JP3352172B2 - プラスチック製光学部品の光学薄膜およびその成膜方法 - Google Patents
プラスチック製光学部品の光学薄膜およびその成膜方法Info
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- JP3352172B2 JP3352172B2 JP23744693A JP23744693A JP3352172B2 JP 3352172 B2 JP3352172 B2 JP 3352172B2 JP 23744693 A JP23744693 A JP 23744693A JP 23744693 A JP23744693 A JP 23744693A JP 3352172 B2 JP3352172 B2 JP 3352172B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラスチック製のレン
ズやミラー等の表面反射を防止するための反射防止膜等
のプラスチック製光学部品の光学薄膜およびその成膜方
法に関するものである。
ズやミラー等の表面反射を防止するための反射防止膜等
のプラスチック製光学部品の光学薄膜およびその成膜方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラスチック製のレンズやミラー等の光
学部品は、無機ガラスに比べて軽量化や低コスト化を大
幅に促進できるために近年広く利用されており、このた
めのプラスチック素材も様々なものが開発されている。
無機ガラス製の光学部品と同様にプラスチック製光学部
品も、各種単層膜や各種多層膜からなる反射防止膜等の
光学薄膜を設ける必要がある。無機ガラス製光学部品の
反射防止膜等は真空蒸着法で基体を２００℃ないし３５
０℃に加熱して成膜されることが多いが、プラスチック
製光学部品は高温に加熱すると熱変形を起こして光学特
性が劣化するおそれがあるため、このような成膜方法を
そのまま適用することはできない。また、真空蒸着法で
基体を加熱することなく反射防止膜や高反射膜等の光学
薄膜を成膜した場合は、膜の密着性や耐摩耗性や耐溶剤
性等の機械的強度や耐久性が不足する。そこで、プラス
チック製光学部品の基体を高温に加熱することなく機械
的強度や耐久性にすぐれた光学薄膜を成膜するために、
様々な工夫がなされており、成膜中の基体の温度を５０
℃ないし８０℃の間で制御する方法や、ＲＦイオンプレ
ーティング法を採用することが提案され、ＳｉＯ2 、Ｚ
ｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化物を主成分とする反射防止
膜等の場合には、ある程度の効果が確認されている。
学部品は、無機ガラスに比べて軽量化や低コスト化を大
幅に促進できるために近年広く利用されており、このた
めのプラスチック素材も様々なものが開発されている。
無機ガラス製の光学部品と同様にプラスチック製光学部
品も、各種単層膜や各種多層膜からなる反射防止膜等の
光学薄膜を設ける必要がある。無機ガラス製光学部品の
反射防止膜等は真空蒸着法で基体を２００℃ないし３５
０℃に加熱して成膜されることが多いが、プラスチック
製光学部品は高温に加熱すると熱変形を起こして光学特
性が劣化するおそれがあるため、このような成膜方法を
そのまま適用することはできない。また、真空蒸着法で
基体を加熱することなく反射防止膜や高反射膜等の光学
薄膜を成膜した場合は、膜の密着性や耐摩耗性や耐溶剤
性等の機械的強度や耐久性が不足する。そこで、プラス
チック製光学部品の基体を高温に加熱することなく機械
的強度や耐久性にすぐれた光学薄膜を成膜するために、
様々な工夫がなされており、成膜中の基体の温度を５０
℃ないし８０℃の間で制御する方法や、ＲＦイオンプレ
ーティング法を採用することが提案され、ＳｉＯ2 、Ｚ
ｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の酸化物を主成分とする反射防止
膜等の場合には、ある程度の効果が確認されている。
【０００３】一方、最近では、反射防止膜や高反射膜等
の光学薄膜に低屈折率材料としてＭｇＦ2 を用いること
