簡単な構造で製作することができる。 【0012】 【発明が解決しようとする課題】しかし、上記電気的に
イメージシフトを行う固体撮像装置において、上記液晶
板に交流電圧を印加するとH方向の撮像光のみならず多
少のV方向の撮像光(Vもれ撮像光)も出射され、ま
た、上記液晶板に交流電圧を印加しないときにはV方向
の撮像光のみならず多少のH方向の撮像光(Hもれ撮像
光)も出射される。具体的には、例えば上記液晶板に電
圧を印加しないときの場合、該液晶板から出射される撮
像光には、15%の上記Hもれ撮像光が含まれている。 【0013】このため、上記CCDイメージセンサに
は、上記常光線及び異常光線の両方の撮像光が照射され
ることとなり解像度の劣化を生じていた。また、上記液
晶板は周囲の温度に影響されやすく、周囲の温度が上が
ると上記もれ撮像光の光量も多くなり上記解像度の劣化
がより顕著となる。 【0014】そして、従来は、上記もれ撮像光による解
像度の劣化を防止するため、上記液晶板として上記もれ
撮像光がなるべく少ないものを選択する必要があった。
上記もれ撮像光が少ないような液晶板は種類が限られて
いるため、固体撮像装置に設けることができる液晶板が
限定され、固体撮像装置の設計等に支障をきたしてい
た。 【0015】本発明は、上述のような課題に鑑みてなさ
れたものであり、液晶板の種類にかかわらず上記Hもれ
撮像光及びVもれ撮像光による解像度の劣化を防止する
ことができるような固体撮像装置の提供を目的とする。 【0016】 【課題を解決するための手段】本発明は、固体撮像素子
に照射する撮像光を撮像する固体撮像装置において、
像光のうち偏光方向が1方向の撮像光のみを透過させる
偏光手段と、電圧のオンオフに応じて第1の期間では上
記偏光手段からの撮像光の偏光方向を変換せずに出射
し、第2の期間では上記撮像光の偏光方向を回転させて
出射する液晶板と、上記液晶板からの撮像光の偏光方向
に応じて、上記第1の期間では上記液晶板から出射され
た撮像光を常光として出射することで第1の撮像光を生
成し、上記第2の期間では上記液晶板から出射された撮
像光を上記常光に対してシフトした位置に異常光として
出射することで第2の撮像光を生成し出射する水晶板
と、上記第1の撮像光及び第2の撮像光を各画素で受光
し、上記第1の撮像光に対する第1の撮像信号及び上記
第2の撮像光に対応する第2の撮像信号をそれぞれ生成
して出力する固体撮像素子と、上記第1の撮像信号と第
2の撮像信号を同時信号として高解像度の撮像信号を生
成する合成手段とを備え、上記液晶板に電圧をオンした
ときに該液晶板から出射される偏光方向を有する撮像光
以外に該液晶板から出射されてしまう撮像光である第1
のもれ撮像光の光量、及び、上記液晶板に電圧をオフし
たときに該液晶板から出射される偏光方向を有する撮像
光以外に該液晶板から出射されてしまう撮像光である第
2のもれ撮像光の光量が、上記液晶板に電圧をオンした
とき及び上記液晶板に電圧をオフしたときにそれぞれ等
しくなるように、上記偏光手段、液晶板及び水晶板の配
置角度が調整されて、該偏光手段、液晶板及び水晶板が
設けられていることを特徴とする。 【0017】 【作用】本発明に係る固体撮像装置では、撮像光のうち
偏光方向が1方向の撮像光のみを透過させる偏光手段を
介して入射される撮像光について、液晶板は、電圧のオ
ンオフに応じて第1の期間では上記撮像光の偏光方向を
変換せずに出射し、第2の期間では上記撮像光の偏光方
向を回転させて出射する。水晶板は、上記液晶板からの
撮像光の偏光方向に応じて、上記第1の期間では上記液
晶板から出射された撮像光を常光として出射することで
第1の撮像光を生成し、上記第2の期間では上記液晶板
から出射された撮像光を上記常光に対してシフトした位
置に異常光として出射することで第2の撮像光を生成す
る。固体撮像素子は、上記第1の撮像光及び第2の撮像
光を各画素で受光し、上記第1の撮像光に対する第1の
撮像信号及び上記第2の撮像光に対応する第2の撮像信
号をそれぞれ生成する。そして、合成手段により、上記
第1の撮像信号と第2の撮像信号を同時信号として高解
像度の撮像信号を生成する。上記偏光手段、液晶板及び
水晶板は、上記液晶板に電圧をオンしたときに該液晶板
から出射される偏光方向を有する撮像光以外に該液晶板
から出射されてしまう撮像光である第1のもれ撮像光の
光量、及び、上記液晶板に電圧をオフしたときに該液晶
板から出射される偏光方向を有する撮像光以外に該液晶
板から出射されてしまう撮像光である第2のもれ撮像光
の光量が、上記液晶板に電圧をオンしたとき及び上記液
晶板に電圧をオフしたときにそれぞれ等しくなるなるよ
うに配置角度が調整されて設けられている。 【0018】このため、上記液晶板に電圧をオンしたと
きに上記固体撮像素子に照射される撮像光の光量、及
び、上記液晶板に電圧をオフしたときに上記固体撮像素
子に照射される撮像光の光量を等しくすることができ、
解像度の劣化を防止することができる。 【0019】 【実施例】以下、本発明に係る固体撮像装置の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。 【0020】本発明に係る実施例の固体撮像装置は、図
1に示すように照射される撮像光を集束するレンズ1
と、上記レンズ1を介して照射される撮像光のうち偏光
方向が図中実線の矢印で示すH(水平)方向の撮像光の
みを透過させる偏光手段である偏光子2と、例えば1/
2フィールドおきに電圧が印加され、該電圧が印加され
ているときは上記偏光子2からの偏光方向がH方向の撮
像光をそのまま透過させ、電圧が印加されていないとき
には上記偏光方向がH方向の撮像光を90度の角度差を
有する図中点線の矢印で示す偏光方向がV(垂直)方向
の撮像光に変換して出射するねじれマティック形の液晶
板3と、上記液晶板3から偏光方向がV方向の撮像光が
照射されると、このV方向の撮像光の光路は変えずに常
光としてそのまま出射し、また、上記液晶板3から上記
H方向の撮像光が照射されると、このH方向の撮像光の
光路を上記V方向の撮像光の光路に対して例えば1/2
画素ピッチ分、V方向の下方向にシフトして異常光とし
て出射する水晶板4とを有している。 【0021】また、上記固体撮像装置は、上記水晶板4
から照射される常光及び異常光を赤色(R)用撮像光,
緑色(G)用撮像光,青(B)用撮像光に分割するダイ
クロイックミラー5と、上記ダイクロイックミラー5か
らのR用撮像光を受光してアナログ信号であるR用撮像
信号を形成するR用CCDイメージセンサ6Rと、上記
ダイクロイックミラー5からのG用撮像光を受光してア
ナログ信号であるG用撮像信号を形成するG用CCDイ
メージセンサ6Gと、上記ダイクロイックミラー5から
のB用撮像光を受光してB用撮像信号を形成するB用C
CDイメージセンサ6Bとを有している。 【0022】また、上記固体撮像装置は、上記R用CC
Dイメージセンサ6RからのR用撮像信号をデジタル化
してR用撮像データを形成して出力する第1のA/D変
換器7と、上記G用CCDイメージセンサ6GからのG
用撮像信号をデジタル化してG用撮像データを形成して
出力する第2のA/D変換器8と、上記B用CCDイメ
ージセンサ6BからのB用撮像信号をデジタル化してB
用撮像データを形成して出力する第3のA/D変換器9
と、上記第1のA/D変換器7からのR用撮像データを
1/2フィールド毎に切り換えて出力する第1の切り換
えスイッチ10と、上記第2のA/D変換器8からのG
用撮像データを1/2フィールド毎に切り換えて出力す
る第2の切り換えスイッチ11と、上記第3のA/D変
換器9からのB用撮像データを1/2フィールド毎に切
り換えて出力する第3の切り換えスイッチ12とを有し
ている。 【0023】また、上記固体撮像装置は、上記第1の切
り換えスイッチ10を介した最初の1/2フィールドの
R用撮像データを記憶する第1のメモリ13と、上記第
1の切り換えスイッチ10を介した次の1/2フィール
ドのR用撮像データを記憶する第2のメモリ14と、上
記第2の切り換えスイッチ11を介した最初の1/2フ
ィールドのG用撮像データを記憶する第3のメモリ15
と、上記第2の切り換えスイッチ11を介した次の1/
2フィールドのG用撮像データを記憶する第4のメモリ
16と、上記第3の切り換えスイッチ12を介した最初
の1/2フィールドのB用撮像データを記憶する第5の
メモリ17と、上記第3の切り換えスイッチ12を介し
た次の1/2フィールドのB用撮像データを記憶する第
6のメモリ18とを有している。 【0024】また、上記固体撮像装置は、上記最初の1
/2フィールドには、上記第1,第3,第5のメモリ1
3,15,17から供給される最初の1/2フィールド
のR用,G用,B用の撮像データをそれぞれ出力し、次
の1/2フィールドには、上記第2,第4,第6のメモ
リ14,16,18から供給される次の1/2フィール
ドのR用,G用,B用の撮像データをそれぞれ出力する
マルチプレクサ19を有している。 【0025】上記各色用CCDイメージセンサ6R,6
G,6Bは、例えばいわゆるNTSC方式対応のものが
用いられている。また、上記R用CCDイメージセンサ
6Rは、例えば図2(a)に示すように各水平ラインの
第1画素目から1画素おきにR用画素が設けられてお
り、上記G用CCDイメージセンサ6Gは、同図(b)
に示すように各水平ラインの第2画素目から1画素おき
にG用画素が設けられており、上記B用CCDイメージ
センサ6Bは、同図(c)に示すように各水平ラインの
第1画素目から1画素おきにB用画素が設けられてい
る。すなわち、上記R用画素及びB用画素は、図2
(d)にR/Bで示すように、各ラインの奇数番目の画
素として位置するように設けられており、上記G用画素
は、上記R/Bの画素間である各ラインの偶数番目の画
素として位置するように設けられている。 【0026】ここで、上記液晶板3に電圧をオンする
と、上述のように該液晶板3からは上記H方向の撮像光
が出射されるが、このH方向の撮像光とともに第1のも
れ撮像光である多少のV方向の撮像光も出射される(以
下、Vもれ撮像光という。)。また、上記液晶板3への
電圧をオフすると、上述のように該液晶板3からは上記
V方向の撮像光が出射されるが、このV方向の撮像光と
ともに第2のもれ撮像光である多少のH方向の撮像光も
出射される(以下、Hもれ撮像光という。)。 【0027】上記Vもれ撮像光及びHもれ撮像光は解像
度に影響するため、上記偏光子2,液晶板3及び水晶板
4は、上記Vもれ撮像光及びHもれ撮像光の光量がそれ
ぞれ等しくなるように、配置角度が調整されて設けられ
ている。 【0028】すなわち、上記液晶板3の電圧オフ時に、
図3(a)に示すように、上記偏光子2を介して該液晶
板3の偏光面に角度θの傾きを持たせた光量が“1”の
撮像光を該液晶板3に照射したとすると、該液晶板3に
