JP3351366B2 - 高周波伝送線路及びその製造方法 - Google Patents
高周波伝送線路及びその製造方法Info
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- JP3351366B2 JP3351366B2 JP34699198A JP34699198A JP3351366B2 JP 3351366 B2 JP3351366 B2 JP 3351366B2 JP 34699198 A JP34699198 A JP 34699198A JP 34699198 A JP34699198 A JP 34699198A JP 3351366 B2 JP3351366 B2 JP 3351366B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、主に１０〜１５
０ＧＨｚのマイクロ波帯及びミリ波帯において数ＧＨｚ
程度の帯域幅における伝送特性を最適化することができ
る高周波伝送線路及びその製造方法に関する。
０ＧＨｚのマイクロ波帯及びミリ波帯において数ＧＨｚ
程度の帯域幅における伝送特性を最適化することができ
る高周波伝送線路及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、例えば特開平４−３３６７０２
号公報に記載されたような、従来の高周波伝送線路の構
造を概略的に示す一部破断斜視図である。この高周波伝
送線路は、グランデッド・コプレナ線路２と信号線路３
とを電気的に結合した構造を有する。グランデッド・コ
プレナ線路２は、誘電体基板１の一方の面に形成された
信号線２−１と、該信号線から所定間隔置いて両側に且
つ信号線２−１に沿うように前記一方の面に形成された
第１のグランドプレーン２−２と、誘電体基板１の他方
の面に形成された第２のグランドプレーン２−３とを有
している。一方、信号線路３は、第２のグランドプレー
ン２−３から電気的に絶縁された状態で前記他方の面に
形成された信号線３−１と、第２のグランドプレーン２
−３に電気的に接続され且つ信号線３−１に沿うように
その両側に形成された接地線３−２とを有する。グラン
デッド・コプレナ線路２と信号線路３との間を電気的に
結合するため、一方の信号線２−１の一端とそれに対向
する他方の信号線３−１の一端との間はビア４で接続さ
れており、また、第１のグランドプレーン２−２と第２
のグランドプレーン２−３との間は複数のグランド・ビ
ア５によって接続される。
号公報に記載されたような、従来の高周波伝送線路の構
造を概略的に示す一部破断斜視図である。この高周波伝
送線路は、グランデッド・コプレナ線路２と信号線路３
とを電気的に結合した構造を有する。グランデッド・コ
プレナ線路２は、誘電体基板１の一方の面に形成された
信号線２−１と、該信号線から所定間隔置いて両側に且
つ信号線２−１に沿うように前記一方の面に形成された
第１のグランドプレーン２−２と、誘電体基板１の他方
の面に形成された第２のグランドプレーン２−３とを有
している。一方、信号線路３は、第２のグランドプレー
ン２−３から電気的に絶縁された状態で前記他方の面に
形成された信号線３−１と、第２のグランドプレーン２
−３に電気的に接続され且つ信号線３−１に沿うように
その両側に形成された接地線３−２とを有する。グラン
デッド・コプレナ線路２と信号線路３との間を電気的に
結合するため、一方の信号線２−１の一端とそれに対向
する他方の信号線３−１の一端との間はビア４で接続さ
れており、また、第１のグランドプレーン２−２と第２
のグランドプレーン２−３との間は複数のグランド・ビ
ア５によって接続される。
【０００３】高周波伝送線路をこうした構造にすること
により、グランデッド・コプレナ線路２をＩＣチップに
接続する場合、その信号線２−１の線路幅をＩＣチップ
の線路幅と適合させることが可能になり、グランデッド
