JP3336194B2 - 誘電体磁器 - Google Patents

誘電体磁器

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  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は誘電体磁器に関する
もので、例えば、スイッチング電源の平滑用コンデンサ
に好適に用いられる誘電体磁器に関するものである。
【0002】
【従来技術】従来より、高誘電率磁器コンデンサ材料と
して、BaTiO3 を主体として、これに、CaTiO
3 、BaSnO3 、CaZrO3 、SrTiO3 等を添
加したものが使用されてきた。これは室温での誘電率が
2000〜25000と高い材料である。しかし、これ
らの組成系は、この焼結温度がいずれも1300〜14
00℃と高いという欠点を有していた。このため、焼成
コストが高くなるという問題があった。
【0003】また、積層磁器コンデンサにおいては、生
の磁器シート上に電極を予め形成したものを複数枚積層
してから焼成されるので、電極材料にも上述の1300
℃以上の高温が課せられることになる。そのため、電極
材料としては、そのような高温においても、誘電体との
反応や、酸化を生じないように、高融点貴金属類、例え
ば、白金、パラジウムなどを用いなければならなかっ
た。BaTiO3 系に低融点酸化物を添加し、1150
℃以下で焼結する材料も開発されているが、いずれも誘
電率は高々3000程度であり、未だ低いという問題が
あった。
【0004】このような問題を解決したものとして、特
公昭60−18085号に開示された誘電体磁器組成物
がある。この誘電体磁器組成物は、Pb(Mg1/3 Nb
2/3)O3 −Pb(Zn1/3 Nb2/3 )O3 の固溶体か
らなり、Pb3 4 、MgO、ZnO、Nb2 5 が所
定の重量比を有するものであり、焼結温度が1150℃
以下で、かつ最大14650の高誘電率を有するもので
ある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】近年においては、電子
機器の小型化、低価格化が進むにつれ、積層コンデンサ
も小型大容量化が要求され、誘電体磁器としてもさらな
る高誘電率のものが要求されてきているが、上記した特
公昭60−18085号に開示された誘電体磁器組成物
においても未だ比誘電率が低く、小型大容量化にも限界
があった。
【0006】があった。
【0007】また、特公昭60−18085号に開示さ
れた誘電体磁器組成物においては、コンデンサ材料とし
て最も重要な絶縁抵抗について述べられていないためコ
ンデンサ材料としての有用性が明らかでない。
【0008】さらに、鉛系誘電体材料はDCバイアスを
印加した際の容量低下が、BaTiO3 系材料と比較し
著しく小さいという特徴があるため、近年、スイッチン
グ電源の平滑用コンデンサとして市場の要求が高まって
いる。このような平滑用電源に要求される特性として
は、比誘電率が高いこともさることながら、コンデンサ
を構成した場合の静電容量の温度特性が、従来用いられ
ていたコンデンサのJIS規格におけるF特性よりもさ
らに安定なE特性が要求されている。
【0009】本発明は、比誘電率が15000以上で、
高絶縁性を有し、かつ、静電容量の温度特性がJIS規
格におけるE特性を満足する誘電体磁器を提供すること
を目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者は、Pb(Mg
1/3 Nb2/3 )O3 −Pb(Zn1/3 Nb2/3 )O3
の誘電体磁器について鋭意検討した結果、ペロブスカイ
ト型結晶を主結晶相とし、パイロクロア結晶相を一定量
含有するとともに、全体組成においてMgと(Mg+Z