照射される撮像光の偏向方向がH方向の成分Iは“c
osθ”となり、また、偏向方向がV方向の成分I
“sinθ”となる。そして、上記偏向方向がH方向の
成分Iは上記液晶板3を通過することにより偏向方向
がV方向の主成分IH1,と偏向方向がH方向のもれ成
分KIH1となる。また、上記偏向方向がV方向の成分
は上記液晶板3を通過することにより偏向方向がH
方向の主成分IV1と偏向方向がV方向のもれ成分KI
V1となる。 【0029】ここで、(IH1(1+K)=I
であり、上記IH1はIとみなすことができ、ま
た、上記IV1はIとみなすことができ、K《1で
あるから、上記KIV1は、十分に小さな値になるので
無視することができ、上記液晶板3の電圧オフ時に上記
水晶板4に照射される撮像光は、偏向方向がV方向の主
成分Iと偏向方向がH方向のもれ成分KI−I
なる。 【0030】上記液晶板3の電圧オン時について、図3
(b)に示すように、上記偏光子2を介して該液晶板3
の偏光面に角度θの傾きを持たせた光量が“1”の撮像
光を該液晶板3に照射したとして、同じように計算する
と、上記液晶板3の電圧オン時に上記水晶板4に照射さ
れる撮像光は偏向方向がH方向の主成分Iと偏向方向
がV方向のもれ成分Iとなる。 【0031】したがって、上記液晶板3の電圧オフ時に
上記水晶板4に照射される撮像光に含まれる偏向方向が
H方向のもれ成分KI−Iの割合と、上記液晶板3
の電圧オン時に上記水晶板4に照射される撮像光に含ま
れる偏向方向がH方向の主成分Iと偏向方向がV方向
のもれ成分Iの割合を等しくするには、 (KI−I)/I=I/I すなわち、上記液晶板3の偏光面をtanθ=K/2と
すればよいこととなる。 【0032】このようにして、上記液晶板3の偏光面の
傾き角が計算上求められる訳であるが、この液晶板3の
偏光面の傾き角は、実際には次のように測定により求め
られる。 【0033】すなわち、図4に実線で示す座標を上記水
晶板4の座標とし、点線で示す座標を上記偏光子2の座
標とすると、上記偏光子2を設ける角度を可変しながら
上記液晶板3への電圧をオンオフ制御して上記CCDイ
メージセンサ6R,6G,6Bの出力レベル(もれ撮像
光のレベル及びもれ撮像光ではないメイン撮像光のレベ
ル)を測定する。このような測定を行うと、図5に示す
ように、図中実線で示す上記液晶板3への電圧オン時の
上記もれ撮像光のレベルと、図中点線で示す上記液晶板
3への電圧オフ時の上記もれ撮像光のレベルは、上記偏
光子2に約8度の傾きを持たせたときに少なく且つ一致
することが分かる。 【0034】従って、本実施例に係る固体撮像装置は、
上記偏光子2が約8度の傾きを有し、上記液晶板3及び
水晶板4は地面に対して垂直となるように設けられてい
る。 【0035】次に、このような構成を有する本実施例に
係る固体撮像装置の動作説明をする。図1において、本
実施例に係る固体撮像装置は、撮像が開始されると、撮
像光がレンズ1を介して集束され上記偏光子2に照射さ
れる。上記偏光子2は、偏光方向がH方向の撮像光のみ
を透過させる。この偏光子2を透過した上記撮像光は、
次に上記液晶板3に照射される。 【0036】上記液晶板3には、例えば1/2フィール
ド毎に電圧が印加されるようになっている。上記液晶板
3は、上記電圧が印加されると分子長軸が電界方向に配
列し、上記電圧が印加されていないときは電界が存在せ
ず、上記分子長軸が90度ねじれたツイスト配列とな
る。このため、上記液晶板3に電圧が印加されていると
きは、上記撮像光は偏光方向がH方向のまま透過し、電
圧が印加されていないときには上記撮像光は、上記H方
向の撮像光に対して90度の偏光角度差を有する偏光方
向がV方向の撮像光に変換され出射される。これによ
り、上記液晶板3からは、1/2フィールド毎に上記偏
光方向がH方向の撮像光と、上記偏光方向がV方向の撮
像光とが交互に出射されることとなる。 【0037】なお、上述のように、上記液晶板3に電圧
を印加したときには、上記H方向の撮像光及びVもれ撮
像光が出射され、また、上記液晶板3に電圧を印加しな
いときには、上記V方向の撮像光及びHもれ撮像光が出
射されるが、上記Vもれ撮像光及びHもれ撮像光は、上
述のように上記偏光子2を8度の角度を持たせて設ける
ことにより少なく且つ同じ光量となっている。 【0038】この1/2フィールド毎に出射される偏光
方向がH方向の撮像光(及びVもれ撮像光)及び上記偏
光方向がV方向の撮像光(及びHもれ撮像光)は、それ
ぞれ上記水晶板4に照射される。 【0039】上記水晶板4は、いわゆる複屈折現象を生
ずるようになっており、上記液晶板3から偏光方向がV
方向の撮像光が照射されると、このV方向の撮像光の光
路は変えずに常光としてそのまま出射し、また、上記液
晶板3から上記H方向の撮像光が照射されると、このH
方向の撮像光の光路を上記V方向の撮像光の光路に対し
て例えば1/2画素ピッチ分、V方向の下方向にシフト
して異常光として出射する。この水晶板4から出射され
る上記常光及び異常光は、それぞれ上記ダイクロイック
ミラー5に照射される。 【0040】上記ダイクロイックミラー5は、上記水晶
板4を介して照射される常光及び異常光をR用撮像光,
G用撮像光及びB用撮像光に3分割し、これらをそれぞ
れ上記R用CCDイメージセンサ6R,G用CCDイメ
ージセンサ6G及びB用CCDイメージセンサ6Bに照
射する。 【0041】上述のように、上記液晶板3に電圧を印加
したときには上記H方向の撮像光の他Vもれ撮像光が出
射され、また、上記液晶板3に電圧を印加しないときに
は、上記V方向の撮像光の他Hもれ撮像光が出射される
ため、上記各色用CCDイメージセンサ6R,6G,6
Bには、上記H方向の撮像光による異常光の他、上記V
もれ撮像光による常光が、また、上記V方向の撮像光に
よる常光の他、上記Hもれ撮像光による異常光が照射さ
れることとなるが、上記偏光子2に約8度の角度を持た
せて設けているため、該各色用CCDイメージセンサ6
R,6G,6Bに照射される上記Vもれ撮像光による常
光及び上記Hもれ撮像光による異常光のは少なく且つ同
じ光量となっている。このため、照射される撮像光の光
量は等しくなり、フィールド毎に異なる光量の撮像光を
該各色用CCDイメージセンサ6R,6G,6Bに照射
することにより生ずる解像度の劣化を防止することがで
きる。 【0042】また、周囲の温度が上がって上記液晶板か
ら出射される上記Hもれ撮像光及びVもれ撮像光の光量
が多くなっても、該Hもれ撮像光及びVもれ撮像光の光
量が等しいため、上記解像度の劣化を防止することがで
きる。 【0043】また、上記液晶板3として高価な上記もれ
撮像光の少ないものを使用しなくとも上記解像度の劣化
を防止することができるため、液晶板の選択の幅が広が
り、固体撮像装置の設計に貢献することができる。 【0044】上記R用CCDイメージセンサ6Rは、上
記ダイクロイックミラー5から1/2フィールド毎に照
射される常光又は異常光のR用撮像光からアナログ信号
であるR用撮像信号を形成し、これを上記第1のA/D
変換器7に供給する。なお、上記R用CCDイメージセ
ンサ6Rは、奇数フィールド時には図2(a)に示す第
1ライン,第3ライン・・・である奇数ラインの各R用
画素に蓄積された電荷がR用撮像信号として出力される
ように制御され、偶数フィールド時には、第2ライン,
第4ライン・・・である偶数ラインの各R用画素に蓄積
された電荷がR用撮像信号として出力されるように制御
される。 【0045】また、G用CCDイメージセンサ6Gは、
上記ダイクロイックミラー5から1/2フィールド毎に
照射される常光又は異常光のG用撮像光からアナログ信
号であるG用撮像信号を形成し、これを上記第2のA/
D変換器8に供給する。なお、上記G用CCDイメージ
センサ6Gは、奇数フィールド時には図2(b)に示す
第1ライン,第3ライン・・・である奇数ラインの各G
用画素に蓄積された電荷がG用撮像信号として出力され
るように制御され、偶数フィールド時には、第2ライ
ン,第4ライン・・・である偶数ラインの各G用画素に
蓄積された電荷がG用撮像信号として出力されるように
制御される。 【0046】また、B用CCDイメージセンサ6Bは、
上記ダイクロイックミラー5から1/2フィールド毎に
照射される常光又は異常光のB用撮像光からアナログ信
号であるB用撮像信号を形成し、これを上記第3のA/
D変換器9に供給する。なお、上記B用CCDイメージ
センサ6Bは、奇数フィールド時には図2(c)に示す
第1ライン,第3ライン・・・である奇数ラインの各B
用画素に蓄積された電荷がB用撮像信号として出力され
るように制御され、偶数フィールド時には、第2ライ
ン,第4ライン・・・である偶数ラインの各B用画素に
蓄積された電荷がB用撮像信号として出力されるように
制御される。 【0047】ここで、上記各色用CCDイメージセンサ
6R,6G,6Bには、上述のように奇数フィールド時
及び偶数フィールド時ともに最初の1/2フィールドに
は常光が照射され、次の1/2フィールドには、上記常
光よりもV方向の下方向に1/2画素ピッチ分シフトさ
れた異常光が照射される。 【0048】このため、奇数フィールド時の最初の1/
2フィールドに上記各色用CCDイメージセンサ6R,
6G,6Bから出力される各色用撮像信号は、図6
(a)に示すように、上記常光を、上記各色用CCDイ
メージセンサ6R,6G,6Bの奇数ライン上の画素が
受光することにより形成されたR/B,G,R/B,G
・・・の撮像信号となり、次の1/2フィールドに上記
各色用CCDイメージセンサ6R,6G,6Bから出力
される各色用撮像信号は、図6(b)に示すように、上
記1/2画素ピッチV方向の下方向にシフトされた異常
光を、上記各色用CCDイメージセンサ6R,6G,6
Bの奇数ライン上の画素が受光することにより形成され
たR/B,G,R/B,G・・・の撮像信号となる。従
って、上記奇数フィールド時には、図6(c)に示すよ
うに、上記常光による撮像信号である通常の奇数ライン
の撮像信号と、上記異常光による撮像信号である上記奇
数ラインと偶数ラインとの間のラインの撮像信号であ
り、上記通常の奇数ラインの撮像信号よりも各画素が1
/2ピッチ分V方向の下方向にシフトされている撮像信
号(図中、斜線で示す。)が、該1/2フィールド毎に
交互に出力されることとなる。 【0049】また、偶数フィールド時の最初の1/2フ
ィールドに上記各色用CCDイメージセンサ6R,6
G,6Bから出力される各色用撮像信号は、図7(a)
に示すように、上記常光を、上記各色用CCDイメージ
センサ6R,6G,6Bの偶数ライン上の画素が受光す
ることにより形成されたR/B,G,R/B,G・・・
の撮像信号となり、次の1/2フィールドに上記各色用
CCDイメージセンサ6R,6G,6Bから出力される