・コプレナ線路２とＩＣチップとの接続との間の高周波
的な不整合が解消され、損失を低く抑えることができる
うえ、定在波比を下げることが可能になる。更に、グラ
ンデッド・コプレナ線路２の第１及び第２のグランドプ
レーン２−２、２−３間の接続に複数のグランド・ビア
５を用い、必要に応じて同軸構造のビアを用いることに
より、高周波的な不整合を低減させ、アイソレーション
を高めることができる。
により、グランデッド・コプレナ線路２をＩＣチップに
接続する場合、その信号線２−１の線路幅をＩＣチップ
の線路幅と適合させることが可能になり、グランデッド
・コプレナ線路２とＩＣチップとの接続との間の高周波
的な不整合が解消され、損失を低く抑えることができる
うえ、定在波比を下げることが可能になる。更に、グラ
ンデッド・コプレナ線路２の第１及び第２のグランドプ
レーン２−２、２−３間の接続に複数のグランド・ビア
５を用い、必要に応じて同軸構造のビアを用いることに
より、高周波的な不整合を低減させ、アイソレーション
を高めることができる。
【０００４】このように、図７の高周波線路の伝送特
性、即ち挿入損失及び反射損失は良好になるものと推測
されるが、このような構造の高周波線路であっても、１
０ＧＨｚ以上のマイクロ波帯やミリ波帯においては充分
な地域幅を確保することが困難であり、その挿入損失は
−３ｄＢ程度が限界である。
性、即ち挿入損失及び反射損失は良好になるものと推測
されるが、このような構造の高周波線路であっても、１
０ＧＨｚ以上のマイクロ波帯やミリ波帯においては充分
な地域幅を確保することが困難であり、その挿入損失は
−３ｄＢ程度が限界である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記の課
題に鑑みて提案されたものであって、使用周波数帯域に
おける伝送特性が良好な高周波線路及びその製造方法を
提供することを目的とする。
題に鑑みて提案されたものであって、使用周波数帯域に
おける伝送特性が良好な高周波線路及びその製造方法を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この出願の請求項１及び請求項２に記載された発
明は、グランデッド・コプレナ線路の信号線の中心線と
該中心線に最も近いグランド・ビア端との間の距離をＬ
（μｍ）、前記誘電体基板の比誘電率をεｒ、使用周波
数をＦ（ＧＨｚ）としたとき、前記距離Ｌが Ｆ＝Ｍ0＋Ｍ1Ｌ ただし、Ｍ0＝１８８−６．０・εｒ Ｍ1＝−０．１８＋０．００５・εｒ を満足する値を中心として±５％以内であることを特徴
とする高周波伝送線路、を提供する。
めに、この出願の請求項１及び請求項２に記載された発
明は、グランデッド・コプレナ線路の信号線の中心線と
該中心線に最も近いグランド・ビア端との間の距離をＬ
（μｍ）、前記誘電体基板の比誘電率をεｒ、使用周波
数をＦ（ＧＨｚ）としたとき、前記距離Ｌが Ｆ＝Ｍ0＋Ｍ1Ｌ ただし、Ｍ0＝１８８−６．０・εｒ Ｍ1＝−０．１８＋０．００５・εｒ を満足する値を中心として±５％以内であることを特徴
とする高周波伝送線路、を提供する。
【０００７】また、上記の目的を達成するために、この
出願の請求項３に記載の発明は、誘電体基板の対向する
２つの主面に、グランデッド・コプレナ線路を構成する
導体パターンを形成する工程と、前記グランデッド・コ
プレナ線路の信号線間を電気的に接続するビアを形成す
る工程と、前記対向する主面上に形成されたグランドプ
レーンの間を電気的に接続するグランド・ビアを形成す
る工程であって、前記信号線の中心線と該中心線に最も
近い前記グランド・ビア端との間の距離をＬ（μｍ）、
前記誘電体基板の比誘電率をεｒ、使用周波数をＦ（Ｇ
Ｈｚ）としたとき、前記距離Ｌが Ｆ＝Ｍ0＋Ｍ1Ｌ ただし、Ｍ0＝１８８−６．０・εｒ Ｍ1＝−０．１８＋０．００５・εｒ を満足する値を中心として±５％以内である工程と、を
有する高周波伝送線路の製造方法を提供する。