n)のモル比、Pbと(Mg+Zn+Nb)のモル比が
一定の範囲にある場合には、比誘電率が15000以上
で、高絶縁性を有し、かつ、静電容量の温度特性がJI
S規格におけるE特性を満足する誘電体磁器が得られる
ことを見出し、本発明に至った。
【0011】本発明の誘電体磁器は、金属元素としてP
b、Mg、Zn、Nbを含み、かつペロブスカイト型複
合酸化物を主結晶相とし、Pb 3 Nb 4 13 からなるパイ
ロクロア結晶相を含有するとともに、全体組成における
Mgと(Mg+Zn)のモル比、Pbと(Mg+Zn+
Nb)のモル比が、 0.6 ≦Mg/(Mg+Zn)≦0.8 0.975≦Pb/(Mg+Zn+Nb)≦0.995 を満足し、かつペロブスカイト型結晶の主結晶相(11
0面)の強度をI 110 、Pb 3 Nb 4 13 からなるパイロ
クロア結晶の主結晶相(222面)の強度をI 222 とし
た時、0.005≦I 222 /(I 110 +I 222 )≦0.0
8を満足することを特徴とする。
【0012】
【0013】
【作用】本発明の誘電体磁器は、1050℃以下で焼成
でき、比誘電率が15000以上で、高絶縁性を有し、
かつ、静電容量の温度特性がJIS規格におけるE特性
(温度変化率が−25〜85℃において+20〜−55
%)を満足する誘電体磁器が得られる。
【0014】また、ペロブスカイト型結晶の主結晶相
(110面)の強度をI110 、Pb3Nb4 13からな
るパイロクロア結晶の主結晶相(222面)の強度をI
222 とした時、0.005≦I222 /(I110
222 )≦0.08を満足することにより、上記した特
性をさらに向上することができる。
【0015】本発明の誘電体磁器を用いて作製した誘電
体層の厚みが3〜10μmの積層セラミックコンデンサ
は高い絶縁抵抗を有することから、コンデンサ用磁器、
特にスイッチング電源の平滑用コンデンサとして最適と
なる。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器は、Pb(M
1/3 Nb2/3 )O3 −Pb(Zn1/3 Nb2/3 )O3
系の誘電体磁器において、全体組成におけるMgと(M
g+Zn)のモル比を0.6〜0.8、Pbと(Mg+
Zn+Nb)のモル比を0.975〜0.995とした
ものである。
【0017】全体組成におけるMgと(Mg+Zn)の
モル比を0.6〜0.8としたのは、モル比が0.6よ
りも小さい場合には比誘電率が低下するとともに、−2
5℃での静電容量の温度特性が劣化し、0.8よりも大
きい場合には焼成温度が高くなるとともに、+85℃で
の静電容量の温度特性が劣化するからである。
【0018】Mgと(Mg+Zn)のモル比は、静電容
量の温度特性の観点から0.62〜0.78であること
が特に望ましい。
【0019】また、Pbと(Mg+Zn+Nb)のモル
比を0.975〜0.995としたのは、このモル比が
0.975よりも小さい場合には比誘電率が15000
よりも小さくなり、0.995よりも大きい場合には焼
成したMLC磁器の表面が変色し、外観上の欠点が生じ
るからである。Pbと(Mg+Zn+Nb)のモル比
は、比誘電率の向上という観点から0.975〜0.9
9であることが望ましい。
【0020】また、本発明においては、0.005≦I
222 /(I110 +I222 )≦0.08を満足することに
より、さらに特性を向上することができる。I222
(I11 0 +I222 )が0.005よりも小さい場合に
は、−25℃での静電容量の温度特性が劣化し易く、
0.08よりも大きい場合には比誘電率が低下し易く、
焼成温度が1050度よりも高くなり易いからである。
【0021】Pb3 Nb4 13からなるパイロクロア結
晶相は、温度特性および低温焼成化という観点から0.