各色用撮像信号は、図7(b)に示すように、上記1/
2画素ピッチV方向の下方向にシフトされた異常光を、
上記各色用CCDイメージセンサ6R,6G,6Bの偶
数ライン上の画素が受光することにより形成されたR/
B,G,R/B,G・・・の撮像信号となる。従って、
上記偶数フィールド時には、図7(c)に示すように、
上記常光による撮像信号である通常の偶数ラインの撮像
信号と、上記異常光による撮像信号である偶数ラインと
奇数ラインとの間のラインの撮像信号であり、上記通常
の偶数ラインの撮像信号よりも1/2画素ピッチV方向
の下方向にシフトされていたる撮像信号(図中、斜線で
示す。)が、該1/2フィールド毎に交互に出力される
こととなる。 【0050】上記第1のA/D変換器7は、上記R用撮
像信号をデジタル化し、R用撮像データを形成して出力
する。また、上記第2のA/D変換器8は、上記G用撮
像信号をデジタル化し、G用撮像データを形成して出力
する。また、上記第3のA/D変換器9は、上記B用撮
像信号をデジタル化し、B用撮像データを形成して出力
する。 【0051】上記第1〜第3の切り換えスイッチ10〜
12は、奇数フィールド時及び偶数フィールド時共に、
最初の1/2フィールドには選択端子10a,11a,
12aで被選択端子10b,11b,12bを選択し、
次の1/2フィールドには上記選択端子10a,11
a,12aで被選択端子10c,11c,12cを選択
するように制御される。 【0052】このため、上記奇数フィールド時及び偶数
フィールド時の最初の1/2フィールドに上記第1〜第
3のA/D変換器7〜9から出力される上記常光による
各色用撮像データは、上記第1のメモリ13,第3のメ
モリ15及び第5のメモリ17にそれぞれ供給され記憶
され、次の1/2フィールドに上記第1〜第3のA/D
変換器7〜9から出力される上記異常光による各色用撮
像データは、上記第2のメモリ14,第4のメモリ16
及び第6のメモリ18にそれぞれ供給され記憶される。 【0053】上記第1〜第6のメモリ13〜18にそれ
ぞれ記憶された上記各色用撮像データは、それぞれライ
ン毎に同時に読み出され、上記マルチプレクサ19に供
給される。 【0054】上記マルチプレクサ19は、上記第1のメ
モリ13から読み出されるR用撮像データ及び第2のメ
モリ14から読み出されるR用撮像データをライン毎に
切り換え、これをR用出力端子20Rを介して出力し、
上記第3のメモリ15から読み出されるG用撮像データ
及び第4のメモリ16から読み出されるG用撮像データ
をライン毎に切り換え、これをG用出力端子20Gを介
して出力し、上記第5のメモリ17から読み出されるB
用撮像データ及び第6のメモリ18から読み出されるB
用撮像データをライン毎に切り換え、これをB用出力端
子20Bを介して出力する。 【0055】上記各色用出力端子20R,20G,20
Bを介して出力される上記各色用撮像データは、例えば
高品位テレビジョン受像機等に供給される。 【0056】上述のように、上記第1,第3,第5のメ
モリ13,15,17からは上記常光による各色用撮像
データが読み出され、上記第2,第4,第6のメモリ1
4,16,18からは上記異常光による各色用撮像デー
タが読み出される。このため、上記各色用出力端子20
R,20G,20Bから出力される各色用撮像データに
より形成される画像は、図8に示すように、2倍の水平
ラインで形成される。このため、水平解像度及び垂直解
像度を同時に上げた高解像度の画像を提供することがで
きる。 【0057】なお、上記各色用CCDイメージセンサ6
R,6G,6BとしてNTSC方式対応の通常のCCD
イメージセンサを用いることとしたが、この他、例えば
画素数が多い高品位テレビジョン用のCCDイメージセ
ンサを用いることができる。この場合、画素数の多いC
CDイメージセンサを用いるうえ、上述のように解像度
を上げることができるため、さらに高解像度な画像を得
ることができる。 【0058】最後に、本発明に係る技術的思想は、CC
Dイメージセンサに照射する撮像光を所定量だけシフト
させながら撮像を行う場合に、Hもれ撮像光及びVもれ
撮像光の光量が等しくなるように、偏光子,液晶板及び
水晶板の配置角度を調整して設けるところにある。この
ため、上述の実施例の構成には限定されず、例えば上記
レンズ1を液晶板3及び水晶板4の間に設ける等のよう
に、上記技術的思想を逸脱しない範囲であれば種々の変
更が可能であることは勿論である。 【0059】 【発明の効果】以上のように、本発明に係る固体撮像装
置では、撮像光のうち偏光方向が1方向の撮像光のみを
透過させる偏光手段、上記偏光手段を介して入射される
撮像光について、電圧のオンオフに応じて第1の期間で
は上記撮像光の偏光方向を変換せずに出射し、第2の期
間では上記撮像光の偏光方向を回転させて出射する液晶
板、上記液晶板からの撮像光の偏光方向に応じて、上記
第1の期間では上記液晶板から出射された撮像光を常光
として出射することで第1の撮像光を生成し、上記第2
の期間では上記液晶板から出射された撮像光を上記常光
に対してシフトした位置に異常光として出射することで
第2の撮像光を生成する水晶板の配置角度を、上記液晶
板に電圧をオンしたときに該液晶板から出射される偏光
方向を有する撮像光以外に該液晶板から出射されてしま
う撮像光である第1のもれ撮像光の光量、及び、上記液
晶板に電圧をオフしたときに該液晶板から出射される偏
光方向を有する撮像光以外に該液晶板から出射されてし
まう撮像光である第2のもれ撮像光の光量が、上記液晶
板に電圧をオンしたとき及び上記液晶板に電圧をオフし
たときにそれぞれ等しくなるなるように調整することに
より、上記液晶板に電圧をオンしたとき及び上記液晶板
に電圧をオフしたときに光量の等しい第1の撮像光及び
第2の撮像光を固体撮像素子の各画素で受光して、該固
体撮像素子により上記第1の撮像光に対する第1の撮像
信号及び上記第2の撮像光に対応する第2の撮像信号を
それぞれ生成することができ、合成手段により上記第1
の撮像信号と第2の撮像信号を同時信号として高解像度
の撮像信号を生成することができる。 【0060】また、周囲の温度が上がって上記液晶板か
ら出射される上記第1のもれ撮像光及び第2のもれ撮像
光の光量が多くなっても、該第1のもれ撮像光及び第2
のもれ撮像光の光量を等しくすることができるため、上
記解像度の劣化を防止することができる。 【0061】また、上記液晶板として高価な上記もれ撮
像光の少ないものを使用しなくとも上記解像度の劣化を
防止することができるため、上記液晶板の選択の幅が広
がり、固体撮像装置の設計に貢献することができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [0001] BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state imaging device (CCD).
Video camera that captures images of subjects using an image sensor)
Liquid crystal plate suitable for use in camera devices, image scanners, etc.
Control the voltage applied to the CCD image sensor
While electrically shifting the relative position between
The present invention relates to a solid-state imaging device that performs imaging, and in particular, an
Other than the polarized light component transmitted through the liquid crystal plate when pressure is applied.
The amount of imaging light, and if no voltage is applied to the liquid crystal plate
The amount of imaging light other than the polarized light component transmitted through the liquid crystal plate
For solid-state imaging with equal resolution
The present invention relates to an imaging device. [0002] 2. Description of the Related Art Solid-state imaging devices (CCD image sensors)
Is a video camera device because of its small size and low power consumption.
And are widely used in image scanners and the like. Above bidet
In general, CCD cameras with about 400,000 pixels
There is an image sensor, but this about 400,000 pixels
CCD image sensors have higher resolution than imaging tubes.
Quite low. In recent years, so-called high-quality
Revision receiver (HD television receiver)
High-definition television receivers have become widespread,
In order to support this HD television receiver, the pixel area
Increased the number of pixels to 2 million pixels by reducing the size
CCD image sensors were developed. But the above pixel
When the area is reduced, the image output from the solid-state
The signal level is reduced, and the S / N ratio is reduced. This
Considering the decrease in the S / N ratio of