出願の請求項３に記載の発明は、誘電体基板の対向する
２つの主面に、グランデッド・コプレナ線路を構成する
導体パターンを形成する工程と、前記グランデッド・コ
プレナ線路の信号線間を電気的に接続するビアを形成す
る工程と、前記対向する主面上に形成されたグランドプ
レーンの間を電気的に接続するグランド・ビアを形成す
る工程であって、前記信号線の中心線と該中心線に最も
近い前記グランド・ビア端との間の距離をＬ（μｍ）、
前記誘電体基板の比誘電率をεｒ、使用周波数をＦ（Ｇ
Ｈｚ）としたとき、前記距離Ｌが Ｆ＝Ｍ0＋Ｍ1Ｌ ただし、Ｍ0＝１８８−６．０・εｒ Ｍ1＝−０．１８＋０．００５・εｒ を満足する値を中心として±５％以内である工程と、を
有する高周波伝送線路の製造方法を提供する。
【０００８】
【作用】信号線の中心線と該中心線に最も近いグランド
・ビア端との間の距離をＬ（μｍ）、前記誘電体基板の
比誘電率をεｒ、使用周波数をＦ（ＧＨｚ）としたと
き、前記距離Ｌが Ｆ＝Ｍ0＋Ｍ1Ｌ ただし、Ｍ0＝１８８−６．０・εｒ Ｍ1＝−０．１８＋０．００５・εｒ を満足する値を中心として±５％以内である位置にグラ
ンド・ビアが設けられる。これにより、所与の周波数帯
域において高周波伝送線路の伝送特性が最適化される。
・ビア端との間の距離をＬ（μｍ）、前記誘電体基板の
比誘電率をεｒ、使用周波数をＦ（ＧＨｚ）としたと
き、前記距離Ｌが Ｆ＝Ｍ0＋Ｍ1Ｌ ただし、Ｍ0＝１８８−６．０・εｒ Ｍ1＝−０．１８＋０．００５・εｒ を満足する値を中心として±５％以内である位置にグラ
ンド・ビアが設けられる。これにより、所与の周波数帯
域において高周波伝送線路の伝送特性が最適化される。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係る高周波伝
送線路の１つの実施の形態の正面図を示しており、図２
は、図１のグランデッド・コプレナ線路の信号線の中心
線Ａ−Ａ′に沿う断面図、図３は、図１の線Ｂ−Ｂ′に
沿う断面図である。なお、図１〜図３において、図７に
おけると同じ又は同様の構成要素は同一の参照数字を付
すことにする。
送線路の１つの実施の形態の正面図を示しており、図２
は、図１のグランデッド・コプレナ線路の信号線の中心
線Ａ−Ａ′に沿う断面図、図３は、図１の線Ｂ−Ｂ′に
沿う断面図である。なお、図１〜図３において、図７に
おけると同じ又は同様の構成要素は同一の参照数字を付
すことにする。
【００１０】図１〜図３において、この発明に係る高周
波伝送線路は、誘電体基板１の一方の主面の中心線に沿
って形成された信号線を備えた第１のグランデッド・コ
プレナ線路１０と、誘電体基板１の他方の主面（即ち、
一方の主面に対向する主面）の中心線に沿って形成され
た信号線を備えた第２のグランデッド・コプレナ線路２
０とを電気的に結合した構造を有している。
波伝送線路は、誘電体基板１の一方の主面の中心線に沿
って形成された信号線を備えた第１のグランデッド・コ
プレナ線路１０と、誘電体基板１の他方の主面（即ち、
一方の主面に対向する主面）の中心線に沿って形成され
た信号線を備えた第２のグランデッド・コプレナ線路２
０とを電気的に結合した構造を有している。
【００１１】図１に明示するように、第１のグランデッ
ド・コプレナ線路１０の信号線１１と第２のグランデッ
ド・コプレナ線路２０の信号線２１とは、それらの中心
線が一致するよう形成される。更に、第１のグランデッ
ド・コプレナ線路１０は、信号線１１の両側に且つ所定
の間隔だけ離れて形成された第１のグランドプレーン１
２と、誘電体基板１の他方の主面に信号線１１及び第１
のグランドプレーン１２に対向する形でほぼ全面に形成
された第２のグランドプレーン１３とを備えている。同
様に、第２のグランデッド・コプレナ線路２０は、信号
線２１の両側に且つ所定の間隔だけ離れて形成された第
３のグランドプレーン２２と、誘電体基板１の一方の主