によって反射防止特性等の光学特性を向上させたものが
開発されているが、ＭｇＦ2 膜は一般に充填率が極めて
低く、前述のように基体を比較的低温に制御したり、イ
オンプレーティング法を採用することで十分な機械的強
度や耐久性を得ることはできない。そこで、ＭｇＦ2 膜
の充填率を向上させるために、成膜室の真空度を１×１
０-6Ｔｏｒｒ以上の高真空にする方法も開発されている
が（特開平２−２９８２５２号公報参照）、基体の表面
の残留水分や不純物の量を低下させることで、密着性が
多少向上するものの、耐摩耗性等については不充分であ
り、１×１０-6Ｔｏｒｒ以上の高真空下でもＭｇＦ2 膜
の充填率を大きく改良することはできないことが判明し
た。
の光学薄膜に低屈折率材料としてＭｇＦ2 を用いること
によって反射防止特性等の光学特性を向上させたものが
開発されているが、ＭｇＦ2 膜は一般に充填率が極めて
低く、前述のように基体を比較的低温に制御したり、イ
オンプレーティング法を採用することで十分な機械的強
度や耐久性を得ることはできない。そこで、ＭｇＦ2 膜
の充填率を向上させるために、成膜室の真空度を１×１
０-6Ｔｏｒｒ以上の高真空にする方法も開発されている
が（特開平２−２９８２５２号公報参照）、基体の表面
の残留水分や不純物の量を低下させることで、密着性が
多少向上するものの、耐摩耗性等については不充分であ
り、１×１０-6Ｔｏｒｒ以上の高真空下でもＭｇＦ2 膜
の充填率を大きく改良することはできないことが判明し
た。
【０００４】また、プラスチック製光学部品の基体の軟
質性を補うために、基体と反射防止膜や高反射膜等の光
学薄膜の間に珪素酸化物ＳｉＯｘのアンダーコートを設
けてプラスチック製光学部品の表面の硬度を強化する方
法も開発されている（特開昭５３−３０６号公報参
照）。この方法は光学薄膜の膜厚が小さいときに特に大
きな効果が期待できる。光学薄膜の充填率が高く従って
充分な硬度を有する場合でも、ＳｉＯｘのアンダーコー
トが無いと密着性等が不足する傾向にある。
質性を補うために、基体と反射防止膜や高反射膜等の光
学薄膜の間に珪素酸化物ＳｉＯｘのアンダーコートを設
けてプラスチック製光学部品の表面の硬度を強化する方
法も開発されている（特開昭５３−３０６号公報参
照）。この方法は光学薄膜の膜厚が小さいときに特に大
きな効果が期待できる。光学薄膜の充填率が高く従って
充分な硬度を有する場合でも、ＳｉＯｘのアンダーコー
トが無いと密着性等が不足する傾向にある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、前述のように、低屈折率材料としてＭ
ｇＦ2 を用いる反射防止膜等の場合は、基体を高温に加
熱することなしに成膜するとＭｇＦ2 の充填率が不足
し、このために、充分な密着性や耐摩耗性や耐溶剤性等
の機械的強度や耐久性を有する光学薄膜を得ることがで
きない。
の技術によれば、前述のように、低屈折率材料としてＭ
ｇＦ2 を用いる反射防止膜等の場合は、基体を高温に加
熱することなしに成膜するとＭｇＦ2 の充填率が不足
し、このために、充分な密着性や耐摩耗性や耐溶剤性等
の機械的強度や耐久性を有する光学薄膜を得ることがで
きない。
【０００６】本発明は、上記従来の技術の有する問題点
に鑑みてなされたものであり、少くとも１層のＭｇＦ2
膜を有する光学薄膜であって、無加熱で成膜されても充
分な機械的強度や耐久性を備えているプラスチック製光
学部品の光学薄膜およびその成膜方法を提供することを
目的とするものである。
に鑑みてなされたものであり、少くとも１層のＭｇＦ2
膜を有する光学薄膜であって、無加熱で成膜されても充
分な機械的強度や耐久性を備えているプラスチック製光
学部品の光学薄膜およびその成膜方法を提供することを
目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明のプラスチック製光学部品の光学薄膜は、プ
ラスチック製の基体の表面に設けられたＳｉＯｘ（１≦
ｘ≦２）のアンダーコートと、その上に積層された光学
薄膜からなり、前記光学薄膜が少くとも１層のＭｇＦ2
膜を有し、該ＭｇＦ2 膜がクラスターイオンビーム蒸着