Solid-state imaging devices are no longer near their limits, and at present,
It is difficult to improve the resolution by increasing the prime number
ing. In addition, the 2 million pixel CCD image sensor
In order to use it for inputting printed manuscripts,
Insufficient resolution and higher resolution is required
You. [0003] For these reasons, a solid-state imaging device (CCD)
Image sensor) and the relative position of the imaging light
To shift the image by 1 or more integers
Increase the spatial sampling area and increase the number of pixels.
A solid-state imaging device for achieving higher resolution has been developed. [0004] This solid-state imaging device is a CCD image sensor.
The CCD image sensor is mounted on a piezoelectric element.
Vibration in one direction per field with amplitude of / 2 pixel pitch
Irradiates the CCD image sensor
Irradiate imaging light with 1/2 pixel pitch (Image shift
G) can increase the spatial sampling area
High resolution images can be obtained without increasing the number of pixels.
Wear. [0005] In addition, the front of the CCD image sensor
A thin glass plate, and shake this glass plate at a minute angle.
There is also known a solid-state imaging device that performs imaging while moving.
This solid-state imaging device, every time the glass plate is vibrated,
The imaging light applied to the CCD image sensor is
And the spatial sampling area is
Can be increased, high resolution without increasing the number of pixels
Image can be obtained. [0006] However, such a solid-state imaging device has a CC
Vibrating the D image sensor itself or CC
Vibrates the glass plate provided in front of the D image sensor
The above-mentioned CCD image sensor is illuminated by such mechanical vibration.
The image light to be projected was image shifted.
Therefore, the mechanical structure becomes complicated, and the image shift
The body was poorly reliable. For this reason, such a mechanical image
In order to correct the drawbacks of the solid-state imaging device
Solid-state imaging that can electrically perform image shift
The device was developed. [0008] The above-mentioned solid-state imaging for electrically image shifting.
The imaging device is, for example, between the CCD image sensor and the lens.
In addition, a quartz plate is used as an optical element that exhibits the so-called birefringence phenomenon.
An AC voltage is provided before the lens.
And only the imaging light whose polarization direction is the horizontal (H) direction
A liquid crystal plate with a polarizing film to be transmitted is attached
Have been. In such a solid-state imaging device, imaging is started.
When the liquid crystal plate is polarized through the polarizing film.
While the imaging light in the H direction is emitted, for example,
An AC voltage is applied for each field. The liquid crystal panel is
When a streaming voltage is applied, the incident imaging light in the H direction is input.
Emitted without changing the polarization direction, AC voltage
If no light is applied, the imaging light in the H direction is polarized by 90 degrees.
The polarization direction having the angle difference changes to the imaging light in the vertical (V) direction.
In other words, the light is emitted. The H direction emitted from this liquid crystal plate
The imaging light in the direction V and the imaging light in the V direction
Irradiated. The quartz plate is irradiated with the imaging light in the H direction.
When it is done, the light path is converted to ordinary light without conversion.
And irradiates the CCD image sensor with the imaging light in the V direction.
Is irradiated, with respect to the optical path of the imaging light in the H direction,
For example, shift downward in the V direction by 1/2 pixel pitch
And irradiates it with extraordinary light to the CCD image sensor.
You. Thus, the CCD image sensor is
The irradiating imaging light includes ordinary light and
With respect to the irradiation position of the ordinary light, a half pixel pitch in the V direction
Abnormal light shifted downward will be emitted.
Because the spatial sampling area can be increased the resolution
Can be increased. [0011] The solid-state image pickup for electrically shifting the image
The device is a solid-state imaging device that performs the mechanical image shift described above.
There are no moving parts that require complicated
The reliability of the image shift
And can be manufactured with a simple structure. [0012] SUMMARY OF THE INVENTION
In a solid-state imaging device that performs image shift,
When an AC voltage is applied to the plate, not only the imaging light in the H direction
A small amount of imaging light in the V direction (V-leakage imaging light) is also emitted.
