JP3339375B2 - Resist stripping apparatus and resist stripping method - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ上に
形成されたレジストを剥離するレジスト剥離装置及びレ
ジスト剥離方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist stripping apparatus and a resist stripping method for stripping a resist formed on a semiconductor wafer.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハ上にフリップチップＩＣの
バンプ電極を形成する工程について、図２０を参照して
簡単に説明する。この図２０に示すように、例えばＳｉ
ウエハ１上に素子を形成した後、素子を結線するための
Ａｌ−Ｓｉ配線２を形成すると共に、素子を保護するた
めのパッシベーション膜３を形成する。続いて、Ａｌ−
Ｓｉ配線２及びパッシベーション膜３の上に、バリアメ
タル４ａと接続用メタル４ｂとからなるアンダーバンプ
メタル４を形成する。2. Description of the Related Art A process of forming a bump electrode of a flip chip IC on a semiconductor wafer will be briefly described with reference to FIG. As shown in FIG. 20, for example, Si
After the elements are formed on the wafer 1, Al-Si wirings 2 for connecting the elements are formed, and a passivation film 3 for protecting the elements is formed. Subsequently, Al-
On the Si wiring 2 and the passivation film 3, an under bump metal 4 composed of a barrier metal 4a and a connection metal 4b is formed.

【０００３】次に、上記アンダーバンプメタル４の上
に、アクリル系の液状のレジスト５を塗布する。この
後、レジスト５に露光現像処理を行って、めっきを施す
ための孔５ａを形成する。そして、Ｃｕめっき６と半田
めっき７を行う。この後、レジスト５を剥離する処理を
実行し、更に、アンダーバンプメタル４をエッチングし
てから、半田めっき７をリフローする。これにより、バ
ンプ電極が形成される。Next, an acrylic liquid resist 5 is applied on the under bump metal 4. Thereafter, the resist 5 is exposed and developed to form a hole 5a for plating. Then, Cu plating 6 and solder plating 7 are performed. Thereafter, a process of removing the resist 5 is performed, and further, the under bump metal 4 is etched, and then the solder plating 7 is reflowed. Thus, a bump electrode is formed.

【０００４】ここで、上記レジスト５を剥離する処理
は、従来より、次に述べるようにして実行していた。即
ち、レジスト剥離液を貯留させた２つの槽を用意し、上
記Ｃｕめっき６と半田めっき７を行った状態のＳｉウエ
ハ１を、一方の槽内のレジスト剥離液中に４５分浸漬さ
せた後、このＳｉウエハ１を他方の槽内のレジスト剥離
液中に更に４５分浸漬させるようにしていた。Here, the process of peeling the resist 5 has been conventionally performed as described below. That is, after preparing two tanks in which a resist stripping solution is stored, the Si wafer 1 on which the Cu plating 6 and the solder plating 7 have been performed is immersed in the resist stripping solution in one of the tanks for 45 minutes. The Si wafer 1 was immersed in the resist stripper in the other tank for another 45 minutes.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】その際、半田めっき７
のオーバーハング量（図２０においてＡで示す）が約１
０μｍ以下のときは、上記従来構成のレジスト剥離処理
で、レジスト５を完全に剥離することができ、何の問題
もなかった。これに対して、近年、半田めっき７のオー
バーハング量Ａを大きくすること、具体的には、約２０
〜５０μｍ程度まで大きくすることが要望されている。At this time , solder plating 7
Overhang amount (indicated by A in FIG. 20) is about 1
When the thickness is 0 μm or less, the resist 5 can be completely removed by the above-described conventional resist removal processing, and there was no problem. On the other hand, in recent years, increasing the overhang amount A of the solder plating 7, specifically, about 20
It is required to increase the size to about 50 μm.

【０００６】しかし、このように半田めっき７のオーバ
ーハング量Ａを大きくすると、上記従来構成のレジスト
剥離処理では、レジスト５を完全に剥離することができ
ず、半田めっき７のオーバーハング部分（傘）７ａの下
にレジスト５が残ることがあった。そして、レジスト５
が残ると、この後、アンダーバンプメタル４のエッチン
グが良好に行われなくなり、その結果、半田めっき７を
リフローしたときに、バンプ電極の形状が悪くなるとい
う問題点が発生した。However, when the overhang amount A of the solder plating 7 is increased as described above, the resist 5 cannot be completely removed by the above-described conventional resist stripping process, and the overhang portion (the umbrella) of the solder plating 7 cannot be removed. 3) The resist 5 was sometimes left under 7a. And resist 5
Is left, the etching of the under bump metal 4 is not satisfactorily performed thereafter. As a result, when the solder plating 7 is reflowed, the problem that the shape of the bump electrode is deteriorated occurs.

【０００７】そこで、本発明の目的は、バンプ電極（半
田めっき）のオーバーハング量を大きく構成しながら、
レジストを確実に除去することができるレジスト剥離装
置及びレジスト剥離方法を提供するにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a bump electrode (semiconductor).
Field plating) while increasing the amount of overhang
An object of the present invention is to provide a resist stripping apparatus and a resist stripping method capable of reliably removing a resist.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば、半導体ウエハをレジスト剥離液及びアルコールの中
に交互に浸漬させるように構成できる。これにより、レ
ジスト剥離液によってレジストが膨潤してゲル状の物質
となった場合でも、このゲル状のレジストをアルコール
により溶解して除去することができる。尚、上記ゲル状
になったレジストは粘性を有するため、レジスト剥離液
に浸漬させているだけでは除去が困難であった。これに
対して、上述したように、レジストのゲル状部分をアル
コール処理することにより確実に除去できるようになっ
た。 According to the first aspect of the present invention, a semiconductor wafer is placed in a resist stripper and alcohol.
It can be configured to be immersed alternately. As a result,
Gel material due to swelling of the resist by the dist remover
If the gel-like resist becomes
To dissolve and remove. In addition, the gel
Since the resist that has become viscous has a viscosity,
It was difficult to remove them simply by immersing them in the water. to this
On the other hand, as described above, the gel
Call processing ensures removal
Was.

【０００９】[0009]

【００１０】[0010]

【００１１】請求項２の発明によれば、槽内のレジスト
剥離液またはアルコール中に浸漬した半導体ウエハを回
転駆動すると共に、前記レジスト剥離液の温度を設定温
度に保持するように構成した。これにより、レジスト剥
離液の剥離作用が低下しなくなると共に安定化するか
ら、レジストをより一層良好に除去できる。According to the second aspect of the present invention, the semiconductor wafer immersed in the resist stripping solution or alcohol in the tank is driven to rotate, and the temperature of the resist stripping solution is maintained at the set temperature. As a result, the stripping action of the resist stripping solution does not decrease and is stabilized, so that the resist can be more favorably removed.

【００１２】請求項５の発明によれば、半導体ウエハを
レジスト剥離液及びアルコールの中に交互に浸漬させる
ことができると共に、槽内のレジスト剥離液またはアル
コール中に浸漬した半導体ウエハを回転駆動でき、ま
た、レジスト剥離液の温度を設定温度に保持することが
できる。このため、請求項２の発明とほぼ同じ作用効果
を得ることができる。According to the fifth aspect of the present invention, the semiconductor wafer can be alternately immersed in the resist stripper and the alcohol, and the semiconductor wafer immersed in the resist stripper or the alcohol in the tank can be rotationally driven. In addition, the temperature of the resist stripper can be maintained at a set temperature. For this reason, it is possible to obtain substantially the same operation and effect as the second aspect of the invention.

【００１３】請求項４の発明によれば、ウエハ回転手段
を、槽の外底部側に設けられた外部磁石と、この外部磁
石を回転駆動する磁石回転機構と、槽の内部に収容され
る半導体ウエハを支持する治具に設けられた内部磁石と
から構成した。これにより、ウエハ回転手段を簡単な構
成にて容易に実現できる。According to the fourth aspect of the present invention, the wafer rotating means includes an external magnet provided on the outer bottom side of the tank, a magnet rotating mechanism for rotating the external magnet, and a semiconductor housed in the tank. And an internal magnet provided on a jig supporting the wafer. Thus, the wafer rotating means can be easily realized with a simple configuration.

【００１４】請求項５の発明においては、半導体ウエハ
をレジスト剥離液中に浸漬した後、半導体ウエハをアル
コール中に浸漬し、更にこの後、半導体ウエハをレジス
ト剥離液中に浸漬するようにした。このレジスト剥離方
法によれば、請求項１の発明とほぼ同じ作用効果を得る
ことができる。そして、請求項６の発明のように、半導
体ウエハをレジスト剥離液またはアルコール中に浸漬す
るときに、半導体ウエハを回転させるようにすると、レ
ジストをより一層確実に除去できる。また、請求項７の
発明のように、半導体ウエハを２回目のレジスト剥離液
中への浸漬が行われた後、更に、アルコール中に浸漬す
るようにしても、レジストをより一層確実に除去でき
る。In the invention of claim 5 , after the semiconductor wafer is immersed in the resist stripping solution, the semiconductor wafer is immersed in alcohol, and thereafter, the semiconductor wafer is immersed in the resist stripping solution. According to the resist stripping process, it is possible to obtain substantially the same effects as the first aspect of the present invention. Then, as in the invention of claim 6, when immersing the semiconductor wafer in a resist stripping solution or alcohol, when to rotate the semiconductor wafer, the resist can be more reliably removed. Also, as in the invention of claim 7, the semiconductor wafer second resist stripping solution
After immersion in alcohol, further immersion in alcohol
Even if it does so, a resist can be removed more reliably.