法によって成膜されたものであることを特徴とする。
めに本発明のプラスチック製光学部品の光学薄膜は、プ
ラスチック製の基体の表面に設けられたＳｉＯｘ（１≦
ｘ≦２）のアンダーコートと、その上に積層された光学
薄膜からなり、前記光学薄膜が少くとも１層のＭｇＦ2
膜を有し、該ＭｇＦ2 膜がクラスターイオンビーム蒸着
法によって成膜されたものであることを特徴とする。
【０００８】また、光学薄膜が反射防止膜であるとよ
い。
い。
【０００９】
【作用】光学薄膜が少くとも１層のＭｇＦ2 膜を有する
ために光学薄膜の光学特性は大幅に向上し、加えて、基
体が無加熱であっても、ＭｇＦ2 膜がクラスターイオン
ビーム蒸着法で成膜されているためにその充填率が充分
高く、従って、機械的強度や耐久性が不足するおそれは
ない。さらに、ＳｉＯｘのアンダーコートを有するため
にプラスチック製の基体の軟質性が補われ、機械的強度
や耐久性にすぐれたプラスチック製光学部品の光学薄膜
の反射防止膜を得ることができる。
ために光学薄膜の光学特性は大幅に向上し、加えて、基
体が無加熱であっても、ＭｇＦ2 膜がクラスターイオン
ビーム蒸着法で成膜されているためにその充填率が充分
高く、従って、機械的強度や耐久性が不足するおそれは
ない。さらに、ＳｉＯｘのアンダーコートを有するため
にプラスチック製の基体の軟質性が補われ、機械的強度
や耐久性にすぐれたプラスチック製光学部品の光学薄膜
の反射防止膜を得ることができる。
【００１０】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１１】図１は本発明の成膜方法に用いる成膜装置
の一例を示すもので、これは、排気口１ａを有する真空
室１と、その上部に配設されたドーム型の基板ホルダ２
と、それぞれ真空室１の底部に配設されたクラスターイ
オンビーム蒸発源３と、抵抗加熱蒸発源４と、電子銃加
熱蒸発源５からなり、基板ホルダ２は周方向に等間隔で
複数の基板Ｗを保持し、図示しない回転機構によって回
転される。また、基板ホルダ２の外周縁に近接する位置
に蒸発レートをモニタする水晶モニタ６が配設され、さ
らに基板ホルダ２の回転中心には成膜される薄膜の膜厚
をモニタする光学モニタ７が設けられている。
の一例を示すもので、これは、排気口１ａを有する真空
室１と、その上部に配設されたドーム型の基板ホルダ２
と、それぞれ真空室１の底部に配設されたクラスターイ
オンビーム蒸発源３と、抵抗加熱蒸発源４と、電子銃加
熱蒸発源５からなり、基板ホルダ２は周方向に等間隔で
複数の基板Ｗを保持し、図示しない回転機構によって回
転される。また、基板ホルダ２の外周縁に近接する位置
に蒸発レートをモニタする水晶モニタ６が配設され、さ
らに基板ホルダ２の回転中心には成膜される薄膜の膜厚
をモニタする光学モニタ７が設けられている。
【００１２】（第１実施例）ポリメタクリル酸メチル
（ＰＭＭＡ）で作られたプラスチック製の基体である基
板を基板ホルダ２に保持させ、真空室１を２×１０-6Ｔ
ｏｒｒ以下に減圧したうえで、図示しない雰囲気調整ラ
インから酸素を導入し、抵抗加熱蒸発源４で一酸化珪素
ＳｉＯを加熱蒸発させて光学膜厚３００ｎｍの珪素酸化
物ＳｉＯｘ（１≦ｘ≦２）のアンダーコートを成膜し
た。次いで、クラスターイオンビーム蒸発源３でフッ化
マグネシウムＭｇＦ2 の蒸気を発生させ、クラスターイ
オンビーム蒸着法によって光学膜厚１３０ｎｍの光学薄
膜であるＭｇＦ2 膜を成膜した。上記の成膜工程中、基
板は無加熱（室温）であった。クラスターイオンビーム
蒸着法によるＭｇＦ2 膜の成膜条件を、クラスターイオ
ンビーム蒸発源３のるつぼ加熱温度２０００℃以下、加
速電圧を２ｋＶ以下、イオン化電圧を４００Ｖ以下、イ
オン化電流を４００ｍＡ以下、真空室１の真空度を８×
１０-6Ｔｏｒｒ以下に制御し、この範囲内で表１に示す
ように変化させてサンプル１〜５を作成した。
（ＰＭＭＡ）で作られたプラスチック製の基体である基
板を基板ホルダ２に保持させ、真空室１を２×１０-6Ｔ
ｏｒｒ以下に減圧したうえで、図示しない雰囲気調整ラ
インから酸素を導入し、抵抗加熱蒸発源４で一酸化珪素
ＳｉＯを加熱蒸発させて光学膜厚３００ｎｍの珪素酸化
物ＳｉＯｘ（１≦ｘ≦２）のアンダーコートを成膜し