面に信号線２１及び第３のグランドプレーン２２に対向
する形でほぼ全面に形成された第４のグランドプレーン
２３とを備えている。
ド・コプレナ線路１０の信号線１１と第２のグランデッ
ド・コプレナ線路２０の信号線２１とは、それらの中心
線が一致するよう形成される。更に、第１のグランデッ
ド・コプレナ線路１０は、信号線１１の両側に且つ所定
の間隔だけ離れて形成された第１のグランドプレーン１
２と、誘電体基板１の他方の主面に信号線１１及び第１
のグランドプレーン１２に対向する形でほぼ全面に形成
された第２のグランドプレーン１３とを備えている。同
様に、第２のグランデッド・コプレナ線路２０は、信号
線２１の両側に且つ所定の間隔だけ離れて形成された第
３のグランドプレーン２２と、誘電体基板１の一方の主
面に信号線２１及び第３のグランドプレーン２２に対向
する形でほぼ全面に形成された第４のグランドプレーン
２３とを備えている。
【００１２】実際には、図１に示すように、第１のグラ
ンドプレーン１２と第４のグランドプレーン２３とは電
気的且つ機械的に連続するように前記一方の主面に形成
されており、同様に、第２のグランドプレーン１３と第
３のグランドプレーン２２とは電気的且つ機械的に連続
するよう前記他方の主面に形成されている。
ンドプレーン１２と第４のグランドプレーン２３とは電
気的且つ機械的に連続するように前記一方の主面に形成
されており、同様に、第２のグランドプレーン１３と第
３のグランドプレーン２２とは電気的且つ機械的に連続
するよう前記他方の主面に形成されている。
【００１３】更に、図１及び図２に示すように、第１の
グランデッド・コプレナ線路１０の信号線１１の端部と
第２のグランデッド・コプレナ線路２０の信号線２１の
端部とは重なり合うように形成されており、これらの重
なり合った端部の間はビア４によって電気的に接続され
る。また、誘電体基板１の一方の主面に形成されたグラ
ンドプレーン１２、２３と他方の主面に形成されたグラ
ンドプレーン１３、２２との間は、信号線１１、２１の
中心線の両側に直線の列をなすように、且つこれらの列
が信号線１１、２１の中心線から等距離にあるように配
置された複数のグランド・ビア５によって電気的に接続
される。なお、信号線１１、２１の中心線に関して各側
に配置されたグランド・ビア５の相互間隔は任意でよい
が、等間隔であることが好ましい。
グランデッド・コプレナ線路１０の信号線１１の端部と
第２のグランデッド・コプレナ線路２０の信号線２１の
端部とは重なり合うように形成されており、これらの重
なり合った端部の間はビア４によって電気的に接続され
る。また、誘電体基板１の一方の主面に形成されたグラ
ンドプレーン１２、２３と他方の主面に形成されたグラ
ンドプレーン１３、２２との間は、信号線１１、２１の
中心線の両側に直線の列をなすように、且つこれらの列
が信号線１１、２１の中心線から等距離にあるように配
置された複数のグランド・ビア５によって電気的に接続
される。なお、信号線１１、２１の中心線に関して各側
に配置されたグランド・ビア５の相互間隔は任意でよい
が、等間隔であることが好ましい。
【００１４】この発明は、グランドプレーン１２、２３
とグランドプレーン１３、２２との間を電気的に接続す
る複数のビア５と信号線１１、２１との距離を変化させ
ることにより、挿入損失が最も良好になる周波数帯域を
調節することが可能になるとの知見に基づいて提案され
たものである。この知見に基づいて、この発明の発明者
は、信号線１１、２１の中心線と該中心線の一方の側及
び他方の側に配置されたグランド・ビア５の上記中心線
に最も近い端との間の距離をＬ（μｍ）、誘電体基板１
の比誘電率をεｒ、挿入損失が最も良好になる周波数を
Ｆ（ＧＨｚ）としたとき、
とグランドプレーン１３、２２との間を電気的に接続す
る複数のビア５と信号線１１、２１との距離を変化させ
ることにより、挿入損失が最も良好になる周波数帯域を