【００１５】[0015]

【００１６】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施例につ
いて図１ないし図１３を参照しながら説明する。この第
１の実施例のレジスト剥離装置は、半導体ウエハ上に例
えばフリップチップＩＣのバンプ電極を形成する際に使
用する装置である。まず、図１はレジスト剥離装置１１
の全体構成を示す縦断面図である。この図１において、
レジスト剥離装置１１の槽１２は、例えばジエチレング
リコールモノメチルエーテルを主成分とするレジスト剥
離液及び例えばイソプロピルアルコールからなるアルコ
ールを貯留可能な槽である。この槽１２は、例えばガラ
スやステンレス及びテフロン加工したステンレスにより
構成されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. The resist peeling apparatus according to the first embodiment is used for forming, for example, a bump electrode of a flip chip IC on a semiconductor wafer. First, FIG.
It is a longitudinal cross-sectional view which shows the whole structure of. In this FIG.
The tank 12 of the resist stripping apparatus 11 is a tank capable of storing a resist stripping solution containing, for example, diethylene glycol monomethyl ether as a main component and an alcohol, such as isopropyl alcohol. The tank 12 is made of, for example, glass, stainless steel, or stainless steel processed with Teflon.

【００１７】レジスト剥離液は、槽１２の上部に配設さ
れたレジスト剥離液供給管１３から槽１２内へ供給され
るように構成されている。また、アルコールは、槽１２
の上部に配設されたアルコール供給管１４から槽１２内
へ供給されるように構成されている。レジスト剥離液供
給管１３及びアルコール供給管１４には、それぞれ弁１
５及び１６が設けられている。そして、槽１２内に貯留
された液体を外部へ排出する場合は、槽１２の下部に設
けられた排液通路１７を通して外部に設けられた排液タ
ンク１８内へ排出して貯留するように構成されている。
上記排液通路１７には、弁１９が設けられている。The resist stripper is supplied into the tank 12 from a resist stripper supply pipe 13 disposed above the tank 12. In addition, alcohol is supplied to the tank 12
It is configured to be supplied into the tank 12 from an alcohol supply pipe 14 disposed at the top of the tank. The resist stripper supply pipe 13 and the alcohol supply pipe 14 have a valve 1 respectively.
5 and 16 are provided. When the liquid stored in the tank 12 is discharged to the outside, the liquid is discharged and stored in a drain tank 18 provided outside through a drain passage 17 provided in a lower part of the tank 12. Have been.
The drain passage 17 is provided with a valve 19.

【００１８】また、槽１２の内部には、半導体ウエハと
して例えばＳｉウエハ２０を収容可能になっている。こ
のＳｉウエハ２０は、治具２１の上面に取り付けられた
状態で、治具２１ごと槽１２内に収容されて、レジスト
剥離液またはアルコール中に浸漬されるように構成され
ている。上記治具２１の下面には、内部磁石であるマグ
ネット２２が取り付けられている。この場合、マグネッ
ト２２は、治具２１を介してＳｉウエハ２０に一体的に
設けられている。The tank 12 can accommodate, for example, a Si wafer 20 as a semiconductor wafer. The Si wafer 20 is housed in the tank 12 together with the jig 21 while being mounted on the upper surface of the jig 21 , and is immersed in a resist stripping solution or alcohol. A magnet 22 as an internal magnet is attached to the lower surface of the jig 21 . In this case, the magnet 22 is provided integrally with the Si wafer 20 via the jig 21.

【００１９】一方、槽１２は、ヒータ２３を内蔵したホ
ットプレート２４上に載置固定されている。このホット
プレート２４のヒータ２３により、槽１２内に貯留され
たレジスト剥離液が加熱されるように構成されている。
そして、上記ヒータ２３は、例えばＰＩＤ制御機能を備
えた温度制御装置２５により通断電制御されるように構
成されている。また、槽１２内には、レジスト剥離液の
温度を検知するための温度センサとして例えば熱電対２
６が設けられている。上記温度制御装置２５は、熱電対
２６から出力された温度検知信号を受けて、ヒータ２３
を通断電することにより、槽１２内のレジスト剥離液の
温度が予め決められた設定温度（例えば６７℃）に等し
くなるように温度制御することが可能な構成となってい
る。On the other hand, the tank 12 is mounted and fixed on a hot plate 24 containing a heater 23. The resist stripper stored in the tank 12 is heated by the heater 23 of the hot plate 24.
The heater 23 is configured to be turned off and on by, for example, a temperature control device 25 having a PID control function. Further, in the tank 12, for example, a thermocouple 2 is provided as a temperature sensor for detecting the temperature of the resist stripping solution.
6 are provided. The temperature controller 25 receives the temperature detection signal output from the thermocouple 26,
By turning off the power, the temperature can be controlled so that the temperature of the resist stripping solution in the tank 12 becomes equal to a predetermined set temperature (for example, 67 ° C.).

【００２０】さて、上記ホットプレート２４の内部に
は、ヒータ２３の他に、モータ２７及びこのモータ２７
により回転駆動されるマグネット２８が収容されてい
る。このマグネット２８は、槽１２の外底面に沿って配
置されていると共に、槽１２内のレジスト剥離液中に浸
漬されたＳｉウエハ２０の治具２１に取り付けられたマ
グネット２２と対向している。この構成の場合、モータ
２７によりマグネット２８が回転駆動されると、該マグ
ネット２８に追従してマグネット２２が回転するように
構成されている。これにより、Ｓｉウエハ２０が回転駆
動されるようになっている。ここで、マグネット２２
（及びＳｉウエハ２０）が回転し易くなるように、槽１
２の内底面にフッ素樹脂をコーティングしておくことが
好ましい。この場合、モータ２７とマグネット２２、２
８とからウエハ回転手段２９が構成されている。また、
モータ２７が磁石回転駆動部を構成し、マグネット２８
が外部磁石を構成している。In addition to the heater 23, the motor 27 and the motor 27
Accommodates a magnet 28 that is driven to rotate. The magnet 28 is arranged along the outer bottom surface of the tank 12 and faces the magnet 22 attached to the jig 21 of the Si wafer 20 immersed in the resist stripping solution in the tank 12. In the case of this configuration, when the motor 28 drives the magnet 28 to rotate, the magnet 22 is configured to rotate following the magnet 28. Thus, the Si wafer 20 is driven to rotate. Here, the magnet 22
(And Si wafer 20) so that tank 1 can rotate easily.
It is preferable that the inner bottom surface of 2 is coated with a fluororesin. In this case, the motor 27 and the magnets 22, 2
8 constitute wafer rotating means 29. Also,
The motor 27 constitutes a magnet rotation drive unit, and the magnet 28
Constitute an external magnet.

【００２１】尚、モータ２７の起動及び停止並びにモー
タ２７の回転速度の各制御は、図示しないコントローラ
により実行されるように構成されている。また、弁１
５、１６、１９をそれぞれ電磁弁から構成すると共に、
これら弁１５、１６、１９を上記コントローラにより開
閉制御するように構成することも好ましい。The start and stop of the motor 27 and the control of the rotation speed of the motor 27 are executed by a controller (not shown). Valve 1
Each of 5, 16 and 19 is constituted by a solenoid valve,
It is also preferable that these valves 15, 16 and 19 are configured to be opened and closed by the controller.

【００２２】次に、Ｓｉウエハ２０上にフリップチップ
ＩＣのバンプ電極を形成する工程について、図２ないし
図５を参照して説明する。まず、Ｓｉウエハ２０上に素
子を形成した後、図２に示すように、Ｓｉウエハ２０上
に、素子を結線するためのＡｌ配線またはＡｌ−Ｓｉ配
線等からなる配線３０を形成すると共に、素子を保護す
るためのパッシベーション膜３１を形成する。Next, a process of forming a bump electrode of a flip chip IC on the Si wafer 20 will be described with reference to FIGS. First, after forming an element on the Si wafer 20, as shown in FIG. 2, a wiring 30 made of an Al wiring or an Al-Si wiring for connecting the element is formed on the Si wafer 20 and the element is formed. A passivation film 31 for protecting the substrate is formed.

【００２３】続いて、図３に示すように、配線３０及び
パッシベーション膜３１の上に、アンダーバンプメタル
３２を形成する。このアンダーバンプメタル３２は、例
えばＴｉ製のバリアメタル３３と、例えばＣｕ製の接続
用メタル３４とから構成されている。ここで、バリアメ
タル３３及び接続用メタル３４は、順に蒸着またはスパ
ッタにより成膜することにより積層されている。尚、バ
リアメタル３３としては、上記Ｔｉの他にＣｒ、Ｔｉ
Ｎ、ＴｉＷ等の金属を用いても良い。また、接続用メタ
ル３４としては、上記Ｃｕの他にＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｍ
ｏ等の金属を用いても良い。Subsequently, as shown in FIG. 3, an under bump metal 32 is formed on the wiring 30 and the passivation film 31. The under bump metal 32 is composed of, for example, a barrier metal 33 made of Ti and a connection metal 34 made of Cu, for example. Here, the barrier metal 33 and the connection metal 34 are laminated by sequentially forming films by vapor deposition or sputtering. In addition, as the barrier metal 33, in addition to the above-mentioned Ti, Cr, Ti
Metals such as N and TiW may be used. In addition to the Cu, Ni, Au, Pd, M
A metal such as o may be used.