When no AC voltage is applied to the liquid crystal panel, the V direction
Not only the imaging light but also some imaging light in the H direction (H leakage imaging
Light) is also emitted. Specifically, for example, the liquid crystal plate is
When no pressure is applied, the image emitted from the liquid crystal plate
The image light contains 15% of the H-leakage imaging light. For this reason, the CCD image sensor described above
Is irradiated with both the ordinary ray and the extraordinary ray.
As a result, the resolution was deteriorated. The above liquid
The crystal plate is easily affected by the surrounding temperature,
As a result, the amount of the above-mentioned leakage imaging light increases and the resolution deteriorates.
Becomes more remarkable. Conventionally, a solution based on the above-mentioned leakage imaging light is used.
In order to prevent the deterioration of image resolution,
It was necessary to select one with as little imaging light as possible.
The types of liquid crystal panels with little leakage light are limited
Therefore, the liquid crystal plate that can be provided in the solid-state imaging device is
Is limited and hinders the design of the solid-state imaging device.
Was. [0015] The present invention has been made in view of the above problems.
H leakage regardless of the type of liquid crystal panel
Prevent degradation of resolution due to imaging light and V-leakage imaging light
It is an object of the present invention to provide a solid-state imaging device capable of performing such operations. [0016] Means for Solving the Problems The present invention provides:Solid-state imaging device
In a solid-state imaging device that captures imaging light to irradiate,Shooting
Transmit only imaging light of one polarization direction among image light
Depending on the polarization means and the voltage on / offDuring the first period
The imaging light from the polarizing means is emitted without changing the polarization direction
However, in the second period, the imaging lightRotate the polarization direction
Emitted liquid crystal plate and polarization direction of imaging light from the liquid crystal plate
In response to theEmitting light from the liquid crystal plate during the first period.
The first imaging light is generated by emitting the imaging light as ordinary light.
During the second period.
Image light as extraordinary light at the position shifted from the ordinary light
The second imaging light is generated by emittingEmitting quartz plate
When,Each pixel receives the first imaging light and the second imaging light.
And a first imaging signal for the first imaging light and the first imaging signal
Generate second imaging signals corresponding to the second imaging light, respectively
OutputA solid-state imaging device;The first imaging signal and the
2 high-resolution image signals as simultaneous image signals
And synthesizing means forTurn on the voltage on the liquid crystal panel
Imaging light having a polarization direction sometimes emitted from the liquid crystal plate
Other than the first, which is imaging light emitted from the liquid crystal plate.
Turn off the amount of leakage imaging light and the voltage to the liquid crystal panel.
Imaging having a polarization direction emitted from the liquid crystal plate when
Other than light, which is imaging light emitted from the liquid crystal plate.
2 Leakage amount of imaging light turned on the voltage on the liquid crystal plate
And when the voltage to the liquid crystal panel is turned off, etc.
The arrangement of the polarizing means, the liquid crystal plate and the crystal plate is
The setting angle is adjusted, and the polarizing means, the liquid crystal plate and the quartz plate are
It is characterized by being provided. [0017] In the solid-state imaging device according to the present invention, out of the imaging light,
Polarizing means for transmitting only imaging light with one polarization direction
The liquid crystal panel of the imaging light incident through the
In the first period, the polarization direction of the imaging light is changed according to the on / off state.
The light is emitted without conversion, and during the second period, the polarization direction of the imaging light is changed.
The light is emitted by rotating the direction. The crystal plate is
According to the polarization direction of the imaging light, during the first period, the liquid
By emitting the imaging light emitted from the crystal plate as ordinary light,
A first imaging light is generated, and during the second period, the liquid crystal panel is
Position where the imaging light emitted from
The second imaging light is generated by emitting the extraordinary light to the device.
You. The solid-state imaging device includes the first imaging light and the second imaging light.
Light is received by each pixel, and a first light with respect to the first imaging light is received.
An imaging signal and a second imaging signal corresponding to the second imaging light
Generate a number for each. And, by the synthesizing means,
High resolution using the first imaging signal and the second imaging signal as simultaneous signals
An image pickup signal of the image resolution is generated. The polarizing means, the liquid crystal plate and
When a voltage is applied to the liquid crystal plate, the crystal plate
The liquid crystal panel in addition to the imaging light having a polarization direction emitted from
Of the first leak imaging light which is the imaging light emitted from the
The amount of light and the liquid crystal when the voltage is turned off to the liquid crystal plate
The liquid crystal other than the imaging light having the polarization direction emitted from the plate
Second leak imaging light that is imaging light emitted from the plate
When the voltage is applied to the liquid crystal panel and when the liquid
It becomes equal when the voltage is turned off to the crystal plate
The arrangement angle is adjusted as described above. For this reason, when the voltage is turned on to the liquid crystal plate,
The amount of imaging light applied to the solid-state
When the voltage is turned off to the liquid crystal panel,
It is possible to equalize the amount of imaging light irradiated to the child,
The resolution can be prevented from deteriorating. [0019] DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the solid-state imaging device according to the present invention will be described.
This will be described with reference to the drawings. A solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention is shown in FIG.
A lens 1 for converging imaging light emitted as shown in FIG.
And the polarization of the imaging light irradiated through the lens 1
The direction of the imaging light in the H (horizontal) direction is indicated by the solid arrow in the drawing.
A polarizer 2 which is a polarizing means for transmitting only
A voltage is applied every two fields and the voltage is applied
When the polarization direction from the polarizer 2 is the H direction.
When image light is transmitted as it is and no voltage is applied
Has an angle difference of 90 degrees between the imaging light whose polarization direction is the H direction.
The polarization direction indicated by the dotted arrow in the figure has the V (vertical) direction.
Torsion-matic liquid crystal that converts the light into imaging light and emits it
Plate 3 and imaging light having a polarization direction of V direction from the liquid crystal plate 3.
When irradiated, the optical path of the imaging light in the V direction does not change and
The light is directly emitted as light, and
When the imaging light in the H direction is irradiated, the imaging light in the H direction is
The optical path is, for example, に 対 し て with respect to the optical path of the imaging light in the V direction.
It shifts downward in the V direction by the pixel pitch and becomes extraordinary light.
And a crystal plate 4 that emits light. Further, the solid-state imaging device is provided with the quartz plate 4.
The ordinary and extraordinary light emitted from the
Die for splitting into green (G) imaging light and blue (B) imaging light
Croic mirror 5 and dichroic mirror 5
These R imaging light are received and the analog signal R imaging is received.
An R CCD image sensor 6R for forming a signal;
The imaging light for G from the dichroic mirror 5 is received and
G CCD sensor for forming a G imaging signal which is a analog signal.
From the image sensor 6G and the dichroic mirror 5
C for B, which receives the B imaging light to form a B imaging signal
And a CD image sensor 6B. Further, the solid-state imaging device is provided with the CC for R.
Digitized R imaging signal from D image sensor 6R
A / D conversion for forming and outputting imaging data for R
Exchanger 7 and G from the G CCD image sensor 6G.
Digitizing the imaging signal for G to form G imaging data
A second A / D converter 8 for outputting, and a CCD image for B
Digitizing the B imaging signal from the image sensor 6B
A / D converter 9 for forming and outputting imaging data for use
And R imaging data from the first A / D converter 7
First switching for switching and outputting every half field
Switch 10 and the G signal from the second A / D converter 8.
Image data for each half field
The second A / D conversion switch 11
Switch the image data for B from the converter 9 every 1/2 field.
And a third changeover switch 12 for switching and outputting.
ing. Further, the solid-state imaging device is provided with the first switch.
Of the first half field via the switch 10
A first memory 13 for storing R imaging data;
The next half-feel via the 1 changeover switch 10
A second memory 14 for storing image data for R of the
The first half of the first half switch through the second changeover switch 11
Third memory 15 for storing field imaging data for G
And the next 1/1 through the second switch 11
Fourth memory for storing two fields of G imaging data
16 and the first through the third changeover switch 12
Fifth, which stores the image pickup data for B of 1/2 field of
Through the memory 17 and the third changeover switch 12
The second half of the field for storing the next 1/2 field of image pickup data for B
6 memories 18. Further, the solid-state image pickup device has the first 1
/ 2 field contains the first, third and fifth memories 1
First 1/2 field supplied from 3,15,17
R, G, and B image data are output, respectively.
Field of the second, fourth, and sixth memos
The next half-feel supplied from ri 14, 16, 18
Output image data for R, G, and B
It has a multiplexer 19. The above-mentioned CCD image sensors 6R, 6 for each color.
G and 6B are, for example, those compatible with the so-called NTSC system.