た。次いで、クラスターイオンビーム蒸発源３でフッ化
マグネシウムＭｇＦ2 の蒸気を発生させ、クラスターイ
オンビーム蒸着法によって光学膜厚１３０ｎｍの光学薄
膜であるＭｇＦ2 膜を成膜した。上記の成膜工程中、基
板は無加熱（室温）であった。クラスターイオンビーム
蒸着法によるＭｇＦ2 膜の成膜条件を、クラスターイオ
ンビーム蒸発源３のるつぼ加熱温度２０００℃以下、加
速電圧を２ｋＶ以下、イオン化電圧を４００Ｖ以下、イ
オン化電流を４００ｍＡ以下、真空室１の真空度を８×
１０-6Ｔｏｒｒ以下に制御し、この範囲内で表１に示す
ように変化させてサンプル１〜５を作成した。
【００１３】
【表１】 サンプル１〜５について反射率の分光特性を測定し、波
長５００ｎｍと４００ｎｍにおける屈折率と吸収率を算
出し、成膜直後と耐久試験後の密着性、耐摩耗性、耐溶
剤性を調べた結果を表２に示す。
長５００ｎｍと４００ｎｍにおける屈折率と吸収率を算
出し、成膜直後と耐久試験後の密着性、耐摩耗性、耐溶
剤性を調べた結果を表２に示す。
【００１４】
【表２】 機械的特性評価：○はすべてのサンプルで良品 △は一部サンプルに不良発生 ×はほとんどのサンプルで不良発生 括弧内は温度７０℃、湿度８５％で、５００時間の耐久
試験後の機械的特性評価の結果である。
試験後の機械的特性評価の結果である。
【００１５】この表から、本実施例の反射率はすべての
点で極めてすぐれていることが判る。
点で極めてすぐれていることが判る。
【００１６】機械的特性評価の方法は以下の通りであっ
た。密着力はセロハンテープを密着させて剥し、膜の剥
離状体を確認した。耐摩耗性はシルボン紙による５００
ｇｆの荷重をかけ５０往復擦り傷の有無を確認した。耐
溶剤性はシルボン紙にアルコール＋エーテル溶剤を含ま
せ５００ｇｆの荷重をかけ５０往復擦り傷の有無を確認
した。
た。密着力はセロハンテープを密着させて剥し、膜の剥
離状体を確認した。耐摩耗性はシルボン紙による５００
ｇｆの荷重をかけ５０往復擦り傷の有無を確認した。耐
溶剤性はシルボン紙にアルコール＋エーテル溶剤を含ま
せ５００ｇｆの荷重をかけ５０往復擦り傷の有無を確認
した。
【００１７】また、サンプル２の反射率の分光特性を図
２に示す。他のサンプルもほぼ同様であった。図２か
ら、本実施例の反射防止膜は可視域に置ける反射率が
２．５％以下であり、充分な反射防止特性を備えている
ことが判る。
２に示す。他のサンプルもほぼ同様であった。図２か
ら、本実施例の反射防止膜は可視域に置ける反射率が
２．５％以下であり、充分な反射防止特性を備えている
ことが判る。
【００１８】（比較例）比較のために、第１実施例と同
様の工程でＭｇＦ2 膜の成膜条件の一部を表３に示すよ
うに前述の範囲を越える値に制御してサンプル６〜９を
作成し、また、従来の真空蒸着法によってＭｇＦ2 膜を
成膜し、サンプル１０を作成した。
様の工程でＭｇＦ2 膜の成膜条件の一部を表３に示すよ
うに前述の範囲を越える値に制御してサンプル６〜９を
作成し、また、従来の真空蒸着法によってＭｇＦ2 膜を
成膜し、サンプル１０を作成した。
【００１９】
【表３】 すなわち、サンプル６はイオン化電圧を５００Ｖ、イオ
ン化電流を４５０ｍＡとし、サンプル７とサンプル８は
加速電圧をそれぞれ３ｋＶ、５ｋＶとし、サンプル９は
加速電圧を５ｋＶ、イオン化電流を３５０ｍＡ、真空室
の真空度を９×１０-6Ｔｏｒｒに制御し、残りの成膜条
件はいずれも第１実施例の各サンプル１〜５とほぼ同様
に制御したものである。
ン化電流を４５０ｍＡとし、サンプル７とサンプル８は
加速電圧をそれぞれ３ｋＶ、５ｋＶとし、サンプル９は
加速電圧を５ｋＶ、イオン化電流を３５０ｍＡ、真空室
の真空度を９×１０-6Ｔｏｒｒに制御し、残りの成膜条
件はいずれも第１実施例の各サンプル１〜５とほぼ同様
に制御したものである。
【００２０】比較例の各サンプル６〜１０について第１
実施例と同様に屈折率と吸収率を算出し、成膜直後と耐
久試験後の密着性、耐摩耗性、耐溶剤性を調べた結果を
表４に示す。
実施例と同様に屈折率と吸収率を算出し、成膜直後と耐
久試験後の密着性、耐摩耗性、耐溶剤性を調べた結果を
表４に示す。
【００２１】