【００２４】そして、蒸着やスパッタによる素子特性の
劣化を回復させるために、３５０〜４５０℃前後の温度
で１５〜２０分程度水素雰囲気中でアニールを実施す
る。次に、上記アンダーバンプメタル３２の上に、ポリ
エチレングリコールジアクリレートやポリメチルメタア
クリレートを主成分とするアクリル系の液状のレジスト
３５を塗布する（図４参照）。この場合、レジスト３５
の厚み寸法は、約１０〜３０μｍ程度になるように構成
されている。Then, annealing is performed at a temperature of about 350 to 450 ° C. in a hydrogen atmosphere for about 15 to 20 minutes in order to recover the deterioration of device characteristics due to vapor deposition or sputtering. Next, an acrylic liquid resist 35 mainly composed of polyethylene glycol diacrylate or polymethyl methacrylate is applied on the under bump metal 32 (see FIG. 4). In this case, the resist 35
Is configured to have a thickness of about 10 to 30 μm.

【００２５】この後、露光装置（アライナー）によりレ
ジスト３５を露光してから現像処理を行うことにより、
レジスト３５にめっきを施すための孔３６を形成する。
続いて、電解めっきによりレジスト３５の孔３６内にＣ
ｕめっき３７を行い、バンプ電極を形成する。更に続い
て、Ｃｕめっき３７の上に半田めっき３８を行い、バン
プを形成する。本実施例の場合、半田めっき３８のオー
バーハング部３８ａの長さ寸法（即ち、オーバーハング
量）Ａが、例えば約２０〜５０μｍ程度になるように半
田めっきを行っている。Thereafter, the resist 35 is exposed by an exposure device (aligner) and then subjected to a development process, whereby
A hole 36 for plating the resist 35 is formed.
Subsequently, C is formed in the hole 36 of the resist 35 by electrolytic plating.
U plating 37 is performed to form bump electrodes. Subsequently, solder plating 38 is performed on the Cu plating 37 to form bumps. In the case of the present embodiment, the solder plating is performed so that the length dimension (that is, the amount of overhang) A of the overhang portion 38a of the solder plating 38 is, for example, about 20 to 50 μm.

【００２６】次に、レジスト３５を剥離する処理を実行
する。この処理は、前記レジスト剥離装置１１を用いて
行う。以下、このレジスト剥離処理について、図６ない
し図１３も参照して説明する。まず、図１に示すよう
に、半田めっき３８を行った後のＳｉウエハ２０を治具
２１に取り付けてから槽１２内に収容し、弁１５を開放
してレジスト剥離液を槽１２内に供給し所定の水位にな
るまで貯留する。Next, a process of removing the resist 35 is performed. This process is performed using the resist stripping device 11. Hereinafter, the resist stripping process will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 1, the Si wafer 20 after the solder plating 38 is mounted on the jig 21 and then housed in the tank 12, and the valve 15 is opened to supply the resist stripping solution into the tank 12. And store until the water level reaches the specified level.

【００２７】続いて、温度制御装置２５によりヒータ２
３を通電制御してレジスト剥離液の温度が設定温度に等
しくなるように温度制御する。これと共に、モータ２７
を通電駆動してマグネット２８、２２ひいてはＳｉウエ
ハ２０を回転駆動する。そして、この状態で、Ｓｉウエ
ハ２０をレジスト剥離液中に例えば４５分浸漬させるよ
うにしている。Subsequently, the heater 2 is controlled by the temperature controller 25.
3 is controlled so that the temperature of the resist stripper becomes equal to the set temperature. At the same time, the motor 27
To drive the magnets 28 and 22 and thus the Si wafer 20 to rotate. Then, in this state, the Si wafer 20 is immersed in, for example, a resist stripper for 45 minutes.

【００２８】この後、上記４５分の浸漬が完了したら、
ヒータ２３及びモータ２７を断電し、弁１９を開いて槽
１２内のレジスト剥離液を排液タンク１８へ排出する。
そして、レジスト剥離液の排出が完了したら、弁１９を
閉じてから、弁１６を開き、槽１２内にアルコールを供
給し所定の水位になるまで貯留する。続いて、モータ２
７を通電駆動してマグネット２８、２２ひいてはＳｉウ
エハ２０を回転駆動する。そして、この状態で、Ｓｉウ
エハ２０をアルコール中に例えば２分浸漬させるように
している。After this, when the immersion for 45 minutes is completed,
The heater 23 and the motor 27 are turned off, the valve 19 is opened, and the resist stripping liquid in the tank 12 is discharged to the drain tank 18.
When the discharge of the resist stripping solution is completed, the valve 19 is closed, the valve 16 is opened, and the alcohol is supplied into the tank 12 and stored until a predetermined water level is reached. Then, motor 2
7 are energized to rotate the magnets 28 and 22 and thus the Si wafer 20. Then, in this state, the Si wafer 20 is immersed in alcohol, for example, for 2 minutes.

【００２９】この後、上記２分の浸漬が完了したら、モ
ータ２７を断電し、弁１９を開いて槽１２内のアルコー
ルを排液タンク１８へ排出する。そして、アルコールの
排出が完了したら、弁１９を閉じてから、弁１５を開
き、槽１２内にレジスト剥離液を供給し所定の水位にな
るまで貯留する。そして、ヒータ２３及びモータ２７を
通電駆動して、レジスト剥離液の温度が設定温度に等し
くなるように温度制御しながら、Ｓｉウエハ２０を回転
駆動する。この状態で、Ｓｉウエハ２０をレジスト剥離
液中に例えば４５分浸漬させる。Thereafter, when the two-minute immersion is completed, the motor 27 is turned off, the valve 19 is opened, and the alcohol in the tank 12 is discharged to the drainage tank 18. When the discharge of the alcohol is completed, the valve 19 is closed, the valve 15 is opened, and the resist stripper is supplied into the tank 12 and stored until a predetermined water level is reached. Then, the heater 23 and the motor 27 are energized to drive the Si wafer 20 while controlling the temperature so that the temperature of the resist stripping solution becomes equal to the set temperature. In this state, the Si wafer 20 is immersed in a resist stripper for, for example, 45 minutes.

【００３０】そして、この４５分の浸漬が完了したら、
ヒータ２３及びモータ２７を断電し、弁１９を開いて槽
１２内のレジスト剥離液を排液タンク１８へ排出する。
そして、レジスト剥離液の排出が完了したら、弁１９を
閉じてから、弁１６を開き、槽１２内にアルコールを供
給し所定の水位になるまで貯留する。続いて、モータ２
７を通電駆動してＳｉウエハ２０を回転駆動する。そし
て、この状態で、Ｓｉウエハ２０をアルコール中に例え
ば２分浸漬させるようにしている。即ち、本実施例で
は、Ｓｉウエハ２０をレジスト剥離液に浸漬する工程
（４５分間）と、アルコールに浸漬する工程（２分間）
を、それぞれ２回実行している。Then, when the immersion for 45 minutes is completed,
The heater 23 and the motor 27 are turned off, the valve 19 is opened, and the resist stripping liquid in the tank 12 is discharged to the drain tank 18.
When the discharge of the resist stripping solution is completed, the valve 19 is closed, the valve 16 is opened, and the alcohol is supplied into the tank 12 and stored until a predetermined water level is reached. Then, motor 2
7 to drive the Si wafer 20 to rotate. Then, in this state, the Si wafer 20 is immersed in alcohol, for example, for 2 minutes. That is, in this embodiment, a step of immersing the Si wafer 20 in a resist stripper (45 minutes) and a step of immersing it in alcohol (2 minutes)
Is executed twice each.

【００３１】ここで、上記各浸漬工程におけるＳｉウエ
ハ２０の回転速度と、レジスト残渣の発生率との関係を
実測した結果を図６に示す。尚、この図６の測定結果
は、半田めっき３８のオーバーハング部３８ａの長さ寸
法Ａが３５μｍである場合の測定結果である。また、図
６中Ｂ１の曲線は、レジスト剥離液浸漬工程とアルコー
ル浸漬工程をそれぞれ２回実行した場合の測定結果であ
り、図６中Ｂ２の曲線は、レジスト剥離液浸漬工程だけ
を２回実行した場合の測定結果である。Here, FIG. 6 shows the result of the actual measurement of the relationship between the rotation speed of the Si wafer 20 and the rate of occurrence of the resist residue in each of the above immersion steps. The measurement results in FIG. 6 are obtained when the length A of the overhang portion 38a of the solder plating 38 is 35 μm. The curve B1 in FIG. 6 is a measurement result when the resist stripping liquid immersion step and the alcohol immersion step are each performed twice, and the curve B2 in FIG. 6 is that only the resist stripping liquid immersion step is performed twice. It is a measurement result in the case of performing.

【００３２】上記図６のグラフから、アルコール浸漬工
程、即ち、アルコール処理を実行する場合は、Ｓｉウエ
ハ２０の回転速度を５００ｒｐｍ以上に設定すれば、レ
ジスト３５を完全に除去できることがわかる。また、ア
ルコール処理を実行しない場合は、Ｓｉウエハ２０の回
転速度を７００ｒｐｍ以上に設定すれば、レジスト３５
を完全に除去できることがわかる。From the graph of FIG. 6, it can be seen that in the case of performing the alcohol immersion step, that is, the alcohol treatment, the resist 35 can be completely removed by setting the rotation speed of the Si wafer 20 to 500 rpm or more. When the alcohol processing is not performed, the rotational speed of the Si wafer 20 is set to 700 rpm or more, and the resist 35 is removed.
Can be completely removed.