Used. In addition, the CCD image sensor for R
6R is, for example, as shown in FIG.
R pixels are provided every other pixel from the first pixel.
The CCD image sensor 6G for G is shown in FIG.
Every other pixel from the second pixel of each horizontal line as shown in
A pixel for G is provided in the CCD image for B
The sensor 6B is connected to each horizontal line as shown in FIG.
A B pixel is provided every other pixel from the first pixel.
You. That is, the R pixel and the B pixel are the same as those in FIG.
As shown by R / B in (d), the odd-numbered picture of each line
The G pixel.
Is the even-numbered image of each line between the R / B pixels.
It is provided so as to be located as an element. Here, a voltage is applied to the liquid crystal plate 3.
And the imaging light in the H direction from the liquid crystal plate 3 as described above.
Are emitted, and together with the imaging light in the H direction, the first
Some imaging light in the V direction, which is the imaging light, is also emitted (hereinafter referred to as the imaging light).
Below, it is called V-leakage imaging light. ). Also, the liquid crystal plate 3
When the voltage is turned off, the liquid crystal plate 3
The imaging light in the V direction is emitted.
Both the second leakage imaging light and some H-direction imaging light
The light is emitted (hereinafter, referred to as H-leakage imaging light). The V-leak imaging light and the H-leak imaging light are resolved.
Polarizer 2, liquid crystal plate 3 and quartz plate
No. 4 indicates that the amount of the V-leak imaging light and the H-leak imaging light is
The arrangement angles are adjusted so that they are equal.
ing. That is, when the voltage of the liquid crystal plate 3 is turned off,
As shown in FIG. 3A, the liquid crystal is passed through the polarizer 2.
When the amount of light obtained by making the polarization plane of the plate 3 have an inclination of the angle θ is “1”
Assuming that the imaging light is irradiated on the liquid crystal plate 3,
The component I in which the deflecting direction of the irradiated imaging light is H directionHIs "c
os θ ″, and the component I of which the deflection direction is the V directionVIs
“Sin θ”. The deflection direction is H direction.
Component IHIs the deflection direction by passing through the liquid crystal plate 3
Is the main component I in the V directionH1, And the deflection direction is H direction.
Minute KIH1Becomes In addition, the deflection direction is a component in the V direction.
IVIs passed through the liquid crystal plate 3 so that the deflection direction is H
Direction principal component IV1Component KI whose deflection direction is V direction
V1Becomes Here, (IH1)2(1 + K2) = IH
2And the above IH1Is IHCan be regarded as
The above IV1Is IVCan be considered as K2<< 1
Because there is, the above KIV1Is a sufficiently small value
It can be neglected, and when the voltage of the liquid crystal panel 3 is turned off,
The imaging light applied to the quartz plate 4 is mainly polarized in the V direction.
Component IHComponent KI whose deflection direction is HH-IVWhen
Become. When the voltage of the liquid crystal plate 3 is turned on, FIG.
As shown in (b), the liquid crystal plate 3 is interposed through the polarizer 2.
Imaging with the amount of light “1” in which the polarization plane has an inclination of angle θ
The same calculation is performed assuming that the liquid crystal plate 3 is irradiated with light.
Irradiates the crystal plate 4 when the voltage of the liquid crystal plate 3 is turned on.
The imaging light to be emitted has a main component I whose deflection direction is the H direction.HAnd deflection direction
Is the leak component I in the V direction.VBecomes Therefore, when the voltage of the liquid crystal panel 3 is turned off,
The deflection direction included in the imaging light applied to the quartz plate 4 is
Leakage component KI in H directionH-IVAnd the liquid crystal plate 3
Included in the imaging light irradiated on the quartz plate 4 when the voltage is turned on.
Principal component I whose deflection direction is HHAnd deflection direction is V direction
Leak component IVTo make the percentages equal, (KIH-IV) / IH= IV/ IH That is, the polarization plane of the liquid crystal plate 3 is defined as tan θ = K / 2.
That's all we need to do. Thus, the polarization plane of the liquid crystal plate 3
The tilt angle can be obtained by calculation.
The tilt angle of the plane of polarization is actually obtained by measurement as follows:
Can be That is, the coordinates shown by the solid line in FIG.
The coordinates of the polarizer 2 are defined as coordinates of the crystal plate 4 and coordinates indicated by a dotted line.
As a target, while changing the angle at which the polarizer 2 is provided,
On / off control of the voltage to the liquid crystal panel 3 is performed to control the CCD input.
Output level of image sensor 6R, 6G, 6B (leakage image
The level of light and the level of main imaging light that is not leakage imaging light
Measure). FIG. 5 shows such a measurement.
As shown in FIG.
The level of the leakage imaging light and the liquid crystal plate indicated by a dotted line in the figure.
3 when the voltage is turned off, the level of the leakage imaging light is
Less and equal when photon 2 has an inclination of about 8 degrees
You can see that Therefore, the solid-state imaging device according to this embodiment is
The polarizer 2 has an inclination of about 8 degrees, and the liquid crystal plate 3 and
The quartz plate 4 is provided so as to be perpendicular to the ground.
You. Next, in this embodiment having such a configuration,
The operation of the solid-state imaging device will be described. In FIG. 1, the book
When the imaging is started, the solid-state imaging device according to the embodiment takes an image.
The image light is focused through a lens 1 and irradiates the polarizer 2.
It is. The polarizer 2 has only the imaging light whose polarization direction is the H direction.
Through. The imaging light transmitted through the polarizer 2 is:
Next, the liquid crystal plate 3 is irradiated. The liquid crystal plate 3 has, for example, a half-feel.
A voltage is applied for each node. The above liquid crystal panel
3 is that when the above voltage is applied, the molecular long axis is arranged in the direction of the electric field.
When the above voltage is not applied, there is no electric field.
In other words, the molecular long axis is twisted by 90 degrees.
You. Therefore, when a voltage is applied to the liquid crystal plate 3,
In this case, the imaging light passes through the polarization direction H,
When no pressure is applied, the imaging light is emitted in the H direction.
Polarization direction having a polarization angle difference of 90 degrees with respect to the imaging light
The direction is converted into imaging light in the V direction and emitted. This
From the liquid crystal plate 3,
The imaging light whose light direction is H direction and the imaging light whose polarization direction is V direction
The image light and the image light are emitted alternately. As described above, the voltage is applied to the liquid crystal plate 3.
Is applied, the imaging light in the H direction and the V
Image light is emitted, and no voltage is applied to the liquid crystal plate 3.
The imaging light in the V direction and the H
The V-leak imaging light and the H-leak imaging light are
As described above, the polarizer 2 is provided at an angle of 8 degrees.
Therefore, the amount of light is small and the same. Polarized light emitted for each half field
Imaging light (and V-leakage imaging light) whose direction is the H direction
The imaging light (and H-leakage imaging light) whose light direction is the V direction is
The light is applied to the quartz plate 4. The quartz plate 4 causes a so-called birefringence phenomenon.
The direction of polarization from the liquid crystal plate 3 is V
When the imaging light in the direction is irradiated, the light of the imaging light in the V direction
The light is emitted as ordinary light without changing the path.
When the imaging light in the H direction is irradiated from the crystal plate 3, the H
The optical path of the imaging light in the V direction with respect to the optical path of the imaging light in the V direction.
, For example, shifted downward in the V direction by ピ ッ チ pixel pitch
And emits as extraordinary light. Emitted from this quartz plate 4
The above ordinary light and extraordinary light are respectively dichroic
The light is applied to the mirror 5. The dichroic mirror 5 includes the quartz crystal
The ordinary light and the extraordinary light radiated through the plate 4 are converted into R imaging light,
G light and B light are divided into three parts.
R CCD image sensor 6R, G CCD image
Light sensor 6G and CCD image sensor 6B for B
Shoot. As described above, a voltage is applied to the liquid crystal plate 3.
In this case, in addition to the above-described imaging light in the H direction, V-leakage imaging light is emitted.
When no voltage is applied to the liquid crystal panel 3
Emits the H-leakage imaging light in addition to the V-direction imaging light.
Therefore, the CCD image sensors 6R, 6G, 6
B includes the extraordinary light due to the imaging light in the H direction and the V
The ordinary light due to the leakage imaging light is also changed to the imaging light in the V direction.
Extraordinary light caused by the above-mentioned H-leakage imaging light
However, the polarizer 2 has an angle of about 8 degrees.
The CCD image sensor 6 for each color.
R, 6G, 6B
The amount of extraordinary light due to light and
Light quantity. Therefore, the light of the illuminated imaging light
The amount is the same, and different amounts of imaging light
Irradiates the CCD image sensors 6R, 6G, 6B for each color.