【表４】 表４から判るように、加速電圧５ｋＶ以下、イオン化電
圧５００Ｖ以下、イオン化電流５００ｍＡ以下、真空室
の真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ以下であれば、従来例に比
べて吸収や密着性、耐摩耗性、耐溶剤性等がかなり改善
できるが、すべての点で高品質の反射防止膜を得るため
には、クラスターイオンビーム蒸着法の成膜条件を前述
の範囲に限定するのが望ましい。
圧５００Ｖ以下、イオン化電流５００ｍＡ以下、真空室
の真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ以下であれば、従来例に比
べて吸収や密着性、耐摩耗性、耐溶剤性等がかなり改善
できるが、すべての点で高品質の反射防止膜を得るため
には、クラスターイオンビーム蒸着法の成膜条件を前述
の範囲に限定するのが望ましい。
【００２２】本実施例によれば、プラスチック製光学部
品の表面にＳｉＯ2 のアンダーコートとＭｇＦ2 膜から
なる反射防止膜を製作するに際して、基体が無加熱であ
っても、ＭｇＦ2 膜の成膜をクラスターイオンビーム蒸
着法によって行うことでその充填率を強化し、反射防止
膜の密着性、耐摩耗性、耐溶剤性等の機械的強度および
耐久性を大幅に向上させることができる。
品の表面にＳｉＯ2 のアンダーコートとＭｇＦ2 膜から
なる反射防止膜を製作するに際して、基体が無加熱であ
っても、ＭｇＦ2 膜の成膜をクラスターイオンビーム蒸
着法によって行うことでその充填率を強化し、反射防止
膜の密着性、耐摩耗性、耐溶剤性等の機械的強度および
耐久性を大幅に向上させることができる。
【００２３】（第２実施例）図１の成膜装置を用いて第
１実施例と同様にＰＭＭＡの基体である基板にＳｉＯｘ
のアンダーコートを成膜し、次いで、酸化チタニウムＴ
ｉＯ2 膜とＭｇＦ2膜を交互に積層し、光学薄膜である
４層反射防止膜を製作し、これをサンプル１１とした。
各ＭｇＦ2 膜の成膜はクラスターイオンビーム蒸着法に
よって行われ、その成膜条件は表１に示すサンプル２の
成膜条件と同じであり、各ＴｉＯ2 膜は抵抗加熱蒸発源
４あるいは電子銃加熱蒸発源５を用いて成膜した。アン
ダーコートと、各ＭｇＦ2 膜と、各ＴｉＯ2 膜の成膜中
基板は無加熱（室温）であった。また、これと同様の４
層反射防止膜でアンダーコートに一番近いＭｇＦ2 膜の
替わりにＳｉＯ2 膜を積層したものを製作し、これをサ
ンプル１２とした。また、同様の成膜工程で、ＭｇＦ2
膜を全く含まずその替わりにＳｉＯ2 膜を用いた４層反
射防止膜を製作し、これをサンプル１３とした。各Ｓｉ
Ｏ2 膜の成膜条件はアンダーコートと同様であった。サ
ンプル１１〜１３のそれぞれのアンダーコートおよび４
層反射防止膜の各層の光学膜厚は表５に示すとおりであ
る。
１実施例と同様にＰＭＭＡの基体である基板にＳｉＯｘ
のアンダーコートを成膜し、次いで、酸化チタニウムＴ
ｉＯ2 膜とＭｇＦ2膜を交互に積層し、光学薄膜である
４層反射防止膜を製作し、これをサンプル１１とした。
各ＭｇＦ2 膜の成膜はクラスターイオンビーム蒸着法に
よって行われ、その成膜条件は表１に示すサンプル２の
成膜条件と同じであり、各ＴｉＯ2 膜は抵抗加熱蒸発源
４あるいは電子銃加熱蒸発源５を用いて成膜した。アン
ダーコートと、各ＭｇＦ2 膜と、各ＴｉＯ2 膜の成膜中
基板は無加熱（室温）であった。また、これと同様の４
層反射防止膜でアンダーコートに一番近いＭｇＦ2 膜の
替わりにＳｉＯ2 膜を積層したものを製作し、これをサ
ンプル１２とした。また、同様の成膜工程で、ＭｇＦ2
膜を全く含まずその替わりにＳｉＯ2 膜を用いた４層反
射防止膜を製作し、これをサンプル１３とした。各Ｓｉ
Ｏ2 膜の成膜条件はアンダーコートと同様であった。サ
ンプル１１〜１３のそれぞれのアンダーコートおよび４
層反射防止膜の各層の光学膜厚は表５に示すとおりであ
る。
【００２４】
【表５】 図３ないし図５はそれぞれサンプル１１ないしサンプル
１３の反射率の分光特性を示すグラフであり、これから
判るように、サンプル１１およびサンプル１２は可視域
での平均反射率が０．２％以下であり、また、密着性、