【００３３】一方、レジスト剥離液浸漬工程において
は、温度制御装置２５によりヒータ２３を通電制御して
レジスト剥離液の温度が設定温度に等しくなるように温
度制御しているが、槽１２内のレジスト剥離液の温度分
布を測定した結果を図７ないし図１０に示す。この場
合、図７に示すように、槽１２内の上下方向の上部部分
Ｍ１、中央部分Ｍ２、下部部分Ｍ３の３か所を測定し
た。On the other hand, in the resist stripping solution immersion step, the heater 23 is energized by the temperature controller 25 to control the temperature so that the temperature of the resist stripping solution becomes equal to the set temperature. FIGS. 7 to 10 show the results of measuring the temperature distribution of the stripping solution. In this case, as shown in FIG. 7, three locations in the vertical direction in the tank 12 were measured: an upper portion M1, a central portion M2, and a lower portion M3.

【００３４】まず、上部部分Ｍ１の温度測定結果を図８
に示す。この図８において、曲線Ｃ１はＳｉウエハ２０
を回転させない場合の測定結果であり、直線Ｃ２はＳｉ
ウエハ２０を７００ｒｐｍで回転させた場合の測定結果
である。また、中央部分Ｍ２の温度測定結果を図９に示
す。この図９において、直線Ｃ３は、Ｓｉウエハ２０を
回転させない場合、並びに、Ｓｉウエハ２０を７００ｒ
ｐｍで回転させた場合の測定結果である。First, the temperature measurement result of the upper portion M1 is shown in FIG.
Shown in In FIG. 8, a curve C1 corresponds to the Si wafer 20.
Is a measurement result in the case where is not rotated, and the straight line C2 is
This is a measurement result when the wafer 20 is rotated at 700 rpm. FIG. 9 shows the temperature measurement result of the central portion M2. In FIG. 9, a straight line C3 indicates that the Si wafer 20 is not rotated and that the Si wafer 20 is 700 r.
It is a measurement result when rotating at pm.

【００３５】更に、下部部分Ｍ３の温度測定結果を図１
０に示す。この図１０において、曲線Ｃ４はＳｉウエハ
２０を回転させない場合の測定結果であり、直線Ｃ５は
Ｓｉウエハ２０を７００ｒｐｍで回転させた場合の測定
結果である。上記図８ないし図１０から、Ｓｉウエハ２
０を回転させた場合、槽１２内のレジスト剥離液の温度
が設定温度に等しくなるように正確に温度制御されるこ
とがわかる。尚、Ｓｉウエハ２０を回転させない場合
は、熱電対２６がセットされている槽１２内の中央部分
Ｍ２付近のレジスト剥離液の温度だけが設定温度に等し
くなるように制御され、他の部分Ｍ１、Ｍ３のレジスト
剥離液の温度は設定温度からかなりずれていることがわ
かる。FIG. 1 shows the temperature measurement result of the lower portion M3.
0 is shown. In FIG. 10, a curve C4 is a measurement result when the Si wafer 20 is not rotated, and a straight line C5 is a measurement result when the Si wafer 20 is rotated at 700 rpm. 8 to 10, the Si wafer 2
When 0 is rotated, it is understood that the temperature of the resist stripping solution in the tank 12 is accurately controlled so as to be equal to the set temperature. When the Si wafer 20 is not rotated, only the temperature of the resist stripper near the central portion M2 in the tank 12 in which the thermocouple 26 is set is controlled to be equal to the set temperature, and the other portions M1, It can be seen that the temperature of the M3 resist stripping solution deviates considerably from the set temperature.

【００３６】次に、前記アルコール処理を行うことによ
り、レジスト除去が促進される作用について、図１１及
び図１２を参照して説明する。この場合、半田めっき３
８のオーバーハング部３８ａの長さ寸法Ａが５０μｍで
ある実施例で説明する。まず、図１１（ａ）に示す状態
で、Ｓｉウエハ２０をレジスト剥離液に浸漬して１回目
のレジスト剥離液浸漬工程を実行すると、時間の経過と
共にレジスト３５の溶解が図１２に示すように進行す
る。このとき、膨潤部３５ａも時間の経過と共に増えて
いく。この膨潤部３５ａは、レジスト剥離液により膨潤
してゲル状になったレジスト部分であり、かなり粘性を
有しているために剥がれ難い物質である。Next, the effect of promoting the removal of the resist by performing the alcohol treatment will be described with reference to FIGS. In this case, solder plating 3
An example in which the length dimension A of the overhang portion 38a of No. 8 is 50 μm will be described. First, in the state shown in FIG. 11 (a), when the Si wafer 20 is immersed in a resist stripper and the first resist stripper immersion step is performed, the dissolution of the resist 35 with time elapses as shown in FIG. proceed. At this time, the swelling portion 35a also increases with time. The swollen portion 35a is a resist portion swollen by the resist stripping solution and turned into a gel, and is a substance which is hard to be stripped because it has considerable viscosity.

【００３７】そして、１回目のレジスト剥離液浸漬工程
が完了した時点（４５分経過時点）では、図１１（ｂ）
に示すように、半田めっき３８のオーバーハング部３８
ａの下には、レジストの残り部３５ｂと膨潤部３５ａと
が残っている。ここで、Ｓｉウエハ２０をアルコールに
浸漬して１回目のアルコール浸漬工程を実行すると、図
１２に示すように、上記膨潤部３５ａがアルコールによ
り溶解していく。この場合、膨潤部３５ａのうちのレジ
スト剥離液はアルコールに溶ける。そして、膨潤部３５
ａのうちのレジストはアルコールに溶けないが、ゲル状
でなくなるから、剥がれ易くなり、その結果、オーバー
ハング部３８ａの下から剥がれていく。At the time when the first resist stripping solution immersion step is completed (at the time when 45 minutes have passed), FIG.
As shown in FIG.
The remaining portion 35b and the swelling portion 35a of the resist remain under a. Here, when the first alcohol immersion step is performed by immersing the Si wafer 20 in alcohol, the swollen portion 35a is dissolved by the alcohol, as shown in FIG. In this case, the resist stripping solution in the swollen portion 35a is dissolved in alcohol. And the swelling part 35
Although the resist of a does not dissolve in alcohol, it is no longer in a gel state, so that it is easily peeled, and as a result, it is peeled from under the overhang portion 38a.

【００３８】この結果、上記１回目のアルコール浸漬工
程が完了した時点（４７分経過時点）では、図１１
（ｃ）に示すように、半田めっき３８のオーバーハング
部３８ａの下には、レジストの残り部３５ｂが残った状
態となる。この状態で、２回目のレジスト剥離液浸漬工
程を実行すると、時間の経過と共にレジスト３５の溶解
が図１２に示すように進行する。そして、２回目のレジ
スト剥離液浸漬工程が完了した時点（９２分経過時点）
では、図１１（ｄ）に示すように、オーバーハング部３
８ａの下に膨潤部３５ａが少しだけ残った状態となる。As a result, at the time when the first alcohol immersion step is completed (at the time when 47 minutes have elapsed), FIG.
As shown in (c), the remaining portion 35b of the resist remains under the overhang portion 38a of the solder plating 38. When the second resist stripping liquid immersion step is performed in this state, the dissolution of the resist 35 progresses as time elapses as shown in FIG. Then, when the second resist stripping solution immersion step is completed (92 minutes have elapsed)
Then, as shown in FIG.
The swelling portion 35a is slightly left under 8a.

【００３９】ここで、２回目のアルコール浸漬工程を実
行すると、図１２に示すように、上記膨潤部３５ａがア
ルコールにより溶解していく。この結果、２回目のアル
コール浸漬工程が完了した時点では、図１１（ｅ）に示
すように、半田めっき３８のオーバーハング部３８ａの
下からレジスト３５が完全に除去される。Here, when the second alcohol immersion step is performed, as shown in FIG. 12, the swelling portion 35a is dissolved by the alcohol. As a result, when the second alcohol immersion step is completed, the resist 35 is completely removed from under the overhang portion 38a of the solder plating 38, as shown in FIG.

【００４０】次に、半田めっき３８のオーバーハング部
３８ａの長さ寸法と、レジスト３５の残渣の発生率との
関係を測定した結果を図１３に示す。この図１３におい
て、直線Ｄ１は本実施例（Ｓｉウエハを回転させながら
レジスト剥離液浸漬工程及びアルコール浸漬工程を２回
ずつ実行する方法）を示し、曲線Ｄ２は従来技術（Ｓｉ
ウエハを回転させずにレジスト剥離液浸漬工程だけを２
回実行する方法）を示している。上記図１３から、本実
施例の場合、オーバーハング部３８ａの長さ寸法が５０
μｍであっても、レジスト３５を完全に除去できたこと
がわかる。Next, FIG. 13 shows the result of measuring the relationship between the length of the overhang portion 38 a of the solder plating 38 and the rate of occurrence of the residue of the resist 35. In FIG. 13, a straight line D1 indicates the present embodiment (a method in which the resist stripper immersion step and the alcohol immersion step are performed twice while rotating the Si wafer), and a curve D2 indicates a conventional technique (Si method).
Only the resist stripping solution immersion process without rotating the wafer
Method). From FIG. 13 described above, in the case of this embodiment, the length dimension of the overhang portion 38a is 50.
It can be seen that the resist 35 was completely removed even when the thickness was μm.