Can prevent the deterioration of resolution caused by
Wear. Also, when the ambient temperature rises,
The amount of H-leakage imaging light and V-leakage imaging light emitted from
Of the H-leakage imaging light and the V-leakage imaging light even if
Since the amounts are equal, it is possible to prevent the above-mentioned resolution from deteriorating.
Wear. Also, the liquid crystal plate 3 is expensive.
Degradation of the above resolution without using an image pickup light
Can prevent the LCD panel from being selected.
This can contribute to the design of the solid-state imaging device. The CCD image sensor for R 6R is
The dichroic mirror 5 illuminates every 1/2 field.
Analog signal from R imaging light of ordinary or extraordinary light emitted
Is formed, and this is formed by the first A / D
It is supplied to the converter 7. Note that the CCD image sensor for R
The sensor 6R operates at the time of an odd-numbered field as shown in FIG.
1st line, 3rd line, etc., for each R of odd lines
The charge accumulated in the pixel is output as an R imaging signal
In the even field, the second line,
Stored in each R pixel on an even-numbered line that is the fourth line
Control so that the generated charge is output as the R imaging signal
Is done. The G CCD image sensor 6G is
From the dichroic mirror 5 every 1/2 field
The analog signal from the illuminated ordinary or extraordinary G imaging light
A G imaging signal, which is a signal of the second A /
It is supplied to the D converter 8. The above G CCD image
The sensor 6G is shown in FIG.
Each G of the odd line which is the first line, the third line,...
The charge accumulated in the pixel is output as a G image signal.
In the case of an even field, the second line
, The fourth line,...
So that the accumulated charge is output as the G imaging signal
Controlled. Further, the CCD image sensor 6B for B is
From the dichroic mirror 5 every 1/2 field
Analog signal from the illuminated ordinary or extraordinary B imaging light
A signal for B, which is a signal of the third A /
It is supplied to the D converter 9. The CCD image for B
The sensor 6B is shown in FIG.
Each B of the odd-numbered lines that are the first line, the third line,...
The charge accumulated in the pixel for use is output as a B image signal.
In the case of an even field, the second line
, The fourth line,...
So that the accumulated charge is output as the B image signal
Controlled. Here, the CCD image sensor for each color described above
6R, 6G, and 6B have odd fields as described above.
And the first half field for both even and even fields
Is illuminated with ordinary light, and in the next half field,
Shifted by 1/2 pixel pitch below the light in the V direction
Irradiated abnormal light is emitted. For this reason, the first 1 / O in the odd field is used.
The CCD image sensor 6R for each color is provided in two fields.
The imaging signals for each color output from 6G and 6B are shown in FIG.
(A) As shown in FIG.
Pixels on odd lines of the image sensors 6R, 6G, 6B are
R / B, G, R / B, G formed by receiving light
.., And in the next 1/2 field
Output from CCD image sensors 6R, 6G, 6B for each color
As shown in FIG. 6B, the imaging signals for each color are
Abnormality shifted downward in the 1/2 pixel pitch V direction
The light is transmitted to the CCD image sensors 6R, 6G, 6
The pixels formed on the odd lines of B are formed by receiving light.
, R / B, G, R / B, G... Obedience
Therefore, at the time of the odd field, as shown in FIG.
As described above, the ordinary odd-numbered line which is the imaging signal by the ordinary light is used.
And the odd signal which is an image signal due to the abnormal light.
An image signal of a line between a few lines and an even line
Therefore, each pixel is one pixel more than the above-mentioned normal odd-numbered line imaging signal.
Imaging signal shifted downward by V / 2 pitch in the V direction
(Indicated by diagonal lines in the figure)
It will be output alternately. Also, the first half of the even field is used.
Field CCD image sensors 6R, 6R for each color
G and 6B output signals for each color are shown in FIG.
As shown in the above, the ordinary light is converted to the CCD image for each color.
Pixels on even lines of the sensors 6R, 6G, 6B receive light.
R / B, G, R / B, G,.
, And the next half field for each color
Output from CCD image sensors 6R, 6G, 6B
As shown in FIG. 7B, the imaging signal for each color is 1 /
The extraordinary light shifted downward in the two pixel pitch V direction is
An even number of the CCD image sensors 6R, 6G, 6B for each color.
R / R formed by the pixels on several lines receiving light
B, G, R / B, G... Therefore,
At the time of the above even field, as shown in FIG.
Imaging of a normal even line which is an imaging signal by the ordinary light
Signal and an even-numbered line that is an imaging signal due to the abnormal light.
This is the imaging signal of the line between the odd line and the above
画素 pixel pitch V direction from the imaging signal of even line
Image signal that is shifted downward (in the figure,
Show. ) Are alternately output every half field.
It will be. The first A / D converter 7 is used for the R imaging.
Digitizes image signal, forms R image data and outputs
I do. Further, the second A / D converter 8 is provided with the G
Digitizes image signal, forms G image data and outputs
I do. In addition, the third A / D converter 9 is used for the B imaging.
Digitizes image signal, forms and outputs B image data
I do. The first to third changeover switches 10 to 10
12 is an odd field and an even field,
The selection terminals 10a, 11a,
At 12a, the selected terminals 10b, 11b, 12b are selected,
In the next 1/2 field, the selection terminals 10a, 11
Select the selected terminals 10c, 11c, 12c with a, 12a
Is controlled. For this reason, the odd field and even field
In the first half field during the field,
3 based on the ordinary light output from the A / D converters 7 to 9
The imaging data for each color is stored in the first memory 13 and the third memory.
Supplied to and stored in the memory 15 and the fifth memory 17, respectively.
And the first to third A / Ds are added to the next 1/2 field.
Shooting for each color by the abnormal light output from the converters 7 to 9
The image data is stored in the second memory 14 and the fourth memory 16.
And supplied to and stored in the sixth memory 18. The first to sixth memories 13 to 18 store the
The stored image data for each color is individually written.
Are read out simultaneously for each multiplexer and supplied to the multiplexer 19.
Be paid. The multiplexer 19 is connected to the first menu.
The R imaging data read from the memory 13 and the second memory
R imaging data read from the memory 14
And outputs it via the R output terminal 20R.
G imaging data read from the third memory 15
And G imaging data read from the fourth memory 16
Is switched for each line, and this is switched through the G output terminal 20G.
B and read from the fifth memory 17
Imaging data and B read from the sixth memory 18
The imaging data for B is switched for each line, and this is output to the output terminal for B.
Output through the child 20B. The output terminals 20R, 20G, 20 for the respective colors described above.
The imaging data for each color output via B is, for example,
It is supplied to high-definition television receivers and the like. As described above, the first, third, and fifth menus are described.
Each of the colors 13, 15, and 17 captures an image for each color using the ordinary light.
The data is read and the second, fourth, and sixth memories 1 are read.
From 4, 16, and 18, the imaging data for each color due to the abnormal light
Data is read. For this reason, the output terminal 20 for each color is used.
R, 20G, 20B
As shown in FIG. 8, the formed image has twice the horizontal
Formed in lines. For this reason, horizontal resolution and vertical solution
It is possible to provide high resolution images with increased resolution at the same time.
Wear. The above-described CCD image sensor 6 for each color is used.
Normal CCD for NTSC system as R, 6G, 6B
We decided to use an image sensor.
CCD image sensor for high-definition television with many pixels
Sensors can be used. In this case, C with a large number of pixels
In addition to using a CD image sensor,
To obtain higher resolution images.
Can be Finally, the technical idea according to the present invention is as follows:
Shifts the imaging light applied to the D image sensor by a predetermined amount
In the case of performing imaging while performing the operation, the H leakage image light and the V leakage
The polarizer, the liquid crystal plate, and the
The arrangement angle of the crystal plate is adjusted and provided. this
Therefore, the configuration is not limited to the configuration of the above-described embodiment.
The lens 1 is provided between the liquid crystal plate 3 and the crystal plate 4, for example.
In addition, various changes may be made without departing from the above technical idea.
Of course, further modifications are possible. [0059] As described above, the solid-state imaging device according to the present invention is described.
Of the imaging light, only the imaging light having one polarization direction is taken out of the imaging light.
Polarizing means for transmitting, incident through the polarizing means
For the imaging light, in the first period according to the on / off of the voltage
Is emitted without changing the polarization direction of the imaging light,
Liquid crystal that emits light by rotating the polarization direction of the imaging light between
Plate, depending on the polarization direction of the imaging light from the liquid crystal plate,
In the first period, the imaging light emitted from the liquid crystal plate is changed to ordinary light.
As a result, the first imaging light is generated, and the second imaging light is generated.