耐摩耗性、耐溶剤性について前述と同様の方法で調べた
結果はすべて良好であった。サンプル１３は密着性、耐
摩耗性、耐溶剤性についてはサンプル１１、１２と同様
であったが、図５から判るように、サンプル１１、１２
に比べて反射率が高く、反射防止特性が不充分である。
これは、４層反射防止膜のなかにＭｇＦ2 膜を含まない
ことが原因であると考えられる。
１３の反射率の分光特性を示すグラフであり、これから
判るように、サンプル１１およびサンプル１２は可視域
での平均反射率が０．２％以下であり、また、密着性、
耐摩耗性、耐溶剤性について前述と同様の方法で調べた
結果はすべて良好であった。サンプル１３は密着性、耐
摩耗性、耐溶剤性についてはサンプル１１、１２と同様
であったが、図５から判るように、サンプル１１、１２
に比べて反射率が高く、反射防止特性が不充分である。
これは、４層反射防止膜のなかにＭｇＦ2 膜を含まない
ことが原因であると考えられる。
【００２５】本実施例によれば、プラスチック製光学部
品の表面にＳｉＯ2 のアンダーコートとＭｇＦ2 膜を含
む多層膜からなる反射防止膜を製作するに際して、プラ
スチック製の基体が無加熱であっても、ＭｇＦ2 膜の成
膜をクラスターイオンビーム蒸着法によって行うことで
その充填率を強化し、反射防止膜の密着性、耐摩耗性、
耐溶剤性等の機械的強度および耐久性を大幅に向上させ
ることができる。
品の表面にＳｉＯ2 のアンダーコートとＭｇＦ2 膜を含
む多層膜からなる反射防止膜を製作するに際して、プラ
スチック製の基体が無加熱であっても、ＭｇＦ2 膜の成
膜をクラスターイオンビーム蒸着法によって行うことで
その充填率を強化し、反射防止膜の密着性、耐摩耗性、
耐溶剤性等の機械的強度および耐久性を大幅に向上させ
ることができる。
【００２６】なお、ＳｉＯ2 のアンダーコートの光学膜
厚については、５０ｎｍ以下であると一般的に機械的強
度が低下し、また、反射防止膜が多層膜であるときは、
アンダーコートの光学膜厚が８００ｎｍを越えるとクラ
ックを発生しやすいことが実験により判明している。
厚については、５０ｎｍ以下であると一般的に機械的強
度が低下し、また、反射防止膜が多層膜であるときは、
アンダーコートの光学膜厚が８００ｎｍを越えるとクラ
ックを発生しやすいことが実験により判明している。
【００２７】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００２８】すぐれた光学特性を備えており、しかも充
分な機械的強度や耐久性を有するプラスチック製光学部
品の光学薄膜を実現できる。
分な機械的強度や耐久性を有するプラスチック製光学部
品の光学薄膜を実現できる。
【図１】第１実施例および第２実施例による成膜方法に
用いる成膜装置を説明する説明図である。
用いる成膜装置を説明する説明図である。
【図２】第１実施例のサンプル２の反射率の分光特性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【図３】第２実施例のサンプル１１の反射率の分光特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図４】第２実施例のサンプル１２の反射率の分光特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図５】第２実施例のサンプル１３の反射率の分光特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１ 真空室 ２ 基板ホルダ ３ クラスターイオンビーム蒸着源 ４ 抵抗加熱蒸発源 ５ 電子銃加熱蒸発源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−173002（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−116101（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−98401（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−217302（ＪＰ，Ａ) 特公 昭54−9592（ＪＰ，Ｂ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 1/10 - 1/12