【００４１】さて、上述したようにして、レジスト３５
を剥離した後は、アンダーバンプメタル３２をエッチン
グする。続いて、半田めっき３８をリフローする。これ
により、図５に示すような形状のバンプ電極が形成され
る。Now, as described above, the resist 35
Then, the under bump metal 32 is etched. Subsequently, the solder plating 38 is reflowed. Thus, a bump electrode having a shape as shown in FIG. 5 is formed.

【００４２】このような構成の本実施例によれば、Ｓｉ
ウエハ２０に塗布したレジスト３５を剥離する場合に、
Ｓｉウエハ２０を槽１２内のレジスト剥離液中に浸漬す
ると共に、この浸漬したＳｉウエハ２０を回転駆動する
ように構成した。これにより、Ｓｉウエハ２０の表面を
レジスト剥離液が流れるようになるから、Ｓｉウエハ２
０の表面でレジスト剥離液が滞留しなくなる。このた
め、レジスト剥離液によるレジスト３５を剥離する作用
の低下が極力少なくなるから、半田めっき３８のオーバ
ーハング量を大きく構成した場合であっても、レジスト
を確実に除去することができる。According to the present embodiment having such a structure, Si
When peeling the resist 35 applied to the wafer 20,
The Si wafer 20 was immersed in a resist stripping solution in the tank 12, and the immersed Si wafer 20 was driven to rotate. As a result, the resist stripping liquid flows on the surface of the Si wafer 20, so that the Si wafer 2
The resist stripping solution does not stay on the surface of No. 0. Therefore, the effect of removing the resist 35 by the resist remover is reduced as much as possible, so that the resist can be reliably removed even when the overhang amount of the solder plating 38 is configured to be large.

【００４３】また、上記実施例よれば、レジスト剥離液
の温度を設定温度（例えば６７℃）に保持するように構
成したので、レジスト剥離液の剥離作用が安定化し、レ
ジスト３５をより一層確実に除去することができる。Further, according to the above embodiment, since the temperature of the resist stripping solution is maintained at the set temperature (for example, 67 ° C.), the stripping action of the resist stripping solution is stabilized, and the resist 35 can be more reliably formed. Can be removed.

【００４４】更に、上記実施例の場合、Ｓｉウエハ２０
をレジスト剥離液及びアルコールの中に交互に浸漬させ
るように構成した。これにより、レジスト剥離液によっ
てレジスト３５が膨潤してゲル状の物質となった場合
に、このゲル状レジストである膨潤部３５ａをアルコー
ルにより溶解して速やかに除去することができる。Further, in the case of the above embodiment, the Si wafer 20
Was alternately immersed in a resist stripping solution and alcohol. Accordingly, when the resist 35 swells into a gel-like substance due to the resist stripping solution, the swelling portion 35a, which is the gel-like resist, can be dissolved in alcohol and quickly removed.

【００４５】更にまた、上記実施例では、ウエハ回転手
段２９を、槽１２の外底部側に設けられたマグネット２
８と、このマグネット２８を回転駆動するモータ２７
と、槽１２の内部に収容されるＳｉウエハ２０をセット
する治具２１に取り付けられたマグネット２２とから構
成した。これにより、ウエハ回転手段２９を簡単な構成
にて容易に実現できる。Further, in the above embodiment, the wafer rotating means 29 is connected to the magnet 2 provided on the outer bottom side of the tank 12.
8 and a motor 27 for rotationally driving the magnet 28
And a magnet 22 attached to a jig 21 for setting a Si wafer 20 housed in the tank 12. Thus, the wafer rotating means 29 can be easily realized with a simple configuration.

【００４６】尚、上記実施例では、ウエハ回転手段２９
をマグネット２２、２８及びモータ２７から構成した
が、これに限られるものではなく、例えばモータの回転
軸を槽の底部を貫通させるように設けると共に、この貫
通させた回転軸の上端部にＳｉウエハの治具を着脱可能
に取り付けるように構成してもよい。この構成の場合、
モータの回転軸と槽の底部との間を回転可能且つ水密に
シールする構成が必要である。In the above embodiment, the wafer rotating means 29
Is composed of the magnets 22 and 28 and the motor 27, but is not limited to this. For example, a rotating shaft of the motor is provided so as to penetrate the bottom of the tank, and an Si wafer is provided on the upper end of the penetrating rotating shaft. May be configured to be detachably attached. In this configuration,
It is necessary to provide a structure that allows a rotatable and watertight seal between the rotating shaft of the motor and the bottom of the tank.

【００４７】また、上記実施例では、レジスト剥離液浸
漬工程及びアルコール浸漬工程を２回ずつ実行する構成
としたが、これに代えて、半田めっき３８のオーバーハ
ング部３８ａの長さ寸法が比較的短い場合（例えば４０
μｍ以下の場合）には、２回目のアルコール浸漬工程を
省くように構成しても良い。In the above embodiment, the resist stripping solution immersion step and the alcohol immersion step are performed twice. However, the length of the overhang portion 38a of the solder plating 38 is relatively small. If it is short (for example, 40
(μm or less), the second alcohol immersion step may be omitted.

【００４８】更に、上記実施例では、レジスト剥離液浸
漬工程及びアルコール浸漬工程を実行する場合、Ｓｉウ
エハ２０を回転させるように構成したが、これに限られ
るものではない。例えば半田めっき３８のオーバーハン
グ部３８ａの長さ寸法が１０〜２０μｍ程度である場合
には、Ｓｉウエハ２０を回転させなくても、レジスト剥
離液浸漬工程及びアルコール浸漬工程を交互に２回ずつ
実行するだけでレジストを完全に除去することができ
る。Further, in the above embodiment, when the resist stripping liquid immersion step and the alcohol immersion step are performed, the Si wafer 20 is rotated, but the present invention is not limited to this. For example, when the length dimension of the overhang portion 38a of the solder plating 38 is about 10 to 20 μm, the resist stripping liquid immersion step and the alcohol immersion step are alternately performed twice each without rotating the Si wafer 20. By doing so, the resist can be completely removed.

【００４９】図１４は本発明の第２の実施例を示すもの
である。尚、第１の実施例と同一部分には同一符号を付
している。この第２の実施例では、内部にレジスト剥離
液を貯留すると共に、このレジスト剥離液の中にＳｉウ
エハ２０を浸漬する２つの剥離液槽３９、４０を備えて
いる。そして、内部にアルコールを貯留すると共に、こ
のアルコールの中にＳｉウエハ２０を浸漬する２つのア
ルコール槽４１、４２を備えている。FIG. 14 shows a second embodiment of the present invention. The same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals. In the second embodiment, a resist stripper is stored inside, and two stripper tanks 39 and 40 are provided for immersing the Si wafer 20 in the resist stripper. Further, there are provided two alcohol tanks 41 and 42 for storing the alcohol therein and immersing the Si wafer 20 in the alcohol.

【００５０】更に、上記２つの剥離液槽３９、４０は同
じ構成であり、その下部には前記ホットプレート２４が
配設されている。このホットプレート２４には、ヒータ
２３、モータ２７及びマグネット２８が内蔵されてい
る。また、剥離液槽３９、４０内のレジスト剥離液の温
度は、温度制御装置２５、熱電対２６及びヒータ２３に
より設定温度に等しくなるように温度制御されるように
構成されている。Further, the two stripper baths 39 and 40 have the same configuration, and the hot plate 24 is disposed below them. The hot plate 24 has a heater 23, a motor 27, and a magnet 28 built therein. Further, the temperature of the resist stripping solution in the stripping solution tanks 39 and 40 is controlled by the temperature controller 25, the thermocouple 26 and the heater 23 so as to be equal to the set temperature.

【００５１】一方、２つのアルコール槽４１、４２は同
じ構成であり、その下部には回転駆動装置４３が配設さ
れている。この回転駆動装置４３には、モータ２７及び
マグネット２８が内蔵されている。On the other hand, the two alcohol tanks 41 and 42 have the same configuration, and a rotary drive device 43 is provided below the two alcohol tanks 41 and 42. The rotation driving device 43 includes a motor 27 and a magnet 28.

【００５２】上記第２の実施例において、Ｓｉウエハ２
０のレジスト３５を剥離する作業を行う場合、予め剥離
液槽３９、４０内にレジスト剥離液を貯留しておくと共
に、アルコール槽４１、４２内にアルコールを貯留して
おく。そして、治具２１に取り付けておいたＳｉウエハ
２０を剥離液槽３９内に収容しレジスト剥離液中に浸漬
する。このとき、モータ２７を通電制御してＳｉウエハ
２０を回転させると共に、ヒータ２３を通電制御してレ
ジスト剥離液の温度が設定温度に等しくなるように温度
制御する。In the second embodiment, the Si wafer 2
When the operation of stripping the zero resist 35 is performed, the resist stripping solution is stored in advance in the stripping solution tanks 39 and 40, and the alcohol is stored in the alcohol tanks 41 and 42. Then, the Si wafer 20 attached to the jig 21 is accommodated in the stripping solution tank 39 and immersed in the resist stripping solution. At this time, the power supply of the motor 27 is controlled to rotate the Si wafer 20, and the power supply of the heater 23 is controlled to control the temperature so that the temperature of the resist stripper becomes equal to the set temperature.