調節することが可能になるとの知見に基づいて提案され
たものである。この知見に基づいて、この発明の発明者
は、信号線１１、２１の中心線と該中心線の一方の側及
び他方の側に配置されたグランド・ビア５の上記中心線
に最も近い端との間の距離をＬ（μｍ）、誘電体基板１
の比誘電率をεｒ、挿入損失が最も良好になる周波数を
Ｆ（ＧＨｚ）としたとき、
【数１】Ｆ＝Ｍ0＋Ｍ1Ｌ （１） ただし、Ｍ0＝１８８−６．０εｒ、 Ｍ1＝０．１８＋０．００５εｒ が成り立つことを見出した。この式（１）を用いるなら
ば、使用周波数Ｆと誘電体基板の比誘電率εｒとが既知
であるとき、式（１）を満足するＬを求め、その値の±
５％の位置にグランド・ビア５を配置するならば、約±
５ＧＨｚ程度の誤差で良好な挿入損失を得ることができ
る。
ば、使用周波数Ｆと誘電体基板の比誘電率εｒとが既知
であるとき、式（１）を満足するＬを求め、その値の±
５％の位置にグランド・ビア５を配置するならば、約±
５ＧＨｚ程度の誤差で良好な挿入損失を得ることができ
る。
【００１５】例えば、使用周波数帯域が６０ＧＨｚ±１
ＧＨｚで、比誘電率εｒが７．５の誘電体基板を用いた
場合について式（１）によりＬを求めると、Ｌは約５８
０μｍとなる。そこで、Ｌ＝５８０（μｍ）として図１
〜図３に示す高周波伝送線路を作製し、その伝送特性を
求めたところ、図４に示すような挿入損失の周波数特性
を得た。
ＧＨｚで、比誘電率εｒが７．５の誘電体基板を用いた
場合について式（１）によりＬを求めると、Ｌは約５８
０μｍとなる。そこで、Ｌ＝５８０（μｍ）として図１
〜図３に示す高周波伝送線路を作製し、その伝送特性を
求めたところ、図４に示すような挿入損失の周波数特性
を得た。
【００１６】次に、同じく使用周波数帯域が６０ＧＨｚ
±１ＧＨｚで、比誘電率εｒが７．５の誘電体基板を用
いた場合において、Ｌ＝５５０μｍの高周波伝送線路及
びＬ＝６１０μｍの高周波伝送線路の挿入損失の周波数
特性を求めたところ、図５のグラフを得た。なお、図５
において、ａはＬ＝５８０μｍの、ｂはＬ＝５５０μｍ
の、ｃはＬ＝６１０μｍの場合の特性である。図５のグ
ラフから、Ｌを±５％変化させると、中心周波数が±５
ＧＨｚ程度変化すること、及び、Ｌが±５％変わったと
しても、使用周波数帯域６０±１ＧＨｚにおける挿入損
失は−１．０ｄＢ以内という良好な値を示していること
がわかる。
±１ＧＨｚで、比誘電率εｒが７．５の誘電体基板を用
いた場合において、Ｌ＝５５０μｍの高周波伝送線路及
びＬ＝６１０μｍの高周波伝送線路の挿入損失の周波数
特性を求めたところ、図５のグラフを得た。なお、図５
において、ａはＬ＝５８０μｍの、ｂはＬ＝５５０μｍ
の、ｃはＬ＝６１０μｍの場合の特性である。図５のグ
ラフから、Ｌを±５％変化させると、中心周波数が±５
ＧＨｚ程度変化すること、及び、Ｌが±５％変わったと
しても、使用周波数帯域６０±１ＧＨｚにおける挿入損
失は−１．０ｄＢ以内という良好な値を示していること
がわかる。
【００１７】更に、使用周波数帯域が６０ＧＨｚ±１Ｇ
Ｈｚで、比誘電率εｒが９．３の誘電体基板を用いた高
周波伝送線路の場合、式（１）によりＬを求めると、Ｌ
は約５４０μｍとなる。この高周波伝送線路の伝送特性
を求めたところ、図６に示すような挿入損失の周波数特
性が得られた。
Ｈｚで、比誘電率εｒが９．３の誘電体基板を用いた高
周波伝送線路の場合、式（１）によりＬを求めると、Ｌ
は約５４０μｍとなる。この高周波伝送線路の伝送特性
を求めたところ、図６に示すような挿入損失の周波数特
性が得られた。
【００１８】これらの図４〜図６のグラフは、グランド
プレーンどおしを接続するグランド・ビアを、上記の式
（１）を満足するＬの位置に配置することにより、使用
周波数帯域の中心周波数において最適な挿入損失を得る
ことができることを示している。
プレーンどおしを接続するグランド・ビアを、上記の式
（１）を満足するＬの位置に配置することにより、使用