Claims (5)
- 【請求項１】 プラスチック製の基体の表面に設けられ
たＳｉＯｘ（１≦ｘ≦２）のアンダーコートと、その上
に積層された光学薄膜からなり、前記光学薄膜が少くと
も１層のＭｇＦ2 膜を有し、該ＭｇＦ2 膜がクラスター
イオンビーム蒸着法によって成膜されたものであること
を特徴とするプラスチック製光学部品の光学薄膜。 - 【請求項２】 光学薄膜が反射防止膜であることを特徴
とする請求項１記載の光学薄膜。 - 【請求項３】 アンダーコートの光学膜厚が５０ｎｍな
いし８００ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項
１ないし２記載のプラスチック製光学部品の光学薄膜。 - 【請求項４】 プラスチック製の基体の表面にＳｉＯｘ
（１≦ｘ≦２）のアンダーコートを成膜する工程と、成
膜されたアンダーコートの上に少くとも１層のＭｇＦ2
膜を有する光学薄膜を積層する工程からなり、各工程中
前記基体が無加熱であるとともに、前記ＭｇＦ2 膜がク
ラスターイオンビーム蒸着法によって成膜されることを
特徴とするプラスチック製光学部品の光学薄膜の成膜方
法。 - 【請求項５】 ＭｇＦ2 膜の成膜が、クラスターイオン
ビーム蒸発源のるつぼ加熱温度２０００℃以下、加速電
圧２ｋＶ以下、イオン化電圧４００Ｖ以下、イオン化電
流４００ｍＡ以下、真空度８×１０-6Ｔｏｒｒ以下の成
膜条件で行われることを特徴とする請求項４記載のプラ
スチック製光学部品の光学薄膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23744693A JP3352172B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | プラスチック製光学部品の光学薄膜およびその成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23744693A JP3352172B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | プラスチック製光学部品の光学薄膜およびその成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0763903A JPH0763903A (ja) | 1995-03-10 |
| JP3352172B2 true JP3352172B2 (ja) | 2002-12-03 |
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ID=17015473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23744693A Expired - Fee Related JP3352172B2 (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | プラスチック製光学部品の光学薄膜およびその成膜方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3352172B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101784692B (zh) * | 2007-08-02 | 2013-03-20 | 株式会社世可 | 通过干法真空气相沉积制造多层薄膜的方法 |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP23744693A patent/JP3352172B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0763903A (ja) | 1995-03-10 |
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