【００５３】この後、上記浸漬状態で４５分が経過した
ら、剥離液槽３９内からＳｉウエハ２０を取出すと共
に、この取り出したＳｉウエハ２０をアルコール槽４１
内に収容しアルコール中に浸漬する。このとき、モータ
２７を通電制御してＳｉウエハ２０を回転させる。この
後、上記浸漬状態で２分が経過したら、アルコール槽４
１内からＳｉウエハ２０を取出すと共に、この取り出し
たＳｉウエハ２０を剥離液槽４０内に収容しレジスト剥
離液中に浸漬する。このとき、モータ２７を通電制御し
てＳｉウエハ２０を回転させると共に、ヒータ２３を通
電制御してレジスト剥離液の温度が設定温度に等しくな
るように温度制御する。Thereafter, when 45 minutes have elapsed in the immersion state, the Si wafer 20 is taken out of the stripping solution tank 39 and the taken out Si wafer 20 is placed in the alcohol bath 41.
And immersed in alcohol. At this time, the electric power of the motor 27 is controlled to rotate the Si wafer 20. After this, when 2 minutes have passed in the immersion state, the alcohol tank 4
The Si wafer 20 is taken out from the inside 1 and the taken out Si wafer 20 is accommodated in a stripping solution tank 40 and immersed in a resist stripping solution. At this time, the power supply of the motor 27 is controlled to rotate the Si wafer 20, and the power supply of the heater 23 is controlled to control the temperature so that the temperature of the resist stripper becomes equal to the set temperature.

【００５４】更にこの後、上記浸漬状態で４５分が経過
したら、剥離液槽４０内からＳｉウエハ２０を取出すと
共に、この取り出したＳｉウエハ２０をアルコール槽４
２内に収容しアルコール中に浸漬する。このとき、モー
タ２７を通電制御してＳｉウエハ２０を回転させる。こ
の後、上記浸漬状態で２分が経過したら、アルコール槽
４１内からＳｉウエハ２０を取出す。これにより、レジ
スト剥離処理が完了する。After this, when 45 minutes have passed in the immersion state, the Si wafer 20 is taken out of the stripping solution tank 40 and the taken-out Si wafer 20 is placed in the alcohol tank 4.
2 and immersed in alcohol. At this time, the electric power of the motor 27 is controlled to rotate the Si wafer 20. Thereafter, when two minutes have elapsed in the immersion state, the Si wafer 20 is taken out from the alcohol tank 41. This completes the resist stripping process.

【００５５】尚、上述した以外の第２の実施例の構成
は、第１の実施例の構成と同じ構成となっている。従っ
て、第２の実施例においても、第１の実施例とほぼ同じ
作用効果を得ることができる。The configuration of the second embodiment other than that described above is the same as the configuration of the first embodiment. Therefore, in the second embodiment, substantially the same operation and effect as in the first embodiment can be obtained.

【００５６】図１５は本発明の第３の実施例を示すもの
である。尚、第１の実施例と同一部分には同一符号を付
している。この第３の実施例では、レジスト剥離液を噴
射ノズル４４からＳｉウエハ２０上に噴射するように構
成している。この場合、噴射ノズル４４が剥離液噴射手
段を構成している。FIG. 15 shows a third embodiment of the present invention. The same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals. In the third embodiment, the resist stripper is sprayed from the spray nozzle 44 onto the Si wafer 20. In this case, the ejection nozzle 44 constitutes a stripper ejection unit.

【００５７】また、Ｓｉウエハ２０を、モータ４５の回
転軸４６の上端部に設けられたウエハステージ４７上に
載置支持するように構成されている。上記ウエハステー
ジ４７には、多数の吸着孔（図示しない）が形成されて
おり、これら吸着孔及び回転軸４６内に形成された空気
流通路並びに吸引管４８ａを通してポンプ４８により空
気を吸引することにより、ウエハステージ４７上にＳｉ
ウエハ２０を載置固定している。そして、モータ４５を
通電駆動することにより、ウエハステージ４７ひいては
Ｓｉウエハ２０を回転駆動するように構成されている。
この場合、モータ４５及びウエハステージ４７からウエ
ハ回転手段が構成されている。The Si wafer 20 is placed and supported on a wafer stage 47 provided at the upper end of the rotating shaft 46 of the motor 45. A large number of suction holes (not shown) are formed in the wafer stage 47. Air is suctioned by a pump 48 through the suction holes, an air flow passage formed in the rotating shaft 46, and a suction pipe 48a. , Si on the wafer stage 47
The wafer 20 is mounted and fixed. The motor 45 is electrically driven to rotate the wafer stage 47 and thus the Si wafer 20.
In this case, the motor 45 and the wafer stage 47 constitute a wafer rotating unit.

【００５８】また、ウエハステージ４７は、槽４９内に
収容されており、噴射ノズル４４から噴射されたレジス
ト剥離液が槽４９の外に飛散しないように構成すると共
に、レジスト剥離液を槽４９により回収するように構成
されている。尚、モータ４５の回転軸４６は、槽４９の
底壁を回転可能且つ水密に貫通するように構成されてい
る。また、噴射ノズル４４から噴射するレジスト剥離液
の温度は、ヒータ及び温度制御手段（いずれも図示しな
い）により設定温度である例えば６５±５℃になるよう
に温度制御されている。The wafer stage 47 is housed in a tank 49 so that the resist stripping solution jetted from the jet nozzle 44 is not scattered outside the tank 49, and the resist stripping solution is supplied by the tank 49. It is configured to be collected. The rotation shaft 46 of the motor 45 is configured to be rotatable and watertightly penetrate the bottom wall of the tank 49. The temperature of the resist stripping solution sprayed from the spray nozzle 44 is controlled by a heater and a temperature controller (both not shown) so as to reach a set temperature of, for example, 65 ± 5 ° C.

【００５９】上記第３の実施例によれば、モータ４５及
びウエハステージ４７によりＳｉウエハ２０を回転させ
ながら、噴射ノズル４４からレジスト剥離液を上記Ｓｉ
ウエハ２０に噴射するように構成した。このため、Ｓｉ
ウエハ２０の表面においてレジスト剥離液が速やかに流
れるようになるから、レジストを確実に除去することが
できる。According to the third embodiment, while the Si wafer 20 is rotated by the motor 45 and the wafer stage 47, the resist stripper is discharged from the spray nozzle 44 to the Si wafer.
It was configured to spray on the wafer 20. For this reason, Si
Since the resist stripping liquid flows quickly on the surface of the wafer 20, the resist can be surely removed.

【００６０】また、アルコールを噴射する噴射ノズルを
設け、この噴射ノズルからＳｉウエハ２０上にアルコー
ルを噴射するように構成しても良い。そして、このアル
コールを噴射する場合も、Ｓｉウエハ２０を回転させる
ことが好ましい。An injection nozzle for injecting alcohol may be provided, and the injection nozzle may be configured to inject alcohol onto the Si wafer 20. Also, in the case of spraying the alcohol, it is preferable to rotate the Si wafer 20.

【００６１】尚、上記第３の実施例では、噴射ノズル４
４を固定すると共に、Ｓｉウエハ２０を回転させる構成
としたが、これに代えて、噴射ノズルを回転させるよう
に構成すると共に、Ｓｉウエハを固定するように構成し
ても良い。また、噴射ノズル及びＳｉウエハを互いに逆
方向に回転させるように構成しても良い。In the third embodiment, the injection nozzle 4
4 is fixed and the Si wafer 20 is rotated. Alternatively, the spray nozzle may be rotated and the Si wafer may be fixed. Further, the injection nozzle and the Si wafer may be configured to rotate in opposite directions.

【００６２】図１６は本発明の第４の実施例を示すもの
である。尚、第１の実施例と同一部分には同一符号を付
している。この第４の実施例では、槽１２の４つの側壁
部の各内面にＳｉウエハ２０を固定すると共に、槽１２
内のレジスト剥離液を撹拌する撹拌手段として例えばマ
グネットからなる撹拌体５０を槽１２の内底部に設けて
いる。上記撹拌体５０は、ホットプレート２４内に設け
られたモータ２７及びマグネット２８により回転駆動さ
れるように構成されている。尚、これ以外の構成は第１
の実施例と同じ構成となっている。FIG. 16 shows a fourth embodiment of the present invention. The same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals. In the fourth embodiment, the Si wafer 20 is fixed to each inner surface of the four side walls of the tank 12 and
A stirring member 50 made of, for example, a magnet is provided at the inner bottom of the tank 12 as stirring means for stirring the resist stripping solution therein. The agitator 50 is configured to be rotationally driven by a motor 27 and a magnet 28 provided in the hot plate 24. Note that other configurations are the first.
The configuration is the same as that of the embodiment.

【００６３】従って、第４の実施例においても、第１の
実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。特に、
第４の実施例では、槽１２の４つの側壁部の内面にＳｉ
ウエハ２０をそれぞれ固定するように構成したので、１
度に４枚のＳｉウエハ２０のレジスト剥離処理を実行す
ることができる。Therefore, in the fourth embodiment, substantially the same functions and effects as those of the first embodiment can be obtained. In particular,
In the fourth embodiment, the inner surfaces of the four side walls of the tank 12 are made of Si.
Since each of the wafers 20 is configured to be fixed,
The resist stripping process for four Si wafers 20 can be executed each time.