0099≦I222 /(I110 +I222 )≦0.075を
満足することが望ましい。
【0022】本発明では、Pb3 Nb4 13からなるパ
イロクロア結晶相と異なるパイロクロア相、例えば、P
2 Nb2 7 等を含有しても良い。
【0023】また、本発明の誘電体磁器中には、不可避
不純物としてMn,Ca,K,Na,As,Fe,C
u,Ta,Si,Al,Ca等を含有することがあり、
また、粉砕ボールからボール成分が混入する場合もあ
る。
【0024】本発明の誘電体磁器は、例えば、PbO、
MgO、Nb2 5 、ZnO粉末を備し、まずMgOと
Nb2 5 の混合粉末を仮焼し反応させMgNb2 6
の合成粉末を作製する。次にこのMgNb2 6 粉末と
PbO、ZnO、Nb2 を、Mgと(Mg+Zn)
のモル比およびPbと(Mg+Zn+Nb)のモル比が
所定値となるように秤量して混合し、仮焼し、所定の化
合物粉体を得る。
【0025】尚、ここではMgNb6 粉末を先に
合成したが、MgO、ZnO,Nb25 を反応させ、
MgNb2 6 −ZnO系化合物粉体を合成し、これを
粉砕した粉末にPbOを配合、仮焼し最終組成の化合物
粉体を得てもかまわない。鉛源としてPbO以外のPb
3 4 等の他の鉛酸化物を用いてもかまわない。ゾルゲ
ル、アルコキシド、水熱等の他の合成方法により作製し
た一時原料、MgNb26 等の化合物を用いてもかま
わない。
【0026】しかし、一旦MgNb2 6 が合成する過
程を含まない合成プロセスでは、誘電体磁器において高
誘電率を与える結晶構造であるペロブスカイト構造の合
成率が著しく低下し、比誘電率が急激に低下しコンデン
サ材料として有用性がなくなる。従って、MgNb2
6 が一旦合成するプロセスを経る必要がある。
【0027】そして、化合物粉体を混合粉砕し、所定の
バインダーを混合し、所定形状に成形し、大気などの酸
化性雰囲気において1000〜1050℃で1〜3時間
焼成することにより、本発明の誘電体磁器を得る。Pb
3 Nb4 13やPb2 Nb27 等のパイロクロア結晶
は530〜700℃において生成される。その生成量は
Pb量により変動する。Pbは仮焼、焼成時に蒸発する
ため、昇温速度およびPbと(Mg+Zn+Nb)のモ
ル比により制御できる。
【0028】
【実施例】出発原料として、PbO、MgO、Nb2
5 、ZnO粉末を準備した。まずMgOとNb2 5
混合粉末を大気中において1000℃で4時間仮焼し、
MgNb2 6 の合成粉末を作製した。このMgNb2
6 の合成粉末とPbO、ZnO、Nb2 5 粉末を、
Mgと(Mg+Zn)のモル比およびPbと(Mg+Z
n+Nb)のモル比が表1に示す値となるように所定量
秤量して混合し、920℃で2時間仮焼し、所定の化合
物粉体を得た。
【0029】この化合物粉体をジルコニアボール、ポリ
ポットを用いて20時間混合粉砕した。このスラリーを
乾燥した後、1重量%のポリビニルアルコール(PV
A)を加え、バインダーを混合し、造粒粉を作製した。
1ton/cm2 の圧力で直径12mm、厚み約1mm
の円板に成形した。その後、400℃で4時間脱脂した
後、大気中で表1に示す温度で2時間、マグネシア甲鉢
に入れ焼成した。尚、Pb3 Nb4 13からなるパイロ
クロア結晶の含有量を制御するために焼成時における昇
温速度を制御した(200〜1000℃/hr)。
【0030】そして、焼結体の両面にIn−Ga電極を
塗布して形成し、LCRメータにより温度25℃、周波
数1KHz,測定電圧1Vrmsの条件で比誘電率及び
誘電損失を測定した。絶縁抵抗は直流電圧500Vを印
加し1分後に測定した。
【0031】さらに、X線回折測定を行い、ペロブスカ
イト型結晶の主結晶相(110面)の強度をI110 、P
3 Nb4 13からなるパイロクロア結晶の主結晶相
(222面)の強度をI222 とした時のI222 /(I
110 +I222 )を求め、これらの結果を表1,2に記載
した。図1に試料No.5のX線回折測定結果を示す。
【0032】また、積層セラミックコンデンサを作製
し、評価した。以下に説明する。
【0033】上記で述べた方法にて作製した化合物粉体