周波数帯域の中心周波数において最適な挿入損失を得る
ことができることを示している。
【００１９】図１〜図３に示す構造の高周波伝送線路を
製造する方法は種々存在するが、例えば、ガラスセラミ
ックス等の所定の幅と厚さの誘電体シートの所定の個所
を貫通させ、そこに銀等の導体を充填し、前記誘電体シ
ートの両主面に銀等の導体ペーストを用いて、信号線と
それを取り囲むグランドプレーンとからなる所定のパタ
ーンを形成し、前記誘電体シート及び前記導体ペースト
を所定の条件において同時焼成するという工程で製造す
ることが可能である。こうした工程の結果、誘電体シー
トは厚さが０．２〜０．６ｍｍ程度の誘電体基板とな
る。
製造する方法は種々存在するが、例えば、ガラスセラミ
ックス等の所定の幅と厚さの誘電体シートの所定の個所
を貫通させ、そこに銀等の導体を充填し、前記誘電体シ
ートの両主面に銀等の導体ペーストを用いて、信号線と
それを取り囲むグランドプレーンとからなる所定のパタ
ーンを形成し、前記誘電体シート及び前記導体ペースト
を所定の条件において同時焼成するという工程で製造す
ることが可能である。こうした工程の結果、誘電体シー
トは厚さが０．２〜０．６ｍｍ程度の誘電体基板とな
る。
【００２０】
【発明の効果】以上、この発明の１つの実施の形態を詳
細に説明したところから明らかなように、この発明は、
使用周波数と誘電体基板の比誘電率とに応じてグランド
・ビアの信号線からの位置を設定することにより、高周
波伝送線路の伝送特性を最適化することができるという
格別の効果を奏する。
細に説明したところから明らかなように、この発明は、
使用周波数と誘電体基板の比誘電率とに応じてグランド
・ビアの信号線からの位置を設定することにより、高周
波伝送線路の伝送特性を最適化することができるという
格別の効果を奏する。
【図１】この発明に係る高周波伝送線路の１つの実施の
形態の正面図である。
形態の正面図である。
【図２】図１の線Ａ−Ａ′に沿う断面図である。
【図３】図１の線Ｂ−Ｂ′に沿う断面図である。
【図４】この発明に係る高周波伝送線路の１つの実施例
の伝送特性を示すグラフである。
の伝送特性を示すグラフである。
【図５】この発明に係る高周波伝送線路の伝送特性の変
化を説明するためのグラフである。
化を説明するためのグラフである。
【図６】この発明に係る高周波伝送線路の他の実施例の
伝送特性を示すグラフである。
伝送特性を示すグラフである。
【図７】従来の高周波伝送線路の構成を概略的に示す斜
視図である。
視図である。
１１、２１：信号線、 １２、１３、２２、２３：グラ
ンドプレーン、４：ビア、 ５：グランド・ビア
ンドプレーン、４：ビア、 ５：グランド・ビア
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01P 3/02 H01P 1/04 H01P 3/08 H01P 5/00
Claims (3)
- 【請求項１】 誘電体基板の対向する２つの主面に形成
されたグランデッド・コプレナ線路の間をビアを介して
電気的に接続し、前記対向する主面上に形成されたグラ
ンドプレーンの間をグランド・ビアを介して電気的に接
続するようにした高周波伝送線路であって、 前記グランデッド・コプレナ線路の信号線の中心線と該
中心線に最も近い前記グランド・ビア端との間の距離を
Ｌ（μｍ）、前記誘電体基板の比誘電率をεｒ、使用周
波数をＦ（ＧＨｚ）としたとき、前記距離Ｌが Ｆ＝Ｍ0＋Ｍ1Ｌ ただし、Ｍ0＝１８８−６．０・εｒ Ｍ1＝−０．１８＋０．００５・εｒ を満足する値を中心として±５％以内であることを特徴
とする高周波伝送線路。 - 【請求項２】 誘電体基板の第１の主面に形成された信
号線を有する第１のグランデッド・コプレナ線路と、 前記誘電体基板の前記第１の主面に対向する第２の主面
に形成された信号線を有する第２のグランデッド・コプ
レナ線路と、 前記信号線の端部間を電気的に接続するビアと、 前記第１のグランデッド・コプレナ線路と前記第２のグ