【００６４】尚、上記第４の実施例では、撹拌体５０を
マグネットから構成すると共に、この撹拌体５０をホッ
トプレート２４内のモータ２７及びマグネット２８によ
り回転駆動するように構成したが、これに代えて、ホッ
トプレート２４内に設けたモータの回転軸を槽１２の底
壁部を貫通させると共に、この貫通させた回転軸の上端
部にパルセータを取り付け、このパルセータにより槽１
２内のレジスト剥離液を撹拌するように構成しても良
い。この構成の場合、モータの回転軸と槽１２の底壁部
との間には、回転可能に支持すると共に両者の間を水密
にシールするシール構造が必要である。In the fourth embodiment, the stirrer 50 is formed of a magnet, and the stirrer 50 is driven to rotate by the motor 27 and the magnet 28 in the hot plate 24. Instead, the rotating shaft of the motor provided in the hot plate 24 is made to penetrate the bottom wall of the tank 12, and a pulsator is attached to the upper end of the penetrated rotating shaft.
The resist stripping solution in 2 may be configured to be stirred. In the case of this configuration, a seal structure that rotatably supports and seals a watertight seal is required between the rotating shaft of the motor and the bottom wall of the tank 12.

【００６５】図１７は本発明の第５の実施例を示すもの
である。尚、第１の実施例と同一部分には同一符号を付
している。この第５の実施例では、槽１２の内部に、多
数のＳｉウエハ２０をセット可能なウエハキャリア５１
を回転可能に設けている。具体的には、ウエハキャリア
５１は、多数のＳｉウエハ２０を縦置き状に所定の間隔
をおいて並べてセットすることが可能である。そして、
ウエハキャリア５１の左右の端面部には回転軸５２が突
設されている。これら回転軸５２を槽１２の左右の側壁
部に回転可能に支承させている。更に、上記回転軸５２
の少なくとも一方にモータ（図示しない）の回転力を伝
達するように構成している。これにより、ウエハキャリ
ア５１ひいては多数のＳｉウエハ２０が回転駆動される
構成となっている。また、ホットプレート２４内には、
ヒータ２３が配設されているだけであり、モータ２７及
びマグネット２８は配設されていない。FIG. 17 shows a fifth embodiment of the present invention. The same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals. In the fifth embodiment, a wafer carrier 51 in which a large number of Si wafers 20 can be set
Is rotatably provided. Specifically, the wafer carrier 51 can set a large number of Si wafers 20 in a vertical arrangement at predetermined intervals. And
Rotation shafts 52 are protruded from left and right end surfaces of the wafer carrier 51. These rotating shafts 52 are rotatably supported on left and right side walls of the tank 12. Further, the rotation shaft 52
Is transmitted to at least one of the motors (not shown). As a result, the wafer carrier 51 and thus many Si wafers 20 are driven to rotate. Also, in the hot plate 24,
Only the heater 23 is provided, and the motor 27 and the magnet 28 are not provided.

【００６６】尚、上述した以外の構成は第１の実施例と
同じ構成となっている。従って、第５の実施例において
も、第１の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができ
る。特に、第５の実施例では、多数のＳｉウエハ２０を
ウエハキャリア５１ごと回転駆動するように構成したの
で、１度に多数のＳｉウエハ２０のレジスト剥離処理を
実行することができる。The configuration other than the above is the same as that of the first embodiment. Therefore, in the fifth embodiment, substantially the same operation and effect as in the first embodiment can be obtained. In particular, in the fifth embodiment, since a large number of Si wafers 20 are configured to be rotationally driven together with the wafer carrier 51, the resist stripping process for a large number of Si wafers 20 can be executed at one time.

【００６７】図１８及び図１９は本発明の第６の実施例
を示すものである。尚、第１の実施例と同一部分には同
一符号を付している。この第６の実施例では、円筒状の
槽５３の内底部の中心部にパルセータ５４を回転可能に
設けると共に、このパルセータ５４を槽５３の下部に設
けられた機械ユニット５５内に配設されたモータにより
回転駆動するように構成されている。上記パルセータ５
４の回転動作により、槽５３内には、図１９中左回り
（または右回り）方向のレジスト剥離液（またはアルコ
ール）の流れが形成されるようになっている。また、機
械ユニット５５内には、ヒータ２３が配設されている。FIGS. 18 and 19 show a sixth embodiment of the present invention. The same parts as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals. In the sixth embodiment, a pulsator 54 is rotatably provided at the center of the inner bottom of a cylindrical tank 53, and the pulsator 54 is provided in a mechanical unit 55 provided below the tank 53. It is configured to be rotationally driven by a motor. The above pulsator 5
By the rotation operation 4, the flow of the resist stripping liquid (or alcohol) in the counterclockwise (or clockwise) direction in FIG. 19 is formed in the tank 53. The heater 23 is provided in the mechanical unit 55.

【００６８】そして、上記槽５３の内部には、４個のウ
エハキャリア５６が図１９に示すように等間隔に収容固
定されている。各ウエハキャリア５６には、多数のＳｉ
ウエハ２０を縦置き状に所定の間隔で並べてセットする
ことが可能になっている。上記構成の場合、パルセータ
５４の回転動作により、槽５３内に図１９中左回り（ま
たは右回り）方向のレジスト剥離液（またはアルコー
ル）の流れが発生し、もって、レジスト剥離液がウエハ
キャリア５６にセットされているＳｉウエハ２０の各間
を流れる、即ち、Ｓｉウエハ２０の各表面を流れるよう
に構成されている。尚、上述した以外の第６の実施例の
構成は第１の実施例と同じ構成となっている。従って、
第６の実施例においても、第１の実施例とほぼ同じ作用
効果を得ることができる。In the tank 53, four wafer carriers 56 are housed and fixed at equal intervals as shown in FIG. Each wafer carrier 56 has a large number of Si
The wafers 20 can be set vertically at predetermined intervals. In the case of the above configuration, the rotation of the pulsator 54 generates a flow of the resist stripping solution (or alcohol) in the tank 53 in the counterclockwise (or clockwise) direction in FIG. It flows between each of the Si wafers 20 set on the wafer, that is, flows on each surface of the Si wafer 20. The configuration of the sixth embodiment other than that described above is the same as that of the first embodiment. Therefore,
In the sixth embodiment, almost the same operation and effect as those of the first embodiment can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の第１の実施例を示すもので、レジスト
剥離装置の概略構成を示す縦断面図FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention, and is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of a resist stripping apparatus.

【図２】フリップチップＩＣのバンプ電極の形成工程を
説明する縦断面図（その１）FIG. 2 is a longitudinal sectional view for explaining a process of forming a bump electrode of a flip chip IC (part 1);

【図３】フリップチップＩＣのバンプ電極の形成工程を
説明する縦断面図（その２）FIG. 3 is a longitudinal sectional view for explaining a bump electrode forming process of the flip-chip IC (part 2).

【図４】フリップチップＩＣのバンプ電極の形成工程を
説明する縦断面図（その３）FIG. 4 is a longitudinal sectional view for explaining a bump electrode forming step of the flip-chip IC (part 3).

【図５】フリップチップＩＣのバンプ電極の形成工程を
説明する縦断面図（その４）FIG. 5 is a longitudinal sectional view for explaining a bump electrode forming step of the flip-chip IC (part 4).

【図６】Ｓｉウエハの回転速度とレジスト残滓発生率と
の関係を示す図FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the rotation speed of a Si wafer and the rate of occurrence of resist residues.

【図７】槽内のレジスト剥離液の温度分布を説明するた
めの縦断面図FIG. 7 is a longitudinal sectional view for explaining a temperature distribution of a resist stripping solution in a tank.

【図８】槽内の上部部分のレジスト剥離液の温度変化を
示す図FIG. 8 is a diagram showing a temperature change of a resist stripping solution in an upper part in a tank.

【図９】槽内の中央部部分のレジスト剥離液の温度変化
を示す図FIG. 9 is a diagram showing a change in temperature of a resist stripping solution in a central portion in a tank.

【図１０】槽内の下部部分のレジスト剥離液の温度変化
を示す図FIG. 10 is a diagram showing a temperature change of a resist stripping solution in a lower portion in a tank.

【図１１】（ａ）〜（ｅ）は、レジスト剥離液浸漬工程
及びアルコール浸漬工程の実行によりレジストが剥離さ
れていく様子を示す図FIGS. 11A to 11E are diagrams showing a state in which the resist is stripped by performing a resist stripping solution dipping step and an alcohol dipping step;

【図１２】レジストの残り深さの変化を示す図FIG. 12 is a diagram showing a change in a remaining depth of a resist.

【図１３】半田めっきのオーバーハング量とレジスト残
滓発生率との関係を示す図FIG. 13 is a diagram showing a relationship between the amount of overhang of solder plating and the rate of occurrence of resist residue.

【図１４】本発明の第２の実施例を示すレジスト剥離装
置の斜視図FIG. 14 is a perspective view of a resist stripping apparatus showing a second embodiment of the present invention.

【図１５】本発明の第３の実施例を示すレジスト剥離装
置の縦断面図FIG. 15 is a longitudinal sectional view of a resist stripping apparatus showing a third embodiment of the present invention.