に溶剤、分散剤を適量添加しジルコニアボールを用いた
ボールミルで粉砕した。取り出したスラリーにバインダ
ーを添加し、良く混合分散させた後ドクターブレード法
にて誘電体シートを作製した。誘電体シートが乾燥した
後、Ag−Pdの合金粉を用いて作製した内部電極ペー
ストをスクリーン印刷にて誘電体シート上に印刷した。
コンデンサとして作用する誘電体シートを10層形成す
るまで、上記した工程を繰り返した。
【0034】内部電極の印刷が終了した後は、誘電体シ
ートのみを印刷した。その後通常のチップ形状にカット
し、脱バインダーを行った。焼成は所定のマグネシア甲
鉢にて大気中で表1に示す温度で2時間行った。焼成し
たチップはバレルした後、Agからなる外部電極を焼き
付けて、誘電体厚み5μm、有効電極面積3.2mm×
1.6mm、誘電体層の有効積層数が10層の積層コン
デンサを作製した。
【0035】次に、評価試料を、LCRメーター428
4Aを用いて、周波数1.0MHz、入力信号レベル
1.0Vrmsで、−25〜85℃の温度範囲において
静電容量を測定し、+25℃での静電容量に対する各温
度での静電容量の変化率を算出した。さらに、絶縁抵抗
を直流電圧10V、温度特性は1KVで測定した。これ
らの結果を表2に記載する。
【0036】尚、焼成温度、比誘電率、誘電損失は誘電
体磁器を用いた結果を示し、実用上重要な絶縁抵抗及び
温度特性は上記に示した方法で作製した積層セラミック
コンデンサの測定結果を示した。
【0037】
【表1】
【0038】
【表2】
【0039】これらの表1,2から、全体組成における
Mgと(Mg+Zn)のモル比が0.6よりも小さい試
料No.7では比誘電率が11000に低下し、−25℃
での静電容量の温度特性が劣化していることが判る。ま
た、0.8よりも大きい試料No.13では焼成温度が高
くなり、+85℃での静電容量の温度特性が劣化してい
ることが判る。
【0040】またPbと(Mg+Zn+Nb)のモル比
が0.975よりも小さい試料No.6では比誘電率が1
1100と小さくなり、0.995よりも大きい試料N
o.1、2では磁器表面が変色したり、静電容量の温度特
性が劣化することが判る。
【0041】一方、本発明の範囲内の試料では、焼成温
度が1050℃以下であり、比誘電率も15000以
上、絶縁抵抗も2×1012Ω以上、静電容量の温度特性
もJIS規格におけるE特性を満足することが判る。
【0042】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器では、1050℃以
下で焼成でき、比誘電率が15000以上で、高絶縁性
を有し、かつ、静電容量の温度特性がJIS規格におけ
るE特性を満足することができ、この誘電体磁器を用い
て作製した誘電体層の厚みが3〜10μmの積層セラミ
ックコンデンサは高い絶縁抵抗を有することから、コン
デンサ用磁器、特にスイッチング電源の平滑用コンデン
サとして最適となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】試料No.5のX線回折測定結果を示す図であ
る。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属元素としてPb、Mg、Zn、Nbを
    含み、かつペロブスカイト型複合酸化物を主結晶相と
    し、Pb 3 Nb 4 13 からなるパイロクロア結晶相を含有
    するとともに、全体組成におけるMgと(Mg+Zn)
    のモル比、Pbと(Mg+Zn+Nb)のモル比が、 0.6 ≦Mg/(Mg+Zn)≦0.8 0.975≦Pb/(Mg+Zn+Nb)≦0.995 を満足し、かつペロブスカイト型結晶の主結晶相(11
    0面)の強度をI 110 、Pb 3 Nb 4 13 からなるパイロ
    クロア結晶の主結晶相(222面)の強度をI 222 とし
    た時、0.005≦I 222 /(I 110 +I 222 )≦0.0
    8を満足することを特徴とする誘電体磁器。
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