In the period, the imaging light emitted from the liquid crystal plate is
Is emitted as extraordinary light at a position shifted with respect to
The angle at which the crystal plate for generating the second imaging light is arranged is determined by the liquid crystal
Polarized light emitted from the liquid crystal plate when voltage is applied to the plate
In addition to imaging light having a direction, it is emitted from the liquid crystal panel.
The amount of the first leak imaging light, which is the imaging light,
When the voltage is turned off to the crystal plate,
In addition to the imaging light having the light direction,
The amount of the second leakage imaging light, which is the imaging light
When the voltage is turned on to the panel and when the voltage is
To be equal when
More specifically, when a voltage is applied to the liquid crystal panel,
When the voltage is turned off, the first imaging light having the same light amount and
The second imaging light is received by each pixel of the solid-state imaging device, and the solid-state imaging device receives the second imaging light.
First imaging with respect to the first imaging light by a body imaging device
Signal and a second imaging signal corresponding to the second imaging light
Respectively, and can be generated by the synthesizing means.
High resolution as the simultaneous image signal and second image signal
Can be generated. In addition, when the ambient temperature rises,
The first leak imaging light and the second leak imaging emitted from the
Even if the amount of light increases, the first leakage imaging light and the second
Leakage The amount of imaging light can be equalized.
The resolution can be prevented from deteriorating. Further, the above-mentioned leakage shooting which is expensive as the liquid crystal plate is performed.
Degradation of the above resolution without using an image light
Can be prevented, so the range of choice of the liquid crystal panel is wide.
This can contribute to the design of the solid-state imaging device.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明に係る固体撮像装置の実施例のブロック
図である。 【図2】上記実施例の固体撮像装置に設けられているR
GBの3チップのCCDイメージセンサのそれぞれの画
素の配列パターンを説明するための模式図である。 【図3】上記実施例の固体撮像装置に設けられている偏
光子の配置角度の計算方法を説明するためのグラフであ
る。 【図4】上記偏光子の配置角度の測定の仕方を説明する
ためのグラフである。 【図5】上記実施例の固体撮像装置に設けられている液
晶板に電圧を印加したとき及び電圧を印加しないときに
おけるもれ撮像光の光量を、上記偏光子の配置角度別に
示したグラフである。 【図6】上記実施例の固体撮像装置の奇数フィールド時
におけるシフト前、シフト後の撮像信号を示す模式図で
ある。 【図7】上記実施例の固体撮像装置の偶数フィールド時
におけるシフト前、シフト後の撮像信号を示す模式図で
ある。 【図8】上記実施例の固体撮像装置の1フレーム分の撮
像信号により形成された画像を示す模式図である。 【符号の説明】 1・・・・・・・・・・レンズ 2・・・・・・・・・・偏光子 3・・・・・・・・・・液晶板 4・・・・・・・・・・水晶板 5・・・・・・・・・・ダイクロイックミラー 6R・・・・・・・・・R用CCDイメージセンサ 6G・・・・・・・・・G用CCDイメージセンサ 6B・・・・・・・・・B用CCDイメージセンサ 7〜9・・・・・・・・第1〜第3のA/D変換器 10〜12・・・・・・第1〜第3の切り換えスイッチ 13〜18・・・・・・第1〜第6のメモリ 19・・・・・・・・・マルチプレクサ
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of a solid-state imaging device according to the present invention. FIG. 2 is a diagram illustrating an example of an R provided in the solid-state imaging device according to the embodiment.
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining an array pattern of each pixel of a GB three-chip CCD image sensor. FIG. 3 is a graph for explaining a calculation method of an arrangement angle of a polarizer provided in the solid-state imaging device of the embodiment. FIG. 4 is a graph for explaining how to measure the arrangement angle of the polarizer. FIG. 5 is a graph showing the amount of leakage imaging light when a voltage is applied to a liquid crystal plate provided in the solid-state imaging device of the above embodiment and when no voltage is applied, for each arrangement angle of the polarizer. is there. FIG. 6 is a schematic diagram showing an image signal before and after a shift in an odd field of the solid-state imaging device of the embodiment. FIG. 7 is a schematic diagram showing image signals before and after shifting in the even-numbered field of the solid-state imaging device of the embodiment. FIG. 8 is a schematic diagram showing an image formed by one frame of an imaging signal of the solid-state imaging device of the embodiment. [Description of Signs] 1 ... Lens 2 ... Polarizer 3 ... Liquid crystal plate 4 ... ··· Quartz plate 5 ······· Dichroic mirror 6R ······ CCD image sensor 6G for R ····· CCD image sensor 6B for G ... B CCD image sensors 7 to 9... First to third A / D converters 10 to 12. Changeover switches 13 to 18... First to sixth memories 19.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−270973(JP,A) 特開 平2−52580(JP,A) 特開 平3−78378(JP,A) 特開 平4−115786(JP,A) 特開 平5−344432(JP,A) 特開 平5−344430(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H04N 5/335 H04N 5/225 - 5/232 H04N 9/07 - 9/09 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-61-270973 (JP, A) JP-A-2-52580 (JP, A) JP-A-3-78378 (JP, A) JP-A-4- 115786 (JP, A) JP-A-5-344432 (JP, A) JP-A-5-344430 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H04N 5/335 H04N 5 / 225-5/232 H04N 9/07-9/09

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 固体撮像素子に照射する撮像光を撮像す
る固体撮像装置において、 撮像光のうち偏光方向が1方向の撮像光のみを透過させ
る偏光手段と、 電圧のオンオフに応じて第1の期間では上記偏光手段か
らの撮像光の偏光方向を変換せずに出射し、第2の期間
では上記撮像光の偏光方向を回転させて出射する液晶板
と、 上記液晶板からの撮像光の偏光方向に応じて、上記第1
の期間では上記液晶板から出射された撮像光を常光とし
て出射することで第1の撮像光を生成し、上記第2の期
間では上記液晶板から出射された撮像光を上記常光に対
してシフトした位置に異常光として出射することで第2
の撮像光を生成し出射する水晶板と、上記第1の撮像光及び第2の撮像光を各画素で受光し、
上記第1の撮像光に対する第1の撮像信号及び上記第2
の撮像光に対応する第2の撮像信号をそれぞれ生成して
出力する 固体撮像素子と、上記第1の撮像信号と第2の撮像信号を同時信号として
高解像度の撮像信号を生成する合成手段とを備え、 上記液晶板に電圧をオンしたときに該液晶板から出射さ
れる偏光方向を有する撮像光以外に該液晶板から出射さ
れてしまう撮像光である第1のもれ撮像光の光量、及
び、上記液晶板に電圧をオフしたときに該液晶板から出
射される偏光方向を有する撮像光以外に該液晶板から出
射されてしまう撮像光である第2のもれ撮像光の光量
が、上記液晶板に電圧をオンしたとき及び上記液晶板に
電圧をオフしたときにそれぞれ等しくなるように、上記
偏光手段、液晶板及び水晶板の配置角度が調整されて、
該偏光手段、液晶板及び水晶板が設けられていることを
特徴とする固体撮像装置。
(57) [Claims] [Claim 1] An image of an imaging light irradiated to a solid-state imaging device is taken.
A solid-state imaging device that transmits only imaging light having one polarization direction out of imaging light, and the polarization unit is used in the first period according to the on / off of the voltage .
The imaging light is emitted without changing the polarization direction of the imaging light for the second period.
The liquid crystal plate which rotates the polarization direction of the imaging light and emits the light, and the first liquid crystal plate according to the polarization direction of the imaging light from the liquid crystal plate .
In the period of, the imaging light emitted from the liquid crystal plate is regarded as ordinary light.
And emits the first imaging light to generate the second imaging light.
Between the imaging light emitted from the liquid crystal plate and the ordinary light.
Out as extraordinary light at the shifted position
A quartz plate that generates and emits imaging light, and receives the first imaging light and the second imaging light at each pixel,
A first imaging signal for the first imaging light and the second imaging signal;
Generating the second imaging signal corresponding to the imaging light of
A solid-state imaging device to be output , and the first imaging signal and the second imaging signal as simultaneous signals.
A synthesizing means for generating a high-resolution imaging signal , wherein imaging light emitted from the liquid crystal plate other than imaging light having a polarization direction emitted from the liquid crystal plate when a voltage is applied to the liquid crystal plate. The amount of the first leakage imaging light and the imaging light emitted from the liquid crystal plate other than the imaging light having the polarization direction emitted from the liquid crystal plate when the voltage is turned off to the liquid crystal plate. The arrangement angle of the polarizing means, the liquid crystal plate and the quartz plate is set such that the amount of the second leakage imaging light becomes equal when the voltage is applied to the liquid crystal plate and when the voltage is applied to the liquid crystal plate. Adjusted,
A solid-state imaging device comprising the polarizing means, a liquid crystal plate and a quartz plate.
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