【図１６】本発明の第４の実施例を示すレジスト剥離装
置の斜視図FIG. 16 is a perspective view of a resist stripping apparatus showing a fourth embodiment of the present invention.

【図１７】本発明の第５の実施例を示すレジスト剥離装
置の斜視図FIG. 17 is a perspective view of a resist removing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

【図１８】本発明の第６の実施例を示すレジスト剥離装
置の斜視図FIG. 18 is a perspective view of a resist stripping apparatus showing a sixth embodiment of the present invention.

【図１９】レジスト剥離装置の上面図FIG. 19 is a top view of a resist stripping apparatus.

【図２０】従来構成を示す図４相当図FIG. 20 is a diagram corresponding to FIG. 4, showing a conventional configuration.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１１はレジスト剥離装置、１２は槽、１３はレジスト剥
離液供給管、１４はアルコール供給管、１７は排液通
路、１８は排液タンク、２０はＳｉウエハ（半導体ウエ
ハ）、２１は治具、２２はマグネット（内部磁石）、２
３はヒータ（加熱手段）、２４はホットプレート、２５
は温度制御装置（温度制御手段）、２６は熱電対、２７
はモータ（磁石回転駆動部）、２８はマグネット（外部
磁石）、２９はウエハ回転手段、３５はレジスト、３６
は孔、３７はＣｕめっき、３８は半田めっき、３８ａは
オーバーハング部、３９、４０は剥離液槽、４１、４２
はアルコール槽、４３は回転駆動装置、４４は噴射ノズ
ル（剥離液噴射手段）、４５はモータ、４６は回転軸、
４７はウエハステージ、４９は槽、５０は撹拌体（撹拌
手段）、５１はウエハキャリア、５２は回転軸、５３は
槽、５４はパルセータ、５５は機械ユニット、５６はウ
エハキャリアを示す。11 is a resist stripper, 12 is a tank, 13 is a resist stripper supply pipe, 14 is an alcohol supply pipe, 17 is a drain passage, 18 is a drain tank, 20 is a Si wafer (semiconductor wafer), 21 is a jig, 22 is a magnet (internal magnet), 2
3 is a heater (heating means), 24 is a hot plate, 25
Is a temperature control device (temperature control means), 26 is a thermocouple, 27
Is a motor (magnet rotation driving unit), 28 is a magnet (external magnet), 29 is wafer rotating means, 35 is a resist, 36
Is a hole, 37 is Cu plating, 38 is solder plating, 38a is an overhang portion, 39 and 40 are stripper baths, 41 and 42.
Is an alcohol tank, 43 is a rotation driving device, 44 is an injection nozzle (stripping liquid injection means), 45 is a motor, 46 is a rotating shaft,
47 is a wafer stage, 49 is a tank, 50 is a stirring body (stirring means), 51 is a wafer carrier, 52 is a rotating shaft, 53 is a tank, 54 is a pulsator, 55 is a mechanical unit, and 56 is a wafer carrier.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−305928（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−219385（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−222496（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−283415（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−132291（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−310514（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−18446（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 H01L 21/60 H01L 21/304 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-4-305928 (JP, A) JP-A-9-219385 (JP, A) JP-A 8-222496 (JP, A) JP-A-6-222 283415 (JP, A) JP-A-6-132291 (JP, A) JP-A-6-310514 (JP, A) JP-A-56-18446 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. ⁷ , DB name) H01L 21/027 H01L 21/60 H01L 21/304

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項１】 内部に貯留している液体の中に半導体ウ
エハを浸漬するための槽と、 この槽内にレジスト剥離液を供給する剥離液供給手段
と、 前記槽内にアルコールを供給するアルコール供給手段
と、 前記槽内に貯留されている液を排出する排出手段とを備
え、前記半導体ウエハは、オーバーハング部を持つバンプ電
極を有し、そのオーバーハング部の下にレジストを有す
るものであり、更に、 前記半導体ウエハを前記レジスト剥離液及び前記アルコ
ールの中に交互に２回以上浸漬させるように構成したこ
とを特徴とするレジスト剥離装置。1. A tank for immersing a semiconductor wafer in a liquid stored therein, a stripping liquid supply unit for supplying a resist stripping liquid into the tank, and an alcohol for supplying alcohol into the tank A supply means; and a discharge means for discharging the liquid stored in the tank, wherein the semiconductor wafer has a bump electrode having an overhang portion.
With poles and resist under its overhang
Shall be, still, a resist stripping apparatus, characterized in that the semiconductor wafer and configured to dip more than twice alternately in the resist stripping solution and the alcohol. 【請求項２】 前記槽内の前記レジスト剥離液または前
記アルコール中に浸漬されている半導体ウエハを回転駆
動するウエハ回転手段と、 前記レジスト剥離液を加熱する加熱手段と、 前記レジスト剥離液の温度を設定温度に保持するように
制御する温度制御手段とを備えたことを特徴とする請求
項１記載のレジスト剥離装置。2. A wafer rotating unit for rotating a semiconductor wafer immersed in the resist stripping solution or the alcohol in the tank, a heating unit for heating the resist stripping solution, and a temperature of the resist stripping solution. 2. A resist stripping apparatus according to claim 1, further comprising a temperature control unit for controlling the temperature of the resist to a predetermined temperature. 【請求項３】 内部にレジスト剥離液を貯留すると共
に、このレジスト剥離液の中に半導体ウエハを浸漬する
２つの剥離液槽と、 これら２つの剥離液槽内のレジスト剥離液を加熱する２
つの加熱手段と、 前記２つの剥離液槽内のレジスト剥離液の温度を設定温
度に保持するように前記２つの加熱手段を制御する２つ
の温度制御手段と、 内部にアルコールを貯留すると共に、このアルコールの
中に半導体ウエハを浸漬する２つのアルコール槽と、 これら２つのアルコール槽内のアルコール中に浸漬され
ている半導体ウエハを回転駆動する２つのウエハ回転手
段とを備え、前記半導体ウエハは、オーバーハング部を持つバンプ電
極を有し、そのオーバーハング部の下にレジストを有す
るものであり、更に、 前記半導体ウエハを前記レジスト剥離液槽と前記アルコ
ール槽との中に、交互に２回ずつ浸漬させるように構成
したことを特徴とするレジスト剥離装置。3. A resist stripping solution is stored therein, and two stripping baths for immersing the semiconductor wafer in the resist stripping solution, and the resist stripping solution in the two stripping baths is heated.
Two heating means; two temperature control means for controlling the two heating means so as to maintain the temperature of the resist stripping solution in the two stripping solution tanks at a set temperature; and Two alcohol tanks for immersing the semiconductor wafer in the alcohol, and two wafer rotating means for rotating and driving the semiconductor wafer immersed in the alcohol in the two alcohol tanks ; Bump power with hang part
With poles and resist under its overhang
A resist stripping apparatus , wherein the semiconductor wafer is alternately immersed twice in the resist stripping liquid tank and the alcohol tank, respectively. 【請求項４】 前記ウエハ回転手段は、前記槽の外底部
側に設けられた外部磁石と、この外部磁石を回転駆動す
る磁石回転駆動部と、前記槽の内部に収容される半導体
ウエハに一体的に設けられた内部磁石とを備えて構成さ
れていることを特徴とする請求項２または３に記載のレ
ジスト剥離装置。4. The wafer rotating means is integrated with an external magnet provided on the outer bottom side of the tank, a magnet rotation driving unit for rotating the external magnet, and a semiconductor wafer housed in the tank. The resist stripping apparatus according to claim 2, wherein the resist stripping apparatus is configured to include an internal magnet provided in a specific manner. 【請求項５】 半導体ウエハ上にフリップチップＩＣの
バンプ電極を形成する際に前記半導体ウエハに塗布した
レジストを剥離する方法において、前記半導体ウエハは、オーバーハング部を持つバンプ電
極を有し、そのオーバーハング部の下にレジストを有す
るものであり、更に、 前記半導体ウエハをレジスト剥離液中に浸漬した後、前
記半導体ウエハをアルコール中に浸漬し、更にこの後、
前記半導体ウエハをレジスト剥離液中に浸漬することを
特徴とするレジスト剥離方法。5. A method for removing a resist applied to a semiconductor wafer when forming a bump electrode of a flip chip IC on the semiconductor wafer, wherein the semiconductor wafer has a bump electrode having an overhang portion.
With poles and resist under its overhang
And further, after immersing the semiconductor wafer in a resist stripper, immersing the semiconductor wafer in alcohol, and thereafter,
A resist stripping method, comprising immersing the semiconductor wafer in a resist stripper. 【請求項６】 前記半導体ウエハを前記レジスト剥離液
またはアルコール中に浸漬するときに、前記半導体ウエ
ハを回転させることを特徴とする請求項５記載のレジス
ト剥離方法。6. The method according to claim 5, wherein the semiconductor wafer is rotated when the semiconductor wafer is immersed in the resist removing liquid or alcohol. 【請求項７】 前記半導体ウエハを、２回目のレジスト
剥離液中への浸漬が行われた後に、さらに、アルコール
中に浸漬することを特徴とする請求項５記載のレジスト
剥離方法。7. The resist stripping method according to claim 5, wherein the semiconductor wafer is further immersed in alcohol after being immersed in a resist stripper for a second time.