ランデッド・コプレナ線路とのグランドプレーン間を電
気的に接続するグランド・ビアと、を備えてなり、 前記信号線の中心線と該中心線に最も近い前記グランド
・ビア端との間の距離をＬ（μｍ）、前記誘電体基板の
比誘電率をεｒ、使用周波数をＦ（ＧＨｚ）としたと
き、前記距離Ｌが Ｆ＝Ｍ0＋Ｍ1Ｌ ただし、Ｍ0＝１８８−６．０・εｒ Ｍ1＝−０．１８＋０．００５・εｒ を満足する値を中心として±５％以内であることを特徴
とする高周波伝送線路。 - 【請求項３】 誘電体基板の対向する２つの主面に、グ
ランデッド・コプレナ線路を構成する導体パターンを形
成する工程と、 前記グランデッド・コプレナ線路の信号線間を電気的に
接続するビアを形成する工程と、 前記対向する主面上に形成されたグランドプレーンの間
を電気的に接続するグランド・ビアを形成する工程であ
って、前記信号線の中心線と該中心線に最も近い前記グ
ランド・ビア端との間の距離をＬ（μｍ）、前記誘電体
基板の比誘電率をεｒ、使用周波数をＦ（ＧＨｚ）とし
たとき、前記距離Ｌが Ｆ＝Ｍ0＋Ｍ1Ｌ ただし、Ｍ0＝１８８−６．０・εｒ Ｍ1＝−０．１８＋０．００５・εｒ を満足する値を中心として±５％以内である工程と、を
有することを特徴とする高周波伝送線路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34699198A JP3351366B2 (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | 高周波伝送線路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34699198A JP3351366B2 (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | 高周波伝送線路及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000174511A JP2000174511A (ja) | 2000-06-23 |
| JP3351366B2 true JP3351366B2 (ja) | 2002-11-25 |
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ID=18387194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34699198A Expired - Lifetime JP3351366B2 (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | 高周波伝送線路及びその製造方法 |
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| JP (1) | JP3351366B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7003412B2 (ja) * | 2017-02-03 | 2022-01-20 | 大日本印刷株式会社 | 導電基板およびその製造方法 |
| JP7223352B2 (ja) * | 2017-02-03 | 2023-02-16 | 大日本印刷株式会社 | 導電基板およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-12-07 JP JP34699198A patent/JP3351366B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2000174511A (ja) | 2000-06-23 |
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